JP2007506545A - パルス化アーク放電および適用される磁場を使用するナノ粉末合成 - Google Patents
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Abstract
前駆体材料の電極間に形成される放電アークの近位において、パルス化磁場がこれらの前駆体材料の電極に適用され、ナノ粉末の収率の増加を達成するナノ粉末合成システム。コーティング前駆体材料の磁石インサートを使用して、ナノ粉末をコーティングし、それによってナノ粒子凝集を減少する。本発明は、一般的に、ナノ粉末合成プロセスに関し、より詳細には、適用される磁場を使用して、合成プロセスから得られるナノ粉末生産率を有意に増加させることに関する。
Description
(関連特許出願)
2003年6月5日に出願され、「Radial Pulsed Arc Discharge Gun For Synthesizing Nanopowders」と題され、Kurt SchroderおよびDoug Jacksonが発明者であり、本発明の譲受人に譲渡された、米国特許出願番号10/455,292号。
2003年6月5日に出願され、「Radial Pulsed Arc Discharge Gun For Synthesizing Nanopowders」と題され、Kurt SchroderおよびDoug Jacksonが発明者であり、本発明の譲受人に譲渡された、米国特許出願番号10/455,292号。
(発明の分野)
本発明は、一般的に、ナノ粉末合成プロセスに関し、より詳細には、適用される磁場を使用して、合成プロセスから得られるナノ粉末生産率を有意に増加させることに関する。
本発明は、一般的に、ナノ粉末合成プロセスに関し、より詳細には、適用される磁場を使用して、合成プロセスから得られるナノ粉末生産率を有意に増加させることに関する。
(発明の背景)
ナノ粉末を合成するためのプラズマに基づくシステムは、特許文献1;特許文献2;および特許文献3に開示されている。特許文献3に開示される軸方向電熱ガンの実施形態は、特許文献1および特許文献2のプラズマに基づく合成システムに対して改善を与える。特許文献3のシステムは、他のプラズマに基づく合成システムによって通常達成できないプラズマのより高い温度およびより高い密度を達成するために、軸方向電熱ガンと組み合わせた高出力のパルス化アーク放電を使用する。より高い温度およびより高い密度は、ナノ粉末のより高い生産率を提供する。
ナノ粉末を合成するためのプラズマに基づくシステムは、特許文献1;特許文献2;および特許文献3に開示されている。特許文献3に開示される軸方向電熱ガンの実施形態は、特許文献1および特許文献2のプラズマに基づく合成システムに対して改善を与える。特許文献3のシステムは、他のプラズマに基づく合成システムによって通常達成できないプラズマのより高い温度およびより高い密度を達成するために、軸方向電熱ガンと組み合わせた高出力のパルス化アーク放電を使用する。より高い温度およびより高い密度は、ナノ粉末のより高い生産率を提供する。
ナノ粉末生産におけるなおさらなる改善は、米国特許出願番号10/455,292号に開示されるナノ粉末合成システムによって提供される。この出願の図3を参照して、半径方向ガンの2つの指向可能な(indexable)電極は、実質的に軸方向に整列するが、気体雰囲気内で互いに対して対向して間隔を開けて配置され、高出力のパルス化放電電源に接続される。この電極は、パルス電源からの放電を維持するために作用する高温(50,000°Kのオーダー)、高密度の金属プラズマを形成するための電源の放電によって生成するエネルギーによってアブレーションされる前駆体材料から構成されている。このように生成したプラズマは、気体雰囲気によってクエンチされ、そして/または気体雰囲気と反応して、より均一かつより小さなサイズのナノ粒子から構成されるナノ粉末の高収率を達成する。さらに、このような改善は、他の公知の先行技術のシステムによって必要とされるエネルギーよりも少ないエネルギーの消費で実現される。
上記先行技術のシステムにおいて再発する問題は、アーク放電が、時々、電極の中心以外の場所で生じ得ることである。この場合、放電アークの抵抗が減少し、所定のアーク電流のためのアーク放電に付加するエネルギーが、より少なくなり得る。このように生成されたプラズマは、そうでない場合に達成し得るよりも、低い温度および/または低い密度のプラズマであり得る。結果として、生産率は、減少し、生産される材料は、不均一な品質である。
米国特許出願番号10/455,292号の図4は、上記半径方向ガンの複合電極の実施形態を開示し、ここで、この電極は、中空アブレーション本体内にそれぞれ配置され、複合電極を形成する。放電アークは、アノード電極およびカソード電極の縁部から発し得るが、放電アークがアノード電極およびカソード電極の中心から発した場合に得られ得る高温および高密度に近づくために複合電極の中心近くに残る。
米国特許第5,514,349号明細書
米国特許第5,874,684号明細書
米国特許第6,472,632号明細書
本発明において、放電アークが電極間に生成される時間の間に、高磁場を前駆体材料の電極に適用することによって、ナノ粉末の合成におけるさらなる改善がなされる。これにより、上記の先行技術のナノ粉末合成システムによって達成可能であるよりも高い生産収率が達成される。コーティング前駆体材料の磁石インサートを使用して、ナノ粉末粒子の凝集を減少させる場合、さらなる改善が得られる。
本発明の新規な局面および特徴が添付の特許請求の範囲において規定されているものの、本発明の原理、例示的実施形態、および好ましい使用の様式が、以下の図面とともに好ましい実施形態の詳細な説明を参照して、最も良く理解される。
(好ましい実施形態の詳細な説明)
以下の用語は、本明細書中において小文字または大文字のいずれかで使用される場合に、以下に与えられる定義を有する。
以下の用語は、本明細書中において小文字または大文字のいずれかで使用される場合に、以下に与えられる定義を有する。
「ナノ粉末」は、1〜500ナノメートル(nm)のサイズであるナノ粒子から主に構成されるナノ材料を意味する。
「アブレーション材料」は、プラズマ速度により引き起こされる熱移動および機械的剪断の組み合わせ効果に起因して、前駆体材料の本体から除去される材料を意味する。
「前駆体材料」は、ナノ粉末を生産するために処理される材料を意味する。
「コーティング前駆体材料」は、ナノ粉末上にコーティングを生じるように処理される材料を意味する。
「半径方向ガン(Radial Gun)」は、パルス化アーク放電が前駆体材料から構成される2つの対向する電極間で生じるデバイスを意味する。これらの電極は、気体雰囲気内において互いに対して実質的に軸方向に整列して対向している。用語「半径方向ガン」は、簡便さのみで使用されており、本発明の任意の制限を意味することを意味しない。
「高磁場」は、0.50テスラ以上の範囲の磁場を意味する。
「高出力」は、100kワット以上のオーダーの平均出力を意味する。
以下の本発明の説明において使用される同じ参照数字は、それらが1つより多くの図面で現れるか否かに関わらず、同じデバイスを示す。
図1を参照して、ナノ粉末合成システム20は、機械的支柱23aおよび23bによって反応容器21内で適所に保持されたソレノイド磁石22を有する反応チャンバ21を備えて示される。ソレノイド磁石22は、0.50〜5.0テスラの範囲の高磁場を提供するように設計されている。ソレノイド磁石が好ましい実施形態において参照されているものの、本発明で重要であることは、磁石の形状よりもむしろ、生成される磁場であることが理解される。
ソレノイド磁石22は、主にその主軸に沿って高磁場を生成する磁石である。磁場は、磁石に供給される電力を変えることによって変えられ得る。あるいは、巻きの数、または磁石の巻きの直径は、磁場を変えるために変更され得る。
前駆体材料から構成される2つの電極24aおよび24bは、気体シール25aおよび25bを通してスライド可能に挿入される。電極24aおよび24bは、軸方向に整列するが、対向する関係で間隔を空けて配置される。ソレノイド磁石22は、電極24aおよび24bと軸方向に整列し、電極間の隙間を部分的に覆うように電極の周りで均一に配置される。
ソレノイド磁石22は、Nazarath,PennsylvaniaのEverson Tesla Inc.およびLondon,United KingdomのCryogenics Limitedを含むカスタム設計の任意の多くの周知の製造業者から購入され得る。
ガス供給源26aおよび26bは、それぞれ、ガス導管27aおよび27b、ならびにガス弁28aおよび28bによって、ガス導管29へと反応ガスおよびクエンチングガスを供給する。次いで、ガス導管29は、反応チャンバ21の外側表面を通り延び、反応チャンバ21の外側表面と気体密な関係である。
