JPH1187210A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法

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JPH1187210A
JPH1187210A JP23752997A JP23752997A JPH1187210A JP H1187210 A JPH1187210 A JP H1187210A JP 23752997 A JP23752997 A JP 23752997A JP 23752997 A JP23752997 A JP 23752997A JP H1187210 A JPH1187210 A JP H1187210A
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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    • H05K3/0085Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
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    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/068Apparatus for etching printed circuits

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の消費量が低減できかつ効率よく安全
に水洗を行う。 【解決手段】 基板処理装置1は、水平姿勢で搬送され
る基板Sの表面に現像液を供給して現像液の表面張力に
より基板S表面に現像液の液層を形成する液層形成室2
と、現像液の液層を形成された基板Sを保持して液層の
現像液による処理を進行させる処理進行室3と、現像液
の液層による処理終了後の基板Sの姿勢を傾斜姿勢に変
換する姿勢変換室4と、傾斜姿勢の基板Sの表面に洗浄
液を供給して洗浄する洗浄室5と、洗浄後の基板Sを乾
燥させる乾燥室6と、乾燥後の基板を水平姿勢に戻す姿
勢変換室7とを備える。パドル現像の後に基板を傾斜姿
勢にして現像液を流下し、傾斜姿勢のまま洗浄処理を行
う。 【効果】 処理液消費量を低減し、傾斜姿勢で洗浄を効
率よく安全に行える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、L
CD(液晶表示装置)用ガラス基板およびPDP(プラ
ズマディスプレイパネル)用ガラス基板、フォトマスク
用ガラス基板、プリント基板などの各種被処理基板に対
して現像液、エッチング液およびリンス液などの処理液
を供給して処理するための基板処理装置および基板処理
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】各種被処理基板に対して処理液を供給し
て処理を行う基板処理装置として、例えば特開平1−2
50958号公報に開示されたものがある。かかる公報
に開示された装置は、基板を処理槽内で水平姿勢で搬送
しつつその表面に処理液としての現像液をシャワー状に
供給して現像処理を行った後、基板をバッファ槽へ搬送
してそこで基板を一旦傾斜させて基板上の現像液を流し
落として基板を水平姿勢に戻し、次に基板を水洗槽へ搬
送して水洗処理している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来装置において
は、処理時間中に現像液をシャワー状に供給し続けてい
るため、現像液の使用量が多くなり、ランニングコスト
が高い。また、現像処理された基板に対する水洗処理を
水平姿勢で行っているため、基板の中央部付近に水洗水
が滞留する。このため、水洗の効率が悪く、水洗が不充
分になったり水洗に長時間を要し、また基板中央に滞留
した水洗水の重みで基板が下側に凸になるよう撓んでし
まい、基板が破損する虞があると共に、基板の中央への
水洗水の滞留を助長してしまう。
【0004】なお、かかる問題は現像処理後に水洗処理
する場合に生じる特有の問題というわけではなく、他の
処理、例えば処理液としてエッチング液を基板に供給し
てエッチング処理した後に水洗処理する場合にも生じる
問題であり、処理液を基板に供給して処理した後で水洗
処理する基板処理装置および基板処理方法において共通
して発生する問題である。
【0005】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、処理液の消費量を低減できてランニングコ
ストが安く、また効率よく水洗を行うことができて基板
の破損の虞もない基板処理装置および基板処理方法を提
供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記目
的を達成するための請求項1記載の発明は、基板の表面
に処理液を供給して処理する基板処理装置において、基
板を水平姿勢で搬送する搬送手段と、水平姿勢で搬送さ
れる基板の表面に処理液を供給して処理液の表面張力に
より基板表面に液層を形成する液層形成手段と、液層が
形成された基板を保持して液層の処理液による処理を進
行させる処理進行手段と、液層による処理終了後の基板
の姿勢を傾斜姿勢に変換する姿勢変換手段と、姿勢変換
手段により傾斜姿勢とされた基板の表面に洗浄液を供給
して洗浄する洗浄手段と、を備えたことを特徴とする。
【0007】請求項2記載の発明は、請求項1に記載の
発明において、処理進行手段における基板の保持は基板
の下面のみに接触して行われることを特徴とする。
【0008】請求項3記載の発明は、請求項1または2
に記載の発明において、姿勢変換手段において、基板の
位置を矯正する位置矯正手段を設けたことを特徴とす
る。
【0009】請求項4記載の発明は、請求項1ないし3
のいずれかに記載の発明において、処理進行手段と、姿
勢変換手段とを一体に構成したことを特徴とする。
【0010】請求項5記載の発明は、水平姿勢で搬送さ
れる基板の表面に処理液を供給して処理液の表面張力に
より基板表面に処理液の液層を形成する工程と、処理液
の供給を止めて処理液の液層が形成された基板を保持し
て液層の処理液による処理を進行させる工程と、処理液
の液層による処理終了後に基板の姿勢を傾斜姿勢に変換
する工程と、傾斜姿勢とされた基板の表面に洗浄液を供
給して洗浄する工程と、洗浄後の基板を乾燥させる工程
と、を備えたことを特徴とする基板処理方法である。
【0011】請求項6記載の発明は、請求項5におい
て、処理を進行させる工程と、傾斜姿勢に変換する工程
とを同一位置にて行うことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【0013】図1は、本発明の第1実施形態の基板処理
装置の全体構成を模式的に示す側面図である。この基板
処理装置1は、矩形のLCD用ガラス基板(以下、単に
基板と称す)Sの表面に処理液である現像液を供給して
現像処理した後、洗浄液を供給して洗浄処理するもので
ある。
【0014】この基板処理装置1は、水平姿勢で搬送さ
れる基板Sの表面に現像液を供給して現像液の表面張力
により基板S表面に現像液の液層を形成する液層形成室
2と、現像液の液層が形成された基板Sを保持して液層
の現像液による処理を進行させる処理進行室3と、現像
液の液層による処理終了後の基板Sの姿勢を水平姿勢か
ら傾斜姿勢に変換する姿勢変換室4と、傾斜姿勢の基板
Sの表面に洗浄液を供給して洗浄する洗浄室5と、洗浄
後の基板Sを乾燥させる乾燥室6と、乾燥後の基板を水
平姿勢に戻す姿勢変換室7とを備える。
【0015】液層形成室2には、基板Sを水平姿勢で搬
送する搬送ローラ21と、この搬送ローラ21により水
平姿勢で搬送される基板Sの表面に現像液を供給してそ
の上面に現像液の液層を形成する現像液供給ノズル22
とが設けられる。搬送ローラ21として、図2に示すよ
うに、基板Sの裏面中央部に触れることなく基板Sの裏
面端縁と裏面の中央部の一部のみを支持し、かつ基板S
の蛇行を防止するための鍔21aが形成された、いわゆ
る鍔付き端縁支持ローラが使用されている。また、現像
液供給ノズル22には、現像液タンク11に貯留された
現像液がポンプ12により供給される。
【0016】処理進行室3には、液層形成室2から現像
液の液層が上面に形成された状態で搬送ローラ21によ
り搬送されてくる基板Sを受け入れ、かかる状態で保持
する搬送ローラ31が設けられる。搬送ローラ31は、
1本の回転軸31aの複数箇所に、基板の下面に接触す
る支持円盤31bを設けて構成される。
【0017】図3は姿勢変換室4の平面図である。姿勢
変換室4には、処理進行室3から現像液の液層が形成さ
れた状態で搬送ローラ31により搬送されてくる基板S
を受け入れて保持する搬送ローラ41が設けられる。搬
送ローラ41は、搬送ローラ31と同様の構成のもので
ある。なお、かかる搬送ローラ31、41では、基板S
に搬送中に多少の蛇行を生じて、図3に破線で示すよう
に左右に位置ズレを起こす可能性があるため、姿勢変換
室4の基板搬送方向下流側には、基板Sに位置ズレが生
じた場合にかかる位置ズレを矯正して正しい位置(図3
に実線で示す)に基板Sを位置させるための位置矯正手
段を設けてある。かかる位置矯正手段は、シリンダ46
により進退して位置ズレを起こした基板Sの端縁部に接
触して正しい位置へ案内するローラ47よりなる。ま
た、姿勢変換室4には、基板Sを水平姿勢で保持する状
態と、基板搬送方向に向かって右下がりの傾斜姿勢で保
持する状態とに、搬送ローラ41の姿勢を切り替えるこ
とができる傾斜機構42が設けられている。傾斜機構4
2は、搬送ローラ41の左右を回転自在に支持するロー
ラ枠43と、基板の搬送進行方向(基板搬送方向)に向
かって右側においてローラ枠43を回転自在に軸支す
る、基板搬送方向と平行に設けられた軸44と、基板搬
送方向に向かって左側において、ローラ枠43と結合さ
れてかかるローラ枠43の左側を上昇させるシリンダ4
5とよりなっている。
【0018】かかる傾斜機構42により、姿勢変換室4
では、図4に示すように搬送ローラ41を水平姿勢にし
ておいて処理進行室3から搬送ローラ31により水平姿
勢で搬送されてくる基板Sを受け入れた後、図5に示す
ように、シリンダ45を伸張させて搬送ローラ41を傾
け、基板Sを基板搬送方向に向かって右下がりに傾斜し
た状態で搬送可能になっている。
【0019】なお、液層形成室2、処理進行室3、姿勢
変換室4により現像処理室が構成され、これらの室の下
方には現像液を回収する受け皿T2,T3,T4が設けら
れ、これら受け皿T2,T3,T4によって回収された現
像液は現像液タンク11へ回収されて再利用される。
【0020】洗浄室5は、姿勢変換室4から傾斜姿勢で
搬送ローラ41により搬送されてくる基板Sを受け入れ
て同じ傾斜姿勢で搬送する搬送ローラ51と、搬送ロー
ラ51により傾斜姿勢で搬送される基板Sの上面に対し
て洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル52と、基板Sの
下面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル53
と、基板Sの下面に対して接触して洗浄するロールブラ
シ54とよりなっている。洗浄液供給ノズル52、53
は洗浄液としての超純水供給源55に接続されている。
搬送ローラ51は搬送ローラ21と同様の鍔付き端縁支
持ローラよりなる。
【0021】乾燥室6は、洗浄室5から傾斜姿勢で搬送
ローラ51により搬送されてくる基板Sを受け入れて同
じ傾斜姿勢で搬送する搬送ローラ61と、搬送ローラ6
1により傾斜姿勢で搬送される基板Sの上面に対してエ
アを吹き付けて洗浄液を吹き飛ばし乾燥させるエアナイ
フ62と、基板Sの下面に対してエアを吹き付けて洗浄
液を吹き飛ばし乾燥させるエアナイフ63とを有する。
搬送ローラ61は搬送ローラ21と同様の鍔付き端縁支
持ローラよりなる。
【0022】姿勢変換室7には、乾燥室6から搬送ロー
ラ61により搬送されてくる基板Sを受け入れて保持す
る搬送ローラ71が設けられる。搬送ローラ71は搬送
ローラ21と同様の鍔付き端縁支持ローラよりなる。ま
た、姿勢変換室7には、基板Sを水平姿勢で保持する状
態と、基板搬送方向に向かって右下がりの傾斜姿勢で保
持する状態とに、搬送ローラ71の姿勢を切り替えるこ
とができる傾斜機構72が設けられている。傾斜機構7
2の構成は傾斜機構42とほぼ同様であるので詳細な図
示と説明は省略する。
【0023】なお、図1には示していないが、各室は処
理液のミストが互いに浸入したりしないように区画する
仕切によって仕切られている。また、各搬送ローラ2
1、31、41、51、61、71は図示しない駆動源
により回転駆動され、それら個々の駆動の入り切りおよ
び駆動速度などを含めた基板処理装置1全体の動作は、
図示しないマイクロコンピュータよりなる制御部によっ
て制御される。
【0024】次に、制御部の制御に基づく基板処理装置
1の動作とそれによる処理方法を詳細に説明する。
【0025】図示しない基板供給装置から供給される基
板Sは、搬送ローラ21により水平姿勢で搬送されて液
層形成室2内を一定速度で通過し、その間に基板Sの表
面に現像液供給ノズル22から現像液が供給され、供給
された現像液は、表面張力によって基板S表面に現像液
の液層を形成する。
【0026】液層形成室2において現像液の液層が形成
された状態の基板Sは搬送ローラ21から搬送ローラ3
1へ渡されて処理進行室3へ搬送される。搬送ローラ3
1は、基板Sを受け取って処理進行室3へ搬入すると、
その駆動による基板Sの搬送を所定時間、一時的に停止
させて基板Sを静止させるか、または搬送速度を遅くす
ることにより、その上面に形成されている液層の現像液
による処理を進行させ、いわゆるパドル現像を行う。な
お、この間において搬送ローラ31が停止または減速す
るため、後続の基板Sは基板同士の衝突を避けるだけの
距離を考慮して搬送される。
【0027】この処理進行室3においては、基板Sの上
面への新たな現像液の供給は行わず、液層形成室2にお
いて供給された現像液のみで現像処理を行うので、現像
液の消費量を低減できる。なお処理進行室3において
は、搬送ローラ21のような鍔付き端縁支持ローラを用
いると、基板Sの端縁が鍔部に接触して、表面張力によ
り基板Sの上面に保持されている現像液が鍔部に接触
し、現像液が流出してしまう虞があるため、ここでは基
板Sの下面のみに接触して支持する搬送ローラ31を使
用している。現像液の流出の量などの点で問題がなけれ
ば、鍔付き端縁支持ローラを用いるほうが、基板搬送の
安定性の点で望ましい。また、搬送ローラ31上での基
板Sの搬送中に、図3に2点鎖線で示すように基板Sが
左右に位置ズレを起す場合があるが、この位置ズレは後
述するように姿勢変換室4で矯正される。
【0028】処理進行室3において所定時間だけ現像処
理が行われると、基板Sは上面に現像液の液層が形成さ
れたままの状態で搬送ローラ31から搬送ローラ41へ
渡されて姿勢変換室4へ搬送される。姿勢変換室4の搬
送ローラ41上へ基板Sが運ばれると、まずシリンダ4
6がローラ47を駆動して基板Sの位置を矯正して正し
い搬送位置にする。次に傾斜機構42のシリンダ45が
伸張して搬送ローラ41を傾斜させ、基板Sを基板搬送
方向に向かって右側へ傾斜した姿勢とする。なお、かか
る姿勢変換動作は、搬送ローラ41を駆動したままの状
態で行っても良いし、搬送ローラ41を一旦停止させて
行っても良い。この基板Sの傾斜により、基板Sの上面
の液層の現像液のほとんど全ては流下するため、現像液
が後工程へ持ち出される量はきわめて少ない。しかも、
流下した現像液については、下方の受け皿T4に回収さ
れる。
【0029】なお、この姿勢変換室4において、図1に
破線で示す現像液ノズル49を設けて、基板Sを傾斜姿
勢にした後に、図示しない現像液供給源から新しい現像
液を基板Sの表面に供給しても良い。かかる構成とすれ
ば、パドル現像を終了した基板Sの表面に新しい現像液
を供給して、新しい清浄な現像液によって現像工程の最
後を処理でき、現像終了時の基板S表面を清浄な状態に
できる。
【0030】姿勢変換室4で傾斜姿勢とされて搬送ロー
ラ41により搬送されてくる基板Sは、同じ傾斜姿勢の
ままで搬送ローラ51へ渡されて洗浄室5へ搬送され
る。この姿勢変換室4から洗浄室5への搬送は、他の搬
送動作よりも搬送ローラ41、51を高速に駆動して行
われる。これにより、基板Sの全面にできるだけ時間差
なく洗浄液を供給して基板Sに触れている現像液を洗い
落として、ムラ無く速やかに現像処理を終了することが
できる。
【0031】洗浄室5においては、搬送ローラ51によ
り傾斜姿勢で搬送される基板Sの上面及び下面に対して
洗浄液供給ノズル52,53から洗浄液を供給して洗浄
する。このとき、基板Sは傾斜姿勢のままであるので洗
浄液は速やかに下側に流れ落ちることになり、基板Sの
中央部付近に洗浄液が滞留することはなく水洗の効率が
良く、短時間に充分に水洗でき、かつ、基板S中央に滞
留した洗浄液の重みで基板Sがたわんだり破損してしま
う虞もない。またここでは、基板Sにおいて現像処理を
施さない下面側にはロールブラシ54を設けて充分な洗
浄効果を得られるようにしている。なお、ここで、基板
Sの裏面には液層形成室2において現像液を供給する際
に多少の現像液が回り込んでおり、基板Sを傾斜姿勢に
しても多少の現像液が付着したままとなっており、かか
る現像液としてアルカリ現像液を用いれば、かかるアル
カリ成分が洗剤としての作用も果すため、基板Sの下面
側に設けたロールブラシ54の作用と相俟って、充分な
洗浄作用が得られる。なお、ロールブラシ54による洗
浄後の下面には、洗浄液供給ノズル53から洗浄液(超
純水)が供給されて現像液成分も充分に除去される。
【0032】洗浄室5から傾斜姿勢で搬送ローラ51に
より搬送されてくる基板Sは同じ傾斜姿勢のままで搬送
ローラ61へ渡されて乾燥室6へ搬送される。搬送室6
においては、搬送ローラ61により傾斜姿勢で搬送され
る基板Sの上面及び下面にエアナイフ62,63からエ
アを吹き付けて洗浄液を吹き飛ばし乾燥させる。基板S
が傾斜姿勢であるから洗浄液はすでにほとんどが流れ落
ちているが、エアナイフ62,63の作用により基板S
はより速やかにかつ均一に乾燥する。
【0033】乾燥室6から傾斜姿勢で搬送ローラ61に
より搬送されてくる基板Sは同じ傾斜姿勢のままで搬送
ローラ71へ渡されて姿勢変換室7へ搬送される。姿勢
変換室7の搬送ローラ71上へ基板Sが運ばれると、傾
斜機構72のシリンダ(図示せず)が収縮して搬送ロー
ラ71を水平状態とし、基板Sを水平姿勢とする。そし
て、かかる姿勢変換動作後に、搬送ローラ71を駆動し
て基板Sを図示しない基板受け入れ装置へ搬出する。
【0034】なお、以上の実施形態においては、現像液
の液層を形成された基板Sを保持して液層の現像液によ
る処理を進行させる処理進行手段として処理進行室3
を、現像液の液層による処理終了後の基板Sの姿勢を傾
斜姿勢に変換する姿勢変換手段として姿勢変換室4を、
それぞれ設けているが、それらは一体に構成することが
できる。すなわち、上記実施形態の基板処理装置1から
処理進行室3を省略して、液層形成室2に続けて姿勢変
換室4を設ければよい。かかる構成により、姿勢変換室
4は姿勢変換手段と処理進行手段を兼用することにな
る。液層形成室2において現像液の液層を形成された基
板Sが姿勢変換室4へ搬送されると、搬送ローラ41の
駆動による基板Sの搬送を所定時間、一時的に停止させ
て基板Sを一時的に静止させるか、または搬送速度を遅
くすることにより、その上面に形成されている液層の現
像液による処理を進行させてパドル現像を行う。そし
て、所定時間だけ現像処理が行われると、姿勢変換室4
の傾斜機構42のシリンダ45を伸張して搬送ローラ4
1を傾斜させ、基板Sを基板搬送方向に向かって右側へ
傾斜した姿勢として、基板Sの上面の液層の現像液を流
下すればよい。かかる構成によれば、処理進行室3を設
ける必要がないため、装置をより小型化できる。なお、
この場合も姿勢変換室4に位置矯正手段であるシリンダ
46とローラ47を設ければよいが、この場合のこれら
による基板Sの位置矯正は、パドル現像が所定の処理時
間だけすんで、基板Sを傾斜姿勢にする姿勢変換の直前
に行うのがよい。これは処理進行室3において鍔付き端
縁支持ローラを用いないのと同様に現像時間中における
現像液の流下を防ぐためである。
【0035】なお、本発明において用いる現像液供給ノ
ズル22は、スプレー状に現像液を供給するものや、ス
リット状の吐出口を持ちカーテン状に現像液を供給する
ものなどが使用でき、またそれら一種ないし複数種を複
数個組み合わせて使用することもできる。また、基板を
傾斜姿勢にする手段としても、上記実施形態のように基
板の片側を持ち上げる構成のほか、片側を下げる構成と
することもできる。また本発明は、現像処理装置に限ら
ず、エッチング処理、剥離処理、予備洗浄処理など各種
の処理を行う際に適用できる。
【0036】
【発明の効果】請求項1および請求項5の発明によれ
ば、処理液の消費量を低減できてランニングコストが安
く、また効率よく水洗を行うことができ、しかも基板の
破損を防止することができる。
【0037】請求項2の発明によれば、さらに、基板上
の液層の処理液の流出を招くことがない。
【0038】請求項3の発明によれば、さらに、基板の
位置を正しく矯正し、搬送不良の発生を抑制できる。
【0039】請求項4および請求項6の発明によれば、
さらに、基板処理装置を小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の基板処理装置の全体構
成を示す模式的側面図である。
【図2】搬送ローラを示す正面図である。
【図3】姿勢変換室の平面図である。
【図4】姿勢変換室を示す斜視図である。
【図5】姿勢変換室を示す斜視図である。
【符号の説明】
2 液層形成室 3 処理進行室 4 姿勢変換室 5 洗浄室

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の表面に処理液を供給して処理する
    基板処理装置において、基板を水平姿勢で搬送する搬送
    手段と、水平姿勢で搬送される基板の表面に処理液を供
    給して処理液の表面張力により基板表面に液層を形成す
    る液層形成手段と、前記液層が形成された基板を保持し
    て液層の処理液による処理を進行させる処理進行手段
    と、液層による処理終了後の基板の姿勢を傾斜姿勢に変
    換する姿勢変換手段と、姿勢変換手段により傾斜姿勢と
    された基板の表面に洗浄液を供給して洗浄する洗浄手段
    と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 前記処理進行手段における基板の保持は
    基板の下面のみに接触して行われることを特徴とする請
    求項1に記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記姿勢変換手段において、基板の位置
    を矯正する位置矯正手段を設けたことを特徴とする請求
    項1または2に記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 前記処理進行手段と、前記姿勢変換手段
    とを一体に構成したことを特徴とする請求項1ないし3
    のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 【請求項5】 水平姿勢で搬送される基板の表面に処理
    液を供給して処理液の表面張力により基板表面に処理液
    の液層を形成する工程と、処理液の供給を止めて処理液
    の液層が形成された基板を保持して液層の処理液による
    処理を進行させる工程と、処理液の液層による処理終了
    後に基板の姿勢を傾斜姿勢に変換する工程と、傾斜姿勢
    とされた基板の表面に洗浄液を供給して洗浄する工程
    と、洗浄後の基板を乾燥させる工程と、を備えたことを
    特徴とする基板処理方法。
  6. 【請求項6】 前記処理を進行させる工程と、前記傾斜
    姿勢に変換する工程とを同一位置にて行うことを特徴と
    する請求項5に記載の基板処理方法。
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