JPS58116731A - Ｘ線照射方法 - Google Patents
Ｘ線照射方法Info
- Publication number
- JPS58116731A JPS58116731A JP56213113A JP21311381A JPS58116731A JP S58116731 A JPS58116731 A JP S58116731A JP 56213113 A JP56213113 A JP 56213113A JP 21311381 A JP21311381 A JP 21311381A JP S58116731 A JPS58116731 A JP S58116731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soft
- plasma
- ray
- generated
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線照射方法に関する。
業績回路の製作工程における電気回路、部品の微細加工
には、普通、紫外線による写真製版法が用いられ、業績
回路発明以来、製版工程でのマスクパターンの半導体基
板上への転写において、パターンの微細化の努力が続け
られている。
には、普通、紫外線による写真製版法が用いられ、業績
回路発明以来、製版工程でのマスクパターンの半導体基
板上への転写において、パターンの微細化の努力が続け
られている。
近年、パターンを構成する線巾が１ｐＷＬ未滴の回路、
部品の転写が求められるようＫなり、紫外線ランプの改
良研究と並行して、電子線、Ｘｌｌ５Ｋよる転写法も開
発されるに到った。
部品の転写が求められるようＫなり、紫外線ランプの改
良研究と並行して、電子線、Ｘｌｌ５Ｋよる転写法も開
発されるに到った。
この内、Ｘ線による転写は、波長が極めて短かいので回
折現象による解像度低下が殆んどなく、また、埃に対す
る透過率が高く、シたがって、基板上の埃による影の発
生が少ないので転写パターンの欠陥の発生が少ない長所
を有するとされ、近年％に注目されている。しかしなが
ら、当初のＸ線源は、昔から用いられて来た、電子線を
固体電極表面に衝突させるＸ線発生装置を改良、発展さ
せたもので、投入エネルギーに対してマスクに到達する
有効Ｘ線エネルギーの比率は極めて低い。
折現象による解像度低下が殆んどなく、また、埃に対す
る透過率が高く、シたがって、基板上の埃による影の発
生が少ないので転写パターンの欠陥の発生が少ない長所
を有するとされ、近年％に注目されている。しかしなが
ら、当初のＸ線源は、昔から用いられて来た、電子線を
固体電極表面に衝突させるＸ線発生装置を改良、発展さ
せたもので、投入エネルギーに対してマスクに到達する
有効Ｘ線エネルギーの比率は極めて低い。
他方、感光材料の波長感度特性、転写時のコントラスト
等を考慮して使用Ｘ線波長域は、４〜１５Ｘが良いとさ
れているので、転写に必要な量のＸ線エネルギーを上記
従来方式のＸ線発生装置で得ようとすると、極めて大き
なエネルギーの電子線を固体電極に衝突させる必要があ
り、その結果として電極の寿命が非常に短い。このため
、真空放電や気体放電、もしくは固体表面へのレーザー
照射等によってプラズマをＩ Ｘ １０−’秒以下で短
時間発生させ−それによシ発生する高速電子の制動放射
または炭素、アルミニウムなどの比較的軽い元素の高電
荷イオンの再結合時の特性Ｘ線を用いる方式のＸ線発生
装置を利用することも提案されている。このプラズマ方
式は、電気エネルギーの軟Ｘ線（１−１５Ｘ）への転換
効率は、前記固体電極方式に比べ１０”〜ｌｄ倍高いが
、Ｘ線取出し窓もしくはマスクへのスパッタリング現象
による汚れがひどく、極めて不便な欠点を有する。
等を考慮して使用Ｘ線波長域は、４〜１５Ｘが良いとさ
れているので、転写に必要な量のＸ線エネルギーを上記
従来方式のＸ線発生装置で得ようとすると、極めて大き
なエネルギーの電子線を固体電極に衝突させる必要があ
り、その結果として電極の寿命が非常に短い。このため
、真空放電や気体放電、もしくは固体表面へのレーザー
照射等によってプラズマをＩ Ｘ １０−’秒以下で短
時間発生させ−それによシ発生する高速電子の制動放射
または炭素、アルミニウムなどの比較的軽い元素の高電
荷イオンの再結合時の特性Ｘ線を用いる方式のＸ線発生
装置を利用することも提案されている。このプラズマ方
式は、電気エネルギーの軟Ｘ線（１−１５Ｘ）への転換
効率は、前記固体電極方式に比べ１０”〜ｌｄ倍高いが
、Ｘ線取出し窓もしくはマスクへのスパッタリング現象
による汚れがひどく、極めて不便な欠点を有する。
