CN101609789A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents
基板处理装置和基板处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101609789A CN101609789A CNA2009101491283A CN200910149128A CN101609789A CN 101609789 A CN101609789 A CN 101609789A CN A2009101491283 A CNA2009101491283 A CN A2009101491283A CN 200910149128 A CN200910149128 A CN 200910149128A CN 101609789 A CN101609789 A CN 101609789A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conveyance
- substrate
- interval
- treatment fluid
- acclivitous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 258
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 22
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 33
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 62
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 16
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67736—Loading to or unloading from a conveyor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法,能够在平流式的搬送线上顺畅有效地进行分别回收被供给至被处理基板上的第一处理液并置换为第二处理液的操作,抑制显影斑的产生。所述基板处理装置具备:包括第一搬送区间(M1)、第二搬送区间(M2)、第三搬送区间(M3)的平流式的搬送线(2);驱动搬送体(6)的搬送驱动部;在第一搬送区间(M1)内向基板(G)上供给第一处理液(D)的第一处理液供给部(9);在第三搬送区间(M3)内向基板(G)上供给第二处理液(W)的第二处理液供给部(13);和升降单元,其在被处理基板(G)被载置在第二搬送区间(M2)的状态下使被铺设在该第二搬送区间(M2)的搬送体(6)进行上升移动,形成接着第一搬送区间(M1)的向上倾斜的搬送路径。
Description
技术领域
本发明涉及向被处理基板上供给处理液进行规定的处理的基板处理技术,尤其是涉及一边以平流方式在水平方向搬送基板、一边进行液处理的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
最近,在LCD(液晶显示器)制造中的抗蚀剂涂敷显影处理系统中,作为有利于应对LCD用基板(例如玻璃基板)的大型化的显影方式,所谓的平流方式非常普及,在该方式中,一边在水平方向上铺设有滚子的搬送路径上搬送基板,一边在搬送中进行显影、冲洗、干燥等一系列的显影处理工序。与使基板旋转运动的旋转方式相比,这种平流方式具有对大型基板的处理简单、不会产生雾、并且对基板的再附着少等优点。
采用平流方式的现有的显影处理装置,为了提高显影液的分别回收率,例如专利文献1公开的,在平流式的搬送路径上,在显影液供给部的下游侧设置使基板在搬送方向上倾斜的基板倾斜机构,利用显影液供给部在水平的基板上布满显影液,保持这种状态以平流方式向搬送路径的下游侧搬送基板,在规定时间后,基板倾斜机构使基板在搬送路径上的规定位置向前或向后倾斜,使基板上的显影液由于重力落下,用显影液回收用的盘收集落下的显影液。
并且,如果基板倾斜机构使利用上述倾斜姿势进行的除液在一定时间内完成而使基板恢复水平姿势,则接着将基板以平流方式向下游侧的冲洗部搬送,在此冲洗喷嘴向水平姿势的基板上喷出冲洗液,由此,在基板上进行从显影液到冲洗液的置换(停止显影)。在该冲洗部中从基板落下的液体被收集在冲洗液回收用的盘中。并且,在被实施了冲洗处理的基板以平流方式通过下游侧的干燥部期间,气刀使高压气流以与搬送方向相反的方向吹到呈水平姿势的基板来进行除液,由此使基板表面干燥。
但是,在上述现有的显影处理装置中,使布满显影液的基板在搬送路径上停止,将其姿势从水平状态变换为倾斜状态,以倾斜状态进行除液后,再恢复水平姿势,再次进行平流方式的搬送,这种机构和一系列的动作结构繁杂且效率低。并且,由于从开始对显影液进行除液直到在下游侧的冲洗部开始液置换即停止显影用的冲洗处理的时间延迟长,所以在进行冲洗处理前,被处理面从基板的前端侧开始干燥,出现斑痕,可能导致显影处理品质的下降。
对于该问题,本申请的申请人在专利文献2中公开了能够将基板上的显影液有效地置换为冲洗液的显影设备(基板处理装置)。在图7中示意性地表示专利文献2中公开的显影设备的主要部分。
在图7所示的平流式搬送路径90上,在显影部91中,从显影液供给喷嘴92对以水平姿势搬送的基板G的被处理面喷出显影液D,整个被处理面由于显影液D而被布满液体。接着,基板G被搬送至冲洗部93,在缓缓鼓起地倾斜配置的搬送滚子(搬送路径90)上搬送,同时显影液D流下,从冲洗液供给喷嘴94供给纯水等冲洗液W,由此进行冲洗处理。
即,在该冲洗部93中,基板G通过缓缓鼓起地倾斜的搬送路径90,由此以基板G的前端方向变得更高的状态倾斜,基板上的显影液D向后方流下。
并且,当基板前端处于从缓缓鼓起的搬送路径90下降的状态时,被处理面就会被从设置在其上方的冲洗液供给喷嘴94供给的冲洗液W冲洗洗净。
如上所述,在回收基板上的显影液D后,将显影液D有效地置换为冲洗液W而不会空出较长时间,由此,不会在实行冲洗处理前使被处理面从基板G的前端侧开始干燥,能够使显影液D流下,并防止斑痕的产生。
专利文献1:日本特开2003-7582号公报
专利文献2:日本特开2007-5695号公报
近年来,例如在LCD制造工序的形成非晶SiTFT(非晶硅薄膜晶体管)中,为了缩短曝光工序,大多采用使用半色调曝光(以下称为半曝光)的方法。
所谓半曝光,如图8(a)所示,使用光的透射系数存在差别的半色调掩模150,对基板G1上的抗蚀剂膜R实施曝光处理。通过该处理显影后,如图8(b)所示,得到具有不同膜厚(薄膜部R1和厚膜部R2)的抗蚀剂图案R。
但是,如果利用专利文献2中公开的显影单元对该半曝光后的基板进行显影处理,则有可能导致在要利用半掩模部曝光而形成薄膜部R1的部位产生显影斑。
即,在图7所示的显影单元中,当基板G的前端部到达冲洗部93的缓缓鼓起的搬送路径时,基板G一边被搬送一边缓缓从其前端开始向上方倾斜。如图9(a)所示,基板前端附近的显影液D开始向后方流动。此时,由于显影液D消退的痕迹,在基板宽度方向上以从基板前端的边垂下的方式并列形成多个圆弧C。
随着基板G在缓缓鼓起的搬送路径90上升,如图9(b)所示,该圆弧向下方延伸,在基板前端由冲洗供给喷嘴94供给冲洗液W之前,如图9(c)所示,邻接的圆弧C的切线C1成为残留有显影液D的状态。在此,存在如下问题:当该线状的显影液残留(切线C1)存在于图8(b)所示的半曝光部(要形成薄膜部R1的部位)上时,利用冲洗液W使其流下要耗费时间,并在该部分进行过度的显影,产生显影斑。
发明内容
本发明是鉴于上述现有技术的问题而完成的,其目的在于提供一种基板处理装置和基板处理方法,其能够在平流式的搬送线上顺畅有效地进行分别回收供给至被处理基板上的第一处理液并置换为第二处理液的操作,抑制显影斑的产生。
为了解决上述问题,本发明的基板处理装置,向被处理基板供给第一处理液实施规定的液处理,并回收所述第一处理液利用第二处理液进行清洗,其特征在于,具备:平流式的搬送线,在规定的搬送方向上铺设有用于搬送所述被处理基板的搬送体,所述搬送线包括第一搬送区间、第二搬送区间和第三搬送区间,所述第一搬送区间在所述搬送方向上具有实质上水平的搬送路径,所述第二搬送区间能够从水平的搬送路径形成接着所述第一搬送区间的向上倾斜的搬送路径,所述第三搬送区间在所述第二搬送区间向上倾斜的状态下,形成接着所述第二搬送区间的向下倾斜的搬送路径;搬送驱动部,为了在所述搬送线上搬送所述基板而对所述搬送体进行驱动;第一处理液供给部,在所述第一搬送区间内向所述基板上供给第一处理液;第二处理液供给部,在所述第三搬送区间内向所述基板上供给第二处理液;和升降单元,其在所述被处理基板被载置在所述第二搬送区间的状态下,使被铺设在该第二搬送区间的搬送体进行上升移动,形成接着所述第一搬送区间的向上倾斜的搬送路径。
通过这种结构,当被处理基板被载置在第二搬送区间时,形成向上倾斜的搬送路径,在即将供给第二处理液之前,向上倾斜,使第一处理液从基板上向后端流下,从第一处理液消退了的基板前端按顺序供给第二处理液。
由此,能够将基板上的第一处理液立即置换为第二处理液。即,几乎没有像现有技术那样以显影液(第一处理液)流下后残留在斑上的状态被放置的时间,能够抑制显影斑的产生。
并且,优选在所述搬送线上,在由利用所述升降单元而向上倾斜的所述第二搬送区间和向下倾斜的所述第三搬送区间形成的隆起部的顶部,形成水平部。
通过如此设置水平部,能够利用第一处理液的表面张力抑制重力造成的流下力,直至即将供给第二处理液之前,利用第一处理液对基板整体实施规定的处理。
此外,优选还具备表面整平单元,用于在向所述被处理基板上供给所述第一处理液之后、供给所述第二处理液之前,对在所述搬送线上搬送的被处理基板将残留在该基板上的第一处理液整平。其中,上述表面整平单元沿着基板的宽度方向设置,是通过与基板表面接触而将该基板表面整平的辊、或者是通过使规定的气流吹到基板表面而将该基板表面整平的气刀、或者是通过与基板表面接触而将该基板表面整平的板部件。
通过如此设置表面整平单元,能够从被供给第二处理液的基板上的部位除去大部分的第一处理液,由此,第一处理液和第二处理液不会混合,能够抑制因此而产生斑,并且,能够易于分别回收第一处理液和第二处理液。
并且,优选还具备控制单元,控制所述升降单元的驱动;和基板检测单元,检测出在所述第二搬送区间被搬送的被处理基板到达了规定位置,并向所述控制单元输出检测信号,其中,所述控制单元,当从所述基板检测单元接收所述检测信号时,驱动所述升降单元,在所述第二搬送区间形成接着所述第一搬送区间的向上倾斜的搬送路径。
并且,优选铺设在所述第三搬送区间的搬送体被设置成能够利用所述升降单元进行上升移动,所述控制单元,当从所述基板检测单元接收所述检测信号时,驱动所述升降单元,在所述第三搬送区间形成接着所述第二搬送区间的向下倾斜的搬送路径。
通过上述结构,能够在准确的时机检测出基板到达了第二搬送区间的规定位置,能够有效地进行随后的处理。
此外,为了解决上述问题,本发明的基板处理方法用于向被处理基板供给第一处理液,实施规定的液处理,并回收所述第一处理液,利用第二处理液进行清洗,其特征在于,包括:向在第一搬送区间以水平姿势被搬送的被处理基板供给所述第一处理液的步骤;将被供给所述第一处理液后的被处理基板仍然以水平姿势搬送至第二搬送区间的步骤;检测出在所述第二搬送区间被搬送的所述被处理基板到达了规定位置的步骤;在完成所述检测后,在所述第二搬送区间形成向上倾斜的搬送路径的步骤;和将所述被处理基板搬送至第三搬送区间、并向所述被处理基板供给所述第二处理液的步骤,其中,所述第三搬送区间构成接着所述向上倾斜的第二搬送区间形成的向下倾斜的搬送路径。并且,优选在检测出在所述第二搬送区间被搬送的所述被处理基板到达了规定位置后,执行在所述第二搬送区间形成向上倾斜的搬送路径的步骤,同时执行在所述第三搬送区间形成接着所述第二搬送区间的向下倾斜的搬送路径的步骤。
利用上述方法,能够将基板上的第一处理液立即置换为第二处理液。即,几乎没有像现有技术那样以显影液(第一处理液)流下后残留在斑上的状态被放置的时间,能够抑制显影斑的产生。
并且,优选在检测出在所述第二搬送区间搬送的所述被处理基板到达了规定位置的步骤之后,执行停止搬送被处理基板的步骤,执行在所述第二搬送区间形成向上倾斜的搬送路径的步骤。
通过上述控制,能够直至即将供给第二处理液之前,利用第一处理液对基板整体实施规定的处理。
并且,在所述第二搬送区间形成向上倾斜的搬送路径后,进行控制使得被搬送到所述第三搬送区间的所述被处理基板的速度提高。
通过上述控制,能够在第一处理液从基板上除去之后,立即向基板上供给第二处理液,能够更可靠地抑制显影斑的产生。
发明效果
根据本发明,能够得到在平流式的搬送线上顺畅有效地进行分别回收被供给至被处理基板上的第一处理液并置换为第二处理液的操作并抑制显影斑的产生的基板处理装置和基板处理方法。
附图说明
图1是表示能够应用本发明的基板处理装置的显影设备(DEV)的整体结构的示意图。
图2是表示第二搬送区间所使用的优选的滚子搬送路径的结构的俯视图。
图3是说明为了形成第一隆起部而设置的滚子的升降单元的侧视图。
图4是表示显影设备(DEV)的整体动作流程的流程图。
图5是表示形成第一隆起部时的第二、第三搬送区间的滚子上升控制状态的图。
图6是表示形成第一隆起部、进行冲洗处理时的基板上的显影液的状态的图。
图7是表示现有的显影设备的主要部分的示意图。
图8是用于说明半色调曝光处理的图。
图9是表示现有的显影设备中使基板上的显影液流下的状态的图。
符号说明
1:显影设备(基板处理装置);2:搬送线;9:显影液供给喷嘴(第一处理液供给部);13:冲洗液供给喷嘴(第二处理液供给部);60:升降轴(升降单元);61:升降驱动部(升降单元);62:升降轴(升降单元);63:升降驱动部(升降单元);65:基板检测部(基板检测单元);66:整平辊(表面整平单元);70:控制部(控制单元);G:被处理基板;D:显影液(第一处理液);W:冲洗液(第二处理液)。
具体实施方式
下面,参照附图说明本发明的基板处理装置和基板处理方法的实施方式。本发明的基板处理装置能够适用于例如将LCD用的玻璃基板作为被处理基板(以下称为基板)在LCD制造处理中进行光刻工序中的清洗、抗蚀剂涂敷、预焙、显影和后焙等各处理的涂敷显影处理系统的部分结构。
具体而言,能够适用于在基板上涂敷光致抗蚀剂并对隔着掩模图案进行了曝光处理的基板实施显影和冲洗处理的显影设备(DEV)。下面,参照附图,说明将本发明应用于显影设备(DEV)的一个实施方式。
图1示意性地表示本实施方式的显影设备(DEV)1的整体结构。如图1所示,该显影设备(DEV)1设置有沿着过程流水线A在水平方向(X方向)延伸的平流式的搬送线2,沿着该搬送线2从上游侧依次设置有显影部3、冲洗部4和干燥部5。
搬送线2在搬送方向(X方向)上以一定间隔(例如100mm间隔)铺设有滚子6(搬送体),该滚子6用于将基板G以其被处理面向上的仰面的姿势以规定速度(例如60mm/s)搬送,各滚子6经由齿轮机构或传送带机构等传动机构与例如具有电动机的搬送驱动部(未图示)连接。
该搬送线2并非在搬送方向(X方向)上从起点到终点都在同样高度的位置延续,而是在中途的规定部位具有通过滚子6的上升控制而隆起形成的第一隆起部2a、滚子6的配置被固定的第二隆起部2b和台阶部2c,如图1所示,根据从搬送方向(X方向)的一侧观察的搬送路径的形状,可以区分为9个搬送区间M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9。
第一搬送区间M1是从多层单元部7的通过单元(PASS)内的起点P0到被设定在比显影部3内的出口稍稍靠前(上游侧)的位置的第一区间变更点P1的区间,具有保持着起点P0的高度位置并基本沿一条水平直线延伸的水平搬送路径。
第二搬送区间M2是从上述第一区间变更点P1到被设定在显影部3与冲洗部4的边界附近的位置的第二区间变更点P2的区间,具有向上倾斜的搬送路径,该搬送路径通过控制滚子6的高度位置使其升高而以规定的倾斜角(例如2~5°)升高至能够高出起点P0的高度位置规定量(例如10~25mm)的第一隆起部2a的顶部。
第三搬送区间M3是从上述第二区间变更点P2到被设定在冲洗部4的入口附近的第三区间变更点P3的区间,具有向下倾斜的搬送路径,该搬送路径通过控制滚子6的高度位置使其升高而以规定的倾斜角(例如2~5°)从上述第一隆起部2a的顶部降低至低于其规定量(例如10~25mm)的第一底部位置。
其中,在该第一隆起部2a(通过对滚子6的上升控制而隆起的情况)中,搬送线2呈在其顶部具有平(水平)的水平部H的梯形形状。
第四搬送区间M4是冲洗部4内的从入口附近的上述第三区间变更点P3到被设定在内部的规定位置的第四区间变更点P4的区间,具有与上述第一底部位置相同高度的基本沿着一条水平直线延伸的水平搬送路径。
第五搬送区间M5是冲洗部4内的从上述第四区间变更点P4到被设定在与其相距规定距离的下游侧的位置的第五区间变更点P5的区间,具有向上倾斜的搬送路径,该搬送路径以规定的倾斜角(例如2~5°)升高至高出第一底部位置规定量(例如10~25mm)的第二隆起部2b的顶部。
第六搬送区间M6是冲洗部4内的从上述第五区间变更点P5到被设定在与其相距规定距离的下游侧的位置的第六区间变更点P6的区间,具有向下倾斜的搬送路径,该搬送路径以规定的倾斜角(例如2~5°)从上述第二隆起部2b的顶部降低至低于其规定量(例如10~25mm)的第二底部位置。
第七搬送区间M7是冲洗部4内的从上述第六区间变更点P6到被设定在与其相距规定距离的下游侧的位置即与出口相比稍稍靠前(上游侧)的第七区间变更点P7的区间,具有与上述第二底部位置相同高度的基本沿着一条水平直线延伸的水平搬送路径。
第八搬送区间M8是从上述第七区间变更点P7到被设定在冲洗部4与干燥部5的边界附近的第八区间变更点P8的区间,具有向上倾斜的搬送路径,该搬送路径以规定的倾斜角(例如2~5°)升高至高出上述第二底部位置规定量(例如10~25mm)的台阶部2c的上级位置。
第九搬送区间M9是从上述第八区间变更点P8穿过干燥部5和脱色处理部8直至后级的处理部的区间,具有将上述台阶部2c的上级位置的高度保持恒定并这样沿着一条水平直线延伸的水平搬送路径。
此外,在显影部3中,在第一搬送区间M1内的规定位置沿着搬送方向设置有一个或多个作为第一处理液供给部的显影液供给喷嘴(以下简称为“显影喷嘴”)9,该显影液供给喷嘴9从上方向通过滚子搬送而在搬送线2上移动的呈水平姿势的基板G喷出基准浓度的显影液(第一处理液)。各显影喷嘴9例如由具有狭缝状的喷出口或配置成一列的多个微细直径喷出口的长尺型的喷嘴构成,从未图示的显影液供给源经由配管被供给显影液。
在显影部3内还设置有用于收集落在搬送线2之下的显影液的盘10。该盘10的排液口经由排液管11通到显影液再利用机构12。显影液再利用机构12经由盘10和排液管11回收由显影液喷嘴9在基板G上布满显影液时洒落的显影液,在所回收的显影液中添加原液和溶剂,向上述显影液供给源输送调节为基准浓度的循环使用的显影液。
此外,在冲洗部4中,在入口附近的第三搬送区间M3内的规定位置沿着搬送方向设置有一个或多个作为第二处理液供给部的第一冲洗液供给喷嘴(以下简称为“冲洗喷嘴”)13,该第一冲洗液供给喷嘴13从上方向通过搬送线2的上述第一隆起部2a的向下斜面的基板G喷出液置换(停止显影)用的冲洗液(第二处理液)。
并且,在中心部的第五搬送区间M5内的规定位置沿着搬送方向设置有一个或多个第二冲洗喷嘴14,该第二冲洗喷嘴14从上方向通过搬送线2的上述第二隆起部2b的向上斜面的基板G喷出清洗用的冲洗液。
此外,在其下游侧相邻的第六搬送区间M6内的规定位置沿着搬送方向设置有一个或多个第三冲洗喷嘴15,该第三冲洗喷嘴15从上方向通过搬送线2的第二隆起部2b的向下斜面的基板G喷出精加工(仕上ば)清洗用的冲洗液。
并且,在出口附近的第八搬送区间M8内的规定位置沿着搬送方向设置有一个或多个第四冲洗喷嘴16,该第四冲洗喷嘴16向在搬送线2的向上的台阶部2c升上来的基板G从上方喷出最终清洗用的冲洗液。各冲洗喷嘴13、14、15、16例如由具有与上述显影液喷嘴9相同结构的长尺型喷嘴构成,从未图示的冲洗液供给源经由配管被供给冲洗液。
在冲洗部4内设置有用于收集落在搬送线2之下的冲洗液的盘17。该盘17的排液口经由排液管18通到冲洗液回收部(未图示)。虽然未图示,但也可以设置从搬送线2之下向基板G的下表面喷射清洗用的冲洗液的下部冲洗喷嘴。
在干燥部5中,在第九搬送区间M9的起始端附近的规定位置沿着搬送方向设置有一个或多个长尺型的气体喷嘴或气刀20,该气体喷嘴或气刀20使除液或干燥用的高压气流(通常为空气流)从上方与搬送方向相反地吹到刚刚在搬送线2的上述台阶部2c升上来的基板G上。也可以设置下部气刀(未图示),该下部气刀使除液或干燥用的高压气流从搬送线2之下吹到基板G的下表面。并且,也可以在干燥部5内设置用于收集落在搬送线2之下的液体的盘(未图示)。
在下游侧相邻的脱色处理部8中,设置有i线照射单元(i-UV)21,该i线照射单元21从上方向通过滚子搬送而在搬送线2上移动的基板G照射脱色处理用的i线(波长365nm)。
并且,对于显影设备(DEV)1而言,在一体的外壳30内收容有显影部3、冲洗部4和干燥部5,在不同的处理部间的边界设置有沿着垂直方向延伸的隔壁30a、30b,该隔壁30a、30b用于将沿着搬送线2的周围空间分隔为上游侧和下游侧。进一步具体而言,在显影部3与冲洗部4的边界、即第二搬送区间M2与第三搬送区间M3的边界附近设置有隔壁30a,在冲洗部4与干燥部5的边界、即第八搬送区间M8与第九搬送区间M9的边界附近设置有隔壁30b。在各隔壁30a、30b上分别形成有使搬送线2通过的开口31、32。
在该显影设备(DEV)1中,各处理部3、4、5内的空间经由隔壁30a、30b的开口31、32相互连通。在显影部3和干燥部5中,通过用于引入室外空气的风扇33、34和用于对这些来自风扇33、34的空气流进行除尘的空气过滤器35、36,将来自顶棚的洁净的空气以直流方式供给到室内。其中,从显影部3的顶棚供给的洁净空气将显影处理时产生的显影液的雾卷入,通过上述隔壁30a的开口31,流入冲洗部4的室内。
另一方面,从干燥部5的天井供给的洁净空气将干燥(除液)处理中产生的冲洗液的雾卷入,通过上述隔壁30b的开口32,流入冲洗部4的室内。在冲洗部4的底部设置有通到例如具有排气泵或排气扇的排气机构37的排气口38。
如上所述从显影部3侧流入的混合有雾的空气和从干燥部5侧流入的混合有雾的空气,也将在冲洗部4内产生的雾卷入,从左右合流,从排气口38排出。
另外,在基板G从显影部3向冲洗部4移动的开口31附近,即在形成于第一隆起部2a顶部的水平部H的终端附近,沿着基板的宽度方向设置有整平辊66(表面整平单元),其用于使由树脂材料构成的旋转辊与基板G的表面接触,将基板表面整平。设置该整平辊66是为了将大部分显影液在向上倾斜的第二搬送区间M2流下后以薄膜状态残留在基板G上的显影液均匀地向基板后方流去来进行整平。通过设置该整平辊66,在基板G被搬入冲洗部4时,能够从基板G除去大部分的显影液,能够进一步提高后级的冲洗处理的效果。并且,能够防止显影液与冲洗液混合,抑制因此产生的斑,易于进行分别回收。
设置该整平辊66的目的在于将基板表面整平,所以,作为表面整平单元,并不限于此,也可以使用为了进行除液而向下面吹高压气流的气刀、或者也可以通过使树脂材料构成的板部件与基板表面接触而将基板表面整平。
下面,进一步详细说明显影部3和冲洗部4的结构。
图2是表示适用于第二搬送区间M2的滚子搬送路径的结构的俯视图。在该结构例中,根据搬送区间,搬送线2的滚子6使用两种滚子6A和6B。
具体而言,构成作为水平搬送路径的第一搬送区间M1和成为向下倾斜路径的第三搬送区间M3的第一类型的滚子6A,在较细的轴50的多个部位紧贴有直径大的辊部51,将基板G载置在辊部51上进行转动。
在能够形成向上倾斜路径的第二搬送区间M2使用的第二类型的滚子6B具有与第一类型的辊部51直径相同的圆柱或滚筒状轴52,将基板G载置在该轴52自身上进行转动。其中,在第二类型的滚子6B上,优选在轴方向上隔开适当的间隔安装多个例如橡胶制的防滑环53。
此外,各滚子6(6A、6B)的两端部由轴承55支承而能够转动,传送带传动机构的同步皮带57挂在安装在比一个端部侧的轴承55靠向外侧这一端的齿轮滑轮56上。该同步皮带57与由电动机构成的搬送驱动部(未图示)的转动驱动轴连接。其中,各滚子6的齿轮滑轮56和同步皮带57被配置在外壳30之外。
这里,使用图3,详细说明形成第一隆起部2a的第二搬送区间M2和第三搬送区间M3的结构。图3是说明为了形成第一隆起部2a而设置的滚子6的升降单元的侧视图。
如图3所示,成为向上倾斜路径的第二搬送区间M2所使用的第二类型的滚子6B,其轴承55由升降轴60支承。各升降轴60被设置成能够利用对各滚子6B设置的例如由电动机驱动的气缸构成的升降驱动部61进行升降,利用控制部70(控制单元)的区间M2升降控制部71进行升降控制。
同样,成为向下倾斜路径的第三搬送区间M3所使用的第一类型的滚子6A,其轴承55由升降轴62支承。各升降轴62被设置成能够利用对各滚子6A设置的升降驱动部63进行升降,利用控制部70的区间M3升降控制部72进行升降控制。
此外,在第二搬送区间M2的终端附近的滚子6的下方,设置有检测出基板G到达了规定位置、并向控制部70输出检测信号的基板检测部65(基板检测单元)。该基板检测部65例如可以使用根据基板通过时的摇动变位输出检测信号的振动式传感器等。
当由该基板检测部65检测出基板G的前端到达了第二搬送区间M2的终端附近(即第三搬送区间的起始端附近)时,利用区间M2升降控制部71、区间M3升降控制部72的控制,升降驱动部61、63进行驱动,各升降轴60、62上升,在搬送区间M2形成向上倾斜的搬送路径,在搬送区间M3形成向下倾斜的搬送路径(即,形成第一隆起部2a)。
并且,上述控制部70也能够对上述搬送驱动部(未图示)进行驱动控制,该搬送驱动部连接有用于对各滚子6进行转动驱动的同步皮带57。
此外,在搬送区间M2和搬送区间M3形成了第一隆起部2a时,如上所述,在其顶部形成平的水平部H。由于形成该水平部H,能够在基板整个表面保留显影液,进行规定的显影处理,直至即将利用从冲洗喷嘴13供给的冲洗液进行冲洗处理。
下面,基于图4的流程,适当使用图5、图6的状态变化图,说明该显影设备(DEV)1中的整体动作。其中,图5表示形成第一隆起部2a时搬送区间M2、M3的滚子上升控制状态,图6表示此时基板G上的显影液D的状态。
在热处理部(未图示)中,结束曝光后的一系列热处理的基板G由搬送机构(未图示)搬入多层单元部7的通过单元(PASS)。
如图1所示,在该通过单元(PASS)内设置有从上述搬送机构接收基板G的升降销升降机构40。当利用该升降销升降机构40将基板G水平移载至搬送线2上时,基板G通过由搬送驱动部驱动的恒定速度(例如40mm/s)的滚子搬送而向相邻的显影设备(DEV)1搬送(图4的步骤S1)。
在显影设备(DEV)1中,最初在显影部3中,在基板G以水平姿势在搬送线2的第一搬送区间M1内移动的期间,利用被设定在规定位置的显影喷嘴9供给显影液D。在基板G上,显影液D以与搬送速度相等的扫描速度从基板前端向基板后端布满(图4的步骤S2、图6(a)的状态)。从基板G溢出的显影液D被收集在盘10中。
如上所述布满显影液D的基板G立即被搬送至第二搬送区间M2(图4的步骤S3)。在此,如图5(a)所示,第二搬送区间M2以与第一搬送区间M1相同的高度形成水平搬送路径。
当在第二搬送区间M2搬送的基板G(的前端)到达了规定位置、具体而言如图5(b)所示到达了冲洗部4侧的第三搬送区间M3时(图4的步骤S4),基板检测部65检测出基板G,并将检测信号输出至控制部70。
接收了该检测信号的控制部70暂且停止正在搬送基板G的滚子6的驱动,基板G在第二搬送区间M2上暂时静止规定时间(图4的步骤S5)。
接着,通过区间M2升降控制部71的控制,各升降驱动部61进行驱动,对相应的升降轴60进行上升控制。并且,同时通过区间M3升降控制部72的控制,各升降驱动部63进行驱动,对相应的升降轴62进行上升控制。
由此,滚子6上升,如图5(c)所示,形成缓缓鼓起的第一隆起部2a(图4的步骤S6)。
在此,由于第一隆起部2a的顶部形成有平的水平部H,因重力而产生的流下力被显影液的表面张力所抑制,只有在第一隆起部2a完全形成的状态下,基板上的显影液才会由于重力而向下方即后方移动,开始从基板后端流下。并且,如图6(b)所示,显影液D开始从基板前端部分向后方消退。其中,流下的显影液被收集在盘10中。
此外,当形成第一隆起部2a时,立即开始滚子6的驱动。在此,控制基于滚子6的转动的搬送速度使其提高(成为高速),以尽快过渡到冲洗处理。基板G以高于此前的搬送速度的速度(例如60mm/s)开始向第三搬送区间M3搬送(图4的步骤S7)。
以更高速开始向冲洗部4搬送的基板G利用被设置在规定位置的整平辊66从显影液D开始消退的基板前端方向依次到基板终端实施整平处理(图4的步骤S8)。由此,在实施了整平处理后的部位,成为显影液D几乎不会残留在基板G上的状态。
并且,立刻用设置在后级的冲洗喷嘴13对实施了整平处理后的部位供给冲洗液W(图6(c)的状态)。
如图5(d)、图5(e)的时间顺序所示,在基板G在第三搬送区间M3的向下倾斜路径下降时,继续利用该冲洗喷嘴13向基板G上供给冲洗液(图4的步骤S9),由此,基板G上的显影液D完全被冲洗液W置换,显影停止。
其中,向基板G的前方流下的显影液和冲洗液被收集在盘17中。
这样一来,在将基板G上的处理液从显影液D置换为冲洗液W的处理中,显影液和处理液几乎不会混合,并且能够不空闲时间地进行。因此,几乎没有像现有技术那样以显影液D流下后残留在斑上的状态被放置的时间,能够抑制显影斑的产生。
如上所述结束显影处理后的基板G通过水平的第四搬送区间M4,在下面的第五搬送区间M5在第二隆起部2b的向上倾斜路径上升。此时,残留在基板G上的置换用的冲洗液由于重力从基板前端侧向后方移动,从基板后端落下。并且,从上方的冲洗喷嘴14向基板G上供给一次清洗用的冲洗液,冲走旧的冲洗液,同时该新的冲洗液也从基板后端流下(图4的步骤S10)。在基板后方流下的冲洗液被收集在盘17中。这样一来,越过第二隆起部2b的顶部的基板G在其上表面残留有一次清洗用的冲洗液的薄的液膜的状态下,靠近第二隆起部2b的向下倾斜路径(第六搬送区间M6)。
然后,在基板G在第二隆起部2b的向下倾斜路径(M6)下降时,从上方的冲洗喷嘴15向基板G上供给二次清洗用的新的冲洗液,将薄薄地残留在基板G上的一次清洗液冲向前方,同时新的冲洗液也从基板前端流下(图4的步骤S11)。在基板G前方流下的冲洗液被收集在盘17中。
如上所述结束冲洗处理后的基板G通过水平的第七搬送区间M7,在接下来的第八搬送区间M8在向上的台阶部2c的倾斜路径上升。此时,残留在基板G上的精加工用的冲洗液由于重力从基板前端侧向后方移动,从基板后端落下。并且,从上方的冲洗喷嘴16向基板G上供给最终清洗用的冲洗液,冲走旧的冲洗液,同时该新的冲洗液也从基板后端流下(图4的步骤S12)。在基板G后方流下的冲洗液被收集在盘17中。然后,基板G从台阶部2c上升,当进入干燥部5侧即第九搬送区间M9内的上级搬送路径时,气刀20将高压气流以与搬送方向相反的方向吹到基板G上,由此,残留在基板G上的冲洗液向基板后方聚集,从基板的前端被赶出(除液)。飞溅到基板G后方的清洗液被收集在盘17中。
这样一来,在显影设备(DEV)1内结束了一系列显影处理工序的基板G立即保持这种状态在搬送线2上移动,在下游侧相邻的脱色处理部8中接受脱色处理,然后向多层单元部(未图示)的通过单元(PASS)搬送(图4的步骤S13)。
如上所述,根据本发明的实施方式,使搬入冲洗部前的搬送路径由水平的搬送路径成为向上倾斜的搬送路径,在即将进行冲洗处理之前向上倾斜,使显影液D从基板G上向后端流下,从显影液D消退的基板前端依次实施冲洗处理。
由此,能够立即将基板G上的显影液D置换为冲洗液W。即,几乎没有像现有技术那样以显影液D流下后残留在斑上的状态被放置的时间,能够抑制显影斑的产生。
并且,通过在冲洗处理前利用整平辊66进行将基板G上的显影液D整平的处理,能够将大部分的显影液D从被供给冲洗液W的基板G上的部位除去,由此,显影液D和冲洗液W不会发生混合,能够抑制由此产生的显影斑,并且,能够易于分别回收显影液D和冲洗液W。
其中,在上述实施方式中,按照搬送区间M2的上升控制进行搬送区间M3的上升控制,形成第一隆起部2a,但是不拘泥于搬送区间M2的升降动作,也可以使搬送区间M3形成为向下的搬送路径的状态。
此外,在将基板G搬送至搬送区间M2、在规定位置停止搬送后,进行搬送区间M2的上升控制,形成向上倾斜的搬送路径,但是也可以不停止基板G的搬送,一边进行搬送,一边进行搬送区间M2的上升控制,形成向上倾斜的搬送路径。
Claims (10)
1.一种基板处理装置,向被处理基板供给第一处理液实施规定的液处理,并回收所述第一处理液利用第二处理液进行清洗,其特征在于,具备:
平流式的搬送线,在规定的搬送方向上铺设有用于搬送所述被处理基板的搬送体,所述搬送线包括第一搬送区间、第二搬送区间和第三搬送区间,所述第一搬送区间在所述搬送方向上具有实质上水平的搬送路径,所述第二搬送区间能够从水平的搬送路径形成接着所述第一搬送区间的向上倾斜的搬送路径,所述第三搬送区间在所述第二搬送区间向上倾斜的状态下,形成接着所述第二搬送区间的向下倾斜的搬送路径;
搬送驱动部,为了在所述搬送线上搬送所述基板而对所述搬送体进行驱动;
第一处理液供给部,在所述第一搬送区间内向所述基板上供给第一处理液;
第二处理液供给部,在所述第三搬送区间内向所述基板上供给第二处理液;和
升降单元,其在所述被处理基板被载置在所述第二搬送区间的状态下,使被铺设在该第二搬送区间的搬送体进行上升移动,形成接着所述第一搬送区间的向上倾斜的搬送路径。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述搬送线上,在由利用所述升降单元而向上倾斜的所述第二搬送区间和向下倾斜的所述第三搬送区间形成的隆起部的顶部,形成水平部。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于:
还具备表面整平单元,用于在向所述被处理基板上供给所述第一处理液之后、供给所述第二处理液之前,对在所述搬送线上搬送的被处理基板将残留在该基板上的第一处理液整平。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于:
所述表面整平单元沿着基板的宽度方向设置,是通过与基板表面接触而将该基板表面整平的辊、或者是通过使规定的气流吹到基板表面而将该基板表面整平的气刀、或者是通过与基板表面接触而将该基板表面整平的板部件。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备:
控制单元,控制所述升降单元的驱动;和
基板检测单元,检测出在所述第二搬送区间被搬送的被处理基板到达了规定位置,并向所述控制单元输出检测信号,其中,
所述控制单元,当从所述基板检测单元接收所述检测信号时,驱动所述升降单元,在所述第二搬送区间形成接着所述第一搬送区间的向上倾斜的搬送路径。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于:
铺设在所述第三搬送区间的搬送体被设置成能够利用所述升降单元进行上升移动,
所述控制单元,当从所述基板检测单元接收所述检测信号时,驱动所述升降单元,在所述第三搬送区间形成接着所述第二搬送区间的向下倾斜的搬送路径。
7.一种基板处理方法,用于向被处理基板供给第一处理液实施规定的液处理,并回收所述第一处理液利用第二处理液进行清洗,其特征在于,包括:
向在第一搬送区间以水平姿势被搬送的被处理基板供给所述第一处理液的步骤;
将被供给所述第一处理液后的被处理基板仍然以水平姿势搬送至第二搬送区间的步骤;
检测出在所述第二搬送区间被搬送的所述被处理基板到达了规定位置的步骤;
在完成所述检测后,在所述第二搬送区间形成向上倾斜的搬送路径的步骤;和
将所述被处理基板搬送至第三搬送区间、并向所述被处理基板供给所述第二处理液的步骤,其中,所述第三搬送区间构成接着所述向上倾斜的第二搬送区间形成的向下倾斜的搬送路径。
8.如权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于:
在检测出在所述第二搬送区间被搬送的所述被处理基板到达了规定位置后,执行在所述第二搬送区间形成向上倾斜的搬送路径的步骤,同时执行在所述第三搬送区间形成接着所述第二搬送区间的向下倾斜的搬送路径的步骤。
9.如权利要求7或8所述的基板处理方法,其特征在于:
在检测出在所述第二搬送区间搬送的所述被处理基板到达了规定位置的步骤之后,
执行停止搬送被处理基板的步骤,
执行在所述第二搬送区间形成向上倾斜的搬送路径的步骤。
10.如权利要求7或8所述的基板处理方法,其特征在于:
在所述第二搬送区间形成向上倾斜的搬送路径后,进行控制使得被搬送到所述第三搬送区间的所述被处理基板的速度提高。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008157974A JP4824723B2 (ja) | 2008-06-17 | 2008-06-17 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2008157974 | 2008-06-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101609789A true CN101609789A (zh) | 2009-12-23 |
Family
ID=41483477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2009101491283A Pending CN101609789A (zh) | 2008-06-17 | 2009-06-17 | 基板处理装置和基板处理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4824723B2 (zh) |
KR (1) | KR20090131251A (zh) |
CN (1) | CN101609789A (zh) |
TW (1) | TWI389238B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102540770A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-04 | 东京毅力科创株式会社 | 显影方法、显影装置及具备该显影装置的涂敷显影处理系统 |
CN104102096A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显影液供应系统、方法和显影设备 |
CN106125518A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-11-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显影设备 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101052510B1 (ko) * | 2008-08-14 | 2011-07-29 | 삼성중공업 주식회사 | 판형 부재의 이송장치 |
KR101036620B1 (ko) | 2009-02-20 | 2011-05-24 | 삼성중공업 주식회사 | 판형부재 이송장치 |
CN110297403B (zh) * | 2014-09-04 | 2023-07-28 | 株式会社尼康 | 处理系统 |
KR20160088123A (ko) | 2015-01-15 | 2016-07-25 | 정호승 | 오버덴쳐 어태치먼트 고정 장치 |
JP5914721B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-05-11 | 光洋サーモシステム株式会社 | 搬送装置 |
KR102435194B1 (ko) * | 2017-11-17 | 2022-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7060415B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2022-04-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7258196B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2023-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR102478286B1 (ko) * | 2020-10-12 | 2022-12-16 | 한국에너지기술연구원 | 인라인 스퍼터링 시스템 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3788789B2 (ja) * | 2003-01-22 | 2006-06-21 | 東京応化工業株式会社 | 基板の現像方法及び現像装置 |
JP3995044B2 (ja) * | 2003-04-14 | 2007-10-24 | 東京応化工業株式会社 | 基板処理装置 |
JP4608954B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2011-01-12 | 株式会社Ihi | 搬送装置 |
JP2006193267A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Sharp Corp | 基板搬送方法および基板搬送装置 |
JP4523498B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2010-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置及び現像処理方法 |
JP4605469B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-01-05 | 村田機械株式会社 | 搬送システム |
-
2008
- 2008-06-17 JP JP2008157974A patent/JP4824723B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-08 TW TW098119087A patent/TWI389238B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-06-12 KR KR1020090052392A patent/KR20090131251A/ko active IP Right Grant
- 2009-06-17 CN CNA2009101491283A patent/CN101609789A/zh active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102540770A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-04 | 东京毅力科创株式会社 | 显影方法、显影装置及具备该显影装置的涂敷显影处理系统 |
CN102540770B (zh) * | 2010-12-08 | 2015-07-22 | 东京毅力科创株式会社 | 显影方法、显影装置及具备该显影装置的涂敷显影处理系统 |
CN104102096A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显影液供应系统、方法和显影设备 |
CN106125518A (zh) * | 2016-08-31 | 2016-11-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显影设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI389238B (zh) | 2013-03-11 |
JP2009302461A (ja) | 2009-12-24 |
KR20090131251A (ko) | 2009-12-28 |
TW201003824A (en) | 2010-01-16 |
JP4824723B2 (ja) | 2011-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101609789A (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
KR101194975B1 (ko) | 기판처리장치 | |
CN101387835B (zh) | 基板处理方法 | |
CN102569133A (zh) | 液体处理装置及液体处理方法 | |
US7387455B2 (en) | Substrate processing device, substrate processing method, and developing device | |
KR20060136336A (ko) | 기판처리장치 | |
CN102540770B (zh) | 显影方法、显影装置及具备该显影装置的涂敷显影处理系统 | |
CN101219427A (zh) | 基板处理装置 | |
CN101158820A (zh) | 基板的显影处理方法及基板的显影处理装置 | |
JP4318709B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JP4812847B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR100529872B1 (ko) | 현상방법 및 현상장치 | |
KR20080042791A (ko) | 기판건조방법 및 기판건조장치 | |
JP3851462B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3916891B2 (ja) | 基板処理装置及び現像処理装置 | |
CN102039254B (zh) | 启动加注处理方法和启动加注处理装置 | |
JP2013080808A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR101118885B1 (ko) | 처리 장치 및 처리 방법 | |
JP2007123559A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4249677B2 (ja) | 現像処理装置及び現像処理方法 | |
CN100392799C (zh) | 基板处理装置以及清洗方法 | |
JP3766968B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP3322249B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
JP5352426B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
JP2001310162A (ja) | 処理装置及び処理方法及び基板洗浄装置及び基板洗浄方法及び現像装置及び現像方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20091223 |