JP2005503657A - 光学系をデブリ粒子から保護するガスカーテンを具えた放電源 - Google Patents

Abstract

ガスカーテン装置を用いて、放電プラズマソースのような極紫外線及び軟Ｘ線放射放電ソースにより発生されるデブリを偏向させる。ガスカーテン装置はガス流を放射のパスを横切って噴射してデブリ粒子を放射パスの方向から異なる方向へ偏向させる。ガスカーテンはフォトリソグラフィに使用される光学系上へのデブリの堆積を阻止する。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に極紫外線の発生及びプロジェクションリソグラフィ用軟Ｘ線に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
超大規模集積（“ＶＬＳＩ”）に対する技術の現状は０．２５μｍの設計ルールに従って作成された回路を有するチップにある。更なる小型化のための努力が、現在使用されている紫外（ＵＶ）描画放射の解像力をもっと完全に利用することに向けられている。“ディープＵＶ”（λ＝０．３μｍ〜０．１μｍの波長範囲）は、フェーズマスキング、オフアクシス照明、及びステップアンドレピートなどの技術とともに、０．１８μｍ又はそれより僅かに小さい設計ルール（最小特徴部又はスペースの寸法）を可能にし得る。
【０００３】
もっと小さい設計ルールを達成するためには、波長関連解像度限界を避けるために異なる形態の描画放射が必要とされる。一つの研究は電子又は他の荷電粒子放射を用いるものである。この目的のための電磁放射はＸ線波長を必要とする。種々のＸ線放射源が考察されている。１つのＸ線源（電子蓄積リングシンクロトロン）が長年使用され、開発の先端にある。シンクロトロンは極めて安定な規定されたＸ線源を提供するため、特にリソグラフィ用のＸ線源を保証するものであるが、シンクロトロンは大形で構築に費用がかかる。シンクロトロンは幾つかのステッパを実行するときのみ費用有効となる。
【０００４】
他の放射源は、５００〜１０００ワットのパワーを５０μｍ〜５０μｍのスポットに放射して、ソース材料を例えば２５０，０００℃に加熱して得られたプラズマからＸ線放射を放射するハイパワーパルスレーザ（例えばイットリウムアルミニウムガーネット「ＹＩＧ」レーザ）又はエキシマレーザによるレーザプラズマ源（ＬＰＳ）である。ＬＰＳはコンパクトで、単一生産ライン専用にすることができる（このため、ＬＰＳの故障がプラント全体の閉鎖を生ずることはない）。プラズマはハイパワーパルスレーザを金属表面上又はガスジェット内に集束させることにより生成される（Ｋｕｂｌａｋ他の米国特許第５，５７７，０９２号明細書参照）。
【０００５】
放電プラズマ源がフォトリソグラフィ用に提案されている。キャピラリ放電源は、シンクロトンやＬＰＳより設計を簡単化でき且つ費用有効性が高いという潜在的な利点を有する。Ｋｌｏｓｎｅｒ他の論文“Ｉｎｔｅｎｓｅ ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｓｏｕｒｃｅ ａｔ １３．５ ｎｍ ｆｏｒ ｅｘｔｒｅｍｅ−ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”，「Ｏｐｔｉｃａｌ Ｌｅｔｔｅｒｓ ２２, ３４ (１９９７)」は、水素化リチウム（ＬｉＨ）キャピラリ内に生成される二重イオン化リチウムを放射種とする高輝度リチウム放電プラズマ源を報告している。この放射源は、水素化リチウムイオンの２−１遷移により１３．５ｎｍの狭帯域ＥＵＶ放出を生じた。しかし、この放射源はＬｉＨキャピラリの破壊のために寿命が短い(約２５−５０ショット)欠点があった。
【０００６】
他の放射源はＳｉｌｆｖａｓｔの米国特許第５，４９９，２８２号明細書に記載されたパルスキャピラリ放電源であり、この放電源はレーザプラズマ源より遥かに安価で有効である。しかし、この放電源はキャピラリボアや電極から浸食されたデブリも排出する。キャピラリボア浸食を緩和するようパルスキャピラリ放電ランプの動作状態をカバーする改良型のキャピラリ放電源が米国特許第６，０３１，２４１号明細書に記載されている。
【０００７】
デブリの発生はフォトリソグラフィにおける放射源の成功開発に対する最も重大な障害の一つである。デブリ粒子は短い強電気エネルギーパルスにより電極の表面から（キャピラリ放電源の場合にはキャピラリの表面からも）追い出される。これらの粒子は一般に小さく（１ミクロン以下）、極めて大きな速度（１００ｍ/ｓ以上）を有する。
【発明の開示】
【０００８】
本発明は、多層膜光学系をＥＵＶ放電源により発生されるデブリによる損傷から保護するためにガスカーテンを使用し得るという認識に部分的に基づくものである。ガスカーテン、例えば超音速ガスジェットはＥＵＶ源により発生されるデブリの十分な量を、ガスカーテンによるＥＵＶの透過の低減を生ずることなく、偏向させることが予測される。更に、ＥＵＶ源が動作する真空環境（例えば真空チャンバ）からガスを効率的に除去することにより、チャンバ内の圧力をＥＵＶ透過率の減衰を阻止する許容低レベルに維持することができる。
【０００９】
本発明は、一実施例では、極紫外線及び軟Ｘ線放射を発生する装置であって、
放射ビームをパスに沿って発生するとともにデブリを発生するＥＵＶ放電源と、
ガス流を前記放射のパスを横切って噴射して前記デブリを放射パスの方向から異なる方向へ偏向させるガスカーテン手段とを具えることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明のガスカーテンはデブリを放出するＥＵＶ源と一緒に使用することができる。「ＥＵＶ源」は、例えばレーザプラズマ源やキャピラリ放電源などのＥＵＶや軟Ｘ線放射ビームを発生する任意の装置を意味する。本発明は、キャピラリ放電源と関連して説明するが、任意のＥＵＶ源に使用し得ること勿論である。
【００１１】
