JPH05183043A - 静電吸着装置及び静電吸着方法 - Google Patents

静電吸着装置及び静電吸着方法

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JPH05183043A
JPH05183043A JP66092A JP66092A JPH05183043A JP H05183043 A JPH05183043 A JP H05183043A JP 66092 A JP66092 A JP 66092A JP 66092 A JP66092 A JP 66092A JP H05183043 A JPH05183043 A JP H05183043A
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JP
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wafer
potential
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voltage
sample stand
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JP66092A
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English (en)
Inventor
Eiichiro Okura
英一郎 大倉
Masato Toyoda
正人 豊田
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Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 プラズマの放電,無放電にかかわらずウエハ
を試料台に確実に吸着させることができ、かつウエハの
試料台からの離脱を迅速にできる静電吸着装置を得るこ
とを目的とする。 【構成】 試料台1には直流電源2から直流電圧が印加
される。ウエハ4には接地電極6から常に接地電位が印
加される。ウエハ4と試料台1との間に電位差が生じて
ウエハ4は静電的に試料台1に固定される。そのため、
プラズマの放電,無放電にかかわらずウエハを試料台に
静電的に固定でき、ウエハに蓄積された残留電荷を除去
でき、かつウエハの電位を一定に保つことができる。 【効果】 ウエハを試料台に確実に吸着させることがで
き、かつウエハの試料台からの離脱を迅速にできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ウエハの試料台への
吸着、試料台からの離脱を確実かつ迅速に行うことがで
きる静電吸着装置及び静電吸着方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図8は、従来の静電吸着装置の構成を示
す断面図である。図において、1はプラズマを発生させ
るためのチャンバー5内部に設けられた試料台、2は試
料台1に直流電圧を印加するための直流電源、3は試料
台1の表面を覆う誘電体膜、4は試料台1上に設置され
たウエハである。
【0003】次に動作について説明する。ウエハ4を試
料台1上に設置し、直流電源2より直流電圧を試料台1
に印加する。そして、チャンバー5内部にプラズマを発
生させる。すると、ウエハ4が帯電し、直流電圧が印加
されている試料台1に静電的に固定される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の静電吸着装置は
以上のように構成されているので、プラズマが発生す
るまでウエハ4を試料台1上に静電的に固定できない、
プラズマによる処理後、ウエハ4に蓄積された残留電
荷を除去できないためウエハ4が試料台1から離れにく
くなる、プラズマ発生によりウエハ4を試料台1に固
定するようにしているので、ウエハ4の電位がプラズマ
の状態により影響を受け、十分な吸着力を得ることがで
きない場合がある、等の理由によりウエハ4の試料台1
への吸着、試料台1からの離脱が確実かつ迅速にできな
いという問題点があった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、プラズマの放電,無放電にかか
わらずウエハを試料台に確実に吸着させることがで
き、、かつウエハの試料台からの離脱を迅速にできる静
電吸着装置および静電吸着方法を得ることを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係る静電吸着
装置の第1の態様は、直流電圧が印加されている試料台
にウエハを静電吸着させる静電吸着装置において、前記
ウエハに所定電圧を印加するための電圧印加手段を設け
たことを特徴とする。
【0007】この発明に係る静電吸着装置の第2の態様
は、前記所定電圧の前記ウエハへの印加を選択的に行う
ためのスイッチング手段を前記第1の態様にさらに備え
たことを特徴とする。
【0008】この発明に係る静電吸着装置の第3の態様
は、前記第1の態様において、前記所定電圧が、前記ウ
エハの処理面の外周,前記ウエハの任意の裏面,前記ウ
エハの裏面の外周あるいは前記ウエハの側面のうち少な
くとも1つの部位に印加されるようにしたことを特徴と
する。
【0009】この発明に係る静電吸着方法は、前記第1
の態様における静電吸着装置を用いてウエハを試料台に
静電的に固定する静電吸着方法において、前記ウエハの
シリコンを露出し、該露出部に前記所定電圧を印加する
