JP2002124397A - 放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイス - Google Patents
放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイスInfo
- Publication number
- JP2002124397A JP2002124397A JP2001198425A JP2001198425A JP2002124397A JP 2002124397 A JP2002124397 A JP 2002124397A JP 2001198425 A JP2001198425 A JP 2001198425A JP 2001198425 A JP2001198425 A JP 2001198425A JP 2002124397 A JP2002124397 A JP 2002124397A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation source
- radiation
- cathode
- vapor
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射線源は、電磁放射線を生成するよう、自
身間の空間のガスまたは蒸気に放電を生成して、作業ガ
スまたは蒸気のプラズマを形成するため、アノードおよ
びカソードを備える。 【解決手段】 カソードは、放電を開始するため、前記
放射線源の中心軸の周囲にほぼ環状の形状を有する口を
有する中空の空隙を備える。ドライバ・ガスまたは蒸気
をカソードの空隙に供給し、作業ガスまたは蒸気を、ア
ノードとカソード間で中心軸の周囲の領域に供給する。
作業ガスまたは蒸気は、キセノン、リチウム蒸気および
錫蒸気を噴くんでよい。
身間の空間のガスまたは蒸気に放電を生成して、作業ガ
スまたは蒸気のプラズマを形成するため、アノードおよ
びカソードを備える。 【解決手段】 カソードは、放電を開始するため、前記
放射線源の中心軸の周囲にほぼ環状の形状を有する口を
有する中空の空隙を備える。ドライバ・ガスまたは蒸気
をカソードの空隙に供給し、作業ガスまたは蒸気を、ア
ノードとカソード間で中心軸の周囲の領域に供給する。
作業ガスまたは蒸気は、キセノン、リチウム蒸気および
錫蒸気を噴くんでよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アノードおよびカ
ソードを含む放射線源に係り、電磁放射線を生成するよ
うに、アノードおよびカソードがこれらの間の空間にお
けるガスまたは蒸気に放電を生成しかつ作業ガスまたは
蒸気のプラズマを形成するよう構成され、配置されてな
る放射線源に関する。さらに、本発明は、このような放
射線源を有し、放射線の投影ビームを供給する放射線シ
ステムと、パターン化手段を支持する支持構造とを備
え、パターン化手段が所望のパターンにしたがって投影
ビームをパターン化する働きをし、さらに、基板を保持
する基板テーブルと、パターン化したビームを基板の標
的部分上に投影する投影システムとを備えるリソグラフ
ィ投影装置に関する。
ソードを含む放射線源に係り、電磁放射線を生成するよ
うに、アノードおよびカソードがこれらの間の空間にお
けるガスまたは蒸気に放電を生成しかつ作業ガスまたは
蒸気のプラズマを形成するよう構成され、配置されてな
る放射線源に関する。さらに、本発明は、このような放
射線源を有し、放射線の投影ビームを供給する放射線シ
ステムと、パターン化手段を支持する支持構造とを備
え、パターン化手段が所望のパターンにしたがって投影
ビームをパターン化する働きをし、さらに、基板を保持
する基板テーブルと、パターン化したビームを基板の標
的部分上に投影する投影システムとを備えるリソグラフ
ィ投影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】本明細書で使用する「パターン化手段」
という用語は、基板の標的部分に生成されるパターンに
対応する、パターン化した断面を有する入射放射ビーム
を与えるのに使用することができる手段を指すと広く解
釈され、「光弁」の用語も、この文脈で使用することが
できる。概して、前記パターンは、集積回路または他の
デバイス（以下参照）など、標的部分に生成されている
デバイスの特定の機能的層に対応する。このようなパタ
ーン化手段の例は以下を含む。
という用語は、基板の標的部分に生成されるパターンに
対応する、パターン化した断面を有する入射放射ビーム
を与えるのに使用することができる手段を指すと広く解
釈され、「光弁」の用語も、この文脈で使用することが
できる。概して、前記パターンは、集積回路または他の
デバイス（以下参照）など、標的部分に生成されている
デバイスの特定の機能的層に対応する。このようなパタ
ーン化手段の例は以下を含む。
【０００３】マスク。マスクの概念はリソグラフィでよ
く知られ、バイナリ・タイプ、交互位相シフト・タイ
プ、減衰位相シフト・タイプ、さらに様々な混合マスク
・タイプなどのマスク・タイプを含む。このようなマス
クを放射ビームに配置すると、マスクのパターンに応じ
て、マスクに衝突する放射線の選択的透過（透過性マス
クの場合）または反射（反射性マスクの場合）を引き起
こす。マスクの場合、支持構造は概してマスク・テーブ
ルであり、これによりマスクを入射放射ビームの所望の
位置に保持でき、所望に応じてビームに対して移動でき
ることが保証される。
く知られ、バイナリ・タイプ、交互位相シフト・タイ
プ、減衰位相シフト・タイプ、さらに様々な混合マスク
・タイプなどのマスク・タイプを含む。このようなマス
クを放射ビームに配置すると、マスクのパターンに応じ
て、マスクに衝突する放射線の選択的透過（透過性マス
クの場合）または反射（反射性マスクの場合）を引き起
こす。マスクの場合、支持構造は概してマスク・テーブ
ルであり、これによりマスクを入射放射ビームの所望の
位置に保持でき、所望に応じてビームに対して移動でき
ることが保証される。
【０００４】プログラマブル・ミラー・アレイ。このよ
うなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射性表面
を有する、マトリクスでアドレス可能な表面である。こ
のような装置の基本的原理は、（例えば）反射性表面の
アドレスされた区域が入射光を回折光として反射し、ア
ドレスされない区域は、入射光を非回折光として反射す
る。適切なフィルタを使用して、前記非回折光を反射ビ
ームから除去し、回折光のみを残すことができ、この方
法で、ビームはマトリクスでアドレス可能な表面のアド
レス指定パターンにしたがってパターン化される。必要
なマトリクスのアドレス指定は、適切な電子的手段を使
用して実行することができ、このようなミラー・アレイ
に関するさらなる情報は、例えば米国特許第５，２９
６，８９１号および第５，５２３，１９３号から収集す
ることができ、これは参照により本明細書に組み込まれ
る。プログラマブル・ミラー・アレイの場合、前記支持
構造は、例えばフレームまたはテーブルとして実現して
もよく、これを必要に応じて固定または可動状態にする
ことができる。
うなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射性表面
を有する、マトリクスでアドレス可能な表面である。こ
のような装置の基本的原理は、（例えば）反射性表面の
アドレスされた区域が入射光を回折光として反射し、ア
ドレスされない区域は、入射光を非回折光として反射す
る。適切なフィルタを使用して、前記非回折光を反射ビ
ームから除去し、回折光のみを残すことができ、この方
法で、ビームはマトリクスでアドレス可能な表面のアド
レス指定パターンにしたがってパターン化される。必要
なマトリクスのアドレス指定は、適切な電子的手段を使
用して実行することができ、このようなミラー・アレイ
に関するさらなる情報は、例えば米国特許第５，２９
６，８９１号および第５，５２３，１９３号から収集す
ることができ、これは参照により本明細書に組み込まれ
る。プログラマブル・ミラー・アレイの場合、前記支持
構造は、例えばフレームまたはテーブルとして実現して
もよく、これを必要に応じて固定または可動状態にする
ことができる。
【０００５】プログラマブルＬＣＤアレイ。このような
構造の一例が米国特許第５，２２９，８７２号で与えら
れ、これは参照により本明細書に組み込まれる。上述し
たように、この場合、支持構造は例えばフレームまたは
テーブルとして具体化してもよく、これを必要に応じて
固定または可動状態にされてもよい。
構造の一例が米国特許第５，２２９，８７２号で与えら
れ、これは参照により本明細書に組み込まれる。上述し
たように、この場合、支持構造は例えばフレームまたは
テーブルとして具体化してもよく、これを必要に応じて
固定または可動状態にされてもよい。
【０００６】単純化のため、本明細書の残りの部分で
は、特定の位置でマスクおよびマスク・テーブルに関わ
る例を特に指すが、このような場合に検討される一般的
原理は、以上で述べたようなパターン化手段のより広い
文脈で見られたい。
は、特定の位置でマスクおよびマスク・テーブルに関わ
る例を特に指すが、このような場合に検討される一般的
原理は、以上で述べたようなパターン化手段のより広い
文脈で見られたい。
【０００７】リソグラフィ投影装置は、例えば集積回路
（ＩＣ）の製造に使用することができる。このような場
合、パターン化手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路
パターンを生成することができ、このパターンを、放射
線感受性材料（レジスト）の層でコーティングしてある
基板（シリコン・ウェーハ）の標的部分（例えば１つま
たは複数のチップを含む）に撮像することができる。概
して、１つのウェーハが、投影システムを介して１回に
１つずつ連続的に照射される隣接した標的部分のネット
ワーク全体を含む。マスク・テープル上のマスクによる
パターン化を使用する現在の装置では、２つの異なるタ
イプの機械を識別することができる。１タイプのリソグ
ラフィ投影装置では、マスク・パターン全体を１回で標
的部分上に露出することにより、各標的部分を照射し、
このような装置は一般にウェーハ・ステッパと呼ばれ
る。一般的に走査ステップ装置と呼ばれる代替装置で
は、所望の好ましい方向（「走査」方向）で投影ビーム
下のマスク・パターンを漸進的に走査しながら、この方
向に平行または逆平行に基板テーブルを同期走査するこ
とにより、各標的部分を照射する。概して、投影システ
ムは倍率Ｍ（一般的には＜１）を有するので、基板テー
ブルを走査する速度Ｖは、倍率Ｍにマスク・テーブルを
走査する速度を掛けた値である。本明細書で述べるよう
なリソグラフィ・デバイスに関するさらなる情報は、例
えば米国特許第６，０４６，７９２号から収集すること
ができ、これは参照により本明細書に組み込まれる。
（ＩＣ）の製造に使用することができる。このような場
合、パターン化手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路
パターンを生成することができ、このパターンを、放射
線感受性材料（レジスト）の層でコーティングしてある
基板（シリコン・ウェーハ）の標的部分（例えば１つま
たは複数のチップを含む）に撮像することができる。概
して、１つのウェーハが、投影システムを介して１回に
１つずつ連続的に照射される隣接した標的部分のネット
ワーク全体を含む。マスク・テープル上のマスクによる
パターン化を使用する現在の装置では、２つの異なるタ
イプの機械を識別することができる。１タイプのリソグ
ラフィ投影装置では、マスク・パターン全体を１回で標
的部分上に露出することにより、各標的部分を照射し、
このような装置は一般にウェーハ・ステッパと呼ばれ
る。一般的に走査ステップ装置と呼ばれる代替装置で
は、所望の好ましい方向（「走査」方向）で投影ビーム
下のマスク・パターンを漸進的に走査しながら、この方
向に平行または逆平行に基板テーブルを同期走査するこ
とにより、各標的部分を照射する。概して、投影システ
ムは倍率Ｍ（一般的には＜１）を有するので、基板テー
ブルを走査する速度Ｖは、倍率Ｍにマスク・テーブルを
走査する速度を掛けた値である。本明細書で述べるよう
なリソグラフィ・デバイスに関するさらなる情報は、例
えば米国特許第６，０４６，７９２号から収集すること
ができ、これは参照により本明細書に組み込まれる。
【０００８】リソグラフィ投影装置を使用する製造プロ
セスでは、（例えばマスクの）パターンを、少なくとも
部分的に放射線感受性材料（レジスト）の層で覆われた
基板に撮像する。この撮像ステップの前に基板は、プラ
