JP4824723B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4824723B2
JP4824723B2 JP2008157974A JP2008157974A JP4824723B2 JP 4824723 B2 JP4824723 B2 JP 4824723B2 JP 2008157974 A JP2008157974 A JP 2008157974A JP 2008157974 A JP2008157974 A JP 2008157974A JP 4824723 B2 JP4824723 B2 JP 4824723B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
section
transport
roller
conveyance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008157974A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009302461A (ja
Inventor
徹也 佐田
庸元 緒方
篤史 永田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2008157974A priority Critical patent/JP4824723B2/ja
Priority to TW098119087A priority patent/TWI389238B/zh
Priority to KR1020090052392A priority patent/KR20090131251A/ko
Priority to CNA2009101491283A priority patent/CN101609789A/zh
Publication of JP2009302461A publication Critical patent/JP2009302461A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4824723B2 publication Critical patent/JP4824723B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715Changing the direction of the conveying path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67736Loading to or unloading from a conveyor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、被処理基板上に処理液を供給して所定の処理を行う基板処理技術に係り、特に基板を平流し方式で水平方向に搬送しながら液処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。
最近、LCD(液晶表示ディスプレイ)製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、LCD用基板(たとえばガラス基板)の大型化に有利に対応できる現像方式として、コロを水平方向に敷設した搬送路上で基板を搬送しながら搬送中に現像、リンス、乾燥等の一連の現像処理工程を行うようにした、いわゆる平流し方式が普及している。このような平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較べて、大型基板の取扱いが簡単であり、ミストの発生ないし基板への再付着が少ない等の利点がある。
平流し方式を採用する従来の現像処理装置は、現像液の分別回収率を高めるために、たとえば特許文献1で開示されるように、平流しの搬送路において現像液供給部の下流側に基板を搬送方向で傾ける基板傾斜機構を設置し、現像液供給部で水平な基板上に現像液を盛ってそのまま平流しで基板を搬送路の下流側へ搬送し、所定時間後に搬送路上の所定位置で基板傾斜機構が基板を前向きまたは後向きに傾斜させて基板上の現像液を重力で落とし、下に落ちた現像液を現像液回収用のパンで受け集めるようにしている。
そして、基板傾斜機構が上記のような傾斜姿勢による液切りを一定時間内に済ませて基板を水平姿勢に戻すと、次に基板は下流側のリンス部へ平流しで送られ、そこでリンスノズルが水平姿勢の基板上にリンス液を噴き掛けることにより、基板上で現像液からリンス液への置換(現像停止)が行われる。このリンス部で基板から落ちた液はリンス液回収用のパンに受け集められる。そして、リンス処理の済んだ基板が下流側の乾燥部を平流しで通過する間に、エアナイフが水平姿勢の基板に搬送方向と逆向きで高圧のエア流を当てて液切りすることにより、基板表面が乾くようになっている。
しかしながら、上記のような従来の現像処理装置にあっては、現像液を盛られた基板を搬送路上で停止させて水平状態から傾斜状態に姿勢変換し、傾斜姿勢で液切りを行った後に再び水平姿勢に戻して平流しの搬送を再開するという機構および一連の動作が結構煩雑で非効率であるという一面があった。さらに、現像液の液切りを開始してから下流側のリンス部で液置換つまり現像停止用のリンス処理を開始するまでの時間遅れが長いために、リンス処理を実行する前に基板の前端側から被処理面が乾いてしまって斑のしみが発生するという現像処理品質の低下も懸念されている。
このような課題に対し、本願出願人は、基板上の現像液をリンス液に効率よく置き換えることのできる現像ユニット(基板処理装置)を特許文献2において開示した。特許文献2に開示される現像ユニットの主要部を図7に模式的に示す。
図7に示される平流し搬送路90にあっては、水平姿勢で搬送される基板Gの被処理面に対し、現像部91において、現像液供給ノズル92から現像液Dが吐出され、被処理面全体が現像液Dにより液盛りされる。次いで基板Gは、リンス部93に搬送され、山なりに傾斜配置された搬送コロ(搬送路90)上を搬送されながら現像液Dが流し落とされ、リンス液供給ノズル94から純水等のリンス液Wが供給されることによりリンス処理が施される。
即ち、このリンス部93においては、基板Gが山なりに傾斜した搬送路90を通過することにより、基板Gの先端方向がより高くなる状態に傾斜して基板上の現像液Dが後方へ流れ落ちる。
そして、基板先端が山なりの搬送路90を下る状態になると、その上方に設けられたリンス液供給ノズル94から供給されるリンス液Wによって被処理面がリンス洗浄される。
このように、基板上の現像液Dを回収後、時間を長く空けることなく効率的に現像液Dをリンス液Wに置換し、それにより、リンス処理を実行する前に基板Gの前端側から被処理面が乾くことがなく、現像液Dを流し落とし、斑のしみの発生を防止するようになされている。
特開2003−7582号公報 特開2007−5695号公報
