KR100970258B1

KR100970258B1 - 표시장치 및 이의 제조 방법

Info

Publication number: KR100970258B1
Application number: KR1020030091752A
Authority: KR
Inventors: 정진구; 최준후; 이동원; 최범락
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-12-16
Filing date: 2003-12-16
Publication date: 2010-07-16
Also published as: KR20050060197A

Abstract

표시장치 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 표시장치는 베이스 기판에 형성된 제 1 전극, 이방성 식각에 의하여 형성된 이방성 식각면을 갖는 벽 형상으로 제 1 전극의 테두리에 배치되어 제 1 전극의 상부에 캐비티를 형성하는 격리벽, 제 1 전극의 상면에 배치된 발광층 및 발광층의 상면에 배치된 제 2 전극을 포함한다. 표시장치중 광을 발생하는 발광층을 형성하기 위해 베이스 기판에 형성된 격리벽과 제 1 전극이 이루는 각도를 조절하여 발광층의 두께 균일성을 크게 향상시키고, 이로 인해 발광층에서 발생하는 광의 휘도 및 휘도 균일성을 크게 향상시킨다.

Description

표시장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 표시장치의 평면도이다.

도 2는 도 1의 A₁-A₂ 라인을 따라 절단한 단면도이다.

도 3은 도 2의 B 부분 확대도이다.

도 4 내지 도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 표시장치의 제조 방법을 도시한 단면도이다.

도 9 내지 도 14는 본 발명의 제 3 실시예에 의한 표시장치의 제조 방법을 도시한 단면도이다.

도 15 내지 도 18은 본 발명의 제 4 실시예에 의한 표시장치의 제조 방법을 도시한 단면도이다.

도 19 내지 도 22는 본 발명의 제 5 실시예에 의한 표시장치의 제조 방법을 도시한 단면도이다.

본 발명은 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발생한 영상의 표시 품질을 보다 향상시킨 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

최근 들어, 정보처리장치는 다양한 형태, 기능 및 보다 빠른 정보 처리 속도를 갖도록 빠르게 개발되고 있다. 표시장치는 전기적 신호 포맷을 갖는 정보를 영상으로 변환시킨다. 따라서, 인터페이스 역할을 하는 표시장치는 정보처리장치에서 처리된 정보를 사용자가 육안으로 확인할 수 있도록 한다.

표시장치는 음극선관 표시장치(Cathode Ray Tube display device, CRT), 액정표시장치(Liquid Crystal Display device, LCD), 유기 전계발광 표시장치(organic electroluminescent display device, EL) 및 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel, PDP) 등이 대표적이다.

이들 중 유기 전계발광 표시장치는 응답속도가 액정표시장치보다 매우 빠르고, 풀-컬러 디스플레이가 가능하며, 소비전력량이 액정표시장치보다 작고, 작동 온도 범위가 액정표시장치보다 넓으며, 생산 코스트가 낮은 장점을 갖는다.

유기 전계발광 표시장치는 애노드 전극(anode electrode), 격리벽(isolation wall), 유기 발광층(organic light emitting layer) 및 캐소드 전극(cathode electrode)을 포함한다.

애노드 전극은 기판에 매트릭스 형태로 배치되며, 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide, IZO) 등을 포함한다.

격리벽은 기판의 전면적에 형성되며 감광물질(photosensitive material)을 포함하는 유기막(organic layer)을 패터닝하여 형성되며, 격리벽에 의하여 애노드 전극의 상면에는 캐비티(cavity)가 형성된다.

유기 발광층은 애노드 전극의 상면에 배치된다. 유기 발광층은 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL), 발광층(Emitting Material Layer, EML) 및 선택적으로 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함한다.

유기 발광층은 슬릿 마스크(slit mask), 스핀 코팅(spin coating), 롤-투-롤(roll-to-roll), 진공 증착(vacuum deposition) 등의 방법에 의하여 형성된다.

최근에는 유기막에 형성된 캐비티의 내부에 액적(droplet) 형태의 유기 발광물질을 적하 하는 "잉크젯 방식"도 널리 사용되고 있다.

잉크젯 방식으로 캐비티 내부에 유기 발광층을 형성하기 위해서, 유기 발광물질 분사장치는 각 캐비티에 액적 형태의 유기 발광물질을 공급한다. 유기 발광물질 분사장치는 잉크젯프린터와 유사한 작동 메커니즘을 갖는다.

캐소드 전극은 유기 발광층에 전기적으로 접촉되며, 알루미늄, 알루미늄 합금 등과 같이 일함수(work function)가 낮은 금속을 포함한다.

이와 같은 구성을 갖는 종래 유기 전계발광 표시장치는 격리벽의 형상에 따라서 영상의 표시품질이 영향 받는다.

예를 들어, 격리벽의 내측면 및 애노드 전극이 이루는 각도가 130°이상이 될 경우, 애노드 전극에 배치된 유기 발광층의 일부가 격리벽 상에 형성되어 유기 발광층의 두께가 불균일해지고, 이로 인해 영상의 휘도 및 휘도 균일성이 크게 낮 아진다.

종래 유기 전계발광 표시장치의 격리벽은 감광막을 광에 의하여 사진-식각 하여 격리벽을 형성하기 때문에 격리벽의 내측면 및 애노드 전극이 이루는 각도가 130°이상이 되어 영상의 휘도 및 휘도 균일성이 크게 낮아지는 문제점을 갖는다.

따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 제 1 목적은 영상의 휘도 및 휘도 균일성이 보다 향상되어 영상의 표시 품질이 향상된 표시장치를 제공한다.

또한, 본 발명의 제 2 목적은 상기 표시장치를 제조하는 표시장치의 제조 방법을 제공한다.

이와 같은 본 발명의 제 1 목적을 구현하기 위하여 본 발명은 베이스 기판에 형성된 제 1 전극, 이방성 식각에 의하여 형성된 이방성 식각면을 갖는 벽 형상으로 제 1 전극의 테두리에 배치되어 제 1 전극의 상부에 캐비티를 형성하는 격리벽, 제 1 전극의 상면에 배치된 발광층 및 발광층의 상면에 배치된 제 2 전극을 포함하는 표시장치를 제공한다.

또한, 본 발명의 제 2 목적을 구현하기 위하여 본 발명은 제 1 전극, 유기 발광층, 제 2 전극을 순차적으로 형성하여 유기 발광층으로부터 광을 발생시키는 표시장치를 제조하는 방법에 있어서, 베이스 기판에 제 1 전극을 형성하는 단계, 베이스 기판에 제 1 전극을 덮는 제 1 박막을 형성하는 단계 및 제 1 박막 중 제 1 전극과 대응하는 부분을 리세스 형상으로 이방성 식각 하여 이방성 식각면을 갖는 격리벽을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조 방법을 제공한다.

본 발명에 의하면, 제 1 전극의 상면에 발광층을 형성하기 위한 격리벽 및 제 1 전극이 이루는 각도를 조정하여 영상의 표시품질을 보다 향상시킨다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.

표시장치

실시예 1

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 표시장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 A₁-A₂ 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 2의 B 부분 확대도이다.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 표시장치(600)는 베이스 기판(100), 제 1 전극(200), 격리벽(300), 발광층(400) 및 제 2 전극(500)을 포함한다.

본 실시예에서, 베이스 기판(100)은 투명한 기판을 포함한다. 예를 들어, 베이스 기판(100)은 투명한 합성 수지 기판 또는 투명한 유리 기판을 포함한다.

제 1 전극(200)은 베이스 기판(100) 상에 배치된다. 본 실시예에서, 제 1 전극(200)은 1 개 이상이 배치되며, 표시장치(600)의 해상도에 따라서 복수개가 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시장치(600)의 해상도가 640 ×480일 경우, 제 1 전극(200)은 베이스 기판(100)에 640 ×480 ×3 개가 매트릭스 형태로 배치된다.

제 1 전극(200)은 제 1 광 투과율을 갖는 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide, IZO)을 포함한다.

제 1 전극(200)은 주변회로(미도시)에 연결되어 주변회로로부터 인가된 구동 신호를 인가 받는다. 제 1 전극(200)은 구동 신호에 의하여 정공(hole)을 후술될 유기 발광층(400)으로 제공한다. 주변회로는, 예를 들어, 2 개의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT), 1 개의 스토리지 커패시턴스(storage capacitance) 및 구동 신호가 인가되는 복수개의 신호선(signal wire)을 포함한다.

격리벽(300)은 베이스 기판(100) 상에 제 1 전극(200)의 에지를 감싸는 벽 형상을 갖는다. 격리벽(300)에 의해 제 1 전극(200)의 상부에는 캐비티(cavity)가 형성된다.

본 실시예에서, 격리벽(300)은 이방성 식각면(310)을 갖는다.

본 실시예에서, 이방성 식각면(310) 및 제 1 전극(200)과 이루는 각도 θ는 실질적으로 수직이다. 바람직하게, 이방성 식각면(310) 및 제 1 전극(200)이 이루는 각도 θ는 약 90°보다는 크고 약 110°보다는 작으며, 바람직하게 이방성 식각면(310)은 제 1 전극(200)에 대하여 약 95°의 각도를 갖는다.

본 실시예에서, 격리벽(300)의 이방성 식각면(310) 및 제 1 전극(200)이 이루는 각도를 약 90°∼ 110°로 형성함으로써 후술될 발광층(400)의 두께 균일성은 크게 증가된다.

발광층(400)은 제 1 전극(200)의 상면에 배치되며, 발광층(400)은 제 1 전극(200)에 전기적으로 연결된다. 본 실시예에서, 발광층(400)은 정공 주입층(410) 및 유기 발광층(420)을 포함한다.

정공 주입층(410)은 정공 주입물질을 포함하며 두께가 얇은 박막 형태를 갖는다. 이때, 이방성 식각면(310) 및 제 1 전극(200)이 이루는 각도를 약 90°∼ 110°로 형성함으로써 정공 주입층(410)은 제 1 전극(200)의 상면에 균일한 두께로 배치된다.

유기 발광층(420)은 레드 파장을 갖는 광을 발생시키는 레드 유기 발광층, 그린 파장을 갖는 광을 발생시키는 그린 유기 발광층 및 블루 파장을 갖는 광을 발생시키는 블루 유기 발광층을 포함할 수 있다.

유기 발광층(420)은 유기 발광물질을 포함하며 두께가 얇은 박막 형태를 갖는다. 유기 발광층(420)은 정공 주입층(410)의 상면에 배치된다. 이때, 격리벽(300)의 이방성 식각면(310) 및 제 1 전극(200)이 이루는 각도를 약 90°∼ 110°로 형성함으로써, 유기 발광층(420)은 정공 주입층(410)의 상면에 균일한 두께로 배치된다.

제 2 전극(500)은 베이스 기판(100) 상에 배치되며, 각 발광층(400)과 전기적으로 연결된다. 제 2 전극(500)은 전자(electron)를 발광층(400)으로 제공한다. 제 2 전극(500)은 제 1 전극(200)의 제 1 광 투과율 보다 낮은 제 2 광 투과율을 갖는다. 바람직하게, 제 2 전극(500)은 일함수(work function)가 낮은 금속, 예를 들면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하는 것이 바람직하다.

본 실시예에서, 제 1 전극(200)은 투명한 도전성 물질을 포함하고, 제 2 전극은 불투명 또는 반투명한 도전성 물질을 포함하지만, 반대로, 제 1 전극(200)이 불투명 또는 반투명한 도전 물질을 포함하고, 제 2 전극(500)이 투명한 도전 물질을 포함하여도 무방하다.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 광을 발생하는 발광층(400)을 형성하기 위한 격리벽(300)의 이방성 식각면(310) 및 제 1 전극(200)이 이루는 각도를 약 90°∼ 110°각도가 되도록 하여 발광층(400)의 두께 균일성을 향상시키고, 이로 인해 발광층(400)에서 발생한 광의 휘도 및 광의 휘도 균일성을 크게 향상시킬 수 있다.

표시장치의 제조 방법

실시예 2

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 의해 베이스 기판에 제 1 전극을 형성한 것을 도시한 단면도이다.

도 4를 참조하면, 먼저, 표시장치를 제조하기 위해서 베이스 기판(100)이 마련된다. 베이스 기판(100)은 투명한 합성 수지 물질 또는 투명한 유리 물질로 제조된다.

이어서, 베이스 기판(100)에는 제 1 전극(200)이 형성된다. 제 1 전극(200)을 형성하기 위해서 베이스 기판(100)에는 제 1 광 투과율을 갖는 제 1 도전층(미도시)이 형성된다.

