JPH0864663A - 静電チャック - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 電極１２の表面に絶縁層１１を設け、載置す
る試料Ｓと電極１２との間に直流電圧を印加して絶縁層
１１上に試料Ｓを吸着保持する静電チャックにおいて、
絶縁層１１の試料Ｓが吸着される側の表面１１ａの一部
に、導電層１３が形成されている静電チャック。 【効果】 静電吸着力により試料Ｓを保持することがで
きる一方、プラズマ処理後、試料Ｓを短時間に脱離させ
ることができ、スループットの増大を図ることができる
と共に、プラズマ処理の際、試料Ｓ全体を所定温度に均
一に維持することができ、試料Ｓのプラズマ処理品質を
高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は静電チャックに関し、よ
り詳細には半導体装置製造工程においてウエハを吸着・
保持する際に用いられる静電チャックに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばＥＣＲ（Electron Cyclotron Res
onance) を利用して生成させたプラズマを用い、ウエハ
等の試料表面に所望の物質の薄膜を形成するためのＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition)処理装置、あるいは試
料表面に微細な回路パターンを形成するためのエッチン
グ処理装置等には、高真空状態に維持される処理室が装
備されている。この処理室内には前記試料を保持するた
めの試料保持装置が配設されており、該試料保持装置に
おける試料保持機構として最近では静電チャックが広く
用いられている。

【０００３】図８は試料保持装置における従来の静電チ
ャック近傍を模式的に示した断面図であり、図中４１は
冷却板を示している。冷却板４１内には流路４２が形成
され、流路４２には冷却液が循環しており、冷却板４
１、静電チャック４３を介して試料Ｓ全体が所定温度に
維持されるようになっている。冷却板４１上には例えば
セラミックス等から成る絶縁層４４が形成され、絶縁層
４４内には電極４５が埋設された態様で形成されてい
る。また電極４５は直流電源４６、あるいはスイッチ４
７ａを介してアース４７に接続されており、これら絶縁
層４４、電極４５、直流電源４６を含んで静電チャック
４３が構成されている。

【０００４】このように構成された静電チャック４３を
用いる場合、プラズマを照射すると共に電極４５に直流
電圧を印加すると、絶縁層４４上に載置された試料Ｓが
前記プラズマを介して電気的に接地され、電極４５と試
料Ｓとの間に電荷が蓄積されて静電容量が形成され、こ
の静電容量に基づく吸着力により試料Ｓが静電チャック
４３上に保持される。一方、試料Ｓに前記ＣＶＤ処理ま
たは前記エッチング処理（以下、単にプラズマ処理と記
す）を施した後、プラズマを照射しつつ、電圧の印加を
停めて電極４５をアース４７に接続したり、あるいは電
極４５に逆電圧を印加すると、前記吸着力が消失して試
料Ｓが静電チャック４３より脱離可能となる。

【０００５】しかし従来の静電チャック４３において
は、電荷の散逸速度が遅く、吸着力が減少し難く、試料
Ｓの脱離に時間が掛かるという問題があった。この問題
に対処するため、接地された金属端子が試料裏面に接触
するように構成された静電チャックが提案されている。

【０００６】図９は従来のこの種静電チャックを模式的
に示した断面図であり（特開平３−２１１７２５号公
報）、図中５１は略Ｔ字形状の絶縁体を示している。絶
縁体５１内には略Ｔ字形状の電極５２が形成され、電極
５２上には絶縁層５３が形成されており、絶縁層５３及
び電極５２中央部には導電性を有するウエハ押し上げピ
ンとしての金属端子５４が上下動可能に挿入されるとと
もに、アース（図示せず）に接続されている。また電極
５２には直流電源５５が接続されており、これら絶縁体
５１、電極５２、絶縁層５３、金属端子５４、直流電源
５５を含んで静電チャック５０が構成されている。さら
に静電チャック５０上方には試料Ｓを搬送するためのア
ーム５６が上下動、回転可能に付設されており、アーム
５６はアース５６ａに接続されている。

【０００７】このように構成された静電チャック５０を
用いる場合、金属端子５４を下げた状態でアーム５６を
試料Ｓ表面の外周部に接触させると共に、電極５２に直
流電圧を印加すると、絶縁層５３上に載置された試料Ｓ
がアーム５６を介して接地され、試料Ｓと電極５２との
間に電荷が蓄積されて静電容量が形成され、この静電容
量に基づく吸着力により試料Ｓが静電チャック５０上に
保持される。次にアーム５６を系外に取り出した後、試
料Ｓにプラズマ処理を施す。プラズマ処理終了後、電極
５２への電圧の印加を止めると共に、金属端子５４を上
昇させてこの上面を試料Ｓ裏面に当接させると、試料Ｓ
に蓄積されていた電荷が金属端子５４を介して前記アー
スに散逸し、吸着力が消失して試料Ｓが静電チャック５
０より脱離可能となる。この後、金属端子５４をさらに
上昇させて試料Ｓを静電チャック５０から脱離させ、ア
ーム５６で把持して試料Ｓを系外に搬出する。

【０００８】図１０は接地された金属端子が試料裏面に
接触するように構成された従来の別の静電チャックを模
式的に示した断面図であり（特開昭６３−２８１４３０
号公報）、図中６１は電極を示している。電極６１表面
には絶縁層６２が形成され、電極６１は高周波電源（図
示せず）に接続されており、電極６１の略中央部にはス
テンレス製の略Ｔ字形状を有する金属端子６３が上下動
可能に挿入されている。金属端子６３上面の外周部には
平面視略リング形状の突起部６３ａが形成され、突起部
６３ａ先端を除く金属端子６３外面には絶縁層６４が形
成されており、金属端子６３はアース（図示せず）に接
続されている。これら電極６１、絶縁層６２、金属端子
６３を含んで静電チャック６０が構成されている。

【０００９】このように構成された静電チャック６０か
ら試料Ｓを脱離させる場合、電極６１に高周波を印加す
ると共に、金属端子６３の突起部６３ａ上面を試料Ｓ裏
面に当接さて試料Ｓにプラズマ処理を施すと、試料Ｓに
蓄積されていた電荷が金属端子６３を介して前記アース
に散逸し、吸着力が消失して試料Ｓが静電チャック６０
より脱離可能となる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記した静電チャック
５０においては、金属端子５４を試料Ｓに接触させる
と、この接触箇所近傍の試料Ｓに蓄積されていた電荷は
金属端子５４を介して前記アース側へ散逸する。しか
し、金属端子５４の試料Ｓに対する接触面積が狭く、こ
の接触箇所以外に広く存在している電荷を急速に散逸さ
せるのが難しく、したがって試料Ｓの脱離時間の短縮に
よりスループットの増大を図ることが依然として困難で
あるという課題があった。

【００１１】また静電チャック６０においては、静電チ
ャック５０の場合に比べて金属端子６３の試料Ｓに対す
る接触面積が広くなっており、試料Ｓの脱離時間は比較
的短縮される。しかし突起部６３ａ先端の形状がなお小
さく、試料Ｓに対する接触面積がそれほど広くないた
め、脱離時間の短縮がまだ不十分であるという課題があ
った。また金属端子６３が介装されているため、試料Ｓ
の略中央部近傍は絶縁層６２と接触不能になっており、
冷却板（図示せず）、電極６１を介して試料Ｓ全体を所
定温度に均一に維持するのが難しく、したがって試料Ｓ
にプラズマ処理を均一に施すのが困難であるという課題
があった。

【００１２】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、プラズマ処理後、ウエハを短時間で脱離させ
ることができ、スループットの増大を図ることができる
と共に、プラズマ処理の際、ウエハ全体を所定温度に均
一に維持してウエハに対するのプラズマ処理の均質化を
高めることができる静電チャックを提供することを目的
としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る静電チャックは、電極の表面に絶縁層が
形成され、載置される試料と前記電極との間に直流電圧
が印加されて前記絶縁層上に試料が吸着保持される静電
チャックにおいて、前記絶縁層の試料が吸着される側の
表面の一部に、導電層が形成されていることを特徴とし
ている（１）。

【００１４】また本発明に係る静電チャックは、電極の
表面に絶縁層が形成され、載置される試料と前記電極と
の間に直流電圧が印加されて前記絶縁層上に試料が吸着
保持される静電チャックにおいて、前記絶縁層の試料が
吸着される側の表面の一部または全部に、前記絶縁層の
主部に比べ電気抵抗の小さい低抵抗層が形成されている
ことを特徴としている（２）。

【００１５】

【作用】上記構成の静電チャック（１）によれば、絶縁
層の試料が吸着される側の表面の一部に導電層が形成さ
れており、前記電極に直流電圧を印加すると、該電極
と、プラズマアシスト等を通じて接地された試料との間
における前記導電層が形成されていない前記絶縁層部分
に電荷を蓄積し得るため、前記電極と前記試料との間に
静電容量が形成され、この静電容量により吸着力が発生
して前記試料が保持されることとなる。また前記直流電
圧の印加を停止して前記電極を接地したり、あるいは逆
電圧を印加すると、前記導電層により電荷の移動が速め
られ、プラズマアシスト等を通じて接地された試料の前
記電荷は急速に散逸され、あるいは中和されることとな
る。したがって短時間に吸着力が消減し、前記試料を素
早く脱離させ得ることとなり、この結果、スループット
を増大し得ることとなる。また前記導電層により前記電
荷が効率的に散逸するため、従来用いられていたアース
用の金属端子と前記試料または前記導電層との接触面積
の削減が可能となり、この結果、前記試料に対する温度
制御が均一に行なわれ、前記試料に対するプラズマ処理
の均質化を高め得ることとなる。

【００１６】また上記構成の静電チャック（２）によれ
ば、絶縁層の試料が吸着される側の表面の一部または全
部に、前記絶縁層の主部に比べ電気抵抗の小さい低抵抗
層が形成されており、前記電極に直流電圧を印加する
と、該電極と、プラズマアシスト等を通じて接地された
試料との間における前記低抵抗層が形成されていない前
記絶縁層部分、あるいは所定の比較的小さい電気抵抗を
有する前記低抵抗層に電荷を蓄積し得るため、前記電極
と前記試料との間に静電容量が形成され、この静電容量
により吸着力が発生して前記試料が保持されることとな
る。また前記直流電圧の印加を停止して前記電極を接地
したり、あるいは逆電圧を印加すると、前記低抵抗層に
より電荷の移動が速められ、プラズマアシスト等を通じ
て接地された試料の前記電荷は急速に散逸され、あるい
は中和されることとなる。したがって短時間に吸着力が
消減し、前記試料を素早く脱離させ得ることとなり、こ
の結果、スループットを増大し得ることとなる。また前
記低抵抗層により前記電荷が効率的に散逸するため、従
来用いられていたアース用の金属端子と前記試料または
前記低抵抗層との接触面積の削減が可能となり、この結
果、前記試料に対する温度制御が均一に行なわれ、前記
試料に対するプラズマ処理の均質化を高め得ることとな
る。

【００１７】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係る静電チャック
の実施例を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係
る静電チャックの実施例１を示した模式図であり、
（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。酸化アルミニ
ウムの焼結体により構成された絶縁層１１内には、タン
グステン層より成る電極１２が埋設されている。絶縁層
１１の表面１１ａにはこれと面一に厚さが約０．０５μ
ｍ以下のアルミニウムより成る導電層１３が形成され、
導電層１３は真空蒸着法により略八方放射状に形成され
ており、静電チャック１０表面には導電層１３と絶縁層
１１とが表出している。電極１２には直流電源１４の例
えばマイナス側が接続され、直流電源１４のプラス側は
接地されており、また電極１２はスイッチ１５ａを介し
てアース１５に接続されている。これら絶縁層１１、電
極１２、導電層１３、直流電源１４を含んで静電チャッ
ク１０が構成されている。

【００１８】このように構成された静電チャック１０を
用い、プラズマ照射を行ないつつ、直流電源１４を接続
して電極１２に所定の直流電圧を印加すると、試料Ｓが
静電チャック１０上に吸着・保持される。またプラズマ
照射を行ないつつ、直流電源１４を切断して印加電圧を
ゼロに設定すると共に、スイッチ１５ａをオンして電極
１２を接地する脱離操作を行うと、試料Ｓが静電チャッ
ク１０から脱離可能となる。

【００１９】以下に、実施例１に係る静電チャック１０
を用い、試料Ｓを吸着させた後、脱離操作を行ない、脱
離操作後における残留吸着力の時間的変化を調査した結
果について説明する。実験条件は下記の表１に示した。
また比較例１として図１０に示した静電チャック６０を
用いた場合について説明する。

【００２０】

【表１】

【００２１】図２は残留吸着力の時間的変化を示した曲
線図であり、図中Ａは実施例１の場合、Ｂは比較例１の
場合を示している。図２から明らかなように、比較例１
のものでは、脱離操作の約１００秒後においても残留吸
着力があるのに対し、実施例１に係る静電チャック１０
では、約１秒後に残留吸着力はほとんど消滅した。

【００２２】上記結果及び説明から明らかなように、実
施例１に係る静電チャック１０では、絶縁層１１の試料
Ｓが吸着される側の表面１１ａの一部に導電層１３が形
成されているので、電極１２に直流電圧を印加すると、
電極１２と、プラズマアシスト等を通じて接地された試
料Ｓとの間における導電層１３が形成されていない絶縁
層１１ｂ部分に電荷を蓄積することができるため、電極
１２と試料Ｓとの間に静電容量を形成することができ、
この静電容量により吸着力が発生して試料Ｓを保持する
ことができる。また前記直流電圧の印加を停止して電極
１２を接地１５すると、導電層１３により前記電荷の移
動を速めることができ、プラズマアシストを通じて接地
された試料Ｓの前記電荷を急速に散逸させることができ
る。したがって短時間に吸着力を消減することができ、
試料Ｓを素早く脱離させることができ、この結果、スル
ープットを増大することができる。

【００２３】なお、実施例１のものでは、導電層１３が
略八方放射状に形成された場合について説明したが、対
称形状であればどのような形状でもよい。

【００２４】また、実施例１のものでは、導電層１３が
アルミニウムを用いて形成された場合について説明した
が、試料Ｓへの金属汚染源とならなければ特に制限はな
い。

【００２５】図３は本発明に係る静電チャックの実施例
２を模式的に示した断面図であり、図中２１はアルミニ
ウム製の電極を示している。電極２１上には溶射法によ
り酸化アルミニウムから成る絶縁層２２が形成され、絶
縁層２２の表面２２ａの一部には、溶射法により絶縁層
２２に比べて電気抵抗の小さい低抵抗層２３が一様に形
成されている。低抵抗層２３の材料には酸化アルミニウ
ム粉末と酸化チタン微粉末との混合物が用いられてお
り、酸化チタン微粉末の混合量が増加すると、低抵抗層
２３の電気抵抗が減少される。電極２１には図１に示し
たものと同様の直流電源１４における例えばマイナス側
が接続され、直流電源１４のプラス側は接地されてお
り、また電極２１はスイッチ１５ａを介してアース１５
に接続されている。これら電極２１、絶縁層２２、低抵
抗層２３、直流電源１４を含んで静電チャック２０が構
成されている。

【００２６】このように構成された静電チャック２０を
用い、プラズマ照射を行ないつつ、直流電源１４を接続
して電極２１に所定の直流電圧を印加すると、試料Ｓが
静電チャック２０上に吸着・保持される。またプラズマ
照射を行ないつつ、直流電源１４を切断して印加電圧を
ゼロに設定すると共に、スイッチ１５ａをオンして電極
２１を接地する脱離操作を行うと、試料Ｓが静電チャッ
ク２０から脱離可能となる。

【００２７】以下に、実施例２に係る静電チャック２０
を用い、試料Ｓを吸着させた後、脱離操作を行ない、脱
離操作後における残留吸着力の時間的変化を調査した結
果について説明する。絶縁層２２は電気抵抗が約１０¹⁰
Ωｍ、低抵抗層２３は電気抵抗が約１０⁷ Ωｍのものを
用いた。その他の実験条件は上記の表１に示したものと
同様に行なった。この結果は図４に示したように、残留
吸着力は脱離操作の約２秒後にほとんど消滅した。

【００２８】上記結果及び説明から明らかなように、実
施例２に係る静電チャック２０では、絶縁層２２の試料
Ｓが吸着される側の表面２２ａの一部に、絶縁層２２の
主部に比べ電気抵抗の小さい低抵抗層２３が形成されて
いるので、電極２１に直流電圧を印加すると、電極２１
と、プラズマアシスト等を通じて接地された試料Ｓとの
間における低抵抗層２３が形成されていない絶縁層２２
部分に電荷を蓄積することができるため、電極２１と試
料Ｓとの間に静電容量を形成することができ、この静電
容量により吸着力を発生させて試料Ｓを保持することが
できる。また前記直流電圧の印加を停止して電極２１を
接地すると、低抵抗層２３により電荷の移動を速めるこ
とができ、プラズマアシスト等を通じて接地された試料
の前記電荷を急速に散逸させることができる。したがっ
て短時間に吸着力を消減させることができ、試料Ｓを素
早く脱離させることができ、この結果、スループットを
増大することができる。

【００２９】図５は本発明に係る静電チャックの実施例
３を模式的に示した断面図であり、図中３１はアルミニ
ウム製の電極を示している。電極３１上には溶射法によ
り酸化アルミニウムから成る絶縁層３２が形成され、絶
縁層３２の表面３２ａの略全面には、溶射法により絶縁
層３２に比べて所定の小さい電気抵抗を有する低抵抗層
３３が形成されている。図３に示したものと同様、低抵
抗層３３の材料には酸化アルミニウム粉末と酸化チタン
微粉末との混合物が用いられており、酸化チタン微粉末
の混合量が増加すると、低抵抗層３３の電気抵抗が減少
される。電極３１、絶縁層３２、低抵抗層３３の所定箇
所には所定形状の孔３４ａが形成され、孔３４ａ内には
例えば丸棒形形状を有するアルミニウム製の金属端子３
４が上下動可能に挿入されており、金属端子３４は接地
３４ｂされている。その他は図３に示したものと同様に
構成されており、これら電極３１、絶縁層３２、低抵抗
層３３、金属端子３４を含んで静電チャック３０が構成
されている。

【００３０】このように構成された静電チャック３０を
用い、プラズマ照射を行ないつつ、直流電源１４を接続
して電極３１に所定の直流電圧を印加すると、試料Ｓが
静電チャック３０上に吸着・保持される。またプラズマ
照射を行ないつつ、直流電源１４を切断して印加電圧を
ゼロに設定し、スイッチ１５ａをオンして電極３１を接
地すると共に、金属端子３４を上昇させて金属端子３４
上面と試料Ｓ下面とを接触させる脱離操作を行うと、試
料Ｓが静電チャック３０から脱離可能となる。

【００３１】以下に、実施例３に係る静電チャック３０
を用い、試料Ｓを吸着させた後、脱離操作を行ない、脱
離操作後における残留吸着力の時間的変化を調査した結
果、及びプラズマ処理中の試料Ｓの温度分布を調査した
結果について説明する。実験条件は実施例２の場合と同
様にして行なった。また比較例２として図９に示した静
電チャック５０を用いた場合について説明する。

【００３２】図６は残留吸着力の時間的変化を示した曲
線図であり、図中Ａは実施例３の場合、Ｂは比較例２の
場合を示している。図６から明らかなように、比較例２
のものでは、脱離操作の約１００秒後においても残留吸
着力があるのに対し、実施例３に係る静電チャック３０
では、約１秒後に残留吸着力はほとんど消滅した。また
冷却板４１（図８）の温度を約７℃に設定した際におけ
る試料Ｓの温度分布は略均一であった。

【００３３】上記結果及び説明から明らかなように、実
施例３に係る静電チャック３０では、絶縁層３２の試料
Ｓが吸着される側の表面３２ａの全部に、絶縁層３２の
主部に比べ電気抵抗の小さい低抵抗層３３が形成されて
おり、電極３１に直流電圧を印加すると、電極３１と、
プラズマアシスト等を通じて接地された試料Ｓとの間に
おける所定の小さい電気抵抗を有する低抵抗層３３に電
荷を蓄積することができるため、電極３１と試料Ｓとの
間に静電容量を形成することができ、この静電容量によ
り吸着力を発生させて試料Ｓを保持することができる。
また前記直流電圧の印加を停止して電極３１を接地する
と、低抵抗層３３により前記電荷の移動を速めることが
でき、プラズマアシスト等を通じて接地された試料Ｓの
前記電荷を急速に散逸することができる。したがって短
時間に吸着力を消減することができ、試料Ｓを素早く脱
離させることができ、この結果、スループットを増大す
ることができる。また低抵抗層３３により前記電荷が効
率的に散逸するため、従来用いられていたアース用の金
属端子３４と試料Ｓとの接触面積の削減を図ることがで
き、この結果、試料Ｓに対する温度制御を均一に行うこ
とができ、試料Ｓに対するプラズマ処理の均質化を高め
ることができる。

【００３４】図７は本発明に係る静電チャックの実施例
４を模式的に示した断面図であり、電極３１、絶縁層３
２の所定箇所には所定形状の孔４４ａが形成され、孔４
４ａ内には例えば丸棒形形状を有するアルミニウム製の
金属端子３４が上下動可能に挿入されており、金属端子
３４を上方に駆動させると、金属端子３４先端が低抵抗
層４３を破ることなくこれと確実に接触するようになっ
ている。その他は図５に示したものと同様に構成されて
おり、これら電極３１、絶縁層３２、低抵抗層４３、金
属端子３４を含んで静電チャック４０が構成されてい
る。

【００３５】上記説明から明らかなように、実施例４に
係る静電チャック４０では、図５に示した実施例３のも
のと略同様に試料Ｓを保持することができる。また直流
電圧の印加を停止して電極３１を接地すると共に、金属
端子３４を低抵抗層４３に接触させると、低抵抗層４３
により電荷の移動が速められ、プラズマアシストを通じ
て接地された試料Ｓ、及び低抵抗層４３の電荷を急速に
散逸させることができ、実施例３のものに比べて一層短
時間に吸着力を消減することができ、試料Ｓを一層素早
く脱離させることができる。

【００３６】なお、上記した実施例３、４のものでは、
低抵抗層３３、４３が絶縁層３２の表面３２ａ全部に形
成された場合について説明したが、一部に形成されてい
てもよい。

【００３７】また、上記した実施例２、３、４のもので
は、低抵抗層２３、３３、４３は電気抵抗が略１０⁷ Ω
ｍのものを用いたが、装置の使用条件により変化しても
よいのはもちろんである。

【００３８】また、上記した実施例のものでは、いずれ
も電極１２、２１、３１が接地された場合について説明
したが、電極１２、２１、３１に逆電圧を印加してもよ
い。

【００３９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る静電チ
ャック（１）にあっては、絶縁層の試料が吸着される側
の表面の一部に導電層が形成されているので、直流電圧
の印加を停止して電極を接地したり、あるいは逆電圧を
印加すると、前記導電層により電荷の移動を速めること
ができ、プラズマアシスト等を通じて接地された試料の
前記電荷を急速に散逸し、あるいは中和することができ
る。したがって短時間に吸着力を消減させ、前記試料を
素早く脱離させることができ、この結果、スループット
を増大することができる。また前記導電層により前記電
荷を効率的に散逸することができるため、従来用いられ
ていたアース用の金属端子と前記試料または前記導電層
との接触面積を削減することができ、この結果、前記試
料に対する温度制御を均一に行なうことができ、前記試
料に対するプラズマ処理の均質化を高めることができ
る。

【００４０】また本発明に係る静電チャック（２）にあ
っては、絶縁層の試料が吸着される側の表面の一部また
は全部に、前記絶縁層の主部に比べ電気抵抗の小さい低
抵抗層が形成されているので、直流電圧の印加を停止し
て電極を接地したり、あるいは逆電圧を印加すると、前
記低抵抗層により電荷の移動を速めることができ、プラ
ズマアシスト等を通じて接地された試料の前記電荷を急
速に散逸し、あるいは中和することができる。したがっ
て短時間に吸着力を消減させ、前記試料を素早く脱離さ
せることができ、この結果、スループットを増大するこ
とができる。また前記低抵抗層により前記電荷を効率的
に散逸することができるため、従来用いられていたアー
ス用の金属端子と前記試料または前記低抵抗層との接触
面積を削減することができ、この結果、前記試料に対す
る温度制御を均一に行なうことができ、前記試料に対す
るプラズマ処理の均質化を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る静電チャックの実施例１を示した
模式図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図であ
る。

【図２】残留吸着力の時間的変化を示した曲線図であ
り、図中Ａは実施例１の場合、Ｂは比較例１の場合を示
している。

【図３】実施例２に係る静電チャックを模式的に示した
断面図である。

【図４】実施例２に係る静電チャックにおける残留吸着
力の時間的変化を示した曲線図である。

【図５】実施例３に係る静電チャックを模式的に示した
断面図である。

【図６】残留吸着力の時間的変化を示した曲線図であ
り、図中Ａは実施例３の場合、Ｂは比較例２の場合を示
している。

【図７】実施例４に係る静電チャックを模式的に示した
断面図である。

【図８】試料保持装置における従来の静電チャック近傍
を模式的に示した断面図である。

【図９】接地された金属端子が試料裏面に接触するよう
に構成された従来の静電チャックを模式的に示した断面
図である。

【図１０】接地された金属端子が試料裏面に接触するよ
うに構成された従来の別の静電チャックを模式的に示し
た断面図である。

【符号の説明】

１０ 静電チャック １１ 絶縁層 １１ａ 表面 １２ 電極 １３ 導電層 １４ 直流電源

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電極の表面に絶縁層が形成され、載置さ
   れる試料と前記電極との間に直流電圧が印加されて前記
   絶縁層上に試料が吸着保持される静電チャックにおい
   て、前記絶縁層の試料が吸着される側の表面の一部に、
   導電層が形成されていることを特徴とする静電チャッ
   ク。
2. 【請求項２】 電極の表面に絶縁層が形成され、載置さ
   れる試料と前記電極との間に直流電圧が印加されて前記
   絶縁層上に試料が吸着保持される静電チャックにおい
   て、前記絶縁層の試料が吸着される側の表面の一部また
   は全部に、前記絶縁層の主部に比べ電気抵抗の小さい低
   抵抗層が形成されていることを特徴とする静電チャッ
   ク。