KR102153815B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102153815B1
KR102153815B1 KR1020190017104A KR20190017104A KR102153815B1 KR 102153815 B1 KR102153815 B1 KR 102153815B1 KR 1020190017104 A KR1020190017104 A KR 1020190017104A KR 20190017104 A KR20190017104 A KR 20190017104A KR 102153815 B1 KR102153815 B1 KR 102153815B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
substrate
recovery
processing
supply
Prior art date
Application number
KR1020190017104A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190107569A (ko
Inventor
유키오 도미후지
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20190107569A publication Critical patent/KR20190107569A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102153815B1 publication Critical patent/KR102153815B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber

Abstract

(과제) 기판에 순환 공급되는 처리액의 농도 저하를 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
(해결 수단) 현상조 (21) 의 바닥면 (2B) 상에 배치된 제 1 농도계 (M1) 에 의해 측정된 현상액의 농도에 따라, 구획판 (11) 을 구획판 이동 기구 (12) 에 의해 반송 방향을 따라 이동시킴으로써, 수평 방향으로 반송되는 기판 (S) 의 상면으로부터 흘러내리는 현상액 (DL) 의 회수 범위를 변경한다. 이 결과, 현상 노즐 (22) 에 순환 공급하는 현상액에, 수세조 (31) 에서 기판 (S) 에 공급되는 순수가 혼입되는 것을 억제할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD}
본 발명은, 예를 들어, 액정 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 유리 기판 등의 기판에 대해 현상 처리한 후, 수세 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
예를 들어, 특허문헌 1 에는 현상 처리조 내에 있어서 복수의 반송 롤러에 의해 수평으로 지지되면서 수평 방향으로 반송되는 기판의 상면에 현상액을 공급하는 기판 처리 장치가 기재되어 있다. 현상액이 기판의 상면에 액 마운팅됨으로써, 소위, 퍼들 현상 처리가 실시된다. 현상액을 액 마운팅하기 위한 노즐로서 예를 들어, 특허문헌 2 에 기재되는 노즐이 사용된다.
상기 기판 처리 장치에서는, 복수의 반송 롤러에 의해 기판이 현상 처리조에서 수세조로 반입된다. 이 수세조에서는 수세수가 반송되는 기판에 공급되어 기판 상에 잔존하는 현상액이 씻겨나간다. 또, 현상 처리조에서는, 기판에 공급되어 기판으로부터 흘러내린 현상액이 회수된다. 이 회수된 현상액은 노즐에 순환 공급되어 재이용된다.
일본 공개특허공보 2005-64312호 (예를 들어 도 1) 일본 공개특허공보 2002-324751호 (예를 들어 도 4)
현상 처리조에서 수세조로 기판이 이행될 때에, 기판의 상면을 타고 수세수가 현상 처리조로 역류하는 경우가 있다. 이 역류한 수세수는 현상액에 혼입된다. 이 결과, 회수되어 노즐에 순환 공급되는 현상액의 농도가 수세수에 의해 엷어진다. 이와 같이 농도가 엷어진 현상액을 기판에 공급하면, 현상 능력이 저하된다고 하는 문제가 발생한다. 처리액이 현상액인 경우에 대하여 설명했지만, 상기 문제는 처리액이 에칭이나 박리액 등의 다른 처리액을 사용하는 경우에도 마찬가지로 발생할 수 있다.
본 발명의 목적은, 상기 서술한 바와 같은 점을 감안하여, 기판에 순환 공급되는 처리액의 농도 저하를 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
청구항 1 에 관련된 제 1 발명 (기판 처리 장치) 은, 기판을 수평으로 지지하면서 수평 방향으로 반송하는 반송부와, 반송부에 의해 반송되는 기판에 제 1 처리액을 공급하는 제 1 공급부와, 제 1 공급부에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내리는 제 1 처리액을 회수하는 제 1 회수부와, 제 1 회수부에 의해 회수된 제 1 처리액을 제 1 공급부에 순환 공급하는 순환 공급부와, 제 1 공급부에 의해 제 1 처리액이 공급되고 반송부에 의해 반송되는 기판에 부착된 제 1 처리액을 제거하는 제거부와, 제거부보다 반송부에 있어서의 반송 방향의 하류측에 있어서, 제 1 처리액과는 상이한 종류의 제 2 처리액을 공급하는 제 2 공급부와, 제 2 공급부에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내린 제 2 처리액을 회수하는 제 2 회수부와, 제 1 회수부로부터 순환 공급부에 있어서의 제 1 처리액의 농도를 측정하는 제 1 농도 측정부와, 제 1 농도 측정부에 의한 측정 결과에 따라, 제 1 회수부에 의한 상기 반송 방향에 있어서의 회수 범위를 변경하는 회수 범위 변경부를 구비한다.
청구항 2 에 관련된 제 2 발명은, 제 1 발명에 있어서, 반송부에 의해 반송되면서 제 1 공급부에 의해 제 1 처리액이 공급되는 제 1 처리실을 형성하는 제 1 처리조와, 반송부에 의해 반송되면서 제 2 공급부에 의해 제 2 처리액이 공급되는 제 2 처리실을 형성하는 제 2 처리조를 추가로 구비하고, 제 1 회수부는 제 1 처리조의 제 1 바닥면을 포함함과 함께, 제 2 회수부는 제 2 처리조의 제 2 바닥면을 포함하고, 상기 회수 범위 변경부는, 제 1 바닥면과 제 2 바닥면을 구획하는 구획 부재와, 제 1 농도 측정부에 의한 측정 결과에 따라 구획 부재를 반송 방향을 따라 이동시키는 구획 부재 이동 기구를 갖는다.
청구항 3 에 관련된 제 3 발명은, 제 2 발명에 있어서, 구획 부재 이동 기구에 의한 구획 부재의 이동 범위가 제거부의 배치 위치에서부터 제 2 공급부의 배치 위치까지의 범위 내이다.
청구항 4 에 관련된 제 4 발명은, 제 1 발명에 있어서, 반송부에 의해 반송되면서 제 1 공급부에 의해 제 1 처리액이 공급되는 제 1 처리실을 형성하는 제 1 처리조와, 반송부에 의해 반송되면서 제 2 공급부에 의해 제 2 처리액이 공급되는 제 2 처리실을 형성하는 제 2 처리조를 추가로 구비하고, 제 1 회수부는 제 1 처리조의 제 1 바닥면을 포함함과 함께, 제 2 회수부는 제 2 처리조의 제 2 바닥면을 포함하고, 상기 회수 범위 변경부는, 제 1 바닥면과 제 2 바닥면을 구획함과 함께 반송 방향을 따라 형성된 복수의 구획 부재와, 반송 방향 하류측에 배치된 구획 부재의 상류측과 순환 공급부를 유로 접속하는 예비 회수 배관과, 제 1 농도 측정부에 의한 측정 결과에 따라 예비 회수 배관의 유로를 개폐하는 밸브를 갖는다.
청구항 5 에 관련된 제 5 발명은, 제 4 발명에 있어서, 복수의 구획 부재 중, 가장 상류측에 배치되는 구획 부재에서부터 가장 하류측에 배치되는 구획 부재까지의 범위가, 제거부의 배치 위치에서부터 제 2 공급부의 배치 위치까지의 범위 내이다.
청구항 6 에 관련된 제 6 발명 (기판 처리 방법) 은, 수평으로 지지되면서 수평 방향으로 반송되는 기판에 제 1 공급부로부터 제 1 처리액을 공급하는 제 1 공급 공정과, 제 1 공급 공정에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내리는 제 1 처리액을 회수하는 제 1 회수 공정과, 제 1 회수 공정에 의해 회수된 제 1 처리액을 제 1 공급부에 순환 공급하는 순환 공급 공정과, 제 1 공급 공정 후에, 수평으로 지지되면서 수평 방향으로 반송되는 기판에 부착된 제 1 처리액을 제거하는 제거 공정과, 제거 공정 후에, 수평으로 지지되면서 수평 방향으로 반송되는 기판에, 제 1 처리액과는 상이한 종류의 제 2 처리액을 공급하는 제 2 공급 공정과, 제 2 공급 공정에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내린 제 2 처리액을 회수하는 제 2 회수 공정과, 제 1 회수 공정으로부터 순환 공급 공정에 있어서의 제 1 처리액의 농도를 측정하는 제 1 농도 측정 공정과, 제 1 농도 측정 공정에 의한 측정 결과에 따라, 제 1 회수부에 의한 상기 반송 방향에 있어서의 회수 범위를 변경하는 회수 범위 변경 공정을 포함한다.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 청구항에 관련된 발명에 의하면, 기판에 순환 공급되는 처리액의 농도 저하를 억제할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태인 기판 처리 장치를 나타내는 개략 측면도이다.
