JP2004134794A - リソグラフィ投影装置および上記装置に使うためのレフレクタ組立体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このリソグラフィ装置で放射線のビームを発生するための斜入射コレクタ(50)は、多数のレフレクタから成り、内レフレクタ(42、43)は外側が赤外線反射層(56)で被覆してあり、外レフレクタ(46)は外側が赤外線放射層(62)で被覆してある。レフレクタの背面に入射する赤外線(40)のかなりの量を反射し且つ外部に放射し、これによってコレクタ(50)の熱負荷を軽減し且つ放射冷却を向上する。
【選択図】図4
Description
− 放射線の投影ビームを作るための、放射線源を備える照明システム;
− 上記投影ビームをパターン化するためにこの投影ビームによって照射するようにした、パターニング手段を保持するように構成した支持構造体;
− 基板を保持するように構成した基板テーブル;および
− このパターニング手段の被照射部分をこの基板の目標部分上に投影するように構成し且つ配置した投影システムを含む装置に関する。
− マスク。マスクの概念は、リソグラフィでよく知られ、それは、二値、交互位相シフト、および減衰位相シフトのようなマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。そのようなマスクを放射線ビーム中に置くと、このマスク上のパターンに従って、このマスクに入射する放射線の選択透過(透過性マスクの場合)または選択反射(反射性マスクの場合)を生ずる。マスクの場合、この支持構造体は、一般的にマスクテーブルであり、それがこのマスクを入射放射線ビームの中の所望の位置に保持できること、およびもし望むなら、それをこのビームに対して動かせることを保証する。
簡単のために、この本文の残りは、ある場所で、マスクおよびマスクテーブルを伴う例を具体的に指向するかも知れないが;しかし、そのような場合に議論する一般原理は、上に示すようなパターニング手段の広い文脈で見るべきである。
この発明の更にもう一つの目的は、比較的長寿命のコレクタを提供することである。
この様に、このレフレクタ組立体は、レフレクタの背面に入射する赤外線のかなりの量を反射し、これがこのレフレクタ組立体の熱負荷を軽減する。
本文書では、“放射線”および“ビーム”という用語を紫外放射線(UV)(例えば、365、248、193、157または126nmの波長の)および超紫外放射線(EUV)(例えば、5〜20nmの範囲の波長を有する)、並びにイオンビームまたは電子ビームのような、粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射線を包含するために使用する。
− 放射線(例えば、波長11〜14nmのEUV放射線)の投影ビームPBを供給するための、放射線システムEx、ILで、この特別の場合、放射線源LAも含むシステム;
− マスクMA(例えば、レチクル)を保持するためのマスクホルダを備え、且つこのマスクを部材PLに関して正確に位置決めするために第1位置決め手段PMに結合された第1物体テーブル(マスクテーブル)MT;
− 基板W(例えば、レジストを塗被したシリコンウエハ)を保持するための基板ホルダを備え、且つこの基板を部材PLに関して正確に位置決めするために第2位置決め手段PWに結合された第2物体テーブル(基板テーブル)WT;および
− マスクMAの被照射部分を基板Wの目標部分C(例えば、一つ以上のダイを含む)上に結像するための投影システム(“レンズ”)PLを含む。
ここに描くように、この装置は、反射型である(即ち、反射性のマスクを有する)。しかし、一般的に、それは、例えば、(透過性のマスクを備える)透過型でもよい。その代りに、この装置は、上に言及した種類のプログラム可能ミラーアレイのような、他の種類のパターニング手段を使ってもよい。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTを本質的に固定して保持し、全マスク像を目標部分C上に一度に(即ち、単一“フラッシュ”で)投影する。次に基板テーブルWTをxおよび/またはy方向に移動して異なる目標部分CをビームPBで照射できるようにする;並びに
2.走査モードでは、与えられた目標部分Cを単一“フラッシュ”では露出しないことを除いて、本質的に同じシナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルMTが与えられた方向(所謂“走査方向”、例えば、y方向)に速度νで動き得て、それで投影ビームPBがマスク像の上を走査させられ;同時に、基板テーブルWTがそれと共に同じまたは反対方向に速度V=Mνで動かされ、このMはレンズPLの倍率(典型的には、M=1/4または1/5)である。この様にして、比較的大きい目標部分Cを、解像度について妥協する必要なく、露出できる。
1.リソグラフィ投影装置(1)であって:
− 放射線の投影ビーム(16)を作るための、放射線源(6)を備える照明システム(3、4)、
− 上記投影ビームをパターン化するためにこの投影ビームによって照射するようにした、パターニング手段を保持するように構成した支持構造体(15)、
− 基板を保持するように構成した基板テーブル(20)、および
− このパターニング手段の被照射部分をこの基板の目標部分上に投影するように構成し且つ配置した投影システム(5)を含み、
この投影装置が更に:
− 光軸(47)上に配置した放射線源(72)、
− 外側壁(70)、一端がこの側壁(70)におよび他端が、この光軸(47)上に配置されたチャンネル・アレイ部材(61)に結合された第1横断壁(66)を含むハウジング内に配置された多数の同心レフレクタ(42、43、46)を含む、上記光軸(47)上のコレクタ要素(63)、
− このコレクタ要素(63)の外周を側壁(70)に結合し且つ室(65)を形成する第2横断壁(68)、
− この第1室(65)に接続してある第1ポンプ要素(67)、および
− このコレクタ要素(63)の下流の第2ポンプ要素(69)を含むリソグラフィ投影装置。
3 放射線ユニット
4 照明光学ユニット
5 投影システム
6 放射線源
10 レフレクタ組立体
15 支持構造体
16 投影ビーム
20 基板テーブル
40 波長
42 内レフレクタ
43 内レフレクタ
46 外レフレクタ
47 光軸
52 外裏当て層
54 内反射面
56 反射層
62 放射層
72 放熱フィン
73 放熱フィン
74 放熱フィン
Claims (12)
- リソグラフィ投影装置(1)であって、
放射線の投影ビーム(16)を作るための、放射線源(6)を備える照明システム(3、4)、
前記投影ビームをパターン化するために前記投影ビームによって照射するように、パターニング手段を保持する構成にした支持構造体(15)、
基板を保持するように構成した基板テーブル(20)、および
前記パターニング手段の被照射部分を基板の目標部分上に投影するように構成し且つ配置した投影システム(5)を含み、
前記投影装置が更に:
前記線源(6)または前記線源(6)の像付近に配置したレフレクタ組立体(10)を含み、該レフレクタ組立体(10)が前記線源(6)または前記線源の像が位置する光軸(47)の方向に伸びる少なくとも内および外レフレクタ(42、43、46)を含み、内レフレクタ(42、43)が外レフレクタ(46)より光軸(47)に近く、これらのレフレクタ(42、43、46)は各々内反射面(54)および外裏当て層(52)を有し、内レフレクタ(42、43)の裏当て層(52)は、0.1と100μmの間、好ましくは1と10μmの間の波長(40)に対して、0.7と0.99の間、好ましくは0.8と0.99の間の反射率を有する反射層(56)で覆われているリソグラフィ投影装置。 - リソグラフィ投影装置(1)であって、
放射線の投影ビーム(16)を作るための、放射線源(6)を備える照明システム(3、4)、
前記投影ビームをパターン化するために前投影ビームによって照射するように、パターニング手段を保持する構成にした支持構造体(15)、
基板を保持するるように構成した基板テーブル(20)、および
パターニング手段の被照射部分を基板の目標部分上に投影するように構成し且つ配置した投影システム(5)を含み、
前記投影装置が、
前記線源(6)または前記線源(6)の像付近に配置したレフレクタ組立体(10)をさらに含み、該レフレクタ組立体(10)が前記線源(6)または前記線源の像が位置する光軸(47)の方向に伸びる少なくとも内および外レフレクタ(42、43、46)を含み、内レフレクタ(42、43)が外レフレクタ(46)より光軸(47)に近く、前記レフレクタ(42、43、46)は各々内反射面(54)および外裏当て層(52)を有し、外レフレクタ(46)の裏当て層(52)は、0.1と100μmの間、好ましくは1と10μmの間の波長(40)に対して、0.6と0.95の間、好ましくは0.7と0.9の間の放射率を有する放射層(62)で覆われているリソグラフィ投影装置。 - 前記放射層(62)がカーボン(C)を含む請求項2に記載されたリソグラフィ投影装置(1)。
- 前記内レフレクタ(42、43)の裏当て層(52)が、0.1と100μmの間、好ましくは1と10μmの間の波長(40)に対して、0.7と0.99の間、好ましくは0.8と0.99の間の反射率を有する反射層(56)で覆われている請求項2または請求項3に記載されたリソグラフィ投影装置(1)。
- 前記反射層が貴金属を含む請求項1または請求項4に記載されたリソグラフィ投影装置(1)。
- 前記貴金属が金(Au)またはルテニウム(Ru)を含む請求項5に記載されたリソグラフィ投影装置(1)。
- 少なくとも二つの上記レフレクタ(42、43、46)が実質的に同軸であり且つ前記光軸(47)の周りに実質的に回転対称である請求項1ないし請求項6の何れか1項に記載されたリソグラフィ投影装置(1)。
- 前記レフレクタ組立体(10)のレフレクタ(42、43、46)の少なくとも外レフレクタ(46)が放熱フィンを含む請求項1ないし請求項7の何れか1項に記載されたリソグラフィ投影装置(1)。
- 少なくとも内および外レフレクタ(42、43、46)を含み、該レフレクタ(42、43、46)は各々内反射面(54)および外裏当て層(52)を有し、外レフレクタ(46)の内反射面(54)は内レフレクタ(42、43)の裏当て層(52)に面し、内レフレクタ(42、43)の裏当て層(52)は、0.1と100μmの間、好ましくは1と10μmの間の波長(40)に対して、0.7と0.99の間、好ましくは0.8と0.99の間の反射率を有する反射層(56)で覆われているレフレクタ組立体(10)。
- 少なくとも内および外レフレクタ(42、43、46)を含み、これらのレフレクタ(42、43、46)は各々内反射面(54)および外裏当て層(52)を有し、外レフレクタ(46)の内反射面(54)は内レフレクタ(42、43)の裏当て層(52)に面し、外レフレクタ(46)の裏当て層(52)は、0.1と100μmの間、好ましくは1と10μmの間の波長(40)に対して、0.7と0.99の間、好ましくは0.8と0.99の間の放射率を有する放射層(62)で覆われているレフレクタ組立体(10)。
- 前記内レフレクタ(42)の裏当て層(52)が、0.1と100μmの間、好ましくは1と10μmの間の波長(40)に対して、0.7と0.99の間、好ましくは0.8と0.99の間の反射率を有する反射層(56)で覆われている請求項10に記載されたレフレクタ組立体(10)。
- 少なくとも前記外レフレクタ(46)が放熱フィン(72〜74)を含む請求項9、請求項10または請求項11の何れか1項に記載されたレフレクタ組立体(10)。
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