JP2572787B2 - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
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- JP2572787B2 JP2572787B2 JP62289426A JP28942687A JP2572787B2 JP 2572787 B2 JP2572787 B2 JP 2572787B2 JP 62289426 A JP62289426 A JP 62289426A JP 28942687 A JP28942687 A JP 28942687A JP 2572787 B2 JP2572787 B2 JP 2572787B2
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- Japan
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- gas
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- evacuating
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＸ線発生装置に係り、特に大規模集積回路製
造に用いるＸ線リゾグラフイ装置用として好適なＸ線発
生装置に関するものである。
造に用いるＸ線リゾグラフイ装置用として好適なＸ線発
生装置に関するものである。
集積回路製造過程で重量なリゾグラフイ技術の一つと
してＸ線露光法があり、Ｘ線露光装置の軟Ｘ線発生源と
して対陰極形Ｘ線管，シンクロトロン放射光，高温プラ
ズマからのＸ線などがあるが、対陰極形Ｘ線管は輝度が
弱く、シンクロトロンはあまりにも設備が高価格になる
ため、プラズマＸ線源が有望視されている。
してＸ線露光法があり、Ｘ線露光装置の軟Ｘ線発生源と
して対陰極形Ｘ線管，シンクロトロン放射光，高温プラ
ズマからのＸ線などがあるが、対陰極形Ｘ線管は輝度が
弱く、シンクロトロンはあまりにも設備が高価格になる
ため、プラズマＸ線源が有望視されている。
プラズマＸ線源としては、ガス注入式のものが特開昭
60−175351号公報で提案されている。この方式は、真空
容器の特定の稀ガスを放出してガス気柱を形成し、そこ
に数100kAピーク程度（立ち上り時間１μオーダ）のパ
ルス放電を起こし、Ｚピンチ現像を生じさせ、所望の波
長のＸ線を取り出そうとするものである。このＺピンチ
現象では、プラズマが非常に高温，高密度になるので、
プラズマ中の稀ガス原子のＫ殻やＬ殻の電子が叩き出さ
れ、その空孔にその外殻の電子が落ち込む現象が生じ
る。このとき、特性Ｘ線が放出される。このＸ線は透過
窓を通して取り出され、所望のシリコンウエハ等を露光
するのに使用される。
60−175351号公報で提案されている。この方式は、真空
容器の特定の稀ガスを放出してガス気柱を形成し、そこ
に数100kAピーク程度（立ち上り時間１μオーダ）のパ
ルス放電を起こし、Ｚピンチ現像を生じさせ、所望の波
長のＸ線を取り出そうとするものである。このＺピンチ
現象では、プラズマが非常に高温，高密度になるので、
プラズマ中の稀ガス原子のＫ殻やＬ殻の電子が叩き出さ
れ、その空孔にその外殻の電子が落ち込む現象が生じ
る。このとき、特性Ｘ線が放出される。このＸ線は透過
窓を通して取り出され、所望のシリコンウエハ等を露光
するのに使用される。
上記従来技術は、ガス気柱形成に用いる開閉バルブの
点で配慮されておらず、バルブの寿命及びガス気柱の安
定性に問題があつた。すなわち、電極間にガス気柱を形
成する際、ガス塊が拡散して拡がらない時間内に放電に
適するガス密度が得られるようにする必要があつた。こ
のため、高速開閉ガスバルブを用いて間欠的にガスを注
入し、高繰り返し（3Hz程度）の放電を行つている。し
かしながら、量産用のアライナを考えた場合、放電回数
は106回／月以上となる。例えば、４インチウエハを毎
時20枚（ステツプ及びリピート回数14）、一露光30シヨ
ツト（shots）のＸ線露光装置を10時間／日、20日／月
稼動すると、毎月の放電回数は1.68×106（＝30×14×2
0×10×20）に達する。この間の高速ガス開閉バルブの
開閉制度は現時点では保障されておらず、このため、毎
放電時間前のガス塊の形体にばらつきが生じ、Ｘ線の輝
度の安定性が得られないという問題があつた。
点で配慮されておらず、バルブの寿命及びガス気柱の安
定性に問題があつた。すなわち、電極間にガス気柱を形
成する際、ガス塊が拡散して拡がらない時間内に放電に
