JP2005060184A - 処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
高精度な微細形状を処理できる処理装置を提供する。
【解決手段】
基材Aは、高周波電力が印加されるサセプタ371に対して絶縁されており、且つ基材AはグラウンドEに接地されているので、基材Aに電荷が蓄積されることなく、基材Aの表面に向かうプラズマ粒子は互いに平行状態に進み、例えば回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。
【選択図】 図4
高精度な微細形状を処理できる処理装置を提供する。
【解決手段】
基材Aは、高周波電力が印加されるサセプタ371に対して絶縁されており、且つ基材AはグラウンドEに接地されているので、基材Aに電荷が蓄積されることなく、基材Aの表面に向かうプラズマ粒子は互いに平行状態に進み、例えば回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。
【選択図】 図4
Description
本発明は、処理装置に関し、特に微細形状を有する基材にドライエッチングを施せる処理装置に関する。
近年、急速に発展している光ピックアップ装置の分野では、極めて高精度な対物レンズなどの光学素子が用いられている。プラスチックやガラスなどの素材を、金型を用いてそのような光学素子に成形すると、均一な形状の製品を迅速に製造することができるため、かかる金型成形は、そのような用途の光学素子の大量生産に適しているといえる。
更に、近年の光ピックアップ装置は、より短波長の半導体レーザからの光束を用いて、AOD(Advanced Optical Disc),BD(Blueray Disc)などの記録媒体に対して高密度な情報の記録及び/又は再生を行えるものが開発されており、その光学系の収差特性改善のため、微細構造である回折構造を光学面に設けることが行われている。又、そのような高密度な情報の記録及び/又は再生を行える光ピックアップ装置であっても、従来から大量に供給されたCD、DVDに対しても情報の記録及び/又は再生を確保する必要があり、そのため波長選択性を備えた微細形状の回折構造を設けることも行われている。
ところで、回折構造を設けた光学素子を大量生産するには、一般的には樹脂を素材として成形を行うことが適しているといえるが、かかる場合、微細形状を備えた光学面転写面をどのようにして形成するかが問題となる。
即ち、ミクロンオーダーの回折構造に対応した微細形状を備えた型を、どのようにして形成するかが問題である。これに対し、特許文献1には電子ビーム描画を用いて、光学素子の金型に微細形状を形成する技術が開示されている。
特開2003−173954号公報
特許文献1に記載の技術によれば、基材に塗布したレジストに対して電子ビームを照射することで、レジストの一部を除去し、その後エッチング処理することで、微細形状を形成することができる。ここで、基材が平板であれば、エッチング処理を行っても精度良く微細形状を形成できる。ところが、基板が例えば非球面光学面のごとく3次元形状を有している場合、その傾斜面に対して微細形状を形成しようとすると、エッチング処理後の形状に歪みが生じることが判明した。かかる歪みにより、型形状精度が悪化し、精度良い光学素子を成形できなくなる恐れがある。
本発明は、かかる従来技術の問題に鑑みてなされたものであり、高精度な微細形状を処理できる処理装置を提供することを目的とする。
第1の本発明の処理装置は、
所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、
前記基材に電荷が蓄積することを抑制する抑制手段と、を有することを特徴とする。
所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、
前記基材に電荷が蓄積することを抑制する抑制手段と、を有することを特徴とする。
第2の本発明の処理装置は、
所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、
前記基材を高周波電力から絶縁する絶縁手段と、を有することを特徴とする。
所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、
前記基材を高周波電力から絶縁する絶縁手段と、を有することを特徴とする。
第3の本発明の処理装置は、
所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、
前記アンテナ側から基材側に向かうプラズマ粒子の移動方向を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、
前記アンテナ側から基材側に向かうプラズマ粒子の移動方向を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
第4の本発明の処理装置は、
所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、を有し、
