JPH09102393A - 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法Info
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- JPH09102393A JPH09102393A JP7260220A JP26022095A JPH09102393A JP H09102393 A JPH09102393 A JP H09102393A JP 7260220 A JP7260220 A JP 7260220A JP 26022095 A JP26022095 A JP 26022095A JP H09102393 A JPH09102393 A JP H09102393A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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-
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 媒体層及び電極が特性を劣化させない有機Ｅ
Ｌディスプレイパネル及びその製法。 【解決手段】 基板２上に、発光部に対応する複数の第
１表示電極３及び画像表示配列領域の周縁に複数の端子
パッドＰを形成するパターン工程と、少なくとも第１表
示電極の一部分を露出せしめかつ全体が基板上から突出
しかつその上部に基板に平行な方向に突出するオーバー
ハング部７ａを有し、さらに、隣接する端子パッド間に
伸長しかつ端子パッド及び第２表示電極９を電気的に接
続する接続領域Ｐａを画定しかつ端子パッド間を絶縁す
る隔壁端部７ｂを有する電気絶縁性の隔壁７を形成する
隔壁形成工程と、露出した第１表示電極の部分の各々上
に有機ＥＬ媒体を堆積させ、少くとも１層の有機ＥＬ媒
体の薄膜を形成する発光層形成工程と、有機ＥＬ媒体の
薄膜の複数及び端子パッドの接続領域の複数の上に第２
表示電極を形成し、薄膜及び端子パッドを電気的に接続
する工程とを含む。
Ｌディスプレイパネル及びその製法。 【解決手段】 基板２上に、発光部に対応する複数の第
１表示電極３及び画像表示配列領域の周縁に複数の端子
パッドＰを形成するパターン工程と、少なくとも第１表
示電極の一部分を露出せしめかつ全体が基板上から突出
しかつその上部に基板に平行な方向に突出するオーバー
ハング部７ａを有し、さらに、隣接する端子パッド間に
伸長しかつ端子パッド及び第２表示電極９を電気的に接
続する接続領域Ｐａを画定しかつ端子パッド間を絶縁す
る隔壁端部７ｂを有する電気絶縁性の隔壁７を形成する
隔壁形成工程と、露出した第１表示電極の部分の各々上
に有機ＥＬ媒体を堆積させ、少くとも１層の有機ＥＬ媒
体の薄膜を形成する発光層形成工程と、有機ＥＬ媒体の
薄膜の複数及び端子パッドの接続領域の複数の上に第２
表示電極を形成し、薄膜及び端子パッドを電気的に接続
する工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流の注入によっ
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬという）を利用して、かかる有機ＥＬ材料
の薄膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子の複数をマ
トリクス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネルに関
する。
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬという）を利用して、かかる有機ＥＬ材料
の薄膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子の複数をマ
トリクス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネルに関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、有機ＥＬ素子の陰極や有機ＥＬ
媒体層をマイクロパターニングすることは、電荷注入層
や発光層に用いられる有機ＥＬ媒体の耐熱性（一般に１
００℃以下）、耐溶剤性、耐湿性の低さのため困難であ
る。例えば、通常薄膜のパターニングに用いられるフォ
トリソグラフィ法を有機ＥＬ素子に用いると、フォトレ
ジスト中の溶剤の素子への侵入や、レジストベーク中の
高温雰囲気や、レジスト現像液またはエッチング液の素
子への浸入や、ドライエッチング時のプラズマによるダ
メージ等の原因により有機ＥＬ素子特性が劣化する問題
が生じる。
媒体層をマイクロパターニングすることは、電荷注入層
や発光層に用いられる有機ＥＬ媒体の耐熱性（一般に１
００℃以下）、耐溶剤性、耐湿性の低さのため困難であ
る。例えば、通常薄膜のパターニングに用いられるフォ
トリソグラフィ法を有機ＥＬ素子に用いると、フォトレ
ジスト中の溶剤の素子への侵入や、レジストベーク中の
高温雰囲気や、レジスト現像液またはエッチング液の素
子への浸入や、ドライエッチング時のプラズマによるダ
メージ等の原因により有機ＥＬ素子特性が劣化する問題
が生じる。
【０００３】また、蒸着マスクを用いてパターニングす
る方法もあるが、基板及び蒸着間のマスクの密着不良に
よる蒸着物の回り込みや、強制的に基板と蒸着マスクを
密着させた場合のマスクとの接触により有機ＥＬ媒体層
が傷ついてインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという）
などからなる陽極と陰極がショートすることや、陰極の
ストライプ状パターンなど開口部が大きくマスク部が細
いパターンの場合にはマスク強度が不足しマスクが撓む
こと等の問題により、微細なパターンが形成できない。
る方法もあるが、基板及び蒸着間のマスクの密着不良に
よる蒸着物の回り込みや、強制的に基板と蒸着マスクを
密着させた場合のマスクとの接触により有機ＥＬ媒体層
が傷ついてインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという）
などからなる陽極と陰極がショートすることや、陰極の
ストライプ状パターンなど開口部が大きくマスク部が細
いパターンの場合にはマスク強度が不足しマスクが撓む
こと等の問題により、微細なパターンが形成できない。
【０００４】現在、有機ＥＬ材料を用いたディスプレイ
パネルとしては、特開平２−６６８７３号、特開平第５
-２７５１７２号、特開平第５-２５８８５９号及び特開
平第５-２５８８６０号の公報に開示されているものが
ある。このフルカラーディスプレイは、交差している行
と列において配置された複数の発光画素からなる画像表
示配列を有している発光装置である。
パネルとしては、特開平２−６６８７３号、特開平第５
-２７５１７２号、特開平第５-２５８８５９号及び特開
平第５-２５８８６０号の公報に開示されているものが
ある。このフルカラーディスプレイは、交差している行
と列において配置された複数の発光画素からなる画像表
示配列を有している発光装置である。
【０００５】この発光装置においては、各々の画素が共
通の電気絶縁性の光透過性基板上に配置されている。各
行内の画素は、基板上に伸長して配置された共通の光透
過性第１電極を含有し且つ該電極によって接合されてい
る。隣接行内の第１電極は、基板上で横方向に間隔をあ
けて配置されている。有機ＥＬ媒体は、第１電極及び基
板によって形成された支持面の上に配置されている。各
列の画素は、有機ＥＬ媒体上に配置された共通に伸長し
た第２電極を含有し且つ該電極によって接続されてい
る。隣接列内の第２電極は、有機ＥＬ媒体上で横方向に
間隔をあけて配置されている。この発光装置においては
有機ＥＬ媒体を挟んで交差している第１及び第２電極の
ラインを用いた単純マトリクス型を採用している。
通の電気絶縁性の光透過性基板上に配置されている。各
行内の画素は、基板上に伸長して配置された共通の光透
過性第１電極を含有し且つ該電極によって接合されてい
る。隣接行内の第１電極は、基板上で横方向に間隔をあ
けて配置されている。有機ＥＬ媒体は、第１電極及び基
板によって形成された支持面の上に配置されている。各
列の画素は、有機ＥＬ媒体上に配置された共通に伸長し
た第２電極を含有し且つ該電極によって接続されてい
る。隣接列内の第２電極は、有機ＥＬ媒体上で横方向に
間隔をあけて配置されている。この発光装置においては
有機ＥＬ媒体を挟んで交差している第１及び第２電極の
ラインを用いた単純マトリクス型を採用している。
【０００６】また、特開平第５-２７５１７２号、特開
平第５-２５８８５９号及び特開平第５-２５８８６０号
開示の技術は、ＩＴＯパターニング後の基板上に平行に
配置したストライプ状の数〜数十μｍの高さの隔壁を作
製し、その基板に隔壁に対して垂直方向、基板面に対し
て斜めの方向から有機ＥＬ媒体や陰極材料を蒸着するこ
とによりパターニングする方法である。このパターニン
グ方法では、第１電極ライン及び有機ＥＬ媒体の薄膜
を、予め基板に設けられている境界の高い壁により所定
気体流れを遮って、選択的に斜め真空蒸着して形成する
製造方法が採用されている。
平第５-２５８８５９号及び特開平第５-２５８８６０号
開示の技術は、ＩＴＯパターニング後の基板上に平行に
配置したストライプ状の数〜数十μｍの高さの隔壁を作
製し、その基板に隔壁に対して垂直方向、基板面に対し
て斜めの方向から有機ＥＬ媒体や陰極材料を蒸着するこ
とによりパターニングする方法である。このパターニン
グ方法では、第１電極ライン及び有機ＥＬ媒体の薄膜
を、予め基板に設けられている境界の高い壁により所定
気体流れを遮って、選択的に斜め真空蒸着して形成する
製造方法が採用されている。
【０００７】この従来技術は基板に垂直な高い壁を設け
てその高い壁を蒸着マスクとして使用するというものだ
が、特にパターンが微細になった場合、断面のアスペク
ト比（高さ／底辺）の非常に大きな高い壁をレジスト等
で形成するのは困難であり、また、その壁形成後の第１
及び第２電極ライン及び有機ＥＬ媒体膜の電気的接続及
び絶縁の信頼性に不安定要素が大きい。例えば、外部か
らの導電性材料による接合時の壁の崩壊や、有機ＥＬ媒
体膜並びに第１及び第２電極ラインの短絡が発生しやす
い。
てその高い壁を蒸着マスクとして使用するというものだ
が、特にパターンが微細になった場合、断面のアスペク
ト比（高さ／底辺）の非常に大きな高い壁をレジスト等
で形成するのは困難であり、また、その壁形成後の第１
及び第２電極ライン及び有機ＥＬ媒体膜の電気的接続及
び絶縁の信頼性に不安定要素が大きい。例えば、外部か
らの導電性材料による接合時の壁の崩壊や、有機ＥＬ媒
体膜並びに第１及び第２電極ラインの短絡が発生しやす
い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題を解決すべくなされ、本発明の目的は、有機ＥＬ媒体
層や陰極が素子の特性を劣化することなく信頼性の高い
有機ＥＬディスプレイパネルを提供することにある。
題を解決すべくなされ、本発明の目的は、有機ＥＬ媒体
層や陰極が素子の特性を劣化することなく信頼性の高い
有機ＥＬディスプレイパネルを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の発光部
からなる画像表示配列領域を有している有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイパネルであって、表面上に
て前記発光部に対応する複数の第１表示電極が形成され
かつ複数の端子パッドが前記画像表示配列領域の周縁に
形成された基板と、少なくとも前記第１表示電極の一部
分を露出せしめる前記基板上に突出する複数の電気絶縁
性の隔壁と、露出した前記第１表示電極の部分の各々上
に形成された少くとも１層の有機エレクトロルミネッセ
ンス媒体の薄膜と、前記有機エレクトロルミネッセンス
媒体の薄膜上に形成された複数の第２表示電極とからな
り、前記隔壁は、その上部に前記基板に平行な方向に突
