MD152Z - Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры - Google Patents

Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры Download PDF

Info

Publication number
MD152Z
MD152Z MDS20090031A MDS20090031A MD152Z MD 152 Z MD152 Z MD 152Z MD S20090031 A MDS20090031 A MD S20090031A MD S20090031 A MDS20090031 A MD S20090031A MD 152 Z MD152 Z MD 152Z
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
formation
dimensional microstructure
sectors
microindentation
microelectronics
Prior art date
Application number
MDS20090031A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Евгений ХАРЯ
Дарья ГРАБКО
Ольга ШИКИМАКА
Дормидонт ШЕРБАН
Original Assignee
Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority to MDS20090031A priority Critical patent/MD152Z/ru
Publication of MD152Y publication Critical patent/MD152Y/ro
Publication of MD152Z publication Critical patent/MD152Z/ru

Links

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу формирования пространственно-объемный микроструктуры путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки в обрабатываемых участках и может быть использовано в микроэлектронике при изготовлении солнечных элементов, средств хранения информации.Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры включает нанесение на подложку Si рабочего слоя вещества композитной структуры ITO и обработку полученной структуры микроиндентированием при нагрузках в пределах 0,01…0,50 Н с последующим удалением деформированных участков посредством химического травления концентрированной плавиковой кислотой.
MDS20090031A 2009-03-10 2009-03-10 Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры MD152Z (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090031A MD152Z (ru) 2009-03-10 2009-03-10 Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDS20090031A MD152Z (ru) 2009-03-10 2009-03-10 Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD152Y MD152Y (ro) 2010-02-26
MD152Z true MD152Z (ru) 2010-09-30

Family

ID=43568922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDS20090031A MD152Z (ru) 2009-03-10 2009-03-10 Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD152Z (ru)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2129320C1 (ru) * 1998-05-22 1999-04-20 Гурович Борис Аронович Способ формирования проводящей структуры
RU2193080C2 (ru) * 2000-04-05 2002-11-20 Объединенный Институт Ядерных Исследований Способ ионного легирования твердых тел
RU2243613C1 (ru) * 2003-07-16 2004-12-27 Гурович Борис Аронович Способ формирования объемной структуры
MD2556G2 (ru) * 2004-06-01 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур
MD2714G2 (ru) * 2004-10-19 2005-10-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения пористых полупроводниковых структур
RU2302054C1 (ru) * 2006-02-16 2007-06-27 Борис Аронович Гурович Способ создания пространственно-объемной структуры
  • 2009

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2129320C1 (ru) * 1998-05-22 1999-04-20 Гурович Борис Аронович Способ формирования проводящей структуры
RU2193080C2 (ru) * 2000-04-05 2002-11-20 Объединенный Институт Ядерных Исследований Способ ионного легирования твердых тел
RU2243613C1 (ru) * 2003-07-16 2004-12-27 Гурович Борис Аронович Способ формирования объемной структуры
MD2556G2 (ru) * 2004-06-01 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур
MD2714G2 (ru) * 2004-10-19 2005-10-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения пористых полупроводниковых структур
RU2302054C1 (ru) * 2006-02-16 2007-06-27 Борис Аронович Гурович Способ создания пространственно-объемной структуры

Also Published As

Publication number Publication date
MD152Y (ro) 2010-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB201217909D0 (en) Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof
IN2014KN01122A (ru)
WO2013181117A3 (en) Removal of stressor layer from a spalled layer and method of making a bifacial solar cell using the same
ES2571602T3 (es) Método para transferir grafeno de forma no destructiva
WO2011106203A3 (en) Spalling for a semiconductor substrate
WO2014085663A8 (en) Methods of fabricating glass articles by laser damage and etching
WO2010099863A3 (de) Beidseitig kontaktierte solarzellen sowie verfahren zu deren herstellung
MY170119A (en) Porous silicon electro-etching system and method
WO2013006750A3 (en) Surface flaw modification for strengthening of glass articles
EP2348545A3 (en) Manufacturing method for flexible device, flexible device, solar cell, and light emitting device
JP2016516304A5 (ru)
EP2720519A4 (en) METAL FILM STRUCTURED LAMINATE, METAL FOIL LAMINATE, METAL FOIL LAMINATE SUBSTRATE, SOLAR CELL MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING METAL FILM-STRUCTURED LAMINATE
EP2704214A3 (en) Method for manufacturing solar cell
EP2408012A3 (de) Solarzelle, Solarzellenherstellungsverfahren und Prüfverfahren
EP2495737A4 (en) SUBSTRATE FOR AN OXIDS SUPERSTITUTE AND PRODUCTION PROCESS THEREFOR, AND OXIDE SUPRELITERS AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
IT1399376B1 (it) Cella fotovoltaica, in particolare per applicazioni architettoniche integrate, e metodo di fabbricazione di tale cella.
WO2011159737A3 (en) Systems, methods and products involving aspects of laser irradiation, cleaving, and/or bonding silicon-containing material to substrates
WO2010099892A3 (de) Solarzellen mit rückseitenkontaktierung sowie verfahren zu deren herstellung
EP2570519A3 (en) Localized, In-Vacuum Modification of Small Structures
EP2429005A3 (en) Method for manufacturing a mono-crystalline silicon solar cell and etching method thereof
WO2014210507A3 (en) Organic photovoltaic films using thin flexible substrates with pressure-sensitive adhesives
WO2011061693A3 (en) Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
WO2011040966A3 (en) Improved post-texturing cleaning method for photovoltaic silicon substrates
WO2011002212A3 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
MD152Z (ru) Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры

Legal Events

Date Code Title Description
KA4Y Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)