パルス電源30の正端子は、導線31によってパルス形成回路網32の第1の端子に接続され、このパルス形成回路網32の第2の端子は、反応チャンバ21に対して外部である電極24aの端部に導線33によって接続される。電源30の負端子は、反応チャンバ21に対して外部である電極24bの端部に導線34によって接続される。
充電電源35の出力端子は、パルス電源30の入力端子に導線36aおよび36bによって接続される。
パルス電源37の正端子および負端子は、それぞれ、導線38aおよび38bによってソレノイド磁石22の電極に接続される。パルス電源37の入力端子は、それぞれ、導線39aおよび39bによって充電電源40の出力端子に接続される。
図1の主パルス電源30は、それぞれ120,000キロアンペア(kA)および10キロボルト(kV)のピーク電流およびピーク電圧で、250キロジュール(kJ)までのエネルギーを供給し得る。パルス電源37は、それぞれ、30,000キロアンペアおよび2キロボルトのピーク電流およびピーク電圧で、30キロジュール(kJ)までのエネルギーを供給し得る。電源は、Manassas,VirginiaのUtron,Inc.、およびSan Diego,CaliforniaのMaxwell Technologiesのような任意の多くの周知の製造業者によって商業的に提供される、任意の複数の周知の設計(生産される材料および材料のサイズに依存して変わり得る)であり得る。
パルス電源30のトリガー入力端子は、光ファイバーケーブル41によって、タイミング制御システム42の第1の出力端子に接続され、このタイミング制御システム42の第2の出力端子は、光ファイバーケーブル43によって、パルス電源37のトリガー入力端子に接続されている。
ブロワー44の取り込みポートは、導管45に接続され、この導管45は、収集容器47内に配置されたフィルター46の出力につながっている。ブロワー44の出力ポートは、導管48に接続され、この導管48は、反応チャンバ21の取り込みポート49につながっている。反応チャンバ21の出力ポート50は、導管51に接続され、この導管51は、収集容器47の入力ポートにつながっている。
収集容器47の円錐形状の底は、単離弁52に対して中へとテーパー状になっており、この単離弁52は、濾過されたナノ粉末粒子を収集するために収集ジャー53に接続されている。
操作において、1つ以上のガス弁28aおよび28bがそれぞれ開いて、所望量のガス供給源26aからの反応ガスおよびガス供給源26bからのクエンチングガスが、反応チャンバ21に入り得る。ガスは、反応チャンバ21、導管51、収集容器47、導管45、および導管48を含む閉ループシステムにおいてブロワー44によって再循環する。充電電源35および40は、パルス電源30および37をそれぞれ充電するために電圧が与えられる。タイミング制御システム42は、パルス化高磁場の存在下で電極24aと電極24bとの間に高出力のパルス化放電アークを生じることを確実にするタイミングの関係でパルス電源30およびパルス電源37をトリガーするように作動する。電極24aおよび24bのアブレーションによって生成される対応するパルスプラズマは、ガスと反応/ガスでクエンチしてナノ粉末を形成する。次いで、ナノ粉末は、反応チャンバ21から導管51を通って、収集容器47内へ流れる。フィルター46は、ナノ粉末を濾過するように作動して、このナノ粉末は、次いで、収集ジャー53に収集される。
タイミング制御システム42は、パルス電源30および37がトリガーされる前に、完全に充電されるように設定される。パルス電源30および37に対するトリガーパルスのタイミングが、ナノ粉末生産率に直接影響することが見出されている。図2を参照して、パルス電源30および37の放電電流のトレースが、時間の関数として示される。図2は、パルス電源30を放電する前に、図1のソレノイド磁石22に対してパルス電源37を放電するための好ましいタイミングの順序を示す。図2の時間t0で放電されるパルス電源37において、放電電流60が生じ、これは、時間t1の頂点61でピークである。その後、時間t2で、図1のパルス電源30は、電極24aおよび24bを横切って放電し、図2の電流62を生成する。生産率における改善が、上記タイミングの順序が変更された(例えば、両方の電源が同時に放電されるか、または図1のパルス電源37がパルス電源30の前に放電する)場合でさえ生じるが、最も高い生産率は、2つのパルス電源の放電電流のピークがほぼ同時に生じる場合に生じる。
