JPH0817723A - 基板表面処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理時間を短縮することが可能な基板表面処
理装置を提供する。 【構成】 処理室１の内部に、搬送経路上に互いに異な
る第１停止位置Ｐ₁ と第２停止位置Ｐ₂ が、第１停止位
置Ｐ₁ の略上方に第１処理位置Ｑ₁ が、第２停止位置Ｐ
₂ の略上方に第２処理位置Ｑ₂ がそれぞれ設けられてい
る。第１の基板Ｗが第２処理位置Ｑ₂ で表面処理が施さ
れている間に、第２の基板Ｗが第１停止位置Ｐ₁ を介し
て第１処理位置Ｑ₁ に搬送されて表面処理が施される。
そして、第１の基板Ｗが搬出され、第２の基板Ｗに表面
処理が施される間に、第３の基板Ｗが第２停止位置Ｐ₂
を介して第２処理位置Ｑ₂ に搬送されて表面処理が施さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示器用のガラス
基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基
板、プリント配線用の基板、半導体ウエハ等の基板を、
搬送しつつその表面に現像液、エッチング液、剥離液等
の処理液を供給して基板の表面処理を行う基板表面処理
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、処理チャンバ内において、基板の
裏面を搬送ローラで支持しつつ基板を搬送経路上の所定
の処理位置まで搬送し、その処理位置において基板の搬
送を停止させるとともに、処理位置に停止された基板の
表面に向けてその上方に配置されたスプレーノズルから
所定の処理液を吐出させ、基板の表面処理を行うように
構成された基板表面処理装置が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来装置には次のような問題点がある。すなわち、処
理液が供給された基板は、その処理液による表面処理が
完了するまで搬送経路上の処理位置に静止させられてお
り、この静止時間と基板の搬入／搬出に要する時間との
和によって装置の処理時間（タクトタイム）が決定され
ていた。したがって、例えば、現像処理を行う場合、現
像液を基板表面に供給してから80〜90秒間は基板の静止
が必要であるとすると、この装置の処理時間は、基板の
搬送時間を含めて100 秒以上を要してしまい、これを短
縮することは不可能であった。

【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、処理時間を短縮することが可能な基板
表面処理装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために次のような構成をとる。すなわち、請求項
１に記載の基板表面処理装置は、基板を搬送するととも
にその表面に所定の処理液を供給して基板の表面処理を
行う基板表面処理装置において、所定の搬送経路に沿っ
て基板を搬送するとともに、搬送経路上の互いに異なる
少なくとも２つの停止位置において基板を停止させるこ
とが可能な搬送手段と、２つの停止位置に停止させられ
た基板を、各停止位置と各停止位置のそれぞれに対応し
て搬送経路外に配置された各処理位置との間で移動させ
る移動手段と、各処理位置に移動させられた基板の表面
に向けて所定の処理液を供給する処理液供給手段と、を
備えたものである。

【０００６】また、請求項２に記載の基板表面処理装置
は、請求項１に記載の装置において、各処理位置は対応
する各停止位置の上方に配置され、移動手段は、各停止
位置に停止させられた基板を押し上げることにより対応
する処理位置に移動させて各処理位置に基板を保持する
とともに、基板を各処理位置に保持している状態では、
その処理位置に対応する停止位置を基板が通過すること
を許容する昇降機構からなるものである。

【０００７】さらに、請求項３に記載の基板表面処理装
置は、請求項２に記載の装置において、各処理位置に保
持された基板の表面に向けて供給された処理液が、搬送
経路に沿って搬送される基板上に落下しないように受け
止める液落下防止機構を、各処理位置に対応させて備え
たものである。

【０００８】

【作用】請求項１の発明によれば、搬送手段によって、
所定の搬送経路に沿って搬送されてきた１枚目の基板
が、搬送経路上の停止位置（第１停止位置）に停止され
る。第１停止位置で停止された基板は、移動手段によっ
て第１停止位置から搬送経路の処理位置（第１処理位
置）に移動され、処理液供給手段によって基板表面に所
定の処理液が供給される。１枚目の基板は処理液による
表面処理が施されるまで第１処理位置に静止され、その
間に、２枚目の基板が、搬送手段によって同じ搬送経路
に沿って搬送され、上記第１停止位置とは異なる別の停
止位置（第２停止位置）にまで搬送されて停止される。
停止後、２枚目の基板は、移動手段によって第２停止位
置から上記第１処理位置とは異なる別の処理位置（第２
処理位置）に移動され、処理液供給手段によって基板表
面に所定の処理液が供給される。２枚目の基板は処理液
による表面処理が施されるまで第２処理位置に静止され
る。表面処理が施された１枚目の基板は、移動手段によ
って第１処理位置から第１停止位置に受け渡され、２枚
目の基板が第２処理位置で表面処理を施されている間
に、搬送手段によって同じ搬送経路に沿って搬出され
る。１枚目の基板が搬出され、２枚目の基板が第２処理
位置で表面処理を施されている間に、３枚目の基板が、
１枚目の基板と同様に、第１停止位置を介して第１処理
位置に搬送されて表面処理が施される。３枚目の基板に
表面処理が施される間に、２枚目の処理済みの基板が、
第２停止位置に戻されて搬送される。２枚目の基板が搬
出されて、３枚目の基板に表面処理が施される間に、４
枚目の基板が第２停止位置を介して第２処理位置に移動
される。以上のように、１枚ずつ順に搬送される基板
が、上記したいずれかの停止位置を介して処理位置に順
次搬送されて表面処理が施される。

【０００９】また、請求項２の発明によれば、搬送手段
によって、所定の搬送経路に沿って搬送されてきた基板
は、搬送経路上の停止位置に停止される。停止位置に停
止された基板は、移動手段の昇降機構によって基板裏面
が押し上げられ、停止位置からその上方の処理位置に移
動される。別の基板は処理位置にある基板と干渉するこ
となく、処理位置の下側を搬送経路に沿って搬送され
る。

【００１０】さらに、請求項３の発明によれば、処理位
置で基板表面に処理液が供給されて表面処理が施される
際、その基板端縁から流出する処理液は液落下防止機構
によって受け止められ、搬送経路に落下するのが阻止さ
れる。

【００１１】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。図１は本発明に係る基板表面処理装置の一実施
例の全体側面図、図２は図１における要部の平面図、図
３は図２のＡ−Ａ矢視断面図、図４は図２のＢ−Ｂ矢視
断面図、図５は図２のＣ−Ｃ矢視断面図である。

【００１２】図１に示すように、本実施例の基板表面処
理装置は、基板製造ライン等に組み込まれ、例えば基板
表面に現像処理を施す処理室１の内部に配備されるもの
である。この処理室１と前後の各処理室２，３とは、そ
れぞれ仕切り壁１ａによって仕切られており、各仕切り
壁１ａに基板サイズに応じて開口された搬入口１ｂと搬
出口１ｃとがそれぞれ設けられている。搬入口１ｂと搬
出口１ｃとには、それぞれ開閉自在にシャッタ４ａ，４
ｂが配備されている。処理室１と前後の各処理室２，３
には、それぞれ液晶用ガラス角型基板（以下、単に「基
板」という）Ｗを搬送するための搬送機構１０が配備さ
れ、各処理室２，１，３とにわたって水平方向に一直線
状に搬送経路が形成されている。

【００１３】処理室１の内部には、搬送経路上に互いに
異なる第１停止位置Ｐ₁ と、第２停止位置Ｐ₂ がそれぞ
れ設けられている。そして、搬送経路から外れ、第１停
止位置Ｐ₁ の略上方に第１処理位置Ｑ₁ 、第２停止位置
Ｐ₂ の略上方に第２処理位置Ｑ₂ がそれぞれ設けられて
いる。

【００１４】搬送機構１０は、図２に示すように、搬送
経路に沿って対向配備されたサイドフレーム５間に複数
個のローラ軸１１が回動自在に並列軸支されている。各
ローラ軸１１の両端部に、段差付きの一対の搬送ローラ
１２が対向配備されている。この一対の搬送ローラ１２
の段差間に、基板Ｗの搬送経路に沿った両端縁が載置さ
れる。また、ローラ軸１１の中央部にローラ１３が設け
られ、このローラ１３で基板Ｗの下面中央部を支持する
ことにより、基板Ｗが垂れ下がらないようにしている。
ただし、図２では、作図の便宜上、基板Ｗの下方に位置
するローラ軸１１等の図示を省略し、これらのローラ軸
１１の下方に位置する基板昇降機構２０を示している。

【００１５】また、各ローラ軸１１は、図示しないチェ
ーン等を介してモータに連動連結されている。このモー
タを駆動することにより、チェーンを介して各ローラ軸
１１が回転駆動される。これにより、搬入口１ｂを介し
て処理室２から搬入されてきた基板Ｗをその表面が水平
な姿勢で保持しながら搬送経路に沿って搬送するととも
に、上記したいずれかの停止位置Ｐ₁ ，Ｐ₂ に基板Ｗを
停止させ、後述する方法で処理された基板Ｗを搬出口１
ｃから搬出するように構成されている。

【００１６】次に、第１停止位置Ｐ₁ と第２停止位置Ｐ
₂ とに、それぞれ配備されている基板昇降機構２０の構
成を第１停止位置Ｐ₁ に配備されたものを例に採って説
明する。

【００１７】基板昇降機構２０は、図２及び図３に示さ
れるように、第１停止位置Ｐ₁ にある基板Ｗを水平姿勢
で支持する基板支持部２１と、この基板支持部２１を昇
降させるリンク機構２２とから構成されている。

【００１８】基板支持部２１は一対のベース部材２４を
備え、これらのベース部材２４が部材２３を介してリン
ク機構２２に連結支持されている。サイドフレーム５に
沿って対向している一対のベース部材２４間にはＬ形部
材２５を介して一対の水平アーム２６が対向するように
架設されている。各々の水平アーム２６の両端部の上面
にはそれぞれ支持ピン２７が立設されており、これら４
つの支持ピン２７によって基板Ｗの四隅付近を支持する
ようになっている。第１停止位置Ｐ₁ に基板Ｗが搬入さ
れる際に基板Ｗと支持ピン２７との干渉を避けるため
に、基板支持部２１が下降位置にあるとき、支持ピン２
７が、搬送ローラ１２上に支持された基板Ｗの裏面より
もわずかに下方に位置するように、各支持ピン２７の高
さが設定されている。また、第１停止位置Ｐ₁ で基板支
持部２１が基板Ｗを上昇させたときに、その下方を別の
基板Ｗが搬送経路に沿って移動できるようにするため
に、水平アーム２６を支えるＬ形部材２５間の離間距離
が、搬送方向と直交する基板Ｗの側辺よりも長くなるよ
うに設定されている。

【００１９】上述したリンク機構２２は、図３，図４に
示すように、サイドフレーム５に設けられたブラケット
５ａにそれぞれ回動軸支された支軸２８ａ，２８ｂを備
えている。支軸２８ａ，２８ｂの両端部にそれぞれ揺動
リンク２９が連結され、これらの揺動リンク２９の遊端
側がベース部材２４を支える部材２３の下端部にそれぞ
れピン結合されている。図２，図３に示すように、支軸
２８ａ，２８ｂの中央部に揺動リンク３０がそれぞれ連
結され、これらの揺動リンク３０が連結リンク３１でピ
ン結合されることにより、支軸２８ａ，２８ｂが連動す
るように構成されている。

【００２０】図４に示すように、支軸２８ａの一端側は
ブラケット５ａから導出されて、アーム３２を介してエ
アーシリンダ３３のロッドに連結されている。このエア
ーシリンダ３３が収縮作動することにより、支軸２８
ａ，２８ｂが図３において反時計方向に回転する。基板
支持部２１の下降状態で、ほぼ水平姿勢にあった各揺動
リンク２９が、上記支軸２８ａ，２８ｂの回転に伴って
反時計方向に揺動して起き上がる。これにより基板支持
部２１全体が上昇し、Ｌ形部材２５とこれに支持された
水平アーム２６とが各搬送ローラ１２の間隙を通り抜け
て上昇することにより、第１停止位置Ｐ₁ にある基板Ｗ
を支持ピン２７で受け取って第１処理位置Ｑ₁ まで上昇
移動させる。一方、エアーシリンダ３３が伸張作動する
ことにより、支軸２８ａ，２８ｂが時計方向に回転す
る。これにより上記と逆の動作で基板支持部２１が下降
して、Ｌ形部材２５と水平アーム２６とが各搬送ローラ
１２の下方にまで没入することにより、支持ピン２７で
支持されていた基板Ｗが第１停止位置Ｐ₁ に戻される。

【００２１】次に、第１，第２処理位置Ｑ₁ ，Ｑ₂ にそ
れぞれ配備された現像液供給機構４について説明する。
現像液供給機構４０は、その下面にスリット状に開口さ
れた吐出口４１ａを有する偏平なノズル４１を備えてい
る。このノズル４１は、搬送方向と直交する基板Ｗの側
辺よりも若干長めに形成され、搬送方向と直交するよう
に支持アーム４２によって支持されている。この支持ア
ーム４２が、処理室１の外部に搬送方向に沿って設けら
れたロッドレスシリンダ４３に摺動自在に装着されるこ
とにより、ノズル４１が搬送方向に沿って移動するよう
になっている。したがって、上記した基板昇降機構２０
によって第１処理位置Ｑ₁ に上昇移動された基板Ｗに対
して、その基板表面と吐出口４１ａとの間隔を一定に保
ちながらノズル４１が搬送方向に沿って移動することに
よって、吐出口４１ａから吐出された現像液が基板Ｗの
全面にわたって均一に供給される。

【００２２】次に、処理中の基板Ｗの端縁から流れ落ち
る現像液を受け止める液落下防止機構５０について説明
する。図２に示すように、液落下防止機構５０は、基板
Ｗの搬送方向前端縁および後端縁からの現像液を受け止
める一対の第１受け皿５１と、基板Ｗの両サイドの側端
縁からの現像液を受け止める一対の第２受け皿５２とを
備えている。第１受け皿５１は、図３に示すように、そ
の上部が開口された桶状に形成され、上記した基板支持
部材２６に一体に取り付けられている。

【００２３】一方、第２受け皿５２は、図２および図５
に示すように、断面がＬの字形の樋状をしている。この
第２受け皿５２は、サイドフレーム５に取り付けられた
ブラケット５ｂに揺動自在に支持されている。第２受け
皿５２の揺動支軸５２ａに揺動アーム５３の一端が連結
固定されている。揺動アーム５３の他端は自在リンク５
４の一端にピン結合されている。さらに自在リンク５４
の他端は、上記した支軸２８ａに連結固定された揺動ア
ーム５５の遊端側にピン結合されている。

【００２４】上記したエアーシリンダ３３の伸縮作動に
より、支軸２８ａが回転すると、基板Ｗの昇降動作と連
動して揺動アーム５５が揺動される。これに伴って、自
在リンク５４を介して揺動アーム５３とともに第２受け
皿５２が支軸５２ａを中心に揺動される。すなわち、基
板Ｗが第１停止位置Ｐ₁ に停止されている状態では、第
２受け皿５２は、その先端側を立ち上げるような姿勢、
つまり基板Ｗの昇降を許容するように退避した姿勢にあ
る。そして、基板Ｗが上昇されるにつれて、第２受け皿
５２は、支軸５２ａを中心に反時計方向にその先端側を
揺動し始め、基板Ｗが第１処理位置Ｑ₁ に達すると、第
２受け皿５２は、その先端を少し持ち上げた姿勢で、か
つその先端が基板Ｗの側端の下方から少し内側に入った
姿勢（図５に示す姿勢）になる。

【００２５】上記にように、第１処理位置Ｑ₁ におい
て、第１受け皿５１と、第２受け皿５２とを基板Ｗの全
周に設けて、現像液供給機構４０によって基板Ｗの表面
に供給された現像液がその端縁から流れ落ちても、各受
け皿５１，５２に受け止められてその下方に落ちること
がない。したがって、別の基板Ｗが、第１処理位置Ｑ₁
の下方の搬送経路を通過しても、その表面に現像液が付
着されることがない。なお、第１，第２受け皿５１，５
２に流れ込んだ現像液は、各受け皿５１，５２に連通接
続された、図示しない排液管を通って排出されるように
なっている。

【００２６】次に、基板Ｗに供給された現像液を液切り
するための液切り機構６０の構成を説明する。搬送経路
の下方で停止位置Ｐ₁ にあたる個所に、搬送経路に沿っ
て設けられた昇降部材６１ａが配備され、この昇降部材
６１ａの両端部上面に一対の突上げピン６１が立設され
ている。昇降部材６１ａは、その下方に配置されたエア
ーシリンダ６２のロッドに連結されている。このエアー
シリンダ６２を伸長駆動して昇降部材６１ａを処理位置
Ｑ₁ における基板面よりも上方にまで移動させることに
より、基板昇降機構２０の支持ピン２７で支持されてい
た基板Ｗの一端側を突上げピン６１で突き上げて基板Ｗ
を傾斜させ（図５に示す鎖線の状態）、基板表面の余剰
の現像液を流下排出させるようになっている。

【００２７】次に、図６を参照して実施例装置の動作を
説明する。 （１）まず、図６（ａ）に示すように、第１の基板Ｗ₁
が待機した状態において、第１，第２停止位置Ｐ₁ ，Ｐ
₂ に配備されている各基板昇降機構２０の基板支持部２
１と各液切り機構６０の昇降部材６１ａとを、それぞれ
搬送経路の下方に下降させる。

【００２８】（２）シャッタ４ａを開き、図６（ｂ）に
示すように、搬入口１ｂを介して処理室１に第１の基板
Ｗ₁ を投入する。続いて、搬送機構１０を駆動し、搬送
ローラ１２上に受け取った第１の基板Ｗ₁ を第１停止位
置Ｐ₁ を通過させて第２停止位置Ｐ₂ にまで搬送する。
なお、この間に、シャッタ４ａを閉める。第２停止位置
Ｐ₂ で第１の基板Ｗ₁ を停止させた後、第２停止位置Ｐ
₂ に設けられたエアーシリンダ３３を収縮駆動させるこ
とにより、リンク機構２２を介して基板支持部２１を上
昇させ、第２停止位置Ｐ₂ に停止された第１の基板Ｗ₁
を支持ピン２７で受け取って第２処理位置Ｑ₂ まで上昇
移動させる。そして、第２処理位置Ｑ₂において、現像
液供給機構４０によって第１の基板Ｗ₁ の表面に現像液
が供給される。現像液が供給された第１の基板Ｗ₁ は、
現像液による現像処理が施されるまで第２処理位置Ｑ₂
に静止される。例えば、第１の基板Ｗ₁ は、その表面に
現像液が供給されてから80〜90秒間は第２処理位置Ｑ₂
に静止させる。

【００２９】（３）図６（ｃ）に示すように、第２処理
位置Ｑ₂ で第１の基板Ｗ₁ に現像処理が施されている間
に、第１の基板Ｗ₁ と同様にして処理室１に第２の基板
Ｗ₂を投入する。続いて、搬送機構１０を駆動し、搬送
ローラ１２上に受け取った第２の基板Ｗ₂ を第１停止位
置Ｐ₁ に搬送する。第１停止位置Ｐ₁ で第２の基板Ｗ₂
を停止させた後、第１停止位置Ｐ₁ に設けられたエアー
シリンダ３３を収縮駆動させることにより、リンク機構
２２を介して基板支持部２１を上昇させ、第１停止位置
Ｐ₁ に停止された第２の基板Ｗ₂ を支持ピン２７で受け
取って第１処理位置Ｑ₁ まで上昇移動させる。そして、
第１処理位置Ｑ₁ において、現像液供給機構４０によっ
て第２の基板Ｗ₂ の表面に現像液が供給されて現像処理
が施される。

【００３０】（４）第２処理位置Ｑ₂ において第１の基
板Ｗ₁ の現像処理が完了すると、液切り機構６０のエア
ーシリンダ６２を伸長駆動して昇降部材６１ａを上昇さ
せることにより、第１の基板Ｗ₁ の一端側を突上げピン
６１で突き上げて第１の基板Ｗ₁ を傾斜させ、基板表面
の余剰の現像液を流下排出させる。このとき、基板Ｗを
傾けて余剰な現像液の液切りを行うので、エアーナイフ
による液切りに比べ、基板表面にエアーを吹きつけた跡
（現像ムラ）が残ることがない。液切り後、エアーシリ
ンダ６２を伸縮駆動して昇降部材６１ａを下降させるこ
とにより、突上げピン６１で突き上げられていた第１の
基板Ｗ₁ を再び支持ピン２７上に戻す。その後、図６
（ｄ）に示すように、エアーシリンダ３３を伸長作動さ
せることにより、リンク機構２２を介して基板支持部２
１を下降させ、支持ピン２７で支持されていた第１の基
板Ｗ₁ を第２停止位置Ｐ₂ に戻す。そして、シャッタ４
ｂを開き、搬送機構１０を駆動して第１の基板Ｗ₁ を、
搬出口１ｃを介して処理室１から搬出する。第１の基板
Ｗ₁ を処理室１から搬出した後、シャッタ４ｂを閉め
る。

【００３１】（５）図７（ａ）に示すように、第１の基
板Ｗ₁ を処理室１から搬出し、第１処理位置Ｑ₁ で第２
の基板Ｗ₂ に現像処理が施されている間に、第１の基板
Ｗ₁と同様にして第３の基板Ｗ₃ を投入し、第１処理位
置Ｑ₁ の下方の第１停止位置Ｐ₁ を通過させて第２停止
位置Ｐ₂ にまで搬送する。さらに、第３の基板Ｗ₃ を第
２処理位置Ｑ₂ に搬送する。なお、この際、第１処理位
置Ｑ₁ にある第２の基板Ｗ₂ から現像液が流れ落ちても
液落下防止機構５０の各受け皿５１，５２に受け止めら
れるので、第３の基板Ｗ₃ が第１停止位置Ｐ₁ を通過す
る際、その表面に現像液が付着することがない。

【００３２】（６）図７（ｂ）に示すように、第２処理
位置Ｑ₂ で第３の基板Ｗ₃ に現像処理が施されている間
に、第１処理位置Ｑ₁ で処理された第２の基板Ｗ₂ を、
第１の基板Ｗ₁ と同様にして、第１停止位置Ｐ₁ 、搬出
口１ｃを介して処理室１から搬出する。そして、図７
（ｃ）に示すように、第２の基板Ｗ₂ を搬出し、第２処
理位置Ｑ₂ で第３の基板Ｗ₃ に現像処理が施されている
間に、第１処理位置Ｑ₁に第４の基板Ｗ₄ を搬送する。

【００３３】以上のように、１つの搬送経路上の２つの
停止位置Ｐ₁ ，Ｐ₂ と、この上方の搬送経路から外れた
２つの処理位置Ｑ₁ ，Ｑ₂ とを設け、第１の基板Ｗ₁ が
第２処理位置Ｑ₂ で処理されている間に、第２の基板Ｗ
₂ を投入するようにしているので、従来装置のように１
つの処理位置で基板表面処理を行う際にかかる時間に比
べ、第１の基板Ｗ₁ を投入してから約半分の時間経過後
に第２の基板Ｗ₂ を投入することができる。

【００３４】なお、本発明は、次のように変形実施する
ことができる。 （１）上記実施例では停止位置と処理位置をそれぞれ２
つ設けたが、本発明はこれに限らず、それぞれ３つ以上
設けてもよい。

【００３５】（２）また、上記実施例では各処理位置Ｑ
₁ ，Ｑ₂ を各停止位置Ｐ₁ ，Ｐ₂ の上方に設けたが、本
発明はこれに限らず、搬送経路上から外れた位置であれ
ばよい。例えば、搬送経路の各停止位置Ｐ₁ ，Ｐ₂ の側
方に各処理位置Ｑ₁ ，Ｑ₂ を設けてもよい。ただし、上
述の実施例装置のように搬送経路の上方に処理位置を設
けることにより、装置の占有面積を小さくすることがで
きる。

【００３６】（３）また、上記実施例では液切り機構６
０の突上げピン６１を突き上げることにより、現像液が
供給された基板Ｗの表面を傾けてその表面に供給された
余剰な現像液の液切りを行うようにしていたが、本発明
はこれに限らず、例えば、図８に示すように、処理室１
の下手側に設けられる搬送ローラ１２’に高低差を設け
て、処理室１から搬出されてきた基板Ｗを搬送方向に傾
けて余剰な現像液を流下排出するようにしてもよい。さ
らに、現像液の現像ムラなどの問題がない場合には、図
１に鎖線で示したエアーナイフ７０を設けて基板Ｗの表
面に供給された余剰な処理液を吹き飛ばすようにしても
よい。

【００３７】（４）また、上記実施例では液落下防止機
構５０の第２受け皿５２をリンク機構を介して支軸２８
ａに連結して、基板Ｗの昇降と連動して第２受け皿５２
を揺動するように構成したが、本発明はこれに限らず、
例えば、図９に示すように、第２受け皿５２’をエアー
シリンダ７１のロッドで連結支持し、基板Ｗが上昇され
た際にエアーシリンダ７１を伸長駆動させることによ
り、第２受け皿５２’を基板Ｗの端縁の下方に位置する
ように移動させて、基板Ｗの端縁から流れ落ちる現像液
を受け止めるようにしてもよい。

【００３８】（５）上記実施例は液晶用ガラス角型基板
に現像液を供給して現像処理を行う装置であったが、本
発明はこれに限らず、エッチング液、剥離液などを基板
に供給して所定時間の静止を要するエッチング処理、剥
離処理を行う装置にも適用可能であるし、半導体ウエ
ハ、カラーフィルム用基板などの処理を行う場合にも適
用可能である。

【００３９】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、搬送経路上の互いに異なる少
なくとも２つの停止位置と、各停止位置のそれぞれに対
応して搬送経路外に配置された各処理位置とを設け、１
枚目の基板がいずれかの処理位置で表面処理が施されて
いる間に、２枚目の基板を別の処理位置に搬送するよう
にしたので、１枚目の基板を投入してから表面処理が終
わる以前に、２枚目の基板を投入することができる。し
たがって、この種の表面処理装置の処理時間（タクトタ
イム）を短縮することができる。

【００４０】また、請求項２に記載の発明によれば、各
処理位置を、それぞれ対応する各停止位置の上方に設け
たので、停止位置と処理位置との位置関係は基板の搬送
を許容するだけの間隔があればよく、装置全体をコンパ
クトに構成することができる。

【００４１】また、請求項３の発明によれば、処理位置
で基板表面に処理液が供給されて表面処理が施される
際、その基板端縁から流出する処理液は液落下防止機構
によって受け止められ、搬送経路に落下するのが阻止さ
れるので、次の基板が処理位置の下方の搬送経路を通過
してもその基板の表面に処理液が付着することがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板表面処理装置の一実施例の全
体側面図である。

【図２】図１における要部の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ矢視断面図である。

【図４】図２のＢ−Ｂ矢視断面図である。

【図５】図２のＣ−Ｃ矢視断面図である。

【図６】基板表面処理装置の動作図である。

【図７】基板表面処理装置の動作図である。

【図８】その他の実施例の要部を示す図である。

【図９】その他の実施例の要部を示す図である。

【符号の説明】

１ … 処理室 １０ … 搬送機構 ２０ … 基板昇降機構 ４０ … 現像液供給機構 ５０ … 液落下防止機構 ６０ … 液切り機構 Ｐ₁ … 第１停止位置 Ｐ₂ … 第２停止位置 Ｑ₁ … 第１処理位置 Ｑ₂ … 第２処理位置 Ｗ … 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ６５Ｇ 49/07 Ｊ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｃ Ｎ 21/306 21/68 Ａ (72)発明者 芳谷 光明 滋賀県彦根市高宮町480番地の１ 大日本 スクリーン製造株式会社彦根地区事業所内 (72)発明者 中村 次雄 滋賀県彦根市高宮町480番地の１ 大日本 スクリーン製造株式会社彦根地区事業所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を搬送するとともにその表面に所定
   の処理液を供給して基板の表面処理を行う基板表面処理
   装置において、 所定の搬送経路に沿って基板を搬送するとともに、搬送
   経路上の互いに異なる少なくとも２つの停止位置におい
   て基板を停止させることが可能な搬送手段と、 ２つの停止位置に停止させられた基板を、各停止位置と
   各停止位置のそれぞれに対応して搬送経路外に配置され
   た各処理位置との間で移動させる移動手段と、 各処理位置に移動させられた基板の表面に向けて所定の
   処理液を供給する処理液供給手段と、 を備えたことを特徴とする基板表面処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の装置において、 各処理位置は対応する各停止位置の上方に配置され、 移動手段は、各停止位置に停止させられた基板を押し上
   げることにより対応する処理位置に移動させて各処理位
   置に基板を保持するとともに、基板を各処理位置に保持
   している状態では、その処理位置に対応する停止位置を
   基板が通過することを許容する昇降機構からなる基板表
   面処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の装置において、 各処理位置に保持された基板の表面に向けて供給された
   処理液が、搬送経路に沿って搬送される基板上に落下し
   ないように受け止める液落下防止機構を、各処理位置に
   対応させて備えた基板表面処理装置。