제 1 도전층은 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide, IZO)을 스퍼터링(sputtering) 또는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방법으로 증착(deposition)하여 형성된다.

제 1 도전층은 사진-식각 공정을 포함하는 박막 가공 공정에 의하여 패터닝되어, 베이스 기판(100)에는 제 1 전극(200)이 형성된다. 제 1 전극(200)은 1 개 이상으로 이루어지며, 본 실시예에서는 복수개가 베이스 기판(100) 상에 매트릭스 형태로 배치된다. 예를 들면, 표시장치의 해상도가 640 ×480일 경우, 제 1 전극(200)은 베이스 기판(100) 상에 640 ×480 ×3 개가 매트릭스 형태로 형성된다.

도 4에는 도시되어 있지 않지만, 제 1 전극(200)을 형성하기 이전에 베이스 기판(100)에는 주변회로(미도시)가 먼저 형성된다. 주변회로는, 예를 들어, 2 개의 박막 트랜지스터, 1 개의 스토리지 커패시턴스 및 구동 신호가 인가되는 복수개의 신호선을 포함할 수 있다.

도 5는 도 4에 도시된 베이스 기판에 유기막이 형성된 것을 도시한 단면도이다.

도 5를 참조하면, 베이스 기판(100)에는 제 1 전극(200)을 덮는 유기막(350)이 형성된다. 유기막(350)은 스핀 코팅 또는 슬릿 코팅 등에 의하여 수 ㎛의 두께로 형성되며, 본 실시예에서 유기막(350)은 폴리이미드 계열 물질 또는 폴리아크릴 계열 물질을 포함한다.

본 실시예에서, 유기막(350)은 종래 표시장치와 다르게 광과 반응하는 감광물질을 포함하지 않는다. 이는 유기막(350)을 이방성 식각(anisotropic etching)에 의하여 패터닝하여, 유기막(350)의 내측벽 및 제 1 전극(200)이 이루는 각도를 조절하기 위함이다.

도 6은 도 5에 도시된 유기막을 이방성 식각 하여 격리벽을 형성한 것을 도시한 단면도이다.

도 5 및 도 6을 참조하면, 도 5에 도시된 유기막(350)은 플라즈마를 이용한 건식 식각 방법에 의하여 리세스 형상으로 이방성 식각 된다. 이때, 유기막(350) 중 식각 되는 부분은 제 1 전극(200)과 대응하는 부분이다. 플라즈마에 의하여 유기막(350)이 건식 식각 됨으로써 베이스 기판(100)에는 캐비티(300a)가 형성된 격리벽(300)이 형성된다. 이때, 제 1 전극(200)의 테두리는 격리벽(300)에 의하여 감싸여 진다.

유기막(350)을 플라즈마에 의하여 건식 식각 함에 따라, 격리벽(300)에는 이방성 식각면(310)이 형성된다. 이방성 식각면(310)은 제 1 전극(200)에 대하여 실질적으로 수직에 가까운 각도로 형성되며, 바람직하게 이방성 식각면(310) 및 제 1 전극(200)이 이루는 각도 θ는 약 90°∼ 110°이다. 본 실시예에서, 이방성 식각면(310)은 바람직하게 제 1 전극(200)에 대하여 약 95°의 각도로 형성된다.

도 7은 도 6에 도시된 격리벽의 캐비티에 발광층을 형성한 것을 도시한 단면도이다.

도 7을 참조하면, 격리벽(300)에 형성된 제 1 전극(200) 상에는 발광층(400)이 형성된다. 발광층(400)은 정공 주입층(410)을 형성하는 과정 및 유기 발광층(420)을 형성하는 과정으로 이루어진다.

정공 주입층(410)은 격리벽(300)에 형성된 캐비티(300a)에 액적(droplet) 형태의 정공 주입물질을 적하 한 후, 캐비티(300a)에 적하 된 정공 주입물질을 건조시켜 형성된다. 이때, 정공 주입층(410)은 매우 균일한 두께를 갖는데 이는 격리벽(300)의 이방성 식각면(310) 및 제 1 전극(200)이 이루는 각도를 약 90°∼ 110°으로 조절함으로써 구현된다.