イミング、レジスト・コーティングおよびソフト・ベー
クなどの様々な手順を実行してよい。露光後、基板は、
現像前ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベークおよび
撮像機構の測定／検査など、他の手順を実行してよい。
この一連の手順は、例えばＩＣなど、デバイスの個々の
層をパターン化するベースとして使用する。このような
パターン化した層は、次に、エッチング、イオン注入
（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械
的研磨などの様々なプロセスを実行してよく、これは全
て、個々の層を仕上げることを意図する。幾つかの層が
必要な場合は、手順全体またはその変形を新しい層ごと
に反復しなければならない。最終的に、基板（ウェー
ハ）上に列状のデバイスが存在する。次に、ダイシング
またはソーイングなどの技術により、これらのデバイス
を相互から分離し、これで個々のデバイスをキャリアに
装着したり、ピンに接続したりすることができる。この
ようなプロセスに関するさらなる情報は、例えばPeter
van Zantによる「Microchip Fabrication: A Practical
Guide to Semiconductor Processing」(McGraw Hill P
ublishing Co., 1997, ISBN 0-07-067250-4)という著書
から獲得することができ、これは参照により本明細書に
組み込まれる。
セスでは、（例えばマスクの）パターンを、少なくとも
部分的に放射線感受性材料（レジスト）の層で覆われた
基板に撮像する。この撮像ステップの前に基板は、プラ
イミング、レジスト・コーティングおよびソフト・ベー
クなどの様々な手順を実行してよい。露光後、基板は、
現像前ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベークおよび
撮像機構の測定／検査など、他の手順を実行してよい。
この一連の手順は、例えばＩＣなど、デバイスの個々の
層をパターン化するベースとして使用する。このような
パターン化した層は、次に、エッチング、イオン注入
（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械
的研磨などの様々なプロセスを実行してよく、これは全
て、個々の層を仕上げることを意図する。幾つかの層が
必要な場合は、手順全体またはその変形を新しい層ごと
に反復しなければならない。最終的に、基板（ウェー
ハ）上に列状のデバイスが存在する。次に、ダイシング
またはソーイングなどの技術により、これらのデバイス
を相互から分離し、これで個々のデバイスをキャリアに
装着したり、ピンに接続したりすることができる。この
ようなプロセスに関するさらなる情報は、例えばPeter
van Zantによる「Microchip Fabrication: A Practical
Guide to Semiconductor Processing」(McGraw Hill P
ublishing Co., 1997, ISBN 0-07-067250-4)という著書
から獲得することができ、これは参照により本明細書に
組み込まれる。
【０００９】単純化のため、投影システムをこれ以降
「レンズ」と呼ぶが、この用語は、例えば屈折性光学機
器、反射性光学機器、反射屈折性システムを含む様々な
タイプの投影システムを含むものと広く解釈されたい。
放射システムは、放射線の投影ビームを配向、成形、ま
たは制御するため、これらの設計タイプのいずれかによ
り作動する構成要素も含むことができ、このような構成
要素も、以下ではまとめて、または単独で「レンズ」と
呼ぶことができる。さらに、リソグラフィ装置は、２つ
以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスク
・テーブル）を有するタイプでよい。このような「多
段」デバイスでは、追加のテーブルを平行で使用する
か、１つ以上のテーブルで準備的ステップを実行する
間、１つ以上の他のテーブルを露光に使用することがで
きる。二段リソグラフィ装置が、例えば米国特許第５，
９６９，４４１号および国際特許第９８／４０７９１号
に記載され、これは参照により本明細書に組み込まれ
る。
「レンズ」と呼ぶが、この用語は、例えば屈折性光学機
器、反射性光学機器、反射屈折性システムを含む様々な
タイプの投影システムを含むものと広く解釈されたい。
放射システムは、放射線の投影ビームを配向、成形、ま
たは制御するため、これらの設計タイプのいずれかによ
り作動する構成要素も含むことができ、このような構成
要素も、以下ではまとめて、または単独で「レンズ」と
呼ぶことができる。さらに、リソグラフィ装置は、２つ
以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスク
・テーブル）を有するタイプでよい。このような「多
段」デバイスでは、追加のテーブルを平行で使用する
か、１つ以上のテーブルで準備的ステップを実行する
間、１つ以上の他のテーブルを露光に使用することがで
きる。二段リソグラフィ装置が、例えば米国特許第５，
９６９，４４１号および国際特許第９８／４０７９１号
に記載され、これは参照により本明細書に組み込まれ
る。
【００１０】リソグラフィ装置では、ウェーハ上に撮像
できる特徴のサイズが、投影放射線の波長によって制限
される。より高密度のデバイスを有する集積回路を生成
し、したがって作業速度を上げるには、より小さい特徴
を撮像できることが望ましい。現在のリソグラフィ投影
装置の大部分は、水銀灯またはエキシマ・レーザで生成
した紫外線を使用するが、約１３ｎｍのより短い波長の
放射線を使用することが提案されている。このような放
射線は極紫外線と呼ばれ、ＸＵＶまたはＥＵＶ放射線と
も呼ばれる。「ＸＵＶ」という略語は概ね、数十分の一
ナノメートルから数十ナノメートルの波長範囲を指し、
軟Ｘ線と真空ＵＶ範囲を組み合わせ、「ＥＵＶ」という
用語は通常、リソグラフィ（ＥＵＶＬ）と組み合わせて
使用され、約５〜２０ｎｍの放射線帯、つまりＸＵＶ範
囲の一部を指す。
できる特徴のサイズが、投影放射線の波長によって制限
される。より高密度のデバイスを有する集積回路を生成
し、したがって作業速度を上げるには、より小さい特徴
を撮像できることが望ましい。現在のリソグラフィ投影
装置の大部分は、水銀灯またはエキシマ・レーザで生成
した紫外線を使用するが、約１３ｎｍのより短い波長の
放射線を使用することが提案されている。このような放
射線は極紫外線と呼ばれ、ＸＵＶまたはＥＵＶ放射線と
も呼ばれる。「ＸＵＶ」という略語は概ね、数十分の一
ナノメートルから数十ナノメートルの波長範囲を指し、
軟Ｘ線と真空ＵＶ範囲を組み合わせ、「ＥＵＶ」という
用語は通常、リソグラフィ（ＥＵＶＬ）と組み合わせて
使用され、約５〜２０ｎｍの放射線帯、つまりＸＵＶ範
囲の一部を指す。
【００１１】ＸＵＶ放射線の放射線源は放電プラズマ放
射線源でよく、ここでプラズマはアノードとカソード間
のガスまたは蒸気の放電によって生成され、高温の放電
プラズマは、プラズマを通って流れる（パルス状）電流
によるオーム加熱で生成することができる。さらに、プ
ラズマを通って流れる電流によって生成された磁界によ
り、ある体積を有するプラズマが圧縮され、これを用い
て放電軸上に高温、高密度のプラズマを生成することが
できる（動的ピンチ効果）。ピンチするプラズマの運動
エネルギーはプラズマの温度に、したがって短波放射線
に直接伝達される。動的ピンチは、放電軸線上に非常に
高い温度および密度を有し、保存された電気エネルギー
の熱プラズマ・エネルギー、したがってＸＵＶ放射線内
への非常に高い変換効率を提供する放電プラズマを考慮
している。
射線源でよく、ここでプラズマはアノードとカソード間
のガスまたは蒸気の放電によって生成され、高温の放電
プラズマは、プラズマを通って流れる（パルス状）電流
によるオーム加熱で生成することができる。さらに、プ
ラズマを通って流れる電流によって生成された磁界によ
り、ある体積を有するプラズマが圧縮され、これを用い
て放電軸上に高温、高密度のプラズマを生成することが
できる（動的ピンチ効果）。ピンチするプラズマの運動
エネルギーはプラズマの温度に、したがって短波放射線
に直接伝達される。動的ピンチは、放電軸線上に非常に
高い温度および密度を有し、保存された電気エネルギー
の熱プラズマ・エネルギー、したがってＸＵＶ放射線内
への非常に高い変換効率を提供する放電プラズマを考慮
している。
【００１２】「A gas discharge based radiation sour
ce for EUVL」と題した講演(Sematech Workshop Monete
rey(1999))でR. Lebert、G. SchrieverおよびW. Neff
が、プラズマ生成を誘発するために中空のカソードを使
用するよう提案している。放電を自動開始する非常に効
果的な方法は、中空カソードのいわゆる遷移中空カソー
ド放電（ＴＨＣＤ）で獲得することができる。Lebertそ
の他によって提案されたような放射線源は、軸線対称の
システムで、特に構成されたカソードが軸線上に小さい
口を有し、その背後にある大きい空隙が中空のカソード
領域を形成する。しかし、中空のカソードは放電破壊を
生成し、したがってプラズマが放電軸上のみ、または放
電軸の周囲の小さい体積のみになり、そのため上述した
動的ピンチ効果を（十分に）利用することができない。
さらに、放電軸または中心軸の周囲でプラズマが占有す
る体積は、概して制御が困難であり、したがって圧縮後
に放出軸上の停滞は、生成されたＸＵＶ放射線の正確に
時間を合わせたパルスを有するよう十分に予測すること
ができない。
ce for EUVL」と題した講演(Sematech Workshop Monete
rey(1999))でR. Lebert、G. SchrieverおよびW. Neff
が、プラズマ生成を誘発するために中空のカソードを使
用するよう提案している。放電を自動開始する非常に効
果的な方法は、中空カソードのいわゆる遷移中空カソー
ド放電（ＴＨＣＤ）で獲得することができる。Lebertそ
の他によって提案されたような放射線源は、軸線対称の
システムで、特に構成されたカソードが軸線上に小さい
口を有し、その背後にある大きい空隙が中空のカソード
領域を形成する。しかし、中空のカソードは放電破壊を
生成し、したがってプラズマが放電軸上のみ、または放
電軸の周囲の小さい体積のみになり、そのため上述した
動的ピンチ効果を（十分に）利用することができない。
さらに、放電軸または中心軸の周囲でプラズマが占有す
る体積は、概して制御が困難であり、したがって圧縮後
に放出軸上の停滞は、生成されたＸＵＶ放射線の正確に
時間を合わせたパルスを有するよう十分に予測すること
ができない。
【００１３】従来の中心の中空カソードを有するプラズ
マ放電放射線源の別の欠点は、生成されたプラズマが、
高い密度を有する高温プラズマが生成された軸線上に存
在するので、中空カソードの口を腐食させ、その形状を
変化させることである。したがって、口は、軸線方向の
プラズマ・ジェットによって必然的に損傷を受け、これ
はカソードの寿命を制限し、放射線源の保守間隔を短く
する。さらに、プラズマを誘発する中空カソードの適切
な機能は、口のサイズと空隙の深さとの間で予め決定し
た関係に依存する。したがって、口の腐食は、プラズマ
の誘発瞬間および生成されたＸＵＶ放射線のパルスのタ
イミングに望ましくない影響を与える。
マ放電放射線源の別の欠点は、生成されたプラズマが、
高い密度を有する高温プラズマが生成された軸線上に存
在するので、中空カソードの口を腐食させ、その形状を
変化させることである。したがって、口は、軸線方向の
プラズマ・ジェットによって必然的に損傷を受け、これ
はカソードの寿命を制限し、放射線源の保守間隔を短く
する。さらに、プラズマを誘発する中空カソードの適切
な機能は、口のサイズと空隙の深さとの間で予め決定し
た関係に依存する。したがって、口の腐食は、プラズマ
の誘発瞬間および生成されたＸＵＶ放射線のパルスのタ
イミングに望ましくない影響を与える。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】電気エネルギーの放射
線への変換効率を上げるため、高温、高密度のプラズマ
を生成する動的ピンチ効果を利用することができる効果
的な自動開始機能を有する放射線源を提供することが本
発明の目的である。
線への変換効率を上げるため、高温、高密度のプラズマ
を生成する動的ピンチ効果を利用することができる効果
的な自動開始機能を有する放射線源を提供することが本
発明の目的である。
【００１５】 本発明の別の目的は、長い保守間隔を有