ところで近年、例えばLCD製造工程におけるアモルファスSiTFT(アモルファスシリコン薄膜トランジスタ)の形成においては、露光工程の短縮のため、ハーフトーン露光(以下、ハーフ露光と呼ぶ)を用いた方法が多く採用されている。
ハーフ露光とは、図8(a)に示すように、光の透過率に差が設けられたハーフトーンマスク150を用いて基板G1上のレジスト膜Rに露光処理を施すものである。この処理により現像後、図8(b)に示すように、異なる膜厚(薄膜部R1と厚膜部R2)を有するレジストパターンRが得られる。
しかしながら、このハーフ露光された基板を特許文献2に開示の現像ユニットにより現像処理すると、ハーフマスク部により露光されて薄膜部R1を形成するべき部位において現像斑が生じる虞があった。
即ち、図7に示す現像ユニットにあっては、基板Gの先端部が、リンス部93の山なりの搬送路に差し掛かると、基板Gは搬送されながら先端部から上方に向けて徐々に傾き、図9(a)に示すように基板先端付近の現像液Dが後方に流れ、引き始める。このとき、基板先端辺からぶら下がるように、現像液が引いた跡により複数の円弧Cが基板幅方向に並んで描かれる。
この円弧は、基板Gが山なりの搬送路90を上昇するにつれ、図9(b)に示すように下方に伸び、基板先端がリンス供給ノズル94によりリンス液Wを供給されるまでには図9(c)に示すように隣接する円弧Cの接線C1として現像液Dが残った状態となる。ここで、この線状の現像液残り(接線C1)が図8(b)に示したようなハーフ露光部(薄膜部R1を形成するべき部位)上に存在すると、リンス液Wにより流し落とされるまでの時間が掛かり、その部分で必要以上に現像が進行し、現像斑が発生するという課題があった。
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第1の処理液を分別回収して第2の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、被処理基板に第1の処理液を供給して所定の液処理を施し、前記第1の処理液を回収して第2の処理液により洗浄する基板処理装置であって、 前記被処理基板を搬送するためのコロを所定の搬送方向に敷設しており、前記搬送方向において実質的に水平な搬送路を有する第1の搬送区間と、前記第1の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を水平な搬送路から形成可能な第2の搬送区間と、前記第2の搬送区間が上り傾斜の状態で、前記第2の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を形成する第3の搬送区間とを含む平流しの搬送ラインと、前記搬送ライン上で前記基板を搬送するために前記コロを駆動する搬送駆動部と、前記第1の搬送区間内で前記基板上に第1の処理液を供給する第1の処理液供給部と、前記第3の搬送区間の入口に設けられ、前記第3の搬送区間に搬送される前記基板上に第2の処理液を供給する第2の処理液供給部と、前記被処理基板の先端が前記第2の搬送区間の終端に達した状態で、該第2の搬送区間に敷設されたコロを上昇移動させ、前記第1の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を形成するコロの昇降手段とを備えることに特徴を有する。
このように構成することにより、被処理基板が第2の搬送区間に載置されると上り傾斜の搬送路を形成し、第2の処理液を供給する直前に上り傾斜として基板上から第1の処理液を後端に向けて流し落とし、第1の処理液が引いた基板先端から順に第2の処理液を供給することができる。
これにより、基板上の第1の処理液を直ぐさま第2の処理液に置換することができる。即ち、従来のように現像液(第1の処理液)が流れ落ちた後、斑上に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
また、前記搬送ラインにおいて、前記昇降手段により上り傾斜となされた前記第2の搬送区間と、下り傾斜の前記第3の搬送区間とにより形成される隆起部の頂上には、水平部が形成されることが望ましい。
このように水平部を設けることにより、第1の処理液の表面張力により、重力による流下力を抑制することができ、第2の処理液の供給直前まで、基板全体に対し第1の処理液による所定の処理を施すことができる。
また、前記被処理基板上に、前記第1の処理液が供給された後、前記第2の処理液が供給される前に、前記搬送ライン上を搬送される被処理基板に対し、該基板上に残る第1の処理液を均す表面均し手段を備えることが望ましい。尚、前記表面均し手段は、基板幅方向に沿って設けられ、基板表面に接触することにより該基板表面を均すローラ、または、基板表面に所定のガス流を当てることにより該基板表面を均すエアナイフ、または、基板表面に接触することにより該基板表面を均す板部材が好ましい。
このように表面均し手段を設けることにより、第2の処理液が供給される基板上の部位から第1の処理液を殆ど除去することができ、これにより第1の処理液と第2の処理液とが混合することなく、それによる斑の発生を抑制し、また、第1の処理液と第2の処理液の分別回収を容易にすることができる。
また、前記昇降手段の駆動を制御する制御手段と、前記第2の搬送区間を搬送される被処理基板が所定位置に達したことを検出し、検出信号を前記制御手段に出力する基板検出手段とを備え、前記制御手段は、前記基板検出手段から前記検出信号を受け取ると、前記コロの昇降手段を駆動させ、前記第2の搬送区間に、前記第1の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を形成させることが望ましい。
また、前記第3の搬送区間に敷設されたコロは前記コロの昇降手段によって上昇移動可能に設けられ、前記制御手段は、前記基板検出手段から前記検出信号を受け取ると、前記コロの昇降手段を駆動させ、前記第3の搬送区間に、前記第2の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を形成させることが望ましい。
このように構成することにより、第2の搬送区間の所定位置に基板が差し掛かったことを正確なタイミングで検出することができ、その後の処理を効果的に行うことができる。
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、被処理基板に第1の処理液を供給して所定の液処理を施し、前記第1の処理液を回収して第2の処理液により洗浄する基板処理方法であって、第1の搬送区間を水平姿勢でコロによって搬送される被処理基板に対し、前記第1の処理液を供給するステップと、前記第1の処理液が供給された被処理基板を水平姿勢のまま、コロによって第2の搬送区間搬送するステップと、 前記被処理基板の先端が前記第2の搬送区間の終端に達したことを検出するステップと、 前記検出がなされた後、前記コロの昇降手段を駆動させ、前記コロによって、前記第2の搬送区間に上り傾斜の搬送路を形成するステップと、前記上り傾斜の第2の搬送区間に続けて形成された下り傾斜の搬送路をなす第3の搬送区間に前記被処理基板を搬送し、前記被処理基板に前記第2の処理液を供給するステップとを実行することに特徴を有する。