適するガス密度が得られるようにする必要があつた。こ
のため、高速開閉ガスバルブを用いて間欠的にガスを注
入し、高繰り返し（3Hz程度）の放電を行つている。し
かしながら、量産用のアライナを考えた場合、放電回数
は106回／月以上となる。例えば、４インチウエハを毎
時20枚（ステツプ及びリピート回数14）、一露光30シヨ
ツト（shots）のＸ線露光装置を10時間／日、20日／月
稼動すると、毎月の放電回数は1.68×106（＝30×14×2
0×10×20）に達する。この間の高速ガス開閉バルブの
開閉制度は現時点では保障されておらず、このため、毎
放電時間前のガス塊の形体にばらつきが生じ、Ｘ線の輝
度の安定性が得られないという問題があつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を除去
し、信頼性が高く、長寿命化できるガス注入形のＸ線発
生装置を提供することにある。
し、信頼性が高く、長寿命化できるガス注入形のＸ線発
生装置を提供することにある。
上記目的は、第一に、放電容器内に対向する一対の電
極を設け、一方の電極部を開閉バルブを介してガス供給
部と接続すると共に、前記電極間に接続されたパルス電
流電源と前記放電容器内を真空排気する排気路を備えて
なるＸ線発生装置において、 前記一方の電極を円筒状とし、前記開閉バルブを円形
状とし、当該円筒状電極の内側に前記円形状の開閉バル
ブを設け、前記一対の電極に連続パルス電流印加時、前
記開閉バルブを開放状態に保持し、前記円筒状の電極と
前記円形状の開閉バルブとの間隙からガスを連続して噴
出させるような構成とし達成するようにした。
極を設け、一方の電極部を開閉バルブを介してガス供給
部と接続すると共に、前記電極間に接続されたパルス電
流電源と前記放電容器内を真空排気する排気路を備えて
なるＸ線発生装置において、 前記一方の電極を円筒状とし、前記開閉バルブを円形
状とし、当該円筒状電極の内側に前記円形状の開閉バル
ブを設け、前記一対の電極に連続パルス電流印加時、前
記開閉バルブを開放状態に保持し、前記円筒状の電極と
前記円形状の開閉バルブとの間隙からガスを連続して噴
出させるような構成とし達成するようにした。
また、前記記載のＸ線発生装置において、 前記一対の電極を間隙部の半径方向のガス流を真空排
気する排気路を、前記放電容器内を真空排気する排気路
とは別に設けて達成するようにした。
気する排気路を、前記放電容器内を真空排気する排気路
とは別に設けて達成するようにした。
第二に、放電容器内に対向する一対の電極を設け、一
方の電極部を開閉バルブを介してガス供給部と接続する
と共に、前記電極間に接続されたパルス電流電源と前記
放電容器内を真空排気する排気路を備えてなるＸ線発生
装置において、 前記一方の電極を、外部電極部と内部電極部とからな
る二重円筒状とし、前記一対の電極に連続パルス電流印
加時、前記開閉バルブを開放状態に保持し、当該二重円
筒状電極の間隙からガスを連続して噴出させるような構
成とし達成するようにした。
方の電極部を開閉バルブを介してガス供給部と接続する
と共に、前記電極間に接続されたパルス電流電源と前記
放電容器内を真空排気する排気路を備えてなるＸ線発生
装置において、 前記一方の電極を、外部電極部と内部電極部とからな
る二重円筒状とし、前記一対の電極に連続パルス電流印
加時、前記開閉バルブを開放状態に保持し、当該二重円
筒状電極の間隙からガスを連続して噴出させるような構
成とし達成するようにした。
また、前記記載のＸ線発生装置において、 前記一対の電極の間隙部の半径方向のガス流を真空排
気する排気路と、前記放電容器内を真空排気する排気路
とは別に設けて達成するようにした。
気する排気路と、前記放電容器内を真空排気する排気路
とは別に設けて達成するようにした。
連続放電時、電極間にガスを注入する開閉バルブは開
放状態にしてあるため、開閉バルブの高速性は必要な
く、長時間安定に電極間にガスを供給できる。電極間の
ガス気柱形体は、ガス導入口の構造、放電容器構造及び
排気系によつて決定されるため、従来方式の高速開閉ガ
スバルブの多頻度にわたる応答安定性、寿命の点での問
題はなくなる。さらに円柱状気柱をガスジエツトで形成
するガス注入方式は、気柱ガス密度の半径方向分布を利
用することで気柱表面での放電破壊を得る。このときの
半径方向の密度勾配を連続ガス注入時に維持するため、
半径方向のガス流の真空排気を設けてある。
放状態にしてあるため、開閉バルブの高速性は必要な
く、長時間安定に電極間にガスを供給できる。電極間の
ガス気柱形体は、ガス導入口の構造、放電容器構造及び
排気系によつて決定されるため、従来方式の高速開閉ガ
スバルブの多頻度にわたる応答安定性、寿命の点での問
題はなくなる。さらに円柱状気柱をガスジエツトで形成
するガス注入方式は、気柱ガス密度の半径方向分布を利
用することで気柱表面での放電破壊を得る。このときの
半径方向の密度勾配を連続ガス注入時に維持するため、
半径方向のガス流の真空排気を設けてある。
以上のように、毎放電前の電極間ガス気柱の再現性が
高いため、安定なＸ線輝取の放射を得ることができる。
高いため、安定なＸ線輝取の放射を得ることができる。
以下本発明を第１図，第２図，第６図，第７図に示し
た実施例及び第３図〜第５図を用いて詳細に説明する。
た実施例及び第３図〜第５図を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明のＸ線発生装置の一実施例を示す縦断
面図である。第１図において、１は高電圧側フランジ、
２は低電圧側フランジ、３は絶縁物、４は低電圧側電
極、５は高電圧側電極、６はガスリザーバ、７はガス開
閉バルブ兼ガスノズル、８はガス導入路である。高電圧
側電極５は本実施例の場合、放電容器も兼ねている。ガ
スリザーバ６の一端には絶縁性ガスパイプ10、ガス流量
調整器11、ガス開閉バルブ12を介してガスタンク13が接
続されている。ガス開閉バルブ７の一方はガスリザーバ
６と摺動自在に接続され、絶縁物９を介して図示してい
ない操作機に接続されている。低電圧側フランジ２の下
方には真空容器17が接続され、Ｘ線透過窓19及び荷電粒
子除去器20が設けられている。真空排気は排気管18を介
して行われる。高電圧側電極５の一端は、絶縁物性排気
パイプ14、ガス流量調整器15、排気管16を介して排気管
18に接続されている。パルス大電流源は充電装置21,コ
ンデンサ22,放電スイッチ23より構成され、高電圧側フ
ランジ1,低電圧側フランジ２に接続されている。
面図である。第１図において、１は高電圧側フランジ、
２は低電圧側フランジ、３は絶縁物、４は低電圧側電
極、５は高電圧側電極、６はガスリザーバ、７はガス開
閉バルブ兼ガスノズル、８はガス導入路である。高電圧
側電極５は本実施例の場合、放電容器も兼ねている。ガ
スリザーバ６の一端には絶縁性ガスパイプ10、ガス流量
調整器11、ガス開閉バルブ12を介してガスタンク13が接
続されている。ガス開閉バルブ７の一方はガスリザーバ
６と摺動自在に接続され、絶縁物９を介して図示してい
ない操作機に接続されている。低電圧側フランジ２の下
方には真空容器17が接続され、Ｘ線透過窓19及び荷電粒
子除去器20が設けられている。真空排気は排気管18を介
して行われる。高電圧側電極５の一端は、絶縁物性排気
パイプ14、ガス流量調整器15、排気管16を介して排気管
18に接続されている。パルス大電流源は充電装置21,コ
ンデンサ22,放電スイッチ23より構成され、高電圧側フ
ランジ1,低電圧側フランジ２に接続されている。
Ｘ線発生にあたつては、ガス開閉バルブ７を開放し、
ガスリザーバ６内のガスをガス導入路８から注入する。
高電圧側電５から超音速流のガスが噴出し、定常状態の
気流状態になつた後、コンデンサ22に充電された電荷を
放電スイツチ23を介して印加する。コンデンサ22からパ
ルス大電流が供給され、高電圧側電極５と低電圧側電極
４との間隙内でＺピンチし、高温，高密度プラズマ24を
形成し、このプラズマ24中より注入ガスの特性Ｘ線25を
発生させる。
ガスリザーバ６内のガスをガス導入路８から注入する。
高電圧側電５から超音速流のガスが噴出し、定常状態の
気流状態になつた後、コンデンサ22に充電された電荷を
放電スイツチ23を介して印加する。コンデンサ22からパ
ルス大電流が供給され、高電圧側電極５と低電圧側電極
４との間隙内でＺピンチし、高温，高密度プラズマ24を
形成し、このプラズマ24中より注入ガスの特性Ｘ線25を
発生させる。
ここで問題となるのは、連続的にガスを注入した場
合、一定のガス密度の半径方向に密度（あるいは圧力）
の勾配のある円柱状気柱が形成できるかがポイントとな
る。本発明の実施例ではこの点について考慮している。
第２図に放電電極部分の詳細図を示す。第２図の中心軸
の図面上部のガス気流の流速ベクトルを第３図に示す。
計算法はフロイド・イン・セル（Fluid in Cell）法を
用いており、軸対称流のモデルで過度的な流速，圧力，
密度，温度等の分布を計算できる。第３図は、Neガスを
対象とし、リザーバ圧力1atm,ガス開閉バルブ７動作後1
200μｓ時の状態である。ガス流は高電圧側電極５の電
路５′の内壁と中心部を通る渦気流を生じていることが
わかる。第３図の電極間各部の密度時間変化を第４図
に、圧力時間変化を第５図に示す。第４図には主要な点
のガス密度時間変化を示し、ガス導入路出口，中心軸
部，電極内壁部の３箇所を示した。ガス導入路出口
のガス密度は時間経過とともに単調増加するのではな
く、約200〜400μｓ時に密度増加勾配が一度ゆるやかに
なつている。これは先に述べた渦気流の影響があるもの
と考えられる。その後，の地点ともガス注入後700
μｓ以後ほぼ定常状態に達している。ガス導入路出口
のガス流速は超音速流で約750m/sから時間経過するとと
もに減少する。一方、電極内壁部のガス密度は時間経
過してもほとんど増加しない。
合、一定のガス密度の半径方向に密度（あるいは圧力）
の勾配のある円柱状気柱が形成できるかがポイントとな
る。本発明の実施例ではこの点について考慮している。
第２図に放電電極部分の詳細図を示す。第２図の中心軸
の図面上部のガス気流の流速ベクトルを第３図に示す。
計算法はフロイド・イン・セル（Fluid in Cell）法を
用いており、軸対称流のモデルで過度的な流速，圧力，
密度，温度等の分布を計算できる。第３図は、Neガスを
対象とし、リザーバ圧力1atm,ガス開閉バルブ７動作後1
200μｓ時の状態である。ガス流は高電圧側電極５の電
路５′の内壁と中心部を通る渦気流を生じていることが
わかる。第３図の電極間各部の密度時間変化を第４図
に、圧力時間変化を第５図に示す。第４図には主要な点
のガス密度時間変化を示し、ガス導入路出口，中心軸
部，電極内壁部の３箇所を示した。ガス導入路出口
のガス密度は時間経過とともに単調増加するのではな
く、約200〜400μｓ時に密度増加勾配が一度ゆるやかに
なつている。これは先に述べた渦気流の影響があるもの
と考えられる。その後，の地点ともガス注入後700
μｓ以後ほぼ定常状態に達している。ガス導入路出口
のガス流速は超音速流で約750m/sから時間経過するとと
もに減少する。一方、電極内壁部のガス密度は時間経
過してもほとんど増加しない。
ガス注入形方式は、気流ガス密度（またはガス圧力）
の半径方向分布を利用することで、気柱表面での放電破
壊を得ることである。第５図の圧力分布特性より、ほぼ
定常気流に達している800μｓ時、急激な圧力勾配を有
していることがわかる。
の半径方向分布を利用することで、気柱表面での放電破
壊を得ることである。第５図の圧力分布特性より、ほぼ
定常気流に達している800μｓ時、急激な圧力勾配を有
していることがわかる。
このようにガス導入路８からガス注入を連続的に実施
しても、ガス気柱の密度は一定時刻後に定常状態に達
し、安定な放電気柱を得ることができる。ただしこのこ
とは、放電容器等の構造等に左右されるので、最適化す
る必要がある。長時間ガス連続注入時、放電容器内壁の
ガス密度の上昇（例えば第４図）は無視できないの
で、本実施例の場合、排気パイプ14より排気している。
排気速度はガス流量調整器15による。
しても、ガス気柱の密度は一定時刻後に定常状態に達
し、安定な放電気柱を得ることができる。ただしこのこ
とは、放電容器等の構造等に左右されるので、最適化す
る必要がある。長時間ガス連続注入時、放電容器内壁の
ガス密度の上昇（例えば第４図）は無視できないの
で、本実施例の場合、排気パイプ14より排気している。
排気速度はガス流量調整器15による。
放電によるＺピンチにより第５図に示した円柱状のガ
ス気柱形状は一度破壊するが、約１〜10ms後に再現す
る。放電頻度を10Hzとすると、放電間隔は100msである
ので、実用上支障はない。このように本実施例の場合、
連続的にガスを注入しているので、10Hz程度の高頻度放
電が可能になる効果を有する。なおウエハーのハンドリ
ング時間は数十秒あるので、この期間中，開閉バルブ７
を閉じることにより、注入ガスの節約及び放電管内の初
期化（真空化）ができるので、実施した方がよい。
ス気柱形状は一度破壊するが、約１〜10ms後に再現す
る。放電頻度を10Hzとすると、放電間隔は100msである
ので、実用上支障はない。このように本実施例の場合、
連続的にガスを注入しているので、10Hz程度の高頻度放
電が可能になる効果を有する。なおウエハーのハンドリ
ング時間は数十秒あるので、この期間中，開閉バルブ７
を閉じることにより、注入ガスの節約及び放電管内の初
期化（真空化）ができるので、実施した方がよい。
第６図は本発明の他の実施例を示す縦断面図で、第１
図と同一構成要素は同じ符号で示し、説明は省略する。
第６図は、高電圧側電極５及び低電圧側電極４を真空容
器17中に設置した場合であり、5aは高電圧側電極５の内
部電極である。本実施例の場合、電極間の径方向の排気
口を低電圧側フランジ２中に設けた。また、高電圧側電
極５に直結のガス開閉バルブを省略し、ガス開閉バルブ
12によつてその機能を兼ねている。本発明の実施例の場
合も第１図と同一効果を得ることができ、安定的にＸ線
放射を得られる。
図と同一構成要素は同じ符号で示し、説明は省略する。
第６図は、高電圧側電極５及び低電圧側電極４を真空容
器17中に設置した場合であり、5aは高電圧側電極５の内
部電極である。本実施例の場合、電極間の径方向の排気
口を低電圧側フランジ２中に設けた。また、高電圧側電
極５に直結のガス開閉バルブを省略し、ガス開閉バルブ
12によつてその機能を兼ねている。本発明の実施例の場
合も第１図と同一効果を得ることができ、安定的にＸ線
放射を得られる。
第７図は本発明のさらに他実施例を示す縦断面図で、
その構成は第６図とほぼ同様であるが、電極間半径方向
のガス排気の方法が異なる。排気パイプ14を低電圧側電
極４側に取り付け、真空容器17用の排気管18中にガス流
量調整器15を設けた。本実施例の場合、排気パイプ14の
パイプ長さが短くでき、排気効率が上がるという効果も
ある。
その構成は第６図とほぼ同様であるが、電極間半径方向
のガス排気の方法が異なる。排気パイプ14を低電圧側電
極４側に取り付け、真空容器17用の排気管18中にガス流
量調整器15を設けた。本実施例の場合、排気パイプ14の
パイプ長さが短くでき、排気効率が上がるという効果も
ある。
なお、第６図，第７図の実施例とも、高電圧側電極５
直結のガス開閉バルブを省略したが、第１図と同様に設
置してもよい。
直結のガス開閉バルブを省略したが、第１図と同様に設
置してもよい。
以上説明したように、本発明によれば、ガス注入形の
Ｘ線発生装置において、連続パルス放電時、電極間にガ
スを注入する開閉バルブを開放状態のままとし、連続的
にガスを供給し、放電容器を真空排気する排気路と別に
電極間隙部の半径方向のガス流を真空排気する排気路を
設けたので、常時電極間に安定な円柱状の放電気柱が得
られ、このため、毎放電前の電極間ガス気柱の再現性が
高く、安定なＸ線輝度の放射を得ることができるという
効果がある。
Ｘ線発生装置において、連続パルス放電時、電極間にガ
スを注入する開閉バルブを開放状態のままとし、連続的
にガスを供給し、放電容器を真空排気する排気路と別に
電極間隙部の半径方向のガス流を真空排気する排気路を
設けたので、常時電極間に安定な円柱状の放電気柱が得
られ、このため、毎放電前の電極間ガス気柱の再現性が
高く、安定なＸ線輝度の放射を得ることができるという
効果がある。
第１図は本発明のＸ線発生装置の一実施例を示す縦断面
図、第２図は第１図の放電電極部分の詳細の一実施例を
示す縦断面図、第３図はガス流の流速ベクトル図、第４
図はガス密度の時間変化を示す線図、第５図はガス圧力
の径方向分布を示す線図、第６図，第７図はそれぞれ本
発明の他の実施例を示す縦断面図である。 ４……低電圧側電極、５……高電圧側電極、5a……内部
電極、７……ガス開閉バルブ、８……ガス導入路、11…
…ガス流量調整器、12……ガス開閉バルブ、14……絶縁
物性排気パイプ、15……ガス流量調整器、16……排気
管、17……真空容器、18……排気管、19……Ｘ線透過
窓、21……充電装置、22……コンデンサ23……放電スイ
ツチ。
図、第２図は第１図の放電電極部分の詳細の一実施例を
示す縦断面図、第３図はガス流の流速ベクトル図、第４
図はガス密度の時間変化を示す線図、第５図はガス圧力
の径方向分布を示す線図、第６図，第７図はそれぞれ本
発明の他の実施例を示す縦断面図である。 ４……低電圧側電極、５……高電圧側電極、5a……内部
電極、７……ガス開閉バルブ、８……ガス導入路、11…
…ガス流量調整器、12……ガス開閉バルブ、14……絶縁
物性排気パイプ、15……ガス流量調整器、16……排気
管、17……真空容器、18……排気管、19……Ｘ線透過
窓、21……充電装置、22……コンデンサ23……放電スイ
ツチ。
Claims (4)
- 【請求項１】放電容器内に対向する一対の電極を設け、
一方の電極部を開閉バルブを介してガス供給部と接続す
ると共に、前記電極間に接続されたパルス電流電源と前
記放電容器内を真空排気する排気路を備えてなるＸ線発
生装置において、 前記一方の電極を円筒状とし、前記開閉バルブを円形状
とし、当該円筒状電極の内側に前記円形状の開閉バルブ
を設け、前記一対の電極に連続パルス電流印加時、前記
開閉バルブを開放状態に保持し、前記円筒状の電極と前
記円形状の開閉バルブとの間隙からガスを連続して噴出
させるように構成したことを特徴とするＸ線発生装置。 - 【請求項２】請求項１記載のＸ線発生装置において、 前記一対の電極の間隙部を半径方向のガス流を真空排気
する排気路を、前記放電容器内を真空排気する排気路と
は別に設けたことを特徴とするＸ線発生装置。 - 【請求項３】放電容器内に対向する一対の電極を設け、
一方の電極部を開閉バルブを介してガス供給部と接続す
ると共に、前記電極間に接続されたパルス電流電源と前
記放電容器内を真空排気する排気路を備えてなるＸ線発
生装置において、 前記一方の電極を、外部電極部と内部電極部とからなる
二重円筒状とし、前記一対の電極に連続パルス電流印加
時、前記開閉バルブを開放状態に保持し、当該二重円筒
状電極の間隙からガスを連続して噴出させるように構成
したことを特徴とするＸ線発生装置。 - 【請求項４】請求項３記載のＸ線発生装置において、 前記一対の電極の間隙部の半径方向のガス流を真空排気
する排気路と、前記放電容器内を真空排気する排気路と
は別に設けたことを特徴とするＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62289426A JP2572787B2 (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62289426A JP2572787B2 (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | Ｘ線発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132099A JPH01132099A (ja) | 1989-05-24 |
| JP2572787B2 true JP2572787B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=17743092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62289426A Expired - Lifetime JP2572787B2 (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2572787B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW518913B (en) | 2000-07-03 | 2003-01-21 | Asml Netherlands Bv | Radiation source, lithographic apparatus, and semiconductor device manufacturing method |
| US6770895B2 (en) * | 2002-11-21 | 2004-08-03 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for isolating light source gas from main chamber gas in a lithography tool |
| DE10336273A1 (de) * | 2003-08-07 | 2005-03-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Erzeugung von EUV- und weicher Röntgenstrahlung |
| JP2006294606A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Xtreme Technologies Gmbh | プラズマ放射線源 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58174849U (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-22 | 富士通株式会社 | プラズマｘ線発生装置 |
| JPS61206142A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Hitachi Ltd | Ｘ線発生装置 |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP62289426A patent/JP2572787B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01132099A (ja) | 1989-05-24 |
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