ようにしたことを特徴とする。
【0010】
【作用】この発明に係る静電吸着装置の第1の態様にお
ける電圧印加手段は、ウエハに所定電圧を印加するの
で、ウエハの電位は所定電圧に固定される。
【0011】この発明に係る静電吸着装置の第2の態様
は、所定電圧のウエハへの印加を選択的に行うためのス
イッチング手段を前記第1の態様の装置にさらに設けた
ので、ウエハに所定電圧を選択的に供給できる。
【0012】この発明に係る静電吸着装置の第3の態様
は、前記第1の態様において、所定電圧をウエハの処理
面の外周,ウエハの任意の裏面,ウエハの裏面の外周あ
るいはウエハの側面のうち少なくとも1つの部位に印加
するようにしたので、ウエハの電位を所定電位に容易に
保つことができるとともに、所定電圧供給部を2箇所以
上にするとより確実に所定電圧を印加できる。
【0013】この発明に係る静電吸着方法においては、
ウエハのシリコンを露出し、該露出部に所定電圧を印加
するようにしたので、ウエハに確実に所定電位を供給で
きる。
【0014】
【実施例】図1はこの発明に係る静電吸着装置の第1実
施例を示す断面図である。図において、図8に示した従
来装置との相違点は、接地電極6および電極カバー7を
新たに設けたことである。接地電極6は、ウエハ4の処
理面に接地電位を与えるための電極である。接地電極6
は自重あるいはバネ等(図示せず)の手段によりウエハ
4の処理面の外周に接するように環状に設けられ、その
一部が外部との接続を可能とするため径方向に延びてい
る。電極カバー7は絶縁体からなり、接地電極6のウエ
ハ4との接触部分及び外部との接続部分以外を覆うよう
に設けられている。電極カバー7は、接地電極6を保護
するとともに、接地電極6に与えられる接地電位がプラ
ズマの発生に影響を及ぼさないようにする。その他の構
成は図8に示した従来装置と同様である。
【0015】次に動作について説明する。ウエハ4の処
理面の外周へは接地電極6から常に接地電位が印加さ
れ、試料台1には直流電源2から直流電圧が印加されて
いる。そのため、ウエハ4と試料台1との間に電位差が
生じてウエハ4は試料台1に静電吸着される。したがっ
て、プラズマの放電,無放電にかかわらずウエハ4を試
料台1に静電吸着させることができる。
【0016】また、プラズマを用いてウエハ4に処理を
施した後のウエハ4の残留電荷は接地電極6を介して接
地に放電されるので、プラズマ処理後のウエハ4の試料
台1からの離脱が容易になる。
【0017】さらに、接地電極6を介してウエハ4に接
地電位を常に印加しているのでウエハ4の電位は安定
し、そのためウエハ4は試料台1に安定した静電的吸着
力で固定される。
【0018】図2はこの発明の第2実施例を示す断面図
である。この実施例においては、第1実施例で示した試
料台1および誘電体膜3の任意の位置に図2に示すよう
に貫通孔を設け、この貫通孔中に接地電極10を設けて
いる。接地電極10と試料台1は絶縁体20により絶縁
されている。接地電極10は試料台1上に搭載されたウ
エハ4の任意の裏面に接するように設けられている。そ
の他の構成は図1に示した第1実施例と同様である。
【0019】このような構成にすることによりウエハ4
を試料台1に搭載した場合、ウエハ4の任意の裏面には
常に接地電極10が接することになり、仮に接地電極6
を介してウエハ4の処理面に接地電位が印加されなくな
ってもウエハ4には接地電極10を介して常に接地電位
が印加されることになるので、第1実施例と同様の効果
が得られる。
【0020】図3はこの発明の第3実施例を示す図であ
る。第2実施例においては試料台1および誘電体膜3の
任意の位置に貫通孔を設け、接地電極10を該貫通孔を
通してウエハ4の任意の裏面に接地電位を印加するよう
にしたが、第3実施例においては試料台1との絶縁を妨
げないように誘電体膜3の表面外周に凹状の溝を環状に
設け、その一部が外部に連通するまで延設されている。
そして、この溝に導電性電極30を形成し、外部と接す
るまで延びた所で導電性電極30を接地に接続する。こ
のように構成することによりウエハ4の裏面の外周から
常に接地電位を印加することができ図2に示した第2実
施例と同様の効果が得られる。
【0021】図4はこの発明の第4実施例を示す断面図
である。試料台1の直径をウエハ4の直径より若干大き
くする。誘電体膜3の表面に皿状のくぼみを形成し、く
ぼみの直径はウエハ4の直径と等しくし、その深さはウ
エハ4の厚さの約1/2とする。くぼみの外周底面から
側面にかけての形状はウエハ4の形状に沿ったものとす
る。さらに、前記皿状のくぼみの外周底面から側面にか
けて凹部を設け、該凹部に導電性電極30を形成する。
このとき導電性電極30の一部が試料台1の外周部まで
延びるように形成する。そして、試料台1の外周部まで
延びた導電性電極30を接地に接続する。40は絶縁体
からなる電極カバーである。電極カバー40は、くぼみ
にウエハ4を搭載した場合の誘電体膜3の露出部をプラ
ズマから保護するとともに、導電性電極30に印加され
る接地電位のプラズマへの影響を防止する。
【0022】上記のように形成されたくぼみにウエハ4
を搭載すると接地電極30がウエハ4の裏面の外周およ
び側面に常に接した状態となり、裏面および側面からウ
エハ4に接地電位が印加される。仮にウエハ4の裏面の
外周からの接地電位の印加が得られなかった場合でも側
面からの接地電位の印加が得られ、その逆に側面からの
接地電位の印加が得られない場合でも裏面から印加され
るので、第1実施例と同様の効果がある。さらに、この
実施例に加えて第1実施例のようにウエハ4の処理面の
外周に接地電極6を接触させるようにするとさらに確実
に接地電位をウエハ4に印加することができる。
【0023】図5はこの発明の第5実施例を示す断面図
である。図4に示した第4実施例では皿状のくぼみを形
成し、その外周底面および側面に接地電極30を形成す
ることによりウエハ4の裏面の外周および側面に接地電
位を印加するようにしたが、本実施例のようにくぼみを
形成することなくウエハ4の裏面および側面に接地電位
を印加することもできる。すなわち、図5に示すように
ウエハ4の任意の裏面には第2実施例で示した接地電極
20により接地電位を印加し、ウエハの側面には横方向
からステー等により支えられた接地電極6により接地電
位を印加すればよい。
【0024】この実施例において、試料台1のウエハ4
搭載面の直径は、ウエハ4の直径よりも若干小さくす
る。こうすると、試料台1にウエハ4を搭載した場合、
ウエハ4の外周が試料台1からはみ出し、ウエハ4の側
面は常に接地電極6に接することになる。ウエハ4の裏
面および側面の2箇所から接地電位を印加しているの
で、第2実施例と同様、より確実にウエハ4に接地電位
を印加することができる。
【0025】図6はこの発明の第6実施例を示す図であ
る。この実施例では図1の第1実施例にさらにスイッチ
8を設けている。スイッチ8は、接地と接地電極6との
間に設けられ、選択的にオン/オフすることによりウエ
ハ4に接地電位あるいは浮遊電位を接地電極6を介して
選択的に供給する。このような構成にすることにより、
第1実施例の効果に加え、ウエハ4の処理を浮遊電位で
行ないたい場合に切り替えることができるという効果も
得られる。
【0026】図7は、第4実施例で示した装置を用いて
ウエハ4を試料台1に固定する静電吸着方法の一実施例
を説明するための断面図である。この実施例において
は、ウエハ4の裏面および側面のシリコンを露出したシ
リコン露出部100(図中×××で示した部分)を有す
るウエハ4を用いている。そして、シリコン露出部10
0に接地電極30を接触させ、シリコン露出部100を
介してウエハ4に接地電位を印加するようにしている。
シリコン露出部100は電気伝導度が高いので、第4実
施例での効果がより確実に得られる。また、同様にして
他の実施例に適用できることはいうまでもない。
【0027】なお、上記実施例ではウエハ4に接地電位
を印加する場合について述べたが、その他の一定電位を
印加しても上記実施例と同様の効果を得ることができ
る。
【0028】また、接地電位を印加する場所は、ウエハ
4の任意の裏面,ウエハ4の裏面の外周、ウエハ4の処
理面の外周あるいはウエハ4の側面のうち少なくとも1
つの部位に印加できれば上記実施例と同様の効果を得る
ことができる。
【0029】さらに、図6の第6実施例で示したスイッ
チ8はその他の実施例(第2,第3,第4,第7実施
例)に用いても同様の効果を得ることができいる。
【0030】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、ウエハ
に所定電圧を印加する電圧印加手段を設けたので、ウエ
ハの電位は所定電圧に固定される。その結果、プラズマ
の放電,無放電にかかわらずウエハを試料台に静電的に
固定でき、ウエハに蓄積された残留電荷を除去でき、か
つウエハの電位を一定に保つことができ、ウエハの試料
台への吸着、試料台からの離脱を確実かつ迅速に行うこ
とができるという効果がある。
【0031】請求項2に記載の発明によれば、所定電圧
のウエハへの印加を選択的に行うためのスイッチング手
段を前記請求項1に記載の装置にさらに設けたので、ウ
エハに所定電圧を選択的に供給できる。その結果、プラ
ズマの放電,無放電にかかわらずウエハを試料台に静電
的に固定でき、ウエハに蓄積された残留電荷を除去で
き、かつウエハの電位を一定に保つことができ、ウエハ
の試料台への吸着、試料台からの離脱を確実かつ迅速に
行うことができるという効果とともに、ウエハの処理を
浮遊電位で行うこともできるという効果がある。
【0032】請求項3に記載の発明によれば、前記請求
項1に記載の装置において、所定電圧をウエハの処理面
の外周,ウエハの任意の裏面,ウエハの裏面の外周ある
いはウエハの側面のうち少なくとも1つの部位に印加す
るようにしたので、ウエハの電位を所定電位に容易に保
つことができるとともに、所定電圧供給部を2箇所以上
にすることより確実に所定電圧をウエハに印加できる。
その結果、プラズマの放電,無放電にかかわらずウエハ
を試料台に静電的に固定でき、ウエハに蓄積された残留
電荷を除去でき、かつウエハの電位を一定に保つことが
でき、ウエハの試料台への吸着、試料台からの離脱を確
実かつ迅速に行うことができるという効果がある。
【0033】この発明にかかる静電吸着方法によれば、
請求項1に記載の装置を用いてウエハを試料台に静電的
に固定する場合、ウエハのシリコンを露出し、該露出部
に所定電圧を印加するようにしたので、ウエハに確実に
所定電位を供給できる。その結果、プラズマの放電,無
放電にかかわらずウエハを試料台により確実に固定で
き、ウエハに蓄積された残留電荷をより確実に除去でき
るとともに、ウエハの電位をより確実に一定に保つこと
ができ、ウエハの試料台への吸着、試料台からの離脱を
より確実かつ迅速に行うことができるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る静電吸着装置の第1実施例を示
す断面図である。
【図2】この発明に係る静電吸着装置の第2実施例を示
す断面図である。
【図3】この発明に係る静電吸着装置の第3実施例を示
す断面図である。
【図4】この発明に係る静電吸着装置の第4実施例を示
す断面図である。
【図5】この発明に係る静電吸着装置の第5実施例を示
す断面図である。
【図6】この発明に係る静電吸着装置の第6実施例を示
す断面図である。
【図7】この発明に係る静電吸着方法の一実施例を説明
するための断面図である。
【図8】従来の静電吸着装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 試料台 2 直流電源 4 ウエハ 6,10,30 接地電極 8 スイッチ 100 シリコン露出部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊田 正人 兵庫県伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機 株式会社北伊丹製作所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直流電圧が印加されている試料台にウエ
    ハを静電的に固定する静電吸着装置において、 前記ウエハに所定電圧を印加するための電圧印加手段を
    設けたことを特徴とする静電吸着装置。
  2. 【請求項2】 前記所定電圧の前記ウエハへの印加を選
    択的に行うためのスイッチング手段をさらに備えた請求
    項1に記載の静電吸着装置。
  3. 【請求項3】 前記所定電圧は前記ウエハの処理面の外
    周,前記ウエハの任意の裏面,前記ウエハの裏面の外周
    あるいは前記ウエハの側面のうち少なくとも1つの部位
    に印加されることを特徴とする請求項1に記載の静電吸
    着装置。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の静電吸着装置を用いて
    ウエハを試料台に静電的に固定する静電吸着方法におい
    て、 前記ウエハのシリコンを露出し、該露出部に前記所定電
    圧を印加するようにしたことを特徴とする静電吸着方
    法。
JP66092A 1992-01-07 1992-01-07 静電吸着装置及び静電吸着方法 Pending JPH05183043A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004515910A (ja) * 2000-09-28 2004-05-27 ラム リサーチ コーポレーション プラズマを閉じ込める処理室構成
JP2005060184A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Konica Minolta Holdings Inc 処理装置
WO2010120983A3 (en) * 2009-04-16 2011-01-13 Varian Semiconductor Equipment Associates Removal of charge between a substrate and an electrostatic clamp
KR20210065037A (ko) * 2019-11-25 2021-06-03 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드. 차이나 웨이퍼 클램핑 장치 및 플라즈마 처리 설비
JP2022179495A (ja) * 2018-09-06 2022-12-02 株式会社日立ハイテク プラズマ処理方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004515910A (ja) * 2000-09-28 2004-05-27 ラム リサーチ コーポレーション プラズマを閉じ込める処理室構成
JP4928055B2 (ja) * 2000-09-28 2012-05-09 ラム リサーチ コーポレーション プラズマを閉じ込める処理室構成
JP2005060184A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Konica Minolta Holdings Inc 処理装置
WO2010120983A3 (en) * 2009-04-16 2011-01-13 Varian Semiconductor Equipment Associates Removal of charge between a substrate and an electrostatic clamp
US8531814B2 (en) 2009-04-16 2013-09-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Removal of charge between a substrate and an electrostatic clamp
JP2022179495A (ja) * 2018-09-06 2022-12-02 株式会社日立ハイテク プラズマ処理方法
KR20210065037A (ko) * 2019-11-25 2021-06-03 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드. 차이나 웨이퍼 클램핑 장치 및 플라즈마 처리 설비

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