도 2 는 구획 부재 이동 기구의 동작을 설명하기 위한 개략 평면도이다.
도 3 은 제 1 실시형태의 전기적인 접속 관계를 나타내는 블록도이다.
도 4 는 제 1 실시형태의 동작을 나타내는 플로도이다.
도 5 는 제 2 실시형태인 기판 처리 장치를 나타내는 개략 측면도이다.
도 6 은 제 2 실시형태의 전기적인 접속 관계를 나타내는 블록도이다.
도 7 은 제 2 실시형태의 동작을 나타내는 플로도이다.
도 8 은 제 2 실시형태의 변형예를 나타내는 개략 측면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태인 기판 처리 장치 (100) 를 나타내는 개략 측면도이다. 이 기판 처리 장치 (100) 는, 반송부 (6) 에 의해 수평 자세로 지지되면서 그 표면을 따른 Y 방향 (수평 방향) 으로 반송되는 기판 (S) 에 대해, 현상부 (2), 수세부 (3) 및 액 제거부 (4) 에 의해, 각각 처리를 실시하는 장치이다. 또, 기판 처리 장치 (100) 는 장치를 통괄적으로 제어하기 위한 제어부 (5) 를 구비한다.
기판 (S) 은, 예를 들어, 평면에서 볼 때 사각형상의 액정 표시 장치용 유리 기판이다. 또, 기판 (S) 은 유기 EL (Electro Luminescence) 표시 장치용 유리 기판, 태양 전지용 패널 기판, PDP (Plasma Display Panel) 용 유리 기판 또는 반도체 제조 장치용 마스크 기판 등이어도 된다.
반송부 (6) 는 서로 평행하게 Y 방향을 따라 배열된 복수의 반송 롤러 (61) 를 구비한다. 복수의 반송 롤러 (61) 는, 현상부 (2) 의 현상조 (21), 수세부 (3) 의 수세조 (31) 및 액 제거부 (4) 의 액 제거조 (41) 내에 각각 배치 형성되어 있다. 또, 도시를 생략하고 있지만, 현상조 (21) 의 반송 방향에 있어서의 상류측 (-Y 측) 및 액 제거조 (41) 의 하류측 (+Y 측) 에도 복수의 반송 롤러 (61) 가 각각 형성되어 있다. 복수의 반송 롤러 (61) 는 도시되지 않은 구동부에 의해 그 축심 둘레로 각각 회전 구동된다.
현상부 (2) 는 기판 (S) 에 대해 현상 처리를 실시한다. 보다 구체적으로는, 현상부 (2) 는 기판 (S) 의 상면에 형성되어, 소정 패턴이 노광된 포토레지스트막에 대해 현상 처리를 실시한다. 현상부 (2) 는 그 내부에 현상 처리 공간 (제 1 처리실 (R1)) 을 형성하기 위한 대략 박스상의 현상조 (21) (제 1 처리조) 를 구비한다. 현상조 (21) 의 기판 (S) 의 반송 방향 상류측 (-Y 측) 에는, 기판 (S) 을 현상조 (21) 내로 반입하기 위한 반입구 (FO) 가 형성되어 있다. 또, 현상조 (21) 의 기판 (S) 의 반송 방향 하류측 (+Y 측) 의 하류측벽은, 기판 (S) 을 현상조 (21) 내로부터 반출 가능하도록 부분적으로 개방되어 있다.
현상조 (21) 내의 반송 롤러 (61) 의 상측 (+Z 측) 이고, 또한, 반입구 (FO) 에 가까운 위치에 제 1 공급부인 현상 노즐 (22) 이 배치되어 있다. 현상 노즐 (22) 은, 도시에 있어서 기울어진 우하방을 향하여 현상액을 토출하기 위한 X 방향으로 연장되는 슬릿상의 토출구를 갖는다. 이 토출구는 기판 (S) 의 폭 치수 (X 방향 치수) 에 대응하는 길이를 갖는다.
반송부 (6) 에 의해 하류측 (+Y 측) 을 향하여 반송되는 기판 (S) 의 상면을 향해 현상 노즐 (22) 로부터 현상액을 토출함으로써, 상기 상면에 현상액이 액 마운팅 상태 (퍼들 상태) 로 공급된다 (제 1 공급 공정). 이 현상액의 공급 동작 등에 관해서는, 상기 특허문헌 2 (일본 공개특허공보 2002-324751호) 에 기재되어 있다.
현상부 (2) 는 현상 노즐 (22) 에 대해 현상액을 순환 공급하는 순환 공급부 (90) 를 구비한다. 순환 공급부 (90) 는, 일방단이 현상조 (21) 의 바닥면 (2B) 에서 개구되는 배액 배관 (23) 을 갖는다. 배액 배관 (23) 의 타방단은 순환 탱크 (24) 에 유로 접속되어 있다. 순환 탱크 (24) 는 현상액 (DL) 을 일단 저류하는 탱크이다. 리턴 배관 (25) 은 순환 탱크 (24) 와 현상 노즐 (22) 을 유로 접속한다. 리턴 배관 (25) 에는 펌프 (26) 가 개재 삽입되어 있다.
기판 (S) 의 상면으로부터 현상조 (21) 의 바닥면 (2B) 으로 흘러내린 현상액 (DL) 은 배액 배관 (23) 을 통해 순환 탱크 (24) 로 회수된다 (제 1 회수 공정). 순환 탱크 (24) 내의 현상액 (DL) 은 펌프 (26) 가 구동됨으로써, 현상 노즐 (22) 로 송액되어, 토출구로부터 토출된다 (순환 공급 공정). 이와 같이 현상 노즐 (22) 로부터 기판 (S) 등으로 공급된 현상액은 순환 공급부 (90) 를 통해 다시 현상 노즐 (22) 로부터 토출된다.
공급 배관 (93) 은 현상액 공급원 (DG) 과 순환 탱크 (24) 를 유로 접속한다. 공급 배관 (93) 에는 유로를 개폐하는 밸브 (94) 가 형성된다. 밸브 (94) 가 개방되면 현상액 공급원 (DG) 으로부터 현상액의 신액이 순환 탱크 (24) 에 보충된다. 이 보충 동작은 현상액의 농도가, 원하는 현상 처리를 실시할 수 없을 정도로 저하된 경우나 현상액을 전부 신액으로 바꾸어 넣는 경우 등에 실행된다.
현상조 (21) 내의 반송 롤러 (61) 의 상측 (+Z 측) 이고, 또한, 하류측벽에 가까운 위치에 제거부인 에어 나이프 (27) 가 배치되어 있다. 에어 나이프 (27) 는, 도시에 있어서 바로 아래를 향하여 층상의 에어 (기체) 를 토출하기 위한 X 방향으로 연장되는 슬릿상의 토출구를 갖는다. 이 토출구는 기판 (S) 의 폭 치수 (X 방향 치수) 에 대응하는 길이를 갖는다. 에어 나이프 (27) 는 공급 배관 (28) 을 통해 기체 공급원 (GG) 에 유로 접속되어 있다. 공급 배관 (28) 에는 유로를 개폐하기 위한 밸브 (29) 가 개재 삽입되어 있다.
상면에 현상액 (DL) 이 액 마운팅되어, 반송부 (6) 에 의해 하류측 (+Y 측) 을 향하여 반송되는 기판 (S) 이 에어 나이프 (27) 의 하방을 통과하면, 기판 (S) 에 액 마운팅되어 기판 (S) 의 상면에 부착되어 있는 현상액 (DL) 이 기판 (S) 으로부터 제거된다 (제거 공정). 구체적으로는, 에어 나이프 (27) 로부터 토출된 에어의 층류는 기판 (S) 의 상면에 닿는다. 이 상태에서 기판 (S) 이 하류측으로 반송되어 가면, 기판 (S) 상의 현상액 (DL) 은 기판 (S) 과 함께 하류측으로 이동되는 것이 에어 층류에 의해 저지된다. 이 결과, 기판 (S) 의 반송에 따라 기판 (S) 상의 현상액 (DL) 이 기판 (S) 의 양 측방측이나 상류측으로부터 흘러내려, 기판 (S) 상으로부터 제거된다.
현상조 (21) 의 바닥면 (2B) 상에 제 1 농도계 (M1) 가 배치된다. 제 1 농도계 (M1) 는 현상액의 농도를 측정하는, 예를 들어, 도전율계이다. 제 1 농도계 (M1) 는, 현상액의 농도가 높으면 높은 도전율을 나타내고, 현상액의 농도가 낮으면 낮은 도전율을 나타낸다. 제 1 농도계 (M1) 는, 후술하는 수세수 (순수) 가 현상액에 혼입될 가능성이 있는 수세부 (3) 측인 현상조 (21) 내의 하류측에 배치하는 것이 바람직하다. 순환 탱크 (24) 의 내부에도 제 2 농도계 (M2) 가 배치된다. 이 제 2 농도계 (M2) 는 순환 탱크 (24) 에 저류된 현상액 (DL) 의 농도를 측정하는 예를 들어 도전율계이다.
수세부 (3) 는 기판 (S) 에 대해 수세 처리를 실시한다. 수세부 (3) 는 그 내부에 수세 처리 공간 (제 2 처리실 (R2)) 을 형성하기 위한 대략 박스상의 수세조 (31) (제 2 처리조) 를 구비한다. 수세조 (31) 의 기판 (S) 의 반송 방향 상류측 (-Y 측) 의 상류벽은, 기판 (S) 을 수세조 (31) 내로 반입 가능하도록 부분적으로 개방되어 있다. 또, 수세조 (31) 의 기판 (S) 의 반송 방향 하류측 (+Y 측) 에는, 기판 (S) 을 수세조 (31) 내로부터 반출하기 위한 반출구 (PO) 가 형성되어 있다.
수세조 (31) 내의 반송 롤러 (61) 의 상측 (+Z 측) 이고, 또한, 상류측의 위치에 리퀴드 나이프 (32) 가 배치된다. 리퀴드 나이프 (32) 는, 도시에 있어서 기울어진 우하방을 향하여 현상액과는 상이한 처리액인 수세수로서 순수를 층상으로 토출한다. 또, 리퀴드 나이프 (32) 는, 순수를 층상으로 토출하기 위한 X 방향으로 연장되는 슬릿상의 토출구를 갖는다. 이 토출구는 기판 (S) 의 폭 치수 (X 방향 치수) 에 대응하는 길이를 갖는다. 리퀴드 나이프 (32) 로부터 기판 (S) 의 상면으로 토출된 순수는, 이 토출 위치보다 하류측인 기판 (S) 의 상면에 순수의 액막을 형성하면서, 기판 (S) 의 양 측방측 또는 하류단측으로부터 흘러내린다 (제 2 공급 공정). 리퀴드 나이프 (32) 에 의한 순수의 토출 방향이 하류측을 향하고 있는 것은, 기판 (S) 상의 순수 (CL) 가 기판 (S) 의 상면을 타고 상류측으로 역류하는 것을 억제하기 위해서이다.
리퀴드 나이프 (32) 의 하류측에는, Y 방향을 따라 복수의 스프레이 노즐 (34) 이 배열되어 있다. 스프레이 노즐 (34) 에는 도시되지 않은 복수의 토출구가 기판 (S) 의 반송 방향인 Y 방향과 직교하는 기판 (S) 의 폭 방향인 X 방향을 따라 복수 형성되어 있다. 스프레이 노즐 (34) 은 복수의 토출구로부터 복수의 반송 롤러 (61) 에 의해 반송되는 기판 (S) 의 상면 (표면) 을 향하여 순수 등의 수세액을 스프레이상으로 토출한다. 또, 기판 (S) 의 하면 (이면) 을 수세하기 위해, 수세조 (31) 내의 반송 롤러 (61) 의 하측 (-Z 측) 에, Y 방향을 따라 복수의 스프레이 노즐을 배열시켜도 된다.
공급 배관 (36) 의 일방단은 순수 공급원 (CG) 에 유로 접속되어 있다. 공급 배관 (36) 에는 밸브 (37) 가 개재 삽입되고, 이 개재 삽입 위치의 하류측에 있어서 공급 배관 (36) 은 복수의 배관으로 분기되어 있다. 이 복수의 분기 배관의 타방단은 리퀴드 나이프 (32), 복수의 스프레이 노즐 (34) 에 각각 유로 접속되어 있다. 밸브 (37) 가 개방되면 순수 공급원 (CG) 으로부터 공급 배관 (36) 을 통해 리퀴드 나이프 (32) 및 복수의 스프레이 노즐 (34) 로부터 순수가 토출된다.
폐액 배관 (33) 의 일방단은 수세조 (31) 의 바닥면 (3B) 에서 개구되고, 타방단은 폐액부 (DR) 에 유로 접속되어 있다. 리퀴드 나이프 (32) 및 복수의 스프레이 노즐 (34) 로부터 토출되고 기판 (S) 에 공급되어 기판 (S) 으로부터 흘러내려 바닥면 (3B) 에 이른 순수나 기판 (S) 을 개재하지 않고 바닥면 (3B) 에 이른 순수는 폐액 배관 (33) 을 통해 폐액부 (DR) 를 향하여 폐액된다 (제 2 회수 공정).
수세조 (31) 의 바닥면 (3B) 상에는 제 3 농도계 (M3) 가 배치된다. 제 3 농도계 (M3) 는 바닥면 (3B) 상에 있는 순수 (CL) 중으로 혼입된 현상액의 농도를 측정하는 예를 들어 도전율계이다. 제 3 농도계 (M3) 의 배치 위치는 순수 (CL) 에 현상액이 혼입될 가능성이 있는 현상부 (2) 측인 수세조 (31) 내의 상류측에 배치하는 것이 바람직하다.
구획판 (11) (구획 부재) 은 예를 들어 도 1 에 있어서 실선으로 나타내는 바와 같이 수세조 (31) 의 바닥면 (3B) 상에 세워 형성된 판상의 부재이다. 구획판 (11) 은 실선으로 나타내는 하류측의 위치와 일점 쇄선으로 나타내는 상류측의 위치 사이를 포함하는 범위 내에서 자유롭게 이동할 수 있게 배치된다. 구획판 (11) 은 현상조 (21) 의 바닥면 (2B) 과 수세조 (31) 의 바닥면 (3B) 을 폭 방향 (X 방향) 에 걸쳐 구획하여, 바닥면 (2B) 상으로 회수된 현상액 (DL) 과 바닥면 (3B) 상으로 회수된 순수 (CL) 를 서로 섞이지 않게 하기 위한 둑으로서 기능한다. 이와 같이 둑으로서 기능하면, 판상의 구획판 (11) 이 아니라 다른 형상의 부재를 구획 부재로서 사용해도 된다. 구획판 (11) 의 상단은 복수의 반송 롤러 (61) 에 의해 반송되는 기판 (S) 의 하면의 높이 위치보다 낮은 위치로 설정되어 있다.
구획판 (11) 은 구획판 이동 기구 (12) 에 의해 Y 방향을 따라 이동되어져 원하는 위치에 배치된다. 구획판 (11) 의 이동 범위는, 상기 서술한 바와 같이 현상액 (DL) 과 순수 (CL) 가 서로 섞일 가능성이 있는 범위 내로 설정하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판 (S) 의 반송 방향인 Y 방향에 있어서의 에어 나이프 (27) 의 배치 위치에서부터 리퀴드 나이프 (32) 의 배치 위치의 사이를 구획판 (11) 의 이동 범위로 하는 것이 바람직하다. 구획판 이동 기구 (12) 에 대해서는 이후에 설명한다.
액 제거부 (4) 는, 기판 (S) 의 표면에 부착된 수세수인 순수를 표면으로부터 제거함과 함께, 기판 (S) 의 이면에 부착된 순수를 이면으로부터 제거하는 액 제거 처리를 실시한다. 액 제거부 (4) 는 그 내부에 액 제거 처리 공간을 형성하기 위한 대략 박스상의 액 제거조 (41) 를 구비한다. 액 제거조 (41) 의 -Y 측에는, 수세조 (31) 의 반출구 (PO) 와 연통하여, 기판 (S) 을 액 제거조 (41) 내로 반입하기 위한 반입구 (PO) 가 형성되어 있다. 또, 액 제거조 (41) 의 +Y 측에는, 기판 (S) 을 액 제거조 (41) 내로부터 반출하기 위한 반출구 (EO) 가 형성되어 있다.
액 제거조 (41) 의 내부에는 상하 1 쌍의 상측 에어 나이프 (44) 및 하측 에어 나이프 (45) 가 배치 형성되어 있다. 상측 에어 나이프 (44) 는, 복수의 반송 롤러 (61) 에 의해 반송되는 기판 (S) 의 상방에 배치된다. 또, 상측 에어 나이프 (44) 는 기판 (S) 의 상면에 대향하고, X 방향으로 연장되는 슬릿상의 토출구를 구비하고, 당해 토출구보다 하방 또한 상류측을 향하는 기체류 (氣體流) 를, 기판 (S) 의 X 방향에 걸쳐 공급한다. 마찬가지로, 하측 에어 나이프 (45) 는 기판 (S) 의 하면에 대향하고, X 방향으로 연장되는 슬릿상의 토출구를 구비하고, 당해 토출구보다 상방 또한 상류측을 향하는 기체류를, 기판 (S) 의 X 방향에 걸쳐 공급한다. 이 결과, 기판 (S) 의 상하 양면에 부착된 순수가 기체류에 의해 날려 버려져 제거되어, 액 제거된다.
다음으로, 구획판 이동 기구 (12) 에 대하여 도 2 를 사용하여 설명한다. 도 2 는, 구획 부재 이동 기구의 동작을 설명하기 위한 개략 평면도이다. 도 2(a) 는 도 1 에 있어서 실선으로 나타내는 위치에 구획판 (11) 이 배치되어 있는 상태를 나타낸다. 도 2(b) 는 도 1 에 있어서 일점 쇄선으로 나타내는 위치에 구획판 (11) 이 배치되어 있는 상태를 나타낸다.
구획판 이동 기구 (12) 는 볼 스크루 기구를 이용하고, 도 2 에 나타내는 바와 같이 너트인 이동자 (71) 를 갖는다. 이동자 (71) 에는 나사축 (72) 이 나사 결합되어 있다. 나사축 (72) 의 일방단은 모터 (73) 의 회전축과 연동 연결되고, 타방단은 베어링 (74) 에 의해 자유롭게 회전할 수 있게 지지된다. 또, 이동자 (71) 에는 제 1 자석 (75) 이 내장되어 있다.
구획판 이동 기구 (12) 는 현상조 (21) 의 바닥면 (2B) 에서부터 수세조 (31) 의 바닥면 (3B) 에 걸쳐 Y 방향으로 연장 형성된 1 쌍의 레일 (77) 을 갖는다. 1 쌍의 레일 (77) 은 구획판 (11) 의 하단을 자유롭게 슬라이딩할 수 있게 지지한다. 구획판 (11) 은 현상조 (21) 의 좌측벽 및 수세조 (31) 의 좌측벽에 의한 좌측벽 (LS) 의 내면에서부터, 현상조 (21) 의 우측벽 및 수세조 (31) 의 우측벽에 의한 우측벽 (RS) 의 내면에 걸쳐 형성되어 있다. 상기 볼 스크루 기구는 우측벽의 외면에 장착되어 있다.
구획판 (11) 의 우측 내면측에는 제 2 자석 (76) 이 우측벽 (RS) 을 개재하여 제 1 자석 (75) 과 대향하도록 내장되어 있다. 제 2 자석 (76) 은 제 1 자석 (75) 과는 반대의 자극을 갖기 때문에, 제 1 자석 (75) 과 제 2 자석 (76) 은 우측벽 (RS) 을 개재하여 서로 끌어당긴다. 이 결과, 이동자 (71) 와 구획판 (11) 은 일체적으로 이동하게 된다. 이와 같이 자력을 이용함으로써 측벽 등에 구멍 등을 형성하지 않고 구동력을 전달할 수 있기 때문에, 현상액이나 순수가 조 밖으로 빠져 나가는 것을 방지할 수 있다.
도 2(a) 에 나타내는 상태로부터 모터 (73) 에 의해 나사축 (72) 을 회전 구동하면, 이동자 (71) 가 상류측 (-Y 방향) 으로 이동한다. 이 이동자 (71) 의 이동에 수반하여 구획판 (11) 이 상류측으로 이동한다. 이후, 모터 (73) 에 의한 구동을 정지시켜, 원하는 위치, 예를 들어, 도 2(b) 에 나타내는 위치에 구획판 (11) 을 정지시킨다 (회수 범위 변경 공정). 구획판 이동 기구 (12) 에 의한 구획판 (11) 의 가동 범위는, 도 2(a) 에 나타내는 위치 (도 1 에서 실선으로 나타내는 위치) 보다 하류측의 위치에서부터 도 2(b) 에 나타내는 위치 (도 1 에서 일점 쇄선으로 나타내는 위치) 보다 상류측의 위치까지의 범위이다. 또, 이 범위 내의 임의의 위치에 구획판 이동 기구 (12) 에 의해 구획판 (11) 을 정지시키도록 구성되어 있다.
여기에서, 현상액을 회수하는 제 1 회수부는, 바닥면 (2B, 3B), 구획판 (11) 의 상류측면, 좌측벽 (LS) 의 내면, 우측벽 (RS) 의 내면, 및 현상조 (21) 의 상류측벽의 내면으로 형성된다. 또, 수세수 (순수) 를 회수하는 제 2 회수부는, 바닥면 (3B), 구획판 (11) 의 하류측면, 좌측벽 (LS) 의 내면, 우측벽 (RS) 의 내면, 및 수세조 (31) 의 하류측벽의 내면으로 형성된다.
상기 서술한 바와 같이 구획판 (11) 을 상류측으로 이동시킴으로써, 도 2(a) 에 나타내는 현상액을 회수하는 제 1 회수부에 의한 회수 범위 (AR1) 보다, 도 2(b) 에 나타내는 회수 범위 (AR2) 가 평면에서 볼 때 작아진다. 이와 같이 구획판 (11) 및 구획판 이동 기구 (12) 등이 제 1 회수부에 의한 반송 방향에 있어서의 회수 범위를 변경하는 회수 범위 변경부로서 기능하고 있다.
도 3 은, 상기 서술한 기판 처리 장치 (100) 의 전기적인 접속 관계를 나타내는 블록도이다. 제어부 (5) 는, 장치의 제어에 필요한 동작 프로그램이 격납된 ROM (Read Only Memory) 과, 제어시에 데이터 등이 일시적으로 스토어되는 RAM (Random Access Memory) 과, 논리 연산을 실행함과 함께 각 부를 통괄적으로 제어하는 CPU (Central Processing Unit) 등을 구비한다. 또, 제어부 (5) 에는, 반송부 (6), 펌프 (26), 제 1 농도계 (M1), 제 2 농도계 (M2), 제 3 농도계 (M3), 각 밸브 (29, 37, 94) 및 모터 (73) 등이 전기적으로 접속되어 있다.
다음으로 제 1 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 동작에 대하여 설명한다. 기판 처리 장치 (100) 는 반송부 (6) 에 의해 기판 (S) 을 수평으로 지지하면서 하류측을 향하여 기판 (S) 을 반송시킨다. 이 기판 (S) 의 반송 도중에 있어서 상기 서술한 바와 같이 현상부 (2) 에서는 현상조 (21) 내에 있어서 현상 노즐 (22) 로부터 공급된 현상액이 기판 (S) 의 상면으로 액 마운팅 공급된다. 그 후, 에어 나이프 (27) 에 의해 현상액이 제거된 후, 수세부 (3) 에 기판 (S) 은 반입된다.
수세부 (3) 에서는 수세조 (31) 내에 있어서 리퀴드 나이프 (32) 에 의해 층상으로 순수가 기판 (S) 의 상면에 공급된다. 그 후, 스프레이 노즐 (34) 에 의해 순수가 기판 (S) 에 스프레이 공급된 후, 액 제거부 (4) 에 기판 (S) 이 반입된다. 액 제거부 (4) 에서는 액 제거조 (41) 내에 있어서 상측 에어 나이프 (44) 및 하측 에어 나이프 (45) 에 의해 기판 (S) 의 상하 양면에 부착된 순수가 액 제거된 후, 액 제거조 (41) 내로부터 기판 (S) 이 반출된다.
여기에서, 현상부 (2) 에 의한 현상액의 순환 효율을 향상시키기 위해 현상액의 회수 효율을 향상시키는 것이 바람직하다. 현상액의 회수 효율을 향상시키기 위해 구획판 (11) 의 배치 위치를 도 2(a) 에 나타내는 바와 같이 하류측에 배치하여 회수 영역을 넓혀 두는 것이 바람직하다. 예를 들어, 에어 나이프 (27) 의 배치 위치에서부터 리퀴드 나이프 (32) 의 배치 위치의 범위 내를 통과하는 기판 (S) 의 상면에, 에어 나이프 (27) 에 의해 완전히 제거하지 못한 미량의 현상액이 잔존하는 경우가 있다. 이 잔존한 현상액이 상기 범위 내에서 흘러내리는 경우가 있다. 또, 에어 나이프 (27) 의 배치 위치보다 상류측에 있는 기판 (S) 의 상면으로부터 흘러내리는 현상액의 일부가 하류측을 향하여 흘러내리는 경우도 있다.
상기 서술한 바와 같이 에어 나이프 (27) 보다 하류측의 상기 범위 내 등에 있는 기판 (S) 의 상면으로부터 흘러내리는 현상액을 회수하기 위해, 구획판 (11) 을 에어 나이프 (27) 보다 하류측에 배치하는 것이 바람직하다. 또, 리퀴드 나이프 (32) 보다 구획판 (11) 을 하류측에 배치하면, 구획판 (11) 의 상류측에서 회수되는 현상액에 순수가 혼입될 가능성이 높아진다. 따라서, 구획판 (11) 은 현상액의 회수 효율을 높이기 위해 하류측에 배치한다고 해도 리퀴드 나이프 (32) 의 배치 위치까지로 한정해 두는 편이 바람직하다.
한편, 도 1 의 실선으로 나타내는 위치 (도 2(a) 에 나타내는 위치) 에 구획판 (11) 이 배치되어 있으면 회수되는 현상액의 농도가 다음의 이유에 의해 낮아지는 경우가 있다. 즉, 도 1 에 나타내는 기판 (S) 의 위치에 있어서, 에어 나이프 (27) 의 배치 위치에서부터 리퀴드 나이프 (32) 의 배치 위치의 범위 내에 있어서의 기판 (S) 의 상면에 순수가 부착되는 경우가 있다. 이 순수의 부착은 기판 (S) 의 상면에 있어서, 미량의 순수가 상류측으로 역류하는 것이나 수세조 (31) 내에서 비산되고 있는 순수가 상면에 부착되는 것에서 기인하고 있다고 생각된다.
이와 같이 기판 (S) 의 상면에 부착된 순수가 구획판 (11) 보다 상류측으로 흘러내리면, 현상부 (2) 에서 회수되는 현상액에 순수가 혼입되게 된다. 또, 수세조 (31) 내에서 비산되고 있는 순수가 기판 (S) 을 개재하지 않고 직접 구획판 (11) 보다 상류측에 이르는 경우도 생각할 수 있고, 이 경우에도 현상부 (2) 에서 회수되는 현상액에 순수가 혼입되게 된다.
현상액에 순수가 혼입되면 현상액의 농도가 저하된다. 이 현상액 농도의 저하를 억제하기 위해, 도 4 에 나타내는 동작이 실행된다. 이 동작은 장치의 가동 중에 실시해도 되고, 장치의 셋업시에 실행되어도 된다.
도 4 에 나타내는 스텝 S10 (제 1 농도 측정 공정) 에서는, 본 발명의 제 1 농도 측정부에 상당하는 예를 들어, 제 1 농도계 (M1) 에 의해 주로 현상조 (21) 의 바닥면 (2B) 상에 체류하는 현상액 (DL) 의 농도가 측정된다. 바꾸어 말하면, 도 2(a) 에 나타내는 회수 범위 (AR1) 내에 체류하는 현상액 (DL) 의 농도가 측정된다.
다음으로, 스텝 S20 에 있어서, 제어부 (5) 가 제 1 농도계 (M1) 로 측정된 현상액의 농도값이 설정값 이상인지의 여부를 판단한다. 스텝 S20 에서 설정값 이상이라고 판단된 경우 (Yes 인 경우), 기판 처리 장치 (100) 의 동작이 계속되거나, 셋업이 완료되었다고 해서, 이 동작이 종료된다.
스텝 S20 에서 설정값 미만이라고 판단된 경우 (No 인 경우), 현상액의 농도가 낮아 현상부 (2) 에 의해 원하는 현상 처리를 실행할 수 없다고 해서, 다음의 스텝 S30 으로 이행한다. 스텝 S30 은 구획판 (11) 을 이동시키는 공정으로, 예를 들어, 구획판 (11) 을 도 2(a) 에 나타내는 하류측의 위치에서부터 도 2(b) 에 나타내는 상류측의 위치로 구획판 이동 기구 (12) 에 의해 이동시킨다. 이 결과, 도 1 의 일점 쇄선으로 나타내는 위치 (도 2(b) 에 나타내는 위치) 에 구획판 (11) 이 배치되어 현상액을 회수하는 영역이, 회수 범위 (AR1) 보다 작은 회수 범위 (AR2) 가 된다 (회수 범위 변경 공정).
상기 서술한 바와 같이 도 1 의 일점 쇄선으로 나타내는 위치 (도 2(b) 에 나타내는 위치) 에 구획판 (11) 이 배치되면, 에어 나이프 (27) 의 배치 위치에서부터 리퀴드 나이프 (32) 의 배치 위치의 범위 내에 있어서의 기판 (S) 의 상면에 부착된 순수가 흘러내려도, 이 흘러내린 순수는 현상부 (2) 에 의한 회수 영역에는 이르지 않고, 수세부 (3) 에 의한 회수 영역에서 회수된다. 또, 수세조 (31) 내에서 비산되고 있는 순수도 구획판 (11) 을 뛰어넘어 현상조 (21) 내로 침입할 가능성이 낮아진다. 또한, 수세부 (3) 에 의한 회수 영역은, 구획판 (11) 의 하류측면, 수세조 (31) 의 내측면 및 하류측 내면으로 형성된다.
스텝 S30 에서 구획판 (11) 을 상류측으로 이동시킨 후, 스텝 S10 으로 되돌아가 현상액의 농도가 측정되고, 스텝 S20 으로 이행한다. 스텝 S20 에서 현상액 농도가 설정값 이상이라고 판단된 경우 (Yes 인 경우), 기판 처리 장치 (100) 의 동작이 계속되거나, 셋업이 완료되었다고 해서, 이 동작이 종료된다. 또한, 스텝 S20 에서, 현상액 농도가 아직 설정값 미만인 경우 (No 인 경우) 에는 다시 스텝 S30 으로 이행하여, 구획판 (11) 을 다시 상류측으로 소정 거리만큼 이동시키는 처리가 실행된다. 이와 같이, 구획판 (11) 의 이동 동작은 스텝 S20 에서 설정값 이상이 될 때까지 (Yes 가 될 때까지), 반복 실행된다.
스텝 S10 에 있어서 본 발명의 제 1 농도 측정부로서, 제 1 농도계 (M1) 를 사용했지만, 제 2 농도계 (M2) 를 사용해도 된다. 제 2 농도계 (M2) 는 순환 탱크 (24) 내에 저류된 현상액 (DL) 의 농도를 측정하는데, 상기 서술한 바와 같이 회수되는 현상액에 순수가 혼입되면, 제 2 농도계 (M2) 에 의해 측정한 현상액의 농도도 낮아진다.
또한, 수세조 (31) 에 형성된 제 3 농도계 (M3) 에 의한 농도값이 상승한 경우에는 현상액의 일부가 수세조 (31) 에서 회수되어 폐액되고 있다. 이 경우에는, 현상부 (2) 에 의한 현상액의 순환 효율이 저하되고 있다. 그래서, 구획판 이동 기구 (12) 에 의해 구획판 (11) 을 하류측으로 이동시켜 현상부 (2) 에 의한 현상액의 회수 효율을 향상시키는 것이 바람직하다.
상기 제 1 실시형태에서는 구획판 (11) 을 구획판 이동 기구 (12) 에 의해 이동시켰는데, 작업자가 수동으로 구획판 (11) 을 반송 방향을 따라 이동시켜도 된다. 또, 작업자가 구획판 (11) 을 갈아 끼워 반송 방향에 있어서의 위치를 변경해도 된다.
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태에 대하여 설명한다. 도 5 는, 본 발명의 제 2 실시형태인 기판 처리 장치 (100a) 를 나타내는 개략 측면도이다. 또한, 제 2 실시형태를 설명하기 위한 도 5, 도 6, 도 7 에 있어서 제 1 실시형태와 동일한 부호도 붙이고 있는 것은 제 1 실시형태와 동일한 것이므로, 이후에서의 설명은 생략한다.
제 1 실시형태에서는 회수 범위 변경부로서, 구획판 (11) 및 구획판 이동 기구 (12) 등을 사용했지만, 제 2 실시형태에서는 상이한 구성을 사용하고 있다. 제 2 실시형태에 의한 회수 범위 변경부는, 도 5 에 나타내는 바와 같이 2 개의 구획판 (11a), 구획판 (11b), 밸브 (81) 및 예비 배관 (83) 등을 구비한다.
상류측에 배치된 구획판 (11a) 은 예를 들어, 에어 나이프 (27) 의 하류측으로서 현상조 (21) 와 수세조 (31) 의 경계 부분의 바닥면에 세워 형성하도록 고정되어 있다. 구획판 (11b) 은 구획판 (11a) 보다 하류측에 배치되고, 예를 들어, 리퀴드 나이프 (32) 의 배치 위치보다 상류측의 바닥면 (3B) 상에 세워 형성하도록 고정되어 있다. 이와 같이 복수의 구획판 중, 가장 상류측에 배치되는 구획판 (11a) 에서부터 가장 하류측에 배치되는 구획판 (11b) 까지의 범위가, 에어 나이프 (27) (제거부) 의 배치 위치에서부터 리퀴드 나이프 (32) (제 2 공급부) 의 배치 위치까지의 범위 내인 것이, 현상액으로의 순수의 혼입에 의한 현상액의 농도 저하를 억제하기 위해 회수 범위를 변경하는 데에 있어서 바람직하다.
또, 배관 (82) 의 일방단은 구획판 (11a) 과 구획판 (11b) 사이에 있는 바닥면 (3B) 에서 개구되고, 타방단은 밸브 (81) 에 유로 접속되어 있다. 밸브 (81) 는 3 방 밸브이며, 배관 (82) 과 예비 배관 (83) 을 유로 접속하는 위치와, 배관 (82) 과 배관 (84) 을 유로 접속하는 위치 사이에서 밸브 위치를 전환한다. 예비 배관 (83) 의 일방단은 밸브 (81) 에 유로 접속되고, 타방단은 배액 배관 (23) 에 유로 접속되어 있다. 예비 배관 (83) 의 타방단은 순환 탱크 (24) 에 직접 유로 접속되어도 된다. 배관 (84) 의 일방단은 밸브 (81) 에 유로 접속되고, 타방단은 폐액 배관 (33) 에 유로 접속되어 있다. 배관 (84) 의 타방단은 폐액부 (DR) 에 직접 유로 접속되어도 된다.
도 6 은, 제 2 실시형태의 전기적인 접속 관계를 나타내는 블록도이다. 도 6 에 있어서, 도 3 에 나타내는 제 1 실시형태의 모터 (73) 대신에 밸브 (81) 가 나타나 있다.
다음으로 기판 처리 장치 (100a) 에 의한 동작을 설명한다. 기판 (S) 에 대한 현상부 (2), 수세부 (3) 및 액 제거부 (4) 에 의한 처리 동작은 제 1 실시형태와 마찬가지이다. 제 1 실시형태와 마찬가지로 회수하는 현상액에 순수가 혼입되면 현상액의 농도가 저하된다. 이 현상액 농도의 저하를 억제하기 위해, 제 2 실시형태에서는 도 7 에 나타내는 동작이 실행된다. 이 동작은 장치의 가동 중에 실시해도 되고, 장치의 셋업시에 실행되어도 된다.
여기에서, 초기 설정으로서 도 5 에 나타내는 밸브 (81) 는 현상액의 회수 영역을 넓히기 위해, 배관 (82) 과 예비 배관 (83) 을 유로 접속하는 밸브 위치로 되어 있다. 이 결과, 구획판 (11a) 과 구획판 (11b) 사이로 흘러내린 현상액 등은 배관 (82), 밸브 (81) 및 예비 배관 (83) 등을 통해 순환 탱크로 송액된다.
도 7 은 제 2 실시형태의 동작을 나타내는 플로도이다. 도 7 에 나타내는 스텝 S10 에서는, 본 발명의 제 1 농도 측정부에 상당하는 예를 들어, 제 2 농도계 (M2) 에 의해 순환 탱크 (24) 내에 저류되는 현상액 (DL) 의 농도가 측정된다.
다음으로, 스텝 S20 에 있어서, 제어부 (5) 가 스텝 S10 에서 측정된 현상액의 농도값이 설정값 이상인지의 여부를 판단한다. 스텝 S20 에서 설정값 이상이라고 판단된 경우 (Yes 인 경우), 기판 처리 장치 (100a) 의 동작이 계속되거나, 셋업이 완료되었다고 해서, 이 동작이 종료된다.
스텝 S20 에서 설정값 미만이라고 판단된 경우 (No 인 경우), 현상액의 농도가 낮아 현상부 (2) 에 의해 원하는 현상 처리를 실행할 수 없다고 해서, 다음의 스텝 S30a 로 이행한다. 스텝 S30a 는 밸브 (81) 의 유로를 전환하는 동작이다. 예를 들어, 밸브 (81) 의 밸브체 위치를 배관 (84) 측으로 전환한다. 이 결과, 구획판 (11a) 과 구획판 (11b) 사이로 흘러내린 순수 등은 배관 (82), 밸브 (81) 및 배관 (84) 등을 통해 폐액부 (DR) 로 송액된다 (회수 범위 변경 공정).
상기 서술한 바와 같이 밸브 (81) 를 폐액부 (DR) 측으로 전환함으로써, 에어 나이프 (27) 의 배치 위치에서부터 리퀴드 나이프 (32) 의 배치 위치의 범위 내에 있어서의 기판 (S) 의 상면에 부착된 순수가 흘러내려도, 이 흘러내린 순수는 현상부 (2) 에 의한 회수 영역 (구획판 (11a) 보다 상류측의 영역) 에는 이르지 않고, 수세부 (3) 에 의한 회수 영역 (구획판 (11a) 보다 하류측의 영역) 에서 회수된다. 이와 같이 밸브 (81) 를 전환함으로써, 회수 영역이 구획판 (11a) 의 상류측 영역 및 구획판 (11a) 과 구획판 (11b) 사이의 영역이었던 상태에서, 회수 영역이 구획판 (11a) 의 상류측 영역만으로 변경된다.
스텝 S30a 에서 밸브 (81) 를 전환한 후, 스텝 S10 으로 되돌아가 현상액의 농도가 측정되고, 스텝 S20 으로 이행한다. 스텝 S20 에서, 현상액 농도가 설정값 이상이 된 경우 (Yes 인 경우) 에는 동작을 종료한다.
다음으로 제 2 실시형태의 변형예에 대하여 설명한다. 도 8 은, 제 2 실시형태의 변형예를 나타내는 개략 측면도이다. 상기 서술한 제 2 실시형태에서는 회수 범위 변경부로서 2 개의 구획판 (11a) 및 구획판 (11b) 을 사용했지만, 이 변형예에서는, 반송 방향인 Y 방향으로 4 개의 구획판 (11a), 구획판 (11b), 구획판 (11c) 및 구획판 (11d) 이 배열되어 있다.
가장 상류측에 배치된 구획판 (11a) 은 예를 들어, 에어 나이프 (27) 의 하류측으로서 현상조 (21) 와 수세조 (31) 의 경계 부분의 바닥면에 세워 형성하도록 고정되어 있다. 또, 가장 하류측에 배치된 구획판 (11d) 은, 예를 들어, 리퀴드 나이프 (32) 의 배치 위치보다 상류측인 바닥면 (3B) 상에 세워 형성하도록 고정되어 있다. 이와 같이 복수의 구획판 중, 가장 상류측에 배치되는 구획판 (11a) 에서부터 가장 하류측에 배치되는 구획판 (11d) 까지의 범위가, 에어 나이프 (27) (제거부) 의 배치 위치에서부터 리퀴드 나이프 (32) (제 2 공급부) 의 배치 위치까지의 범위 내인 것이, 현상액에 대한 순수의 혼입에 의한 현상액의 농도 저하를 억제하기 위해 회수 범위를 변경하는 데에 있어서 바람직하다.
또, 회수 범위 변경부는, 3 개의 밸브 (8a), 밸브 (8b) 및 밸브 (8c), 이들 밸브에 각각 유로 접속하는 예비 배관 (9a), 예비 배관 (9b) 및 예비 배관 (9c) 을 포함하는 배관계를 구비한다. 밸브 (8a) 가 예비 배관 (9a) 측으로 전환되어 있을 때에는, 구획판 (11a) 과 구획판 (11b) 사이의 영역이 현상액의 회수 범위가 된다. 마찬가지로 밸브 (8b) 가 예비 배관 (9b) 측으로 전환되어 있을 때에는, 구획판 (11b) 과 구획판 (11c) 사이의 영역이 현상액의 회수 범위가 되고, 마찬가지로 밸브 (8c) 가 예비 배관 (9c) 측으로 전환되어 있을 때에는, 구획판 (11c) 과 구획판 (11d) 사이의 영역이 현상액의 회수 범위가 된다.
상기 서술한 바와 같이 3 개의 밸브 (8a), 밸브 (8b) 및 밸브 (8c) 를 전환함으로써 현상액의 회수 범위를 변경할 수 있다. 가장 회수 범위가 넓어지는 것은, 밸브 (8a), 밸브 (8b) 및 밸브 (8c) 전부가 예비 배관 (9a), 예비 배관 (9b) 및 예비 배관 (9c) 측으로 전환되어 있을 때이다. 가장 회수 범위가 좁아지는 것은, 밸브 (8a), 밸브 (8b) 및 밸브 (8c) 전부가 폐액부 (DR) 로 전환되어 있을 때이다. 이 변형예에서는 가장 상류측의 밸브 (8a) 부터 순차적으로, 예비 배관 (9a) 측 (순환 탱크 (24) 측) 으로 전환함으로써 회수 범위를 4 단계로 변경할 수 있다.
상기 실시형태 등에 있어서, 제 1 처리액으로서 현상액을 사용하여 설명했지만, 제 1 처리액은 기판 상의 금속막 등을 선택적으로 에칭하기 위한 에칭액이나 기판 상에 형성된 레지스트막을 박리하기 위한 박리액 등의 다른 처리액이어도 된다. 마찬가지로 제 2 처리액도 순수에는 한정되지 않고 제 1 처리액을 씻어낼 수 있는 처리액이면 된다.
제 1 농도계 (M1) 등으로서 도전율계를 예시했지만, 제 1 처리액 등의 종류에 따라 다른 농도계, 예를 들어, 비저항계 등을 사용해도 된다.
2 : 현상부
3 : 수세부
6 : 반송부
11, 11a ∼ 11d : 구획판 (구획 부재)
12 : 구획판 이동 기구 (구획 부재 이동 기구)
21 : 현상조 (제 1 처리조)
22 : 현상 노즐 (제 1 공급부)
23 : 배액 배관
24 : 순환 탱크
25 : 리턴 배관
27 : 에어 나이프 (제거부)
31 : 수세조 (제 2 처리조)
32 : 리퀴드 나이프 (제 2 공급부)
100, 100a : 기판 처리 장치
S : 기판
M1 : 제 1 농도계

Claims (7)

  1. 기판을 수평으로 지지하면서 수평 방향으로 반송하는 반송부와,
    반송부에 의해 반송되는 기판에 제 1 처리액을 공급하는 제 1 공급부와,
    제 1 공급부에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내리는 제 1 처리액을 회수하는 제 1 회수부와,
    제 1 회수부에 의해 회수된 제 1 처리액을 제 1 공급부에 순환 공급하는 순환 공급부와,
    제 1 공급부에 의해 제 1 처리액이 공급되고 반송부에 의해 반송되는 기판에 부착된 제 1 처리액을 제거하는 제거부와,
    제거부보다 반송부에 있어서의 반송 방향의 하류측에 있어서, 제 1 처리액과는 상이한 종류의 제 2 처리액을 공급하는 제 2 공급부와,
    제 2 공급부에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내린 제 2 처리액을 회수하는 제 2 회수부와,
    제 1 회수부로부터 순환 공급부에 있어서의 제 1 처리액의 농도를 측정하는 제 1 농도 측정부와,
    제 1 농도 측정부에 의한 측정 결과에 따라, 제 1 회수부에 의한 상기 반송 방향에 있어서의 회수 범위를 변경하는 회수 범위 변경부와,
    반송부에 의해 반송되면서 제 1 공급부에 의해 제 1 처리액이 공급되는 제 1 처리실을 형성하는 제 1 처리조와,
    반송부에 의해 반송되면서 제 2 공급부에 의해 제 2 처리액이 공급되는 제 2 처리실을 형성하는 제 2 처리조를 구비하고,
    제 1 회수부는 제 1 처리조의 제 1 바닥면을 포함함과 함께, 제 2 회수부는 제 2 처리조의 제 2 바닥면을 포함하고,
    상기 회수 범위 변경부는, 제 1 바닥면과 제 2 바닥면을 구획하는 구획 부재를 갖고,
    제 1 농도 측정부에 의한 측정 결과에 따라 구획 부재의 반송 방향에 있어서의 위치를 변경하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 회수 범위 변경부는,
    제 1 농도 측정부에 의한 측정 결과에 따라 구획 부재를 반송 방향을 따라 이동시키는 구획 부재 이동 기구를 추가로 갖는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    구획 부재 이동 기구에 의한 구획 부재의 이동 범위가 제거부의 배치 위치에서부터 제 2 공급부의 배치 위치까지의 범위 내인, 기판 처리 장치.
  4. 기판을 수평으로 지지하면서 수평 방향으로 반송하는 반송부와,
    반송부에 의해 반송되는 기판에 제 1 처리액을 공급하는 제 1 공급부와,
    제 1 공급부에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내리는 제 1 처리액을 회수하는 제 1 회수부와,
    제 1 회수부에 의해 회수된 제 1 처리액을 제 1 공급부에 순환 공급하는 순환 공급부와,
    제 1 공급부에 의해 제 1 처리액이 공급되고 반송부에 의해 반송되는 기판에 부착된 제 1 처리액을 제거하는 제거부와,
    제거부보다 반송부에 있어서의 반송 방향의 하류측에 있어서, 제 1 처리액과는 상이한 종류의 제 2 처리액을 공급하는 제 2 공급부와,
    제 2 공급부에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내린 제 2 처리액을 회수하는 제 2 회수부와,
    제 1 회수부로부터 순환 공급부에 있어서의 제 1 처리액의 농도를 측정하는 제 1 농도 측정부와,
    제 1 농도 측정부에 의한 측정 결과에 따라, 제 1 회수부에 의한 상기 반송 방향에 있어서의 회수 범위를 변경하는 회수 범위 변경부와,
    반송부에 의해 반송되면서 제 1 공급부에 의해 제 1 처리액이 공급되는 제 1 처리실을 형성하는 제 1 처리조와,
    반송부에 의해 반송되면서 제 2 공급부에 의해 제 2 처리액이 공급되는 제 2 처리실을 형성하는 제 2 처리조를 구비하고,
    제 1 회수부는 제 1 처리조의 제 1 바닥면을 포함함과 함께, 제 2 회수부는 제 2 처리조의 제 2 바닥면을 포함하고,
    상기 회수 범위 변경부는,
    제 1 바닥면과 제 2 바닥면을 구획함과 함께 반송 방향을 따라 형성된 복수의 구획 부재와,
    반송 방향 하류측에 배치된 구획 부재의 상류측과 순환 공급부를 유로 접속하는 예비 회수 배관과,
    제 1 농도 측정부에 의한 측정 결과에 따라 예비 회수 배관의 유로를 개폐하는 밸브를 갖는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    복수의 구획 부재 중, 가장 상류측에 배치되는 구획 부재에서부터 가장 하류측에 배치되는 구획 부재까지의 범위가, 제거부의 배치 위치에서부터 제 2 공급부의 배치 위치까지의 범위 내인, 기판 처리 장치.
  6. 수평으로 지지되면서 수평 방향으로 반송되는 기판에, 제 1 처리실을 형성하는 제 1 처리조 내에 있어서, 제 1 공급부로부터 제 1 처리액을 공급하는 제 1 공급 공정과,
    제 1 공급 공정에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내리는 제 1 처리액을, 제 1 처리조의 제 1 바닥면을 포함하는 제 1 회수부에 의해 회수하는 제 1 회수 공정과,
    제 1 회수 공정에 의해 회수된 제 1 처리액을 제 1 공급부에 순환 공급하는 순환 공급 공정과,
    제 1 공급 공정 후에, 수평으로 지지되면서 수평 방향으로 반송되는 기판에 부착된 제 1 처리액을 제거하는 제거 공정과,
    제거 공정 후에, 수평으로 지지되면서 수평 방향으로 반송되는 기판에, 제 1 처리액과는 상이한 종류의 제 2 처리액을, 제 2 처리실을 형성하는 제 2 처리조 내에 있어서, 제 2 공급부로부터 공급하는 제 2 공급 공정과,
    제 2 공급 공정에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내린 제 2 처리액을 제 2 처리조의 제 2 바닥면을 포함하는 제 2 회수부에 의해 회수하는 제 2 회수 공정과,
    제 1 회수 공정으로부터 순환 공급 공정에 있어서의 제 1 처리액의 농도를 측정하는 제 1 농도 측정 공정과,
    제 1 농도 측정 공정에 의한 측정 결과에 따라, 제 1 바닥면과 제 2 바닥면을 구획하는 구획 부재의 반송 방향에 있어서의 위치를 변경하여 제 1 회수부에 의한 상기 반송 방향에 있어서의 회수 범위를 변경하는 회수 범위 변경 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  7. 수평으로 지지되면서 수평 방향으로 반송되는 기판에, 제 1 처리실을 형성하는 제 1 처리조 내에 있어서, 제 1 공급부로부터 제 1 처리액을 공급하는 제 1 공급 공정과,
    제 1 공급 공정에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내리는 제 1 처리액을, 제 1 처리조의 제 1 바닥면을 포함하는 제 1 회수부에 의해 회수하는 제 1 회수 공정과,
    제 1 회수 공정에 의해 회수된 제 1 처리액을 제 1 공급부에 순환 공급부에 의해 순환 공급하는 순환 공급 공정과,
    제 1 공급 공정 후에, 수평으로 지지되면서 수평 방향으로 반송되는 기판에 부착된 제 1 처리액을 제거하는 제거 공정과,
    제거 공정 후에, 수평으로 지지되면서 수평 방향으로 반송되는 기판에, 제 1 처리액과는 상이한 종류의 제 2 처리액을, 제 2 처리실을 형성하는 제 2 처리조 내에 있어서, 제 2 공급부로부터 공급하는 제 2 공급 공정과,
    제 2 공급 공정에 의해 공급되어 기판으로부터 흘러내린 제 2 처리액을 제 2 처리조의 제 2 바닥면을 포함하는 제 2 회수부에 의해 회수하는 제 2 회수 공정과,
    제 1 회수 공정으로부터 순환 공급 공정에 있어서의 제 1 처리액의 농도를 측정하는 제 1 농도 측정 공정과,
    제 1 농도 측정 공정에 의한 측정 결과에 따라, 제 1 바닥면과 제 2 바닥면을 구획함과 함께 반송 방향을 따라 형성된 복수의 구획 부재 중, 반송 방향 하류측에 배치된 구획 부재의 상류측과 순환 공급부를 유로 접속하는 예비 회수 배관의 유로를 개폐하여, 제 1 회수부에 의한 상기 반송 방향에 있어서의 회수 범위를 변경하는 회수 범위 변경 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
KR1020190017104A 2018-03-12 2019-02-14 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102153815B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-043934 2018-03-12
JP2018043934A JP7060415B2 (ja) 2018-03-12 2018-03-12 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190107569A KR20190107569A (ko) 2019-09-20
KR102153815B1 true KR102153815B1 (ko) 2020-09-08

Family

ID=67911745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190017104A KR102153815B1 (ko) 2018-03-12 2019-02-14 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7060415B2 (ko)
KR (1) KR102153815B1 (ko)
CN (1) CN110265320B (ko)
TW (1) TWI681454B (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000003048A (ja) 1998-06-15 2000-01-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 感光材料処理装置
JP2015177139A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理装置を用いた基板処理方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2988766B2 (ja) * 1992-01-14 1999-12-13 三菱製紙株式会社 感光性平版印刷版処理装置
JPH07175223A (ja) * 1993-12-21 1995-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板現像装置
JPH10186342A (ja) * 1996-12-25 1998-07-14 Toshiba Corp 基板の洗浄装置
JP4206178B2 (ja) * 1999-09-27 2009-01-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理システム
JP3943935B2 (ja) 2001-02-26 2007-07-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR100593709B1 (ko) * 2002-03-27 2006-06-28 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
JP3863086B2 (ja) * 2002-10-22 2006-12-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3894104B2 (ja) * 2002-11-15 2007-03-14 東京エレクトロン株式会社 現像方法及び現像装置及び現像液再生装置
JP4255014B2 (ja) * 2002-12-03 2009-04-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2005064312A (ja) 2003-08-18 2005-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2006058446A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Fuji Xerox Co Ltd 現像装置及びこれを用いた画像形成装置
JP4472630B2 (ja) * 2005-12-28 2010-06-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4763527B2 (ja) * 2006-06-22 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4824723B2 (ja) * 2008-06-17 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2011129758A (ja) * 2009-12-18 2011-06-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2013051337A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び処理液の流路切り替え方法
KR20130059924A (ko) * 2011-11-29 2013-06-07 삼성전기주식회사 기판 처리 장치
JP6527674B2 (ja) * 2014-03-26 2019-06-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、ノズルおよび基板処理方法
JP6420707B2 (ja) * 2015-04-07 2018-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP6723000B2 (ja) * 2015-11-16 2020-07-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000003048A (ja) 1998-06-15 2000-01-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 感光材料処理装置
JP2015177139A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理装置を用いた基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201939595A (zh) 2019-10-01
CN110265320B (zh) 2023-06-06
KR20190107569A (ko) 2019-09-20
JP2019160953A (ja) 2019-09-19
JP7060415B2 (ja) 2022-04-26
CN110265320A (zh) 2019-09-20
TWI681454B (zh) 2020-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100671251B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101322983B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN102540770B (zh) 显影方法、显影装置及具备该显影装置的涂敷显影处理系统
JP6924846B2 (ja) 液供給装置及び液供給方法
TWI605876B (zh) Coating device and coating method
KR102232635B1 (ko) 현상 장치
KR100593709B1 (ko) 기판처리장치
JP7041795B1 (ja) めっき装置のメンテナンス方法
KR102153815B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100848928B1 (ko) 액처리장치 및 액처리방법
JP5368326B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2005026673A (ja) ドッキング型基板移送及び処理システムと、それを利用した移送及び処理方法
KR101237126B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2007266545A (ja) 基板処理装置
JP2019162748A (ja) 版洗浄装置および版洗浄方法
JP2005244022A (ja) 液処理装置および液処理方法
TWI539029B (zh) 用於欲處理之平坦材料之濕式化學處理的裝置及方法
KR101308398B1 (ko) 약액 회수장치 및 이를 이용한 약액 회수방법
JP2015179728A (ja) 流路切替装置、液供給システム、液供給方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2004006631A (ja) 基板処理装置
TWI622431B (zh) 塗布裝置及塗布方法
JP4160651B2 (ja) 基板処理装置
KR20060076227A (ko) 처리 장치 및 처리 방법
JP2017087185A (ja) 基板処理装置
KR20190122339A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant