JP2002289585A - 中性粒子ビーム処理装置 - Google Patents

中性粒子ビーム処理装置

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JP2002289585A
JP2002289585A JP2001088898A JP2001088898A JP2002289585A JP 2002289585 A JP2002289585 A JP 2002289585A JP 2001088898 A JP2001088898 A JP 2001088898A JP 2001088898 A JP2001088898 A JP 2001088898A JP 2002289585 A JP2002289585 A JP 2002289585A
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neutralizing
gas
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Katsunori Ichiki
克則 一木
Kazuo Yamauchi
和雄 山内
Hirokuni Hiyama
浩国 桧山
Seiji Sagawa
誠二 寒川
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Ebara Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 安価且つコンパクトな構成で大口径のビーム
を被処理物に照射することができ、被処理物に損傷を与
えることなく、高精度のエッチング又は成膜等の加工を
行うことができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。 【解決手段】 処理ガスを真空チャンバ内に導入する処
理ガス導入口１１と、導入された前記処理ガスから正イ
オンと電子を生成するプラズマ生成室２と、プラズマ生
成室２で生成された電子が残留ガスに付着して負イオン
を生成する負イオン生成室３と、前記正イオンまたは負
イオンを引き出すと共に所定の方向に加速するイオン引
出手段４と、イオン引出手段４によって形成されたイオ
ンビームを中性化して中性粒子ビームを形成する中性化
手段５とを備え、中性化手段５によって形成された中性
粒子ビームを被処理物Ｘに照射する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、中性粒子ビーム処
理装置に係り、特に高密度プラズマから高密度の中性粒
子ビームを生成し、被処理物を加工する中性粒子ビーム
処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路、ハードディスク
等の情報記憶媒体、あるいはマイクロマシーン等の分野
において、その加工パターンが著しく微細化されてい
る。かかる分野の加工においては、直進性が高く（高指
向性であり）、且つ比較的大口径で高密度の中性粒子ビ
ーム又はイオンビーム等のエネルギービームを照射して
被処理物の成膜又はエッチングなどを施す技術が注目さ
れている。
【０００３】このようなエネルギービームのビーム源と
しては、正イオン、負イオン、中性粒子、ラジカル粒子
等の各種のビームを生成するものが知られている。この
ような正イオン、負イオン、中性粒子、ラジカル粒子等
のビームをビーム源から被処理物の任意の部位に照射す
ることで、被処理物の局所的な成膜やエッチング、表面
改質、接合、接着などを行うことができる。
【０００４】半導体集積回路用の極めて薄いシリコン酸
化膜などに荷電粒子を照射すると、照射対象を絶縁破壊
してしまうことがあるが、電荷を持たず大きな並進運動
エネルギーを持つ中性粒子線は照射対象に損傷を与えに
くい。従って、このような中性粒子線を微細加工に応用
することが期待されている。
【０００５】このような中性粒子のビーム源として、プ
ラズマから負イオンビームを生成し、この負イオンビー
ムから電子衝撃により電子を脱離して中性化を行うビー
ム源が知られている。この中性粒子ビーム源はフィラメ
ントが設置された中性化室を備えており、この中性化室
にはフィラメントから発生した熱電子がトラップされて
高エネルギーを持つ電子雲が形成されている。負イオン
ビームは、予め静電レンズで集束された状態で中性化室
に導入され、中性化室の電子雲を通過する際に電子が脱
離されることによって中性化される。
【０００６】また、光子の照射によって負イオンビーム
の電子を脱離して中性化を行う中性粒子ビーム源も知ら
れている。この中性粒子ビーム源においては、負イオン
ビームに光子を衝突させることで中性化に必要な電子親
和力以上のエネルギーを与えており、負イオンのエネル
ギーに依存しない高い中性化率を得ることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した電子衝撃によ
り負イオンの中性化を行う場合には、高い中性化率を得
るために高密度の電子雲を形成する必要がある。しかし
ながら、高密度の電子雲は非常に狭い空間にしか形成す
ることができないためビーム源を大口径化できない。
【０００８】また、光子の照射によって負イオンの中性
化を行う場合においては、大口径のビームを作るために
大きな光源と光学系が必要となり装置が大型化してしま
う。また、光源から放射される光のうちのごくわずかし
か中性化に寄与せず、残りは熱損失となってしまう。高
い中性化率を得るためには光源の輝度を上げる必要があ
るが、光源の輝度を上げた場合には、冷却機構を設ける
などの措置が必要となり、装置が大型化するだけでなく
設備コストも高くなってしまう。
【０００９】更に、中性粒子ビーム源内のプラズマから
発生する紫外線などの放射光が被処理物に照射されると
被処理物に悪影響を与えることとなるので、プラズマか
ら放出される紫外線などの電磁波を遮蔽する必要があ
る。
【００１０】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、安価且つコンパクトな構成で大
口径のビームを被処理物に照射することができ、被処理
物に損傷を与えることなく、高精度のエッチング又は成
膜等の加工を行うことができる中性粒子ビーム処理装置
を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような従来技術にお
ける問題点を解決するために、本発明の一態様は、処理
ガスを真空チャンバ内に導入する処理ガス導入口と、導
入された前記処理ガスから正イオンと電子を生成するプ
ラズマ生成室と、前記プラズマ生成室で生成された電子
が残留ガスに付着して負イオンを生成する負イオン生成
室と、前記正イオンまたは負イオンを引き出すと共に所
定の方向に加速するイオン引出手段と、このイオン引出
手段によって形成されたイオンビームを中性化して中性
粒子ビームを形成する中性化手段とを備え、この中性化
手段によって形成された中性粒子ビームを被処理物に照
射することを特徴とする中性粒子ビーム処理装置であ
る。
【００１２】上記本発明によれば、プラズマ生成室で多
量のプラズマ状態の正イオンと電子が形成される。そし
て、プラズマ生成室の後流側に配置された負イオン生成
室で、プラズマ生成室から輸送されてエネルギーを失
い、低い電子温度になった電子が残留ガスに付着して多
量の負イオンが生成される。従って、簡単な装置構成で
負イオンを形成でき、これをイオン引出手段によって引
き出し、中性化手段によって中性化することで中性粒子
ビームが容易に得られる。このような中性粒子を用いた
加工装置においては、チャージアップ量を小さく保ちつ
つ高精度のエッチング加工や成膜加工が可能となる。
【００１３】ここで、前記負イオン生成室に電子雲形成
手段を具備し、電子が前記真空チャンバの壁面に衝突し
て死活する確率を低め、電子と残留ガスとの付着確率を
高めることが好ましい。これにより、負イオンの生成効
率を高め、高密度の負イオンが得られ、これを中性化し
た高密度の中性粒子ビームが得られる。
【００１４】また、前記負イオン引出手段は、グリッド
電極と、このグリッド電極を正または負の電位にバイア
スする電圧源とを具備し、負イオンまたは正イオンの引
出および加速を行うことが好ましい。これにより、負イ
オン生成室で生成された負イオンまたはプラズマ生成室
で生成された正イオンを負イオン生成室から容易に引き
出して、これを中性化した中性粒子ビームを形成するこ
とができる。
【００１５】また、前記中性化手段は、前記イオンビー
ムに光を照射する光源としてもよく、電極と高周波電源
とを具備し、前記イオンビームに高周波電界を印加する
ようにしてもよい。また、前記中性化手段は、前記イオ
ンビームに電子ビームを照射する電子ビーム照射手段で
あってもよく、前記イオンビームの経路に電子雲を形成
する手段であってもよい。更に、前記中性化手段は、前
記負イオンビームの経路にガス分子の圧力の高い領域を
形成する手段とすることもでき、また前記イオンビーム
をオリフィスに通過させる手段としてもよい。
【００１６】上記本発明により、複雑な負イオンの生成
のための機構を要することなく、プラズマ生成手段によ
り形成された大口径のプラズマから、そのままの口径で
負イオンから中性化された中性粒子ビームを被処理物に
照射できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る中性粒子ビー
ム処理装置の実施形態について図１乃至図５を参照して
詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態における中
性粒子ビーム処理装置の全体構成を示す図である。
【００１８】図１に示すように、中性粒子ビーム処理装
置は、円筒状の真空チャンバ１を備え、処理ガスを真空
チャンバ内に導入する処理ガス導入ポート１１を備えて
いる。真空チャンバ１内には、導入された処理ガスから
正イオンと電子を生成するプラズマ生成室２と、その後
流側にプラズマ生成室で生成された電子が残留ガスに付
着して負イオンを生成する負イオン生成室３と、生成さ
れた正イオンまたは負イオンを引き出すと共に所定の方
向に加速するイオン引出手段４とを備えている。
【００１９】イオン引出手段４で引き出され加速された
イオンは、中性化室５で中性化され中性粒子ビームとな
り、半導体基板、ガラス、有機物、セラミックスなどの
被処理物Ｘの加工を行う処理室６にて被処理物Ｘに照射
される。この真空チャンバ１自体は、石英ガラス又はセ
ラミック管などにより構成されている。
【００２０】プラズマ生成室２の外周には誘導結合型の
コイル１０が配置されている。このコイル１０は、例え
ば水冷パイプのコイルであり、８ｍｍφ程度の外径を有
するコイルが２ターン程度ビーム生成室１の外周に巻回
されている。このコイル１０は、マッチングボックス１
００を介して高周波電源１０１に接続されており、例え
ば、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧がコイル１０に供給
される。これらのコイル１０、マッチングボックス１０
０、高周波電源１０１によってプラズマ生成部が構成さ
れている。即ち、コイル１０に高周波電流を流すことで
真空チャンバ１内に誘導磁場を生じさせ、その変位電流
によりガス中の原子・分子が電離され、主として正イオ
ンと加熱された電子とが混在した状態のプラズマがプラ
ズマ生成室２に生成される。
【００２１】プラズマ生成室２の上部には、真空チャン
バ１内にガスを導入するガス導入ポート１１が設けられ
ており、このガス導入ポート１１はガス供給配管１２を
介してガス供給源１３に接続されている。このガス供給
源１３からはＳＦ６，ＣＨＦ ３，ＣＦ４，Ｃｌ２，Ａ
ｒ，Ｏ２，Ｎ２，Ｃ４Ｆ８等などのガスが真空チャンバ
３内に供給される。
【００２２】処理室６には、被処理物Ｘを保持する保持
部２０が配置されており、この保持部２０の上面に被処
理物Ｘが載置されている。処理室６にはガスを排出する
ためのガス排出ポート２１が設けられており、このガス
排出ポート２１はガス排出配管２２を介して真空ポンプ
２３に接続されている。この真空ポンプ２３によってプ
ラズマ生成室２、負イオン生成室３、中性化室５,処理
室６は所定の圧力に維持される。
【００２３】負イオン生成室３は、プラズマ生成室２で
生成された電子が残留ガスに付着して負イオンを多量に
生成する空間である。プラズマ生成室２と負イオン生成
室３とは連続的に一体的に形成され、負イオン生成室３
はプラズマ生成室２の後流側に配置されている。このた
め、プラズマ生成室２にはその上流側から連続的に処理
ガスが供給され、主として正イオンと電子とからなるプ
ラズマが連続的に生成され、生成されたプラズマは連続
的に後流側の負イオン生成室３に輸送される。負イオン
生成室３においては輸送途中の衝突でエネルギーを失
い、低い電子温度になった電子が残留ガス分子または原
子に付着して多量の負イオンが生成される。従って、負
イオン生成室においては、プラズマ生成室で生成された
正イオンと、この室で生成された負イオンと、電子とが
混在した状態のプラズマが形成される。
【００２４】この負イオン生成室３には、電子雲形成手
段を具備し、電子が前記真空チャンバ１の壁面に衝突し
て死活する確率を低め、電子と残留ガスとの付着確率を
高めることが好ましい。図２は電子雲形成手段の構成例
を示す。即ち、負イオン生成室３の真空チャンバ１の外
周面に永久磁石３１を図示するように配置する。これに
より磁力線３２が図示するように発生する。磁力線３２
が存在すると、電子はこれに絡みつくように運動し、真
空チャンバ１の壁面への接触が防止される。従って、プ
ラズマ中に形成された電子雲が真空チャンバ１の壁面か
ら離れた位置に形成され、電子が真空チャンバ１の壁面
に衝突して死活する確率を低めることができる。
【００２５】負イオン生成室３の後流側には、正イオン
または負イオンを引き出すと共に所定の方向に加速する
イオン引出手段を備えている。この手段は例えばグリッ
ド電極４であり、この電極４に電源８より正または負の
バイアス電位が与えられる。図３および図４はこの構成
例を示す。即ち、図４（ａ）に示すように交流電圧がグ
リッド電極４に供給されると正イオンおよび負イオンが
交互に負イオン生成室３から引き出され、後流側の中性
化室５に向けて加速される。図４（ｂ）に示すように正
の直流電圧がグリッド電極４に供給されると、正イオン
が負イオン生成室３から引き出され、後流側の中性化室
５に向けて加速される。図４（ｃ）に示すように負の直
流電圧がグリッド電極４に供給されると、負イオンが負
イオン生成室３から引き出され、後流側の中性化室５に
向けて加速される。
【００２６】中性化室５には、イオン引出手段４によっ
て形成されたイオンビームを中性化して中性粒子ビーム
を形成する中性化手段として、図３に示す場合にはオリ
フィス電極４１が用いられている。図３に示すように、
オリフィス電極４１には多数の貫通孔であるオリフィス
４１ａが形成されている。グリッド電極４により加速さ
れたイオンは、オリフィス電極４１に形成されたオリフ
ィス４１ａに入っていく。オリフィス電極４１のオリフ
ィス４１ａの内部を通過するイオンは、主として、オリ
フィス４１ａの周壁において電子が授受されて中性化さ
れ、あるいは、オリフィス４１ａの内部に残留している
ガスとの電荷交換によって中性化され、中性粒子７とな
る。
【００２７】オリフィス４１ａの通過中に中性化された
イオン（中性粒子）は、エネルギービームとして処理室
６の内部に放射される。この中性粒子は、処理室６の内
部を直進して保持部２０に載置された被処理物Ｘに照射
され、この中性粒子の照射によってエッチング、クリー
ニング、窒化処理や酸化処理などの表面改質、成膜など
の処理を行うことが可能となる。
【００２８】図３に示す実施形態としては、中性化手段
としてオリフィス電極を用いる例について述べたが、図
５に示すように各種の中性化手段の採用が可能である。
図５（ａ）は、真空チャンバ１の外部に光源を設け、イ
オンビームに光線４２を照射することで中性化を行う例
について示している。光線４２のエネルギーにより特に
負イオンから電子が脱離し、負イオンの中性化を行う中
性化室５を形成することができる。また、図５（ｂ）に
示すように、真空チャンバ１に一対の電極４３ａ，４３
ｂを備え、高周波電源４４を一方の電極に接続し、電極
間を通過するイオンビームに高周波電界を印加するよう
にしてもよい。これによっても、負イオンの中性化を行
う中性化室５を形成することができる。
【００２９】また、前記中性化手段は、図５（ｃ）に示
すように、真空チャンバ１の窓部４６を介して中性化室
５に電子ビーム４５を照射する電子ビーム照射手段であ
ってもよく、同様にイオンビームの経路に電子雲を形成
する手段であってもよい。更に、前記中性化手段は、図
５（ｄ）に示すように、真空チャンバ１にガスの注入孔
４７を設け、処理ガス等を注入するようにしてもよい。
イオンビームの経路にガス分子の圧力の高い領域を形成
することで、特に負イオンの電子を剥離して中性化が行
え、中性粒子ビームを形成できる。
【００３０】次に、本実施形態における中性粒子ビーム
処理装置の動作について説明する。まず、真空ポンプ２
３を作動させることにより、真空チャンバ1内を真空排
気する。所定の真空度に到達した後に、ガス供給源１３
からＳＦ６，ＣＨＦ３，ＣＦ４，Ｃｌ２，Ａｒ，Ｏ２，
Ｎ２，Ｃ４Ｆ８などのガスを真空チャンバ1の内部に導
入する。そして、プラズマ生成室２にプラズマを生成す
る。これは、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を高周波電
源１０１によってコイル１０に印加することによって行
われる。この高周波電圧の印加によって、プラズマ生成
室２内には高周波電界が形成され、真空チャンバ１内に
導入されたガスは、この高周波電界によって電離され、
プラズマ生成室内に高密度プラズマが生成される。この
ときに生成されるプラズマは、主として正イオンと加熱
された電子とからなるプラズマである。
【００３１】プラズマ生成室２内で生成された正イオン
と加熱された電子とからなるプラズマは隣接する負イオ
ン生成室３に輸送される。ここで、低い電子温度になっ
た電子が残留している処理ガスに付着して負イオンが生
成される。即ち、上流側から輸送される途中の衝突でエ
ネルギーを失い、低い電子温度になった電子と正イオン
と残留ガスとからなるプラズマにより、負イオンを効率
よく且つ継続して生成することができる。これにより、
通常のプラズマは正イオンと電子とからなる場合が多い
が、正イオンと共に負イオンが共存したプラズマを効率
的に形成することができる。
【００３２】負イオン生成室３の後流側には、正イオン
または負イオンを引き出すと共に所定の方向に加速する
イオン引出手段（グリッド電極４）を備えている。この
電極４に電源８より正または負のバイアス電位が与えら
れ、交流電圧がグリッド電極４に供給されると正イオン
および負イオンが交互に負イオン生成室３から引き出さ
れ、被処理物Ｘ側に加速して送出される。即ち、加速電
圧の極性、大きさ、周期等を調整することで、任意のエ
ネルギーレベルの正イオンおよび負イオンを選択的に或
いは交互に引き出して、被処理物Ｘを照射することがで
きる。
【００３３】イオン引出手段（グリッド電極４）の後流
側にはイオンを中性化して中性粒子ビームとする中性化
手段（中性化室５）を備えている。中性化室５において
は、正イオンは、プラズマ中の電子と再結合し、また残
留ガスとの電荷交換により、また負イオンとの電荷交換
により中性化されて、中性粒子となる。負イオンは、電
子衝突による電子脱離により、また残留ガスとの電荷交
換により、また正イオンとの電荷交換により中性化さ
れ、中性粒子となる。特に、負イオンは放射光（ｈ
ν）、電子線照射、高周波電界の印加により電子脱離を
起こし中性粒子となる。
【００３４】負イオンまたは正イオンが中性化された中
性粒子は、エネルギービームとして処理室６の内部に放
射される。この中性粒子は、処理室６の内部を直進して
保持部２０に載置された被処理物Ｘに照射され、この中
性粒子によってエッチング、クリーニング、窒化処理や
酸化処理などの表面改質、成膜などの処理を行うことが
可能となる。特にこの中性粒子は、任意のエネルギーレ
ベルの正イオンおよび負イオンから形成することができ
るので、処理の自由度を広げることができる。
【００３５】ガラスやセラミック材料等の絶縁物の加工
に際しては、表面にチャージアップという問題が生じる
が、このように中性化された中性粒子を照射することに
よりチャージアップ量を小さく保ちながら、高精度のエ
ッチングや成膜加工が可能となる。なお、被処理物の処
理の内容に応じてガスの種類を使い分ければよく、ドラ
イエッチングでは被処理物の違いに応じて酸素やハロゲ
ンガスなどを使い分けることができる。本実施形態で
は、プラズマの負イオンを中性化した中性粒子を照射す
ることができるように、Ｏ２，Ｃｌ２，ＳＦ６，ＣＨＦ
３，Ｃ４Ｆ８などの負イオンを生成しやすいガスを用い
ることが好ましい。これらのガスを用いて上述した高周
波誘導結合（ＩＣＰ）などにより高密度プラズマを発生
させた後に高周波電界の印加を停止すると、プラズマ中
に多数の負イオンが発生し、更に負イオンを中性化した
中性粒子ビームが得られる。
【００３６】なお、上述した実施形態においては、ＩＣ
Ｐ型コイルを用いてプラズマを生成した例を説明した
が、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）、ヘリコ
ン波プラズマ用コイル、マイクロ波等を用いてプラズマ
を生成することとしても勿論よい。また、ＩＣＰ型コイ
ルの高周波電圧の周波数領域も、１３．５６ＭＨｚに限
られるものではなく、１ＭＨｚ〜２０ＧＨｚの領域を用
いてもよい。
【００３７】なお、上記実施形態においては、負イオン
生成室からイオン引出手段によって引き出された正イオ
ンおよび負イオンを、中性化して中性粒子ビームとして
被処理物に照射する例について主として述べたが、中性
化手段（中性化室）を省略してそのまま被処理物に照射
するようにしても勿論よい。
【００３８】これまで本発明の一実施形態について説明
したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技
術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施され
てよいことは言うまでもない。
【００３９】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、簡単
な装置構成によりプラズマ中に正イオンおよび負イオン
を生成し、任意のエネルギーレベルの正イオンおよび負
イオンを選択的に或いは交互に取り出すことができる。
更にその後流側で中性化することができるので、容易に
正イオンまたは負イオンを中性化した中性粒子ビームを
得ることができる。このような中性粒子ビームを用いた
加工においては、チャージアップ量を小さく保ちつつ高
精度のエッチングや成膜加工が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態における中性粒子ビーム処理
装置の全体構成を示す図である。
【図２】図１の装置における電子雲形成手段の構成例を
示す、（ａ）軸方向に沿った断面図と、（ｂ）軸方向に
垂直な面の断面図である。
【図３】イオン引出手段と中性化手段の構成例を示す図
である。
【図４】イオン引出手段における電源の構成例を示す図
である。
【図５】各種中性化手段の構成例を示す図である。
【符号の説明】
Ｘ 被処理物 １ 真空チャンバ ２ プラズマ生成室 ３ 負イオン生成室 ４ イオン引出手段 ５ 中性化室 ６ 処理室 １０ コイル １１ ガス導入ポート １２ ガス供給配管 １３ ガス供給源 ２０ 保持部 ２１ ガス排出ポート ２２ ガス排出配管 ２３ 真空ポンプ １００ マッチングボックス １０１ 高周波電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ２３Ｃ 14/32 Ｃ２３Ｃ 16/50 16/50 Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５ 21/302 Ｄ (72)発明者 桧山 浩国 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株 式会社荏原総合研究所内 (72)発明者 寒川 誠二 宮城県仙台市青葉区片平２丁目１番１号 東北大学内 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BA01 BA06 BC02 BC04 BC06 CA03 CA14 CA25 CA62 CA63 CA65 DA02 EA01 EB01 EB31 EB41 EC06 EC21 FB04 FB06 FC15 4K029 CA13 DD00 4K030 FA04 FA12 KA15 5F004 AA14 AA16 BA14 BA20 BB02 BB07 BB11 BB13 BB14 BB32 BD07 CA03 DA00 DA04 DA16 DA18 DA26 5F045 AA08 AA09 AA10 AA20 AB32 AB33 AC11 AC15 AC16 BB08 EH06 EH11 EH17

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理ガスを真空チャンバ内に導入する処
    理ガス導入口と、導入された前記処理ガスから正イオン
    と電子を生成するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成
    室で生成された電子が残留ガスに付着して負イオンを生
    成する負イオン生成室と、前記正イオンまたは負イオン
    を引き出すと共に所定の方向に加速するイオン引出手段
    と、このイオン引出手段によって形成されたイオンビー
    ムを中性化して中性粒子ビームを形成する中性化手段と
    を備え、この中性化手段によって形成された中性粒子ビ
    ームを被処理物に照射することを特徴とする中性粒子ビ
    ーム処理装置。
  2. 【請求項２】 前記負イオン生成室に電子雲形成手段を
    具備し、電子が前記真空チャンバの壁面に衝突して死活
    する確率を低め、電子と残留ガスとの付着確率を高める
    ことを特徴とする請求項１に記載の中性粒子ビーム処理
    装置。
  3. 【請求項３】 前記イオン引出手段は、グリッド電極
    と、このグリッド電極を正または負の電位にバイアスす
    る電圧源とを具備し、負イオンまたは正イオンの引出お
    よび加速を行うことを特徴とする請求項１に記載の中性
    粒子ビーム処理装置。
  4. 【請求項４】 前記中性化手段は、前記イオンビームに
    光を照射する光源であることを特徴とする請求項１に記
    載の中性粒子ビーム処理装置。
  5. 【請求項５】 前記中性化手段は、電極と高周波電源と
    を具備し、前記イオンビームに高周波電界を印加するこ
    とを特徴とする請求項１に記載の中性粒子ビーム処理装
    置。
  6. 【請求項６】 前記中性化手段は、前記イオンビームに
    電子ビームを照射する電子ビーム照射手段であることを
    特徴とする請求項１記載の中性粒子ビーム処理装置。
  7. 【請求項７】 前記中性化手段は、前記イオンビームの
    経路に電子雲を形成する手段であることを特徴とする請
    求項１に記載の中性粒子ビーム処理装置。
  8. 【請求項８】 前記中性化手段は、前記イオンビームの
    経路にガス分子の圧力の高い領域を形成する手段である
    ことを特徴とする請求項１に記載の中性粒子ビーム処理
    装置。
  9. 【請求項９】 前記中性化手段は、前記イオンビームを
    オリフィスに通過させる手段であることを特徴とする請
    求項１に記載の中性粒子ビーム処理装置。
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