尚、前記被処理基板の先端が前記第2の搬送区間の終端に達したことの検出がなされた後、前記第2の搬送区間に上り傾斜の搬送路を形成するステップと同時に、前記第3の搬送区間のコロの昇降手段を駆動させ、前記コロによって、前記第3の搬送区間に前記第2の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を形成するステップが実行されることが望ましい。
このような方法により、基板上の第1の処理液を直ぐさま第2の処理液に置換することができる。即ち、従来のように現像液(第1の処理液)が流れ落ちた後、斑上に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
また、前記被処理基板の先端が前記第2の搬送区間の終端に達したことを検出するステップの後、被処理基板の搬送を停止するステップを実行し、前記第2の搬送区間に上り傾斜の搬送路を形成するステップを実行することが望ましい。
このような制御により、第2の処理液の供給直前まで、基板全体に対し第1の処理液による所定の処理を施すことができる。
また、前記第2の搬送区間に上り傾斜の搬送路が形成された後、前記第3の搬送区間に搬送される前記被処理基板の速度が上昇制御されることが望ましい。
このような制御により、第1の処理液が基板上から除去された直後に、基板上に直ぐに第2の処理液を供給することができ、より確実に現像斑の発生を抑制することができる。
本発明によれば、平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第1の処理液を分別回収して第2の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制することのできる基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。
以下、本発明の基板処理装置及び基板処理方法にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。本発明の基板処理装置は、たとえばLCD用のガラス基板を被処理基板(以下、基板と呼ぶ)とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行う塗布現像処理システムの一部構成に適用することができる。
具体的には、基板上にフォトレジストが塗布され、マスクパターンを介して露光処理が施された基板に現像及びリンス処理を施す現像ユニット(DEV)に適用することができる。以下、図を参照して本発明を現像ユニット(DEV)に適用した一実施形態を説明する。
図1に、この実施形態における現像ユニット(DEV)1の全体構成を模式的に示す。この現像ユニット(DEV)1は、図示するように、プロセスラインAに沿って水平方向(X方向)に延びる平流しの搬送ライン2を設置しており、この搬送ライン2に沿って上流側から順に現像部3、リンス部4および乾燥部5を設けている。
搬送ライン2は、基板Gを、その被処理面を上に向けた仰向けの姿勢として所定速度(例えば60mm/s)で搬送するためのコロ6(搬送体)を搬送方向(X方向)に一定間隔(例えば100mm間隔)で敷設しており、各コロ6は、たとえば電気モータを有する搬送駆動部(図示せず)に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。
この搬送ライン2は、搬送方向(X方向)において始点から終点まで同じ高さ位置で続いているのではなく、途中で所定の箇所にコロ6の上昇制御により隆起形成される第1の隆起部2a,コロ6の配置が固定された第2の隆起部2b,および段差部2cを有しており、図1に示すように、搬送方向(X方向)の一サイドから見た搬送路の形状に応じて9つの搬送区間M1,M2,M3,M4,M5,M6,M7,M8,M9に区分できる。
第1の搬送区間M1は、多段ユニット部7のパスユニット(PASS)内の始点P0から現像部3内の出口よりも少し手前(上流側)の位置に設定された第1の区間変更点P1までの区間であり、始点P0の高さ位置を保ったままほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。
第2の搬送区間M2は、上記第1の区間変更点P1から現像部3とリンス部4との境界付近の位置に設定された第2の区間変更点P2までの区間であり、コロ6の高さ位置を上昇制御することによって、始点P0の高さ位置よりも所定量(たとえば10〜25mm)高くすることのできる第1の隆起部2aの頂上まで所定の傾斜角(たとえば2〜5°)で上る上り傾斜の搬送路を有している。
第3の搬送区間M3は、上記第2の区間変更点P2からリンス部4の入口付近に設定された第3の区間変更点P3までの区間であり、コロ6の高さ位置を上昇制御することによって、上記第1の隆起部2aの頂上からそれよりも所定量(たとえば10〜25mm)低い第1のボトム位置まで所定の傾斜角(たとえば2〜5°)で下る下り傾斜の搬走路を有している。
なお、この第1の隆起部2a(コロ6の上昇制御により隆起した場合)において、搬送ライン2は、その頂上にフラット(水平)な水平部Hを有する台形の形状になっている。
第4の搬送区間M4は、リンス部4内で入口付近の上記第3の区間変更点P3から内奥の所定位置に設定された第4の区間変更点P4までの区間であり、上記第1のボトム位置と同じ高さでほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。
第5の搬送区間M5は、リンス部4内で上記第4の区間変更点P4からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置に設定された第5の区間変更点P5までの区間であり、第1のボトム位置よりも所定量(たとえば10〜25mm)高い第2の隆起部2bの頂上まで所定の傾斜角(たとえば2〜5°)で上る上り傾斜の搬走路を有している。
第6の搬送区間M6は、リンス部4内で上記第5の区間変更点P5からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置に設定された第6の区間変更点P6までの区間であり、上記第2の隆起部2bの頂上からそれよりも所定量(たとえば10〜25mm)低い第2のボトム位置まで所定の傾斜角(たとえば2〜5°)で下る下り傾斜の搬走路を有している。
第7の搬送区間M7は、リンス部4内で上記第6の区間変更点P6からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置つまり出口より少し手前(上流側)の位置に設定された第7の区間変更点P7までの区間であり、上記第2のボトム位置と同じ高さでほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。
