JPH01132099A - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
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- JPH01132099A JPH01132099A JP62289426A JP28942687A JPH01132099A JP H01132099 A JPH01132099 A JP H01132099A JP 62289426 A JP62289426 A JP 62289426A JP 28942687 A JP28942687 A JP 28942687A JP H01132099 A JPH01132099 A JP H01132099A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線発生装置に係り、特に大規模集積回路製造
に用いるＸ線リゾグラフィ装置用として好適なＸ線発生
装置に関するものである。
に用いるＸ線リゾグラフィ装置用として好適なＸ線発生
装置に関するものである。
集積回路製造過程で重要なりゾグラフイ技術の一つとし
てＸ線露光法があり、Ｘ線露光装置の軟Ｘ線発生源とし
て対陰極形Ｘ線管アシンクロトロン放射光、高温プラズ
マからのＸ線などがあるが、対陰極形Ｘ線管は輝度が弱
く、シンクロトロンはあまりにも設備が高価格になるた
め、プラズマＸ線源が有望視されている。
てＸ線露光法があり、Ｘ線露光装置の軟Ｘ線発生源とし
て対陰極形Ｘ線管アシンクロトロン放射光、高温プラズ
マからのＸ線などがあるが、対陰極形Ｘ線管は輝度が弱
く、シンクロトロンはあまりにも設備が高価格になるた
め、プラズマＸ線源が有望視されている。
プラズマＸ線源としては、ガス注入式のものが特開昭６
０−１７５３５１号公報で提案されている。この方式は
、真空容器に特定の稀ガスを放出してガス気柱を形成し
、そこに数１００ｋＡピ一ク程度（立ち上り時間１μＳ
オーダ）のパルス放電を起こし、Ｚピンチ現象を生じさ
せ、所望の波長のＸ線を取り出そうとするものである。
０−１７５３５１号公報で提案されている。この方式は
、真空容器に特定の稀ガスを放出してガス気柱を形成し
、そこに数１００ｋＡピ一ク程度（立ち上り時間１μＳ
オーダ）のパルス放電を起こし、Ｚピンチ現象を生じさ
せ、所望の波長のＸ線を取り出そうとするものである。
このＺピンチ現象では、プラズマが非常に高温、高密度
になるので、プラズマ中の稀ガス原子のに殻やＬ殻の電
子が叩き出され、その空孔にその外殻の電子が落ち込む
現象が生じる。このとき、特性Ｘ線が放出される。この
Ｘ線は透過窓を通して取り出され、所望のシリコンウェ
ハ等を露光するのに使用される。
になるので、プラズマ中の稀ガス原子のに殻やＬ殻の電
子が叩き出され、その空孔にその外殻の電子が落ち込む
現象が生じる。このとき、特性Ｘ線が放出される。この
Ｘ線は透過窓を通して取り出され、所望のシリコンウェ
ハ等を露光するのに使用される。
上記従来技術は、ガス気柱形成に用いる開閉バルブの点
で配慮されておらず、バルブの寿命及びガス気柱の安定
性に問題があった。すなわち、電極間にガス気柱を形成
する際、ガス塊が拡散して広がらない時間内に放電に適
するガス密度が得られるようにする必要があった。この
ため、高速開閉ガスバルブを用いて間欠的にガスを注入
し、高繰り返しく３Ｈｚ程度）の放電を行っている。し
かしながら、量産用のアライナを考えた場合、放電回数
は１０８回／月以上となる。例えば、４インチウェハを
毎時２ｏ枚（ステップ及びリピート回数１４）、−露光
３０シヨツト（ｓｈｏｔｓ）のＸ線露光装置を１０時間
７日、２０日／月稼動すると、毎月の放電回数は１．６
８ｘｌｏ６（＝３０ｘ１４Ｘ２０Ｘ１０Ｘ２０）に達す
る。この間の高速ガス開閉バルブの開閉精度は現時点で
は保障されておらず、このため、毎放電時間前のガス塊
の形体にばらつきが生じ、Ｘ線の輝度の安定性が得られ
ないという問題があった。
で配慮されておらず、バルブの寿命及びガス気柱の安定
性に問題があった。すなわち、電極間にガス気柱を形成
する際、ガス塊が拡散して広がらない時間内に放電に適
するガス密度が得られるようにする必要があった。この
ため、高速開閉ガスバルブを用いて間欠的にガスを注入
し、高繰り返しく３Ｈｚ程度）の放電を行っている。し
かしながら、量産用のアライナを考えた場合、放電回数
は１０８回／月以上となる。例えば、４インチウェハを
毎時２ｏ枚（ステップ及びリピート回数１４）、−露光
３０シヨツト（ｓｈｏｔｓ）のＸ線露光装置を１０時間
７日、２０日／月稼動すると、毎月の放電回数は１．６
８ｘｌｏ６（＝３０ｘ１４Ｘ２０Ｘ１０Ｘ２０）に達す
る。この間の高速ガス開閉バルブの開閉精度は現時点で
は保障されておらず、このため、毎放電時間前のガス塊
の形体にばらつきが生じ、Ｘ線の輝度の安定性が得られ
ないという問題があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を除去し、
信頼性が高く、長寿命化できるガス注入形のＸ線発生装
置を提供することにある。
信頼性が高く、長寿命化できるガス注入形のＸ線発生装
置を提供することにある。
上記目的は、第１に、放電容器内に対抗して設置した一
対の電極間に連続放電のパルス電流印加時、ガス供給部
に結合された開閉バルブを開放状態のままにし、連続的
にガスを供給する構成として達成するようにした。第２
に、さらに上記放電容器を真空排気する排気路と別に上
記対向電極間隙部の半径方向のガス流を真空排気する排
気路を設けた構成として達成するようにした。
対の電極間に連続放電のパルス電流印加時、ガス供給部
に結合された開閉バルブを開放状態のままにし、連続的
にガスを供給する構成として達成するようにした。第２
に、さらに上記放電容器を真空排気する排気路と別に上
記対向電極間隙部の半径方向のガス流を真空排気する排
気路を設けた構成として達成するようにした。
連続放電時、電極間にガスを注入する開閉バルブは開放
状態にしであるため、開閉バルブの高速性は必要なく、
長時間安定に電極間にガスを供給できる。電極間のガス
気柱形体は、ガス導入口の構造、放電容器構造及び排気
系によって決定されるため、従来方式の高速開閉ガスバ
ルブの多頻度にわたる応答安定性、寿命の点での問題は
なくなる。さらに円柱状気柱をガスジェットで形成する
ガス注入方式は、気柱ガス密度の半径方向分布を利用す
ることで気柱表面での放電破壊を得る。このときの半径
方向の密度勾配を連続ガス注入時に維持するため、半径
方向のガス流の真空排気を設けである。
状態にしであるため、開閉バルブの高速性は必要なく、
長時間安定に電極間にガスを供給できる。電極間のガス
気柱形体は、ガス導入口の構造、放電容器構造及び排気
系によって決定されるため、従来方式の高速開閉ガスバ
ルブの多頻度にわたる応答安定性、寿命の点での問題は
なくなる。さらに円柱状気柱をガスジェットで形成する
ガス注入方式は、気柱ガス密度の半径方向分布を利用す
ることで気柱表面での放電破壊を得る。このときの半径
方向の密度勾配を連続ガス注入時に維持するため、半径
方向のガス流の真空排気を設けである。
以上のように、毎放電前の電極間ガス気柱の再現性が高
いため、安定なＸａｍ度の放射を得ることができる。
いため、安定なＸａｍ度の放射を得ることができる。
以下本発明を第１図、第２図、第６図、第７図に示した
実施例及び第３図〜第５図を用いて詳細に説明する。
実施例及び第３図〜第５図を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明のＸ線発生装置の一実施例を示す縦断面
図である。第１図において、１は高″社圧側フランジ、
２は低電圧側フランジ、３は絶縁物、４は低電圧側電極
、５は高電圧側電極、６はガスリザーバ、７はガス開閉
バルブ兼ガスノズル、８はガス導入路である。高電圧側
電極５は本実施例の場合、放電容器も兼ねている。ガス
リザーバ６の一端には絶縁性ガスパイプ１０．ガス流量
調整器１１、ガス開閉バルブ１２を介してガスタンク１
３が接続されている。ガス開閉バルブ７の一方はガスリ
ザーバ６と摺動自在に接続され、絶縁物９を介して図示
していない操作機に接続されている。低電圧側フランジ
２の下方には真空容器１７が接続され、Ｘ線透過窓１９
及び荷電粒子除去器２０が設けである。真空排気は排気
管１８を介して行われる。高電圧側電極５の一端は、絶
縁物性排気パイプ１４、ガス流量調￥１器１５、排気管
１６を介して排気管１８に接続されている。バルス大電
流源は充電装置２１．コンデンサ２２．放電スイッチ２
３より構成され、高電圧側フランジ１、低電圧側フラン
ジ２に接続されている。
図である。第１図において、１は高″社圧側フランジ、
２は低電圧側フランジ、３は絶縁物、４は低電圧側電極
、５は高電圧側電極、６はガスリザーバ、７はガス開閉
バルブ兼ガスノズル、８はガス導入路である。高電圧側
電極５は本実施例の場合、放電容器も兼ねている。ガス
リザーバ６の一端には絶縁性ガスパイプ１０．ガス流量
調整器１１、ガス開閉バルブ１２を介してガスタンク１
３が接続されている。ガス開閉バルブ７の一方はガスリ
ザーバ６と摺動自在に接続され、絶縁物９を介して図示
していない操作機に接続されている。低電圧側フランジ
２の下方には真空容器１７が接続され、Ｘ線透過窓１９
及び荷電粒子除去器２０が設けである。真空排気は排気
管１８を介して行われる。高電圧側電極５の一端は、絶
縁物性排気パイプ１４、ガス流量調￥１器１５、排気管
１６を介して排気管１８に接続されている。バルス大電
流源は充電装置２１．コンデンサ２２．放電スイッチ２
３より構成され、高電圧側フランジ１、低電圧側フラン
ジ２に接続されている。
Ｘ線発生にあたっては、ガス開閉バルブ７を開放し、ガ
スリザーバ６内のガスをガス導入路８から注入する。高
電圧側電極５から超音速流のガスが噴出し、定常状態の
気流状態になった後、コンデンサ２２に充電された電荷
を放電スイッチ２３を介して印加する。コンデンサ２２
からパルス大電流が供給され、高電圧側電極５と低電圧
側電極４との間隙内でＺピンチし、高温、高密度プラズ
マ２４を形成し、このプラズマ２４中より注入ガスの特
性Ｘ線２５を発生させる。
スリザーバ６内のガスをガス導入路８から注入する。高
電圧側電極５から超音速流のガスが噴出し、定常状態の
気流状態になった後、コンデンサ２２に充電された電荷
を放電スイッチ２３を介して印加する。コンデンサ２２
からパルス大電流が供給され、高電圧側電極５と低電圧
側電極４との間隙内でＺピンチし、高温、高密度プラズ
マ２４を形成し、このプラズマ２４中より注入ガスの特
性Ｘ線２５を発生させる。
ここで問題となるのは、連続的にガスを注入した場合、
一定のガス密度の半径方向に密度（あるいは圧力）勾配
のある円柱状気柱が形成できるかがポイントとなる。本
発明の実施例ではこの点について考慮している。第２図
に放電電極部分の詳細図を示す。第２図の中心軸の図面
上部のガス気流の流速ベクトルを第３図に示す。計算法
はフロ↓ド・イン・セル（Ｆｌｕｉｄ ｉｎ Ｃｋｌｌ
）法を用いており、軸対称流のモデルで過渡的な流速、
圧力、密度、温度等の分布を計算できる。第３図は、Ｎ
ｅガスを対象とし、リザーバ圧力１ａｔｍ、ガス開閉バ
ルブ７動作後１２００μＳ時の状態である。ガス流は高
電圧側電極５の電路５′の内壁と中心部を通る温気流を
生じていることがわかる。第３図の電極間各部の密度時
間変化を第４図に、圧力時間変化を第５図に示す。第４
図には主要な点のガス密度時間変化を示し、ガス導入路
量ロ■、中心軸部■、電極内壁部■の３箇所を示した。
一定のガス密度の半径方向に密度（あるいは圧力）勾配
のある円柱状気柱が形成できるかがポイントとなる。本
発明の実施例ではこの点について考慮している。第２図
に放電電極部分の詳細図を示す。第２図の中心軸の図面
上部のガス気流の流速ベクトルを第３図に示す。計算法
はフロ↓ド・イン・セル（Ｆｌｕｉｄ ｉｎ Ｃｋｌｌ
）法を用いており、軸対称流のモデルで過渡的な流速、
圧力、密度、温度等の分布を計算できる。第３図は、Ｎ
ｅガスを対象とし、リザーバ圧力１ａｔｍ、ガス開閉バ
ルブ７動作後１２００μＳ時の状態である。ガス流は高
電圧側電極５の電路５′の内壁と中心部を通る温気流を
生じていることがわかる。第３図の電極間各部の密度時
間変化を第４図に、圧力時間変化を第５図に示す。第４
図には主要な点のガス密度時間変化を示し、ガス導入路
量ロ■、中心軸部■、電極内壁部■の３箇所を示した。
ガス導入路出口■のガス密度は時間経過とともに単調増
加するのではなく、約２００〜４００μｓ時に密度増加
勾配が一度ゆるやかになっている。これは先に述べた温
気流の影響があるものと考えられる。
加するのではなく、約２００〜４００μｓ時に密度増加
勾配が一度ゆるやかになっている。これは先に述べた温
気流の影響があるものと考えられる。
その後■、■の地点ともガス注入後７００μｓ以後はぼ
定常状態に達している。ガス導入路出口■のガス流速は
超音速流で約７５０ｍ／ｓから時間経過とともに減少す
る。一方、電極内壁部■のガス密度は時間経過してもほ
とんど増加しない。
定常状態に達している。ガス導入路出口■のガス流速は
超音速流で約７５０ｍ／ｓから時間経過とともに減少す
る。一方、電極内壁部■のガス密度は時間経過してもほ
とんど増加しない。
ガス注入形方式は、気流ガス密度（またはガス圧力）の
半径方向分布を利用することで、気柱表面での放電破壊
を得ることである。第５図の圧力分布特性より、はぼ定
常気流に達している８００μｓ時、急激な圧力勾配を有
していることがわかる。
半径方向分布を利用することで、気柱表面での放電破壊
を得ることである。第５図の圧力分布特性より、はぼ定
常気流に達している８００μｓ時、急激な圧力勾配を有
していることがわかる。
このようにガス導入路８からガス注入を連続的に実施し
ても、ガス気柱の密度は一定時刻後に定常状態に達し、
安定な放電気柱を得ることができる。ただしこのことは
、放電容器等の構造等に左右されるので、最適化する必
要がある。長時間ガス連続注入時、放電容器内壁のガス
密度の上昇（例えば第４図■）は無視できないので、本
実施例の場合、排気パイプ１４より排気している。排気
速度はガス流量調整器１５による。
ても、ガス気柱の密度は一定時刻後に定常状態に達し、
安定な放電気柱を得ることができる。ただしこのことは
、放電容器等の構造等に左右されるので、最適化する必
要がある。長時間ガス連続注入時、放電容器内壁のガス
密度の上昇（例えば第４図■）は無視できないので、本
実施例の場合、排気パイプ１４より排気している。排気
速度はガス流量調整器１５による。
放電によるＺピンチにより第５図に示した円柱状のガス
気柱形状は一度破壊するが、約１〜１０ｍ５後に再現す
る。放電頻度を１ＯＨｚとすると、放電間隔はＬｏｏｍ
ｓであるので、実用上支障はない。このように本実施例
の場合、連続的にガスを注入しているので、１ＯＨｚ程
度の高頻度放電が可能になる効果を有する。なおウェハ
ーのハンドリング時間は数十秒あるので、この期間中、
開閉バルブ７を閉じることにより、注入ガスの節約及び
放電管内の初期化（真空化）ができるので、実施した方
がよい。
気柱形状は一度破壊するが、約１〜１０ｍ５後に再現す
る。放電頻度を１ＯＨｚとすると、放電間隔はＬｏｏｍ
ｓであるので、実用上支障はない。このように本実施例
の場合、連続的にガスを注入しているので、１ＯＨｚ程
度の高頻度放電が可能になる効果を有する。なおウェハ
ーのハンドリング時間は数十秒あるので、この期間中、
開閉バルブ７を閉じることにより、注入ガスの節約及び
放電管内の初期化（真空化）ができるので、実施した方
がよい。
第６図は本発明の他の実施例を示す縦断面図で、第１図
と同一構成要素は同じ符号で示し、説明は省略する。第
６図は、高電圧側電極５及び低電圧側電極４を真空容器
１７中に設置した場合であり、５ａは高電圧側電極５の
内部電極である６本実施例の場合、電極間の径方向の排
気口を低電圧側フランジ２中に設けた。また、高電圧側
電極５に直結のガス開閉バルブを省略し、ガス開閉バル
ブ１２によってその機能を兼ねている。本発明の実施例
の場合も第１図と同一効果を得ることができ、安定的に
Ｘ線放射を得られる。
と同一構成要素は同じ符号で示し、説明は省略する。第
６図は、高電圧側電極５及び低電圧側電極４を真空容器
１７中に設置した場合であり、５ａは高電圧側電極５の
内部電極である６本実施例の場合、電極間の径方向の排
気口を低電圧側フランジ２中に設けた。また、高電圧側
電極５に直結のガス開閉バルブを省略し、ガス開閉バル
ブ１２によってその機能を兼ねている。本発明の実施例
の場合も第１図と同一効果を得ることができ、安定的に
Ｘ線放射を得られる。
第７図は本発明のさらに他実施例を示す縦断面図で、そ
の構成は第６図とほぼ同様であるが、電極間半径方向の
ガス排気の方法が異なる。排気パイブ１４を低電圧側電
極４側に取り付け、真空容器１７用の排気管１８中にガ
ス流量調整器１５を設けた。本実施例の場合、排気パイ
プ１４のパイプ長さが短くでき、排気効率が上がるとい
う効果もある。
の構成は第６図とほぼ同様であるが、電極間半径方向の
ガス排気の方法が異なる。排気パイブ１４を低電圧側電
極４側に取り付け、真空容器１７用の排気管１８中にガ
ス流量調整器１５を設けた。本実施例の場合、排気パイ
プ１４のパイプ長さが短くでき、排気効率が上がるとい
う効果もある。
なお、第６図、第７図の実施例とも、高電圧側電極５直
結のガス開閉バルブを省略したが、第１図と同様に設置
してもよい。
結のガス開閉バルブを省略したが、第１図と同様に設置
してもよい。
以上説明したように、本発明によれば、ガス注入形のＸ
線発生装置において、連続パルス放電時、電極間にガス
を注入する開閉バルブを開放状態のままとし、連続的に
ガスを供給し、放電容器を真空排気する排気路と別に電
極間隙部の半径方向のガス流を真空排気する排気路を設
けたので、常時電極間に安定な円柱状の放電気柱が得ら
れ、このため、毎放電前の電極間ガス気柱の再現性が高
く。
線発生装置において、連続パルス放電時、電極間にガス
を注入する開閉バルブを開放状態のままとし、連続的に
ガスを供給し、放電容器を真空排気する排気路と別に電
極間隙部の半径方向のガス流を真空排気する排気路を設
けたので、常時電極間に安定な円柱状の放電気柱が得ら
れ、このため、毎放電前の電極間ガス気柱の再現性が高
く。
安定なＸ線輝度の放射を得ることができるという効果が
ある。
ある。
第１図は本発明のＸ線発生装置の一実施例を示す縦断面
図、第２図は第１図の放電電極部分の詳細の一実施例を
示す縦断面図、第３図はガス流の流速ベクトル図、第４
図はガス密度の時間変化を示す線図、第５図はガス圧力
の径方向分布を示す線図、第６図、第７図はそれぞれ本
発明の他の実施例を示す縦断面図である。 ４・・・低電圧側電極、５・・・高電圧側電極、５ａ・
・・内部電極、７・・・ガス開閉バルブ、８・・・ガス
導入路、１１・・・ガス流量調整器、１２・・・ガス開
閉バルブ、１４・・・絶縁物性排気パイプ、１５・・・
ガス流量調整器、１６・・・排気管、１７・・・真空容
器、１８・・・排気管、１９・・・Ｘ線透過窓、２１・
・・充電装置、２２・・・コンデンサ、２３・・・放電
スイッチ。
図、第２図は第１図の放電電極部分の詳細の一実施例を
示す縦断面図、第３図はガス流の流速ベクトル図、第４
図はガス密度の時間変化を示す線図、第５図はガス圧力
の径方向分布を示す線図、第６図、第７図はそれぞれ本
発明の他の実施例を示す縦断面図である。 ４・・・低電圧側電極、５・・・高電圧側電極、５ａ・
・・内部電極、７・・・ガス開閉バルブ、８・・・ガス
導入路、１１・・・ガス流量調整器、１２・・・ガス開
閉バルブ、１４・・・絶縁物性排気パイプ、１５・・・
ガス流量調整器、１６・・・排気管、１７・・・真空容
器、１８・・・排気管、１９・・・Ｘ線透過窓、２１・
・・充電装置、２２・・・コンデンサ、２３・・・放電
スイッチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、放電容器内に一対の電極が対向して設置され、一方
の電極は開閉バルブを介してガス供給部に結合され、前
記電極間に接続されたパルス電流電源を備えてなるＸ線
発生装置において、前記電極に連続放電のパルス電流印
加時、前記開閉バルブを開放状態のままにし、連続的に
ガスを供給する構成としたことを特徴とするＸ線発生装
置。 ２、放電容器内に一対の電極が対向して設置され、一方
の電極は開閉バルブを介してガス供給部に結合され、前
記電極間に接続されたパルス電流電源を備えてなるＸ線
発生装置において、前記電極に連続放電のパルス電流印
加時、前記開閉バルブを開放状態のままにし、連続的に
ガスを供給する構成とし、前記放電容器を真空排気する
排気路と別に前記対向電極間隙部の半径方向のガス流を
真空排気する排気路を設けた構成としたことを特徴とす
るＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62289426A JP2572787B2 (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62289426A JP2572787B2 (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | Ｘ線発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132099A true JPH01132099A (ja) | 1989-05-24 |