図１はキャピラリ放電源１０の断面図であり、この放電源は、好ましくは、中心軸線にキャピラリボア１４を有する絶縁円板１２を備える。円板１２は円板１２の前面及び後面にそれぞれ近接する２つの電極２０及び３０の間に装着される。円板１２は代表的にはセラミック材料からなり、好ましくは、窒化ボロン、特に熱分解窒化ボロン、圧縮アニール処理した熱分解窒化ボロン又は立方窒化ボロンからなるものが好ましい。これらの材料は市販されている。（セラミックとしては）比較的高い熱伝導性を有する窒化ボロンはその並外れた耐浸食性のために放電源に使用するのに特に好適である。
【００１２】
前電極２０は代表的には接地され、キャピラリボア１４の中心と整列する中心を有する開口２２を有する。後電極３０は入口と出口を有する流路３２を有する。出口は円板１２の後面側でキャピラリボアに接続し、入口はガス源７０に接続する。後電極３０は電圧源６０にも接続し、電圧源６０は電気パルスを発生するためのスイッチ機構６２を含んでいる。熱の除去を促進するために、前及び後電極及びキャピラリは熱伝導性の筐体５０内に収納し、筐体５０を、冷却材，例えば水が循環するコイル５２で囲むことができる。前及び後電極は任意の導電性で耐浸食性の材料、例えばステンレススチールのような耐熱金属からなる。
【００１３】
キャピラリ放電源１０は低圧ガス内でパルス放電を用いてキャピラリボア領域内に閉じ込められたプラズマを励起する。高電圧、高電流パルスを用いて放電を開始させ、ＥＵＶ領域での放射を放出するプラズマ、例えば２−５０ｅＶプラズマ、を生成する。ガス源７０は、イオン化されて所望の波長の放射を生起するプラズマを生成する任意の適切な反応性ガスを含む。極紫外放射及び軟Ｘ線を発生するためには、キセノンが好ましい。
【００１４】
動作中、前電極の開口は真空チャンバを限界する筐体に接続する。キャピラリボア内にプラズマを生成するに十分な放電をキャピラリボア内に生じさせると、極紫外放射及び軟Ｘ線放射を代表的には約１×１０^−３ｔｏｒｒ以下の圧力に維持された真空チャンバ内へ発生する。代表的には、この放電は２０−５０ｅＶプラズマを生成する。この放電は、例えば約０．５〜４μ秒の放電速度を示すパルス放電として発生させることができる。図１のキャピラリ放電源は極紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）に使用することができる。ＥＵＶＬは、背景ガスがＥＵＶを吸収するために真空チャンバに連通される。ＥＵＶＬシステムは真空チャンバ内に配置された光学系（例えばミラー）も含み、これらの光学系が放電により生成されるデブリにより汚損を受ける。
【００１５】
本発明では、ガスカーテンを用いて光学系をこのようなデブリから保護する。特に、高速ガスジェットを用いて粒子を光学系から偏向させる。ガスカーテンは粒子を停止させる必要はなく、粒子が光学系にヒットしないようにそれらの運動方向を変化させる必要があるだけである。ＥＵＶＬシステムの真空環境はガスカーテンの拡散を生じ、その有効性を低減する。この拡散は発散ノズル内でガスを膨張させることにより部分的に相殺して超音速有向フローを形成することができる。ガスジェットの拡散はノズルの流出口におけるマッハ数の増大につれて減少する。
【００１６】
ＥＵＶＬに対しガスカーテンを使用すると、ＥＵＶ吸収の増大を生ずる。ガスにより吸収されるＥＵＶの吸収分ｆ_ａは式１により表される。
ｆ_ａ＝１−ｅｘｐ（−ｎμ_ａｓ） （１）
この式から明らかなように、ＥＵＶ吸収は、ガスナンバー密度ｎ（ガス圧力とともに増大する）、吸収断面積μ_ａ及びＥＵＶパス長ｓとともに増大する。ＥＵＶパス長は光学的設計により決まり、ここでは２メートルであるものと仮定する。吸収断面積はほぼ化学種により決まる。その他は同等とすれば、アルゴンよりもヘリウムを用いるのが有利である。いずれにしても、ＥＵＶパス長は大きいので、真空チャンバ内の圧力はガス種に依存する低い値に維持する必要がある。ヘリウムやアルゴン以外に好適な他のガスは、例えば水素、酸素及びその混合物である。ガス出口から噴射するガスの速度はマッハ４より大きい超音速速度、特にマッハ１０とするのが好ましい。実際の速度は約１０００ｍ/ｓ〜２０００ｍ/ｓの範囲とすることができる。
【００１７】
ガスカーテンを含む真空チャンバ内に低圧力を維持するために、複数の方法の組合せを使用することができる。第１に、カーテンガスの流量を、粒子を適度に偏向する最小値にセットすることができる。第２に、追加の真空ポンプを真空チャンバに設置することができる。第３に、カーテンガスをそれがまだ比較的高い圧力にある間に捕捉して捕捉したガスを効率的にチャンバ外に排出可能とするディフューザを用いることができる。
【００１８】
図２は簡単なガスカーテン設計例のスケッチを示す。ガス（例えばヘリウム又はアルゴン）は高圧源（図示せず）からノズル２１０に流入し、ここで超音速速度に膨張する。次いでガス２２０はノズル２１０を出て放電源の電極２３０及び生成された不所望粒子の束の前方を横方向に流れる。このガスの一部分２４０はディフューザ２６０に入り、真空ポンプ(図示せず)により排出される。ディフューザはガスカーテンとともに使用される任意のガス収集装置である。代表的には、ディフューザはガス流に対面する開口を有する。ガスの残部２５０はチャンバ内へ流れ、別の真空ポンプにより排出される。粒子がその発生点からＥＵＶ集光光学系（図示せず）に向って移動するとき、超音速ガス流領域に進入する。この粒子はガスカーテンによりパス２８０から偏向され、光学系から離れる軌道２９０で移動して無妨害となる。
【００１９】
理論
以下の検討はガスカーテンの理論的根拠に関する。特許請求の範囲の発明の範囲は理論により限定されない。実際上、ガスカーテンの流量は粒子を偏向するのに十分な大きさにする必要があるが、大きなチャンバ圧力を生じるほど大きくしてはならない。ガスカーテン設計パラメータがここに記載する粒子偏向及びガス流量に及ぼす影響は、ガスの膨張が等エントロピー（無粘性及び断熱的）である簡単な気体力学理論に基づいて定性的に説明することができる。この理論は実験から得られた結果や粘性の影響や熱伝導を考慮したより詳細な計算により得られた結果を説明する助けとなる。
【００２０】
小さいガス流量の使用は多数の真空ポンプを使用することなく低いチャンバ圧力を維持する助けになる。式２は、ノズルの流量を真空ポンプの性能を記述するのしばしば使用されるスループット（押出量）Ｑ（ガス種と無関係）の形で表し、この流量は体積流量とガス圧力の積で与えられる。式２は、ガス源圧力Ｐ_０（即ちよどみ圧（stagnation pressure））、ノズルスロート面積Ａ_thを減少させることにより、且つ大きな分子量Ｗを有するガス（例えばヘリウムではなくアルゴン）を使用することによりＱを減少させることができることを示している。後者の効果はガスの速度とＷとの間の逆比例関係、即ちＷを増大するにつれてガス速度（従って押出量）が減少するためである。Ｐ_０を減少させても依然としてノズル内にガスの超音速膨張を得るには制限があり、これは慣性力が粘性力より優勢となる流れ(即ち大きなレイノルズ数の流れ)が必要であるためである。式２において、ヘリウムとアルゴンの両方を含む単原子ガスに対する比熱の比γは５/３の値を有する。Ｒは普遍ガス定数である。

【００２１】
ガスカーテンは抵抗力（drag force）の作用により粒子を偏向する。粒子を偏向するのに必要とされる抵抗力は粒子質量及び粒子速度の増大とともに増大する。粒子への抵抗力は、代表的には抵抗係数（drag coefficient）で、F_Ｄ＝Ｃ_ＤＡ_ＣρＶ_r ²/２として表される。ここで、F_Ｄは抵抗力、Ｃ_Ｄは抵抗係数、Ａ_Ｃは粒子の断面積（球形粒子の場合A_Ｃ＝πｒ^２）、ρは局部ガス密度及びＶ_rは粒子とガスの相対速度である。考察中のガスカーテンの条件は高いマッハ数と大きなクヌーセン数（分子平均自由行程と粒子直径との比）を有するものとする。これらの条件の場合、Ｃ_Ｄは約２の一定値に近似する。また、ガス速度は代表的には粒子速度より大きいため、Ｖ_ｒはガス速度として近似することができる。この場合、抵抗力はガス運動量フラックスρＶ^２に比例し、式３により与えられる。式３において、Ｍaは局部ガスマッハ数である。他の全てが等しい場合、Ｍaはガス種に無関係である（即ち単原子ガスとする）。式３は、ガス運動量フラックスはＰ_０とともに増大し、ガス種（即ちＷ）と無関係であることを示す。

【００２２】
従って、粒子を偏向するのに必要とされる粒子抵抗力によりＰ_０の所要の値が決定される。所定の値のＰ_０に対して、ガス流量はアルゴンよりヘリウムの場合のほうが大きくなるため、アルゴンを選択すると、真空ポンプ要件を緩和する助けとなる。しかし、真空ポンプ要件を容易に満足させることができる場合には、吸収断面積が小さいヘリウムを選択すべきである。
【００２３】
実験の説明
図３はガスカーテン概念を試験するために使用した装置を示す。本装置は、キャピラリ放電装置３２０、ガスノズル３３０、ディフューザ３４０及びウィットネス板３５０を収納する真空チャンバ３１０を具えている。ノズル３３０は約１６の面積比を与える０．３０８ｍｍのスロート(入口)径と１．２ｍｍの出口径を有する円錐形にした。ディフューザ３４０はノズル出口から１インチ（２．５４ｃｍ）下流に配置するとともにノズルと同軸にした。ヘリウムとアルゴンの両方を使用した。ＡＬＣＡＴＥＬ ＡＤＳ５０１ルーツブロワポンプ３７０をディフューザ３４０に接続した。ＶＡＲＩＡＮ５５１ターボ分子ポンプ３６０をチャンバ３１０に直接接続した。試験後の検査のために多層膜を有する１インチ（２．５４ｃｍ）平方シリコンウエファをウィットネス板として使用して粒子を捕集した。圧力計をガスノズルへの入口、ディフューザ内、ルーツブロワへの入口及び真空チャンバ内を含む種々の位置に設置した。流量計を用いてノズルを流れる総流量を測定した。
【００２４】
ディフューザ効率の測定： ポンプ入口圧力の測定値をポンプ性能曲線と一緒に用いてディフューザ及び真空チャンバに入るガスの量を決定した。ディフューザ直径は０．９５〜１．９１ｃｍの範囲を考察した。１２７ｔｏｒｒ ｌ/ｓまでのヘリウム流量及び３８ｔｏｒｒ ｌ/ｓまでのアルゴン流量を用いた。
【００２５】
粒子偏向の測定： 粒子を偏向するガスカーテンの有効性を測定するために２つの試験を実行した。各試験において、キャピラリ放電装置の１００，０００パルスを用いて粒子を発生させ、各試験に対し清浄ウィットネス板を用いた。第１の試験では、ウィットネス板をガスカーテンの使用なしで放電源にさらした。第２の試験では、７６ｔｏｒｒ ｌ/ｓの流量のヘリウムガスカーテンを使用し、ディフューザは１．９１ｃｍの直径を有するものとした。
【００２６】
モデルの説明
ガス流の計算： Ｓａｎｄｉａ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ社により開発された汎用圧縮性流体メカニクスコードＳＡＣＡＲＲＡを用いてガス流場を計算した。このコードはナビエ−ストークス方程式の一般式を解くものであり、ガスは連続粘性流体と仮定する。これは、ここで考察する比較的高いガス源においてノズル及びディフューザ近くの流れ場に対して正当な仮定である。全てのガス流場は軸対称であるものと仮定した。
【００２７】
粒子軌道の計算： 空力抵抗Ｆ_Ｄが球体と仮定した粒子に作用する唯一の力であるものと仮定した。Ｆ_Ｄは粒子−ガス相対速度Ｖ_rの向きと反対の向きを有するベクトルである。音速以下、超音速、連続及び自由分子を含む広範囲の流条件に対して有効なヘンダーソンによる総合抵抗係数［Ｃ_Ｄ＝２Ｆ_Ｄ/（Ａ_ＣρＶ_r ²）］相関を用いた。（Ｃ．Ｂ．Ｈｅｎｄｅｒｓｏｎ，“Ｄｒａｇ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｓｐｈｅｒｅｓ ｉｎ ｃｏｎｔｉｎｕｕｍａｎｄｒａｒｅｆｉｅｌｄ ｆｌｏｗｓ”，ＡＩＡＡＪ，Ｖｏｌ．１４，ｐｐ７０７−７０８，１９７６参照）。局部ガス状態及び速度と粒子速度が与えられれば、抵抗力を評価することができる。ニュートンの第２法則Ｆ_Ｄ＝ｍ_ｐｄＶ_ｐ/ｄtを粒子(絶対)速度Ｖ_ｐの変化について解いた（ここで、ｍ_ｐは粒子質量である）。この方程式において、Ｆ_Ｄ及びＶ_ｐはベクトルであり、Ｖ_ｐの変化（(即ちｄＶ_ｐ)はＦ_Ｄと同一の向きである。粒子材料はタンタル（電極材料）であるものと仮定した。
【００２８】
結果
ディフューザ効率の実験結果： ディフューザ効率測定はポンプの入口における圧力測定によって行った。図４は、１．９１ｃｍディフューザ直径に対するディフューザ内の測定圧力、ルーツブロワの入口の測定圧力及びチャンバ内の測定圧力（ターボ分子ポンプの入口における圧力に等しいものとする）の測定圧力を示す。全ての圧力は、ヘリウムに対するチャンバ圧力を除いて、流量とともに増大する。ヘリウムに対するチャンバ圧力は低流量でほぼ一定の値に安定する。これは、チャンバに入るヘリウム流量がターボ分子ポンプの最大能力に近似するためである。これは図５に示され、図５にはポンプ性能曲線がヘリウムガスカーテンの使用時に生ずる動作条件の範囲と一緒に示されている（アルゴンガスカーテンの動作条件も示されている）。
【００２９】
図５は、ポンプはアルゴンに対してはその最大値より低いポンピング速度（曲線１）で動作し、ヘリウムに対してはその最大値よりかなり低いポンピング速度で動作することを示している。その結果として、チャンバ圧力は流れの残部をディフューザに流し込む値に増大する。これに対し、アルゴンに対するチャンバ圧力は遥かに低く、増大する流量に対しほぼ一定値にならない。
【００３０】
図６に示すように、ターボ分子ポンプの速度（即ちその回転速度）は、アルゴンの場合にはヘリウムの場合より遥かに大きな割合で、増大する流量に対して減少させる。これにより、アルゴンの場合に使用し得る最大流量はヘリウムの場合に使用する最大流量より遥かに小さい値に制限される。すべての真空ポンプがこのようにガス種に敏感なわけではない。
【００３１】
小さい直径を有するディフューザをヘリウムを用いて試験した。これらの各ディフューザについての全流量に対するチャンバ圧力の変化は１．９１ｃｍ直径のディフューザについて図４に示した変化に類似し、一定値にほぼ安定した。この一定値はディフューザ直径の減少とともに増大した。これは、余分の流れ（即ちターボ分子ポンプにより吸引されない流れ部分）を小さなディフューザに流し込むために大きなチャンバ圧力が必要とされるためである。チャンバ圧力は試験した最大のディフューザ（１．９１ｃｍ直径）に対して最小になるため、これが最良のものとなる。
【００３２】
測定した圧力をポンプ性能曲線と一緒に用いてチャンバに入る流れとディフューザに入る流れの量を決定した。これらの２つの流れの和を流量計で測定した総流量と比較した（理想的には２つの流れの和と測定される総流量は等しい）。両者の差は１０％以下であることが判明した。これはディフューザの流量とチャンバの流量の精度に対する推定を与える。図７はディフューザに入る総流量の割合として定義したディフューザ効率（１．９１ｃｍディフューザ）に対する結果を示す。この効率は、アルゴン及びヘリウムの双方に対して、極めて大きな値まで流量とともに増大する。これは、両ガスとも流量（即ちＰ₀、式３参照）が増大するにつれて運動量フラックスが増大するため、及びチャンバ圧力の増大のためである。この効率は所定の流量に対してヘリウムよりアルゴンの方が大きい。その理由は、同一の流量を得るためにはヘリウムよりアルゴンの方がそれらの分子量の差のために大きなガス源圧力Ｐ₀を必要とするためである（式２参照）。アルゴンに対し使用する大きなガス源圧力はガスカーテンに大きな運動量フラックスを生ずる（式３参照）。図４に示すように、ディフューザ内の圧力はチャンバ内の圧力より遥かに大きいため、流れをディフューザよりもチャンバへと流し込む作用をなす大きな圧力勾配が存在する。アルゴンカーテンの大きな運動量フラックスがガス流のチャンバ内よりディフューザ内への流入を助け、チャンバへの流入は圧力勾配により助けられる。
【００３３】
粒子偏向の実験結果： ガスカーテンを用いた試験及びガスカーテンを用いない試験から１インチ（２．５４ｃｍ）平方のウィットネス板を評価して粒子をウィットネス板から偏向するカーテンの有効性を決定した。ガスカーテンを用いた試験は７６ｔｏｒｒ ｌ/ｓの流量のヘリウムと１．９１ｃｍ直径のディフューザを用いた。ウィットネス板は走査電子顕微鏡を用いて検査して垂直及び水平中心線に沿って配列された９個の等間隔の位置で像をキャプチャした。図８は板上の９個の像位置を示す。各像“A”は１０００倍の倍率で拡大され、０．１１２×０．００８ｍｍの像寸法に対応する。
【００３４】
これらの像はベア板表面から粒子を対比させるために２値画像に変換した。しきい値は白（板）から黒（粒子）を分離するように選択する必要がある。しきい値の選択は幾分主観的であるため、ある範囲の値を試験して選択したしきい値に対する結果の感度を決定する。図９はこの感度分析の結果を示し、ここでは板の中心の像を用いた。この図は黒である各像の割合、即ち粒子率を示す。小さい値のしきい値に対しては、ベア板の大きな部分が黒に変換され、大きなしきい値に対しては粒子表面の大きな部分が白に変換される。「カーテンなし」の場合と「カーテンあり」の場合に対する粒子率の比がほぼ一定になるしきい値の中間範囲がある。客観的結果を得るために、「カーテンあり」と「カーテンなし」の両場合の画像分析に対して２００のしきい値を全ての板位置に対して選択した。
【００３５】
図１０ａは「カーテンあり」の場合と「カーテンなし」の場合におけるウィットネス板の垂直中心線（図１０ａ）及び水平中心線（図１０ｂ）に沿う粒子率分布を示す。結果は、「カーテンなし」の場合は粒子率は約０．０９％であり、「カーテンあり」の場合より約１０倍小さいことを示している。粒子率は板上の位置とともにランダムに変化するように見える。これは、良好な統計的平均を得るためには堆積粒子の数が不十分であるためである。
【００３６】
板からの粒子の減少が得られるが、もっと大きな減少が必要とされる。ガスカーテンにより保護される粒子のウィットネス板上への堆積はそれらの初速度又はそれらの初期軌道角のいずれか（又はその両方）の極値による。これらの粒子は極めて大きな初速度（これにより偏向角が減少する）を有することがあり、またそれらの初期運動方向はウィットネス版から離れる方向を有し、カーテンがそれらの粒子を偏向して板の方向へ戻すことがある。
【００３７】
粒子サイズに対する画像分析を図１１に示す。ここでは、粒子サイズはウィットネス板上を占める粒子の面積で表す。ここでは、各板上に得られる全９個の画像からの結果を合成し、ヒストグラムフォーマットで示した。即ち、粒子サイズを有限サイズのクラスにグループ化し、各クラスに入る粒子の数を示した。結果は、「カーテンあり」と［カーテンなし］の両場合とも粒子サイズの増大とともに粒子の数が減少すること、及びガスカーテンは大きな粒子より小さい粒子の大部分を偏向することを示している。
【００３８】
要するに、実験の結果は、７６ｔｏｒｒ ｌ/ｓの流量のヘリウムガスカーテンはウィットネス板に堆積される粒子状デブリのかなりの確実な低減を生じた。しかし、ＥＵＶを集光するために使用する必要があるセンシティブ光学系を適切に保護するためにはもっと大きな低減が必要とされる。また、実験ではチャンバ圧力がＥＵＶの許容し得ない損失を生ずるレベルに上昇した。大きなガス流量が光学系の保護のために必要とされると同時に、より強力な真空ポンプを使用する又はもっと良いガスカーテン設計を使用することによりチャンバを低い圧力に維持する必要がある。大きなガス流量及び小さなチャンバ圧力が粒子偏向及びディフューザ効率に与える影響を研究するために種々の計算を行った。
【００３９】
ガス流計算の結果： 図１２は、７６ｔｏｒｒ ｌ/ｓの流量のヘリウムに対し計算したガス流場を示し、ここでは実験的に測定したチャンバ及びディフューザ圧力（それぞれ０．１３ｔｏｒｒ及び０．５５ｔｏｒｒ）を境界条件として使用した。無矢印曲線は等圧力線を示し、これらが密集した場所はバレル衝撃波１２３の形成を示す。矢印付き曲線はノズル１２１の開口からのガス流の流線である。ガスの一部がディフューザ１２２に入り、一部が入らない。モデルの検証するために上述した実験の条件についてディフューザ効率を得る計算を行った。
【００４０】
図１３はディフューザ効率の計算結果を示し、ここでは対応する流量に対し実験的に測定したディフューザ及びチャンバ圧力を境界条件として使用した。測定圧力を境界条件として使用すると計算したディフューザ効率と測定したディフューザ効率の直接的比較が可能となり、測定したディフューザ効率も示した。図から明らかなように、ヘリウムに対する計算結果は測定結果に近似するが、計算は大きな流量に対しては予測効率である。これに対し、アルゴンについての計算は全て予測効率である。後者の不一致は、アルゴンの凝縮を計算では考慮していないためである。凝縮はノズル出口におけるマッハ数を減少する効果を有し、ジェット拡散の程度を弱め、ディフューザ効率を減少する。
【００４１】
先に示したように、チャンバ圧力は実験ではヘリウムの場合に大きく（図４参照）、ガス吸収により許容し得ないＥＵＶの損失を生じる。これらの高い圧力はより強力な真空ポンプを使用することにより避けることができる。０．０３１ｔｏｒｒのチャンバ圧力の影響を７６ｔｏｒｒ ｌ/ｓのヘリウム流量の場合について図１４に示す。このチャンバ圧力はＥＵＶの一層許可能な損失（２メートルのパス長に亘って１０％）を生じる。ディフューザ圧力はディフューザをポンピングするＡＤＳ５０１ルーツブロワの使用と一致する値に設定した。図１４（小チャンバ圧力）の場合には図１２（大チャンバ圧力）の場合よりジェット拡散が遥かに大きくなる。流線は、流れの小部分がディフューザに入ることを示している。
【００４２】
図１５は、７６ｔｏｒｒ ｌ/ｓのヘリウム流量及び１．９１ｃｍディフューザについて、０．５５ｔｏｒｒの一定ディフューザ圧力の場合（赤色曲線）におけるチャンバ圧力のディフューザ効率への影響を示す。この効率はチャンバ圧力とともに増大し、実験結果において得られた大きな効率はそこに存在する大きなチャンバ圧力によることを部分的に意味する。図１５は、０．０３１ｔｏｒｒの一定チャンバ圧力の場合におけるディフューザ圧力のディフューザ効率への影響も示す。ディフューザ効率はディフューザ圧力の増大とともに減少する。従って、ディフューザ効率は、ディフューザサイズ、ノズルとディフューザとの間の距離（この影響に対する結果は図示せず）、総ガス流量、ガス種、チャンバ圧力（又はチャンバ真空ポンプ）及びディフューザ圧力（又はディフューザ真空ポンプ）の関数である。
【００４３】
ディフューザ効率は、図１５に示すように（ヘリウムの場合）０．０３１ｔｏｒｒのチャンバ圧力に対して小さい（０．５５以下）が、総流量を増大させることにより大きな値に増大する。これを図１６に示す。図１６には、０．０３１ｔｏｒｒの固定チャンバ圧力に対するヘリウムの場合のディフューザ効率と０．０１２ｔｏｒｒの固定チャンバ圧力に対するアルゴンの場合のディフューザ効率を示す。大きな流量に対する効率はヘリウムの場合７０％〜７５％、アルゴンの場合８０％〜８５％である。大きな流量においてこれらの結果に見られる小さな変動はディフューザのリップと衝撃波の相互作用によるものと思われる。ディフューザ効率は同一の流量に対してヘリウムよりアルゴンの方が大きい。これはアルゴンカーテンの運動量フラックス（式３）が大きいためである。アルゴンに対する予測効率の計算（図１1参照）を思い出せば、アルゴンとヘリウムの効率の差は図１６に示す大きな総流量に対する実験で更に研究する必要がある。
【００４４】
ディフューザ効率は総流量とともに増大するため、チャンバに入る流れの率が減少する。これは、チャンバ率が減少するにすぎず、チャンバに入る実際の流量が流量とともに減少することを意味しないで、チャンバ流量は総流量とともに増大する点に注意されたい。
【００４５】
