JP3886219B2 - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機ＥＬ素子にかかり、特に、微細パターンに適した構造の有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高輝度の有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた表示装置は、視野角が広く、薄型の表示装置が得られることから近年注目されており、カラー化と長寿命化による実用品の制作に向けて精力的な研究が行われている。
【０００３】
一般的な有機ＥＬ素子は、ガラス基板上に平行に形成された複数の透明配線膜と、その表面に形成したＥＬ薄膜と、そのＥＬ薄膜表面に、透明配線膜とは直交するように形成された金属配線膜とで構成されており、透明配線膜と金属配線膜との間に位置するＥＬ薄膜が発光するように構成されている。
【０００４】
一般的に、透明配線膜はＩＴＯ(In-Tin Oxide)薄膜で構成されており、ガラス基板上に全面成膜したＩＴＯ薄膜をパターニングし、平行な透明配線膜を形成する際には、ＩＴＯ薄膜表面に、半導体製造工程で用いられるレジスト膜を形成し、露光・現像によってパターニングし、そのレジスト膜をマスクにしてＩＴＯ薄膜をエッチングしている。
【０００５】
しかしながらレジスト膜の現像や除去を行う際に、有機溶剤やプラズマによる処理が行われているため、同様の工程で金属薄膜のパターニングを行おうとすると、金属配線膜間に露出した有機薄膜や、側面に露出した透明配線膜が、有機溶剤やプラズマに曝され、劣化してしまうという問題がある。
【０００６】
そこで従来の有機ＥＬ素子では、レジスト膜を使用しないで済む構造が採用されており、その有機ＥＬ素子の製造方法を説明すると、先ず、図７(ａ)に示すように、所定パターンに成形された透明配線膜１６１を有するガラス基板１６０を用意し、表面処理を行った後、有機薄膜形成室内に搬入する。
【０００７】
有機薄膜形成室内を真空排気し、ガラス基板１６０を真空雰囲気に置いた状態で透明配線膜１６１近傍に金属マスク１８１を配置し、有機蒸着源から有機化合物蒸気を放出させ、透明配線膜１６１表面及びその間に露出したガラス基板１６０表面に一層目の有機薄膜１６５1を形成する(同図(ｂ))。
次いで、別の有機蒸着源から異なる種類の有機化合物蒸気を放出させ、一層目の有機薄膜１６５1表面に、二層目の有機薄膜１６５2を形成する(同図(ｃ))。
【０００８】
そして、大気に曝さない状態で、有機薄膜形成室から金属薄膜形成室に搬送し、所定パターンが形成された金属マスク１８２を二層目の有機薄膜１６５2表面近傍に配置し、金属蒸着源から放出させた金属蒸気を付着させ、二層目の有機薄膜１６５2表面に金属配線膜１６６1を形成する(同図(ｄ))。
【０００９】
最後に、電極パターンが形成された金属マスク１８３を配置し、同様に、金属蒸気を付着させ、透明配線膜１６１表面に電極用の金属配線膜１６６2を形成すると、図６に示すような有機ＥＬ素子が形成される。
【００１０】
この有機ＥＬ素子では、ガラス基板１６０表面に形成された透明配線膜１６１と金属配線膜１６６2とが、有機薄膜１６５1、１６５2を挟んで格子状に配置されており、図７(ｆ)に示すように、金属配線膜１６６2を介して透明配線膜１６１に正電圧を印加し、金属配線膜１６６1に負電圧を印加すると、ホール注入層とホール輸送層の機能を有する一層目の有機薄膜１６５1と、発光層と電子輸送層の機能を有する二層目の有機薄膜１６５2との、透明配線膜１６１と金属配線膜１６６1とが交差部分が発光し、ＥＬ光１９０が放出される。
【００１１】
そのＥＬ光１９０は、透明配線膜１６１とガラス基板１６０とを透過し、外部に放射されるので、電圧を印加する透明配線膜１６１と金属配線膜１６６1とを選択すると、所望部分を発光させることができるので、有機ＥＬ素子を発光表示装置として用いることが可能となる。
【００１２】
以上説明した有機ＥＬ素子の製造工程では、金属配線膜１６６1、１６６2は、金属マスク１８２、１８３によって成膜と同時にパターニングされるので、半導体デバイスの製造工程のように、一旦金属薄膜を全面成膜した後、パターニングしたレジスト膜をマスクとするエッチングを行わなくて済む。従って、有機溶剤やプラズマ処理を必要とせず、有機薄膜１６５1、１６５2や透明配線膜１６１が劣化せず、高品質の有機ＥＬ素子を得ることが可能となっている。
【００１３】
しかしながら近年では、高精細の表示装置が求められており、そのため、透明配線膜１６１や金属配線膜１６６1、１６６2の微細化が進んでいる。上述のような金属マスク１８２、１８３を用いる場合、形成できる金属配線膜１６６1、１６６2の幅は狭くできない。そのため、微細化に適した構造の有機ＥＬ素子の開発が望まれている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、微細パターンに適した有機ＥＬ素子を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、レジスト膜形成室内の下方に蒸着源を配置し、遮光部と透過部を有するガラスマスクと紫外線ランプと赤外線ランプを上方に配置しておき、前記レジスト膜形成室内にガラス基板を搬入し、前記ガラス基板の成膜面を下方に向けて配置し、前記蒸着源から有機電気絶縁膜の原料蒸気を上方に放出させ、前記ガラス基板の前記成膜面上に真空蒸着法によって感光性の有機電気絶縁膜を形成し、前記ガラス基板を上下反転させ、前記成膜面を上方に向けて配置し、前記有機電気絶縁膜上に前記ガラスマスクを位置させ、前記紫外線ランプから前記ガラスマスクに、前記透過部の中央に対応する位置では深部でも光重合反応が進行し、周辺付近に対応する位置では深部では未反応のまま残るような強度と露光時間で紫外線を照射し、前記透過部を透過した前記紫外線を前記有機電気絶縁膜に到達させて反応させた後、前記ガラス基板を上下反転させ、前記成膜面を下方に向けて配置し、前記赤外線ランプから前記有機電気絶縁膜に赤外線を照射して３００℃以上の温度に加熱し、未反応の有機電気絶縁膜を蒸発除去し、底部の幅よりも上部の幅が広い電気絶縁膜パターンを形成し、前記ガラス基板を前記レジスト膜形成室の外部に搬出し、前記電気絶縁膜パターン上と、その間の開口部内に金属薄膜を形成し、前記電気絶縁膜パターン上の前記金属薄膜と、前記開口部内の金属薄膜とを、前記電気絶縁膜パターンの段差によって分離絶縁させる有機ＥＬ素子の製造方法である。
【００１６】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法であって、真空蒸着法により、前記電気絶縁膜パターン上に有機ＥＬ薄膜を形成し、 前記電気絶縁膜パターン上の前記有機ＥＬ薄膜と、開口部内の前記有機ＥＬ薄膜とを、前記電気絶縁膜パターンの段差によって分離絶縁させた状態で、前記有機ＥＬ薄膜表面に前記金属薄膜を形成する有機ＥＬ素子の製造方法である。
【００１７】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法であって、有機ＥＬ薄膜を形成した後、前記有機電気絶縁膜を形成する有機ＥＬ素子の製造方法である。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の有機ＥＬ素子の製造方法であって、低分子量のポリ尿素を蒸着して前記有機電気絶縁膜を形成し、前記紫外光が照射された部分を高分子化する有機ＥＬ素子の製造方法である。
【００１８】
上記構成の有機ＥＬ素子によれば、ガラス基板上に形成された複数の透明配線膜は互いに絶縁されており、透明配線膜上、及びガラス基板上に有機薄膜から成るＥＬ薄膜が形成され、ＥＬ薄膜表面に、互いに絶縁された金属配線膜が複数本形成されている。
【００１９】
ＥＬ薄膜が、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層の機能を有している場合、透明配線膜と金属配線膜との間に電圧を印加すると、その配線の交差部分に位置するＥＬ薄膜を発光させることができる。
【００２０】
金属配線膜を形成する際には、予め真空蒸着法によって有機電気絶縁膜を形成し、紫外光を発生させて、所定パターンが形成されたガラスマスクの透過部を透過させ、有機電気絶縁膜に照射して部分的に重合反応を進行させており、その後、加熱すると、重合しなかった部分が蒸発除去され、重合した部分によって、ガラスマスクに形成されたパターンを有する電気絶縁膜パターンを形成する。
【００２１】
その際、透過部の中央位置を透過した紫外光の強度は比較的高く、透過部の周辺位置を透過した紫外光の強度は、回折や散乱によって比較的低くなるので、有機電気絶縁膜の透過部の中央に対応する位置では深部まで光重合反応が進行し、周辺位置では浅部だけ光重合反応が行われるため、形成される電気絶縁膜パターンは、底部よりも上部が幅が広くなる。
【００２２】
従って、電気絶縁膜パターンの側面部分は陰になるので、蒸着法によって金属蒸気を付着させる場合、電気絶縁膜パターンの側面部分には金属蒸気が付着せず、電気絶縁膜パターン上と電気絶縁膜パターン間の開口部の底面に金属薄膜が形成されるため、電気絶縁膜パターンの間に形成された金属配線膜同士は分離され、互いに絶縁される。
【００２３】
ところで、低分子量のポリ尿素膜は、室温では薄膜であるが、真空雰囲気中で加熱すると蒸発する。他方、その低分子のポリ尿素膜に紫外光を照射し、光重合させたポリ尿素膜は、加熱しても蒸発しないので、上述のような有機電気絶縁膜は、低分子のポリ尿素膜で構成し、紫外光で光重合させた部分によって電気絶縁膜パターンを構成させることができる。
【００２４】
なお、低分子のポリ尿素膜は、ＭＤＩ(4,4'-Diphenylmethane diisocyanate)蒸気とＭＤＡ(4,4'-Diamino diphenylmethane)蒸気とを真空雰囲気中で個別に蒸発させ、基板表面で重合させることで得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。
図１を参照し、符号１は、本発明の有機ＥＬ素子の製造に用いることができる有機ＥＬ素子製造装置の一例である。
この有機ＥＬ素子製造装置１は、表面処理室１０、レジスト膜形成室２０、ＥＬ層形成室３０、金属薄膜形成室４０とがこの順に配置されて構成されている。
【００２６】
先ず、表面に透明配線膜が複数本形成されたガラス基板６０を表面処理室１０の真空槽１１内に搬入する。真空槽１１内の天井側には基板ホルダー１２が設けられており、底壁側にはプラズマガン１３が設けられている。搬入したガラス基板６０は、透明配線膜が設けられた面をプラズマガン１３側に向け、基板ホルダー１２に保持させる。
【００２７】
真空槽１１内を所定圧力まで真空排気した後、ガス導入系１６からプラズマガン１３内にアルゴンガスを導入し、高周波電圧を印加して電離させ、生成されたアルゴンガスプラズマ１５を真空槽１１内に放出し、ガラス基板６０表面の透明配線膜に照射し、透明配線膜の表面改質を行う。
【００２８】
その後、大気に曝さない状態でレジスト膜形成室２０の真空槽２１内に搬入する。
その真空槽２１内の天井側には、露光装置２、基板ホルダー２２、赤外線ランプ４A、４Bが設けられており、底壁側には二台の有機蒸着源３A、３Bが設けられている。基板ホルダー２２は、露光装置２と有機蒸着源３A、３Bの間に配置されており、ガラス基板６０を、表面改質が行われた透明配線膜を有機蒸着源３A、３B側に向け、基板ホルダー２２に保持させる。
【００２９】
その状態を図２(ａ)に示す。真空槽２１内を所定圧力まで真空排気し、有機蒸着源３A、３B内に配置された有機蒸着材料を加熱し、各蒸着源３A、３Bから下記化学式、
【００３０】
【化１】
【００３１】
のＭＤＩ(4,4'-Diphenylmethane diisocyanate)蒸気と、下記化学式、
【００３２】
【化２】
【００３３】
のＭＤＡ(4,4'-Diamino diphenylmethane)蒸気を放出させる。
【００３４】
ＭＤＩ蒸気とＭＤＡ蒸気の放出が安定したところでシャッタ２４A、２４Bを開け、ＭＤＩ蒸気とＭＤＡ蒸気とから成る有機化合物蒸気２５を真空槽２１内に放出させると、その有機化合物蒸気２５は、透明配線膜６１表面及び透明配線膜６１間に露出したガラス基板６０表面に付着する。
【００３５】
このとき、ガラス基板６０を所定温度に加熱しておくと、ガラス基板６０表面及び透明配線膜６１表面に付着したＭＤＩ分子とＭＤＡ分子が下記の重合反応、
【００３６】
【化３】
【００３７】
を起こし、低分子量のポリ尿素膜から成る有機電気絶縁膜(以下、レジスト膜と述べる)６２が形成される。
【００３８】
その有機レジスト膜６２を所定膜厚(２μｍ程度)に形成した後、基板ホルダー２２を回転させ、図２(ｂ)に示すように、ガラス基板６０の有機レジスト膜６２が設けられた面を露光装置２側に向ける。
【００３９】
露光装置２は、筺体２７を有しており、該筺体２７内には、紫外線ランプ５が配置されている。筺体２７の、紫外線ランプとガラス基板６０の間に位置する部分にはガラス窓２６がはめ込まれており、そのガラス窓２６と紫外線ランプ５との間には、ガラスマスク６が配置されている。
【００４０】
紫外線ランプ５に通電し、波長３０００Åの紫外光を放射させると、その紫外光２８はガラスマスク６に照射される。
ガラスマスク６には、遮光性薄膜によって構成された遮光部７と、該遮光部７間でガラス表面が露出された透過部８とが形成されている。
【００４１】
遮光部７は、金属配線膜のパターンに対応したパターンにされており、遮光部７に照射された紫外光２８は遮蔽され、その部分の紫外光２８はレジスト膜６２には到達できない。他方、透過部８に照射された紫外光２８は透過し、ガラス窓２６を通過して有機レジスト膜６２に照射される。
有機レジスト膜６２のうち、紫外光２８が照射された部分では、下記の光重合反応が進行し、低分子量のポリ尿素間が架橋され、高分子化される。
【００４２】
【化４】
【００４３】
紫外光２８は、透過部８のパターンに従ったパターンで有機レジスト膜６２に照射されており、従って、有機レジスト膜６２内には、高分子化したポリ尿素分子によって、透過部８のパターンの潜像が形成されている。
【００４４】
紫外光２８の照射を所定時間(５〜１０分)行った後、基板ホルダー２２を元の位置に反転させ、有機レジスト膜６２が設けられた面を有機蒸着源３A、３B側に向ける。その状態では、有機レジスト膜６２は赤外線ランプ４A、４Bに向けられており、赤外線ランプ４A、４Bに通電し、赤外光２９を放射させると、有機レジスト膜６２が加熱される。
【００４５】
有機レジスト膜６２が所定温度に加熱されると、紫外光２８が照射されなかった部分は解重合を起こし、蒸発するので、有機レジスト膜６２の現像を行うことができる。加熱温度と残膜率の関係を図５を用いて説明する。
【００４６】
図５を参照し、符号Ｌ1は、上記有機レジスト膜６２のうち、紫外光が照射された部分の加熱温度と残膜率の関係を示すグラフであり、符号Ｌ2は、紫外光が照射されなかった部分の温度と残膜率の関係を示したグラフである。
【００４７】
この図５から分かるように、約３００℃以上の温度に加熱すると、紫外光２８が照射された部分の有機レジスト膜６２の残膜率を高く維持しながら、紫外光２８を照射しなかった部分の残膜率をゼロにできる。残膜率がゼロの部分では、底面下の透明配線膜６１やガラス基板６０が露出する。
【００４８】
このように、紫外光２８によって露光された有機レジスト膜６２は、赤外光２９によって現像され、ガラスマスク６の透過部８のパターンと同じパターンで電気絶縁膜パターン(以下、レジストパターンと述べる)６３が形成される。
【００４９】
ところで、上記露光を行う際、紫外光２８のうち、透過部８の中央位置を透過した部分の強度は高く、透過部８の外周付近を透過した部分の強度は低くなる。この場合、図３(ａ)に示すように、強度の高い紫外光２８は有機レジスト膜６２の深部まで照射され、強度の低い紫外光２８は、有機レジスト膜６２の浅部にしか照射されない。
【００５０】
従って、有機レジスト膜６２のうち、透過部８の中央に対応する位置では、深部でも光重合反応が進行するが、周辺付近に対応する位置では、浅部で光重合反応は進行するものの、深部では、重合度は低く、未反応のポリ尿素が残ってしまう。
【００５１】
このようなレジスト膜６２を、赤外光２９によって加熱し、有機レジスト膜６２を解重合させると重合度の高い部分が残り、図３(ｂ)に示すように、表面が広く、底面が狭いレジストパターン６３が形成される。
【００５２】
このように、加熱による解重合を行う場合、残膜率がゼロにならない程度まで光重合反応を進行させておくためには、一定量の紫外光２８を必要とすることから、紫外光２８の強度、露光時間、解重合の加熱温度等を調整することで、所望形状のレジストパターン６３が得られるようになっている。
【００５３】
この状態のガラス基板６０表面を図４に示す。この図４のＩ−Ｉ線断面図が図３(ｂ)に相当する。透明配線膜６１とレジストパターン６３とは、互いに垂直方向に延設され、格子状に配置されている。レジストパターン６３間に位置する開口部６４底面には、透明配線膜６１やガラス基板６０が露出している。
そのガラス基板６０を、大気に曝さない状態で、後段のＥＬ層形成室３０の真空槽３１内に搬入する。
【００５４】
真空槽３１内の天井側には基板ホルダー３２が設けられ、底壁側には複数の有機蒸着源が設けられている。ここでは、複数の有機蒸着源のうち、二個の有機蒸着源３３A、３３Bを示す。
【００５５】
真空槽３１内に搬入されたガラス基板６０を、レジストパターン６３が形成された面を有機蒸着源３３A、３３B側に向け、各有機蒸着源３３A、３３B内に配置された有機薄膜材料を加熱し、シャッタ３４A、３４Bを開閉させ、複数種類の有機化合物蒸気を順番に放出させると、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層を有する有機多層膜から成るＥＬ薄膜(有機薄膜)６５Aが形成される(図３(ｃ))。
【００５６】
このとき、レジストパターン６３表面の他、開口部６４底面に露出する透明配線膜６１やガラス基板６０表面にも有機化合物蒸気が付着し、ＥＬ薄膜６５Bが形成される。
【００５７】
レジストパターン６３は、表面側よりも底面側の幅が狭くなっているので、ガラス基板６０の上方位置から見た場合、レジストパターン６３側面は隠れた状態になる。従って、有機蒸着源３３A、３３Bからガラス基板６０に向けて放出された有機化合物蒸気はレジストパターン６３側面には付着しないので、レジストパターン６３表面に形成されたＥＬ薄膜６５Aと、開口部６４内に形成されたＥＬ薄膜６５Bとは、レジストパターン６３が形成する段差によって分離された状態になる。
このようなＥＬ薄膜６５A、６５Bを所定膜厚に形成した後、大気に曝さない状態で、後段の金属薄膜形成室４０に設けられた真空槽４１に搬入する。
【００５８】
真空槽４１内の天井側には基板ホルダー４２が設けられ、底壁側にはるつぼ４３が設けられている。真空槽４１内に搬入されたガラス基板６０を、ＥＬ薄膜６５A、６５Bが形成された面をるつぼ４３側に向け、基板ホルダー４２に保持させる。
【００５９】
るつぼ４３内にはリチウム合金が配置されており、真空槽４１内を真空排気し、所定圧力に到達したところでるつぼ４３を加熱し、シャッタ４４を開けると、真空槽４１内にリチウムを含む金属蒸気４５が放出される。金属蒸気４５が、レジストパターン６３上に形成されたＥＬ薄膜６５A表面と、開口部６４底面に形成されたＥＬ薄膜６５B表面とに付着すると、金属配線膜６６A、６６Bがそれぞれの位置に形成される。
【００６０】
金属蒸気４５を放出させる際には真空槽４１内が高真空状態にされており、金属蒸気４５は、ガラス基板６０に向かって直線的に飛来する。従って、るつぼ４３側から見た場合、隠れた部分になるレジストパターン６３側面には金属蒸気４５は付着できないので、レジストパターン６３上のＥＬ薄膜６５A表面に形成された金属配線膜６６Aと、開口部６４底面上のＥＬ薄膜６５B表面に形成された金属配線膜６６Bとは、レジストパターン６３が形成する段差によって互いに分離され、電気的に絶縁した状態になる。
【００６１】
ガラス基板６０上の透明配線膜６１は、所定線幅(３００μｍ)に形成され、互いに等間隔(３０μｍ)に平行配置されている。レジストパターン６３も所定線幅に形成され、透明配線６１とは直交方向に互いに等間隔で平行配置されている。従って、開口部６４底面に形成されたＥＬ薄膜６５Bと、その表面に形成された金属配線膜６６Bも一定線幅で、透明配線膜６１と直交方向に平行配置された有機ＥＬ素子３が構成される(図３(ｄ))。
【００６２】
その金属薄膜６６Bに負電圧を印加し、透明配線膜６１に正電圧を印加すると、透明配線膜６１と交差した部分の金属薄膜６６BからＥＬ薄膜６５B内に電子が注入され、その部分のＥＬ薄膜６５BからＥＬ光が放射される。
【００６３】
以上は金属配線膜６６A、６６Bの形成までを説明したが、金属薄膜形成室４０の後段に保護膜形成室を配置し、金属配線膜６６A、６６Bの表面に保護膜を形成してもよい。
【００６４】
上記製造工程では、電気絶縁膜パターン(レジストパターン)６３を形成した後、ＥＬ薄膜と金属薄膜とを形成し、レジストパターン６３の有無によって形成する段差で、ＥＬ薄膜６５A、６５B間、及び金属配線膜６６A、６６B間を分離・絶縁させたが、ＥＬ薄膜を形成した後、レジストパターンと金属配線膜とをこの順に形成し、金属配線膜間を分離・絶縁させてもよい。
【００６５】
【発明の効果】
透明配線膜やＥＬ薄膜が液体やプラズマに曝されないので、有機ＥＬ素子の特性が向上する。
透明配線膜の表面処理から金属配線膜の形成まで、真空雰囲気中で連続して処理できるので、薄膜間の界面状態が良好であり、特性の優れた有機ＥＬ素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の製造に用いられる有機ＥＬ素子製造装置の一例
【図２】(ａ)〜(ｃ)：レジストパターンの形成方法を説明するための図
【図３】(ａ)〜(ｄ)：本発明の有機ＥＬ素子の製造工程の一例を説明するための図
【図４】レジストパターンと透明配線の配置を説明するための図
【図５】加熱温度と残膜率の関係を示すグラフ
【図６】従来技術の有機ＥＬ素子を説明するための図
【図７】(ａ)〜(ｆ)：従来技術の有機ＥＬ素子の製造工程を説明するための図
【符号の説明】
３……有機ＥＬ素子 ２８……紫外光 ６０……ガラス基板 ６１……透明配線膜 ６２……有機電気絶縁膜(有機レジスト膜) ６３……電気絶縁膜パターン(レジストパターン) ６５B……ＥＬ薄膜 ６６B……金属配線膜
【発明の属する技術分野】
本発明は有機ＥＬ素子にかかり、特に、微細パターンに適した構造の有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高輝度の有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた表示装置は、視野角が広く、薄型の表示装置が得られることから近年注目されており、カラー化と長寿命化による実用品の制作に向けて精力的な研究が行われている。
【０００３】
一般的な有機ＥＬ素子は、ガラス基板上に平行に形成された複数の透明配線膜と、その表面に形成したＥＬ薄膜と、そのＥＬ薄膜表面に、透明配線膜とは直交するように形成された金属配線膜とで構成されており、透明配線膜と金属配線膜との間に位置するＥＬ薄膜が発光するように構成されている。
【０００４】
一般的に、透明配線膜はＩＴＯ(In-Tin Oxide)薄膜で構成されており、ガラス基板上に全面成膜したＩＴＯ薄膜をパターニングし、平行な透明配線膜を形成する際には、ＩＴＯ薄膜表面に、半導体製造工程で用いられるレジスト膜を形成し、露光・現像によってパターニングし、そのレジスト膜をマスクにしてＩＴＯ薄膜をエッチングしている。
【０００５】
しかしながらレジスト膜の現像や除去を行う際に、有機溶剤やプラズマによる処理が行われているため、同様の工程で金属薄膜のパターニングを行おうとすると、金属配線膜間に露出した有機薄膜や、側面に露出した透明配線膜が、有機溶剤やプラズマに曝され、劣化してしまうという問題がある。
【０００６】
そこで従来の有機ＥＬ素子では、レジスト膜を使用しないで済む構造が採用されており、その有機ＥＬ素子の製造方法を説明すると、先ず、図７(ａ)に示すように、所定パターンに成形された透明配線膜１６１を有するガラス基板１６０を用意し、表面処理を行った後、有機薄膜形成室内に搬入する。
【０００７】
有機薄膜形成室内を真空排気し、ガラス基板１６０を真空雰囲気に置いた状態で透明配線膜１６１近傍に金属マスク１８１を配置し、有機蒸着源から有機化合物蒸気を放出させ、透明配線膜１６１表面及びその間に露出したガラス基板１６０表面に一層目の有機薄膜１６５1を形成する(同図(ｂ))。
次いで、別の有機蒸着源から異なる種類の有機化合物蒸気を放出させ、一層目の有機薄膜１６５1表面に、二層目の有機薄膜１６５2を形成する(同図(ｃ))。
【０００８】
そして、大気に曝さない状態で、有機薄膜形成室から金属薄膜形成室に搬送し、所定パターンが形成された金属マスク１８２を二層目の有機薄膜１６５2表面近傍に配置し、金属蒸着源から放出させた金属蒸気を付着させ、二層目の有機薄膜１６５2表面に金属配線膜１６６1を形成する(同図(ｄ))。
【０００９】
最後に、電極パターンが形成された金属マスク１８３を配置し、同様に、金属蒸気を付着させ、透明配線膜１６１表面に電極用の金属配線膜１６６2を形成すると、図６に示すような有機ＥＬ素子が形成される。
【００１０】
この有機ＥＬ素子では、ガラス基板１６０表面に形成された透明配線膜１６１と金属配線膜１６６2とが、有機薄膜１６５1、１６５2を挟んで格子状に配置されており、図７(ｆ)に示すように、金属配線膜１６６2を介して透明配線膜１６１に正電圧を印加し、金属配線膜１６６1に負電圧を印加すると、ホール注入層とホール輸送層の機能を有する一層目の有機薄膜１６５1と、発光層と電子輸送層の機能を有する二層目の有機薄膜１６５2との、透明配線膜１６１と金属配線膜１６６1とが交差部分が発光し、ＥＬ光１９０が放出される。
【００１１】
そのＥＬ光１９０は、透明配線膜１６１とガラス基板１６０とを透過し、外部に放射されるので、電圧を印加する透明配線膜１６１と金属配線膜１６６1とを選択すると、所望部分を発光させることができるので、有機ＥＬ素子を発光表示装置として用いることが可能となる。
【００１２】
以上説明した有機ＥＬ素子の製造工程では、金属配線膜１６６1、１６６2は、金属マスク１８２、１８３によって成膜と同時にパターニングされるので、半導体デバイスの製造工程のように、一旦金属薄膜を全面成膜した後、パターニングしたレジスト膜をマスクとするエッチングを行わなくて済む。従って、有機溶剤やプラズマ処理を必要とせず、有機薄膜１６５1、１６５2や透明配線膜１６１が劣化せず、高品質の有機ＥＬ素子を得ることが可能となっている。
【００１３】
しかしながら近年では、高精細の表示装置が求められており、そのため、透明配線膜１６１や金属配線膜１６６1、１６６2の微細化が進んでいる。上述のような金属マスク１８２、１８３を用いる場合、形成できる金属配線膜１６６1、１６６2の幅は狭くできない。そのため、微細化に適した構造の有機ＥＬ素子の開発が望まれている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、微細パターンに適した有機ＥＬ素子を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、レジスト膜形成室内の下方に蒸着源を配置し、遮光部と透過部を有するガラスマスクと紫外線ランプと赤外線ランプを上方に配置しておき、前記レジスト膜形成室内にガラス基板を搬入し、前記ガラス基板の成膜面を下方に向けて配置し、前記蒸着源から有機電気絶縁膜の原料蒸気を上方に放出させ、前記ガラス基板の前記成膜面上に真空蒸着法によって感光性の有機電気絶縁膜を形成し、前記ガラス基板を上下反転させ、前記成膜面を上方に向けて配置し、前記有機電気絶縁膜上に前記ガラスマスクを位置させ、前記紫外線ランプから前記ガラスマスクに、前記透過部の中央に対応する位置では深部でも光重合反応が進行し、周辺付近に対応する位置では深部では未反応のまま残るような強度と露光時間で紫外線を照射し、前記透過部を透過した前記紫外線を前記有機電気絶縁膜に到達させて反応させた後、前記ガラス基板を上下反転させ、前記成膜面を下方に向けて配置し、前記赤外線ランプから前記有機電気絶縁膜に赤外線を照射して３００℃以上の温度に加熱し、未反応の有機電気絶縁膜を蒸発除去し、底部の幅よりも上部の幅が広い電気絶縁膜パターンを形成し、前記ガラス基板を前記レジスト膜形成室の外部に搬出し、前記電気絶縁膜パターン上と、その間の開口部内に金属薄膜を形成し、前記電気絶縁膜パターン上の前記金属薄膜と、前記開口部内の金属薄膜とを、前記電気絶縁膜パターンの段差によって分離絶縁させる有機ＥＬ素子の製造方法である。
【００１６】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法であって、真空蒸着法により、前記電気絶縁膜パターン上に有機ＥＬ薄膜を形成し、 前記電気絶縁膜パターン上の前記有機ＥＬ薄膜と、開口部内の前記有機ＥＬ薄膜とを、前記電気絶縁膜パターンの段差によって分離絶縁させた状態で、前記有機ＥＬ薄膜表面に前記金属薄膜を形成する有機ＥＬ素子の製造方法である。
【００１７】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法であって、有機ＥＬ薄膜を形成した後、前記有機電気絶縁膜を形成する有機ＥＬ素子の製造方法である。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の有機ＥＬ素子の製造方法であって、低分子量のポリ尿素を蒸着して前記有機電気絶縁膜を形成し、前記紫外光が照射された部分を高分子化する有機ＥＬ素子の製造方法である。
【００１８】
上記構成の有機ＥＬ素子によれば、ガラス基板上に形成された複数の透明配線膜は互いに絶縁されており、透明配線膜上、及びガラス基板上に有機薄膜から成るＥＬ薄膜が形成され、ＥＬ薄膜表面に、互いに絶縁された金属配線膜が複数本形成されている。
【００１９】
ＥＬ薄膜が、ホール注入層と、ホール輸送層と、発光層と、電子輸送層の機能を有している場合、透明配線膜と金属配線膜との間に電圧を印加すると、その配線の交差部分に位置するＥＬ薄膜を発光させることができる。
【００２０】
金属配線膜を形成する際には、予め真空蒸着法によって有機電気絶縁膜を形成し、紫外光を発生させて、所定パターンが形成されたガラスマスクの透過部を透過させ、有機電気絶縁膜に照射して部分的に重合反応を進行させており、その後、加熱すると、重合しなかった部分が蒸発除去され、重合した部分によって、ガラスマスクに形成されたパターンを有する電気絶縁膜パターンを形成する。
【００２１】
その際、透過部の中央位置を透過した紫外光の強度は比較的高く、透過部の周辺位置を透過した紫外光の強度は、回折や散乱によって比較的低くなるので、有機電気絶縁膜の透過部の中央に対応する位置では深部まで光重合反応が進行し、周辺位置では浅部だけ光重合反応が行われるため、形成される電気絶縁膜パターンは、底部よりも上部が幅が広くなる。
【００２２】
従って、電気絶縁膜パターンの側面部分は陰になるので、蒸着法によって金属蒸気を付着させる場合、電気絶縁膜パターンの側面部分には金属蒸気が付着せず、電気絶縁膜パターン上と電気絶縁膜パターン間の開口部の底面に金属薄膜が形成されるため、電気絶縁膜パターンの間に形成された金属配線膜同士は分離され、互いに絶縁される。
【００２３】
ところで、低分子量のポリ尿素膜は、室温では薄膜であるが、真空雰囲気中で加熱すると蒸発する。他方、その低分子のポリ尿素膜に紫外光を照射し、光重合させたポリ尿素膜は、加熱しても蒸発しないので、上述のような有機電気絶縁膜は、低分子のポリ尿素膜で構成し、紫外光で光重合させた部分によって電気絶縁膜パターンを構成させることができる。
【００２４】
なお、低分子のポリ尿素膜は、ＭＤＩ(4,4'-Diphenylmethane diisocyanate)蒸気とＭＤＡ(4,4'-Diamino diphenylmethane)蒸気とを真空雰囲気中で個別に蒸発させ、基板表面で重合させることで得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。
図１を参照し、符号１は、本発明の有機ＥＬ素子の製造に用いることができる有機ＥＬ素子製造装置の一例である。
この有機ＥＬ素子製造装置１は、表面処理室１０、レジスト膜形成室２０、ＥＬ層形成室３０、金属薄膜形成室４０とがこの順に配置されて構成されている。
【００２６】
先ず、表面に透明配線膜が複数本形成されたガラス基板６０を表面処理室１０の真空槽１１内に搬入する。真空槽１１内の天井側には基板ホルダー１２が設けられており、底壁側にはプラズマガン１３が設けられている。搬入したガラス基板６０は、透明配線膜が設けられた面をプラズマガン１３側に向け、基板ホルダー１２に保持させる。
【００２７】
真空槽１１内を所定圧力まで真空排気した後、ガス導入系１６からプラズマガン１３内にアルゴンガスを導入し、高周波電圧を印加して電離させ、生成されたアルゴンガスプラズマ１５を真空槽１１内に放出し、ガラス基板６０表面の透明配線膜に照射し、透明配線膜の表面改質を行う。
【００２８】
その後、大気に曝さない状態でレジスト膜形成室２０の真空槽２１内に搬入する。
その真空槽２１内の天井側には、露光装置２、基板ホルダー２２、赤外線ランプ４A、４Bが設けられており、底壁側には二台の有機蒸着源３A、３Bが設けられている。基板ホルダー２２は、露光装置２と有機蒸着源３A、３Bの間に配置されており、ガラス基板６０を、表面改質が行われた透明配線膜を有機蒸着源３A、３B側に向け、基板ホルダー２２に保持させる。
【００２９】
その状態を図２(ａ)に示す。真空槽２１内を所定圧力まで真空排気し、有機蒸着源３A、３B内に配置された有機蒸着材料を加熱し、各蒸着源３A、３Bから下記化学式、
【００３０】
【化１】
のＭＤＩ(4,4'-Diphenylmethane diisocyanate)蒸気と、下記化学式、
【００３２】
【化２】
のＭＤＡ(4,4'-Diamino diphenylmethane)蒸気を放出させる。
【００３４】
ＭＤＩ蒸気とＭＤＡ蒸気の放出が安定したところでシャッタ２４A、２４Bを開け、ＭＤＩ蒸気とＭＤＡ蒸気とから成る有機化合物蒸気２５を真空槽２１内に放出させると、その有機化合物蒸気２５は、透明配線膜６１表面及び透明配線膜６１間に露出したガラス基板６０表面に付着する。
【００３５】
このとき、ガラス基板６０を所定温度に加熱しておくと、ガラス基板６０表面及び透明配線膜６１表面に付着したＭＤＩ分子とＭＤＡ分子が下記の重合反応、
【００３６】
【化３】
を起こし、低分子量のポリ尿素膜から成る有機電気絶縁膜(以下、レジスト膜と述べる)６２が形成される。
【００３８】
その有機レジスト膜６２を所定膜厚(２μｍ程度)に形成した後、基板ホルダー２２を回転させ、図２(ｂ)に示すように、ガラス基板６０の有機レジスト膜６２が設けられた面を露光装置２側に向ける。
【００３９】
露光装置２は、筺体２７を有しており、該筺体２７内には、紫外線ランプ５が配置されている。筺体２７の、紫外線ランプとガラス基板６０の間に位置する部分にはガラス窓２６がはめ込まれており、そのガラス窓２６と紫外線ランプ５との間には、ガラスマスク６が配置されている。
【００４０】
紫外線ランプ５に通電し、波長３０００Åの紫外光を放射させると、その紫外光２８はガラスマスク６に照射される。
ガラスマスク６には、遮光性薄膜によって構成された遮光部７と、該遮光部７間でガラス表面が露出された透過部８とが形成されている。
【００４１】
遮光部７は、金属配線膜のパターンに対応したパターンにされており、遮光部７に照射された紫外光２８は遮蔽され、その部分の紫外光２８はレジスト膜６２には到達できない。他方、透過部８に照射された紫外光２８は透過し、ガラス窓２６を通過して有機レジスト膜６２に照射される。
有機レジスト膜６２のうち、紫外光２８が照射された部分では、下記の光重合反応が進行し、低分子量のポリ尿素間が架橋され、高分子化される。
【００４２】
【化４】
紫外光２８は、透過部８のパターンに従ったパターンで有機レジスト膜６２に照射されており、従って、有機レジスト膜６２内には、高分子化したポリ尿素分子によって、透過部８のパターンの潜像が形成されている。
【００４４】
紫外光２８の照射を所定時間(５〜１０分)行った後、基板ホルダー２２を元の位置に反転させ、有機レジスト膜６２が設けられた面を有機蒸着源３A、３B側に向ける。その状態では、有機レジスト膜６２は赤外線ランプ４A、４Bに向けられており、赤外線ランプ４A、４Bに通電し、赤外光２９を放射させると、有機レジスト膜６２が加熱される。
【００４５】
有機レジスト膜６２が所定温度に加熱されると、紫外光２８が照射されなかった部分は解重合を起こし、蒸発するので、有機レジスト膜６２の現像を行うことができる。加熱温度と残膜率の関係を図５を用いて説明する。
【００４６】
図５を参照し、符号Ｌ1は、上記有機レジスト膜６２のうち、紫外光が照射された部分の加熱温度と残膜率の関係を示すグラフであり、符号Ｌ2は、紫外光が照射されなかった部分の温度と残膜率の関係を示したグラフである。
【００４７】
この図５から分かるように、約３００℃以上の温度に加熱すると、紫外光２８が照射された部分の有機レジスト膜６２の残膜率を高く維持しながら、紫外光２８を照射しなかった部分の残膜率をゼロにできる。残膜率がゼロの部分では、底面下の透明配線膜６１やガラス基板６０が露出する。
【００４８】
このように、紫外光２８によって露光された有機レジスト膜６２は、赤外光２９によって現像され、ガラスマスク６の透過部８のパターンと同じパターンで電気絶縁膜パターン(以下、レジストパターンと述べる)６３が形成される。
【００４９】
ところで、上記露光を行う際、紫外光２８のうち、透過部８の中央位置を透過した部分の強度は高く、透過部８の外周付近を透過した部分の強度は低くなる。この場合、図３(ａ)に示すように、強度の高い紫外光２８は有機レジスト膜６２の深部まで照射され、強度の低い紫外光２８は、有機レジスト膜６２の浅部にしか照射されない。
【００５０】
従って、有機レジスト膜６２のうち、透過部８の中央に対応する位置では、深部でも光重合反応が進行するが、周辺付近に対応する位置では、浅部で光重合反応は進行するものの、深部では、重合度は低く、未反応のポリ尿素が残ってしまう。
【００５１】
このようなレジスト膜６２を、赤外光２９によって加熱し、有機レジスト膜６２を解重合させると重合度の高い部分が残り、図３(ｂ)に示すように、表面が広く、底面が狭いレジストパターン６３が形成される。
【００５２】
このように、加熱による解重合を行う場合、残膜率がゼロにならない程度まで光重合反応を進行させておくためには、一定量の紫外光２８を必要とすることから、紫外光２８の強度、露光時間、解重合の加熱温度等を調整することで、所望形状のレジストパターン６３が得られるようになっている。
【００５３】
この状態のガラス基板６０表面を図４に示す。この図４のＩ−Ｉ線断面図が図３(ｂ)に相当する。透明配線膜６１とレジストパターン６３とは、互いに垂直方向に延設され、格子状に配置されている。レジストパターン６３間に位置する開口部６４底面には、透明配線膜６１やガラス基板６０が露出している。
そのガラス基板６０を、大気に曝さない状態で、後段のＥＬ層形成室３０の真空槽３１内に搬入する。
【００５４】
真空槽３１内の天井側には基板ホルダー３２が設けられ、底壁側には複数の有機蒸着源が設けられている。ここでは、複数の有機蒸着源のうち、二個の有機蒸着源３３A、３３Bを示す。
【００５５】
真空槽３１内に搬入されたガラス基板６０を、レジストパターン６３が形成された面を有機蒸着源３３A、３３B側に向け、各有機蒸着源３３A、３３B内に配置された有機薄膜材料を加熱し、シャッタ３４A、３４Bを開閉させ、複数種類の有機化合物蒸気を順番に放出させると、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層を有する有機多層膜から成るＥＬ薄膜(有機薄膜)６５Aが形成される(図３(ｃ))。
【００５６】
このとき、レジストパターン６３表面の他、開口部６４底面に露出する透明配線膜６１やガラス基板６０表面にも有機化合物蒸気が付着し、ＥＬ薄膜６５Bが形成される。
【００５７】
レジストパターン６３は、表面側よりも底面側の幅が狭くなっているので、ガラス基板６０の上方位置から見た場合、レジストパターン６３側面は隠れた状態になる。従って、有機蒸着源３３A、３３Bからガラス基板６０に向けて放出された有機化合物蒸気はレジストパターン６３側面には付着しないので、レジストパターン６３表面に形成されたＥＬ薄膜６５Aと、開口部６４内に形成されたＥＬ薄膜６５Bとは、レジストパターン６３が形成する段差によって分離された状態になる。
このようなＥＬ薄膜６５A、６５Bを所定膜厚に形成した後、大気に曝さない状態で、後段の金属薄膜形成室４０に設けられた真空槽４１に搬入する。
【００５８】
真空槽４１内の天井側には基板ホルダー４２が設けられ、底壁側にはるつぼ４３が設けられている。真空槽４１内に搬入されたガラス基板６０を、ＥＬ薄膜６５A、６５Bが形成された面をるつぼ４３側に向け、基板ホルダー４２に保持させる。
【００５９】
るつぼ４３内にはリチウム合金が配置されており、真空槽４１内を真空排気し、所定圧力に到達したところでるつぼ４３を加熱し、シャッタ４４を開けると、真空槽４１内にリチウムを含む金属蒸気４５が放出される。金属蒸気４５が、レジストパターン６３上に形成されたＥＬ薄膜６５A表面と、開口部６４底面に形成されたＥＬ薄膜６５B表面とに付着すると、金属配線膜６６A、６６Bがそれぞれの位置に形成される。
【００６０】
金属蒸気４５を放出させる際には真空槽４１内が高真空状態にされており、金属蒸気４５は、ガラス基板６０に向かって直線的に飛来する。従って、るつぼ４３側から見た場合、隠れた部分になるレジストパターン６３側面には金属蒸気４５は付着できないので、レジストパターン６３上のＥＬ薄膜６５A表面に形成された金属配線膜６６Aと、開口部６４底面上のＥＬ薄膜６５B表面に形成された金属配線膜６６Bとは、レジストパターン６３が形成する段差によって互いに分離され、電気的に絶縁した状態になる。
【００６１】
ガラス基板６０上の透明配線膜６１は、所定線幅(３００μｍ)に形成され、互いに等間隔(３０μｍ)に平行配置されている。レジストパターン６３も所定線幅に形成され、透明配線６１とは直交方向に互いに等間隔で平行配置されている。従って、開口部６４底面に形成されたＥＬ薄膜６５Bと、その表面に形成された金属配線膜６６Bも一定線幅で、透明配線膜６１と直交方向に平行配置された有機ＥＬ素子３が構成される(図３(ｄ))。
【００６２】
その金属薄膜６６Bに負電圧を印加し、透明配線膜６１に正電圧を印加すると、透明配線膜６１と交差した部分の金属薄膜６６BからＥＬ薄膜６５B内に電子が注入され、その部分のＥＬ薄膜６５BからＥＬ光が放射される。
【００６３】
以上は金属配線膜６６A、６６Bの形成までを説明したが、金属薄膜形成室４０の後段に保護膜形成室を配置し、金属配線膜６６A、６６Bの表面に保護膜を形成してもよい。
【００６４】
上記製造工程では、電気絶縁膜パターン(レジストパターン)６３を形成した後、ＥＬ薄膜と金属薄膜とを形成し、レジストパターン６３の有無によって形成する段差で、ＥＬ薄膜６５A、６５B間、及び金属配線膜６６A、６６B間を分離・絶縁させたが、ＥＬ薄膜を形成した後、レジストパターンと金属配線膜とをこの順に形成し、金属配線膜間を分離・絶縁させてもよい。
【００６５】
【発明の効果】
透明配線膜やＥＬ薄膜が液体やプラズマに曝されないので、有機ＥＬ素子の特性が向上する。
透明配線膜の表面処理から金属配線膜の形成まで、真空雰囲気中で連続して処理できるので、薄膜間の界面状態が良好であり、特性の優れた有機ＥＬ素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の製造に用いられる有機ＥＬ素子製造装置の一例
【図２】(ａ)〜(ｃ)：レジストパターンの形成方法を説明するための図
【図３】(ａ)〜(ｄ)：本発明の有機ＥＬ素子の製造工程の一例を説明するための図
【図４】レジストパターンと透明配線の配置を説明するための図
【図５】加熱温度と残膜率の関係を示すグラフ
【図６】従来技術の有機ＥＬ素子を説明するための図
【図７】(ａ)〜(ｆ)：従来技術の有機ＥＬ素子の製造工程を説明するための図
【符号の説明】
３……有機ＥＬ素子 ２８……紫外光 ６０……ガラス基板 ６１……透明配線膜 ６２……有機電気絶縁膜(有機レジスト膜) ６３……電気絶縁膜パターン(レジストパターン) ６５B……ＥＬ薄膜 ６６B……金属配線膜
Claims (4)
- レジスト膜形成室内の下方に蒸着源を配置し、遮光部と透過部を有するガラスマスクと紫外線ランプと赤外線ランプを上方に配置しておき、
前記レジスト膜形成室内にガラス基板を搬入し、前記ガラス基板の成膜面を下方に向けて配置し、
前記蒸着源から有機電気絶縁膜の原料蒸気を上方に放出させ、前記ガラス基板の前記成膜面上に真空蒸着法によって感光性の有機電気絶縁膜を形成し、
前記ガラス基板を上下反転させ、前記成膜面を上方に向けて配置し、
前記有機電気絶縁膜上に前記ガラスマスクを位置させ、前記紫外線ランプから前記ガラスマスクに、前記透過部の中央に対応する位置では深部でも光重合反応が進行し、周辺付近に対応する位置では深部では未反応のまま残るような強度と露光時間で紫外線を照射し、
前記透過部を透過した前記紫外線を前記有機電気絶縁膜に到達させて反応させた後、
前記ガラス基板を上下反転させ、前記成膜面を下方に向けて配置し、
前記赤外線ランプから前記有機電気絶縁膜に赤外線を照射して３００℃以上の温度に加熱し、未反応の有機電気絶縁膜を蒸発除去し、底部の幅よりも上部の幅が広い電気絶縁膜パターンを形成し、
前記ガラス基板を前記レジスト膜形成室の外部に搬出し、前記電気絶縁膜パターン上と、その間の開口部内に金属薄膜を形成し、前記電気絶縁膜パターン上の前記金属薄膜と、前記開口部内の金属薄膜とを、前記電気絶縁膜パターンの段差によって分離絶縁させる有機ＥＬ素子の製造方法。 - 真空蒸着法により、前記電気絶縁膜パターン上に有機ＥＬ薄膜を形成し、前記電気絶縁膜パターン上の前記有機ＥＬ薄膜と、開口部内の前記有機ＥＬ薄膜とを、前記電気絶縁膜パターンの段差によって分離絶縁させた状態で、前記有機ＥＬ薄膜表面に前記金属薄膜を形成する請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
- 有機ＥＬ薄膜を形成した後、前記有機電気絶縁膜を形成する請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
- 低分子量のポリ尿素を蒸着して前記有機電気絶縁膜を形成し、前記紫外光が照射された部分を高分子化する請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
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