前記電極は、前記プラズマ粒子の移動方向を調整するように基材の形状に応じた形状を有していることを特徴とする。
所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、を有し、
前記電極は、前記プラズマ粒子の移動方向を調整するように基材の形状に応じた形状を有していることを特徴とする。
本発明者らは、鋭意研究の結果、3次元形状を有する基材にエッチング処理を施した際の歪みの原因について解明した。図1は、一般的なエッチング装置の概略構成図である。図1において密閉された容器V内の上部には、基材Aに対峙するようにしてアンテナRFが配置されており、アンテナRFはプラズマ励起用高周波電圧(RFアンテナ電圧)を発生させる第1の高周波電源PS1に接続されている。一方、容器V内の下部には、基材Aを載置した載置台Tが配置されており、載置台Tはエッチング速度制御用高周波電圧(バイアス電圧)を発生させる第2の高周波電源PS2に接続されている。
図1において、プラズマ励起用高周波電圧によりアンテナRFの周囲で励起されたプラズマ粒子pは、基材Aの近傍におけるシース領域(電場)Sにくると、エッチング速度制御用高周波電圧が印加された載置台Tに吸引され、高速で基材Aの表面に当たり、それによりエッチング処理を行うことができる。
図2は、3次元形状を有する基材Aとプラズマ粒子pとの関係を示す図である。基材Aの表面には、マスクパターンとして鋸歯状の配置でレジストRが付着しているものとする。このようなマスクパターンは電子ビーム描画により得ることができる。本発明者らの研究によれば、基材Aを点対称な3次元形状とした場合、基材Aに蓄積した電荷により形成される電界によって、図2(a)に示すようにシース領域Sが基材Aの表面形状に応じて盛り上がり、プラズマ粒子pはこれに直交する方向に入射してくることがわかった。従って、基材Aの中央部では、基材Aの表面に対してプラズマ粒子pは垂直に当たるので問題はないが、基材Aの周辺では、その傾斜面に対し斜めにプラズマ粒子pが当たるため、以下に述べる問題が生じる。
図2(b)は、基材Aの傾斜面に対して、基材Aの軸線に平行にプラズマ粒子pが当たった理想状態を示す図であり、図2(c)は、基材Aの傾斜面に対して、基材Aの軸線と傾いた方向からプラズマ粒子pが当たった実際の状態を示す図である。図2(b)に示す理想状態では、基材Aの傾斜面に対して、基材Aの軸線に平行にプラズマ粒子pが当たるので、レジストRの形状に応じて基材Aを残しながら、その表面が彫り込まれる(点線参照)。ところが、図2(c)に示す実際の状態では、基材Aの傾斜面に対して、基材Aの軸線に傾いてプラズマ粒子pが当たるので、オーバーハングするレジストRの陰になった部分が残るように基材Aの表面が彫り込まれてしまい、その結果処理後の表面が点線で示すように歪んだ形状となってしまう。このような形状では、光学素子の回折構造としては所望の光学特性を発揮できない恐れがある。そこで、本発明者らは、以下のように本発明をなすことによって、かかる問題を解決している。
即ち、一つの解決策は、基材表面に蓄積した電荷を取り除くことで、その電荷が基材表面に沿った形状の等電位線を形成することを防ぐことである。これにより、等電位(線)面に垂直に入射しようとするプラズマ粒子を減らすことができ、プラズマ粒子が上方から平行に入射しやすくできる。
別の解決策は、基材を高周波から絶縁することで、高周波が基材表面形状に沿って等電位面を形成することを防ぐことである。等電位面は基材表面の形状に影響されず、電極の表面形状に沿って形作られる。電極の表面形状が水平であれば、等電位面も水平になり、それによって誘導されるプラズマ粒子も鉛直上方から基材に入射するように制御される。
更に別の解決策は、高周波印加用電極と、基材又は基材を保持する保持部材とを分離することであり、それにより基材の接地とプラズマ制御を別々に行える。高周波の作る等電位面は基材形状に影響せず、かつ基材は接地されているため、基材表面に電荷が蓄積されない(電荷も等電位面を形成しない)ため、プラズマ粒子を上方から平行に入射させることができる。
更に別の解決策は、基材周辺の磁場を制御することで、プラズマ粒子が磁場に沿って移動する性質を使って、プラズマ粒子を基材表面に垂直に入射するよう制御することである。以下、具体的に本発明の構成と効果を述べる。
第1の本発明の処理装置によれば、所定雰囲気に維持された容器と、前記容器内で、基材を載置する載置台と、前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、前記基材に電荷が蓄積することを抑制する抑制手段と、を有するので、前記抑制手段が、前記基材に電荷が蓄積することを抑制することで、たとえ前記基材が3次元形状を有していた場合でも、プラズマ粒子が前記基材に向かって平行に当たるようにし、高精度なエッチング処理を行うことを可能としている。
更に、前記電極は載置台であり、前記抑制手段は、前記載置台と前記基材との間に配置された絶縁体を含み、前記基材は接地されていると好ましい。