本発明は、以上記述の諸事情に鑑みなされ九ものであっ
て、その目的は、微細パターンの転写に適した、プラズ
マ方式のＸ線照射方法を提供することＫあシ、その特徴
とするところは、真空放電や気体放電、もしくは固体表
面へのレーザー照射等によってプラズマを生成する工程
、および該プラズマから生ずる軟Ｘ線を、軟ＸＩＩを透
過する可動飛散物捕獲膜を通して被照射物へ照工 射するｔ程を含む、 ことにある。
て、その目的は、微細パターンの転写に適した、プラズ
マ方式のＸ線照射方法を提供することＫあシ、その特徴
とするところは、真空放電や気体放電、もしくは固体表
面へのレーザー照射等によってプラズマを生成する工程
、および該プラズマから生ずる軟Ｘ線を、軟ＸＩＩを透
過する可動飛散物捕獲膜を通して被照射物へ照工 射するｔ程を含む、 ことにある。
以下、実施例のいくつかを、図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図において、１はステンレス製の気密容器、２は、
放電ガスもしくは放電起動用ガス等を充填するための送
入路、３は、気密容器の気密をブレイクする時や排気Ｉ
ＩＩＩＫ使用する排気路、４は、圧力メータ、であり、
前記気密容器内にプラズマを形成する一例を示すと、そ
の中心には放電路９を、両 ２端にグラファイト電極７．８を具え九、例えばポリエ
チレンから形成された絶縁体６の近傍に１トリガー電極
５を配置し、電源ｌＯで閃光放電を起す。すなわち、ス
イッチＳＷ１を閉成し、放電用コンデンサＣＩ、トリガ
ー用コンデンサＣ１への充電を行い、スイッチＳＷ、を
閉成して、クラファイト電極７．８間に閃光放電を生じ
せしめると、軟Ｘ線（矢印１１）は、放電路９内のプラ
ズマから、軟Ｘ線取出し窓１２に指向されて発生する。
放電ガスもしくは放電起動用ガス等を充填するための送
入路、３は、気密容器の気密をブレイクする時や排気Ｉ
ＩＩＩＫ使用する排気路、４は、圧力メータ、であり、
前記気密容器内にプラズマを形成する一例を示すと、そ
の中心には放電路９を、両 ２端にグラファイト電極７．８を具え九、例えばポリエ
チレンから形成された絶縁体６の近傍に１トリガー電極
５を配置し、電源ｌＯで閃光放電を起す。すなわち、ス
イッチＳＷ１を閉成し、放電用コンデンサＣＩ、トリガ
ー用コンデンサＣ１への充電を行い、スイッチＳＷ、を
閉成して、クラファイト電極７．８間に閃光放電を生じ
せしめると、軟Ｘ線（矢印１１）は、放電路９内のプラ
ズマから、軟Ｘ線取出し窓１２に指向されて発生する。
この場合、気密容器内は、ｌＸ１０−−Ｈ１１程度のア
ルゴンが充填されており、上記閃光放電を繰シ返すと、
スパッタリング現象で、軟Ｘ線取出し窓１２が汚染され
てくるので、該膜１２をお＼うように、可動飛散物捕獲
膜１３を配置しておく。
ルゴンが充填されており、上記閃光放電を繰シ返すと、
スパッタリング現象で、軟Ｘ線取出し窓１２が汚染され
てくるので、該膜１２をお＼うように、可動飛散物捕獲
膜１３を配置しておく。
第２図は、鉄膜１３（図示せず）を収納するケースの説
明図であって、丁度、アマチ為アカメラマンの使用する
フィルム収納管と同じようなもので、間隙ｔは、鉄膜１
３の走行する空所、１４ａ、１４＆は透孔であ）、透孔
１４８．１４＆の中心と軟Ｘ線取出し窓１２の中心を一
致させて、このケースを、軟Ｘ線取出し窓１２をお＼う
ようにその近傍へ脱着自在に取り付け、気密容器外から
、回動ネジ１５を操作して、除膜１３の汚染程度に応じ
て、鉄膜１３を回動移動させ、汚染のない新しい鉄膜１
３で軟Ｘ線取出し窓１２をお＼う。ケースの取シ付は構
造、気密容器外からの回動ネジを操作する方法、構造に
は従来設計技術で種々設計できる。材質としては、除膜
１３は、厚さ４μｍのポリイミドフィルム、取出し窓１
２は、厚さ１０２ｍのベリリウムシートが利用テキ、透
孔１４α、１４＆を通して、鉄膜１３、軟Ｘ＃取出し窓
１２を透過し九軟Ｘ線は、気密容器ｌの外へ放射され、
気密容器ｌに連結したウェハー室１６内のマスクと半導
体ウェハー（図示せず）を照射する。ウェハー室１６に
は数ｗｘＨＩ 以上のヘリウムガスが充填されること
もあシ、軟Ｘ線取出し窓１２の内外の圧力差が小さい場
合は、該膜１２の材質もポリイミドフィルムでも良い。
明図であって、丁度、アマチ為アカメラマンの使用する
フィルム収納管と同じようなもので、間隙ｔは、鉄膜１
３の走行する空所、１４ａ、１４＆は透孔であ）、透孔
１４８．１４＆の中心と軟Ｘ線取出し窓１２の中心を一
致させて、このケースを、軟Ｘ線取出し窓１２をお＼う
ようにその近傍へ脱着自在に取り付け、気密容器外から