図2が磁石および電極電流のトレースについての特定の形状を示すものの、パルス電源放電のタイミングが制御されることが理解される。パルス化磁石について、次いで、タイミングは、パルス電源30の放電の間の磁場の強度に影響する。あるいは、パルスの形状は、磁場を変化させるように変更され得る。
図1の説明を続けて、一旦、磁石パルス電源37がタイミング制御システム42によってトリガーされて、ソレノイド磁石22にエネルギーを与えると、タイミング制御システム42は、パルス電源30をトリガーして、電極24aと電極24bとの間に高出力のパルス化電気アーク放電アークをもたらす。放電アークからのエネルギーは、2つの電極からの材料を融解し、蒸発させ、そしてイオン化して、金属プラズマを生成し、これは、パルス電源30からの放電を維持し続ける。プラズマが膨張する場合、反応チャンバ21内のガスでクエンチし、そして/またはガスと反応させて、ナノ粉末を形成する。ナノ粉末は、ブロワー44によって、反応チャンバ21から導管51内へと押しやられる。その後、ナノ粉末は、参照番号54によって示されるように、収集ジャー53の底に収集される。
図3を参照して、図1の磁石22の設計は、エポキシ材料71内に配置されるソレノイド巻線70から構成されるとしてより詳細に示されている。図3のソレノイド巻線70は、コア72の周りに絶縁ワイヤまたはチュービング(能動的冷却が所望の場合)の連続的長さを巻いて、電圧が与えられた場合に所望の磁場を生じる重複コイルの列を形成することによって形成される。エポキシ材料71は、ソレノイド巻線70に機械的強度を提供し、図1の反応チャンバ21内での磁石の取り付けをより簡単にし、ソレノイド巻線のさらなる絶縁を提供して、高電圧破壊の可能性を最小化する。図3に示される好ましい実施形態において、磁石22の外側直径73は、ほぼ12インチであり、磁石の内側直径74は、ほぼ6インチである。
磁石22によって生じる磁場の強度は、磁石設計分野において周知の等式から決定され得、巻線の数および形状、入力電流、ならびに巻線と磁場が測定される点との間の任意の物体の透磁率の関数である。磁性がパルス状である場合、周りの構造の電気伝導性はまた、磁場に影響する。磁場22は、図3の取り付けブラケット75によって図1の反応チャンバ21内に支持される。取り付けブラケットは、製造プロセスの間に磁石22内に成型され、図1の機械的支柱23aおよび23bにそれぞれ磁石をボルトで締めるための穴75aおよび75bを備える。図3のソレノイド巻線70を形成する絶縁ワイヤの端部は、出力リード線38aおよび38bとして役立ち、これらは、図1のパルス電源37に接続されている。
図3の置換可能なインサート77は、コア72内に配置されて、磁石の構造的一体性を保護し、そしてパルス電源30が電極24aおよび24bを横切って放電される場合に生じるプラズマによって引き起こされる損傷から、コアを保護する。インサート77がナノ粉末をコーティングするために前駆体材料としてポリカーボネートまたはポリエチレンから構成される場合、プラズマによるインサートの侵食は、生産されるナノ粉末中のナノ粒子の凝集を減少させることが見出された。さらに、グラファイトのような他の材料から構成されるインサートを用いて行われた場合よりも小さなナノ粒子サイズが達成可能であることが見出された。さらに、このようなコーティング前駆体材料は、インサート77以外の手段によって導入され得る。例えば、ロッドフィーダーが、コーティング前駆体材料を導入するために使用され得る。
図4は、導体、絶縁体、または半導体であり得る中心トロイド形状インサート77を示す磁石22の側面図である。インサート77は、先に記載したように、磁石の一体性を保護するために作用するだけではなく、図1の電極24aおよび24bのアブレーションから生じるプラズマの膨張の方向を制御するようにも作用する。すなわち、インサート77の45°のテーパー状の縁部は、プラズマの膨張のプロフィールを制御するのを補助する。図4のインサート77が他の形状を有し得ることが理解されるべきである。
銀ナノ粉末を生産するための実際の試験の実行において、0.25インチの直径を有する銀の電極が使用された。図1のパルス電源30は、5.3kVおよび42kJ、0.74msのパルス長で作動した。磁石22は、5.8インチの直径で始まる6つの巻線の4つの列から構成された。巻線自体は、必要に応じて冷却する水を収容するための3/8インチの銅チュービングから構成され、3.4インチ幅にわたって均一に配置された。
巻線を5.2インチの内側直径、11インチの外側直径、および3.4インチの幅を有するエポキシ体中に成型した。
図3の置換可能なインサート77は、ポリカーボネートから構成され、5.16インチの外側直径を有し、これは、図3に示されるように、磁石22の内側直径74内で、約2インチの内側直径および45°のテーパー状縁部に適合する。図1のパルス電源37は、1650ボルトに充電される28.8ミリファラドのコンデンサーバンクを使用し、そしてパルス電源30の放電の3.3ms前に放電された。試験間でパルス電源37の充電レベルを変えることによって、パルス電源37の充電レベル、従って磁場の強度が高ければ高いほど、電極アブレーション率およびナノ粉末収率が高くなることが見出された。さらに、ポリカーボネートまたはポリエチレンから作製された置換可能なインサート77を用いると、ナノ粒子サイズおよび凝集の実質的な減少が見出された。グラファイトの置換可能なインサートを使用した場合、かなり悪い結果が得られた。
図5および図6は、パルス電源37の異なる放電レベル、続いて、3.3msの一定の遅延後のパルス電源30の放電での上記試験の結果を示す。これらの図は、図1のパルス電源37の充電レベルの増加とともに、電極アブレーション率の増加、およびナノ粉末収率の増加(約100%)を示す。
図7および8は、グラファイト磁石インサートと比較した、ポリカーボネート磁石インサートで生じる粒子凝集の差を図的に示す。より詳細には、実際の試験において、電極は、0.25インチの直径の銀の電極であった。主パルス電源30を、5.3kV、42kJおよび0.74msのパルス長に設定した。電極のアブレーション率は、ポリカーボネート磁石インサートまたはグラファイト磁石インサートのいずれとも匹敵した。さらに、ポリカーボネートインサートは、グラファイトインサートと比較して、ナノ粉末収率においてより高い改善を示した。しかし、図7に示されたようなポリカーボネートインサートの使用で生じる粒子凝集は、図8に示されるようなグラファイトインサートの使用で生じる粒子凝集よりもかなり低かった。さらに、上記と同じ生産条件下で、ナノ粉末の粒子サイズ(BETにより測定される)は、グラファイトインサートの使用と比較して、ポリカーボネートインサートの使用でより有意に小さくなった。
本発明の二磁石実施形態が図9に示され、ここで、図1において先に使用された参照数字は、類似のデバイスを示す。図9を参照して、導線80は、パルス電源37の正の出力およびソレノイド磁石81の正端子に接続される。ソレノイド磁石81は、電極24aと電極24bとの間の隙間近くであるが重ならないで、電極24aの周りで囲まれる。同様に、ソレノイド磁石82は、電極24aと電極24bとの間の隙間近くであるが重ならないで、電極24bの周りで囲まれる。これにより、電極24aと電極24bとの間の隙間は、電極24aおよび24bのアブレーションによって生成されるプラズマのための出口経路を維持するように制限されない。
導線83は、パルス電源37の負出力およびソレノイド磁石82の負端子に接続されている。導線87は、ソレノイド磁石81の正端子をソレノイド磁石82の負端子に接続し、これによって、ソレノイド磁石を直列で(in series)接続する。次いで、ソレノイド磁石81および82は、機械的支柱84および85(反応チャンバ21の内部表面に物理的に接続される)によって、そしてアルミニウムスペーサー86aおよび86b(磁石間の空間を維持し、そして磁石の主軸の整列を維持する)によって適所に保持される。
図9に示される本発明の実施形態の操作は、図1の実施形態の操作とほとんど同一である。タイミング制御システム42によってトリガーされるパルス電源37において、パルス電源37によって生じる放電電流が孤立磁石ではなく、2つのソレノイド磁石81および82に適用される点が例外である。放電電流の極性、および2つのソレノイド磁石81および82の巻線の具合によって、2つの磁石によって生じる磁場が、図1の単一磁石の実施形態によって達成されるもの比較して、ナノ粉末収率およびナノ粒子凝集の減少に対して相加的であることが確実にされる。
図10は、図9のソレノイド磁石81および82のうちの1つの好ましい実施形態の断面を示す。図10を参照して、磁石は、磁石の巻線を作製するためにワイヤ91が巻かれている非伝導性スプール90から構成される。図10に示されるように、この巻線は、8個の巻線の4つの列から構成され、ワイヤ91がエポキシマトリクス92内に含まれる。エポキシマトリクスは、巻線の電気絶縁性および機械的支持を提供する。電気リード線93および94は、それぞれ、ワイヤ91の対向する端部から経路95および96を通って延びる。電気リード線93および94は、パルス電源または別の磁石に接続され得る。
置換可能なシールド97は、図9の電極24aと24bとの間の隙間近くで磁石に面して配置される。図10を参照して、磁石の一体性を保護する置換可能なシールド97は、ネジ98および99によって磁石面に取り付けられる。代表的に、置換可能なシールドは、ポリカーボネート材料から構成され、これは、合成プロセスの間、ナノ粉末をコーティングし、それによって、ナノ粒子凝集を減少させる。
図10に示されるように、磁石の好ましい実施形態の外側直径は、5.25インチであり、一方、スプールの内側直径は、2.25インチである。さらに、スプールの外側幅は、4.37インチであり、一方、内側幅は、3.25インチである。置換可能なシールド97およびスプール90を通る円筒形中心経路100の直径は、0.53インチである。
図1に示されるような本発明の孤立ソレノイド磁石、または図9に示されるような二ソレノイド磁石の実施形態の代わりに、一般的に入手可能な永久磁石、または超電導磁石(例えば、London,United KingdomのCryogenics Limitedによってカスタム設計の仕様で製造され、商業的に販売されているもの)のような他の形態の磁石が、比較の結果とともに使用され得ることが理解されるべきである。
本発明の好ましい実施形態が詳細に記載されているが、特許請求の範囲に規定されるような本発明の精神および範囲から逸脱することなく、種々の置換、改変および変更がなされ得る。例として、本発明に従う磁場の使用が、パルス化プラズマシステムの半径方向ガンの形態とともに示され、記載されているが、本発明はまた、他のプラズマに基づくシステムに適用可能である。ナノ粉末を合成するための移動アークシステム(プラズマトーチおよび単一前駆体材部材を含む)において、磁場は、プラズマ相互作用の領域の近位における前駆体部材の周りに適用され、前駆体材料の除去率、従ってナノ粉末収収率を増加し得る。同様に、増加した収率は、プラズマが前駆体材料と相互作用する領域の近くに磁場を適用することによってナノ粉末を合成するためのマイクロ波システムにおいて達成され得る。
上記の好ましい実施形態がプラズマと相互作用し得る前駆体コーティング材料を提供し得るインサートを含むソレノイド磁石を示すものの、プラズマと相互作用するための前駆体コーティング材料を供給するために独立した供給源を使用することによって、インサート無しで同じ結果が得られ得ることが理解されるべきである。
上記記載は、好ましい例としてなされ、添付の特許請求の範囲によって規定されるような本発明の範囲を制限するとはみなされるべきではない。
Claims (26)
- ナノ粉末合成システムにおいてナノ粉末の生産率を実質的に増加するための方法であって、該方法が、以下の工程:
前駆体材料の少なくとも1つの部材を気体雰囲気中に浸す工程;
該少なくとも1つの部材とのプラズマ相互作用の領域において、高磁場を該前駆体材料に適用する工程;および
該少なくとも1つの部材および該気体雰囲気と相互作用するプラズマを形成して、該ナノ粉末を生産する工程、
を包含する、方法。 - ナノ粉末合成システムにおいてナノ粉末の生産率を実質的に増加するための方法であって、該方法が、以下の工程:
実質的に軸が整列しているが、対向した関係で間隔を開けて配置されている、前駆体材料の一対のアブレーション電極を、気体雰囲気中に浸す工程;
該一対のアブレーション電極とのプラズマ相互作用の領域の近位にある該一対のアブレーション電極に、高磁場を適用する工程;および
該一対のアブレーション電極間に高出力のパルス化放電アークを形成して、該気体雰囲気と相互作用するプラズマを生成し、該ナノ粉末を生産する工程、
を包含する、方法。 - 請求項2に記載の方法であって、前記高出力のパルス化放電アークを形成する工程が、前記高磁場を適用する工程から一定時間遅れて行われ、該一定時間の遅れが、該高出力のパルス化放電アークが形成されるときに該高磁場が存在することを確実にするような一定時間の遅れである、方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記高磁場を適用する工程が、前記高出力のパルス化放電アークを形成する工程と同時に開始する、方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記高磁場および前記プラズマがパルスである、方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記気体雰囲気が、クエンチングガスおよび反応ガスのうちの少なくとも1つから構成されている、方法。
- 増加した収率でナノ粉末を合成するためのシステムであって、該システムが以下:
気体雰囲気中に浸された、前駆体材料の少なくとも1つの部材;
該少なくとも1つの部材とプラズマとの相互作用の領域の近位の該少なくとも1つの部材に、高磁場を適用するための手段;および
該高磁場の存在下で該プラズマを生成して該ナノ粒子を生産するための、該少なくとも1つの部材および該高磁場を適用するための手段と電気的に接続している出力手段、
を備える、システム。 - ナノ粉末合成システムにおいてナノ粉末の凝集を減少させながら、ナノ粒子の生産率を実質的に増加させるための方法であって、該方法が、以下の工程:
気体雰囲気中にナノ粉末前駆体材料の少なくとも1つの部材を浸す工程;
該ナノ粉末をコーティングするためのコーティング前駆体材料を該気体雰囲気中に供給する工程;
該少なくとも1つの部材とのプラズマ相互作用の領域において、該少なくとも1つの部材に高磁場を適用する工程;および
高出力のパルス化放電アークを該少なくとも1つの部材に適用して、該気体雰囲気と相互作用するプラズマを生成し、該ナノ粉末を生産する工程、
を包含する、方法。 - 収率が増加し、ナノ粒子凝集が減少した、ナノ粉末を合成するためのシステムであって、該システムが、以下:
気体雰囲気中に浸されたナノ粉末前駆体材料の少なくとも1つの部材;
該少なくとも1つの部材とプラズマとの相互作用の領域の近位において該少なくとも1つの部材に高磁場を適用するための手段;
該高磁場の存在下で該プラズマを生成して該ナノ粒子を生産するための、該少なくとも1つの部材および該高磁場を適用するための手段と電気的に接続している出力手段;ならびに
コーティング前駆体材料を該ナノ粉末に適用してナノ粒子凝集を減少させるための手段、
を備える、システム。 - 増加した収率でナノ粉末を合成するためのシステムであって、該システムが、以下:
軸が整列しているが、対向した関係で間隔を開けて配置されている、前駆体材料の一対の電極;
該一対の電極の対向する先端を取り囲む高磁場を生成し、該一対の電極間の空間を部分的に覆うためのソレノイド磁石であって、該ソレノイド磁石の主軸が該一対の電極間と軸方向で整列している、ソレノイド磁石;
気体雰囲気中に該一対の電極間を浸すための手段;および
該ソレノイド磁石にエネルギーを与えて高磁場を生成し、該高磁場の存在下で該一対の電極間に高出力のパルス化放電アークを形成して該ナノ粉末を生産するためのプラズマを生成するための、該ソレノイド磁石および該一対の電極間と電気的に接続している、出力手段、
を備える、システム。 - 請求項10に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記ソレノイド磁石が最初にエネルギーを与えられ、一定時間の遅れの後に、前記高出力のパルス化放電アークが、前記一対の電極間に形成される、システム。
- 請求項10に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記高出力のパルス化放電アークが前記一対の電極間に形成されると同時に、前記ソレノイド磁石にエネルギーが与えられる、システム。
- 請求項10に記載のシステムであって、永久磁石および超伝導磁石のうちの1つが、前記ソレノイド磁石の代わりに使用される、システム。
- 請求項10に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記ソレノイド磁石が、直列して電気的に接続された2つの磁石によって置換されており、該2つの磁石の主軸が、該一対の電極と軸が整列しており、該2つの磁石が間隔を開けて配置されており、該2つの磁石のうちの第1のものが、前記空間から一定の距離で該一対の電極の第1のものを取り囲み、そして該2つの磁石のうちの第2のものが該空間から一定の距離で該一対の電極の第2のものを取り囲む、システム。
- 請求項14に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記2つの磁石のそれぞれが、前記空間に面する置換可能なシールドを備える、システム。
- 請求項10に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記ソレノイド磁石が、該ソレノイド磁石の構造的一体性を保護し、そして前記プラズマの膨張の方向を制御するための中心インサートを備える、システム。
- 請求項16に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記中心インサートが、アブレーション用であり、ポリカーボネートおよびポリエチレンのうちの1つから構成されている、システム。
- 収率が増加し、ナノ粒子凝集が減少した、ナノ粉末を合成するためのシステムであって、該システムが、以下:
プラズマを生成する際にアブレーションするための、前駆体材料の少なくとも1つの部材;
該少なくとも1つの部材と該プラズマとの相互作用に対して近位に高磁場を適用するための、該少なくとも1つの部材と軸方向に整列した主軸を有する、ソレノイド磁石;
反応ガス、クエンチングガスおよび該反応ガスおよび該クエンチングガスの組み合わせのうちの1つの気体雰囲気中に、該少なくとも1つの部材を浸すための手段;および
該高磁場および該プラズマを生成するための、該ソレノイド磁石および該少なくとも1つの部材と電気的に接続している、出力手段、
を備える、システム。 - ナノ粉末を合成するためのシステムであって、該システムが、以下:
気体雰囲気を有する反応チャンバ;
軸が整列しているが対向した関係で間隔を開けて配置されている、一対のアブレーション電極であって、該一対のアブレーション電極が、互いに指向可能であり、該反応チャンバと気体密な関係である、一対のアブレーション電極;
ソレノイド磁石であって、該ソレノイド磁石が、該一対のアブレーション電極と軸方向に整列した主軸を有し、そして該一対のアブレーション電極間の空間を部分的に覆いながら、該一対のアブレーション電極の対向する電極の先端を取り囲む、ソレノイド磁石;
高磁場を生成するために該ソレノイド磁石に電気的に接続された、第1のパルス電源システム;
該高磁場の存在下で、該一対のアブレーション電極間に高出力のパルス化放電アークを生成するための、該一対のアブレーション電極に電気的に接続された、第2のパルス電源システム;ならびに
該高磁場および該高出力のパルス化放電アークの発生のタイミングおよび順序を制御するための、該第1のパルス電源システムおよび該第2のパルス電源システムに電気的に接続された、タイミング制御システム、
を備える、システム。 - 請求項19に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記タイミング制御システムによって、前記高磁場および前記高出力のパルス化放電アークが、同時に開始する、システム。
- 請求項19に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記タイミング制御システムによって、前記高出力のパルス化放電アークが、前記高磁場が開始した後、一定時間遅れて開始する、システム。
- 請求項16に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記中心インサートが、アブレーション用であり、プラスチックおよびポリマーのうちの1つから構成されている、システム。
- 請求項19に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記気体雰囲気が、クエンチングガスおよび反応ガスのうちの1つから構成されている、システム。
- 請求項19に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記気体雰囲気が、クエンチングガスおよび反応ガスの組み合わせから構成されている、システム。
- 請求項19に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記ソレノイド磁石が、前記高出力のパルス化放電アークにより生成されるプラズマから該ソレノイド磁石の内側直径表面を保護するためのインサートを備える、システム。
- 請求項25に記載のナノ粉末を合成するためのシステムであって、前記インサートが、導体、絶縁体、および半導体のうちの1つであり、凝集を減少させるためのコーティングナノ粒子のためのコーティング前駆体材料から構成されている、システム。
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