정공 주입층(410)이 형성된 후, 정공 주입층(410)의 상면에는 유기 발광층(420)이 형성된다. 유기 발광층(420)을 형성하기 위해, 격리벽(300)의 캐비티(300a)에는 액적 형태의 유기 발광물질이 적하 된다. 캐비티(300a)에 적하 된 유기 발광물질은 건조되고, 이로 인해 정공 주입층(410)의 상면에는 유기 발광층(420)이 형성된다. 이때, 유기 발광층(420)은 매우 균일한 두께를 갖는데, 이는 격리벽(300)의 이방성 식각면(310) 및 제 1 전극(200)이 이루는 각도를 약 90°∼ 110°으로 조절함으로써 구현된다.

도 8은 도 7에 도시된 베이스 기판에 제 2 전극이 형성된 것을 도시한 단면도이다.

도 8을 참조하면, 베이스 기판(100)에는 전면적에 걸쳐 제 2 전극(500)이 형성된다. 제 2 전극(500)은 스퍼터링 또는 화학가상증착 방법에 의하여 증착 된 알루미늄 박막 또는 알루미늄 합금 박막으로 이루어진다. 제 2 전극(500)은 발광층(400)과 전기적으로 접촉하며, 발광층(400)에 전자(electron)를 제공한다.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 베이스 기판(100)에 발광층(400)을 형성하기 위해 격리벽(300)을 형성할 때, 격리벽(300)과 제 1 전극(200)이 이루는 각도를 조절하여 발광층(400)의 두께 균일성을 증가시켜 발광층(400)으로부터 발생한 광의 휘도 및 휘도 균일성을 크게 증가시킨다.

실시예 3

도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 의해 베이스 기판에 제 1 전극을 형성한 것을 도시한 단면도이다.

도 9를 참조하면, 먼저, 표시장치를 제조하기 위해서 베이스 기판(100)이 마련된다. 베이스 기판(100)은 투명한 합성 수지 물질 또는 투명한 유리 물질로 제조된다.

도 9에는 도시되어 있지 않지만, 제 1 전극(200)을 형성하기 이전에 베이스 기판(100)에는 주변회로(미도시)가 먼저 형성된다. 주변회로는, 예를 들어, 2 개의 박막 트랜지스터, 1 개의 스토리지 커패시턴스 및 구동 신호가 인가되는 복수개의 신호선을 포함할 수 있다.

도 10은 도 9에 도시된 베이스 기판에 형성된 유기막 및 마스크층을 도시한 단면도이다.

도 10을 참조하면, 베이스 기판(100)에는 제 1 전극(200)을 덮는 유기막(350)이 형성된다. 유기막(350)은 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 수 ㎛의 두께로 형성된다. 본 실시예에서, 유기막(350)은 폴리이미드 계열 물질 또는 폴리아크릴 계열 물질을 포함한다.

본 실시예에서, 유기막(350)은 광과 반응하는 감광성 물질을 포함하지 않는다. 이는 유기막(350)을 플라즈마 등에 의하여 이방성 식각 하여 후술될 격리벽(300)이 이방성 식각면(310)을 갖도록 하기 위함이다.

한편, 유기막(350)의 상면에는 유기막(350)의 두께보다 얇은 두께를 갖는 마스크층(370)이 형성된다.

마스크층(370)은 스퍼터링 또는 화학 기상 증착 등의 방법에 의하여 유기막(350)의 상면에 전면적에 걸쳐 형성된다. 마스크층(370)은 매우 다양한 물질을 포함할 수 있으며, 본 실시예에서, 마스크층(370)은, 예를 들어, 금속 박막, 산 화 주석 인듐 박막 또는 산화 아연 인듐 박막을 포함할 수 있다.

이때, 플라즈마에 대하여 마스크층(370)은 제 1 식각률을 갖고, 유기막(350)은 제 2 식각률을 갖으며, 제 1 식각률은 제 2 식각률보다 작다. 예를 들면, 마스크층(370)이 플라즈마에 의하여 단위 시간당, 예를 들어, 1㎛가 식각 되면, 유기막(350)은 플라즈마에 의하여, 예를 들어, 단위 시간당 3㎛ 이상이 식각 되도록 하는 것이 바람직하다.

도 11은 도 10에 도시된 마스크층을 패터닝하는 것을 도시한 단면도이다.

도 11을 참조하면, 마스크층(370)의 상면에는 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 후박한 포토레지스트 박막(380)이 형성된다. 본 실시예에서, 포토레지스트 박막(380)은 광에 노광 된 부분이 현상액에 의하여 제거되는 포지티브 타입 감광물질을 포함한다.

포토레지스트 박막(380)의 상부에는 마스크(385)가 얼라인 된다. 마스크(385)는 제 1 전극(200)과 대응하는 부분에서는 광을 투과시키고, 제 1 전극(200)과 대응하지 않는 부분에서는 광을 차단한다.

이어서, 광(385a)이 마스크(385)를 향하여 공급된다. 이로 인해, 포토레지스트 박막(380)은 마스크(385)를 통과된 광(385a)에 의하여 노광 되고, 현상 공정에 의하여 마스크층(370)의 상면에는 제 1 전극(200)과 대응하는 부분에 개구가 형성된 포토레지스트 패턴이 형성된다.

도 12는 도 11에 형성된 포토레지스트 패턴을 이용하여 마스크층을 식각 한 것을 도시한 개념도이다.

도 11 및 도 12을 참조하면, 도 11에 도시된 마스크층(370) 중 포토레지스트 패턴(382)의 개구(382a)에 대응하는 부분은 에천트 또는 플라즈마에 의하여 식각 되어, 유기막(350)의 상면에는 마스크 패턴(375)이 형성된다.

이어서, 마스크 패턴(375)의 상면에 형성된 포토레지스트 패턴(382)은 O₂ 플라즈마 등에 의하여 스트립 된다.

도 13은 도 12에 형성된 마스크 패턴에 의하여 유기막을 패터닝한 것을 도시한 단면도이다.

도 13을 참조하면, 유기막(350)은 플라즈마에 의하여 패터닝된다. 이때, 패터닝되는 부분은 마스크 패턴(375)에 형성된 개구(375a)에 대응하는 부분이다. 유기막(350)이 플라즈마에 의하여 이방성 식각 됨에 따라서 베이스 기판(100)에는 격리벽(300)이 형성된다. 격리벽(300) 중 제 1 전극(200)과 대응하는 부분에는 캐비티(300a)가 형성된다. 이때, 격리벽(300)에는 이방성 식각면(310)이 형성된다. 이방성 식각면(310) 및 제 1 전극(200)이 이루는 각도 θ는 약 90°∼ 110°이고, 본 실시예에서 이방성 식각면(310)은 바람직하게 제 1 전극(200)에 대하여 약 95°의 각도로 형성된다.

도 14는 도 13에 도시된 마스크 패턴을 제거한 것을 도시한 개념도이다.

도 14를 참조하면, 격리벽(300)이 형성된 후, 격리벽(300)의 상면에 남아 있는 마스크 패턴(375)은 애싱 등의 공정에 의하여 스트립 된다.

이어서, 유기막에 형성된 캐비티(300a)에는 발광층이 형성되고, 베이스 기판(100)에는 발광층과 전기적으로 연결된 제 2 전극이 형성된다. 발광층 및 제 2 전극의 형성 방법은 앞서 설명한 실시예와 동일함으로 그 중복된 설명은 생략하기로 한다.

실시예 4

도 15은 본 발명의 제 4 실시예에 의해 베이스 기판에 제 1 전극을 형성한 것을 도시한 단면도이다.

도 15를 참조하면, 먼저, 표시장치를 제조하기 위해서 베이스 기판(100)이 마련된다. 베이스 기판(100)은 투명한 합성 수지 물질 또는 투명한 유리 물질로 제조된다.

도 15에는 도시되어 있지 않지만, 제 1 전극(200)을 형성하기 이전에 베이스 기판(100)에는 주변회로(미도시)가 먼저 형성된다. 주변회로는, 예를 들어, 2 개의 박막 트랜지스터, 1 개의 스토리지 커패시턴스 및 구동 신호가 인가되는 복수개의 신호선을 포함할 수 있다.

도 16은 도 15에 도시된 베이스 기판에 형성된 유기막을 도시한 단면도이다.

도 16을 참조하면, 베이스 기판(100)에는 제 1 전극(200)을 덮는 유기막(350)이 형성된다. 유기막(350)은 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 수 ㎛의 두께로 형성된다. 본 실시예에서, 유기막(350)은 폴리이미드 계열 물질 또는 폴리아크릴 계열 물질을 포함한다.

도 17은 도 16에 도시된 유기막을 이방성 식각 한 것을 도시한 단면도이다.

도 16 및 도 17을 참조하면, 도 16에 도시된 유기막(350)의 상면에는 제 1 전극(200)의 위치에 대응하는 부분에 개구(389)가 형성된 마스크(388)가 얼라인 된다. 마스크(388)는 유기막(350)의 상면에 밀착된다.

마스크(388)가 유기막(350)에 얼라인 된 후, 유기막(350)은 플라즈마에 의하 여 이방성 식각 되어 베이스 기판(100) 상에는 격리벽(300)이 형성된다. 격리벽(300)은 플라즈마에 의하여 형성된 이방성 식각면(310)을 갖고, 격리벽(300)에 의하여 캐비티(300a)가 형성된다. 이때 마스크(388)에 의하여 가려진 부분은 플라즈마에 의하여 식각 되지 않는다.

도 18은 도 17에 도시된 마스크가 분리되는 것을 도시한 단면도이다.

도 18을 참조하면, 격리벽(300)이 형성된 후, 마스크(388)는 격리벽(300)으로부터 분리된다.

이어서, 격리벽(300)에 형성된 캐비티(300a)에는 발광층이 형성되고, 베이스 기판(100)에는 발광층과 전기적으로 연결된 제 2 전극이 형성된다. 이때, 발광층 및 제 2 전극의 형성 방법은 앞서 설명한 실시예와 동일함으로 그 중복된 설명은 생략하기로 한다.

실시예 5

도 19는 본 발명의 제 5 실시예에 의해 베이스 기판에 제 1 전극을 형성한 것을 도시한 단면도이다.

도 19를 참조하면, 먼저, 표시장치를 제조하기 위해서 베이스 기판(100)이 마련된다. 베이스 기판(100)은 투명한 합성 수지 물질 또는 투명한 유리 물질로 제조된다.

이어서, 베이스 기판(100)에는 제 1 전극(200)이 형성된다. 제 1 전극(200)을 형성하기 위해서 베이스 기판(100)에는 제 1 광 투과율을 갖는 제 1 도전층(미 도시)이 형성된다.

도 19에는 도시되어 있지 않지만, 제 1 전극(200)을 형성하기 이전에 베이스 기판(100)에는 주변회로(미도시)가 먼저 형성된다. 주변회로는, 예를 들어, 2 개의 박막 트랜지스터, 1 개의 스토리지 커패시턴스 및 구동 신호가 인가되는 복수개의 신호선을 포함할 수 있다.

도 20은 도 19에 도시된 베이스 기판에 유기막 및 포토레지스트 박막이 형성된 것을 도시한 단면도이다.

도 20을 참조하면, 베이스 기판(100)에는 제 1 전극(200)을 덮는 유기막(350)이 형성된다. 유기막(350)은 스핀 코팅 또는 슬릿 코팅 등에 의하여 수 ㎛의 두께로 형성되며, 유기막(350)은 폴리이미드 계열 물질 또는 폴리아크릴 계열 물질을 포함한다.

본 실시예에서, 유기막(350)은 종래와 다르게 광과 반응하는 감광성 물질을 포함하지 않는다. 이는 유기막(350)을 패터닝하여 후술될 격리벽(300)을 형성할 때 격리벽(300)이 이방성 식각면(310)을 갖도록 하기 위함이다.

도 21은 도 20에 도시된 유기막에 포토레지스트 패턴을 형성하는 것을 도시한 단면도이다.

도 21을 참조하면, 유기막(350)의 상면에는 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 후박한 포토레지스트 박막(380)이 형성된다. 본 실시예에서 포토레지스트 박막(380)은 광에 노광 된 부분이 현상액에 의하여 제거되는 포지티브 타입 감광물질을 포함한다.

포토레지스트 박막(380)의 상부에는 마스크(388)가 얼라인 된다. 마스크(388)는 제 1 전극(200)과 대응하는 부분에서는 광을 투과시키고, 제 1 전극(200)과 대응하지 않는 부분에서는 광을 차단한다.

이어서, 광이 마스크(388)를 향하여 공급된다. 이로 인해, 포토레지스트 박막(380)은 마스크(388)를 통과된 광에 의하여 노광 되어 유기막(350)의 상면에는 포토레지스트 패턴이 형성된다.

도 22는 도 21에 도시된 유기막을 포토레지스트 패턴에 의하여 이방성 식각 하여 격리벽을 형성한 것을 도시한 단면도이다.

도 21 및 도 22를 참조하면, 도 21에 도시된 유기막(350)은 포토레지스트 패턴(385)의 개구(385a)를 통해 플라즈마에 의하여 패터닝된다. 따라서, 유기막(350) 은 플라즈마에 의하여 이방성 식각 되고, 베이스 기판(100)에는 격리벽(300)이 형성된다. 격리벽(300)은 플라즈마에 의하여 형성됨으로 격리벽(300)은 이방성 식각면(310)을 갖는다. 이방성 식각면(310) 및 제 1 전극(200)이 이루는 각도 θ는 약 90°∼ 110°이다. 본 실시예에서, 이방성 식각면(310)은 제 1 전극(200)에 대하여 약 95°의 각도로 형성되는 것이 가장 바람직하다.

이어서, 격리벽(300)의 상면에 남아 있는 포토레지스트 패턴(385)은 애싱 공정에 의하여 제거되고, 격리벽(300)의 캐비티에는 발광층 및 제 2 전극이 형성된다. 이때, 발광층 및 제 2 전극은 앞서 설명한 실시예와 동일함으로 그 중복된 설명은 생략하기로 한다.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 표시장치에서 표시되는 영상의 휘도 및 휘도 균일성을 보다 향상시켜 영상의 표시품질을 보다 향상시킨다.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

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제 1 전극, 유기 발광층, 제 2 전극을 순차적으로 형성하여 상기 유기 발광층으로부터 광을 발생시키는 표시장치를 제조하는 방법에 있어서,

베이스 기판에 제 1 전극을 형성하는 단계;

상기 베이스 기판에 상기 제 1 전극을 덮는 제 1 박막을 형성하는 단계; 및

상기 제 1 박막 중 상기 제 1 전극과 대응하는 부분을 리세스 형상으로 이방성 식각 하여 이방성 식각면을 갖는 격리벽을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 박막은 감광물질을 포함하지 않는 유기막인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 박막은 폴리이미드 계열 유기물 또는 폴리 아크릴 계열 유기물로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 9 항에 있어서, 상기 격리벽을 형성하는 단계는 상기 제 1 박막의 상면에 제 2 박막을 형성하는 단계; 및

상기 제 2 박막 중 상기 제 1 전극과 대응하는 부분을 식각 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 12 항에 있어서, 상기 제 2 박막은 금속 박막, ITO 박막 및 IZO 박막으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 12 항에 있어서, 상기 제 1 박막의 식각률은 상기 제 2 박막의 식각률보다 높은 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 12 항에 있어서, 상기 격리벽을 형성하는 단계 이후에는 상기 제 2 박막을 스트립 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 박막을 형성하는 단계 및 상기 격리벽을 형성하는 단계 사이에는 상기 제 1 박막에 상기 제 1 전극과 대응하는 부분에 개구가 형성된 마스크를 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 9 항에 있어서, 상기 격리벽을 형성하는 단계에서 상기 제 1 박막은 플라즈마에 의하여 이방성 식각 되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
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제 1 전극, 유기 발광층, 제 2 전극을 순차적으로 형성하여 상기 유기 발광층으로부터 광을 발생시키는 표시장치를 제조하는 방법에 있어서,

베이스 기판에 제 1 전극을 형성하는 단계;

상기 베이스 기판에 상기 제 1 전극을 덮는 유기막을 형성하는 단계; 및

상기 유기막의 상면에 광과 반응하는 감광물질을 포함하며 상기 제 1 전극과 대응하는 부분이 개구된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 유기막 중 상기 제 1 전극과 대응하는 부분을 이방성 식각 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 21 항에 있어서, 상기 유기막 중 이방성 식각 된 이방성 식각면 및 상기 제 1 전극이 이루는 각도는 90°보다는 크고 110°보다는 작은 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 박막 중 이방성 식각된 이방성 식각면 및 상기 제1 전극이 이루는 각도는 90°보다는 크고 110°보다는 작은 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.