、回動ネジ１５を操作して、除膜１３の汚染程度に応じ
て、鉄膜１３を回動移動させ、汚染のない新しい鉄膜１
３で軟Ｘ線取出し窓１２をお＼う。ケースの取シ付は構
造、気密容器外からの回動ネジを操作する方法、構造に
は従来設計技術で種々設計できる。材質としては、除膜
１３は、厚さ４μｍのポリイミドフィルム、取出し窓１
２は、厚さ１０２ｍのベリリウムシートが利用テキ、透
孔１４α、１４＆を通して、鉄膜１３、軟Ｘ＃取出し窓
１２を透過し九軟Ｘ線は、気密容器ｌの外へ放射され、
気密容器ｌに連結したウェハー室１６内のマスクと半導
体ウェハー（図示せず）を照射する。ウェハー室１６に
は数ｗｘＨＩ 以上のヘリウムガスが充填されること
もあシ、軟Ｘ線取出し窓１２の内外の圧力差が小さい場
合は、該膜１２の材質もポリイミドフィルムでも良い。
九譬し、いづれも軟Ｘ線を良く透過する材質が選ばれ、
他の例を挙げればアルミニウム箔、ポリエステル等があ
り、軟Ｘ線取出し窓１２をお＼う除膜１３は、汚染の程
度に応じて移動させ、汚染のない部分が露出して来て、
常に新しい鉄膜１３で鋏窓１２をお＼う。
他の例を挙げればアルミニウム箔、ポリエステル等があ
り、軟Ｘ線取出し窓１２をお＼う除膜１３は、汚染の程
度に応じて移動させ、汚染のない部分が露出して来て、
常に新しい鉄膜１３で鋏窓１２をお＼う。
上記実施例は、気密容器ｌが、軟Ｘ線透過趨を具え九、
プラズマの存在する空間と被照射物の存在する空間、例
えばマスクやウェハーの存在する空間とを区画する画壁
であり、可動飛散物捕獲膜を、鼓膜のプラズマ側をお＼
うごとく配置したものである。
プラズマの存在する空間と被照射物の存在する空間、例
えばマスクやウェハーの存在する空間とを区画する画壁
であり、可動飛散物捕獲膜を、鼓膜のプラズマ側をお＼
うごとく配置したものである。
他の実施例を第３図、第４図を参照しながら説明すると
、プラズマの存在する空間と被照射物の存在する空間と
を区画する画壁を形成する気密容器ｌに透孔１８を設け
、その部分を、摺動可能に保持され九飛散物捕獲膜、つ
まシ可動飛散物捕獲膜１３でお＼う。１７は、鼓膜の保
持部材であって、鼓膜１３は、一対の角状のパツキン１
９によって挟持され、ネジ２０等の締め付は力を調節し
て、気密性を保ちなから摺動できるようにする。この実
施例では、プラズマの存在する空間と被照射物の存在す
る空間とを区画する画壁の一部を可動飛散物捕獲膜で形
成したものである。
、プラズマの存在する空間と被照射物の存在する空間と
を区画する画壁を形成する気密容器ｌに透孔１８を設け
、その部分を、摺動可能に保持され九飛散物捕獲膜、つ
まシ可動飛散物捕獲膜１３でお＼う。１７は、鼓膜の保
持部材であって、鼓膜１３は、一対の角状のパツキン１
９によって挟持され、ネジ２０等の締め付は力を調節し
て、気密性を保ちなから摺動できるようにする。この実
施例では、プラズマの存在する空間と被照射物の存在す
る空間とを区画する画壁の一部を可動飛散物捕獲膜で形
成したものである。
更に他の実施例について述べるならば、気密容器１内に
１マスクとウェハーを配置してプラズマウニ・・−の直
前に、それらをお＼うようＫして、例えば、菖２図例示
の鼓膜を収納したケースを配置しても良いし、或は第３
〜４図例示の鼓膜を保持した保持部材を配置しても良い
。
１マスクとウェハーを配置してプラズマウニ・・−の直
前に、それらをお＼うようＫして、例えば、菖２図例示
の鼓膜を収納したケースを配置しても良いし、或は第３
〜４図例示の鼓膜を保持した保持部材を配置しても良い
。
以上のいづれの実施例においても、飛散物捕獲膜を、摺
動式、巻取り式環可動な状態で保持した可動飛散物捕獲
膜としているので、汚染の＠度に応じて鼓膜を移動し、
常に新しい区域が、窓やマスク、ウェハーをお＼うよう
Ｋできる。したがって、マスクやウェハーに到達する軟
Ｘ線の強度を一定に保てるので、プラズマ方式のＸ線照
射方法の長所を保持したうえで微細パターンの転写に適
したＸ線照射方法が提供できる。
動式、巻取り式環可動な状態で保持した可動飛散物捕獲
膜としているので、汚染の＠度に応じて鼓膜を移動し、
常に新しい区域が、窓やマスク、ウェハーをお＼うよう
Ｋできる。したがって、マスクやウェハーに到達する軟
Ｘ線の強度を一定に保てるので、プラズマ方式のＸ線照
射方法の長所を保持したうえで微細パターンの転写に適
したＸ線照射方法が提供できる。
飛散物捕獲膜は、前記の通り、プラズマ生成時のスパッ
タリング物質を捕獲し、したがって汚染されて軟Ｘ＠の
透過率が落ちてくるが、この様子＼ は、プラズマ生成回数と鼓膜の重量増加率の関係を調べ
ても比較的簡ＪＩＬＫ検査することができる。
タリング物質を捕獲し、したがって汚染されて軟Ｘ＠の
透過率が落ちてくるが、この様子＼ は、プラズマ生成回数と鼓膜の重量増加率の関係を調べ
ても比較的簡ＪＩＬＫ検査することができる。
例えば、第１図例示のプラズマ生成の場合、トリガー電
圧７０ＫＶでの生成回数と、厚さ４μｍ、 ２Ｘ２５１
角のポリイミドフィルムの重量増加率の関係を実測して
みると、１００〜２００回程度で１〜４Ｎの重量増があ
り、回数の増加に応じて、重量も増加する。し九がって
、軟Ｘ線の透過も悪くなり、微細パターンの転写と言う
用途を考慮すると、上記場合、２５０回程度で鼓膜を移
動し、新しい部分の膜で窓やマスク等をお−いなおして
やると良い。
圧７０ＫＶでの生成回数と、厚さ４μｍ、 ２Ｘ２５１
角のポリイミドフィルムの重量増加率の関係を実測して
みると、１００〜２００回程度で１〜４Ｎの重量増があ
り、回数の増加に応じて、重量も増加する。し九がって
、軟Ｘ線の透過も悪くなり、微細パターンの転写と言う
用途を考慮すると、上記場合、２５０回程度で鼓膜を移
動し、新しい部分の膜で窓やマスク等をお−いなおして
やると良い。
本発明は、以上のいくつかの実施例の説明からも理解で
きるように、真空放電や気体放電、もしくは固体表面へ
のレーザー照射等によって生成したプラズマから軟Ｘ線
を取抄出し、その軟Ｘ線で微細パターンの転写を集村し
ようとする場合、スパッタリング現象によって、窓やマ
スクが汚れ、被照射物において軟Ｘ線の到達強度低下が
みられるところ、可動飛散物捕獲膜を、窓やマスク等を
お＼う如く配置して、それを通して、軟Ｘ線で被照射物
を照射し、汚染の１１度に応じて移動できるようＫして
いるので、例えばウエノ１−上での軟Ｘ線到達強度低下
の防止に役立つ。
きるように、真空放電や気体放電、もしくは固体表面へ
のレーザー照射等によって生成したプラズマから軟Ｘ線
を取抄出し、その軟Ｘ線で微細パターンの転写を集村し
ようとする場合、スパッタリング現象によって、窓やマ
スクが汚れ、被照射物において軟Ｘ線の到達強度低下が
みられるところ、可動飛散物捕獲膜を、窓やマスク等を
お＼う如く配置して、それを通して、軟Ｘ線で被照射物
を照射し、汚染の１１度に応じて移動できるようＫして
いるので、例えばウエノ１−上での軟Ｘ線到達強度低下
の防止に役立つ。
散物捕獲膜、１５はケース、１７は保持部材を夫々示す
。 特許出願人 寥 １ 潟 稟 ３ 図 蓼 牛 図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５６年特許願第２１３１１３号 ２発明の名称 Ｘ線照射方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 朝日東海ピル１９階 ４、補正によって増加する発明の数 なし５、補正命
令の日付 昭和５７年４月９日（発送日 昭和５７
年４月２７日） 廖 ２ 図
。 特許出願人 寥 １ 潟 稟 ３ 図 蓼 牛 図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５６年特許願第２１３１１３号 ２発明の名称 Ｘ線照射方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 朝日東海ピル１９階 ４、補正によって増加する発明の数 なし５、補正命
令の日付 昭和５７年４月９日（発送日 昭和５７
年４月２７日） 廖 ２ 図
Claims (4)
- （１） 真空放電や気体放電、もしくは固体表面への
レーザー照射等によってプラズマを生成する工程、およ
び該プラズマから生ずる軟Ｘ線を、軟Ｘ線を透過する可
動飛散物捕獲膜を通して被照射物へ照射する工程を含む
、Ｘｌｌ５照射方法。 - （２） 可動飛散物捕獲膜を、被照射物をお＼うごと
く配置した第１項記載のＸ線照射方法。 - （３） プラズマの存在する空間と被照射物の存在す
る空間とを区画する画壁の一部を可動飛散物捕獲膜で形
成した第１項記載のＸ線照射方法。 - （４）軟Ｘ線透過窓を具えた、プラズマの存在する空間
と被照射物の存在する空間とを区画する画壁を設けて、
可動飛散物捕獲膜を、該窓のプラズマ側をお＼うどとく
配置した第１項禿載のＸ線照射方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213113A JPS58116731A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | Ｘ線照射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213113A JPS58116731A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | Ｘ線照射方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116731A true JPS58116731A (ja) | 1983-07-12 |
Family
ID=16633790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56213113A Pending JPS58116731A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | Ｘ線照射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116731A (ja) |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP56213113A patent/JPS58116731A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4184078A (en) | Pulsed X-ray lithography | |
| JP4320999B2 (ja) | Ｘ線発生装置及び露光装置 | |
| Kato et al. | Generation of soft x rays using a rare gas‐hydrogen plasma focus and its application to x‐ray lithography | |
| EP0182477A2 (en) | Filter apparatus for use with an x-ray source | |
| US7394083B2 (en) | Systems and methods for EUV light source metrology | |
| JP2002006096A (ja) | 電磁波発生装置、これを用いた半導体製造装置並びに半導体デバイスの製造方法 | |
| Turcu et al. | Picosecond excimer laser-plasma x-ray source for microscopy, biochemistry, and lithography | |
| CN102939567B (zh) | 光学系统 | |
| Brandt et al. | LPP EUV source development for HVM | |
| JP2004053298A (ja) | エアロゾル粒子荷電装置 | |
| WO2006135021A1 (ja) | 荷電粒子線装置および荷電粒子線像生成方法 | |
| JPS58116731A (ja) | Ｘ線照射方法 | |
| JP2007305908A (ja) | 極端紫外光光源装置 | |
| USRE33992E (en) | Pulsed X-ray lithography | |
| KR920004961B1 (ko) | 초미세형상용 연 x선 발생장치 | |
| EP0093970B1 (en) | Soft x-ray generator | |
| Hussain et al. | Low energy plasma focus as an intense X-ray source for radiography | |
| JP2000188198A (ja) | レ―ザ―プラズマｘ線源装置 | |
| JPS59163741A (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| JPH01265443A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| Kalantar et al. | Intense pulsed plasma x‐ray source for lithography | |
| RU194199U1 (ru) | Рентгеновский источник для литографии | |
| WO2023188484A1 (ja) | 光源装置 | |
| JP6036785B2 (ja) | ホイルトラップ及びマスク検査用極端紫外光光源装置 | |
| JPS60225426A (ja) | プラズマｘ線露光装置 |