粒子軌道計算を計算したガス流領域を用いて実行した。各場合において、１９５ｍ/ｓの初速度を有する２０ｎｍのタンタル粒子を仮定した。また、粒子はノズルとディフューザとの中間でガスカーテンに進入し、ガス流領域の対称軸を通って走行するものと仮定した。図１７は７６ｔｏｒｒ ｌ/ｓのヘリウム流量及び０．０３１ｔｏｒｒのチャンバ圧力に対する計算例を示す。チャンバ圧力はガス流領域及び(従って)粒子偏向角の双方に影響を与え、チャンバ圧力の増大とともに偏向角が増大する点に注意されたい。図１７に示す場合の粒子偏向角は２６°である。
【００４６】
粒子偏向角に与えるガス流量及びガス種の影響を１９５ｍ/ｓで移動する２０ｎｍのタンタル粒子に対して図１８に示す。計算にはＥＵＶの１０％損失を生ずるチャンバ圧力を用いた（即ちアルゴンの場合は０．０１２ｔｏｒｒおよびヘリウムの場合は０．０３１ｔｏｒｒ）を用いた。ウィットネス板実験は７６ｔｏｒｒ ｌ/ｓの流量のヘリウムを使用した。図１８は、この場合には２６°の偏向角を生じること、及び３８４ｔｏｒｒ ｌ/ｓの流量を使用すると２．７倍の偏向角が得られることを示す。粒子偏向に及ぼす流量の影響は粒子の特性に依存する点に注意されたい。
【００４７】
粒子偏向角はヘリウムよりアルゴンの方が大きい(図１８ａ)。これは、同一の流量に対してヘリウムよりアルゴンの運動量フラックスの方が大きいためである。即ち、ヘリウムと同一の流量を得るためには大きな値のＰ_０が必要とされる（式２参照）。大きな値のＰ_０は大きな運動量フラックスを生ずる（式３参照）。結果を図１８ｂのようによどみ圧に対してプロットすると、粒子偏向角は２つのガスに対して同等になる。これは、運動量フラックスはＰ_０に比例しガス種と無関係であることを示す式３と一致する。
【００４８】
ガスカーテンの軸線に垂直方向のＥＵＶ透過率を図１９にノズル（ｘ＝０）とディフューザ（ｘ＝２．５４ｃｍ）との間の位置の関数として示す。３つの異なるよどみ圧（Ｐ_０）に対する結果を示し、ここではヘリウム及びアルゴンの対応する流量は図中に示した。透過率はガス速度が最小でガス密度が最大のノズル近くが最小である。透過率は同一のよどみ圧に対してアルゴンよりもヘリウムの方が良い。これは、同一のよどみ圧ではアルゴンよりもヘリウムの吸収断面積が小さいためである。透過率は大きな流量に対してノズル近くで小さいため、（たとえば、ノズルをキャピラリ放電装置からもっと離すことにより）カーテンの最初の１センチメートル（以上又は以下）をＥＵＶパスの外に保つ必要がある。
【００４９】
ガスカーテンの追加の実施例： 図２０ａ及び２０ｂは、ガスカーテンが前電極２０１の直径全体を横切るように設計されている。粒子が電極の表面のどこからでも発生する場合にはガス源２０２及びディフューザ２０３を含む装置が特に好適である。ガス流量とＥＵＶ吸収を最小にするために細長いガスノズルのガス源とディフューザを用いて電極と同一の幅を有するが電極に対し垂直方向に薄いガスカーテンを発生させる。
【００５０】
図２１はガスカーテンの設計において遭遇する他の問題を示すものである。ノズル２１０、前電極２３０及びディフューザ２５０は先に図２に記載した通りである。図に示すように、ＥＵＶ集光ゾーンは６０°の内角を有する軸対称の３０°球扇形であり、即ち、断面で見ると、６０°で分離された２つの３０°扇形からなる。最初にこれらの扇形の一方の内を光学系に向って移動する粒子はパス１に沿って１２０°偏向され、依然として光学系に衝突する。即ち、偏向後、粒子は反対側の扇形内を光学系に向うパスを取る。従って、光学系を適切に保護するためには１２０度より大きい偏向角を生ずる極めて大きなガスカーテン流量が所定のタイプのガスカーテンの設計に対して必要とされる。
【００５１】
図２２及び２３に示す設計のガスカーテンは、光学系を保護するために上述した設計のガスカーテンに必要とされる潜在的に大きな偏向角より小さい偏向角を必要とする。図２２に示す設計は環状ノズル２２１と環状ディフューザ２２２を用いる。本例では、ガスカーテンが粒子の発生源（キャピラリ２２３及び電極２３４）を包囲し、光学系を保護するために必要とされる粒子偏向角は（キャピラリ出口近くから発生する粒子に対して）たったの３０°である。
【００５２】
図２３に示す設計は図２２に示すものと、ガス流が逆向きである点を除いて同一である。本例では、環状ノズル２３１がキャピラリ２３２及び電極２３３を包囲し、ディフューザ２３４が電極から若干離れて位置し、キャピラリと同軸である。ガス流２３５は粒子をディフューザ内へ偏向し、ここで粒子はガスに連行され、ディフューザに接続された真空ポンプ（図示せず）に向って流れる。
【００５３】
図２２に示す設計の環状ガスカーテンの性能の計算結果を図２４−２６に示す。図２４はガス流領域とＥＵＶ集光ゾーン２５５から離れる粒子軌道を示す。本モデルはキャピラリ２５１と環状ノズル２５２及び環状ディフューザ２５３を具える。計算は、カーテンガスはアルゴンであり、ディフューザにＡＤＳルーツブロワが接続され、チャンバ圧力は０．０１２ｔｏｒｒであり、キャピラリの上流側のキセンノン圧力は１．５ｔｏｒｒであるものと仮定した。１１６ｔｏｒｒ ｌ/ｓの総流量を生ずる１６８psiのアルゴンよどみ圧を用いた。これらの条件の場合、ディフューザの捕捉効率は７４％であり、３０ｔｏｒｒ ｌ/ｓのチャンバ内への流量を与える。粒子計算は１９５ｍ/ｓの初速度を有する２０ｎｍのタンタル粒子であるもと仮定した。４５°の初期粒子軌道（図示の場合）に対する粒子偏向角は３５°であった。環状カーテンにより囲まれたキャピラリ出口の近傍領域の圧力は０．４ｔｏｒｒに上昇した。この圧力はキャピラリの上流側のキセノン圧力より低いので、アルゴンはキャピラリ内に流入せず、キャピラリ放電プロセスを妨害しない。粒子２５４はＥＵＶ集光ゾーン２５５から偏向され、光学系から離れる。
【００５４】