| JP2572787B2 JP2572787B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=17743092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62289426A Expired - Lifetime JP2572787B2 (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572787B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004172626A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Asml Holding Nv | リソグラフィー装置中の主要室ガスから光源ガスを分離する装置および方法 |
| JP2006294606A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Xtreme Technologies Gmbh | プラズマ放射線源 |
| JP2007501997A (ja) * | 2003-08-07 | 2007-02-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 極紫外線及び軟ｘ線発生器 |
| USRE41362E1 (en) | 2000-07-03 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58174849U (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-22 | 富士通株式会社 | プラズマｘ線発生装置 |
| JPS61206142A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Hitachi Ltd | Ｘ線発生装置 |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP62289426A patent/JP2572787B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58174849U (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-22 | 富士通株式会社 | プラズマｘ線発生装置 |
| JPS61206142A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Hitachi Ltd | Ｘ線発生装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE41362E1 (en) | 2000-07-03 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| JP2004172626A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Asml Holding Nv | リソグラフィー装置中の主要室ガスから光源ガスを分離する装置および方法 |
| JP4516738B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2010-08-04 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | リソグラフィー装置中の主要室ガスから光源ガスを分離する装置および方法 |
| JP2007501997A (ja) * | 2003-08-07 | 2007-02-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 極紫外線及び軟ｘ線発生器 |
| JP4814093B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2011-11-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 極紫外線及び軟ｘ線発生器 |
| JP2006294606A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Xtreme Technologies Gmbh | プラズマ放射線源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2572787B2 (ja) | 1997-01-16 |
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