JPH04247681A - 導体パターンの形成方法 - Google Patents
導体パターンの形成方法Info
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- JPH04247681A JPH04247681A JP1309891A JP1309891A JPH04247681A JP H04247681 A JPH04247681 A JP H04247681A JP 1309891 A JP1309891 A JP 1309891A JP 1309891 A JP1309891 A JP 1309891A JP H04247681 A JPH04247681 A JP H04247681A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路基板に形成する導
体パターンに係わり、特に微細導体パターンの形成方法
に関する。
体パターンに係わり、特に微細導体パターンの形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】回路基板に導体パターンを形成するには
、従来は、回路基板の表面に導体層を設け、その導体層
の表面にレジスト膜を形成し、マスクを密接させてフォ
トリソグラフィ手法により導体パターンを設けるか、或
いはレジスト膜に電子線を照射してレジストパターンを
形成し、リソグラフィ手法により導体パターンを設ける
かしている。
、従来は、回路基板の表面に導体層を設け、その導体層
の表面にレジスト膜を形成し、マスクを密接させてフォ
トリソグラフィ手法により導体パターンを設けるか、或
いはレジスト膜に電子線を照射してレジストパターンを
形成し、リソグラフィ手法により導体パターンを設ける
かしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来手法で得られる導体パターンの幅は、感光性レジス
トの解像度に決定され、小さくともせいぜい ０．３μ
ｍであった。
従来手法で得られる導体パターンの幅は、感光性レジス
トの解像度に決定され、小さくともせいぜい ０．３μ
ｍであった。
【０００４】一方、近年はＬＳＩ等の高集積化に伴い、
導体パターン幅が数百Å程度の微細配線技術が要求され
ている。本発明はこのような点に鑑みて創作されたもの
で、信頼度が高く、且つ幅が数百Åの微細導体パターン
の形成方法を提供することを目的としている。
導体パターン幅が数百Å程度の微細配線技術が要求され
ている。本発明はこのような点に鑑みて創作されたもの
で、信頼度が高く、且つ幅が数百Åの微細導体パターン
の形成方法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、図１に示したように高真空チャンバー１
内で金属酸化物基板５の表面に電子線２を照射し、照射
部の金属酸化物を還元して、金属酸化物基板５の表面に
所望の導体パターン１０を形成するものとする。
めに本発明は、図１に示したように高真空チャンバー１
内で金属酸化物基板５の表面に電子線２を照射し、照射
部の金属酸化物を還元して、金属酸化物基板５の表面に
所望の導体パターン１０を形成するものとする。
【０００６】また、図２に図示したように、高真空チャ
ンバー１内で、誘電体基板４の表面に設けた金属酸化膜
６に電子線２を照射して、照射部の金属酸化物を還元し
所望の導体パターン１０とするものとする。
ンバー１内で、誘電体基板４の表面に設けた金属酸化膜
６に電子線２を照射して、照射部の金属酸化物を還元し
所望の導体パターン１０とするものとする。
【０００７】或いは、図３に図示したように、照射開始
点に基台９に通ずるアース線路８を誘電体基板４又は金
属酸化物基板に設け、アース線路８を介して形成する導
体パターンをアースに落とすものとする。
点に基台９に通ずるアース線路８を誘電体基板４又は金
属酸化物基板に設け、アース線路８を介して形成する導
体パターンをアースに落とすものとする。
【０００８】或いはまた、図４に示したように、高真空
チャンバー１内で金属酸化物基板５の表面に電子線２を
照射して、金属酸化物基板５の表面に導体パターン１０
を形成する。次に蒸着またはスパッタリング手段により
金属酸化物基板５の表面の全面に中間金属酸化膜層２１
を形成し、中間金属酸化膜層２１に電子線２を照射して
ビア１１を設ける。
チャンバー１内で金属酸化物基板５の表面に電子線２を
照射して、金属酸化物基板５の表面に導体パターン１０
を形成する。次に蒸着またはスパッタリング手段により
金属酸化物基板５の表面の全面に中間金属酸化膜層２１
を形成し、中間金属酸化膜層２１に電子線２を照射して
ビア１１を設ける。
【０００９】そして蒸着またはスパッタリング手段によ
り中間金属酸化膜層２１の表面の全面に上部金属酸化膜
層２２を形成し、上部金属酸化膜層２２に電子線２を照
射して、ビア１１に接続する導体パターン１２を上部金
属酸化膜層２２に設けるものとする。
り中間金属酸化膜層２１の表面の全面に上部金属酸化膜
層２２を形成し、上部金属酸化膜層２２に電子線２を照
射して、ビア１１に接続する導体パターン１２を上部金
属酸化膜層２２に設けるものとする。
【００１０】なお、最下部の導体パターン１０の形成層
が、誘電体基板の表面に形成した金属酸化膜であっても
かまわない。さらにまた、図５に示したように金属酸化
物基板５に電子線２を照射して導体パターン１０を形成
するにあたり、照射部から放出されるオージェ電子２５
を分光分析器３５でモニターしながら照射部を移動する
ものとする。
が、誘電体基板の表面に形成した金属酸化膜であっても
かまわない。さらにまた、図５に示したように金属酸化
物基板５に電子線２を照射して導体パターン１０を形成
するにあたり、照射部から放出されるオージェ電子２５
を分光分析器３５でモニターしながら照射部を移動する
ものとする。
【００１１】
【作用】高真空中で金属酸化物に過剰の電子線を照射す
ると、金属酸化物が還元されて金属となる。また、電子
線のビーム径は ２００Å乃至１０μｍ の範囲で調整
することがことが可能である。
ると、金属酸化物が還元されて金属となる。また、電子
線のビーム径は ２００Å乃至１０μｍ の範囲で調整
することがことが可能である。
【００１２】したがって、本発明方法によれば、数百Å
の微細幅の導体パターンを回路基板に形成することがで
きる。なお、絶縁抵抗が特に高い金属酸化物に電子線を
照射すると、金属酸化物の表面に多量の電子が滞留して
電子線が曲げられるので、導体パターンを形成した箇所
に引き続いて電子線を照射することができなくなる恐れ
がある。
の微細幅の導体パターンを回路基板に形成することがで
きる。なお、絶縁抵抗が特に高い金属酸化物に電子線を
照射すると、金属酸化物の表面に多量の電子が滞留して
電子線が曲げられるので、導体パターンを形成した箇所
に引き続いて電子線を照射することができなくなる恐れ
がある。
【００１３】しかし、照射開始点をアースに落とすこと
により金属酸化物の表面に滞留する電子が除去されるの
で、所望の地点に電子線を照射することができ、所望の
形状の導体パターンの形成が容易となる。
により金属酸化物の表面に滞留する電子が除去されるの
で、所望の地点に電子線を照射することができ、所望の
形状の導体パターンの形成が容易となる。
【００１４】また、電子線を金属酸化物に照射すると、
被照射物からオージェ電子が放出される。一方、このオ
ージェ電子のエネルギーは元素及び元素の結合状態によ
って異なっている。
被照射物からオージェ電子が放出される。一方、このオ
ージェ電子のエネルギーは元素及び元素の結合状態によ
って異なっている。
【００１５】したがって、照射部から放出されるオージ
ェ電子を分光分析器によりモニターすることにより、金
属酸化物が金属に還元されたか否かを確認でき、断線が
ない信頼度の高い導体パターンを形成することができる
。
ェ電子を分光分析器によりモニターすることにより、金
属酸化物が金属に還元されたか否かを確認でき、断線が
ない信頼度の高い導体パターンを形成することができる
。
【００１６】
【実施例】以下図を参照しながら、本発明を具体的に説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
【００１７】図１は本発明の原理を示す図、図２は第２
の発明の実施例の図、図３は第３の発明の実施例の要所
断面図、図４の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ） は第４の発明
の工程を示す断面図、図５は第６の発明の実施例の図、
図６はオージェ電子の特性図である。
の発明の実施例の図、図３は第３の発明の実施例の要所
断面図、図４の（Ａ），（Ｂ），（Ｃ） は第４の発明
の工程を示す断面図、図５は第６の発明の実施例の図、
図６はオージェ電子の特性図である。
【００１８】図１において、５は、微細導体パターンを
形成すべき、例えば酸化アルミニウム基板，酸化チタン
基板，酸化クロム基板のような金属酸化物基板である。 １は、１０−６ ＴＯＲＲ 以上の高真空度のチャンバ
ーであり、２ は図示省略した電子銃から出射され、ビ
ーム径を数百Åに絞った電子線であって、その出力は、
約５ＫＶ以上，１ｎＡ以上である。
形成すべき、例えば酸化アルミニウム基板，酸化チタン
基板，酸化クロム基板のような金属酸化物基板である。 １は、１０−６ ＴＯＲＲ 以上の高真空度のチャンバ
ーであり、２ は図示省略した電子銃から出射され、ビ
ーム径を数百Åに絞った電子線であって、その出力は、
約５ＫＶ以上，１ｎＡ以上である。
【００１９】上述の高真空チャンバー１内に金属酸化物
基板５をセットし、金属酸化物基板５の表面に電子線２
を照射し、電子線２を走査するか或いは金属酸化物基板
５を水平駆動することで、金属酸化物基板５の表面の照
射部の金属酸化物を還元させ、所望形状の導体パターン
１０を形成している。
基板５をセットし、金属酸化物基板５の表面に電子線２
を照射し、電子線２を走査するか或いは金属酸化物基板
５を水平駆動することで、金属酸化物基板５の表面の照
射部の金属酸化物を還元させ、所望形状の導体パターン
１０を形成している。
【００２０】なお、上述のような手法で形成した導体パ
ターン１０は、最小幅を約 ２００Å程度に小さくする
ことができる。図２において、回路基板の母体は水晶の
ような誘電体基板４であって、誘電体基板４の表面に、
蒸着またはスパッタリング手段により、厚さが２０Å〜
５０Åの酸化アルミニウム，酸化チタン，酸化クロムの
ような金属酸化膜６を設ける。
ターン１０は、最小幅を約 ２００Å程度に小さくする
ことができる。図２において、回路基板の母体は水晶の
ような誘電体基板４であって、誘電体基板４の表面に、
蒸着またはスパッタリング手段により、厚さが２０Å〜
５０Åの酸化アルミニウム，酸化チタン，酸化クロムの
ような金属酸化膜６を設ける。
【００２１】このような金属酸化膜６に電子線２を照射
することで、金属酸化膜６の金属酸化物を金属に還元し
て導体パターン１０を設けている。図３において、７は
水晶等の誘電体基板４の表面の周辺部に形成した金膜等
よりなるアースパッドである。なおこのアースパッド７
は誘電体基板４の周縁部の導体パターンの始点位置に設
けるものとする。
することで、金属酸化膜６の金属酸化物を金属に還元し
て導体パターン１０を設けている。図３において、７は
水晶等の誘電体基板４の表面の周辺部に形成した金膜等
よりなるアースパッドである。なおこのアースパッド７
は誘電体基板４の周縁部の導体パターンの始点位置に設
けるものとする。
【００２２】９は、金属材よりなる基台である。基台９
上に誘電体基板４の裏面を接着した後に、基台９の表面
ー誘電体基板４の外壁ーアースパッド７を接続するアー
ス線路８（例えば導電性接着剤よりなる線路）を設けて
、アースパッド７をアースに落とすようにする。
上に誘電体基板４の裏面を接着した後に、基台９の表面
ー誘電体基板４の外壁ーアースパッド７を接続するアー
ス線路８（例えば導電性接着剤よりなる線路）を設けて
、アースパッド７をアースに落とすようにする。
【００２３】次に、アースパッド７を含む誘電体基板４
の表面の全面に、蒸着またはスパッタリング手段により
、厚さが約３０Åの酸化アルミニウム，酸化チタン，酸
化クロムのような金属酸化膜６を形成している。
の表面の全面に、蒸着またはスパッタリング手段により
、厚さが約３０Åの酸化アルミニウム，酸化チタン，酸
化クロムのような金属酸化膜６を形成している。
【００２４】このような金属酸化膜６のアースパッド７
の直上を照射開始点にして、電子線２を照射して、金属
酸化膜６の金属酸化物を金属に還元して導体パターン１
０を設けている。
の直上を照射開始点にして、電子線２を照射して、金属
酸化膜６の金属酸化物を金属に還元して導体パターン１
０を設けている。
【００２５】なお、回路基板の母材が誘電体基板でなく
金属酸化物基板の場合には、アース線路の端末をアース
パッドとしてアース線路の端末を照射開始点にするもの
である。
金属酸化物基板の場合には、アース線路の端末をアース
パッドとしてアース線路の端末を照射開始点にするもの
である。
【００２６】一般に、酸化アルミニウムのように絶縁抵
抗が特に高い金属酸化物に電子線を照射すると、金属酸
化物の表面に多量の電子が滞留して電子線が曲げられる
。しかし、上述のように照射開始点と金属材の基台９と
をアース線路８で接続することで、金属酸化物に電子が
滞留することがなくなる。したがって、導体パターンの
形成が容易となる。
抗が特に高い金属酸化物に電子線を照射すると、金属酸
化物の表面に多量の電子が滞留して電子線が曲げられる
。しかし、上述のように照射開始点と金属材の基台９と
をアース線路８で接続することで、金属酸化物に電子が
滞留することがなくなる。したがって、導体パターンの
形成が容易となる。
【００２７】図４は多層構成の導体パターンを形成する
方法であって、まず図４の（Ａ） のように、高真空チ
ャンバー１内で金属酸化物基板５の表面に電子線２を照
射して、金属酸化物基板５の表面に導体パターン１０を
形成する。
方法であって、まず図４の（Ａ） のように、高真空チ
ャンバー１内で金属酸化物基板５の表面に電子線２を照
射して、金属酸化物基板５の表面に導体パターン１０を
形成する。
【００２８】次に図４の（Ｂ） に図示したように蒸着
またはスパッタリング手段により金属酸化物基板５の表
面の全面に中間金属酸化膜層２１を形成する。そして、
導体パターン１０の接続すべき所望のポイントを狙って
、中間金属酸化膜層２１に電子線２を照射して、中間金
属酸化膜層２１のそのポイント部分の金属酸化物を金属
に還元してビア１１を設ける。
またはスパッタリング手段により金属酸化物基板５の表
面の全面に中間金属酸化膜層２１を形成する。そして、
導体パターン１０の接続すべき所望のポイントを狙って
、中間金属酸化膜層２１に電子線２を照射して、中間金
属酸化膜層２１のそのポイント部分の金属酸化物を金属
に還元してビア１１を設ける。
【００２９】そして、図４の（Ｃ） に図示したように
、蒸着またはスパッタリング手段により中間金属酸化膜
層２１の表面の全面に上部金属酸化膜層２２を形成し、
上部金属酸化膜層２２に電子線２を照射して、ビア１１
に接続する導体パターン１２を上部金属酸化膜層２２に
設けている。
、蒸着またはスパッタリング手段により中間金属酸化膜
層２１の表面の全面に上部金属酸化膜層２２を形成し、
上部金属酸化膜層２２に電子線２を照射して、ビア１１
に接続する導体パターン１２を上部金属酸化膜層２２に
設けている。
【００３０】このような手順を繰り返すことで、多層の
導体パターンを金属酸化物基板５に設けることができる
。なお、最下部の導体パターン１０の形成層が、誘電体
基板の表面に形成した金属酸化膜であっても何ら支障が
ない。
導体パターンを金属酸化物基板５に設けることができる
。なお、最下部の導体パターン１０の形成層が、誘電体
基板の表面に形成した金属酸化膜であっても何ら支障が
ない。
【００３１】また、多層に形成する金属酸化膜層を、異
なる金属の酸化物にすることで、オージェ電子のモニタ
ーがより容易になるので、下部層の導体パターン， ビ
ア， 上部層の導体パターン等の信頼度がさらに向上す
る。
なる金属の酸化物にすることで、オージェ電子のモニタ
ーがより容易になるので、下部層の導体パターン， ビ
ア， 上部層の導体パターン等の信頼度がさらに向上す
る。
【００３２】図５において、３０は、出力が５ＫＶ乃至
３０ＫＶ，１ｎＡ以上の電子線２を出射する電子銃であ
る。３５は、電子線２の照射部から放出されるオージェ
電子２５をモニターする分光分析器である。
３０ＫＶ，１ｎＡ以上の電子線２を出射する電子銃であ
る。３５は、電子線２の照射部から放出されるオージェ
電子２５をモニターする分光分析器である。
【００３３】図５に示したように金属酸化物基板５に電
子線２を照射して導体パターン１０を形成するにあたり
、照射部から放出されるオージェ電子２５を分光分析器
３５でモニターするものとする。
子線２を照射して導体パターン１０を形成するにあたり
、照射部から放出されるオージェ電子２５を分光分析器
３５でモニターするものとする。
【００３４】以下オージェ電子について詳述する。試料
に１０ＫｅＶ 程度のエネルギーの電子線を照射すると
、試料表面の内殼電子が飛び出し、その空孔に外殼電子
が遷移し両者のエネルギー差に相当するエネルギーを放
出する。
に１０ＫｅＶ 程度のエネルギーの電子線を照射すると
、試料表面の内殼電子が飛び出し、その空孔に外殼電子
が遷移し両者のエネルギー差に相当するエネルギーを放
出する。
【００３５】そして、この放出されたエネルギーを他の
外殼電子が吸収して、その外殼電子の運動エネルギーと
して電子（ 所謂オージェ電子） が試料の外部に放出
される。なお、オージェ電子の脱出深さは、数Å乃至３
０Åである。
外殼電子が吸収して、その外殼電子の運動エネルギーと
して電子（ 所謂オージェ電子） が試料の外部に放出
される。なお、オージェ電子の脱出深さは、数Å乃至３
０Åである。
【００３６】このオージェ電子を捕捉し分光分析するこ
とにより、被照射物の元素の定性， 定量を行うオージ
ェ電子分析法は、試料の極めて薄い数十Åの表面の、数
百Å程度の領域からの情報を得る分析方法として極めて
有効な手段である。
とにより、被照射物の元素の定性， 定量を行うオージ
ェ電子分析法は、試料の極めて薄い数十Åの表面の、数
百Å程度の領域からの情報を得る分析方法として極めて
有効な手段である。
【００３７】一方、オージェ電子のエネルギーは、元素
によって異なっている。したがってオージェ電子を分光
分析器でモニターすることで、元素の定性を、オージェ
電子の強度によって元素の定量を行うことができる。
によって異なっている。したがってオージェ電子を分光
分析器でモニターすることで、元素の定性を、オージェ
電子の強度によって元素の定量を行うことができる。
【００３８】オージェ電子の特性図の一例を図６に示す
。図６は、アルミニウムのオージェ電子ピークのシフト
を微分表示したもので、実線Ａはアルミニウムのオージ
ェ電子の特性曲線であり、鎖線Ｂは酸化アルミニウムの
オージェ電子の特性曲線である。
。図６は、アルミニウムのオージェ電子ピークのシフト
を微分表示したもので、実線Ａはアルミニウムのオージ
ェ電子の特性曲線であり、鎖線Ｂは酸化アルミニウムの
オージェ電子の特性曲線である。
【００３９】図６に示すようにアルミニウムの場合、金
属では １３９１ｅＶ付近、また酸化物では １３８３
ｅＶ 付近のエネルギーを持つオージェ電子を放出する
。また、チタンは ４１９ ｅＶ 、ニッケルは ８４
６ ｅＶ のエネルギーを持つオージェ電子を放出する
。
属では １３９１ｅＶ付近、また酸化物では １３８３
ｅＶ 付近のエネルギーを持つオージェ電子を放出する
。また、チタンは ４１９ ｅＶ 、ニッケルは ８４
６ ｅＶ のエネルギーを持つオージェ電子を放出する
。
【００４０】したがって、電子線の照射を開始し、オー
ジェ電子のモニターを行い、酸化物からのオージェ電子
が消滅し金属からのオージェ電子のみとなった時に、電
子線の照射位置を順次移動するすることで、信頼度の高
い導体パターンが得られる。
ジェ電子のモニターを行い、酸化物からのオージェ電子
が消滅し金属からのオージェ電子のみとなった時に、電
子線の照射位置を順次移動するすることで、信頼度の高
い導体パターンが得られる。
【００４１】また、図５の分光分析器にオージェ電子マ
ッピング機能を付加させることで、金属と酸化物との区
別を色の変化により目視することができる。してがって
、導体パターンの検査・修正が容易となる。
ッピング機能を付加させることで、金属と酸化物との区
別を色の変化により目視することができる。してがって
、導体パターンの検査・修正が容易となる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、高真空チ
ャンバー内で金属酸化物に過剰の電子線を照射すること
で、酸化物を金属に還元して導体パターンを作成すると
いう導体パターンの形成方法であって、幅が ２００Å
乃至１０μｍ の範囲内で、厚さが１０Å乃至５０Åの
範囲内で、所望の微細導体パターンが得られ、またその
導体パターンの信頼度が高く、且つ多層構成の導体パタ
ーンも形成することができるという、実用上で優れた効
果を奏する。
ャンバー内で金属酸化物に過剰の電子線を照射すること
で、酸化物を金属に還元して導体パターンを作成すると
いう導体パターンの形成方法であって、幅が ２００Å
乃至１０μｍ の範囲内で、厚さが１０Å乃至５０Åの
範囲内で、所望の微細導体パターンが得られ、またその
導体パターンの信頼度が高く、且つ多層構成の導体パタ
ーンも形成することができるという、実用上で優れた効
果を奏する。
【図１】 本発明の原理を示す図
【図２】 第２の発明の実施例の図
【図３】 第３の発明の実施例の要所断面図
【図４】
（Ａ），（Ｂ），（Ｃ） は第４の発明の工程を示
す断面図
（Ａ），（Ｂ），（Ｃ） は第４の発明の工程を示
す断面図
【図５】 第６の発明の実施例の図
【図６】 オージェ電子の特性図
１ 高真空チャンバー、
２ 電子線、４ 誘電体基板、
５ 金属
酸化物基板、６ 金属酸化膜、
７ アースパッド、８
アース線路、
１０，１２ 導体パターン、１１
ビア、
２１ 中間金属酸化膜層、２２ 上部金
属酸化膜層
２５ オージェ電子、３０ 電子銃、
３５
分光分析器、
２ 電子線、４ 誘電体基板、
５ 金属
酸化物基板、６ 金属酸化膜、
７ アースパッド、８
アース線路、
１０，１２ 導体パターン、１１
ビア、
２１ 中間金属酸化膜層、２２ 上部金
属酸化膜層
２５ オージェ電子、３０ 電子銃、
３５
分光分析器、
Claims (6)
- 【請求項１】 高真空チャンバー（１） 内で金属酸
化物基板（５） の表面に、電子線（２） を照射し、
照射部の金属酸化物を還元して、該金属酸化物基板（５
） の表面に所望の導体パターン（１０）を形成するこ
とを特徴とする導体パターンの形成方法。 - 【請求項２】 高真空チャンバー（１） 内で、誘電
体基板（４） の表面に設けた金属酸化膜（６） に電
子線（２） を照射して、照射部の金属酸化物を還元し
所望の導体パターン（１０）とすることを特徴とする導
体パターンの形成方法。 - 【請求項３】 照射開始点をアースに落とすことを特
徴とする請求項１または請求項２記載の導体パターンの
形成方法。 - 【請求項４】 高真空チャンバー（１） 内で金属酸
化物基板（５） の表面に電子線（２） を照射して、
該金属酸化物基板（５） の表面に導体パターン（１０
）を形成し、次に蒸着またはスパッタリング手段により
該金属酸化物基板（５） の表面の全面に中間金属酸化
膜層（２１）を形成し、該中間金属酸化膜層（２１）に
電子線（２） を照射してビア（１１）を設けた後に、
蒸着またはスパッタリング手段により該中間金属酸化膜
層（２１）の表面の全面に上部金属酸化膜層（２２）を
形成し、該上部金属酸化膜層（２２）に電子線（２）
を照射して、該ビア（１１）に接続する導体パターン（
１２）を該上部金属酸化膜層（２２）に設けることを特
徴とする導体パターンの形成方法。 - 【請求項５】 最下部の導体パターン（１０）の形成
層が、誘電体基板の表面に形成した金属酸化膜であるこ
とを特徴とする請求項４記載の導体パターンの形成方法
。 - 【請求項６】 金属酸化物に電子線（２） を照射し
て導体パターン（１０）を形成するにあたり、照射部か
ら放出されるオージェ電子（２５）をモニターしながら
照射部を移動すること特徴とする導体パターンの形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1309891A JPH04247681A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 導体パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1309891A JPH04247681A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 導体パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247681A true JPH04247681A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=11823679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1309891A Withdrawn JPH04247681A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 導体パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04247681A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2779007A1 (fr) * | 1998-05-22 | 1999-11-26 | Boris Aronovich Gurovich | Procede de formation d'une structure conductrice |
| JP2007503725A (ja) * | 2003-08-26 | 2007-02-22 | ナノインク インコーポレーティッド | パターニングツールとしてナノリソグラフィを使用する、導体パターンを製造する方法 |
| JP2014189451A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Nbc Meshtec Inc | 酸素欠損無機酸化物の製造方法 |
| CN104704930A (zh) * | 2012-10-05 | 2015-06-10 | 泰科电子公司 | 电气部件和制造电气部件的方法和系统 |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP1309891A patent/JPH04247681A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2779007A1 (fr) * | 1998-05-22 | 1999-11-26 | Boris Aronovich Gurovich | Procede de formation d'une structure conductrice |
| NL1012117C2 (nl) * | 1998-05-22 | 2001-08-14 | Boris Aronovich Gurovich | Werkwijze voor het vormen van een geleidende structuur. |
| JP2007503725A (ja) * | 2003-08-26 | 2007-02-22 | ナノインク インコーポレーティッド | パターニングツールとしてナノリソグラフィを使用する、導体パターンを製造する方法 |
| JP4740850B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2011-08-03 | ナノインク インコーポレーティッド | 基板上へ所望のパターンの導電被膜を付着させる方法 |
| CN104704930A (zh) * | 2012-10-05 | 2015-06-10 | 泰科电子公司 | 电气部件和制造电气部件的方法和系统 |
| JP2015530760A (ja) * | 2012-10-05 | 2015-10-15 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイションＴｙｃｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 電気部品並びに電気部品を製造する方法及びシステム |
| JP2014189451A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Nbc Meshtec Inc | 酸素欠損無機酸化物の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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