図２５はキセノン質量比率分布を示し、この図において１の値はガスが純粋キセノンであることを示し、０の値は純粋アルゴンであることを示す。結果は、環状ガスカーテンにより囲まれた領域内に「トラップされた」ガスは純粋なキセノンではないことを示し、これはキセンノンが拡散及び対流によりこの領域から流出するためである。これは、ＥＵＶ吸収を、ガスが純粋なキセノンの場合に生ずるＥＵＶ吸収値から低減する助けとなる。その理由は、キセンオンはアルゴンよりも遥かに大きな吸収断面積を有するためである。「トラップ」領域内のキセノン濃度の更なる低減は、種々の方法：(1)この領域を直接ポンピングする、(2)ヘリウムガスをこの領域に注入してキセノンを押出す、又は(3)カーテンからのアルゴンが片側からこの領域に流入し、反対側から流出するようにディフューザを片側に非対称にしてこの領域からキセノンを押出すことにより達成することができる。
【００５５】
図２６はキャピラリ出口から出発してカーテンを通過するＥＵＶの透過率（１−吸収量）を示す。結果はＥＵＶ集光ゾーンに張る角度（即ち３０°〜６０°）の関数として示す。この距離に亘って吸収されたＥＵＶに加えて、残りのＥＵＶ（図２６に示すＥＵＶ量）の更に１０％がチャンバの残部を満たすアルゴン（０．０１２ｔｏｒｒ）で吸収される。その結果、総透過率（更にチャンバ内を約２ｍ伝搬した後）は７６％〜８０％になる（即ち、総吸収率は２０％〜２４％になる）。これらの結果に基づいて、環状ガスカーテン設計はキャピラリ放電ＥＵＶソースに使用するのに極めて有望であると思われる。
【００５６】
本発明の好適実施例についてのみ詳細に説明したが、上述した教えを考慮すれば、本発明の範囲において多くの変更や変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】キャピラリ放電源の断面図である。
【図２】ガスカーテンの概念設計を示す図である。
【図３】実験装置の概略図である。
【図４】ヘリウム及びアルゴンのガスカーテンに対するディフューザ内の測定圧力対ガス流量のグラフである。
【図５】ターボ分子ポンプの性能とヘリウム及びアルゴンのカーテンガスのチャンバ内へのスループットを示すグラフである。
【図６】アルゴン及びヘリウムのカーテンガスに対するターボ分子ポンプの速度を示す図である。
【図７】アルゴン及びヘリウムに対するディフューザ効率のグラフである。
【図８】ウィットネス板上のＳＥＭ像の位置を示す図である。
【図９】「カーテンあり」と「カーテンなし」の場合に対するウィットネス板の中心における粒子率に対する画像分析のしきい値に対する感度を示すグラフである。
【図１０】「カーテンあり」と「カーテンなし」の場合におけるウィットネス板の水平中心線に沿う粒子率分布（図１０ａ）及び垂直中心線に沿う粒子率分布（図１０ｂ）を示す。
【図１１】「カーテンあり」と「カーテンなし」の場合のウィットネス板の粒度ヒストグラムである。
【図１２】７６ｔｏｒｒｌ/ｓの流量とそれぞれ０．１３ｔｏｒｒ及び０．５５ｔｏｒｒのチャンバ及びディフューザ圧力の場合におけるヘリウムガスカーテンに対する計算結果を示す図である。
【図１３】アルゴン及びヘリウムに対する計算及び測定ディフューザ効率を示すグラフである。
【図１４】７６ｔｏｒｒ ｌ/ｓの流量とそれぞれ０．０３１ｔｏｒｒ及び０．３９ｔｏｒｒのチャンバ及びディフューザ圧力の場合におけヘリウムガスカーテンに対する計算結果を示す図である。
【図１５】７６ｔｏｒｒ ｌ/ｓのヘリウム流量及び１．９１ｃｍディフューザに対するチャンバ及びディフューザ圧力のディフューザ効率への影響の計算結果を示す。
【図１６】０．０１２ｔｏｒｒ（アルゴン）及び０．０３１ｔｏｒｒ（ヘリウム）のチャンバ圧力の場合におけるアルゴン及びヘリウムに対するディフューザ効率を示すグラフである。
【図１７】７６ｔｏｒｒ ｌ/ｓの流量及び０．０３１ｔｏｒｒのチャンバ圧力の場合に１９５ｍ/ｓでヘリウムガスカーテン内に進入する２０ｎｍのタンタル粒子に対して計算した粒子軌道を示す。
【図１８】アルゴンとヘリウムのガスカーテンによる粒子偏向角をガス流量（図１８ａ）の関数及びガスよどみ圧力の関数（図１８ｂ）として計算した結果を示すグラフである。
【図１９】ヘリウム及びアルゴンのＥＵＶ透過率をノズル（ｘ＝０）とディフューザ（ｘ＝２．５４ｃｍ）との間の位置の関数として示すグラフである。
【図２０】ＥＵＶ放電源用ガスカーテンの実施例を示す図である。
【図２１】簡単なガスカーテンでは粒子が大きく偏向されて光学系に衝突し得ることを示す概略図である。
【図２２】ＥＵＶ放電源用ガスカーテンの他の実施例を示す図である。
【図２３】ＥＵＶ放電源用ガスカーテンの更に他の実施例を示す図である。
【図２４】環状ガスカーテンに対するガス流領域及び粒子軌道を示す図である。
【図２５】環状ガスカーテンに対するキセノン質量比率分布を示す図である。
【図２６】環状ガスカーテンのＥＵＶ透過率対ＥＵＶ集光ゾーン角度を示すグラフである。ガスカーテンの概念設計を示す図である。

Claims (27)

1. 極紫外及び軟Ｘ線放射を発生する装置であって、
   パスに沿って放射ビームを発生するとともにデブリを発生するＥＵＶ源と、
   ガス流を前記放射パスを横切って噴射してデブリを前記放射パスの方向から異なる方向へ偏向させるガスカーテン手段とを具えることを特徴とする極紫外及び軟Ｘ線放射を発生する装置。
2. 前記ガスカーテン手段は前記ガス流を超音速速度で噴出する出口を有することを特徴とする請求項１記載の装置。
3. 前記ＥＵＶ放電源は環状領域を進行する放射を放出し、前記ガスカーテン手段は、前記ガス流を前記環状領域に、デブリ粒子をガス内に連れ込むのに十分な速度で噴射するガス出口を有するガス源を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の装置。
4. 前記ガスカーテン手段は、更に、連れ込まれたデブリ粒子を含むガスを回収するガス入口を有するガス捕集部材を具えることを特徴とする請求項３記載の装置。
5. 前記ＥＵＶ放電源は、
   （ａ）近端と遠端を有するキャピラリボアを形成する本体と、
   （ｂ）反応性ガス源に接続された入口と前記キャピラリボアの遠端と連通する出口を有する通路を形成する第１電極と、
   （ｃ）前記キャピラリボアの近端から放出される放射を受け取るよう配置され且つ放射を放出する開口を有する第２電極と、
   （ｄ）前記第１及び第２電極間に接続された電圧源と、
   を具えることを特徴とする請求項１−４の何れかに記載の装置。
6. 放出された放射の大部分は環状領域を進行し、前記ガスカーテン手段は、ガスを前記環状領域内に、デブリ粒子をガス内に連れ込むのに十分な速度で噴射するガス出口を有するガス源を備えることを特徴とする請求項３−５の何れかに記載の装置。
7. 当該装置は、更に、連れ込まれたデブリ粒子を含むガスを回収するガス入口を有するガス捕集部材を具えることを特徴とする請求項６記載の装置。
8. 前記ガス捕集部材は第２電極に隣接して位置し、前記ガス出口は第２電極に対向して位置してガス流を放出された放射に噴射させ、前記ガス出口から出るガス流が放出された放射のパスの方向を横切る方向に進むことを特徴とする請求項７記載の装置。
9. 前記ガス捕集部材は第２電極に対向して配置された通路を形成するガスディフューザを備え、前記ガス出口は第２電極に隣接して位置してガス流を放出された放射に噴射させ、前記ガス出口から出るガス流が放出された放射のパスの方向を横切る方向に進むことを特徴とする請求項７記載の装置。
10. 前電極は接地することを特徴とする請求項５−９の何れかに記載の装置。
11. 極紫外及び軟Ｘ線放射を発生する方法であって、
    （ｉ）パスに沿って放射ビームを発生するとともにデブリを発生するＥＵＶ源を設けるステップと、
    （ｉｉ）ガス流を前記放射パスを横切って噴射してデブリを前記放射パスの方向から異なる方向へ偏向させるステップとを具えることを特徴とする極紫外及び軟Ｘ線放射を発生する方法。
12. 前記ガス流は超音速速度で噴射することを特徴とする請求項１１記載の方法。
13. 前記ＥＵＶ放電源は環状領域を進行する放射を放出し、前記ステップ（ｉ）は、前記ガス流を前記環状領域に、デブリ粒子を前記ガス流に連れ込むのに十分な速度で噴射することを特徴とする請求項１１又は１２記載の方法。
14. 当該方法は、更に、連れ込まれたデブリ粒子を含むガスを捕集するステップを具えることを特徴とする請求項１３記載の方法。
15. 前記ＥＵＶ放電源は、
    （ａ）近端と遠端を有するキャピラリボアを形成する本体と、
    （ｂ）反応性ガス源に接続された入口と前記キャピラリボアの遠端と連通する出口を有する通路を形成する第１電極と、
    （ｃ）前記キャピラリボアの近端から放出される放射を受け取るよう配置され且つ放射を放出する開口を有する第２電極と、
    （ｄ）前記第１及び第２電極間に接続された電圧源と、
    を具えることを特徴とする請求項１１−１４の何れかに記載の方法。
16. 放出された放射の大部分は環状領域を進行し、前記ステップ（ｉ）は、ガスを前記環状領域に、デブリ粒子を前記ガス流内に連れ込むのに十分な速度で噴射することを特徴とする請求項１５記載の方法。
17. 当該方法は、更に、連れ込まれたデブリ粒子を含むガスを回収するステップを具えることを特徴とする請求項１６記載の方法。
18. 前電極は接地することを特徴とする請求項１５−１７の何れかに記載の方法。
19. 極紫外及び軟Ｘ線放射を発生する方法であって、
    （ａ）放電プラズマ源であって、
    （ｉ）近端と遠端を有するキャピラリボアを形成する本体と、
    （ｉｉ）反応性ガス源に接続された入口と前記キャピラリボアの遠端と連通する出口を有する通路を形成する第１電極と、
    （ｉｉｉ）前記キャピラリボアの近端から射出される放射を受け取るよう配置され且つ放射を放出する開口を有し、放出された放射の大部分が環状領域を進行する第２電極と、
    （ｉｖ）前記第１及び第２電極間に接続された電圧源と、
    （ｖ）不活性ガスを前記環状領域に、放電プラズマ源により発生されたデブリ粒子を前記不活性ガスに連れ込むのに十分な速度で噴射する第２ガス源と、
    （ｖｉ）連れ込まれたデブリ粒子を含む前記不活性ガスを回収するガス入口を有するガス捕集部材と、
    を備える放電プラズマ源を設けるステップと、
    （ｂ）前記第２ガス源からの第２ガスを第１電極の通路及びキャピラリボア内に導入するステップと、
    （ｃ）キャピラリボア内にプラズマを生成するに十分な放電を生じさせて選択された波長の放射を発生させるステップと、
    を備えることを特徴とする極紫外線及び軟Ｘ線放射を発生する方法。
20. 前記ガス出口から出る不活性ガス流は超音速速度で流れることを特徴とする請求項１９記載の方法。
21. 前記ガス捕集材は第２電極に隣接して位置し、前記ガス出口は第２電極に対向して位置して不活性ガス流を放出された放射に噴射させ、前記ガス出口から出るガス流は放出された放射のパスの方向を横切る方向に進むことを特徴とする請求項１９又は２０記載の方法。
22. 前記ガス捕集部材は第２電極に対向して配置された通路を有するガスディフューザを備え、前記ガス出口は第２電極に隣接して位置して不活性ガス流を射出された放射に噴射させ、前記ガス出口から出るガス流は射出された放射のパスの方向を横切る方向に進むことを特徴とする請求項１９記載の方法。
23. ステップ（ｃ）における真空チャンバ内の圧力は約１×１０^−１ｔｏｒｒであることを特徴とする請求項１９−２２の何れかに記載の方法。
24. ステップ（ｃ）は２０−５０ｅＶプラズマを生成することを特徴とする請求項１９−２３の何れかに記載の方法。
25. ステップ（ｃ）はパルス放電を０．５〜４マイクロ秒の間生じさせることを特徴とする請求項１９−２３の何れかに記載の方法。
26. 前記不活性ガス流は１０００ｍ/ｓ〜２０００ｍ/ｓの速度であることを特徴とする請求項１９−２５の何れかに記載の方法。
27. 前記不活性ガス流の速度は４以上のマッハ数であることを特徴とする請求項１９−２５の何れかに記載の方法。

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