JPS59163741A - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
- Publication number
- JPS59163741A JPS59163741A JP58038014A JP3801483A JPS59163741A JP S59163741 A JPS59163741 A JP S59163741A JP 58038014 A JP58038014 A JP 58038014A JP 3801483 A JP3801483 A JP 3801483A JP S59163741 A JPS59163741 A JP S59163741A
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- JP
- Japan
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- ray
- rays
- plasma
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、高温高密度プラズマを用いて筒出力の軟Ｘ線
を発生させ、かつ、動作安定性の良好な軟Ｘ線発生装置
に関するものである。
を発生させ、かつ、動作安定性の良好な軟Ｘ線発生装置
に関するものである。
従来の金属（Ａｊ’、Ｏｕ、Ｍｏ、８ｊ）等に電子線を
照射してＸ線を発生させる電子線励起型Ｘ線源に比べて
、Ｘ線の発生効率が高く（１〜１０％）、高出力のＸ線
が得られることが期待できるプラズマＸ線源が着目され
ている。プラズマＸ線源は、高温（ＩＫｅＶ以上）で高
密度（ＩＱｃ＋ａ 以上）のプラズマを放電あるいは
レーザ照射等によって形成し、プラズマ中のイオンと電
子の相互作用でＸ線を発生させるものである。
照射してＸ線を発生させる電子線励起型Ｘ線源に比べて
、Ｘ線の発生効率が高く（１〜１０％）、高出力のＸ線
が得られることが期待できるプラズマＸ線源が着目され
ている。プラズマＸ線源は、高温（ＩＫｅＶ以上）で高
密度（ＩＱｃ＋ａ 以上）のプラズマを放電あるいは
レーザ照射等によって形成し、プラズマ中のイオンと電
子の相互作用でＸ線を発生させるものである。
高温高密度プラズマからは、Ｘ線のほかに、光等の各種
電磁波、プラズマを構成するイオンや電子、高温ガスあ
るいは電極の構成物質等が放出される。プラズマから発
生するＸ線でパターン転写をするには第１図に示したよ
うに、Ｘ線マスク３とプラズマＸ線源１の間に、プラズ
マから発生するＸ線以外の上述した光、イオン、電子等
をしゃ断し、さらに、Ｘ線マスク３を保護するための薄
いＸ線取シ出し窓２が必要であシ、厚さ１０〜３０μｍ
程度のＢｅ膜等が用いられている。従来は第１図に示す
よう（二構成されていたので、Ｘ線取力出し窓２には、
プラズマの高温な電子、イオン、ガス流ならびに放電で
消耗する電極構成物質等が、直接、照射される。そのた
め厚さｌＯ〜３０μｍ程の薄膜であるＸ線取り出し窓２
は、イオン、電子等の衝撃によシ破損されることがあシ
、また、電極構成物質が付着し、Ｘ線の透過率、が低下
する。このため、同一のＸ線取シ出し窓２で多数回のＸ
線照射をすることは不可能に近い等の欠点があった。
電磁波、プラズマを構成するイオンや電子、高温ガスあ
るいは電極の構成物質等が放出される。プラズマから発
生するＸ線でパターン転写をするには第１図に示したよ
うに、Ｘ線マスク３とプラズマＸ線源１の間に、プラズ
マから発生するＸ線以外の上述した光、イオン、電子等
をしゃ断し、さらに、Ｘ線マスク３を保護するための薄
いＸ線取シ出し窓２が必要であシ、厚さ１０〜３０μｍ
程度のＢｅ膜等が用いられている。従来は第１図に示す
よう（二構成されていたので、Ｘ線取力出し窓２には、
プラズマの高温な電子、イオン、ガス流ならびに放電で
消耗する電極構成物質等が、直接、照射される。そのた
め厚さｌＯ〜３０μｍ程の薄膜であるＸ線取り出し窓２
は、イオン、電子等の衝撃によシ破損されることがあシ
、また、電極構成物質が付着し、Ｘ線の透過率、が低下
する。このため、同一のＸ線取シ出し窓２で多数回のＸ
線照射をすることは不可能に近い等の欠点があった。
本発明は、プラズマＸ線源とＸ線取り出し窓の間に接地
された′σ極を設けることを特徴とし、その目的はＸ線
取シ出し窓に到達する電子、イオン、高温ガス等を減少
させることにある。
された′σ極を設けることを特徴とし、その目的はＸ線
取シ出し窓に到達する電子、イオン、高温ガス等を減少
させることにある。
第２図は本発明の実施例であって、Ｘ線露光装置に適用
した一例である。１は１対の電極間に大電流を流して生
成するプラズマによりＸ線を発生するプラズマＸｌｌ１
Ａ源、２はｘＨ取シ出し窓で薄い金属性族（例えば、Ｂ
ｅ、ＡＩ！、Ｔｉ号）、３はＸ線マスク−４はレジスト
を塗布したウェハ、５は前記プラズマＸ線源ｌを内蔵し
、かつ前記Ｘ線取シ出し窓２を有する接地されている導
電性真空容器、６は前記プラズマＸｉ源１とＸ線取シ出
し窓２間に設けられた電子、イオン等をしゃ断する板状
の接地電極で、中心にはＸ線通過孔７がある。Ｘ線通過
孔７には導電性の網８が張っである。ここで、Ｘ線ｊｔ
！２シ出し窓２、接地電極６および網８は真空容器５と
電気的に接続されておシ、接地されている。９は、Ｘ線
がプラズマＸ線源ｌからウェハ４に到達するまでにＸ線
の通過する領域の境界線を示している。
した一例である。１は１対の電極間に大電流を流して生
成するプラズマによりＸ線を発生するプラズマＸｌｌ１
Ａ源、２はｘＨ取シ出し窓で薄い金属性族（例えば、Ｂ
ｅ、ＡＩ！、Ｔｉ号）、３はＸ線マスク−４はレジスト
を塗布したウェハ、５は前記プラズマＸ線源ｌを内蔵し
、かつ前記Ｘ線取シ出し窓２を有する接地されている導
電性真空容器、６は前記プラズマＸｉ源１とＸ線取シ出
し窓２間に設けられた電子、イオン等をしゃ断する板状
の接地電極で、中心にはＸ線通過孔７がある。Ｘ線通過
孔７には導電性の網８が張っである。ここで、Ｘ線ｊｔ
！２シ出し窓２、接地電極６および網８は真空容器５と
電気的に接続されておシ、接地されている。９は、Ｘ線
がプラズマＸ線源ｌからウェハ４に到達するまでにＸ線
の通過する領域の境界線を示している。
これを動作するには、Ｘ線が透過し、プラズマＸ線源が
動作する程度に真空容器５を排気する。真空中露光方式
の場合には、Ｘ線マスク３およびウェハ４を真空中雰囲
気に、また、大気中露光方式の場合は、Ｘ線マスク３お
よびウェハ４を大気中雰囲気にする。その際、Ｘ線取シ
出し窓２が真空シールを兼ねる。真空容器５中が真空に
なった後、プラズマＸ線源１を動作し、Ｘ線マスク、９
のパターンをウェハ４に転写する。
動作する程度に真空容器５を排気する。真空中露光方式
の場合には、Ｘ線マスク３およびウェハ４を真空中雰囲
気に、また、大気中露光方式の場合は、Ｘ線マスク３お
よびウェハ４を大気中雰囲気にする。その際、Ｘ線取シ
出し窓２が真空シールを兼ねる。真空容器５中が真空に
なった後、プラズマＸ線源１を動作し、Ｘ線マスク、９
のパターンをウェハ４に転写する。
即ち、プラズマＸ線源１は１対の電極間に放電によって
大電流を流して高温（Ｉ Ｋ ｅ Ｖ以上）で冒密度（
ｌ Ｑ”ｆ７ｆｆ、−’以上）のプラズマを生成し、こ
のプラズマ中のイオンと電子の相互作用でＸ線を発生さ
せる。このプラズマＸ線源１から発生したＸ線は境界線
９に示すように導電性網８を張ったＸ線通過孔７を通っ
て後、Ｘ＆Ｉ取シ出し窓２を通ってＸｍマスク３ｃ二照
射する。したがって、Ｘ線でＸ線マスク３を通してレジ
ストを塗布したウェハ４を露光することができ、ウェハ
４にＸ線マスク３のパターンに対応シタハターンを形成
することができる。この場合、プラズマＸ線源１から、
Ｘ線と同時（二放出される電子およびイオンは、接地電
極６およびＸ線通過孔７に張られた導電性の網８に衝突
し、電流となって、接地電極６および網８に吸収される
。
大電流を流して高温（Ｉ Ｋ ｅ Ｖ以上）で冒密度（
ｌ Ｑ”ｆ７ｆｆ、−’以上）のプラズマを生成し、こ
のプラズマ中のイオンと電子の相互作用でＸ線を発生さ
せる。このプラズマＸ線源１から発生したＸ線は境界線
９に示すように導電性網８を張ったＸ線通過孔７を通っ
て後、Ｘ＆Ｉ取シ出し窓２を通ってＸｍマスク３ｃ二照
射する。したがって、Ｘ線でＸ線マスク３を通してレジ
ストを塗布したウェハ４を露光することができ、ウェハ
４にＸ線マスク３のパターンに対応シタハターンを形成
することができる。この場合、プラズマＸ線源１から、
Ｘ線と同時（二放出される電子およびイオンは、接地電
極６およびＸ線通過孔７に張られた導電性の網８に衝突
し、電流となって、接地電極６および網８に吸収される
。
また、高温ガスや電極の構成物質等も接地電極６、網８
で反射される。
で反射される。
以上のように、プラズマＸ線源１がらＸ線と同時に放出
される電子、イオン、高温ガス、電極構成物質等がＸ線
取）出し窓２に到達する量は大幅に減少され、Ｘ線取シ
出し窓２の破損や、電極構成物質の付着によるＸ線透過
割合が減少することもなくなシ、多数回のＸ線照射が可
能となる。
される電子、イオン、高温ガス、電極構成物質等がＸ線
取）出し窓２に到達する量は大幅に減少され、Ｘ線取シ
出し窓２の破損や、電極構成物質の付着によるＸ線透過
割合が減少することもなくなシ、多数回のＸ線照射が可
能となる。
以上説明したように、プラズマＸＷと同時に放出される
電子、イオン、高温ガス、電極構成物質等が、Ｘ線取シ
出し窓に到達する量が減少するので、Ｘ線照射によシＸ
ｒＦ４取シ出し窓が破損されることもなく、またｘ４透
過率も減少することもなくなるので、プラズマＸ線源を
Ｘ線源とするＸ線露光装置で安定なパターン転写が可能
となる利点がある。
電子、イオン、高温ガス、電極構成物質等が、Ｘ線取シ
出し窓に到達する量が減少するので、Ｘ線照射によシＸ
ｒＦ４取シ出し窓が破損されることもなく、またｘ４透
過率も減少することもなくなるので、プラズマＸ線源を
Ｘ線源とするＸ線露光装置で安定なパターン転写が可能
となる利点がある。
さらに、本発明を用いることによシ、Ｘ′ｍ回折等の分
析用Ｘ線源としてプラズマＸ線源を使用することも可能
となフ得る。
析用Ｘ線源としてプラズマＸ線源を使用することも可能
となフ得る。
第１図は従来のプラズマＸｉ源を用いたＸ ｌｄ露光装
置の断面図、第２図は本発明の一実施４／１１を示す断
面図である。 ノ・・・プラズマＸ線源、２・・・Ｘ線取ち出し、窓、
３・・・Ｘ線マスク、４・・・ウェハ、５・２・容器、
６・・・接地電極、７・・・Ｘ線通過孔、８・・・尋〜
′性網、９・・・Ｘ線通過域の境界線。 出願人代理人 弁理土鈴圧式 彦 第１図 第２図 １９５
置の断面図、第２図は本発明の一実施４／１１を示す断
面図である。 ノ・・・プラズマＸ線源、２・・・Ｘ線取ち出し、窓、
３・・・Ｘ線マスク、４・・・ウェハ、５・２・容器、
６・・・接地電極、７・・・Ｘ線通過孔、８・・・尋〜
′性網、９・・・Ｘ線通過域の境界線。 出願人代理人 弁理土鈴圧式 彦 第１図 第２図 １９５
Claims (1)
- 薄い金属性膜のＸ線取シ出し窓を有する真空容器と、こ
の真空容器内に設けられ１対の電極間に大電流を流して
生成するプラズマによシＸ線を発生するプラズマＸ線源
と、このプラズマＸ線源と前記Ｘ線取力出し窓の間に設
けられた導電性の網を張ったＸ線通過孔を有する接地電
極とを具備することを特徴とするＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58038014A JPS59163741A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58038014A JPS59163741A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | Ｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59163741A true JPS59163741A (ja) | 1984-09-14 |
Family
ID=12513715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58038014A Pending JPS59163741A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59163741A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02109299A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ励起型ｘ線の発生装置 |
| JPH0584081U (ja) * | 1993-04-15 | 1993-11-12 | 古河電気工業株式会社 | 車両のステアリング機構用信号伝送装置 |
| WO2004081998A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-23 | Nikon Corporation | Ｘ線発生装置及びｅｕｖ露光装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49122993A (ja) * | 1973-03-14 | 1974-11-25 | ||
| JPS57191949A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Hitachi Ltd | Rotary anode x-ray tube |
-
1983
- 1983-03-08 JP JP58038014A patent/JPS59163741A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49122993A (ja) * | 1973-03-14 | 1974-11-25 | ||
| JPS57191949A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Hitachi Ltd | Rotary anode x-ray tube |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH02109299A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ励起型ｘ線の発生装置 |
| JPH0584081U (ja) * | 1993-04-15 | 1993-11-12 | 古河電気工業株式会社 | 車両のステアリング機構用信号伝送装置 |
| WO2004081998A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-23 | Nikon Corporation | Ｘ線発生装置及びｅｕｖ露光装置 |
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