する放射線源を提供することである。
する放射線源を提供することである。
【００１６】生成されたＸＵＶ放射線のパルス、つまり
ショットの明確に画定されたタイミングを有する放射線
源を提供することが、本発明のさらに別の目的である。
ショットの明確に画定されたタイミングを有する放射線
源を提供することが、本発明のさらに別の目的である。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明によると、アノー
ドおよびカソードを含む放射線源であって、電磁放射線
を生成するよう、アノードとカソードがこれらの間の空
間のガスまたは蒸気に放電を生成し、作業ガスまたは蒸
気のプラズマを形成するよう構成および配置されてなる
放射線源が提供され、前記カソードは、前記放電を開始
するよう、前記放射線源の中心軸の周囲に、ほぼ環状の
形状を有する口を有する中空の空隙を備える。作業ガス
または蒸気は、キセノン、リチウム蒸気または錫蒸気を
含んでもよい。
ドおよびカソードを含む放射線源であって、電磁放射線
を生成するよう、アノードとカソードがこれらの間の空
間のガスまたは蒸気に放電を生成し、作業ガスまたは蒸
気のプラズマを形成するよう構成および配置されてなる
放射線源が提供され、前記カソードは、前記放電を開始
するよう、前記放射線源の中心軸の周囲に、ほぼ環状の
形状を有する口を有する中空の空隙を備える。作業ガス
または蒸気は、キセノン、リチウム蒸気または錫蒸気を
含んでもよい。
【００１８】本発明は、放電が、放射線源の中心軸から
所定の距離にある環状の中空カソードによって開始さ
れ、動的ピンチ効果を利用する。放電は、初期プラズマ
を生成するよう、少なくとも、環状の口に対応する中心
軸から所定の距離のところに生成される。アノードとカ
ソード間でプラズマを通って流れる電流が、密で高温の
プラズマを生成するよう、環状の口に対応する距離（ま
たは半径）から中心軸に向かってプラズマを圧縮する磁
界を生成する。
所定の距離にある環状の中空カソードによって開始さ
れ、動的ピンチ効果を利用する。放電は、初期プラズマ
を生成するよう、少なくとも、環状の口に対応する中心
軸から所定の距離のところに生成される。アノードとカ
ソード間でプラズマを通って流れる電流が、密で高温の
プラズマを生成するよう、環状の口に対応する距離（ま
たは半径）から中心軸に向かってプラズマを圧縮する磁
界を生成する。
【００１９】環状口の上に生成された放電プラズマは、
口の腐食を引き起こさないよう、低密度を有するように
選択することができる。プラズマの密度と環状口までの
その距離とは両方とも、中心軸に向かって圧縮されると
増加する。環状口の距離は、中心軸上でのプラズマの最
終停滞、つまり崩壊時に口の腐食を引き起こさないよ
う、十分大きい値を選択することができる。
口の腐食を引き起こさないよう、低密度を有するように
選択することができる。プラズマの密度と環状口までの
その距離とは両方とも、中心軸に向かって圧縮されると
増加する。環状口の距離は、中心軸上でのプラズマの最
終停滞、つまり崩壊時に口の腐食を引き起こさないよ
う、十分大きい値を選択することができる。
【００２０】さらに、環状中空カソード間の所定の距離
は、プラズマの圧縮が開始する制御半径を提供し、その
結果、ＸＵＶ放射線のパルスの崩壊および生成のタイミ
ングを適切に制御することができる。
は、プラズマの圧縮が開始する制御半径を提供し、その
結果、ＸＵＶ放射線のパルスの崩壊および生成のタイミ
ングを適切に制御することができる。
【００２１】好ましい実施形態では、ドライバ・ガスま
たは蒸気を前記空隙に供給する。さらに、作業ガスまた
は蒸気を、前記アノード、カソード間で前記空間の前記
中心軸の周囲にある領域に供給すると都合がよい。この
ような実施形態では、ＸＵＶ放射線のパルス生成の制御
が改良される。
たは蒸気を前記空隙に供給する。さらに、作業ガスまた
は蒸気を、前記アノード、カソード間で前記空間の前記
中心軸の周囲にある領域に供給すると都合がよい。この
ような実施形態では、ＸＵＶ放射線のパルス生成の制御
が改良される。
【００２２】中空カソードは、高い再現性とともに高い
繰返し数を達成することができる実際的特徴を有する、
効果的な自己編成放電開始を提供する。操作は、基本的
に自動的に誘発することができる。放電、および最終的
にＸＵＶ放射線のパルス生成の正確なタイミングをさら
に向上させるため、本発明による放射線源の好ましい実
施形態は、空隙に挿入されるトリガ電極を備える。放射
線源が、ほぼ自動誘発が生じかけているような状態にあ
る場合、トリガ電極に加えられる電圧パルスにより、プ
ロセスが誘発されるよう、空隙内の電界が妨害される。
この方法で、自動誘発のタイミングにある不確定さは、
トリガ電極に加えるトリガ・パルスのタイミングを正確
にとることにより解消される。適切な電気回路を使用し
て、前記トリガ電極に電圧パルスを加える。
繰返し数を達成することができる実際的特徴を有する、
効果的な自己編成放電開始を提供する。操作は、基本的
に自動的に誘発することができる。放電、および最終的
にＸＵＶ放射線のパルス生成の正確なタイミングをさら
に向上させるため、本発明による放射線源の好ましい実
施形態は、空隙に挿入されるトリガ電極を備える。放射
線源が、ほぼ自動誘発が生じかけているような状態にあ
る場合、トリガ電極に加えられる電圧パルスにより、プ
ロセスが誘発されるよう、空隙内の電界が妨害される。
この方法で、自動誘発のタイミングにある不確定さは、
トリガ電極に加えるトリガ・パルスのタイミングを正確
にとることにより解消される。適切な電気回路を使用し
て、前記トリガ電極に電圧パルスを加える。
【００２３】電気的に保存されたエネルギーのショット
間隔を安定させ、アノードおよびカソードに電気エネル
ギーを非常に高速で供給するため、放射線源は、前記ア
ノードおよびカソードに接続されたコンデンサを備える
ことができ、さらに、前記コンデンサに接続された充電
回路を備えることができ、前記充電回路は、さらなるコ
ンデンサ、および前記コンデンサを前記さらなるコンデ
ンサに電気的に結合する変圧器を備える。スイッチで、
前記さらなるコンデンサによる前記コンデンサの充填、
および電源による前記さらなるコンデンサの充電を制御
することができる。
間隔を安定させ、アノードおよびカソードに電気エネル
ギーを非常に高速で供給するため、放射線源は、前記ア
ノードおよびカソードに接続されたコンデンサを備える
ことができ、さらに、前記コンデンサに接続された充電
回路を備えることができ、前記充電回路は、さらなるコ
ンデンサ、および前記コンデンサを前記さらなるコンデ
ンサに電気的に結合する変圧器を備える。スイッチで、
前記さらなるコンデンサによる前記コンデンサの充填、
および電源による前記さらなるコンデンサの充電を制御
することができる。
【００２４】絶縁物を設けて、アノードとカソードとを
分離する。リチウム蒸気または錫蒸気による絶縁物の劣
化を防止するため、前記蒸気が提供される前記アノー
ド、カソード間の前記空間の領域と、前記絶縁物との間
に通路を構築し、前記蒸気が前記通路に沿って凝縮する
ための空間を画定する。
分離する。リチウム蒸気または錫蒸気による絶縁物の劣
化を防止するため、前記蒸気が提供される前記アノー
ド、カソード間の前記空間の領域と、前記絶縁物との間
に通路を構築し、前記蒸気が前記通路に沿って凝縮する
ための空間を画定する。
【００２５】本発明のさらなる態様によると、放射線の
投影ビームを提供する放射線システムと、パターン化手
段を支持する支持構造とを備え、パターン化手段が、所
望のパターンにしたがって投影ビームをパターン化する
働きをし、さらに、基板を保持する基板テーブルと、パ
ターン化したビームを基板の標的部分へと投影する投影
システムとを備え、前記放射線システムが上述したよう
な放射線源を備えるリソグラフィ投影装置が提供され
る。
投影ビームを提供する放射線システムと、パターン化手
段を支持する支持構造とを備え、パターン化手段が、所
望のパターンにしたがって投影ビームをパターン化する
働きをし、さらに、基板を保持する基板テーブルと、パ
ターン化したビームを基板の標的部分へと投影する投影
システムとを備え、前記放射線システムが上述したよう
な放射線源を備えるリソグラフィ投影装置が提供され
る。
【００２６】本発明は、少なくとも部分的に放射線感受
性材料の層で覆われた基板を設けるステップと、上述し
たような放射線源を備える放射線システムを使用し、放
射線の投影ビームを提供するステップと、断面にパター
ンを有する投影ビームを与えるため、パターン化手段を
使用するステップと、放射線のパターン化したビームを
放射線感受性材料の層の標的部分に投影するステップと
を含むデバイス製造方法も提供する。
性材料の層で覆われた基板を設けるステップと、上述し
たような放射線源を備える放射線システムを使用し、放
射線の投影ビームを提供するステップと、断面にパター
ンを有する投影ビームを与えるため、パターン化手段を
使用するステップと、放射線のパターン化したビームを
放射線感受性材料の層の標的部分に投影するステップと
を含むデバイス製造方法も提供する。
【００２７】本文では、本発明による装置をＩＣの製造
に使用することに特に言及しているが、このような装置
は他にも多くの可能な用途を有することを明示的に理解
されたい。例えば、一体型光学システム、磁気ドメイン
・メモリの誘導および検出パターン、液晶表示パネル、
薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用することができる。こ
のような代替用途の文脈では、本文で「レチクル」、
「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用した場
合、これはそれぞれ「マスク」、「基板」および「標的
部分」という、より一般的用語に置換して考察すべきで
あることが、当業者には理解される。
に使用することに特に言及しているが、このような装置
は他にも多くの可能な用途を有することを明示的に理解
されたい。例えば、一体型光学システム、磁気ドメイン
・メモリの誘導および検出パターン、液晶表示パネル、
薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用することができる。こ
のような代替用途の文脈では、本文で「レチクル」、
「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用した場
合、これはそれぞれ「マスク」、「基板」および「標的
部分」という、より一般的用語に置換して考察すべきで
あることが、当業者には理解される。
【００２８】本明細書では、「放射線」および「ビー
ム」という用語は、紫外線（例えば３６５、２４８、１
９３、１５７または１２６ｎｍの波長の紫外線）および
極紫外線（ＸＵＶまたはＥＵＶ、例えば５から２０ｎｍ
の範囲の波長を有する極紫外線）を含むあらゆるタイプ
の電磁放射線を含むよう使用される。
ム」という用語は、紫外線（例えば３６５、２４８、１
９３、１５７または１２６ｎｍの波長の紫外線）および
極紫外線（ＸＵＶまたはＥＵＶ、例えば５から２０ｎｍ
の範囲の波長を有する極紫外線）を含むあらゆるタイプ
の電磁放射線を含むよう使用される。
【００２９】本発明およびそれに付随する利点につい
て、例示的実施形態および添付の概略図に関して以下で
説明し、ここで同様の部品は同様の参照番号で指示され
る。
て、例示的実施形態および添付の概略図に関して以下で
説明し、ここで同様の部品は同様の参照番号で指示され
る。
【００３０】
【発明の実施の形態】実施形態１ 図１は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ投
影装置を概略的に示す。装置は、ＸＵＶ放射線の投影ビ
ームＰＢを供給する放射線システムＥｘ、ＩＬを備え、
この特定の場合、放射線システムは放射線源ＬＡも備
え、さらに、マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持する
ようマスク・ホルダを設け、品目ＰＬに対してマスクを
正確に位置決めするため、第１位置決め手段に接続され
た第１標的テーブル（マスク・テーブル）と、基板Ｗ
（例えばレジストをコーティングしたシリコン・ウェー
ハ）を保持するよう基板ホルダを設け、品目ＰＬに対し
て基板を正確に位置決めするため、第２位置決め手段に
接続された第２標的テーブル（基板テーブル）と、マス
クＭＡの照射部分を基板Ｗの標的部分Ｃ（例えば１つ以
上のチップを含む）に撮像する投影システム（「レン
ズ」）ＰＬとを備える。ここで示すように、装置は反射
タイプである（つまり反射性マスクを有する）。しか
し、概して、例えば（透過性マスクを有する）透過タイ
プでもよい。あるいは、装置は、上述したようなタイプ
のプログラマブル・ミラー・アレイなど、別の種類のパ
ターン化手段を使用してもよい。現在のところ、ＥＵＶ
（ＸＵＶ）放射線を透過する材料は知られていないの
で、レンズも概して反射性要素で構成される。
影装置を概略的に示す。装置は、ＸＵＶ放射線の投影ビ
ームＰＢを供給する放射線システムＥｘ、ＩＬを備え、
この特定の場合、放射線システムは放射線源ＬＡも備
え、さらに、マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持する
ようマスク・ホルダを設け、品目ＰＬに対してマスクを
正確に位置決めするため、第１位置決め手段に接続され
た第１標的テーブル（マスク・テーブル）と、基板Ｗ
（例えばレジストをコーティングしたシリコン・ウェー
ハ）を保持するよう基板ホルダを設け、品目ＰＬに対し
て基板を正確に位置決めするため、第２位置決め手段に
接続された第２標的テーブル（基板テーブル）と、マス
クＭＡの照射部分を基板Ｗの標的部分Ｃ（例えば１つ以
上のチップを含む）に撮像する投影システム（「レン
ズ」）ＰＬとを備える。ここで示すように、装置は反射
タイプである（つまり反射性マスクを有する）。しか
し、概して、例えば（透過性マスクを有する）透過タイ
プでもよい。あるいは、装置は、上述したようなタイプ
のプログラマブル・ミラー・アレイなど、別の種類のパ
ターン化手段を使用してもよい。現在のところ、ＥＵＶ
（ＸＵＶ）放射線を透過する材料は知られていないの
で、レンズも概して反射性要素で構成される。
【００３１】源ＬＡは放射ビームを生成する。このビー
ムは、直接に、または例えばビーム拡張器などの調整手
段を横断した後、照明システム（照明器）ＩＬに供給さ
れる。照明器ＩＬは、ビームの強度分布の外径および／
または内径範囲（一般に外σおよび内σと呼ぶ）を設定
する調節手段を備えることができる。また、積分器およ
び集光器など、概して他の様々な構成要素を備える。こ
の方法で、マスクＭＡに衝突するビームＰＢは、その断
面に所望の強度分布を有する。
ムは、直接に、または例えばビーム拡張器などの調整手
段を横断した後、照明システム（照明器）ＩＬに供給さ
れる。照明器ＩＬは、ビームの強度分布の外径および／
または内径範囲（一般に外σおよび内σと呼ぶ）を設定
する調節手段を備えることができる。また、積分器およ
び集光器など、概して他の様々な構成要素を備える。こ
の方法で、マスクＭＡに衝突するビームＰＢは、その断
面に所望の強度分布を有する。
【００３２】図１に関して、源ＬＡは、リソグラフィ投
影装置のハウジング内にあるが、リソグラフィ投影装置
から離し、生成された放射ビームを（例えば適切な配向
ミラーの補助により）装置へと導いてもよいことに留意
されたい。本発明および請求の範囲は、このシナリオの
両方を含む。
影装置のハウジング内にあるが、リソグラフィ投影装置
から離し、生成された放射ビームを（例えば適切な配向
ミラーの補助により）装置へと導いてもよいことに留意
されたい。本発明および請求の範囲は、このシナリオの
両方を含む。
【００３３】ビームＰＢは、その後、マスク・テーブル
ＭＴ上に保持されたマスクＭＡと交差する。ビームＰＢ
は、マスクＭＡにより選択的に反射した後、レンズＰＬ
を通過し、これはビームＰＢを基板Ｗ上に集束させる。
第２位置決め手段（および干渉計測定手段ＩＦ）の補助
により、例えばビームＰＢの通路に様々な標的位置Ｃを
配置するよう、基板テーブルＷＴを正確に移動させるこ
とができる。同様に、例えばマスク・ライブラリからマ
スクＭＡを機械的に取り出した後、または走査中に、第
１位置決め手段を使用し、ビームＰＢの通路に対してマ
スクＭＡを正確に位置決めすることができる。概して、
標的テーブルＭＴ、ＷＴの動作は、長いストロークのモ
ジュール（粗い位置決め）および短いストロークのモジ
ュール（微小位置決め）の補助で実現され、これらは図
１では明示的に図示されていない。しかし、（走査ステ
ップ装置ではなく）ウェーハ・ステッパの場合、マスク
・テーブルＭＴを短いストロークのアクチュエータに接
続するか、固定するだけでよい。
ＭＴ上に保持されたマスクＭＡと交差する。ビームＰＢ
は、マスクＭＡにより選択的に反射した後、レンズＰＬ
を通過し、これはビームＰＢを基板Ｗ上に集束させる。
第２位置決め手段（および干渉計測定手段ＩＦ）の補助
により、例えばビームＰＢの通路に様々な標的位置Ｃを
配置するよう、基板テーブルＷＴを正確に移動させるこ
とができる。同様に、例えばマスク・ライブラリからマ
スクＭＡを機械的に取り出した後、または走査中に、第
１位置決め手段を使用し、ビームＰＢの通路に対してマ
スクＭＡを正確に位置決めすることができる。概して、
標的テーブルＭＴ、ＷＴの動作は、長いストロークのモ
ジュール（粗い位置決め）および短いストロークのモジ
ュール（微小位置決め）の補助で実現され、これらは図
１では明示的に図示されていない。しかし、（走査ステ
ップ装置ではなく）ウェーハ・ステッパの場合、マスク
・テーブルＭＴを短いストロークのアクチュエータに接
続するか、固定するだけでよい。
【００３４】図示された装置は、次の２つの異なるモー
ドで使用することができる。 １．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴを基
本的に静止状態に維持し、マスクの像全体を１回で（つ
まり単一の「フラッシュ」で）標的部分に投影する。次
に、ビームＰＢで異なる標的部分Ｃを照射できるよう、
基板テーブルＷＴをｘおよび／またはｙ方向にシフトさ
せる。 ２．走査モードでは、基本的に同じシナリオが当てはま
るが、単一の「フラッシュ」で任意の標的部分Ｃが露光
しない。その代わり、マスク・テーブルＭＴが速度ｖで
所与の方向（いわゆる「走査方向」で、例えばｙ方向）
に移動可能であり、したがって投影ビームＰＢがマスク
像全体を走査する。同時に、基板テーブルＷＴが速度Ｖ
＝Ｍｖで同方向または逆方向に移動し、ここでＭはレン
ズＰＬの倍率である（通常Ｍ＝１／４または１／５）。
この方法で、解像度の妥協を必要とすることなく、比較
的大きい標的部分Ｃを露光することができる。
ドで使用することができる。 １．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴを基
本的に静止状態に維持し、マスクの像全体を１回で（つ
まり単一の「フラッシュ」で）標的部分に投影する。次
に、ビームＰＢで異なる標的部分Ｃを照射できるよう、
基板テーブルＷＴをｘおよび／またはｙ方向にシフトさ
せる。 ２．走査モードでは、基本的に同じシナリオが当てはま
るが、単一の「フラッシュ」で任意の標的部分Ｃが露光
しない。その代わり、マスク・テーブルＭＴが速度ｖで
所与の方向（いわゆる「走査方向」で、例えばｙ方向）
に移動可能であり、したがって投影ビームＰＢがマスク
像全体を走査する。同時に、基板テーブルＷＴが速度Ｖ
＝Ｍｖで同方向または逆方向に移動し、ここでＭはレン
ズＰＬの倍率である（通常Ｍ＝１／４または１／５）。
この方法で、解像度の妥協を必要とすることなく、比較
的大きい標的部分Ｃを露光することができる。
【００３５】図２ａから図２ｅは、本発明による放電プ
ラズマ放射線源を示す。源は円筒対称で、電気的に絶縁
性の円筒壁３０によって接続されたアノード１０および
カソード２０を備える。源からの電磁放射線を通過させ
るため、中心軸Ａ上でアノード１０に口１１を設ける。
カソード２０には、中心軸Ａの周囲に環状口２１を設
け、さらに、口２１の背後に大きい空隙２２を設ける。
空隙２２も、中心軸Ａの周囲に環状の形状を有し、空隙
の壁はカソード２０の一部である。適切な電気回路（図
２ａ〜図２ｅには図示せず）をアノード１０およびカソ
ード２０に接続し、放射線源の内側でアノード・カソー
ド間ギャップにパルス状電圧Ｖを与える。さらに、アノ
ードとカソードの間にキセノンまたはリチウム蒸気など
の適切な作業ガスまたは蒸気を特定の圧力ｐで与える。
ラズマ放射線源を示す。源は円筒対称で、電気的に絶縁
性の円筒壁３０によって接続されたアノード１０および
カソード２０を備える。源からの電磁放射線を通過させ
るため、中心軸Ａ上でアノード１０に口１１を設ける。
カソード２０には、中心軸Ａの周囲に環状口２１を設
け、さらに、口２１の背後に大きい空隙２２を設ける。
空隙２２も、中心軸Ａの周囲に環状の形状を有し、空隙
の壁はカソード２０の一部である。適切な電気回路（図
２ａ〜図２ｅには図示せず）をアノード１０およびカソ
ード２０に接続し、放射線源の内側でアノード・カソー
ド間ギャップにパルス状電圧Ｖを与える。さらに、アノ
ードとカソードの間にキセノンまたはリチウム蒸気など
の適切な作業ガスまたは蒸気を特定の圧力ｐで与える。
【００３６】放電は、低い初期電圧（ｐ＜０．５Ｔｏｒ
ｒ）および高い電圧（Ｖ＜１０ｋＶ）の状態で生じ、こ
こで電子の平均自由路はアノード・カソード間のギャッ
プの寸法と比較して大きく、したがってタウンゼント・
イオン化が無効である。これらの状態は、ガスまたは蒸
気密度に対する電界強度の比率Ｅ／Ｎが大きいことを特
徴とする。この段階は、図２ａで示すように、固定され
た電位差を有するかなり等間隔の等ポテンシャル曲線Ｅ
Ｐを示す。
ｒ）および高い電圧（Ｖ＜１０ｋＶ）の状態で生じ、こ
こで電子の平均自由路はアノード・カソード間のギャッ
プの寸法と比較して大きく、したがってタウンゼント・
イオン化が無効である。これらの状態は、ガスまたは蒸
気密度に対する電界強度の比率Ｅ／Ｎが大きいことを特
徴とする。この段階は、図２ａで示すように、固定され
た電位差を有するかなり等間隔の等ポテンシャル曲線Ｅ
Ｐを示す。
【００３７】イオン化の成長は、最初は、かなり低いＥ
／Ｎで作動する中空カソードの内側の事象に支配され、
その結果、電子の平均自由路が小さくなる。中空カソー
ド２０から生じ、空隙２２内のドライバ・ガスまたは蒸
気から獲得される電子ｅを、アノード・カソード間ギャ
ップに注入すると、実行中のイオン化で仮想アノードが
生成され、仮想アノードはアノード１０から中空カソー
ド２０へと伝播し、一様に分布した等ポテンシャル曲線
ＥＰによって、図２ｂに示すように、アノードの電位を
全てカソード付近にもたらす。これで、カソード２０の
中空の空隙２２内にある電界が大幅に強化される。
／Ｎで作動する中空カソードの内側の事象に支配され、
その結果、電子の平均自由路が小さくなる。中空カソー
ド２０から生じ、空隙２２内のドライバ・ガスまたは蒸
気から獲得される電子ｅを、アノード・カソード間ギャ
ップに注入すると、実行中のイオン化で仮想アノードが
生成され、仮想アノードはアノード１０から中空カソー
ド２０へと伝播し、一様に分布した等ポテンシャル曲線
ＥＰによって、図２ｂに示すように、アノードの電位を
全てカソード付近にもたらす。これで、カソード２０の
中空の空隙２２内にある電界が大幅に強化される。
【００３８】次の相ではイオン化が継続し、これによ
り、中空カソードの内側でカソードの口２１のすぐ背後
に、高密度のプラズマが急速に成長する。最後に、これ
も図２ｂに示すように、この領域からの強力な電子ビー
ムをアノード・カソード間ギャップに注入すると、最終
的な破壊チャネルが形成される。この形状は、放電ボリ
ュームに一様な事前のイオン化と破壊を提供する。
り、中空カソードの内側でカソードの口２１のすぐ背後
に、高密度のプラズマが急速に成長する。最後に、これ
も図２ｂに示すように、この領域からの強力な電子ビー
ムをアノード・カソード間ギャップに注入すると、最終
的な破壊チャネルが形成される。この形状は、放電ボリ
ュームに一様な事前のイオン化と破壊を提供する。
【００３９】図２ｃは、放電が開始され、アノード・カ
ソード間ギャップに作業ガスまたは蒸気のプラズマが生
成されていることを示す。電流が、プラズマ内でカソー
ド２０からアノード１０へと流れ、この電流は放射線源
内に、磁界強度Ｈを有する方位磁界を誘発する。方位電
界により、プラズマが円筒壁３０から分離し、図２ｃで
概略的に示すように、圧縮される。
ソード間ギャップに作業ガスまたは蒸気のプラズマが生
成されていることを示す。電流が、プラズマ内でカソー
ド２０からアノード１０へと流れ、この電流は放射線源
内に、磁界強度Ｈを有する方位磁界を誘発する。方位電
界により、プラズマが円筒壁３０から分離し、図２ｃで
概略的に示すように、圧縮される。
【００４０】プラズマの動的圧縮は、図３ｄでさらに示
すように、方位磁界の圧力が熱プラズマの圧力よりはる
かに大きい（Ｈ2／８π≫ｎｋＴ）ために生じ、ここで
ｎはプラズマ粒子の密度、ｋはボルツマン定数、Ｙはプ
ラズマの絶対温度を表す。アノード１０およびカソード
２０に接続されたコンデンサ・バンク（図２には図示せ
ず）に保存された電気エネルギーは、プラズマ圧縮の間
中、最も効率的に運動内破のエネルギーに変換される。
高い空間的安定性で一様に充填されたピンチが生成され
る。
すように、方位磁界の圧力が熱プラズマの圧力よりはる
かに大きい（Ｈ2／８π≫ｎｋＴ）ために生じ、ここで
ｎはプラズマ粒子の密度、ｋはボルツマン定数、Ｙはプ
ラズマの絶対温度を表す。アノード１０およびカソード
２０に接続されたコンデンサ・バンク（図２には図示せ
ず）に保存された電気エネルギーは、プラズマ圧縮の間
中、最も効率的に運動内破のエネルギーに変換される。
高い空間的安定性で一様に充填されたピンチが生成され
る。
【００４１】プラズマ圧縮の最終段階、つまり中心軸ま
たは放電軸Ａ上でのプラズマ停滞時に、プラズマの運動
エネルギーはプラズマの熱エネルギーに完全に変換さ
れ、最終的にはＸＵＶおよびＥＵＶ範囲に非常に大きく
寄与する電磁放射線に変換される。
たは放電軸Ａ上でのプラズマ停滞時に、プラズマの運動
エネルギーはプラズマの熱エネルギーに完全に変換さ
れ、最終的にはＸＵＶおよびＥＵＶ範囲に非常に大きく
寄与する電磁放射線に変換される。
【００４２】本発明による放射線源は、アノード・カソ
ード間ギャップ内の作業ガスの低い初期圧力で作動し
て、源と真空環境とのインタフェースを容易にとり、放
電ボリューム内の事前イオン化を向上させることができ
る。さらに、低い初期圧力および中空のカソードという
概念により、コンデンサ・バンクをアノード・カソード
間ギャップと電気的に直接結合することができる。低い
初期圧力は、環状の中空カソードの妥当な半径によって
補償され、放電軸Ａ上に密な結果の狭窄プラズマを生成
する。合計放射電力は密度の２乗に比例するので、結果
として生じた密度は重要である。環状の中空カソードと
放電軸との間により大きい距離を選択することにより、
密度が上昇した狭窄プラズマが獲得される。
ード間ギャップ内の作業ガスの低い初期圧力で作動し
て、源と真空環境とのインタフェースを容易にとり、放
電ボリューム内の事前イオン化を向上させることができ
る。さらに、低い初期圧力および中空のカソードという
概念により、コンデンサ・バンクをアノード・カソード
間ギャップと電気的に直接結合することができる。低い
初期圧力は、環状の中空カソードの妥当な半径によって
補償され、放電軸Ａ上に密な結果の狭窄プラズマを生成
する。合計放射電力は密度の２乗に比例するので、結果
として生じた密度は重要である。環状の中空カソードと
放電軸との間により大きい距離を選択することにより、
密度が上昇した狭窄プラズマが獲得される。
【００４３】図２ａから図２ｅに関連して述べたプロセ
スは、以下で開示する本発明の実施形態にも当てはま
る。
スは、以下で開示する本発明の実施形態にも当てはま
る。
【００４４】実施形態２ 図３は、本発明による放射線源の第２の実施形態を示
す。これはアノード１０およびカソード２０の形状を示
し、これは絶縁物３０によって分離状態に維持され、コ
ンデンサ・バンク４０に接続される。放射線源の中心部
分は、中心軸Ａの周囲に円筒対称を有する。図３は、さ
らに、環状のカソードの口２１および中心軸Ａの周囲に
ある環状のカソード空隙２２を示す。
す。これはアノード１０およびカソード２０の形状を示
し、これは絶縁物３０によって分離状態に維持され、コ
ンデンサ・バンク４０に接続される。放射線源の中心部
分は、中心軸Ａの周囲に円筒対称を有する。図３は、さ
らに、環状のカソードの口２１および中心軸Ａの周囲に
ある環状のカソード空隙２２を示す。
【００４５】空隙内に低い圧力を提供するよう、入口２
５を介してドライバ・ガスまたは蒸気を空隙２２に供給
する。この実施形態では、ドライバ・ガスとしてアルゴ
ン（Ａｒ）を選択するが、例えばヘリウム（Ｈｅ）、ネ
オン（Ｎｅ）および水素（Ｈ 2）など、基本的にどのガ
スも適切である。水素が特に好ましいのは、ＥＵＶ範囲
で放射線の低い吸収を示すからである。空隙２２内のド
ライバ・ガスを、電子源として使用し、アノードとカソ
ード間の放電を開始する。用途によっては、作業ガスま
たは蒸気、または存在する他のガスまたは蒸気に背景圧
力が残留し、それがカソード空隙２２内で十分であると
判明した場合、別個のドライバ・ガスまたは蒸気を省い
てもよい。
５を介してドライバ・ガスまたは蒸気を空隙２２に供給
する。この実施形態では、ドライバ・ガスとしてアルゴ
ン（Ａｒ）を選択するが、例えばヘリウム（Ｈｅ）、ネ
オン（Ｎｅ）および水素（Ｈ 2）など、基本的にどのガ
スも適切である。水素が特に好ましいのは、ＥＵＶ範囲
で放射線の低い吸収を示すからである。空隙２２内のド
ライバ・ガスを、電子源として使用し、アノードとカソ
ード間の放電を開始する。用途によっては、作業ガスま
たは蒸気、または存在する他のガスまたは蒸気に背景圧
力が残留し、それがカソード空隙２２内で十分であると
判明した場合、別個のドライバ・ガスまたは蒸気を省い
てもよい。
【００４６】カソード空隙２２は作業ガスまたは蒸気源
６０を囲み、これは中心軸Ａの周囲の領域でアノード・
カソード間ギャップに作業ガスまたは蒸気を射出する。
作業ガスまたは蒸気は、プラズマとしての分光放射で選
択する。この実施形態は、約１３．５ｎｍに非常に強力
な輝線があるので、リチウム（Ｌｉ）を使用する。キセ
ノン（Ｘｅ）も使用することができ、これは電磁放射ス
ペクトルのＸＵＶ（およびＥＵＶ）領域に広い発光スペ
クトルを有する。別の選択肢は、リチウムの代わりに錫
（Ｓｎ）を使用する。図示のＬｉ源６０は、容器６２の
下に加熱器６１を備え、容器は加熱器６１によって液体
および蒸気に変換すべき固体リチウムを含む。気化した
Ｌｉは、ラバル管６３を通してアノード・カソード間の
ギャップに到達する。
６０を囲み、これは中心軸Ａの周囲の領域でアノード・
カソード間ギャップに作業ガスまたは蒸気を射出する。
作業ガスまたは蒸気は、プラズマとしての分光放射で選
択する。この実施形態は、約１３．５ｎｍに非常に強力
な輝線があるので、リチウム（Ｌｉ）を使用する。キセ
ノン（Ｘｅ）も使用することができ、これは電磁放射ス
ペクトルのＸＵＶ（およびＥＵＶ）領域に広い発光スペ
クトルを有する。別の選択肢は、リチウムの代わりに錫
（Ｓｎ）を使用する。図示のＬｉ源６０は、容器６２の
下に加熱器６１を備え、容器は加熱器６１によって液体
および蒸気に変換すべき固体リチウムを含む。気化した
Ｌｉは、ラバル管６３を通してアノード・カソード間の
ギャップに到達する。
【００４７】トリガ電極５０をカソード空隙２２に挿入
する。電圧パルスを電極に加えて、図２ｂおよび図２ｃ
に関して述べた放電を開始するため、電極５０を適切な
電気回路（図３には図示せず）に接続する。図２ｂに示
した状態では、放射線源は自動誘発に近い。トリガ電極
５０に加えられた電圧パルスによって、カソード空隙２
２内に電界が分布し、これにより中空カソードが誘発さ
れて破壊チャネルが形成され、その後、カソード２０と
アノード１０間に放電が生じる。トリガ電極５０は、カ
ソード空隙２２内で軸Ａを囲むリングを備え、外側の電
子機器に接続される。
する。電圧パルスを電極に加えて、図２ｂおよび図２ｃ
に関して述べた放電を開始するため、電極５０を適切な
電気回路（図３には図示せず）に接続する。図２ｂに示
した状態では、放射線源は自動誘発に近い。トリガ電極
５０に加えられた電圧パルスによって、カソード空隙２
２内に電界が分布し、これにより中空カソードが誘発さ
れて破壊チャネルが形成され、その後、カソード２０と
アノード１０間に放電が生じる。トリガ電極５０は、カ
ソード空隙２２内で軸Ａを囲むリングを備え、外側の電
子機器に接続される。
【００４８】崩壊したプラズマから放出される放射線
は、アノード１０の開口１１を通過して真空室７０に入
り、これは真空室の壁の開口７１を通して排気される。
プラズマおよび砕片粒子も開口１１を通って逃げること
ができる。フライホィール・シャッター８０が存在し、
ＸＵＶ放射線パルスがない場合に、これらの粒子がＸＵ
Ｖ放射線の投影システムＰＬへの放射線路内にある光学
素子に到達するのを防止するため、これらの粒子を遮断
する。
は、アノード１０の開口１１を通過して真空室７０に入
り、これは真空室の壁の開口７１を通して排気される。
プラズマおよび砕片粒子も開口１１を通って逃げること
ができる。フライホィール・シャッター８０が存在し、
ＸＵＶ放射線パルスがない場合に、これらの粒子がＸＵ
Ｖ放射線の投影システムＰＬへの放射線路内にある光学
素子に到達するのを防止するため、これらの粒子を遮断
する。
【００４９】実施形態３ 図４は、本発明の第３の実施形態を示し、これは第２の
実施形態の変形であり、中心軸Ａでのプラズマ崩壊から
カソード２０の口領域をさらに保護する。アノード１０
とカソード２０とは両方とも、「帽子状」構造を有す
る。環状のカソード空隙２２および口２１を帽子の底側
に配置する。口２１における放電によって生成されたプ
ラズマが、中心軸Ａに向かって上方向および「角の周
り」に圧縮される。さらに、アノード１０とカソード２
０の位置が交換されている。カソード２０は、構成の外
側に位置し、ＸＵＶ放射線を真空室７０へと通過させる
口２３を備える。この実施形態のトリガ電極５０は、カ
ソード空隙２２に挿入された針状電極の形態をとる。
実施形態の変形であり、中心軸Ａでのプラズマ崩壊から
カソード２０の口領域をさらに保護する。アノード１０
とカソード２０とは両方とも、「帽子状」構造を有す
る。環状のカソード空隙２２および口２１を帽子の底側
に配置する。口２１における放電によって生成されたプ
ラズマが、中心軸Ａに向かって上方向および「角の周
り」に圧縮される。さらに、アノード１０とカソード２
０の位置が交換されている。カソード２０は、構成の外
側に位置し、ＸＵＶ放射線を真空室７０へと通過させる
口２３を備える。この実施形態のトリガ電極５０は、カ
ソード空隙２２に挿入された針状電極の形態をとる。
【００５０】しかし、この実施形態の作業ガスまたは蒸
気、さらにＬｉ蒸気の密度は、カソード２０の環状口２
１では、放電およびプラズマを生成するには低すぎるこ
とがある。実施形態３では、放射線源は、ドライバ・ガ
ス内で放電を生成するため、アノード・カソード間ギャ
ップ内の環状口２１の領域に十分に高い圧力のドライバ
・ガスまたは蒸気、つまりこの実施形態ではＡｒを生成
するよう構成される。ドライバ・ガスの結果のプラズマ
は、中心軸Ａに向かって圧縮を開始し、ある点で十分に
高い圧力の作業ガスまたは蒸気に遭遇して、作業ガスま
たは蒸気のプラズマを生成し、これは、中心軸Ａ上で停
滞するまでさらに圧縮する。ドライバ・ガスまたは蒸気
のプラズマは、最初でも「コーナの回り」を進んで十分
に高い圧力の作業ガスまたは蒸気に到達しなければなら
ないこともある。
気、さらにＬｉ蒸気の密度は、カソード２０の環状口２
１では、放電およびプラズマを生成するには低すぎるこ
とがある。実施形態３では、放射線源は、ドライバ・ガ
ス内で放電を生成するため、アノード・カソード間ギャ
ップ内の環状口２１の領域に十分に高い圧力のドライバ
・ガスまたは蒸気、つまりこの実施形態ではＡｒを生成
するよう構成される。ドライバ・ガスの結果のプラズマ
は、中心軸Ａに向かって圧縮を開始し、ある点で十分に
高い圧力の作業ガスまたは蒸気に遭遇して、作業ガスま
たは蒸気のプラズマを生成し、これは、中心軸Ａ上で停
滞するまでさらに圧縮する。ドライバ・ガスまたは蒸気
のプラズマは、最初でも「コーナの回り」を進んで十分
に高い圧力の作業ガスまたは蒸気に到達しなければなら
ないこともある。
【００５１】実施形態４ 図５は、本発明の第４の実施形態による放射線源の電気
回路１００を示し、上記で開示した実施形態で使用する
ことができる。電気回路１００およびトリガ電極５０
は、中心の中空カソードを有する放電プラズマ放射線源
でも使用することができるが、環状の中空カソードの概
念で使用することが好ましい。
回路１００を示し、上記で開示した実施形態で使用する
ことができる。電気回路１００およびトリガ電極５０
は、中心の中空カソードを有する放電プラズマ放射線源
でも使用することができるが、環状の中空カソードの概
念で使用することが好ましい。
【００５２】回路１００では、ＡＣ電圧が整流器１０１
で整流され、電子的に制御可能なスイッチ１１０の閉状
態で第１コンデンサ・バンクＣ１に加えられる。スイッ
チ１１０は、適切なパルスを加えることによって、閉状
態にすることができる。その後のＸＵＶ放射線パルス間
の間隔より（わずかに）短い間隔に、第１コンデンサＣ
１を公称電圧まで充電する。
で整流され、電子的に制御可能なスイッチ１１０の閉状
態で第１コンデンサ・バンクＣ１に加えられる。スイッ
チ１１０は、適切なパルスを加えることによって、閉状
態にすることができる。その後のＸＵＶ放射線パルス間
の間隔より（わずかに）短い間隔に、第１コンデンサＣ
１を公称電圧まで充電する。
【００５３】第１コンデンサＣ１を充電すると、第２電
子制御スイッチ１２０が閉じ、５〜１０Ｊの範囲の保存
エネルギーで、変圧器ＴＶ１を通して第２コンデンサ・
バンクＣ２を数マイクロ秒以内に３〜５ｋＶの範囲の作
業電圧まで充電する。第２コンデンサ・バンクＣ２を、
放射線源のアノードおよびカソードに接続する。第２コ
ンデンサ・バンクＣ２は、図３および図４に示すコンデ
ンサ・バンク４０に対応する。
子制御スイッチ１２０が閉じ、５〜１０Ｊの範囲の保存
エネルギーで、変圧器ＴＶ１を通して第２コンデンサ・
バンクＣ２を数マイクロ秒以内に３〜５ｋＶの範囲の作
業電圧まで充電する。第２コンデンサ・バンクＣ２を、
放射線源のアノードおよびカソードに接続する。第２コ
ンデンサ・バンクＣ２は、図３および図４に示すコンデ
ンサ・バンク４０に対応する。
【００５４】コンデンサ・バンクＣ２は、アノード１０
とカソード２０間に放電が発生すると放電される。放電
は、第２の実施形態に関して述べたように、カソード空
隙２２に挿入されたトリガ電極５０を使用して誘発され
る。電圧パルスは、第２変圧器ＴＶ２を介してトリガ電
極５０に供給することができる。
とカソード２０間に放電が発生すると放電される。放電
は、第２の実施形態に関して述べたように、カソード空
隙２２に挿入されたトリガ電極５０を使用して誘発され
る。電圧パルスは、第２変圧器ＴＶ２を介してトリガ電
極５０に供給することができる。
【００５５】実施形態５ 図６は、本発明の別の実施形態を概略的に示し、これは
リチウム、または錫（Ｓｎ）などの別の適切な材料を毛
管作用によってアノード・カソード間ギャップへと通過
させる構造を組み込む。実施形態５は、下記以外は以前
の実施形態に対応する。構造は、例えば３ｍｍの内径を
有する管９０の形態をとり、管９０の一方端は、リチウ
ムを液体にするような温度（約３００℃以上）まで加熱
器６１で加熱したリチウムの浴６２に挿入する。液体リ
チウムを、毛管作用によって管の内部通路に引き込み、
他方端へと移送する。この端部で、別の加熱器９１でリ
チウムを（約７００℃まで）加熱し、リチウムを管から
出して、アノード・カソード間ギャップに入れる。管の
出口の寸法に応じて、リチウムはジェットとして管を出
るが、その角度の輪郭は熱の角度（コサイン）分布より
急なピークを有する。
リチウム、または錫（Ｓｎ）などの別の適切な材料を毛
管作用によってアノード・カソード間ギャップへと通過
させる構造を組み込む。実施形態５は、下記以外は以前
の実施形態に対応する。構造は、例えば３ｍｍの内径を
有する管９０の形態をとり、管９０の一方端は、リチウ
ムを液体にするような温度（約３００℃以上）まで加熱
器６１で加熱したリチウムの浴６２に挿入する。液体リ
チウムを、毛管作用によって管の内部通路に引き込み、
他方端へと移送する。この端部で、別の加熱器９１でリ
チウムを（約７００℃まで）加熱し、リチウムを管から
出して、アノード・カソード間ギャップに入れる。管の
出口の寸法に応じて、リチウムはジェットとして管を出
るが、その角度の輪郭は熱の角度（コサイン）分布より
急なピークを有する。
【００５６】図７は、毛管作用によってリチウムをアノ
ード・カソード間ギャップへと移送するため、図６の管
９０と置換できる多孔性ロッド９５を示す。室９６を、
アノード・カソード間ギャップに近いロッド９５の端部
に設けて、リチウム浴６２から多孔性ロッドを通して移
送したリチウムを収集する。開口の寸法、室内のリチウ
ムの温度（加熱器９１によって約７００℃の温度まで加
熱）および室内に蓄積したリチウムの圧力に応じて、リ
チウムは軸Ａに沿って急なピークを有する角度輪郭を有
するジェットとして、開口９７を出る。
ード・カソード間ギャップへと移送するため、図６の管
９０と置換できる多孔性ロッド９５を示す。室９６を、
アノード・カソード間ギャップに近いロッド９５の端部
に設けて、リチウム浴６２から多孔性ロッドを通して移
送したリチウムを収集する。開口の寸法、室内のリチウ
ムの温度（加熱器９１によって約７００℃の温度まで加
熱）および室内に蓄積したリチウムの圧力に応じて、リ
チウムは軸Ａに沿って急なピークを有する角度輪郭を有
するジェットとして、開口９７を出る。
【００５７】図６は、さらに、アノードとカソード間の
絶縁物３０が、リチウムをアノード・カソード間ギャッ
プに導入する領域からある距離のところに配置されるこ
とを示す。リチウムはアノードとカソード間に設けたセ
ラミック絶縁物と化学反応し、したがってこれを腐食し
たり、これを導電性にしたりすることがあるが、これは
両方とも回避すべきである。そのため、アノード・カソ
ード間ギャップにあるリチウム蒸気が絶縁物３０に到達
するのを防止するよう措置を執る。リチウム蒸気が絶縁
物３０に到達する前にこれを凝縮させるための装置を組
み込み、凝縮したリチウムを収集してリチウム浴６２に
移送することができる。
絶縁物３０が、リチウムをアノード・カソード間ギャッ
プに導入する領域からある距離のところに配置されるこ
とを示す。リチウムはアノードとカソード間に設けたセ
ラミック絶縁物と化学反応し、したがってこれを腐食し
たり、これを導電性にしたりすることがあるが、これは
両方とも回避すべきである。そのため、アノード・カソ
ード間ギャップにあるリチウム蒸気が絶縁物３０に到達
するのを防止するよう措置を執る。リチウム蒸気が絶縁
物３０に到達する前にこれを凝縮させるための装置を組
み込み、凝縮したリチウムを収集してリチウム浴６２に
移送することができる。
【００５８】図６は、プラズマが形成されるアノード・
カソード間ギャップの高温領域と、絶縁材３０との間の
距離が、路に沿ったある点で気化リチウムの「凝固点」
が提供されるような温度を有する、十分に長く狭い路１
５０を提供することを示す。路は、路の壁に衝突すると
リチウム蒸気が冷却されるほど十分に長く、狭い。ま
た、路は、図６の右手側で示すように、その壁と蒸気と
の衝突数を増加させるため、湾曲した伸長部１５１も有
することができる。さらに、左手側で示すように、路に
沿って冷却要素１５２を設けてもよい。路１５０は、図
示の実施形態では、軸Ａを囲む上部壁１５５、１５６を
呈し、上壁１５５はアノード１０に電気的に接続され
て、下壁１５６はカソード２０に電気的に接続される。
カソード間ギャップの高温領域と、絶縁材３０との間の
距離が、路に沿ったある点で気化リチウムの「凝固点」
が提供されるような温度を有する、十分に長く狭い路１
５０を提供することを示す。路は、路の壁に衝突すると
リチウム蒸気が冷却されるほど十分に長く、狭い。ま
た、路は、図６の右手側で示すように、その壁と蒸気と
の衝突数を増加させるため、湾曲した伸長部１５１も有
することができる。さらに、左手側で示すように、路に
沿って冷却要素１５２を設けてもよい。路１５０は、図
示の実施形態では、軸Ａを囲む上部壁１５５、１５６を
呈し、上壁１５５はアノード１０に電気的に接続され
て、下壁１５６はカソード２０に電気的に接続される。
【００５９】リチウムが凝縮するために、路に沿った凝
固点での温度は約３００℃以下であるとよい。約３００
℃の温度にすると、リチウムが液体の状態で維持され、
したがって容易に収集され、リチウム浴に返還される。
図６から、液体が重力により路の壁をリチウム浴６２へ
と流れ落ちることによって、いかにこれが達成されるか
が明白である。
固点での温度は約３００℃以下であるとよい。約３００
℃の温度にすると、リチウムが液体の状態で維持され、
したがって容易に収集され、リチウム浴に返還される。
図６から、液体が重力により路の壁をリチウム浴６２へ
と流れ落ちることによって、いかにこれが達成されるか
が明白である。
【００６０】本発明の特定の実施形態について以上で述
べてきたが、本発明は説明以外の方法で実践できること
が理解されよう。その説明は本発明を制限するものでは
ない。
べてきたが、本発明は説明以外の方法で実践できること
が理解されよう。その説明は本発明を制限するものでは
ない。
【図１】本発明による放射線源を備えるリソグラフィ投
影装置を示す。
影装置を示す。
【図２ａ】本発明の第１の実施形態による放射線源、お
よび放電開始、プラズマ生成およびプラズマ圧縮のある
段階を示す。
よび放電開始、プラズマ生成およびプラズマ圧縮のある
段階を示す。
【図２ｂ】本発明の第１の実施形態による放射線源、お
よび放電開始、プラズマ生成およびプラズマ圧縮のある
段階を示す。
よび放電開始、プラズマ生成およびプラズマ圧縮のある
段階を示す。
【図２ｃ】本発明の第１の実施形態による放射線源、お
よび放電開始、プラズマ生成およびプラズマ圧縮のある
段階を示す。
よび放電開始、プラズマ生成およびプラズマ圧縮のある
段階を示す。
【図２ｄ】本発明の第１の実施形態による放射線源、お
よび放電開始、プラズマ生成およびプラズマ圧縮のある
段階を示す。
よび放電開始、プラズマ生成およびプラズマ圧縮のある
段階を示す。
【図２ｅ】本発明の第１の実施形態による放射線源、お
よび放電開始、プラズマ生成およびプラズマ圧縮のある
段階を示す。
よび放電開始、プラズマ生成およびプラズマ圧縮のある
段階を示す。
【図３】本発明の第２の実施形態による放射線源を示
す。
す。
【図４】本発明の第３の実施形態による放射線源を示
す。
す。
【図５】本発明の第４の実施形態により、コンデンサ・
バンクに充電し、放射線源のトリガ電極にトリガ・パル
スを供給する回路図を示す。
バンクに充電し、放射線源のトリガ電極にトリガ・パル
スを供給する回路図を示す。
【図６】本発明のさらに別の実施形態による放射線源を
示す。
示す。
【図７】図６の放射線源の一部の代替実施形態の詳細を
示す。
示す。
１０ アノード １１ 開口 ２０ カソード ２１ 口 ２２ 空隙 ２３ 口 ２５ 入口 ３０ 絶縁物 ４０ コンデンサ・バンク ５０ トリガ電極 ６０ 源 ６１ 加熱器 ６２ 容器 ６３ ラバル管 ７０ 真空室 ７１ 開口 ８０ フライホィール・シャッター ９０ 管 ９１ 加熱器 ９５ ロッド ９６ 室 ９７ 開口 １００ 電気回路 １０１ 整流器 １１０ スイッチ １２０ スイッチ １５１ 伸長部 １５２ 冷却要素 １５５ 上壁 １５６ 下壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０５Ｈ 1/24 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ｓ (72)発明者 フレデリク ビュケルク オランダ国 アムステルダム、ラウリエル グラヒト 13 (72)発明者 ギブイ ゲオルゲエビッチ ツカビシュビ リイ ロシア連邦 モスクワ リージョン、トロ イトズク、 プシュコブ ストラーセ ９ (72)発明者 エフゲニイ ドミトリービッチ コロプ ロシア連邦 モスクワ リージョン、トロ イトズク、 スコルナヤ ストラーセ 13、エイピーピー、27 (72)発明者 ブラディミール ビタレビッチ イバノフ ロシア連邦 モスクワ、ガリバルディ ス トラーセ ４／２、 エイピーピー、54 Ｆターム(参考） 2H097 AB09 CA13 GB01 LA10 4C092 AA07 AA14 AB21 AC09 BB02 BB12 BB17 BD08 BD09 5F046 GC03
Claims (19)
- 【請求項１】 アノードおよびカソードを含む放射線源
にして、前記アノードおよびカソードが、電磁放射線を
生成するよう、それらの間の空間のガスまたは蒸気に放
電を生成するよう構成され、配置された放射線源であっ
て、前記カソードが、前記放電を開始するよう、前記放
射線源の中心軸の周囲にほぼ環状の形状を有する口を有
する中空の空隙を備えることからなる放射線源。 - 【請求項２】 前記空隙が放射線源の中心軸の周囲にほ
ぼ環状の形状を有する請求項１に記載された放射線源。 - 【請求項３】 ドライバ・ガスまたは蒸気を前記空隙に
供給する請求項１または２に記載された放射線源。 - 【請求項４】 前記ドライバ・ガスが、ヘリウム（Ｈ
ｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）および水素
（Ｈ2）を含むグループから選択された少なくとも１つ
を含む請求項３に記載された放射線源。 - 【請求項５】 前記作業ガスまたは蒸気が前記アノード
とカソードとの間の前記空間で前記中心軸の周囲の領域
に供給される請求項１から４までのいずれか１項に記載
された放射線源。 - 【請求項６】 前記作業ガスまたは蒸気が前記中心軸に
沿って供給される請求項５に記載された放射線源。 - 【請求項７】 前記作業ガスまたは蒸気がキセノンを含
む請求項１から６までのいずれか１項に記載された放射
線源。 - 【請求項８】 前記作業ガスまたは蒸気がリチウム蒸気
および錫蒸気を含むグループから選択された少なくとも
１つを含む請求項１から７までのいずれか１項に記載さ
れた放射線源。 - 【請求項９】 前記放射線源がリチウムと錫の少なくと
も１つを含む材料を保持するホルダ、前記材料の蒸気を
生成するよう前記ホルダを加熱する加熱器、および前記
蒸気を前記アノードとカソードとの間の前記空間に案内
する構造を備える請求項８に記載された放射線源。 - 【請求項１０】 前記放射線源がリチウムと錫の少なく
とも１つを含む材料を保持するホルダ、前記材料の液体
を生成するよう前記ホルダを加熱する加熱器、および毛
管作用によって前記アノードとカソードとの間の前記空
間に前記液体を案内する構造を備える請求項８に記載さ
れた放射線源。 - 【請求項１１】 前記アノードとカソードとの間に絶縁
物を設け、前記蒸気を提供する前記アノードとカソード
との間の前記空間の領域に通路を設け、前記絶縁物は、
前記蒸気が前記路に沿って凝結するための空間を画定す
るよう構築され、配置される請求項８から１０までのい
ずれか１項に記載された放射線源。 - 【請求項１２】 トリガ電極を前記空隙に挿入する請求
項１から１１までのいずれか１項に記載された放射線
源。 - 【請求項１３】 前記放射線源が前記トリガ電極に電圧
パルスを加えるよう構築され、配置された電気回路を備
える請求項１２に記載された放射線源。 - 【請求項１４】 前記電気回路が１次および２次巻線を
有する変圧器を備え、前記１次巻線が前記電圧パルスの
源に接続され、前記２次巻線が前記カソードおよび前記
トリガ電極に接続される請求項１３に記載された放射線
源。 - 【請求項１５】 前記放射線源が、例えば５から２０ｎ
ｍ、特に９から１６ｎｍの範囲の波長を有するような極
紫外線の投影ビームを生成するようになっている請求項
１から１４までのいずれか１項に記載された放射線源。 - 【請求項１６】 リソグラフィ投影装置であって、 放射線の投影ビームを提供する放射線システムと、 パターン化手段を支持する支持構造とを備え、パターン
化手段は、所望のパターンにしたがって投影ビームをパ
ターン化する働きをし、さらに、 基板を保持する基板テーブルと、 パターン化したビームを基板の標的部分に投影する投影
システムとを備え、 前記放射線源が、請求項１から１５までのいずれか１項
に記載された放射線源を備える装置。 - 【請求項１７】 前記支持構造が、マスクを保持するマ
スク・テーブルを備える請求項１６に記載された装置。 - 【請求項１８】 少なくとも部分的に放射線感受性材料
の層で覆われた基板を提供するステップと、 請求項１から１５までのいずれか１項に記載された放射
線源を備えた放射線システムを使用して、放射線の投影
ビームを提供するステップと、 断面にパターンを有する投影ビームを与えるために、パ
ターン化手段を使用するステップと、 放射線の投影ビームを放射線感受性材料の層の標的部分
に投影するステップとを含む装置製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載された方法により製
造したデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00202304.2 | 2000-07-03 | ||
| EP00202304 | 2000-07-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124397A true JP2002124397A (ja) | 2002-04-26 |
| JP4073647B2 JP4073647B2 (ja) | 2008-04-09 |
Family
ID=8171728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001198425A Expired - Fee Related JP4073647B2 (ja) | 2000-07-03 | 2001-06-29 | 放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイス |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6667484B2 (ja) |
| EP (1) | EP1170982B1 (ja) |
| JP (1) | JP4073647B2 (ja) |
| KR (1) | KR100566755B1 (ja) |
| DE (1) | DE60139532D1 (ja) |
| TW (1) | TW518913B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006336A (ja) * | 2002-04-30 | 2004-01-08 | Xtreme Technologies Gmbh | パルス駆動されるガス放電連関式の放射線源における放射線出力を安定化するための方法 |
| JP2004172626A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Asml Holding Nv | リソグラフィー装置中の主要室ガスから光源ガスを分離する装置および方法 |
| JP2010536166A (ja) * | 2007-08-08 | 2010-11-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667484B2 (en) * | 2000-07-03 | 2003-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| DE10139677A1 (de) * | 2001-04-06 | 2002-10-17 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von extrem ultravioletter Strahlung und weicher Röntgenstrahlung |
| FR2841684B1 (fr) * | 2002-06-28 | 2004-09-24 | Centre Nat Rech Scient | Source de rayonnement, notamment ultraviolet a decharges |
| SG129259A1 (en) * | 2002-10-03 | 2007-02-26 | Asml Netherlands Bv | Radiation source lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| DE10251435B3 (de) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Xtreme Technologies Gmbh | Strahlungsquelle zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung |
| TWI286674B (en) | 2002-12-27 | 2007-09-11 | Asml Netherlands Bv | Container for a mask, method of transferring lithographic masks therein and method of scanning a mask in a container |
| DE10359464A1 (de) * | 2003-12-17 | 2005-07-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von insbesondere EUV-Strahlung und/oder weicher Röntgenstrahlung |
| US7567379B2 (en) * | 2004-04-29 | 2009-07-28 | Intel Corporation | Technique to prevent tin contamination of mirrors and electrodes in an EUV lithography system |
| US7208746B2 (en) * | 2004-07-14 | 2007-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Radiation generating device, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| CN101199240A (zh) * | 2005-06-14 | 2008-06-11 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 保护用于产生euv辐射和/或软x射线的辐射源对抗短路的方法 |
| WO2007002170A2 (en) * | 2005-06-21 | 2007-01-04 | Starfire Industries Llc | Microdischarge light source configuration and illumination system |
| JP4710463B2 (ja) | 2005-07-21 | 2011-06-29 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光発生装置 |
| KR100764793B1 (ko) * | 2006-04-24 | 2007-10-11 | 엘지전자 주식회사 | 스팀플라즈마 발생모듈 |
| US7838853B2 (en) * | 2006-12-14 | 2010-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Plasma radiation source, method of forming plasma radiation, apparatus for projecting a pattern from a patterning device onto a substrate and device manufacturing method |
| DE102010055889B4 (de) * | 2010-12-21 | 2014-04-30 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung kurzwelliger Strahlung mittels einer gasentladungsbasierten Hochfrequenzhochstromentladung |
| RU2602716C2 (ru) | 2012-04-04 | 2016-11-20 | Дженерал Фьюжн Инк. | Устройство и способ управления струей |
| US10370539B2 (en) | 2014-01-30 | 2019-08-06 | Monolith Materials, Inc. | System for high temperature chemical processing |
| US11939477B2 (en) | 2014-01-30 | 2024-03-26 | Monolith Materials, Inc. | High temperature heat integration method of making carbon black |
| CN104216236B (zh) * | 2014-08-22 | 2016-08-17 | 深圳市大川光电设备有限公司 | 适合影像转移曝光机的菲林与工件密着方法 |
| MX2017009982A (es) | 2015-02-03 | 2018-01-25 | Monolith Mat Inc | Metodo y dispositivo de enfriamiento regenerativo. |
| WO2017019683A1 (en) | 2015-07-29 | 2017-02-02 | Monolith Materials, Inc. | Dc plasma torch electrical power design method and apparatus |
| CN109642090A (zh) | 2016-04-29 | 2019-04-16 | 巨石材料公司 | 炬针方法和设备 |
| US9806501B1 (en) * | 2016-08-17 | 2017-10-31 | General Electric Company | Spark gap with triple-point electron emission prompting |
| EP3592810A4 (en) * | 2017-03-08 | 2021-01-27 | Monolith Materials, Inc. | SYSTEMS AND METHODS FOR THE PRODUCTION OF CARBON PARTICLES WITH HEAT TRANSFER GAS |
| CN115637064A (zh) | 2017-04-20 | 2023-01-24 | 巨石材料公司 | 颗粒系统和方法 |
| KR102529565B1 (ko) | 2018-02-01 | 2023-05-04 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 생성 장치 |
| CN111146967B (zh) * | 2019-12-25 | 2023-08-15 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种高可靠沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4494043A (en) | 1981-07-02 | 1985-01-15 | Physics International Company | Imploding plasma device |
| US4578805A (en) * | 1984-10-10 | 1986-03-25 | Maxwell Laboratories, Inc. | Transmission line transmitting energy to load in vacuum chamber |
| US4589123A (en) * | 1985-02-27 | 1986-05-13 | Maxwell Laboratories, Inc. | System for generating soft X rays |
| US4644576A (en) * | 1985-04-26 | 1987-02-17 | At&T Technologies, Inc. | Method and apparatus for producing x-ray pulses |
| JPS62176038A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-08-01 | Hitachi Ltd | Ｘ線発光装置 |
| JP2572787B2 (ja) | 1987-11-18 | 1997-01-16 | 株式会社日立製作所 | Ｘ線発生装置 |
| JPH01296596A (ja) | 1988-05-25 | 1989-11-29 | Hitachi Ltd | プラズマｘ線発生装置 |
| US5315629A (en) | 1990-10-10 | 1994-05-24 | At&T Bell Laboratories | Ringfield lithography |
| US6031241A (en) * | 1997-03-11 | 2000-02-29 | University Of Central Florida | Capillary discharge extreme ultraviolet lamp source for EUV microlithography and other related applications |
| US6815700B2 (en) | 1997-05-12 | 2004-11-09 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
| US6075838A (en) * | 1998-03-18 | 2000-06-13 | Plex Llc | Z-pinch soft x-ray source using diluent gas |
| US6667484B2 (en) * | 2000-07-03 | 2003-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| RU2206186C2 (ru) * | 2000-07-04 | 2003-06-10 | Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований | Способ получения коротковолнового излучения из газоразрядной плазмы и устройство для его реализации |
-
2001
- 2001-06-28 US US09/893,347 patent/US6667484B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-28 TW TW090115767A patent/TW518913B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-06-29 KR KR1020010038232A patent/KR100566755B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-06-29 JP JP2001198425A patent/JP4073647B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-29 DE DE60139532T patent/DE60139532D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-29 EP EP01305671A patent/EP1170982B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-11-05 US US10/700,445 patent/US6818912B2/en not_active Ceased
-
2006
- 2006-11-16 US US11/600,340 patent/USRE41362E1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006336A (ja) * | 2002-04-30 | 2004-01-08 | Xtreme Technologies Gmbh | パルス駆動されるガス放電連関式の放射線源における放射線出力を安定化するための方法 |
| JP2004172626A (ja) * | 2002-11-21 | 2004-06-17 | Asml Holding Nv | リソグラフィー装置中の主要室ガスから光源ガスを分離する装置および方法 |
| JP4516738B2 (ja) * | 2002-11-21 | 2010-08-04 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | リソグラフィー装置中の主要室ガスから光源ガスを分離する装置および方法 |
| JP2010536166A (ja) * | 2007-08-08 | 2010-11-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60139532D1 (de) | 2009-09-24 |
| US20040089819A1 (en) | 2004-05-13 |
| USRE41362E1 (en) | 2010-06-01 |
| KR100566755B1 (ko) | 2006-03-31 |
| US20020021430A1 (en) | 2002-02-21 |
| EP1170982B1 (en) | 2009-08-12 |
| JP4073647B2 (ja) | 2008-04-09 |
| US6818912B2 (en) | 2004-11-16 |
| TW518913B (en) | 2003-01-21 |
| EP1170982A1 (en) | 2002-01-09 |
| KR20020003292A (ko) | 2002-01-12 |
| US6667484B2 (en) | 2003-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4073647B2 (ja) | 放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイス | |
| JP4580959B2 (ja) | 放射源、リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法 | |
| TWI246872B (en) | Radiation source for use in lithographic projection apparatus | |
| US6933510B2 (en) | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
| JP4195071B2 (ja) | 平版投影装置用の照射源 | |
| TWI255394B (en) | Lithographic apparatus with debris suppression means and device manufacturing method | |
| JP3696163B2 (ja) | リソグラフィ投影装置、素子製造方法、およびそれによって製造される素子 | |
| TW200411332A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| EP1401248B1 (en) | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
| JP2004134794A (ja) | リソグラフィ投影装置および上記装置に使うためのレフレクタ組立体 | |
| EP1406124A1 (en) | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
| US20040135103A1 (en) | Thermionic-cathode for pre-ionization of an extreme ultraviolet (EUV) source supply |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060203 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060508 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060511 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060724 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061010 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070308 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070607 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070612 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070628 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070703 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080110 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080123 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110201 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120201 Year of fee payment: 4 |
|
| S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120201 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130201 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140201 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |