JP2002252200A

JP2002252200A - 基板処理装置及び処理方法

Info

Publication number: JP2002252200A
Application number: JP2001046355A
Authority: JP
Inventors: Noriya Wada; 憲也和田; Kazuto Kinoshita; 和人木下; Kazuhiko Kenmori; 和彦権守
Original assignee: Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2001-02-22
Filing date: 2001-02-22
Publication date: 2002-09-06

Abstract

(57)【要約】【課題】基板を傾斜搬送する間に所定の液処理を行う
に当って、基板や搬送手段に摩耗や損傷等を生じさせた
りすることなく円滑に搬送する。【解決手段】第１の処理ステージ１０の入口部では基
板Ｗを下り勾配傾斜搬送路ＤＳ₁ から水平搬送路ＬＳと
し、この水平搬送路ＬＳの間に第１の処理液供給ノズル
１１から処理液を供給し、水平搬送経路ＬＳから上り勾
配傾斜搬送路ＵＳ ₁ に転換させて、基板Ｗから処理液を
第１の処理ステージ１０内に回収する。第２の処理ステ
ージ２０に移行すると、下り勾配傾斜搬送路ＤＳ₂ と
し、その間に純水供給ノズル２１から純水を供給する。
第３の処理ステージ３０では基板Ｗを上り勾配傾斜搬送
路ＵＳ₂ とし、その間に洗浄水噴射ノズル３１，３２か
ら基板Ｗの表裏両面に洗浄水を噴射する。第４の処理ス
テージ４０では、上り勾配傾斜搬送路ＵＳ₂ の状態を維
持し、基板Ｗの上下両側に配置したエアナイフノズル４
１，４２によりその表裏両面を乾燥させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス，金属，合
成樹脂，無機物等からなり、四角形や円形等の形状とし
た薄板の基板を搬送する間に、この基板表面に所定の処
理液等を供給してウエット処理を行う基板処理装置及び
基板処理方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ＴＦＴ型の液晶パネルは、ＴＦ
Ｔ基板とカラーフィルタ基板との２枚の薄板ガラス基板
の積層体を有するものであるが、ＴＦＴ基板は基板の表
面にＴＦＴのパターンが形成される。このＴＦＴのパタ
ーンは、成膜，レジスト塗布，露光，現像，エッチン
グ，レジスト剥離等からなる工程を７〜８回繰り返すこ
とにより形成され、またこれらの工程の間には適宜洗浄
等の工程が加わる。これらの工程のうち、現像，エッチ
ング，レジスト剥離の各工程は、基板表面に所定の処理
液を供給することによるウエット処理で行うのが一般的
である。また、洗浄も洗浄液を基板の表面に供給するこ
とにより行われるウエット処理である。

【０００３】ウエット処理はディッピング等の手段によ
っても行うこともできるが、基板に対する連続処理を行
うためには、コンベア等の搬送手段により基板を搬送さ
せる間に、処理液供給手段から所定の処理液をこの基板
の表面に供給することにより行うのが一般的である。こ
こで、基板に対してウエット処理を行うに当っては、基
板の被処理面を上向きにして搬送するようになし、処理
液は搬送手段による基板の搬送経路の上部位置にノズル
等からなる処理液供給手段を配置して、この処理液供給
手段から基板の表面に処理液を供給する方式が採用され
る。

【０００４】ここで、基板に供給された処理液は、基板
の表面にある程度滞留させる必要があるものと、基板上
で処理液が流れるようにする必要があるものとがある。
基板の表面若しくはこの表面に形成した被膜なり層なり
に対して反応等を生じさせる場合、例えばレジスト剥離
を行う際には、剥離液を基板の表面に滞留させる方が消
費される処理液の量を節約できる等の点で望ましい。一
方、基板の表面を洗浄する場合には、洗浄液を基板の表
面に留めることなく、できるだけ速い流速で洗浄液を流
す方が洗浄効率及び洗浄精度が向上する。ここで、流速
が必要な処理液を供給して処理を行う際には、基板を傾
けることによって、その傾斜に沿って処理液を流すよう
にする方が有利である。

【０００５】例えば特開平９−１５５３０６号公報に
は、処理液を基板に供給する際に、その表面に沿って流
れを形成する必要のあるウエット処理を行うに当って、
基板を傾斜させて搬送する方式が提案されている。この
公知の基板処理装置は基板の洗浄装置であって、基板は
ローラコンベアからなる搬送手段により搬送する間に、
薬洗，水洗，乾燥の順に処理を行うようにしている。こ
れらのうち、薬洗及び水洗は、基板を、水平面に対し
て、その搬送経路と直交する方向に傾けた状態で搬送す
るようになし、この間に上部側から薬液及び洗浄水から
なる処理液を基板に向けて噴射させるように構成してい
る。従って、基板の表面に供給された洗浄液及び洗浄水
は傾斜方向に向けての流れが形成され、この流れにより
基板表面の付着物質等を取り除くことができる。このよ
うに基板を傾斜搬送するために、搬送手段を構成するロ
ーラコンベアの回転軸を垂直面内で所定角度傾けるよう
に配置し、この回転軸には基板の裏面側と当接する複数
のローラを取り付けるが、傾斜している回転軸の両端に
位置するローラに鍔部を設けて、搬送時に基板の姿勢を
保つようにしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、基板を傾け
ると、その傾斜方向の下向きに自重が作用することにな
る。このために、回転軸に２箇所設けた鍔付きローラの
うち、下側に位置するローラの周胴部から鍔部にかけて
のコーナの部分に基板の裏面から側面にかけてのエッジ
部分が押し付けられるようにして搬送されることにな
る。その結果、基板の搬送中に、前述したコーナ部分に
応力が集中して、基板及びローラを摩耗させたり、また
基板のエッジに損傷を来すおそれがある。とりわけ、大
型の基板を液処理する場合には、それだけ基板の自重が
大きくなり、また基板の傾斜角度も大きくしなければな
らないことから、前述した摩耗や損傷の度合いがさらに
大きくなるという問題点がある。

【０００７】本発明は以上の点に鑑みてなされたもので
あって、その目的とするところは、基板を傾斜搬送する
間に所定の液処理を行うに当って、基板や搬送手段に部
分的に摩耗を生じさせたり、基板を損傷させたりするこ
となく円滑に搬送できるようにすることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の基板処理装置は、基板を搬送する搬送
手段と、この搬送手段に対向配設され、前記基板に対し
てウエット処理を行うために前記基板の表面に処理液を
供給する液供給手段とを備えた基板処理装置であって、
前記搬送手段は、少なくともその一部に前記基板の搬送
方向に向けて上り勾配または下り勾配となるように傾斜
した状態で搬送する傾斜搬送路を含む構成としたことを
その特徴とするものである。

【０００９】即ち、搬送手段による搬送経路に少なくと
も上り勾配または下り勾配を持たせて、基板搬送方向の
前方または後方に向けて基板を傾斜させた状態で搬送す
るように構成する。その傾斜方向としては、連続的に上
り勾配または下り勾配としても良いが、搬送経路のライ
ン上に複数の液処理を行うステージを有する場合には、
上り勾配と下り勾配とを交互に配置するのが望ましい。
また、処理の態様によっては、上りまたは下り方向に勾
配を持った傾斜搬送路と、基板を水平状態で搬送する水
平搬送路とを混在させるように構成することもできる。

【００１０】一方、本発明の基板処理方法の第１のもの
としては、基板を搬送する間に、この基板の表面に処理
液を供給することによって、基板のウエット処理を行う
ためのものであって、基板を、その搬送方向に向けて上
り勾配または下り勾配となるように傾斜した状態で搬送
する間に、この基板の表面に処理液を供給することをそ
の特徴とするものである。

【００１１】また、第２の基板処理方法としては、基板
を水平方向に搬送する間に、この基板表面に第１の処理
液を供給する第１の液処理工程と、この第１の液処理工
程を経た基板をその搬送方向に向けて上り勾配となるよ
うに傾斜搬送する間に、この基板表面に付着する第１の
処理液を流出させる処理液除去工程と、基板を上り勾配
から下り勾配に傾き方向を転換させて傾斜搬送する間
に、この基板の表面に第２の処理液を供給する第２の液
処理工程と、基板を再び上り勾配に傾き方向を転換させ
て傾斜搬送する間に、基板の表面に対して第３の処理液
を供給する第３の液処理工程とからなることをその特徴
とする。

【００１２】そして、この第２の基板処理方法におい
て、第３の液処理工程で基板に供給される第３の処理液
は洗浄液である場合等においては、この第３の液処理工
程で基板に洗浄液を供給した後に、基板の搬送方向が上
り勾配となる状態を維持して、エアナイフノズルによっ
て、この基板の表裏両面を乾燥させる乾燥工程を設ける
のが望ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態にお
いては、基板処理の一つの態様として、液晶パネルを構
成するＴＦＴ基板にレジスト剥離，水置換，水洗等から
なる液処理を行う装置に適用したものを示す。しかしな
がら、本発明は、これ以外の各種の工程にも適用でき、
また液晶パネルのＴＦＴ基板以外にも、四角形や円形等
に形成した薄板からなる各種の基板の処理に適用するこ
ともできるのは言うまでもない。

【００１４】而して、図１に液処理装置の概略構成を示
す。図中において、Ｗは処理が行われるワークとして、
ＴＦＴ基板等からなる基板である。そして、この基板Ｗ
の一面側が被処理面であり、この被処理面を上向きにし
て基板搬送手段１により搬送される。ここで、基板搬送
手段１としては、例えば、図２に示したように、回転軸
２を有し、この回転軸２には、その軸線方向に複数のロ
ーラ３が装着されている。ここで、ローラ３は、例えば
ゴム等のように弾性があり、かつ摩擦係数がある程度大
きく、しかも耐薬品性が良好な材質のものが用いられ
る。両端に位置するローラ３には基板Ｗの両側部をガイ
ドするためのフランジ部が設けられている。基板搬送手
段１は、回転軸２を基板Ｗの搬送方向に向けて一定のピ
ッチ間隔となるように配列することにより構成され、多
数配列した回転軸２のうち１つを回転駆動すると、全て
の回転軸２が同じ方向に同じ速度で回転する。その結
果、基板Ｗを図２の矢印方向に向けて搬送することがで
きる。

【００１５】図２において、基板搬送手段１を構成する
各回転軸２は、実質的に等間隔で配列されている。そし
て、各回転軸２が同一水平面上に配置された状態を実線
で示す。この状態では、基板Ｗの姿勢は水平状態にして
搬送される水平搬送路を構成する。本発明の基板処理装
置における基板搬送手段１は、この水平搬送路に加え
て、同図に点線で示したように、基板搬送手段１を構成
する各回転軸２の高さ位置を順次上方に配列して上り勾
配をもった傾斜搬送路と、同図に一点鎖線で示したよう
に、各回転軸２の高さ位置を順次下方に配列することに
より下り勾配をもった傾斜搬送路とが含まれる。図１に
は、基板搬送手段１による基板Ｗの搬送経路において、
水平搬送路をＬＳで、上り勾配傾斜搬送路をＵＳで、下
り勾配傾斜搬送路をＤＳで示している。ただし、基板搬
送手段１を構成する各回転軸２の軸線は、全て水平方向
に配置し、もって基板Ｗはその搬送方向と直交する方
向、つまり左右方向には傾斜させない。

【００１６】ここで、基板Ｗを水平な姿勢とした時と、
上り勾配または下り勾配であって、５°，１０°という
勾配を持たせた時とにおいて、基板Ｗに供給される処理
液の量に対して、図３（ａ）では基板Ｗの表面に滞留す
る処理液の厚み、つまり水深との関係を、また図３
（ｂ）では基板Ｗの表面で処理液が流れる際の平均流速
との関係を線図で示す。これらの図において、実線で示
したのは、基板Ｗを水平状態にした時の線図、また点線
は５°の勾配を持たせ、一点鎖線は１０°の勾配を持た
せた時の線図である。これらの図から明らかなように、
基板Ｗを水平状態にして、処理液の供給量を多くする
と、水深が深くなる。これに対して、基板Ｗに勾配を持
たせると、処理液の供給量を増やしたとしても、水深は
あまり深くはならない。これに対して、基板Ｗの表面で
の流速を大きくするには、基板Ｗにできるだけ大きな勾
配を持たせ、かつ処理液の供給量を多くすれば良い。

【００１７】以上の構成を有する基板搬送手段１による
基板Ｗの搬送経路には、それぞれハウジングにより区画
形成された複数の処理ステージが設置されており、基板
Ｗはこれら各処理ステージ内を通過することによって、
所定の処理が行われる。ここで、図示した基板処理装置
では、４ステージ構成となっているが、ステージ数は基
板Ｗにどのような処理を行うかにより変わるものであ
り、従って必要に応じてステージ数を増減できる。

【００１８】基板搬送手段１における基板Ｗの搬送経路
において、その最上流側に位置する第１の処理ステージ
１０は、基板Ｗに対して、例えばレジスト剥離等の処理
が行われるようになっており、このために第１の処理ス
テージ１０内において、搬送経路の上部位置には処理液
供給ノズル１１が設置されている。第１の処理ステージ
１０に隣接するようにして第２の処理ステージ２０が配
置されており、この第２の処理ステージ２０内では、基
板Ｗの表面に付着している処理液を除去して水と置換さ
せる。このために、第２の処理ステージ２０における搬
送経路には、純水からなる置換水を供給するための純水
供給ノズル２１，２２が搬送経路の上下に設けられてい
る。そして、第２の処理ステージ２０に後段には第３の
処理ステージ３０が配置されている。この第３の処理ス
テージ３０では、基板Ｗの表裏両面が洗浄される。この
ために、第３の処理ステージ３０内の基板搬送手段１に
よる基板Ｗの搬送経路における上下の位置に、例えば超
音波により加振した純水からなる洗浄水を噴射させる洗
浄水噴射ノズル３１，３２が設置されている。第３の処
理ステージ３０から出た基板Ｗは、さらに第４の処理ス
テージ４０内に導かれる。この第４の処理ステージ４０
内には、基板Ｗの表裏両面を乾燥させるために、基板Ｗ
の搬送経路を挟んだ上下の位置にエアナイフノズル４
１，４２が設けられており、このエアナイフノズル４
１，４２から噴射される加圧エアの作用によって、基板
Ｗの表裏各面に付着している洗浄水を除去することによ
り乾燥が行われる。

【００１９】以上のように、第１，第２，第３の処理ス
テージ１０，２０，３０では、基板Ｗに対して液体が供
給されて、それぞれ所定の液処理がなされる。つまり、
これら各処理ステージ１０，２０，３０では、いずれも
広義における液処理が行われる。一方、第４の処理ステ
ージ４０では、基板Ｗの乾燥という処理が行われること
になる。そこで、以下に各処理について説明する。

【００２０】まず、第１の処理ステージ１０内で行われ
る第１の液処理工程では、基板Ｗの表面に剥離液等の処
理液を供給して、基板Ｗに残存するレジストと化学反応
を生じさせる。このために、供給された処理液は基板Ｗ
との間に接触時間を必要とする。そこで、この第１の処
理ステージ１０では、基板Ｗを水平状態で搬送するよう
になし、基板Ｗの表面に供給された処理液が溢出するの
を最小限に抑制し、できるだけ多量の処理液を基板Ｗ上
に滞留させ、処理液の供給量を低減する。従って、基板
搬送手段１の搬送経路としては、第１の処理ステージ１
０内では、基板Ｗは水平状態で搬送されるようにする。
つまり、第１の処理ステージ１０においては、基板搬送
手段１を構成する各回転軸２を同一水平面に配置する。

【００２１】処理液供給ノズル１１から基板Ｗの表面に
処理液が供給されるが、第１の処理ステージ１０の入口
側から外部に処理液が流出しないようにするために、基
板搬送手段１における第１の処理ステージ１０の入口側
では、所定長さ分だけ基板Ｗが下り勾配となるように傾
ける。つまり、図１において、第１の処理ステージ１０
内での基板搬送手段１の搬送経路のうち、区間ＤＳ₁ を
下り勾配となった傾斜搬送路とする。具体的には、回転
軸２を、その軸線が水平方向に保ち、かつ搬送方向の前
方に向けて連続的に高さ位置を下げるように配置する。
これによって、基板Ｗに供給された処理液が搬送方向の
後方側に向けて流れるのを防止できる。そして、この下
り勾配傾斜搬送路ＤＳ₁ に続く第１の処理ステージ１０
内の大半の長さ分は基板搬送手段１の搬送経路を水平搬
送路ＬＳとする。これにより、第１の処理ステージ１０
で第１の液処理を行う際に、基板Ｗに供給された第１の
処理液が基板Ｗの上に滞留することになり、かつ処理液
の供給量を増やせば、それだけ処理液の水深が深くな
り、処理の効率化が図られ、基板Ｗの表面全体にわたっ
て高精度な処理が可能となる。しかも、前後の処理ステ
ージへの処理液の流出量が少なくなるので、処理液の利
用効率が向上し、その消費量を節約できる。

【００２２】第１の処理ステージ１０で基板Ｗに供給さ
れた第１の処理液は、この第１の処理ステージ１０内に
ほぼ完全に回収する。これは、第１の処理液を循環使用
するためである。第１の処理ステージ１０をコンパクト
化し、かつ第１の処理ステージ１０における処理液を効
率的に回収するために、この第１の処理ステージ１０の
出口近傍では、処理液供給ノズル１１からの処理液が供
給されず、しかも基板搬送手段１は、水平搬送経路ＬＳ
から上り勾配に傾斜させた上り勾配傾斜搬送路ＵＳ₁ を
有するものである。この上り勾配傾斜搬送路ＵＳ₁ は、
入口側に設けた下り勾配傾斜搬送路ＤＳ₁ とは反対に、
回転軸２の軸線を水平方向に保ち、かつ基板Ｗの搬送方
向前方に向かうに応じて回転軸２の高さ位置を連続的に
高くする。これによって、図４に示したように、基板Ｗ
はその進行方向前方が立ち上がるように傾くから、表面
に付着している第１の処理液は基板Ｗの傾斜に沿って矢
印方向に流れる。その結果、基板Ｗからの処理液が迅速
に除去され、かつこのように除去された処理液は第１の
処理ステージ１０内に回収されることになり、処理液の
持ち出し量を最小限に抑制できる。これが処理液除去工
程である。従って、第１の処理ステージ１０では、第１
の液処理工程と、処理液除去工程とが実行される。

【００２３】上り勾配の状態で第１の処理ステージ１０
から出た基板Ｗは、第２の処理ステージ２０に送り込ま
れる。ここで、第２の処理ステージ２０では第２の液処
理工程としての水置換が行われる。これは、基板Ｗの表
裏両面に付着している第１の処理液を完全に取り除き、
純水という第２の処理液で置換する処理が行われる。従
って、第２の処理ステージ２０では、純水供給ノズル２
１，２２から基板Ｗの表裏両面に供給された第２の処理
液に流れを生じさせ、この流れに沿って第１の処理液を
除去する。このために、第２の処理ステージ２０では基
板Ｗを傾斜搬送させるようにする。

【００２４】第１の処理ステージ１０の出口部では、基
板搬送手段１は上り勾配傾斜搬送路ＵＳ₁ となってい
る。従って、第２の処理ステージ２０でこの上り勾配傾
斜搬送路ＵＳ₁ のまま継続させて水置換を行うと、基板
Ｗに供給された純水が第１の処理ステージ１０側に流れ
込んで、第１の処理液を希釈し、処理能力を低下させる
ことになる。このために、第２の処理ステージ２０の入
口部で、基板搬送手段１の傾斜方向を転換させて、下り
勾配傾斜搬送路ＤＳ₂ とする。また、純水供給ノズル２
１，２２はこの下り勾配傾斜搬送路ＤＳ₂ の途中位置に
配置する。なお、上り勾配傾斜搬送路ＵＳ₁ から下り勾
配傾斜搬送路ＤＳ₂ に直接方向転換させるのではなく、
その間に水平搬送路を設けると、基板Ｗの方向転換がよ
り円滑になる。そして、純水供給ノズル２１，２２はそ
の下り勾配傾斜搬送路ＤＳ₂ の傾斜と同じ方向に、同じ
角度傾斜させるようにするのが望ましい。ただし、純水
供給ノズルを下り勾配傾斜搬送路ＤＳ₂ との傾斜に追従
させなくても良い。これによって、基板Ｗは下り勾配傾
斜搬送路ＤＳ₂ に沿って搬送される間に、その表面に純
水が供給され、かつこの下り勾配により純水に所定の流
速が与えられるので、基板Ｗの表面に付着している第１
の処理液が迅速かつ確実に除去されて、第２の処理液で
ある純水と確実に置換される。

【００２５】第２の処理ステージ２０では水置換を行う
ものであり、基板Ｗを完全に清浄化することを目的とは
しない。そして、第２の処理ステージ２０の後段に第３
の処理ステージ３０を設けて基板Ｗを洗浄する。ここ
で、第３の処理ステージ３０で基板Ｗに供給される処理
液は第２の処理ステージ２０と同様純水であるが、基板
Ｗに対する洗浄効率をより向上させるために、洗浄水を
超音波加振するのが望ましい。しかも、図５に示したよ
うに、基板Ｗの表面だけでなく、裏面側も汚損されてい
るので、基板Ｗの表裏両面に対して洗浄水を噴射させ
る。従って、洗浄水噴射ノズル３１，３２を基板搬送手
段１による基板Ｗの搬送経路の上下に配置する。この洗
浄水噴射ノズル３１，３２も基板Ｗの傾斜方向と一致す
る角度を持たせるのが望ましいが、この角度付けは必須
のものではない。この第３の処理ステージ３０で行われ
る第３の液処理としての基板Ｗの洗浄をより効率化し、
迅速かつ確実に、しかも高精度な洗浄を可能にするため
に、基板Ｗの表面における洗浄水の流速をできるだけ大
きくする。このために、第３の処理ステージ３０では基
板搬送手段１による基板Ｗの搬送は上り勾配傾斜搬送路
ＵＳ₂ とし、かつ勾配をできるだけ大きくする。従っ
て、第２の処理ステージ２０から第３の処理ステージ３
０への移行部で、基板搬送手段１の傾斜方向を下り勾配
から上り勾配に転換させる。なお、ここでも基板Ｗは下
り勾配から上り勾配に直接的に方向転換させると円滑な
搬送が損なわれる場合には、一度水平搬送状態に戻した
後に上り勾配傾斜搬送路ＵＳ₂ に移行させる。そして、
洗浄水噴射ノズル３１，３２から噴射される洗浄水の方
向は、基板Ｗの搬送方向とは反対方向に向けて所定の角
度傾斜させる。これによって、基板Ｗに供給された洗浄
水の流速は極めて大きくなり、迅速かつ確実に洗浄が行
われることになる。従って、第３の処理ステージ３０の
小型化、コンパクト化を図ることができる。

【００２６】第３の処理ステージ３０で清浄化された基
板Ｗは、第４の処理ステージ４０に送り込まれて、基板
Ｗの表裏両面に付着している水膜及び水滴を除去するよ
うに乾燥させる。第４の処理ステージ４０に設けられ、
基板搬送手段１の上下両側に配置したエアナイフノズル
４１，４２は、この基板Ｗの乾燥を行うためのものであ
る。つまり、エアナイフノズル４１，４２からは、第３
の処理ステージ３０における洗浄水噴射ノズル３１，３
２と同様に、基板Ｗの搬送方向とは反対方向に向けて所
定の角度をもってスリット状の加圧エアを噴射させる。
この加圧エアは基板Ｗの表裏両面に沿って流れることか
ら、この加圧エアの圧力で、基板Ｗの表裏両面から洗浄
水がそぎ落とされるようにして除去されることになり、
この基板Ｗが乾燥される。この第４の処理ステージ４０
内でも、基板搬送手段１は上り勾配傾斜搬送路ＵＳ₂ の
状態を保持する。この傾斜によって、基板Ｗから迅速に
洗浄水の除去が行われることから、第４の処理ステージ
４０での基板Ｗの乾燥は、水平搬送する場合より迅速化
され、従って第４の処理ステージ４０もコンパクト化で
きる。

【００２７】以上のように、基板Ｗに対して一連の処理
を行うに当って、基板Ｗを水平搬送したり、上り勾配及
び下り勾配となるように傾斜させて搬送したりすること
によって、各々の処理工程での処理の迅速化及び効率化
が図られ、タクトタイムを短縮することができ、かつ処
理装置の小型化、コンパクト化が図られる。そして、基
板Ｗの傾斜方向は、その進行の前方または後方に向けて
のものであるから、基板搬送手段１で搬送される基板Ｗ
の左右両側を規制する部位に対して基板Ｗの自重が作用
することはないので、基板Ｗやローラ３の摩耗が抑制さ
れ、かつ基板Ｗの側部エッジが損傷することがなくな
る。

【００２８】

【発明の効果】本発明は、以上のように構成したので、
基板を傾斜搬送する間に所定の液処理を行うに当って、
基板や搬送手段に部分的に摩耗を生じさせたり、基板を
損傷させたりすることなく円滑に搬送できる等の効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態を示す基板処理装置の概
略構成図である。

【図２】基板搬送手段の構成説明図である。

【図３】基板の搬送姿勢と、基板に供給された処理液の
水深及び流速との関係を示す線図である。

【図４】第１の液処理工程の作用説明図である。

【図５】第３の液処理工程の作用説明図である。

【符号の説明】

１基板搬送手段２回転軸３ローラ１０第１の処理ステージ１１処理液供給ノズル２０第２の処理ステージ２１，２２純水供給ノズル３０第３の処理ステージ３１，３２洗浄水噴射ノズル４０第４の処理ステージ４１，４２エアナイフノズルＷ基板ＬＳ水平搬送路ＵＳ₁ ，ＵＳ₂ 上り勾配傾斜搬送路ＤＳ₁ ，ＤＳ₂ 下り勾配傾斜搬送路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｂ６５Ｇ 49/06 Ｂ６５Ｇ 49/06 ＺＨ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ 21/306 21/30 ５６９Ｄ 21/68 21/306 Ｊ (72)発明者権守和彦東京都渋谷区東３丁目16番３号日立電子エンジニアリング株式会社内Ｆターム(参考） 3B201 AA02 AA03 AB14 AB40 BB21 BB92 BB95 CC12 CD22 3F033 BB01 BC01 5F031 CA05 FA02 FA18 GA53 MA23 5F043 BB27 EE07 EE33 EE36 EE40 GG10 5F046 LA11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を搬送する搬送手段と、この搬送手
段に対向配設され、前記基板に対してウエット処理を行
うために前記基板の表面に処理液を供給する液供給手段
とを備えた基板処理装置において、前記搬送手段は、少なくともその一部に前記基板の搬送
方向に向けて上り勾配または下り勾配となるように傾斜
した状態で搬送する傾斜搬送路を含む構成としたことを
特徴とする基板処理装置。
【請求項２】前記傾斜搬送路は、上り勾配の傾斜と下
り勾配の傾斜とを含む構成としたことを特徴とする請求
項１記載の基板処理装置。
【請求項３】前記傾斜搬送路は、さらに水平搬送部を
含むものであり、かつこの水平搬送路の搬送方向の前方
に前記上り勾配の傾斜搬送路を接続する構成としたこと
を特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】基板を搬送する間に、この基板の表面に
処理液を供給することによって、基板のウエット処理を
行うためのものにおいて、基板を、その搬送方向に向けて上り勾配または下り勾配
となるように傾斜した状態で搬送する間に、この基板の
表面に処理液を供給することを特徴とする基板処理方
法。
【請求項５】前記基板の傾斜方向は、その搬送方向に
向けて上り勾配と下り勾配とを含むことを特徴とする請
求項４記載の基板処理方法。
【請求項６】基板を水平方向に搬送する間に、この基
板表面に第１の処理液を供給する第１の液処理工程と、この第１の液処理工程を経た基板をその搬送方向に向け
て上り勾配となるように傾斜搬送する間に、この基板表
面に付着する第１の処理液を流出させる処理液除去工程
と、基板を上り勾配から下り勾配に傾き方向を転換させて傾
斜搬送する間に、この基板の表面に第２の処理液を供給
する第２の液処理工程と、基板を再び上り勾配に傾き方向を転換させて傾斜搬送す
る間に、基板の表面に対して第３の処理液を供給する第
３の液処理工程とからなることを特徴とする基板処理方
法。
【請求項７】前記第３の液処理工程で基板に供給され
る第３の処理液は洗浄液であり、この第３の液処理工程
で基板に洗浄液を供給した後に、基板の搬送方向が上り
勾配となる傾斜状態を維持して、エアナイフノズルによ
って、この基板の表裏両面を乾燥させる乾燥工程を有す
ることを特徴とする請求項６記載の基板処理方法。