更に、前記電極と前記基材との間に空間が形成されており、前記基材は接地されていると好ましい。
更に、前記電極は、前記基材とアンテナとの間に配置されており且つプラズマ粒子が通過できる開口を有し、前記基材は接地されていると好ましい。
第2の本発明の処理装置によれば、所定雰囲気に維持された容器と、前記容器内で、基材を載置する載置台と、前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、前記基材を高周波電力から絶縁する絶縁手段と、を有するので、前記絶縁手段が、前記基材を高周波電力から絶縁することを抑制することで、たとえ前記基材が3次元形状を有していた場合でも、プラズマ粒子が前記基材に向かって平行に当たるようにし、高精度なエッチング処理を行うことを可能としている。
更に、前記絶縁手段は、前記基材と電極との間に配置され且つ接地された導電性部材を含むと好ましい。
更に、前記導電性部材は前記基材に接触していると好ましい。
更に、前記基材の周囲は絶縁体により覆われていると好ましい。
第3の本発明の処理装置によれば、所定雰囲気に維持された容器と、前記容器内で、基材を載置する載置台と、前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、前記アンテナ側から基材側に向かうプラズマ粒子の移動方向を制御する制御手段と、を有するので、前記制御手段が、プラズマ粒子の移動方向を制御することで、たとえ前記基材が3次元形状を有していた場合でも、プラズマ粒子が前記基材に向かって平行に当たるようにし、高精度なエッチング処理を行うことを可能としている。
更に、前記制御手段は、前記アンテナと前記電極との間に配置された磁場発生体であると好ましい。
更に、前記電極は、前記基材とアンテナとの間に配置されており且つプラズマ粒子が通過できる開口を有し、前記基材は接地されており、前記制御手段は、前記電極と前記基材との間に配置された磁場発生体であると好ましい。
更に、前記電極は、前記基材とアンテナとの間に配置されており且つプラズマ粒子が通過できる開口を有し、前記基材は接地されており、前記制御手段は、前記基材の電極側及びその反対側に配置された磁場発生体であると好ましい。
第4の本発明の処理装置によれば、所定雰囲気に維持された容器と、前記容器内で、基材を載置する載置台と、前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、を有し、前記電極は、前記プラズマ粒子の移動方向を調整するように基材の形状に応じた形状を有しているので、たとえ前記基材が3次元形状を有していた場合でも、プラズマ粒子が前記基材に向かって平行に当たるようになるため、高精度なエッチング処理を行うことが可能となる。
以上の本発明によれば、エッチング処理される基材の表面形状や材質にかかわらず、プラズマ粒子の入射方向を制御できるため、基材表面形状によるエッチングむらやひずみ(特に斜面がある部分)の影響をなくすことができる。本発明の処理装置を使うことで、起伏のある、たとえばレンズのような形状の表面であっても、ドライエッチングによって微細形状をマスクの形状に忠実に転写することが可能になる。
更に、前記載置台に載置される基材には、電子ビーム描画により予めマスクパターンが形成されていると好ましい。
尚、第1の高周波電源から供給される第1の高周波は、主にプラズマの密度を制御するためのものであり、いわば等方性の化学的エッチングを支配する高周波といえ、一方、第2の高周波電源から供給される第2の高周波は、主にプラズマの移動方向を制御するためのものであり、いわば異方性の物理的エッチングを支配する高周波といえる。
以下、本発明の実施の形態にかかる処理装置について、図面を参照して具体的に説明する。本実施の形態における微細形状が形成される基材は、光学素子等を成形する金型を製作する母型であるが、光学素子自体或いは半導体素子などの表面に直接形成してもよい。
誘導結合プラズマ処理装置の典型的な構造において、気密な処理室の天井に誘電体壁(窓板)が配設され、該誘電体壁上に高周波(RF)アンテナが配設される。高周波アンテナにより、処理室内に誘導電界が形成され、該電界により、処理ガスがプラズマに転化される。このようにして生成された処理ガスのプラズマを使用して、処理室内に配置された基材に対してエッチング等の処理が施される。
図3は、本実施の形態に係る誘導結合プラズマエッチング装置を示す概略断面図である。図3に示すように、プラズマエッチング装置301は、導電性材料、例えばアルミニウム製の筐体から分解可能に組立てられた気密な容器320を有する。容器320は、接地線321によって接地されている。なお、容器320は、壁面から汚染物が発生しないように、内壁面が陽極酸化によりアルマイト処理されている。
容器320内は、上側のアンテナ室324と、処理室326とに気密的に隔離されることが好ましい。隔離に際し仕切られる仕切り構造は、石英等からなるセグメントを組み合わせてなる誘電体壁332を含む支持部334により形成される。支持部334の下面は、水平面上で実質的に整一した状態に形成される。
なお、支持部334の下面は、更に、平滑な下面を有する石英等からなる誘電体カバー(不図示)により被覆されることが好ましく、一方、誘電体壁332の上側には、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)等からなる不図示の樹脂板を配設することが好ましい。
アンテナ室324には、ヒータ361が配設され、これは電源362に接続されている。ヒータ361により支持部334を介して誘電体壁332を含む仕切り構造が加熱され、これにより、処理室326に露出する仕切り構造の下面に副生成物が付着するのが防止される。
支持部334は、導電性材料、望ましくは金属、例えばアルミニウム製の筐体からされた中空の部材からなり、シャワーへッドを構成するためのシャワー筐体として兼用される。支持部334を構成する筐体の内外表面は、壁面から汚染物が発生しないように、陽極酸化によりアルマイト処理される。支持部兼シャワー筐体334には、ガス流路が内部に形成されると共に、ガス流路に連通し且つ後述するサセプタ371に対して開口する複数のガス供給孔が下面に形成される。
支持部334の中央に接続された管状の管部335内には、支持部334内のガス流路に連通するガス供給管351が配設される。ガス供給管351は、容器320の天井を貫通し、容器320外に配設された処理ガス源部350に接続される。即ち、プラズマ処理中、処理ガスが、処理ガス源部350からガス供給管351を介して、支持部兼シャワー筐体334内に供給され、その下面のガス供給孔から処理室326内に放出される。
アンテナ室324内には、誘電体壁332に面するように、仕切り構造上に配設された高周波(RF)のアンテナ331が配設される。
アンテナ331は、仕切り構造上の部分が例えば渦巻き状をなす平面型のコイルアンテナからなる。アンテナ331は、一端部が容器320の天井の略中央から導出され、整合器341を介して高周波電源342に接続される。一方、他端部は容器320に接続され、これにより接地される。
プラズマ処理中、高周波電源342からは、誘導電界形成用の高周波電力がアンテナ331ヘ供給される。アンテナ331により、処理室326内に誘導電界が形成され、この誘導電界により、支持部兼シャワー筐体334から供給された処理ガスがプラズマに転化される。このため、高周波電源342は、プラズマを発生させるのに十分な出力で高周波電力を供給できるように設定される。
誘電体壁332を挟んで高周波のアンテナ331と対向するように、処理室326内には基材を載置するための載置台であるサセプタ371が配設される。サセプタ371は、導電性材料、例えばアルミニウム製の部材からなり、その表面は、汚染物が発生しないように、陽極酸化によりアルマイト処理される。サセプタ371の周囲には基材を固定するための保持部材373が配設される。
サセプタ371は、絶縁体枠372内に収納され、更に、中空の支柱上に支持される。支柱は容器320の底部を気密に貫通し、容器320外に配設された駆動手段374に支持される。即ち、サセプタ371は、基材Aのロード/アンロード時に、この駆動手段374により例えば上下方向に駆動される。
サセプタ371は、中空の支柱内に配置された給電棒により、整合器381を介して高周波電源382に接続される。プラズマ処理中、高周波電源382からは、バイアス用の高周波電力がサセプタ371に印加される。このバイアス用の高周波電力は、処理室326内で励起されたプラズマ中のイオンを効果的に基材に引込むために使用される。
更に、サセプタ371内には、基材の温度を制御するため、ヒータ等の加熱手段や冷媒流路等からなる温度調整手段375や温度センサ(不図示)が配設され、温度調整手段375を制御する温度制御手段376に接続される。これ等の機構や部材に対する配管や配線は、いずれも中空の支柱を通して容器320外に導出される。
処理室326の底部には、排気管377を介して、真空ポンプなどを含む真空排気機構が接続される。真空排気機構により、処理室326内が排気されると共に、プラズマ処理中、処理室326内が真空雰囲気、所定の圧力雰囲気に設定及び維持される。
本実施の形態にかかるバイアス用電力を出力するバイアス用の高周波電源382には、バイアス用電力の供給を制御する制御手段394が接続されている。
一方、上記バイアス用電力よりも周波数が相対的に高いプラズマ生成用電力を出力するプラズマ生成用の高周波電源342にも、上記制御手段394が接続されており、この制御手段394によってプラズマ生成用電力の供給が制御される。この制御手段394には、さらに、種々の設定入力値等を表示するための表示手段393、操作入力を行うための操作入力手段392、各種テーブルや種々の制御プログラム、設定情報等を記憶した記憶手段391が接続される。なお、この制御手段394と電子ビーム描画装置(不図示)の制御回路等が種々の通信手段を介してネットワーク接続することにより、電子ビーム描画装置にて設定され、演算された種々の補正係数を含む情報が自動的に記憶手段391に格納されて制御の際に利用可能に形成することが好ましい。
図4は、本実施の形態における基材Aの支持部の構成を示す概略図である。図4において、サセプタ371上に、載置台であり且つ抑制手段としての絶縁体である石英板から形成された保持部材373が配置され、その上に基材Aが載置されている。基材AはグランドEに接地されている。
次に、図3の誘導結合プラズマエッチング装置を用いて、基材Aに対してプラズマエッチング処理を施す場合について説明する。
まず、ゲートバルブ322を通して搬送手段により基材をサセプタ371の載置面に載置した後、保持部材373により基材をサセプタ371に固定する。次に、処理室326内にガス供給源350からエッチングガス(例えばSF6とO2による例えば混合比9:1の混合ガス)を含む処理ガス吐出させると共に、排気管377を介して処理室326内を真空引きすることにより、処理室326内を所定の圧力雰囲気に維持する。
次に、高周波電源342から所定の高周波電力をアンテナ331に印加することにより、仕切り壁構造を介して処理室326内に均一な誘導電界を形成する。かかる誘導電界により、処理室326内で処理ガスがプラズマに転化され、高密度の誘導結合プラズマが生成される。このようにして生成されたプラズマ中のイオンは、高周波電源382からサセプタ371に対して印加される所定の高周波電力によって、基材Aに効果的に引込まれ、レジストのマスクパターンを有する基材Aに対して所望のエッチング処理が施される。
この際、制御手段394の制御により、プラズマ生成用の(第1の)高周波電源342から所定の第1の周波数の第1の電力の高周波電力を印加すると共に、バイアス用の(第2の)高周波電源382から整合器381を介して、上記プラズマ生成用の第1の電力よりも相対的に低い第2の周波数である第2の電力の高周波電力を例えば、間欠的に印加する。
ここで、バイアス用電力の制御は、バイアス用電力を印加するオンサイクル、バイアス用電力を印加しないオフサイクル、とを交互に繰り返し、デューティー(オンサイクル時間/(オンサイクル時間+オフサイクル時間))を制御することが好ましい。これにより、例えば、基材の特定箇所における比(基層のエッチングされた量/レジスト層のエッチングされた量)を制御できる。なお、バイアス用電力のオン・オフの周期を生成するために、特殊なパルス電源を用いても、ソフトウェアによって電源のオン・オフを制御してもよい。
本実施の形態によれば、図4に示すように、基材Aは、高周波電力が印加される電極であるサセプタ371に対して絶縁されており、且つ基材AはグラウンドEに接地されているので、基材Aに電荷が蓄積されることなく、シース領域Sはサセプタ371に平行な空間となり、それにより基材Aの表面に向かうプラズマ粒子は互いに平行状態に進み、例えば図2(b)に示すごとき回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。
図5は、第2の実施の形態にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図であり、図4に示す構成と置換できるものである。その他の処理装置構成については、図3に示すものと同様であるので説明を省略する。
図5において、電極であるサセプタ371の周囲に、それと接続されていない基板373Aが配置されている。基板373A上には、中空の筐体373Bが配置されている。抑制手段としての載置台である筐体373Bの上に基材Aが載置されており、筐体373BはグランドEに接地されている。
本実施の形態によれば、図5に示すように、基材Aは、高周波電力が印加されるサセプタ371に対して絶縁されており、且つ基材Aが載置された筐体373BはグラウンドEに接地されているので、基材Aに電荷が蓄積されることなく、シース領域Sはサセプタ371に平行な空間となり、それにより基材Aの表面に向かうプラズマ粒子は互いに平行状態に進み、例えば図2(b)に示すごとき回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。
図4に示す構成では絶縁が十分でない場合、電極であるサセプタ371と基材A間にに筐体373Bを用いて空間を作り絶縁する。この場合、異方性エッチングを制御するシース領域S内に基材Aが納まらなくてはエッチング制御の効果は得られない。そのため、サセプタ371と基材A間にとる絶縁空間の距離Hは、基材厚約1mm、筐体373Bの厚さ約1mmと考えると、シース領域Sは、今回のエッチング条件では約10mmなので8mm程度以下になる。
図6は、第3の実施の形態にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図であり、図4に示す構成と置換できるものである。その他の処理装置構成については、図3に示すものと同様であるので説明を省略する。
図6において、基材Aとアンテナ(図3)との間に電極であるサセプタ371が配置され、その中央はメッシュ部371aとなっている。基材Aは、メッシュ部371aから1〜2mm離隔した位置で、グラウンドEに接地された保持部材373に載置されている。
本実施の形態によれば、図6に示すように、基材A及び載置台且つ抑制手段である保持部材373が、サセプタ371から分離されているので、高周波漏れなどの影響を回避し、保持部材373を接地できる。プラズマ粒子pは、メッシュ部371aの開口を通過した後も、惰性により基材Aの表面に向かって互いに平行状態で進むので、例えば図2(b)に示すごとき回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。
図7は、第4の実施の形態にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図であり、図4に示す構成と置換できるものである。その他の処理装置構成については、図3に示すものと同様であるので説明を省略する。
図7において、載置台である導電性の保持部材373Bは、電極であるサセプタ371の全面を覆う絶縁手段である絶縁体373A,373Cにより両面を挟持された状態で、サセプタ371上に載置され且つ基材Aを載置している。保持部材373Bは、グラウンドEに接地されている。
本実施の形態によれば、図7に示すように、基材A及び保持部材373Bが、サセプタ371から分離されているので、高周波漏れなどの影響を回避し、保持部材373Bを接地できる。従って、基材Aに電荷の蓄積を抑制でき、基材Aの表面に向かうプラズマ粒子は互いに平行状態に進み、例えば図2(b)に示すごとき回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。
図8は、第5の実施の形態の変形例にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図である。本変形例においては、上方の絶縁体373Cが、基材Aの部位でくり抜かれており、基材Aは保持部材373Bに直接接している。その他の構成及び効果については、上述した実施の形態と同様であるので説明を省略する。
図9は、第5の実施の形態の別な変形例にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図である。本変形例においては、上方の絶縁体373Cが省略され、基材Aは保持部材373Bに直接接している。その他の構成及び効果については、上述した実施の形態と同様であるので説明を省略する。
図10は、第6の実施の形態にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図であり、図4に示す構成と置換できるものである。その他の処理装置構成については、図3に示すものと同様であるので説明を省略する。
図10において、基材Aの下面と略同一形状・面積を有する板導電性の保持部材373Bは、電極であるサセプタ371の全面を覆う絶縁手段である絶縁体373A,373C(保持部材373Bより大きい)により両面を挟持された状態で、サセプタ371上に載置され且つ基材Aを載置している。保持部材373Bは、グラウンドEに接地されている。
本実施の形態によれば、図10に示すように、基材A及び保持部材373Bが、サセプタ371から分離されているので、高周波漏れなどの影響を回避し、保持部材373Bを接地できる。従って、基材Aに電荷の蓄積を抑制でき、基材Aの表面に向かうプラズマ粒子は互いに平行状態に進み、例えば図2(b)に示すごとき回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。また、載置台である保持部材373Bは基材Aの下面のみを覆うことで、シース領域Sを損なうことが抑制され、適切な処理を行うことができる。
図11は、第6の実施の形態の変形例にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図である。本変形例においては、上方の絶縁体373Cが、基材Aの部位でくり抜かれており、基材Aは保持部材373Bに直接接している。その他の構成及び効果については、上述した実施の形態と同様であるので説明を省略する。
図12は、第6の実施の形態の別な変形例にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図である。本変形例においては、上方の絶縁体373Cが省略され、基材Aは保持部材373Bに直接接している。その他の構成及び効果については、上述した実施の形態と同様であるので説明を省略する。
図13は、第7の実施の形態にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図であり、図4に示す構成と置換できるものである。その他の処理装置構成については、図3に示すものと同様であるので説明を省略する。本実施の形態においては、プラズマ粒子が磁場に沿って進む性質を利用し、基材Aに対するプラズマ粒子の入射方向を制御するものである。
図13において、基材Aはサセプタ371上に直接載置されているが、基材Aの周囲を取り巻くようにして(サセプタ371の上面側と下面側の少なくとも一方に)、制御手段としての磁場発生体であるコイルCLが配置され、図示しない直流電源からの電力を受けるようになっている。
本実施の形態によれば、コイルCLに通電することによって、右ねじの法則により磁場(図13において点線の矢印で磁力線の向き示す)が生じ、3次元形状を有する基材Aの表面において、磁力線が平行となる状態にすれば、プラズマ粒子pも磁場に沿って互いに平行状態で基材Aに当たり、例えば図2(b)に示すごとき回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。
図14は、第8の実施の形態にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図であり、図4に示す構成と置換できるものである。その他の処理装置構成については、図3に示すものと同様であるので説明を省略する。
図14において、基材Aとアンテナ(不図示)との間にサセプタ371が配置され、その中央はメッシュ部371aとなっている。基材Aは、メッシュ部371aから1〜2mm離隔した位置で、グラウンドEに接地された保持部材373に載置されている。更に、基材Aとサセプタ371との間において、プラズマ耐性のあるセラミック製などの筒CYを設け、その周囲を取り巻くようにしてコイルCLが配置され、図示しない直流電源からの電力を受けるようになっている。
本実施の形態によれば、基材Aを載置する保持部材373とサセプタ371を分離することで、基材Aを独立して接地することができる。又、コイルCLに通電することによって磁場が生じるので、上述の実施の形態と同様に、3次元形状を有する基材Aの表面において、磁力線が平行となる状態にすれば、プラズマ粒子pも磁場に沿って互いに平行状態で基材Aに当たり、例えば図2(b)に示すごとき回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。
図15は、第9の実施の形態にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図であり、図4に示す構成と置換できるものである。その他の処理装置構成については、図3に示すものと同様であるので説明を省略する。
図15において、基材Aとアンテナ(不図示)との間にサセプタ371が配置され、その中央はメッシュ部371aとなっている。基材Aは、メッシュ部371aから離隔した位置で、グラウンドEに接地された保持部材373に載置されている。更に、基材Aの周囲を取り巻くようにして(保持部材373の上面側と下面側の少なくとも一方に)、制御手段としての磁場発生体であるコイルCLが配置され、図示しない直流電源からの電力を受けるようになっている。
本実施の形態によれば、基材Aを載置する保持部材373とサセプタ371を分離することで、基材Aを独立して接地することができる。又、コイルCLに通電することによって磁場が生じるので、上述の実施の形態と同様に、3次元形状を有する基材Aの表面において、磁力線が平行となる状態にすれば、プラズマ粒子pも磁場に沿って互いに平行状態で基材Aに当たり、例えば図2(b)に示すごとき回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。
図16は、第10の実施の形態にかかる、基材Aを支持する構成を示す概略構成図であり、図4に示す構成と置換できるものである。その他の処理装置構成については、図3に示すものと同様であるので説明を省略する。
図16において、サセプタ371上に絶縁体である保持部材373が配置され、その上に基材Aが載置されている。サセプタ371の上面371bは、基材Aの上面A1に対応して、くぼんだ形状を有する。
本実施の形態によれば、サセプタ371の上面371bが、基材Aの上面A1に対応して、くぼんだ形状を有するので、基板Aの表面に電荷を残した状態でも、基板Aの上面A1に蓄積した電荷で作る電界と、サセプタ371に供給される高周波電力が作る電界とのバランスがとれ、プラズマ粒子pは互いに平行状態で基材Aの上面A1に当たり、例えば図2(b)に示すごとき回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。
以下、本発明者らが行った実験結果を示す。図17は、基材の非球面表面の斜面に輪帯状のレジストを電子ビーム描画により形成した後に、軸線方向に切断した状態を観察した顕微鏡写真である。図18は、図17に示す基材に対して、従来のエッチング処理装置によりエッチング処理した後に、軸線方向に切断した状態を観察した顕微鏡写真である。図19は、図17に示す基材に対して、本実施の形態にかかるエッチング処理装置によりエッチング処理した後に、軸線方向に切断した状態を観察した顕微鏡写真である。図から明らかであるが、従来のエッチング処理装置では、基材の表面の角部がダレるようにエッチング処理されている。これに対し、本実施の形態のエッチング処理装置によれば、基材の表面における角部のダレが抑えられ、レジスト形状をより精度良く写し取ることが可能となった。
以上、実施の形態を参照して本発明を説明してきたが、本発明は、上記実施の形態に限定して解釈されるべきではなく、適宜変更・改良(実施の形態の組み合わせを含む)が可能であることは勿論である。
A 母型部材
301 プラズマエッチング装置
371 サセプタ
373 保持部材
301 プラズマエッチング装置
371 サセプタ
373 保持部材
Claims (14)
- 所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、
前記基材に電荷が蓄積することを抑制する抑制手段と、を有することを特徴とする処理装置。 - 前記電極は載置台であり、前記抑制手段は、前記載置台と前記基材との間に配置された絶縁体を含み、前記基材は接地されていることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記電極と前記基材との間に空間が形成されており、前記基材は接地されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の処理装置。
- 前記電極は、前記基材とアンテナとの間に配置されており且つプラズマ粒子が通過できる開口を有し、前記基材は接地されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の処理装置。
- 所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、
前記基材を高周波電力から絶縁する絶縁手段と、を有することを特徴とする処理装置。 - 前記絶縁手段は、前記基材と電極との間に配置され且つ接地された導電性部材を含むことを特徴とする請求項5に記載の処理装置。
- 前記導電性部材は前記基材に接触していることを特徴とする請求項6に記載の処理装置。
- 前記基材の周囲は絶縁体により覆われていることを特徴とする請求項6又は7に記載の処理装置。
- 所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、
前記アンテナ側から基材側に向かうプラズマ粒子の移動方向を制御する制御手段と、を有することを特徴とする処理装置。 - 前記制御手段は、前記アンテナと前記電極との間に配置された磁場発生体であることを特徴とする請求項9に記載の処理装置。
- 前記電極は、前記基材とアンテナとの間に配置されており且つプラズマ粒子が通過できる開口を有し、前記基材は接地されており、
前記制御手段は、前記電極と前記基材との間に配置された磁場発生体であることを特徴とする請求項9に記載の処理装置。 - 前記電極は、前記基材とアンテナとの間に配置されており且つプラズマ粒子が通過できる開口を有し、前記基材は接地されており、
前記制御手段は、前記基材の電極側及びその反対側に配置された磁場発生体であることを特徴とする請求項9に記載の処理装置。 - 所定雰囲気に維持された容器と、
前記容器内で、基材を載置する載置台と、
前記容器内で、前記載置台に載置された基材に対峙するアンテナと、
前記アンテナに高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
前記基材に接触して、もしくはその近傍に配置された電極に高周波電力を供給する第2の高周波電源と、を有し、
前記電極は、前記プラズマ粒子の移動方向を調整するように基材の形状に応じた形状を有していることを特徴とする処理装置。 - 前記載置台に載置される基材には、電子ビーム描画により予めマスクパターンが形成されていることを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の処理装置。
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JP2003294367A JP2005060184A (ja) | 2003-08-18 | 2003-08-18 | 処理装置 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH05183043A (ja) * | 1992-01-07 | 1993-07-23 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 静電吸着装置及び静電吸着方法 |
JP2002246365A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法及び装置 |
JP2002289585A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Ebara Corp | 中性粒子ビーム処理装置 |
-
2003
- 2003-08-18 JP JP2003294367A patent/JP2005060184A/ja active Pending
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