出するオーバーハング部を有すること、前記隔壁は、隣
接する前記端子パッド間に伸長しかつ前記端子パッド及
び前記第２表示電極を電気的に接続する接続領域を画定
しかつ前記端子パッド間を絶縁する隔壁端部を有するこ
と、並びに前記端子パッドは、前記接続領域に電気的に
接続されかつ外部から導電材料を接続させる外部端子領
域を有することを特徴とする。
からなる画像表示配列領域を有している有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイパネルであって、表面上に
て前記発光部に対応する複数の第１表示電極が形成され
かつ複数の端子パッドが前記画像表示配列領域の周縁に
形成された基板と、少なくとも前記第１表示電極の一部
分を露出せしめる前記基板上に突出する複数の電気絶縁
性の隔壁と、露出した前記第１表示電極の部分の各々上
に形成された少くとも１層の有機エレクトロルミネッセ
ンス媒体の薄膜と、前記有機エレクトロルミネッセンス
媒体の薄膜上に形成された複数の第２表示電極とからな
り、前記隔壁は、その上部に前記基板に平行な方向に突
出するオーバーハング部を有すること、前記隔壁は、隣
接する前記端子パッド間に伸長しかつ前記端子パッド及
び前記第２表示電極を電気的に接続する接続領域を画定
しかつ前記端子パッド間を絶縁する隔壁端部を有するこ
と、並びに前記端子パッドは、前記接続領域に電気的に
接続されかつ外部から導電材料を接続させる外部端子領
域を有することを特徴とする。
【００１０】上記有機ＥＬディスプレイパネルにおい
て、前記第１表示電極及び第２表示電極は、複数のスト
ライプ状の電極でありかつ互いに直交する位置に配列す
ることもできる。本発明は、複数の発光部からなる画像
表示配列領域を有している有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に、
前記発光部に対応する複数の第１表示電極及び前記画像
表示配列領域の周縁に複数の端子パッドを形成するパタ
ーン工程と、少なくとも前記第１表示電極の一部分を露
出せしめかつ全体が前記基板上から突出しかつその上部
に前記基板に平行な方向に突出するオーバーハング部を
有し、さらに、隣接する前記端子パッド間に伸長しかつ
前記端子パッド及び前記第２表示電極を電気的に接続す
る接続領域を画定しかつ前記端子パッド間を絶縁する隔
壁端部を有する電気絶縁性の隔壁を形成する隔壁形成工
程と、露出した前記第１表示電極の部分の各々上に有機
エレクトロルミネッセンス媒体を堆積させ、少くとも１
層の有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜を形成す
る発光層形成工程と、前記有機エレクトロルミネッセン
ス媒体の薄膜の複数及び前記端子パッドの前記接続領域
の複数の上に第２表示電極を形成し、前記薄膜及び前記
端子パッドを電気的に接続する工程とを含むことを特徴
とする。
て、前記第１表示電極及び第２表示電極は、複数のスト
ライプ状の電極でありかつ互いに直交する位置に配列す
ることもできる。本発明は、複数の発光部からなる画像
表示配列領域を有している有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に、
前記発光部に対応する複数の第１表示電極及び前記画像
表示配列領域の周縁に複数の端子パッドを形成するパタ
ーン工程と、少なくとも前記第１表示電極の一部分を露
出せしめかつ全体が前記基板上から突出しかつその上部
に前記基板に平行な方向に突出するオーバーハング部を
有し、さらに、隣接する前記端子パッド間に伸長しかつ
前記端子パッド及び前記第２表示電極を電気的に接続す
る接続領域を画定しかつ前記端子パッド間を絶縁する隔
壁端部を有する電気絶縁性の隔壁を形成する隔壁形成工
程と、露出した前記第１表示電極の部分の各々上に有機
エレクトロルミネッセンス媒体を堆積させ、少くとも１
層の有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜を形成す
る発光層形成工程と、前記有機エレクトロルミネッセン
ス媒体の薄膜の複数及び前記端子パッドの前記接続領域
の複数の上に第２表示電極を形成し、前記薄膜及び前記
端子パッドを電気的に接続する工程とを含むことを特徴
とする。
【００１１】上記有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法において、前記隔壁形成工程は、前記基板上に隔壁材
料層を成膜し、その上にフォトリソグラフィ法によって
少なくとも前記第１表示電極の一部分を露出せしめるレ
ジストマスクを形成し、ドライエッチング法又はウエッ
トエッチング法によって前記オーバーハング部を有する
隔壁を食刻する工程を含むこともできる。
法において、前記隔壁形成工程は、前記基板上に隔壁材
料層を成膜し、その上にフォトリソグラフィ法によって
少なくとも前記第１表示電極の一部分を露出せしめるレ
ジストマスクを形成し、ドライエッチング法又はウエッ
トエッチング法によって前記オーバーハング部を有する
隔壁を食刻する工程を含むこともできる。
【００１２】このように、有機ＥＬ媒体の例えばストラ
イプ状パターンなど開口部が大きくマスク部が細いパタ
ーンの場合にマスク強度が不足する傾向にあるマスクを
基板に密着させても、前記隔壁が有機ＥＬ膜の発光層を
保護するので、微細なパターンが形成でき発光層に損傷
を与えることがなくなり、隔壁及びマスクによりＲＧＢ
有機層の分離が確実に行なえ、精度良くＲＧＢの媒体の
塗り分けができる。
イプ状パターンなど開口部が大きくマスク部が細いパタ
ーンの場合にマスク強度が不足する傾向にあるマスクを
基板に密着させても、前記隔壁が有機ＥＬ膜の発光層を
保護するので、微細なパターンが形成でき発光層に損傷
を与えることがなくなり、隔壁及びマスクによりＲＧＢ
有機層の分離が確実に行なえ、精度良くＲＧＢの媒体の
塗り分けができる。
【００１３】従来方法では、斜めの蒸着方向に対し垂直
な方向にしかパターニングできず、ストライプ状形状し
か形成出来ないが、本発明では、ＲＧＢがデルタ配置さ
れたものや、陰極が屈曲もしくは蛇行するようなディス
プレイパネルが実現できる。
な方向にしかパターニングできず、ストライプ状形状し
か形成出来ないが、本発明では、ＲＧＢがデルタ配置さ
れたものや、陰極が屈曲もしくは蛇行するようなディス
プレイパネルが実現できる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明による実施例を図面を参照し
つつ説明する。図１に示すように、実施例の有機ＥＬデ
ィスプレイパネルはマトリクス状に配置されかつ各々が
赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部からなる発光画素１の複数
からなる画像表示配列領域１ａを有している。さらに、
複数の端子パッドＰが画像表示配列領域１ａの周縁に形
成されている。
つつ説明する。図１に示すように、実施例の有機ＥＬデ
ィスプレイパネルはマトリクス状に配置されかつ各々が
赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部からなる発光画素１の複数
からなる画像表示配列領域１ａを有している。さらに、
複数の端子パッドＰが画像表示配列領域１ａの周縁に形
成されている。
【００１５】この有機ＥＬディスプレイパネルの基板２
上の画像表示配列領域１ａには、ＩＴＯなどの高仕事関
数の材料からなる複数の島状透明電極３ａ及びこれら島
状透明電極を電気的に接続するバスライン３ｂからなる
第１表示電極ライン３が設けられている。第１表示電極
ライン３は互いに平行な複数のストライプ状に配列され
ている。バスライン材質は電気的に導通のある、Ａｌ，
Ｃｕ，Ａｕなど抵抗率の低い金属が用いられる。後述す
る第２表示電極ライン９と第１表示電極ライン３特に透
明電極が交差する部分で発光部が形成される。
上の画像表示配列領域１ａには、ＩＴＯなどの高仕事関
数の材料からなる複数の島状透明電極３ａ及びこれら島
状透明電極を電気的に接続するバスライン３ｂからなる
第１表示電極ライン３が設けられている。第１表示電極
ライン３は互いに平行な複数のストライプ状に配列され
ている。バスライン材質は電気的に導通のある、Ａｌ，
Ｃｕ，Ａｕなど抵抗率の低い金属が用いられる。後述す
る第２表示電極ライン９と第１表示電極ライン３特に透
明電極が交差する部分で発光部が形成される。
【００１６】さらに、基板２上から突出する複数の電気
絶縁性の隔壁７が、図２に示すように、第１表示電極ラ
イン３に直交するように基板２及び第１表示電極ライン
３上にわたって形成されている。すなわち、隔壁形成工
程中、隔壁７が少なくとも第１表示電極ライン３の一部
分、特に島状透明電極を露出せしめるように、形成され
る。
絶縁性の隔壁７が、図２に示すように、第１表示電極ラ
イン３に直交するように基板２及び第１表示電極ライン
３上にわたって形成されている。すなわち、隔壁形成工
程中、隔壁７が少なくとも第１表示電極ライン３の一部
分、特に島状透明電極を露出せしめるように、形成され
る。
【００１７】隔壁７の上部に基板に平行な方向に突出す
るオーバーハング部７ａが、隔壁７の伸長方向に沿って
形成されている。隔壁７は、その断面が逆テーパ又はＴ
字となるオーバーハング部を有している。露出している
第１表示電極ライン３の部分の各々上に、少くとも１層
の有機ＥＬ媒体８の薄膜が形成されている。例えば、有
機ＥＬ媒体８は、有機発光層の単一層、あるいは有機正
孔輸送層、有機発光層及び有機電子輸送層の３層構造の
媒体、または有機正孔輸送層及び有機発光層２層構造の
媒体などである。
るオーバーハング部７ａが、隔壁７の伸長方向に沿って
形成されている。隔壁７は、その断面が逆テーパ又はＴ
字となるオーバーハング部を有している。露出している
第１表示電極ライン３の部分の各々上に、少くとも１層
の有機ＥＬ媒体８の薄膜が形成されている。例えば、有
機ＥＬ媒体８は、有機発光層の単一層、あるいは有機正
孔輸送層、有機発光層及び有機電子輸送層の３層構造の
媒体、または有機正孔輸送層及び有機発光層２層構造の
媒体などである。
【００１８】有機ＥＬ媒体８の薄膜上にその伸長方向に
沿って第２表示電極ライン９が形成されている。第２表
示電極ライン９は、有機ＥＬ媒体８の構成にもよるが、
例えば低仕事関数の材料、例えばＡｌ，Ｍｇ，Ｌｉ及び
これらの合金が用いられる。この様に第１及び第２表示
電極ラインが交差して挾まれた有機ＥＬ媒体の部分が、
発光部に対応する。この実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネルにおいて、基板及び第１表示電極が透明であり、
発光は基板側から放射される。逆に、他の実施例の有機
ＥＬディスプレイパネルにおいて、第２表示電極を透明
材料で構成して、発光を第２表示電極側から放射させる
こともできる。
沿って第２表示電極ライン９が形成されている。第２表
示電極ライン９は、有機ＥＬ媒体８の構成にもよるが、
例えば低仕事関数の材料、例えばＡｌ，Ｍｇ，Ｌｉ及び
これらの合金が用いられる。この様に第１及び第２表示
電極ラインが交差して挾まれた有機ＥＬ媒体の部分が、
発光部に対応する。この実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネルにおいて、基板及び第１表示電極が透明であり、
発光は基板側から放射される。逆に、他の実施例の有機
ＥＬディスプレイパネルにおいて、第２表示電極を透明
材料で構成して、発光を第２表示電極側から放射させる
こともできる。
【００１９】さらに、画像表示配列領域１ａの周縁部の
複数の端子パッドＰの各々において、隔壁７は、図３に
示すように、隣接する端子パッドＰ間にまで伸長してい
る隔壁端部７ｂを有している。この隔壁端部７ｂは、端
子パッドＰが第２表示電極ライン９に電気的に接続され
る接続領域Ｐａを、画定するとともに、第２表示電極ラ
イン９の材料から端子パッドＰ間を絶縁する。
複数の端子パッドＰの各々において、隔壁７は、図３に
示すように、隣接する端子パッドＰ間にまで伸長してい
る隔壁端部７ｂを有している。この隔壁端部７ｂは、端
子パッドＰが第２表示電極ライン９に電気的に接続され
る接続領域Ｐａを、画定するとともに、第２表示電極ラ
イン９の材料から端子パッドＰ間を絶縁する。
【００２０】また、端子パッドＰは、接続領域Ｐａから
伸長しこれに電気的に接続されている外部端子領域Ｐｂ
を有している。外部端子領域Ｐｂは、ワイアボンディン
グ或るいは異方性導電体を用いた熱圧着等の方法によ
り、外部端子領域Ｐｂに外部から導電材料を電気的に接
続させるようになっている。かかる構造により、オーバ
ーハング部を有する隔壁７は、隔壁頂上の金属流の軒と
なり、有機ＥＬ媒体８の薄膜とともに第２表示電極ライ
ン９間の短絡を防止し、隔壁端部７ｂも、外部接続時の
隔壁の崩壊や、端子パッドＰの短絡を防止できる。この
実施例において、有機ＥＬ媒体８の構造を、ＲＧＢの３
組でなく、１組あるいは２組にすれば、それぞれ単色デ
ィスプレイパネル、マルチカラーディスプレイパネルが
実現できることは明らかである。また、島状透明電極３
ａとバスライン３ｂを１つにまとめ、ストライプ状透明
電極とすることもできる。
伸長しこれに電気的に接続されている外部端子領域Ｐｂ
を有している。外部端子領域Ｐｂは、ワイアボンディン
グ或るいは異方性導電体を用いた熱圧着等の方法によ
り、外部端子領域Ｐｂに外部から導電材料を電気的に接
続させるようになっている。かかる構造により、オーバ
ーハング部を有する隔壁７は、隔壁頂上の金属流の軒と
なり、有機ＥＬ媒体８の薄膜とともに第２表示電極ライ
ン９間の短絡を防止し、隔壁端部７ｂも、外部接続時の
隔壁の崩壊や、端子パッドＰの短絡を防止できる。この
実施例において、有機ＥＬ媒体８の構造を、ＲＧＢの３
組でなく、１組あるいは２組にすれば、それぞれ単色デ
ィスプレイパネル、マルチカラーディスプレイパネルが
実現できることは明らかである。また、島状透明電極３
ａとバスライン３ｂを１つにまとめ、ストライプ状透明
電極とすることもできる。
【００２１】次に、有機ＥＬディスプレイパネル製造工
程を説明する。 （第１表示電極ライン形成）ガラス等の透明基板２を用
意し、その主面に、図４に示すように、ＩＴＯなどの高
仕事関数の材料からなる複数の島状透明電極３ａをマト
リクス状に形成する。次に、図５に示すように、これら
島状透明電極３ａを電気的に接続するバスライン３ｂ及
び端子パッドＰ，３Ｐを蒸着などにより形成する。バス
ラインの幅は島状透明電極の幅よりも小とする。第１表
示電極ライン３は、例えば、０．３mmピッチ、０．２８
mm幅、０．２μｍ膜厚で、複数本平行に成膜する。な
お、島状透明電極３ａ，３Ｐ及び端子パッドＰを除き、
第１表示電極ライン上を絶縁膜で被覆することもでき
る。 （隔壁形成）図６に示すように、隔壁形成工程では、隔
壁材料の非感光性のポリイミド７０を、例えばスピンコ
ート法で３μｍ膜厚に透明基板２の第１表示電極３上に
形成し、さらに隔壁の上部のオーバーハング部の材料の
ＳｉＯ2７１を、ポリイミド膜７０上に例えばスパッタ
法で０．５μｍ膜厚に形成する。
程を説明する。 （第１表示電極ライン形成）ガラス等の透明基板２を用
意し、その主面に、図４に示すように、ＩＴＯなどの高
仕事関数の材料からなる複数の島状透明電極３ａをマト
リクス状に形成する。次に、図５に示すように、これら
島状透明電極３ａを電気的に接続するバスライン３ｂ及
び端子パッドＰ，３Ｐを蒸着などにより形成する。バス
ラインの幅は島状透明電極の幅よりも小とする。第１表
示電極ライン３は、例えば、０．３mmピッチ、０．２８
mm幅、０．２μｍ膜厚で、複数本平行に成膜する。な
お、島状透明電極３ａ，３Ｐ及び端子パッドＰを除き、
第１表示電極ライン上を絶縁膜で被覆することもでき
る。 （隔壁形成）図６に示すように、隔壁形成工程では、隔
壁材料の非感光性のポリイミド７０を、例えばスピンコ
ート法で３μｍ膜厚に透明基板２の第１表示電極３上に
形成し、さらに隔壁の上部のオーバーハング部の材料の
ＳｉＯ2７１を、ポリイミド膜７０上に例えばスパッタ
法で０．５μｍ膜厚に形成する。
【００２２】次に、ＳｉＯ2膜７１上に、隔壁パターン
として、フォトレジストをスピンコートで例えば１μｍ
膜厚に成膜し例えば２０μｍの幅のフォトレジストリッ
ジ７２を残すように、通常のフォトリソグラフィ法等の
手法を用いてフォトレジストパターンを形成する。続い
て図７に示すように、該フォトレジストリッジ７２をマ
スクとして、リアクティブイオンエッチング等を手法を
用いてＳｉＯ2膜７１をフォトレジストと同一の隔壁パ
ターン形状にエッチングする。
として、フォトレジストをスピンコートで例えば１μｍ
膜厚に成膜し例えば２０μｍの幅のフォトレジストリッ
ジ７２を残すように、通常のフォトリソグラフィ法等の
手法を用いてフォトレジストパターンを形成する。続い
て図７に示すように、該フォトレジストリッジ７２をマ
スクとして、リアクティブイオンエッチング等を手法を
用いてＳｉＯ2膜７１をフォトレジストと同一の隔壁パ
ターン形状にエッチングする。
【００２３】その後、２段階エッチングプロセスを行
う。第１に、Ｏ2などのガスを用いてリアクティブイオ
ンエッチング（異方性エッチング）を行い、ポリイミド
膜７０をアンダーカットがないように垂直にドライエッ
チングする。図８に示すように、第２に、アルカリ溶液
で３０秒間程度あるいは、１〜２分間ウエットエッチン
グを行いポリイミド膜７０の側面７０ａを等方的にエッ
チングする。ドライエッチング及びウエットエッチング
を用いて、ポリイミド膜７０の隔壁本体及びその上部に
基板に平行な方向に突出するオーバーハング部７ａのＳ
ｉＯ2膜７１からなる断面が略Ｔ字型又は逆テーパ（逆
等脚台形）の隔壁７を形成する。この様にして、少なく
とも第１表示電極の一部分、特に透明電極を露出せしめ
かつ全体が基板上から突出しかつその上部に基板に平行
な方向に突出するオーバーハング部を形成する。
う。第１に、Ｏ2などのガスを用いてリアクティブイオ
ンエッチング（異方性エッチング）を行い、ポリイミド
膜７０をアンダーカットがないように垂直にドライエッ
チングする。図８に示すように、第２に、アルカリ溶液
で３０秒間程度あるいは、１〜２分間ウエットエッチン
グを行いポリイミド膜７０の側面７０ａを等方的にエッ
チングする。ドライエッチング及びウエットエッチング
を用いて、ポリイミド膜７０の隔壁本体及びその上部に
基板に平行な方向に突出するオーバーハング部７ａのＳ
ｉＯ2膜７１からなる断面が略Ｔ字型又は逆テーパ（逆
等脚台形）の隔壁７を形成する。この様にして、少なく
とも第１表示電極の一部分、特に透明電極を露出せしめ
かつ全体が基板上から突出しかつその上部に基板に平行
な方向に突出するオーバーハング部を形成する。
【００２４】図９に示すように、隔壁７は、隣接する端
子パッドＰ間にまで伸長し端子パッド間を絶縁する隔壁
端部７ｂを形成するようなパターンで形成される。この
隣接する隔壁端部７ｂの一対は、端子パッドと後の工程
で形成される第２表示電極とが電気的に接続する接続領
域Ｐａを画定する。尚、ポリイミドはそのイミド化する
前の前駆体をも含み、前駆体の場合は約３００℃で硬化
せしめポリイミド構造とする。しかし、強度その他不都
合がなければ、その物質を硬化させなくても構わない。
また、ポリイミド及びＳｉＯ2の代わりの材質として
は、下部の隔壁材料と上部のオーバーハング部の材料が
それぞれエッチングされる際に、これら自体がエッチン
グされない絶縁物であれば何でもよく、有機ＥＬ媒体の
成膜前に強度を保持できる電気絶縁性物質を用いること
が出来る。
子パッドＰ間にまで伸長し端子パッド間を絶縁する隔壁
端部７ｂを形成するようなパターンで形成される。この
隣接する隔壁端部７ｂの一対は、端子パッドと後の工程
で形成される第２表示電極とが電気的に接続する接続領
域Ｐａを画定する。尚、ポリイミドはそのイミド化する
前の前駆体をも含み、前駆体の場合は約３００℃で硬化
せしめポリイミド構造とする。しかし、強度その他不都
合がなければ、その物質を硬化させなくても構わない。
また、ポリイミド及びＳｉＯ2の代わりの材質として
は、下部の隔壁材料と上部のオーバーハング部の材料が
それぞれエッチングされる際に、これら自体がエッチン
グされない絶縁物であれば何でもよく、有機ＥＬ媒体の
成膜前に強度を保持できる電気絶縁性物質を用いること
が出来る。
【００２５】隔壁７の基板からの高さは、後に形成され
る第２表示電極の陰極９とＩＴＯ電極３が電気的に短絡
されない様な高さであればいくらでもよい。具体的には
１μｍ以上１０μｍ以下が望ましい。またＴ字の横方向
のオーバーハング部７ａも同様の理由で、片側約１μｍ
幅以上で０．２μｍ以上程度の膜厚があれば十分であ
る。 （発光層形成）その後、図１０に示すように、まず、成
膜用マスク３０の穴部３１を、隔壁７間の露出したＩＴ
Ｏ電極３に位置合わせした後、隔壁上にマスクを載置し
て、１番目（例えば赤色）の有機ＥＬ媒体８ａを例えば
蒸着などの方法を用いて所定厚さに成膜する。基板は有
機ＥＬ媒体の蒸気流Ｖに対して自由な角度で傾斜させて
成膜を行い、例えばこの蒸着は基板を自公転させたり、
複数の蒸発源を用いて種々の方向から蒸気流Ｖを流した
りして、蒸気流Ｖを逆テーパーの隔壁の根本付近まで回
り込ませる。これは、後に陰極材料を蒸着した際、陰極
が有機ＥＬ媒体層をはみ出して、ＩＴＯ陽極とショート
するのを防ぐためである。よって、基板を回転させて、
蒸気流が隔壁のオーバーハング部を回り込む様にするこ
とが好ましい。
る第２表示電極の陰極９とＩＴＯ電極３が電気的に短絡
されない様な高さであればいくらでもよい。具体的には
１μｍ以上１０μｍ以下が望ましい。またＴ字の横方向
のオーバーハング部７ａも同様の理由で、片側約１μｍ
幅以上で０．２μｍ以上程度の膜厚があれば十分であ
る。 （発光層形成）その後、図１０に示すように、まず、成
膜用マスク３０の穴部３１を、隔壁７間の露出したＩＴ
Ｏ電極３に位置合わせした後、隔壁上にマスクを載置し
て、１番目（例えば赤色）の有機ＥＬ媒体８ａを例えば
蒸着などの方法を用いて所定厚さに成膜する。基板は有
機ＥＬ媒体の蒸気流Ｖに対して自由な角度で傾斜させて
成膜を行い、例えばこの蒸着は基板を自公転させたり、
複数の蒸発源を用いて種々の方向から蒸気流Ｖを流した
りして、蒸気流Ｖを逆テーパーの隔壁の根本付近まで回
り込ませる。これは、後に陰極材料を蒸着した際、陰極
が有機ＥＬ媒体層をはみ出して、ＩＴＯ陽極とショート
するのを防ぐためである。よって、基板を回転させて、
蒸気流が隔壁のオーバーハング部を回り込む様にするこ
とが好ましい。
【００２６】次に、例えば成膜用マスクをずらして位置
合わせをした後、同様に、隔壁上にマスクを載置して２
番目（例えば緑色）、３番目（例えば青色）の有機ＥＬ
媒体を所定膜厚に順次成膜する。このように、１つの開
口が１つの第１表示電極上からその隣接する第１表示電
極上へ配置されるようにマスクを順次移動せしめる発光
層形成工程を順次繰り返す。
合わせをした後、同様に、隔壁上にマスクを載置して２
番目（例えば緑色）、３番目（例えば青色）の有機ＥＬ
媒体を所定膜厚に順次成膜する。このように、１つの開
口が１つの第１表示電極上からその隣接する第１表示電
極上へ配置されるようにマスクを順次移動せしめる発光
層形成工程を順次繰り返す。
【００２７】ＲＧＢ３種類の有機ＥＬ媒体を所定の個所
に成膜した後、成膜用マスクを取り除き、図１１に示す
ように、露出した第１表示電極ライン３の透明電極部分
の各々上に有機ＥＬ媒体８を堆積させ、少くとも１層の
有機ＥＬ媒体の薄膜を形成する。 （第２表示電極形成）その後、図１２に示すように、電
極成膜用マスク４０の穴部４１を、有機ＥＬ媒体８及び
隔壁７を含む画像表示配列領域１ａ並びにこの隣接する
隔壁端部７ｂの一対に画定された端子パッドの接続領域
Ｐａに、位置合わせした後、隔壁上にマスクを載置し
て、ステップカバレッジのない方法（例えば蒸着等）に
より、金属蒸気を、基板の略垂直に真上から、３種類の
有機ＥＬ媒体薄膜の各々の上に所定厚に被着させ、第２
表示電極の陰極９を形成する。すなわち、電極成膜用マ
スク４０が画像表示配列領域１ａ周縁の接続領域Ｐａを
除く端子パッドＰを被い隠すようにして、第２表示電極
形成が行われる。また、被い隠された端子パッドＰは、
接続領域Ｐａから伸長しこれに電気的に接続されている
外部端子領域Ｐｂとなる。外部端子領域Ｐｂは、隔壁端
部７ｂよりさらに伸長しているので、ワイアボンディン
グ或るいは異方性導電体を用いた熱圧着等の方法によ
り、外部端子領域Ｐｂに外部から導電材料を電気的に接
続させるような場合でも、隔壁端部７ｂが破壊されるこ
とはない。所定厚さに第２表示電極を成膜する工程で
は、隔壁７の頂上及びオーバーハング部は、金属蒸気流
れに対して屋根及び軒となり、図１３に示すように、隔
壁７の頂上及びオーバーハング部上に堆積した金属膜５
０が第２表示電極９から離れているので、有機ＥＬ媒体
８の薄膜とともに第２表示電極ライン９間の短絡を防止
できる。また、金属蒸気の垂直入射により、隔壁のオー
バーハング部７ａで複数の陰極９が分断され、電気的に
絶縁されだけでなく、金属蒸気流が隔壁のオーバーハン
グ部７ａを回り込む程度が、有機ＥＬ媒体材料粒子流の
回り込む程度よりも小さいので、有機ＥＬ媒体８が陰極
９からはみ出し、陰極９とＩＴＯ陽極３とのショ−トを
生じさせない。この電気的に導通する陰極９の膜厚は、
支障のない限り厚く被着させても構わない。
に成膜した後、成膜用マスクを取り除き、図１１に示す
ように、露出した第１表示電極ライン３の透明電極部分
の各々上に有機ＥＬ媒体８を堆積させ、少くとも１層の
有機ＥＬ媒体の薄膜を形成する。 （第２表示電極形成）その後、図１２に示すように、電
極成膜用マスク４０の穴部４１を、有機ＥＬ媒体８及び
隔壁７を含む画像表示配列領域１ａ並びにこの隣接する
隔壁端部７ｂの一対に画定された端子パッドの接続領域
Ｐａに、位置合わせした後、隔壁上にマスクを載置し
て、ステップカバレッジのない方法（例えば蒸着等）に
より、金属蒸気を、基板の略垂直に真上から、３種類の
有機ＥＬ媒体薄膜の各々の上に所定厚に被着させ、第２
表示電極の陰極９を形成する。すなわち、電極成膜用マ
スク４０が画像表示配列領域１ａ周縁の接続領域Ｐａを
除く端子パッドＰを被い隠すようにして、第２表示電極
形成が行われる。また、被い隠された端子パッドＰは、
接続領域Ｐａから伸長しこれに電気的に接続されている
外部端子領域Ｐｂとなる。外部端子領域Ｐｂは、隔壁端
部７ｂよりさらに伸長しているので、ワイアボンディン
グ或るいは異方性導電体を用いた熱圧着等の方法によ
り、外部端子領域Ｐｂに外部から導電材料を電気的に接
続させるような場合でも、隔壁端部７ｂが破壊されるこ
とはない。所定厚さに第２表示電極を成膜する工程で
は、隔壁７の頂上及びオーバーハング部は、金属蒸気流
れに対して屋根及び軒となり、図１３に示すように、隔
壁７の頂上及びオーバーハング部上に堆積した金属膜５
０が第２表示電極９から離れているので、有機ＥＬ媒体
８の薄膜とともに第２表示電極ライン９間の短絡を防止
できる。また、金属蒸気の垂直入射により、隔壁のオー
バーハング部７ａで複数の陰極９が分断され、電気的に
絶縁されだけでなく、金属蒸気流が隔壁のオーバーハン
グ部７ａを回り込む程度が、有機ＥＬ媒体材料粒子流の
回り込む程度よりも小さいので、有機ＥＬ媒体８が陰極
９からはみ出し、陰極９とＩＴＯ陽極３とのショ−トを
生じさせない。この電気的に導通する陰極９の膜厚は、
支障のない限り厚く被着させても構わない。
【００２８】このようにして、有機ＥＬ媒体の薄膜の複
数及び端子パッドの接続領域の複数の上に第２表示電極
を形成したあと、防湿処理及び封止して有機ＥＬフルカ
ラーヂスプレイが得られる。
数及び端子パッドの接続領域の複数の上に第２表示電極
を形成したあと、防湿処理及び封止して有機ＥＬフルカ
ラーヂスプレイが得られる。
【００２９】
【発明の効果】以上の如く本発明によれば、有機ＥＬ媒
体層及び電極が素子の特性を劣化することなく信頼性の
高い有機ＥＬディスプレイパネルを得ることできる。
体層及び電極が素子の特性を劣化することなく信頼性の
高い有機ＥＬディスプレイパネルを得ることできる。
【図１】 本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの
概略部分拡大平面図。
概略部分拡大平面図。
【図２】 本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの
概略部分断面図。
概略部分断面図。
【図３】 本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの
概略一部切欠拡大部分斜視図。
概略一部切欠拡大部分斜視図。
【図４】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分斜視図。
パネル製造工程における基板の概略部分斜視図。
【図５】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分斜視図。
パネル製造工程における基板の概略部分斜視図。
【図６】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分拡大断面図。
パネル製造工程における基板の概略部分拡大断面図。
【図７】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分拡大断面図。
パネル製造工程における基板の概略部分拡大断面図。
【図８】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分拡大断面図。
パネル製造工程における基板の概略部分拡大断面図。
【図９】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分斜視図。
パネル製造工程における基板の概略部分斜視図。
【図１０】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレ
イパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
イパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図１１】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレ
イパネル製造工程における基板の概略部分斜視図。
イパネル製造工程における基板の概略部分斜視図。
【図１２】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレ
イパネル製造工程における基板の第１表示電極ラインに
垂直な概略部分断面図。
イパネル製造工程における基板の第１表示電極ラインに
垂直な概略部分断面図。
【図１３】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレ
イパネル製造工程における基板の概略部分斜視図。
イパネル製造工程における基板の概略部分斜視図。
１ 発光画素 ２ 基板 ３ 第１表示電極ライン ３ａ 島状透明電極 ３ｂ バスライン ７ 隔壁 ７ａ オーバーハング部 ７ｂ 隔壁端部 ８ 有機ＥＬ媒体 ９ 第２表示電極ライン Ｐ，３Ｐ 端子パッド Ｐａ 接続領域 Ｐｂ 外部端子領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 広文 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号パイ オニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 吉田 賢司 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号パイ オニア株式会社総合研究所内 (72)発明者 石田 泰三 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号パイ オニア株式会社総合研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の発光部からなる画像表示配列領域
を有している有機エレクトロルミネッセンスディスプレ
イパネルであって、 表面上にて前記発光部に対応する複数の第１表示電極が
形成されかつ複数の端子パッドが前記画像表示配列領域
の周縁に形成された基板と、 少なくとも前記第１表示電極の一部分を露出せしめる前
記基板上に突出する複数の電気絶縁性の隔壁と、 露出した前記第１表示電極の部分の各々上に形成された
少くとも１層の有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄
膜と、 前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜上に形成
された複数の第２表示電極とからなり、 前記隔壁は、その上部に前記基板に平行な方向に突出す
るオーバーハング部を有すること、 前記隔壁は、隣接する前記端子パッド間に伸長しかつ前
記端子パッド及び前記第２表示電極を電気的に接続する
接続領域を画定しかつ前記端子パッド間を絶縁する隔壁
端部を有すること、並びに前記端子パッドは、前記接続
領域に電気的に接続されかつ外部から導電材料を接続さ
せる外部端子領域を有すること特徴とする有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記第１表示電極及び第２表示電極は、
複数のストライプ状の電極でありかつ互いに直交する位
置に配列されたことを特徴とする請求項１記載の有機エ
レクトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項３】 前記基板及び前記第１表示電極が透明で
あることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記第２表示電極が透明であることを特
徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。 - 【請求項５】 複数の発光部からなる画像表示配列領域
を有している有機エレクトロルミネッセンスディスプレ
イパネルの製造方法であって、 基板上に、前記発光部に対応する複数の第１表示電極及
び前記画像表示配列領域の周縁に複数の端子パッドを形
成するパターン工程と、 少なくとも前記第１表示電極の一部分を露出せしめかつ
全体が前記基板上から突出しかつその上部に前記基板に
平行な方向に突出するオーバーハング部を有し、さら
に、隣接する前記端子パッド間に伸長しかつ前記端子パ
ッド及び前記第２表示電極を電気的に接続する接続領域
を画定しかつ前記端子パッド間を絶縁する隔壁端部を有
する電気絶縁性の隔壁を形成する隔壁形成工程と、 露出した前記第１表示電極の部分の各々上に有機エレク
トロルミネッセンス媒体を堆積させ、少くとも１層の有
機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜を形成する発光
層形成工程と、 前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜の複数及
び前記端子パッドの前記接続領域の複数の上に第２表示
電極を形成し、前記薄膜及び前記端子パッドを電気的に
接続する工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項６】 前記隔壁形成工程は、前記基板上に隔壁
材料層を成膜し、その上にフォトリソグラフィ法によっ
て少なくとも前記第１表示電極の一部分を露出せしめる
レジストマスクを形成し、ドライエッチング法又はウエ
ットエッチング法によって前記オーバーハング部を有す
る隔壁を食刻する工程を含むことを特徴とする請求項５
記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネ
ルの製造方法。
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