第8の搬送区間M8は、上記第7の区間変更点P7からリンス部4と乾燥部5との境界付近に設定された第8の区間変更点P8までの区間であり、上記第2のボトム位置よりも所定量(たとえば10〜25mm)高い段差部2cの上段位置まで所定の傾斜角(たとえば2〜5°)で上る上り傾斜の搬走路を有している。
第9の搬送区間M9は、上記第8の区間変更点P8から乾燥部5および脱色プロセス部8を通って後段の処理部まで至る区間であり、上記段差部2cの上段位置の高さを一定に保ったまま水平一直線に延びる水平搬走路を有している。
また、現像部3においては、第1の搬送区間M1内の所定位置に、搬送ライン2上をコロ搬送で移動する水平姿勢の基板Gに向けて上方から基準濃度の現像液(第1の処理液)を吐出する第1の処理液供給部としての現像液供給ノズル(以下、「現像ノズル」と略称する。)9が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。各現像ノズル9は、たとえばスリット状の吐出口または1列に配置された多数の微細径吐出口を有する長尺型のノズルからなり、図示しない現像液供給源から配管を介して現像液を給液されるようになっている。
現像部3内には、搬送ライン2の下に落ちた現像液を受け集めるためのパン10も設けられている。このパン10の排液口は排液管11を介して現像液再利用機構12に通じている。現像液再利用機構12は、現像液ノズル9により基板G上に現像液を盛る際にこぼれ落ちた現像液をパン10および排液管11を介して回収し、回収した現像液に原液や溶媒を加え、基準濃度に調整したリサイクルの現像液を前記現像液供給源に送るようになっている。
また、リンス部4においては、入口付近の第3の搬送区間M3内の所定位置に、搬送ライン2の前記第1の隆起部2aの下り斜面を通過する基板Gに向けて上方から液置換(現像停止)用のリンス液(第2の処理液)を吐出する第2の処理液供給部としての第1のリンス液供給ノズル(以下、「リンスノズル」と略称する。)13が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。
また、中心部の第5の搬送区間M5内の所定位置に、搬送ライン2の前記第2の隆起部2bの上り斜面を通過する基板Gに向けて上方から洗浄用のリンス液を吐出する第2のリンスノズル14が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。
また、その下流側隣の第6の搬送区間M6内の所定位置に、搬送ライン2の第2の隆起部2bの下り斜面を通過する基板Gに向けて上方から仕上げ洗浄用のリンス液を吐出する第3のリンスノズル15が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。
さらに、出口付近にて第8の搬送区間M8内の所定位置に、搬送ライン2の上り段差部2cを上る基板Gに向けて上方から最終洗浄用のリンス液を吐出する第4のリンスノズル16が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。各リンスノズル13,14,15,16は、たとえば前記現像液ノズル9と同様の構成を有する長尺型ノズルからなり、図示しないリンス液供給源から配管を介してリンス液を給液されるようになっている。
リンス部4内には、搬送ライン2の下に落ちたリンス液を受け集めるためのパン17が設けられている。このパン17の排液口は排液管18を介してリンス液回収部(図示せず)に通じている。図示省略するが、搬送ライン2の下から基板Gの下面に対して洗浄用のリンス液を噴き掛ける下部リンスノズルを設けることもできる。
乾燥部5においては、第9の搬送区間M9の始端付近の所定位置に、搬送ライン2の前記段差部2cを上ってきた直後の基板Gに向けて上方から搬送方向と逆向きに液切りないし乾燥用の高圧ガス流(通常はエア流)を当てる長尺型のガスノズルまたはエアナイフ20が搬送方向に沿って1本または複数本配置されている。搬送ライン2の下から基板Gの下面に向けて液切りないし乾燥用の高圧ガス流を当てる下部エアナイフ(図示せず)も設置可能である。また、乾燥部5内で搬送ライン2の下に落ちた液を受け集めるためのパン(図示せず)を設けてもよい。
下流側隣の脱色プロセス部8には、搬送ライン2上をコロ搬送で移動する基板Gに向けて上方から脱色処理用のi線(波長365nm)を照射するi線照射ユニット(i−UV)21が設けられている。
また、現像ユニット(DEV)1は、一体的なハウジング30内に現像部3,リンス部4および乾燥部5を収容しており、異なる処理部間の境界には搬送ライン2に沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための鉛直方向に延在する隔壁30a,30bを設けている。より詳細には、現像部3とリンス部4との境界つまり第2の搬送区間M2と第3の搬送区間M3との境界付近に隔壁30aが設けられ、リンス部4と乾燥部5との境界つまり第8の搬送区間M8と第9の搬送区間M9との境界付近に隔壁30bが設けられる。各隔壁30a,30bには、搬送ライン2を通す開口31,32がそれぞれ形成されている。
この現像ユニット(DEV)1において、各処理部3,4,5内の空間は隔壁30a,30bの開口31,32を介して相互に連通している。現像部3および乾燥部5では、室外の空気を引き込むためのファン33,34と、これらのファン33,34からの空気流を除塵するエアフィルタ35,36とによって、天井から清浄な空気がダウンフローで室内に供給されるようになっている。このうち、現像部3の天井から供給される清浄空気は、現像処理時に発生する現像液のミストを巻き込むようにして前記隔壁30aの開口31を通ってリンス部4の室内に流入する。
一方、乾燥部5の天井から供給される清浄空気は、乾燥(液切り)処理で発生するリンス液のミストを巻き込むようにして前記隔壁30bの開口32を通ってリンス部4の室内に流入するようになっている。リンス部4の底部には、たとえば排気ポンプまたは排気ファンを有する排気機構37に通じる排気口38が設けられている。
前記のようにして現像部3側から流入してきたミスト混じりの空気と、乾燥部5側から流入してきたミスト混じりの空気は、リンス部4内で発生するミストをも巻き込んで左右から合流して排気口38から排出されるようなっている。
また、基板Gが現像部3からリンス部4へと移動する開口31付近であって、第1の隆起部2aの頂上に形成される水平部Hの終端付近には、基板Gの表面に樹脂材からなる回転ローラを接触し、基板表面を均すための均しローラ66(表面均し手段)が基板幅方向に沿って設けられている。この均しローラ66は、上り傾斜となされた第2の搬送区間M2で現像液の大部分が流れ落ちて薄膜状態で基板G上に残る現像液を、均一に基板後方に押し流して均すために設けられている。この均しローラ66を設けることにより、基板Gがリンス部4に搬入されるときには、基板Gから殆どの現像液を除去することができ、後段のリンス処理の効果をより向上させることができる。また、現像液とリンス液とが混合することを防止して、それに起因する斑の発生を抑制し、分別回収を容易にすることができる。
尚、この均しローラ66は、基板表面を均す目的で設けられるため、表面均し手段としては、それに限らず、下面に向けて液切りするために高圧ガス流を当てるエアナイフを用いてもよいし、或いは樹脂材からなる板部材を基板表面に接触させることにより基板表面を均してもよい。
続いて、現像部3及びリンス部4の構成について、さらに詳しく説明する。
図2は、第2の搬送区間M2に用いて好適なコロ搬送路の構成を示す平面図である。この構成例において、搬送ライン2のコロ6には、搬送区間に応じて2種類のコロ6A,6Bが使われている。
詳細には、水平な搬送路である第1の搬送区間M1および下り傾斜路となる第3の搬送区間M3を構成する第1タイプのコロ6Aは、比較的細いシャフト50の数箇所に太径のローラ部51を固着してなり、ローラ部51に基板Gを載せて回転するようになっている。
上り傾斜路を形成可能な第2の搬送区間M2に用いられる第2タイプのコロ6Bは、第1タイプのローラ部51と同径の円柱または円筒状シャフト52を有し、このシャフト52自体に基板Gを載せて回転するようになっている。なお、第2タイプのコロ6Bには、軸方向に適当な間隔を置いてたとえばゴム製のすべり止めリング53を複数装着するのが好ましい。
また、各コロ6(6A,6B)は、両端部を軸受55に回転可能に支持されており、一端部側の軸受55よりも外側の端に取り付けた歯車プーリ56にベルト伝動機構のタイミングベルト57が巻き掛けられている。このタイミングベルト57は電気モータからなる搬送駆動部(図示せず)の回転駆動軸に接続されている。なお、各コロ6の歯車プーリ56およびタイミングベルト57はハウジング30の外に配置されている。
ここで第1の隆起部2aを形成する第2の搬送区間M2、および第3の搬送区間M3の構成について、図3を用いて詳細に説明する。図3は、第1の隆起部2aを形成するために設けられるコロ6の昇降手段を説明するための側面図である。
図3に示すように、上り傾斜路となる第2の搬送区間M2に用いられる第2タイプのコロ6Bは、その軸受55が昇降軸60により支持される。各昇降軸60は、各コロ6Bに対して設けられ、例えばモータ駆動のシリンダからなる昇降駆動部61により昇降可能に設けられており、制御部70(制御手段)の区間M2昇降制御部71により昇降制御がなされる。
また、同様に、下り傾斜路となる第3の搬送区間M3に用いられる第1タイプのコロ6Aは、その軸受55が昇降軸62により支持される。各昇降軸62は、各コロ6Aに対して設けられた昇降駆動部63により昇降可能に設けられており、制御部70の区間M3昇降制御部72により昇降制御がなされる。
また、第2の搬送区間M2の終端付近におけるコロ6の下方には、基板Gが所定位置に差し掛かったことを検出し、制御部70に検出信号を出力する基板検出部65(基板検出手段)が設けられている。この基板検出部65は、例えば、基板通過の際の揺動変位に基づき検出信号を出力する振り子センサ等を用いることができる。
この基板検出部65により基板Gの先端が第2の搬送区間M2の終端付近(即ち、第3の搬送区間M3の始端付近)に差し掛かったことが検出されると、区間M2昇降制御部71、区間M3昇降制御部72の制御により昇降駆動部61,63が駆動し、各昇降軸60、62が上昇して搬送区間M2に上り傾斜の搬送路が形成され、搬送区間M3に下り傾斜の搬送路が形成されるようになされている(即ち、第1の隆起部2aが形成される)。
尚、前記制御部70は、各コロ6を回転駆動するためのタイミングベルト57が接続された前記搬送駆動部(図示せず)の駆動制御も行うように構成されている。
また、搬送区間M2と搬送区間M3において第1の隆起部2aが形成されたときには、前記したように、その頂上にフラットな水平部Hが形成される。この水平部Hが形成されることにより、リンスノズル13から供給されるリンス液によるリンス処理の直前まで、基板全面に現像液を残し、所定の現像処理を行うことができるようになされている。
続いて、この現像ユニット(DEV)1における全体の動作を図4のフローに基づき、図5、図6の状態遷移図を適宜用いて説明する。尚、図5は第1の隆起部2aが形成される際の搬送区間M2、M3のコロ上昇制御状態を示し、図6はそのときの基板G上の現像液Dの状態を示している。
熱的処理部(図示せず)において露光後の一連の熱処理を終えた基板Gは搬送機構(図示せず)によって多段ユニット部7のパスユニット(PASS)に搬入される。
図1に示すように、このパスユニット(PASS)内には、前記搬送機構から基板Gを受け取るリフトピン昇降機構40が設けられている。このリフトピン昇降機構40により搬送ライン2上に基板Gが水平に移載されると、搬送駆動部の駆動による一定速度(例えば40mm/s)のコロ搬送で基板Gは隣の現像ユニット(DEV)1に向けて搬送される(図4のステップS1)。
現像ユニット(DEV)1では、最初に現像部3において、基板Gが搬送ライン2の第1の搬送区間M1内を水平姿勢で移動する間に定置の現像ノズル9より現像液Dを供給され、基板G上には基板前端から基板後端に向かって搬送速度と等しい走査速度で現像液Dが盛られる(図4のステップS2、図6(a)の状態)。基板Gからこぼれた現像液Dはパン10に受け集められる。
前記のようにして現像液Dを盛られた基板Gは、直後に第2の搬送区間M2に搬送される(図4のステップS3)。ここで、第2の搬送区間M2は、図5(a)に示すように、第1の搬送区間M1と同じ高さで水平搬送路をなしている。
第2の搬送区間M2を搬送される基板G(の先端)が、所定の位置、具体的には図5(b)に示すように、リンス部4側の第3の搬送区間M3に差し掛かると(図4のステップS4)、基板検出部65は基板Gを検出し、検出信号を制御部70に出力する。
この検出信号を受け取った制御部70は、基板Gを搬送しているコロ6の駆動を一旦停止し、基板Gは第2の搬送区間M2上で一時的に所定時間静止する(図4のステップS5)。
次いで、区間M2昇降制御部71の制御により各昇降駆動部61が駆動し、対応する昇降軸60を上昇制御する。また、同時に、区間M3昇降制御部72の制御により各昇降駆動部63が駆動し、対応する昇降軸62を上昇制御する。
これによりコロ6が上昇し、図5(c)に示すように、山なりの第1の隆起部2aが形成される(図4のステップS6)。
ここで、第1の隆起部2aの頂上はフラットな水平部Hが形成されているため、現像液の表面張力により重力による流下力が抑制されており、第1の隆起部2aが完全に形成された状態となって初めて、基板上の現像液が下方つまり後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ち始める。また、図6(b)に示すように基板先端部分から現像液Dが後方に引き始める。尚、流れ落ちた現像液はパン10に受け集められる。
また、第1の隆起部2aが形成されると、直ぐにコロ6の駆動が開始される。ここで、早くにリンス処理に移行するよう、コロ6の回動による搬送速度が上昇制御される(高速となされる)。基板Gは、それまでの搬送速度よりも速い速度(例えば60mm/s)で第3の搬送区間M3に向けて搬送開始される(図4のステップS7)。
リンス部4に向けて、より高速に搬送開始された基板Gは、現像液Dが引き始めた基板先端方向から順に基板終端まで、所定位置に設けられた均しローラ66により均し処理が施される(図4のステップS8)。これにより、均し処理が施された部位においては、基板G上から現像液Dが殆ど残らない状態となされる。
そして、均し処理が施された部位には、直ぐさま、その後段に設けられたリンスノズル13によりリンス液Wが供給される(図6(c)の状態)。
このリンスノズル13による基板G上へのリンス液供給は、基板Gが第3の搬送区間M3の下り傾斜路を下りる時、図5(d)、図5(e)に時系列に示すように継続して行われる(図4のステップS9)。これにより、基板G上の現像液Dはリンス液Wに完全に置き換えられ、現像が停止する。
尚、基板Gの前方へ流れおちた現像液およびリンス液はパン17に受け集められる。
このように基板G上の処理液を現像液Dからリンス液Wに置き換える処理においては、現像液とリンス液が殆ど混ざることなく、しかも時間を空けることなく行うことができる。したがって、従来のように現像液Dが流れ落ちて斑上に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
前記のようにして現像処理を終えた基板Gは、水平な第4の搬送区間M4を通過し、次の第5の搬送区間M5で第2の隆起部2bの上り傾斜路を上る。この時、基板G上に残っている置換用のリンス液が基板前端側から後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。さらに、上方のリンスノズル14より基板G上に一次洗浄用のリンス液が供給され、古いリンス液を追い出しながらこの新たなリンス液も基板後端から流れ落ちる(図4のステップS10)。基板の後方に流れ落ちたリンス液はパン17に受け集められる。こうして、第2の隆起部2bの頂点を越える基板Gは、その上面に一次洗浄用のリンス液が薄い液膜で残っている状態で、第2の隆起部2bの下り傾斜路(第6の搬送区間M6)に差し掛かる。
次いで、第2の隆起部2bの下り傾斜路(M6)を基板Gが下りる際には、上方のリンスノズル15により基板G上に二次洗浄用の新たなリンス液が供給され、基板G上に薄く残っていた一次洗浄液を前方に追いやりながら新たなリンス液も基板前端から流れ落ちる(図4のステップS11)。基板Gの前方に流れ落ちたリンス液はパン17に受け集められる。
前記のようにしてリンス処理を終えた基板Gは、水平な第7の搬送区間M7を通過し、次の第8の搬送区間M8で上り段差部2cの傾斜路を上る。この時、基板G上に残っている仕上げ用リンス液が基板前端側から後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。さらに、上方のリンスノズル16より基板G上に最終洗浄用のリンス液が供給され、古いリンス液を追い出しながらこの新たなリンス液も基板後端から流れ落ちる(図4のステップS12)。基板Gの後方に流れ落ちたリンス液はパン17に受け集められる。そして、基板Gが段差部2cを上り、乾燥部5側つまり第9の搬送区間M9内の上段搬走路に入ると、エアナイフ20が基板Gに対して搬送方向と逆向きに高圧ガス流を当てることにより、基板G上の残っていたリンス液が基板後方へ寄せられて基板後端から追い出される(液切りされる)。基板Gの後方に飛ばされたリンス液はパン17に受け集められる。
こうして現像ユニット(DEV)1内で一連の現像処理工程を終えた基板Gは、そのまま搬送ライン2上をまっすぐ移動して下流側隣の脱色プロセス部8で脱色処理を受けてから、多段ユニット部(図示せず)のパスユニット(PASS)へ送られる(図4のステップS13)。
以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、リンス部搬入前の搬送路を、水平な搬送路から上り傾斜の搬送路とする構成とし、リンス処理の直前に上り傾斜として基板G上から現像液Dを後端に向けて流し落とし、現像液Dが引いた基板先端から順にリンス処理を施す構成となされている。
これにより、基板G上の現像液Dを直ぐさまリンス液Wに置換することができる。即ち、従来のように現像液Dが流れ落ちて斑上に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
また、リンス処理前に均しローラ66により基板G上の現像液Dを均す処理を行うことにより、リンス液Wが供給される基板G上の部位から現像液Dを殆ど除去することができ、これにより現像液Dとリンス液Wとが混合することなく、それによる現像斑を抑制し、また、現像液Dとリンス液Wの分別回収を容易にすることができる。
尚、前記実施の形態においては、搬送区間M2の上昇制御に合わせて、搬送区間M3も上昇制御され、第1の隆起部2aを形成するようにしたが、搬送区間M2の昇降動作に拘わらず、搬送区間M3を下り搬送路の状態にしておいてもよい。
また、基板Gを搬送区間M2に搬送し、所定位置で搬送停止した後、搬送区間M2を上昇制御し、上り傾斜の搬送路を形成するよう制御したが、基板Gの搬送を停止せずに、搬送しながら搬送区間M2の上昇制御を行い上り傾斜の搬送路を形成するよう制御してもよい。
図1は、本発明の基板処理装置を適用可能な現像ユニット(DEV)の全体構成を模式的に示す図である。 図2は、第2の搬送区間に用いて好適なコロ搬送路の構成を示す平面図である。 図3は、第1の隆起部を形成するために設けられるコロの昇降手段を説明するための側面図である。 図4は、現像ユニット(DEV)における全体の動作の流れを示すフローである。 図5は、第1の隆起部が形成される際の第2、第3の搬送区間のコロ上昇制御状態を示す図である。 図6は、第1の隆起部が形成され、リンス処理が行われる際の基板上の現像液の状態を示す図である。 図7は、従来の現像ユニットの主要部を模式的に示す図である。 図8は、ハーフトーン露光処理を説明するための図である。 図9は、従来の現像ユニットにおいて基板上の現像液を流し落とす状態を示す図である。
符号の説明
1 現像ユニット(基板処理装置)
2 搬送ライン
9 現像液供給ノズル(第1の処理液供給部)
13 リンス液供給ノズル(第2の処理液供給部)
60 昇降軸(昇降手段)
61 昇降駆動部(昇降手段)
62 昇降軸(昇降手段)
63 昇降駆動部(昇降手段)
65 基板検出部(基板検出手段)
66 均しローラ(表面均し手段)
70 制御部(制御手段)
G 被処理基板
D 現像液(第1の処理液)
W リンス液(第2の処理液)

Claims (10)

  1. 被処理基板に第1の処理液を供給して所定の液処理を施し、前記第1の処理液を回収して第2の処理液により洗浄する基板処理装置であって、
    前記被処理基板を搬送するためのコロを所定の搬送方向に敷設しており、前記搬送方向において実質的に水平な搬送路を有する第1の搬送区間と、前記第1の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を水平な搬送路から形成可能な第2の搬送区間と、前記第2の搬送区間が上り傾斜の状態で、前記第2の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を形成する第3の搬送区間とを含む平流しの搬送ラインと、
    前記搬送ライン上で前記基板を搬送するために前記コロを駆動する搬送駆動部と、
    前記第1の搬送区間内で前記基板上に第1の処理液を供給する第1の処理液供給部と、
    前記第3の搬送区間の入口に設けられ、前記第3の搬送区間に搬送される前記基板上に第2の処理液を供給する第2の処理液供給部と、
    前記被処理基板の先端が前記第2の搬送区間の終端に達した状態で、該第2の搬送区間に敷設されたコロを上昇移動させ、前記第1の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を形成するコロの昇降手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記搬送ラインにおいて、
    前記昇降手段により上り傾斜となされた前記第2の搬送区間と、下り傾斜の前記第3の搬送区間とにより形成される隆起部の頂上には、水平部が形成されることを特徴とする請求項1に記載された基板処理装置。
  3. 前記被処理基板上に、前記第1の処理液が供給された後、前記第2の処理液が供給される前に、前記搬送ライン上を搬送される被処理基板に対し、該基板上に残る第1の処理液を均す表面均し手段を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された基板処理装置。
  4. 前記表面均し手段は、基板幅方向に沿って設けられ、基板表面に接触することにより該基板表面を均すローラ、または、基板表面に所定のガス流を当てることにより該基板表面を均すエアナイフ、または、基板表面に接触することにより該基板表面を均す板部材であることを特徴とする請求項3に記載された基板処理装置。
  5. 前記昇降手段の駆動を制御する制御手段と、
    前記第2の搬送区間を搬送される被処理基板が所定位置に達したことを検出し、検出信号を前記制御手段に出力する基板検出手段とを備え、
    前記制御手段は、前記基板検出手段から前記検出信号を受け取ると、前記コロの昇降手段を駆動させ、前記第2の搬送区間に、前記第1の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を形成させることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載された基板処理装置。
  6. 前記第3の搬送区間に敷設されたコロは前記コロの昇降手段によって上昇移動可能に設けられ、
    前記制御手段は、前記基板検出手段から前記検出信号を受け取ると、前記コロの昇降手段を駆動させ、前記第3の搬送区間に、前記第2の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を形成させることを特徴とする請求項5に記載された基板処理装置。
  7. 被処理基板に第1の処理液を供給して所定の液処理を施し、前記第1の処理液を回収して第2の処理液により洗浄する基板処理方法であって、
    第1の搬送区間を水平姿勢でコロによって搬送される被処理基板に対し、前記第1の処理液を供給するステップと、
    前記第1の処理液が供給された被処理基板を水平姿勢のまま、コロによって第2の搬送区間搬送するステップと、
    前記被処理基板の先端が前記第2の搬送区間の終端に達したことを検出するステップと、
    前記検出がなされた後、前記コロの昇降手段を駆動させ、前記コロによって、前記第2の搬送区間に上り傾斜の搬送路を形成するステップと、
    前記上り傾斜の第2の搬送区間に続けて形成された下り傾斜の搬送路をなす第3の搬送区間に前記被処理基板を搬送し、前記被処理基板に前記第2の処理液を供給するステップとを実行することを特徴とする基板処理方法。
  8. 前記被処理基板の先端が前記第2の搬送区間の終端に達したことの検出がなされた後、前記第2の搬送区間に上り傾斜の搬送路を形成するステップと同時に、
    前記第3の搬送区間のコロの昇降手段を駆動させ、前記コロによって、前記第3の搬送区間に前記第2の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を形成するステップが実行されることを特徴とする請求項7に記載された基板処理方法。
  9. 前記被処理基板の先端が前記第2の搬送区間の終端に達したことを検出するステップの後、
    被処理基板の搬送を停止するステップを実行し、
    前記第2の搬送区間に上り傾斜の搬送路を形成するステップを実行することを特徴とする請求項7または請求項8に記載された基板処理方法。
  10. 前記第2の搬送区間に上り傾斜の搬送路が形成された後、前記第3の搬送区間に搬送される前記被処理基板の速度が上昇制御されることを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれかに記載された基板処理方法。
JP2008157974A 2008-06-17 2008-06-17 基板処理装置及び基板処理方法 Expired - Fee Related JP4824723B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008157974A JP4824723B2 (ja) 2008-06-17 2008-06-17 基板処理装置及び基板処理方法
TW098119087A TWI389238B (zh) 2008-06-17 2009-06-08 基板處理裝置及基板處理方法
KR1020090052392A KR20090131251A (ko) 2008-06-17 2009-06-12 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CNA2009101491283A CN101609789A (zh) 2008-06-17 2009-06-17 基板处理装置和基板处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008157974A JP4824723B2 (ja) 2008-06-17 2008-06-17 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009302461A JP2009302461A (ja) 2009-12-24
JP4824723B2 true JP4824723B2 (ja) 2011-11-30

Family

ID=41483477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008157974A Expired - Fee Related JP4824723B2 (ja) 2008-06-17 2008-06-17 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4824723B2 (ja)
KR (1) KR20090131251A (ja)
CN (1) CN101609789A (ja)
TW (1) TWI389238B (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101052510B1 (ko) * 2008-08-14 2011-07-29 삼성중공업 주식회사 판형 부재의 이송장치
KR101036620B1 (ko) 2009-02-20 2011-05-24 삼성중공업 주식회사 판형부재 이송장치
JP2012124309A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Tokyo Electron Ltd 現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システム
CN104102096A (zh) * 2014-06-05 2014-10-15 京东方科技集团股份有限公司 显影液供应系统、方法和显影设备
CN110488576B (zh) * 2014-09-04 2023-05-16 株式会社尼康 处理系统
KR20160088123A (ko) 2015-01-15 2016-07-25 정호승 오버덴쳐 어태치먼트 고정 장치
JP5914721B2 (ja) * 2015-03-31 2016-05-11 光洋サーモシステム株式会社 搬送装置
CN106125518A (zh) * 2016-08-31 2016-11-16 武汉华星光电技术有限公司 显影设备
KR102435194B1 (ko) * 2017-11-17 2022-08-24 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7060415B2 (ja) * 2018-03-12 2022-04-26 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7258196B2 (ja) * 2018-06-12 2023-04-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102478286B1 (ko) * 2020-10-12 2022-12-16 한국에너지기술연구원 인라인 스퍼터링 시스템

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3788789B2 (ja) * 2003-01-22 2006-06-21 東京応化工業株式会社 基板の現像方法及び現像装置
JP3995044B2 (ja) * 2003-04-14 2007-10-24 東京応化工業株式会社 基板処理装置
JP4608954B2 (ja) * 2004-06-09 2011-01-12 株式会社Ihi 搬送装置
JP2006193267A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Sharp Corp 基板搬送方法および基板搬送装置
JP4523498B2 (ja) * 2005-06-27 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及び現像処理方法
JP4605469B2 (ja) * 2006-03-20 2011-01-05 村田機械株式会社 搬送システム

Also Published As

Publication number Publication date
TWI389238B (zh) 2013-03-11
CN101609789A (zh) 2009-12-23
JP2009302461A (ja) 2009-12-24
KR20090131251A (ko) 2009-12-28
TW201003824A (en) 2010-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4824723B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4523498B2 (ja) 現像処理装置及び現像処理方法
KR20060136336A (ko) 기판처리장치
JP4472630B2 (ja) 基板処理装置
US7101646B2 (en) Developing method and apparatus
JP4812847B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN107785292B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
KR101269758B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억매체
JP3916891B2 (ja) 基板処理装置及び現像処理装置
JP2000223458A (ja) 基板処理装置
JP2013080808A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4523402B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP2003077883A (ja) 基板乾燥方法及び基板乾燥装置
KR100937153B1 (ko) 현상처리장치
JP3898471B2 (ja) 洗浄処理装置および現像処理装置
JP4846008B2 (ja) 現像処理装置及び現像処理方法
KR102379013B1 (ko) 액처리 모듈, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
JP3957569B2 (ja) 液処理装置
KR102653152B1 (ko) 현상 장치
KR100935474B1 (ko) 기판 처리장치
JP2003031478A (ja) 現像処理装置
JP4220527B2 (ja) 現像処理装置
JP2022049955A (ja) 現像装置および現像方法
JP2011173090A (ja) 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100525

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100819

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100824

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101014

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110318

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110512

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110902

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110908

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees