JP2024044497A - 基板処理装置およびパーティクル除去方法 - Google Patents

基板処理装置およびパーティクル除去方法 Download PDF

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Abstract

Figure 2024044497000001
【課題】フィルタの交換頻度を抑えることが可能な基板処理装置およびパーティクル除去方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板処理ユニット１０と、配管３２と、フィルタユニット１４０と、ポンプ１１４とを備える。基板処理ユニット１０は、基板Ｗを処理する。配管３２は、基板処理ユニット１０に処理液を流通する。フィルタユニット１４０は、配管３２に配置される。フィルタユニット１４０は、処理液中のパーティクルを捕捉するフィルタ１４１を有する。ポンプ１１４は、処理液を含む液を加圧してフィルタ１４１に通過させる。ポンプ１１４は、基板処理中に、フィルタ１４１に対する処理液の圧力が第１圧力となるように、処理液を加圧する。ポンプ１１４は、非基板処理中に、フィルタ１４１に対する液の圧力が第１圧力よりも高い第２圧力となるように、液を加圧する。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理装置およびパーティクル除去方法に関する。
従来、基板を処理する基板処理装置が知られている。基板処理装置は、半導体基板の製造に好適に用いられる。基板処理装置は、薬液等の処理液を用いて基板を処理する。処理液は、フィルタおよびバルブ等が取り付けられた配管を流通して基板を処理する。フィルタは、配管内部を通過する処理液に含まれるパーティクルを捕捉する。所定時間使用されたフィルタは、新しいフィルタに交換される。このような基板処理装置として、処理液を貯留するタンクと、タンクから出てタンクに戻る循環ラインとを備え、循環ラインを介して液処理ユニットに処理液が供給される液処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。液処理装置は、処理液に含まれるパーティクルを除去するフィルタを備える。フィルタは、循環ラインに配置される。フィルタに対して長期間にわたって処理液を流通すると、パーティクルによりフィルタに目詰まりが生じる。このため、特許文献１の液処理装置では、フィルタに対して下流側から上流側に洗浄用流体を流通することによって、フィルタからパーティクルを除去する。
特開２０１５－２０４３０２号公報
ところで、近年の半導体の微細化に伴い、フィルタは、物理的な捕捉機能に加え、静電気的な捕捉機能を有する。具体的には、フィルタは、フィルタの孔よりも大きいパーティクルを捕捉することに加え、孔よりも小さいパーティクルを静電気的な効果で捕捉する。このため、特許文献１のように、フィルタに対して下流側から上流側に洗浄用流体を流通すると、孔よりも大きいパーティクルをフィルタから除去することは可能である。その一方、静電気的な効果で捕捉されたパーティクルについては、フィルタに対して下流側から上流側に洗浄用流体を流通したとしても、フィルタから除去することは困難である。従って、フィルタに目詰まりが生じると、目詰まりしたフィルタを新しいフィルタに交換する必要がある。
しかしながら、フィルタを交換することは環境負荷の増大に繋がるので、環境負荷低減の観点から、フィルタの交換頻度を抑えることが望ましい。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、フィルタの交換頻度を抑えることが可能な基板処理装置およびパーティクル除去方法を提供することにある。
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板処理ユニットと、処理液配管と、フィルタユニットと、加圧部とを備える。前記基板処理ユニットは、基板を処理する。前記処理液配管は、前記基板処理ユニットに処理液を流通する。前記フィルタユニットは、前記処理液配管に配置される。前記フィルタユニットは、前記処理液中のパーティクルを捕捉するフィルタを有する。前記加圧部は、前記処理液を含む液を加圧して前記フィルタに通過させる。前記加圧部は、前記フィルタに対する前記液の圧力を変更可能である。前記加圧部は、前記基板を前記処理液により処理する基板処理中に、前記フィルタに対する前記処理液の圧力が第１圧力となるように、前記処理液を加圧する。前記加圧部は、前記基板を前記処理液により処理しない非基板処理中に、前記フィルタに対する前記液の圧力が前記第１圧力よりも高い第２圧力となるように、前記液を加圧する。
ある実施形態では、前記基板処理装置は、前記フィルタを通過する前記液を加熱する加熱部をさらに備える。前記基板処理中に、前記フィルタを通過する前記処理液の温度は、第１温度である。前記加熱部は、前記非基板処理中に、前記フィルタを通過する前記液の温度が前記第１温度よりも高い第２温度となるように、前記液を加熱する。
ある実施形態では、前記基板処理装置は、上流側配管と、下流側配管と、除去液供給部とをさらに備える。前記上流側配管は、前記フィルタの上流側で前記処理液配管に接続される。前記下流側配管は、前記フィルタの下流側で前記処理液配管に接続される。前記除去液供給部は、前記上流側配管および前記下流側配管の一方に接続される。前記除去液供給部は、前記フィルタに詰まったパーティクルを除去する除去液を、前記上流側配管および前記下流側配管の一方に供給する。前記液は、前記除去液を含む。前記基板処理装置は、前記非基板処理中に、前記除去液を、前記上流側配管および前記下流側配管の一方から、前記フィルタを介して前記上流側配管および前記下流側配管の他方に通過させる。
ある実施形態では、前記基板処理装置は、第１バルブと、第２バルブと、第３バルブと、第４バルブとをさらに備える。前記第１バルブは、前記フィルタの上流側で前記処理液配管に配置される。前記第２バルブは、前記フィルタの下流側で前記処理液配管に配置される。前記第３バルブは、前記上流側配管に配置される。前記第４バルブは、前記下流側配管に配置される。前記基板処理装置は、前記基板処理中に、前記第３バルブおよび前記第４バルブを閉じ、前記第１バルブおよび前記第２バルブを開くことにより、前記処理液を、前記処理液配管の上流側から、前記フィルタを介して前記処理液配管の下流側に通過させる。前記基板処理装置は、前記非基板処理中に、前記第１バルブおよび前記第２バルブを閉じ、前記第３バルブおよび前記第４バルブを開くことにより、前記除去液を、前記上流側配管および前記下流側配管の一方から、前記フィルタを介して前記上流側配管および前記下流側配管の他方に通過させる。
ある実施形態では、前記除去液は、前記処理液とは異なる種類の液である。
ある実施形態では、前記基板処理装置は、前記非基板処理中に、前記除去液を、前記下流側配管から前記フィルタを介して前記上流側配管に通過させる。
ある実施形態では、前記基板処理装置は、下流側配管をさらに備える。前記下流側配管は、前記フィルタの下流側で前記処理液配管に接続される。前記基板処理装置は、前記非基板処理中に、前記液を、前記フィルタの上流側から、前記フィルタを介して前記下流側配管に通過させる。
ある実施形態では、前記フィルタユニットは、前記フィルタの上流側に配置される上流室と、前記フィルタの下流側に配置される下流室とをさらに有する。前記下流側配管は、前記下流室を介して前記処理液配管に接続される。
ある実施形態では、前記基板処理装置は、検出器をさらに備える。前記検出器は、前記処理液配管に配置される。前記検出器は、前記フィルタを通過する前記処理液の圧力または流量を検出する。前記検出器の検出値が閾値未満である場合、前記加圧部は、前記フィルタに対する前記液の圧力が前記第２圧力となるように、前記液を加圧する。
ある実施形態では、前記加圧部は、定期的に、前記フィルタに対する前記液の圧力が前記第２圧力となるように、前記液を加圧する。
本発明の別の局面によれば、パーティクル除去方法は、基板処理ユニットに繋がる処理液配管に配置されたフィルタユニットのフィルタを介して、処理液を前記基板処理ユニットに通液し、前記処理液により基板を処理する基板処理工程と、前記基板を前記処理液により処理しない非基板処理工程とを含み、前記基板処理工程において、前記フィルタに対する前記処理液の圧力が第１圧力となるように、前記処理液を前記フィルタに対して通液し、前記非基板処理工程において、前記フィルタに対する前記液の圧力が前記第１圧力よりも高い第２圧力となるように、前記液を前記フィルタに対して通液する。
ある実施形態では、前記基板処理工程において、前記フィルタを通過する前記処理液の温度は、第１温度であり、前記非基板処理工程において、前記第１温度よりも高い第２温度である前記液を、前記フィルタに対して通液する。
ある実施形態では、前記液は、前記フィルタに詰まったパーティクルを除去する除去液を含み、前記非基板処理工程において、前記除去液を、前記フィルタの上流側で前記処理液配管に接続される上流側配管と前記フィルタの下流側で前記処理液配管に接続される下流側配管との一方から、前記フィルタを介して前記上流側配管および前記下流側配管の他方に通過させる。
ある実施形態では、前記除去液は、前記処理液とは異なる種類の液である。
ある実施形態では、前記非基板処理工程において、前記除去液を、前記下流側配管から前記フィルタを介して前記上流側配管に通過させる。
ある実施形態では、前記非基板処理工程において、前記液を、前記フィルタの上流側から前記フィルタを介して、前記フィルタの下流側で前記処理液配管に接続された下流側配管に通過させる。
ある実施形態では、前記フィルタユニットは、前記フィルタの上流側に配置される上流室と、前記フィルタの下流側に配置される下流室とを有し、前記下流側配管は、前記下流室を介して前記処理液配管に接続される。
ある実施形態では、前記基板処理工程において前記フィルタを通過する前記処理液の圧力または流量が閾値未満である場合に、前記非基板処理工程を実行する。
ある実施形態では、定期的に、前記非基板処理工程を実行する。
本発明によれば、フィルタの交換頻度を抑えることが可能な基板処理装置およびパーティクル除去方法を提供できる。
第１実施形態の基板処理装置の模式的な平面図である。 第１実施形態の基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。 第１実施形態の基板処理装置における配管構成を説明するための模式図である。 第１実施形態の基板処理装置のブロック図である。 第１実施形態のフィルタのパーティクル除去方法を示すフローチャートである。 第１実施形態のパーティクル除去方法を説明するための模式図であり、フィルタユニット周辺における液の流れを矢印で示す図である。 第１実施形態のパーティクル除去方法を説明するための模式図であり、フィルタユニット周辺における液の流れを矢印で示す図である。 第２実施形態の基板処理装置における配管構成を説明するための模式図である。 第２実施形態のフィルタのパーティクル除去方法を示すフローチャートである。 第３実施形態の基板処理装置における配管構成を説明するための模式図である。 第３実施形態のフィルタのパーティクル除去方法を示すフローチャートである。 第３実施形態のパーティクル除去方法を説明するための模式図であり、フィルタユニット周辺における液の流れを矢印で示す図である。 第３実施形態のパーティクル除去方法を説明するための模式図であり、フィルタユニット周辺における液の流れを矢印で示す図である。 第１変形例の基板処理装置における配管構成を説明するための模式図である。 第１変形例のフィルタのパーティクル除去方法を示すフローチャートである。 第４実施形態の基板処理装置における配管構成を説明するための模式図である。 第４実施形態のフィルタのパーティクル除去方法を示すフローチャートである。 第４実施形態のパーティクル除去方法を説明するための模式図であり、フィルタユニット周辺における液の流れを矢印で示す図である。 第４実施形態のパーティクル除去方法を説明するための模式図であり、フィルタユニット周辺における液の流れを矢印で示す図である。 第２変形例の基板処理装置における配管構成を説明するための模式図である。 第２変形例のフィルタのパーティクル除去方法を示すフローチャートである。 第３変形例の基板処理装置における配管構成を説明するための模式図である。 第４変形例の基板処理装置における配管構成を説明するための模式図である。 第５実施形態のフィルタのパーティクル除去方法を示すフローチャートである。 第６実施形態の基板処理装置における配管構成を説明するための模式図である。
以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置およびパーティクル除去方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。本実施形態では、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
（第１実施形態）
図１～図５、図６Ａ、および図６Ｂを参照して、本発明の第１実施形態による基板処理装置１００について説明する。図１は、第１実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。
基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去、および、洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。
基板Ｗは、半導体基板として用いられる。基板Ｗは、半導体ウエハを含む。例えば、基板Ｗは略円板状である。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する。
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１０と、処理液キャビネット１１０と、処理液ボックス１２０と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲを制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理ユニット１０との間で基板Ｗを搬送する。基板処理ユニット１０の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。処理液は、例えば、薬液、洗浄液および／または撥水剤を含む。処理液キャビネット１１０は、処理液を収容する。なお、処理液キャビネット１１０は、ガスを収容してもよい。
具体的には、複数の基板処理ユニット１０は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理ユニット１０（図１では３つの基板処理ユニット１０）を含む。処理液ボックス１２０は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。処理液キャビネット１１０内の液体は、いずれかの処理液ボックス１２０を介して、処理液ボックス１２０に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理ユニット１０に供給される。また、処理液キャビネット１１０内のガスは、いずれかの処理液ボックス１２０を介して、処理液ボックス１２０に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理ユニット１０に供給される。
基板処理装置１００において、センターロボットＣＲおよび基板処理ユニット１０の設置された領域と、処理液キャビネット１１０の設置された領域との間には、境界壁ＢＷが配置される。処理液キャビネット１１０は、基板処理装置１００のうちの境界壁ＢＷの外側部分の領域の一部の空間を区画する。
典型的には、処理液キャビネット１１０は、処理液を調製するための調製槽（タンク）を有する。処理液キャビネット１１０は、１種類の処理液のための調製槽を有してもよく、複数種類の処理液のための調製槽を有してもよい。また、処理液キャビネット１１０は、処理液を流通するためのポンプ、ノズルおよび／またはフィルタを有する。
ここでは、処理液キャビネット１１０は、第１処理液キャビネット１１０Ａと、第２処理液キャビネット１１０Ｂとを有する。第１処理液キャビネット１１０Ａおよび第２処理液キャビネット１１０Ｂは互いに対向して配置される。
制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。
制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、プロセッサを有する。制御部１０２は、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、制御部１０２は、汎用演算機を有してもよい。
記憶部１０４は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。
記憶部１０４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。
次に、図２を参照して、第１実施形態の基板処理装置１００における基板処理ユニット１０を説明する。図２は、第１実施形態の基板処理装置１００における基板処理ユニット１０の模式図である。
基板処理ユニット１０は、チャンバー１１と、基板保持部２０と、処理液供給部３０とを備える。
チャンバー１１は、内部空間を有する略箱形状である。チャンバー１１は、基板Ｗを収容する。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１１には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１１内に収容され、チャンバー１１内で処理される。チャンバー１１には、基板保持部２０および処理液供給部３０のそれぞれの少なくとも一部が収容される。
基板保持部２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部２０は、基板Ｗの上面（表面）Ｗａを上方に向け、基板Ｗの裏面（下面）Ｗｂを鉛直下方に向くように基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。例えば、基板Ｗの上面Ｗａには、リセスの形成された積層構造が設けられている。基板保持部２０は、基板Ｗを保持したまま基板Ｗを回転させる。
例えば、基板保持部２０は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部２０は、基板Ｗを裏面Ｗｂから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部２０は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部２０は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。
例えば、基板保持部２０は、スピンベース２１と、チャック部材２２と、シャフト２３と、電動モーター２４と、ハウジング２５とを含む。チャック部材２２は、スピンベース２１に設けられる。チャック部材２２は、基板Ｗをチャックする。典型的には、スピンベース２１には、複数のチャック部材２２が設けられる。
シャフト２３は、中空軸である。シャフト２３は、回転軸線Ａｘに沿って鉛直方向に延びている。シャフト２３の上端には、スピンベース２１が結合されている。基板Ｗは、スピンベース２１の上方に載置される。
スピンベース２１は、円板状であり、基板Ｗを水平に支持する。シャフト２３は、スピンベース２１の中央部から下方に延びる。電動モーター２４は、シャフト２３に回転力を与える。電動モーター２４は、シャフト２３を回転方向に回転させることにより、回転軸線Ａｘを中心に基板Ｗおよびスピンベース２１を回転させる。ハウジング２５は、シャフト２３および電動モーター２４の周囲を囲んでいる。
処理液供給部３０は、基板Ｗに処理液を供給する。典型的には、処理液供給部３０は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する。処理液供給部３０の少なくとも一部は、チャンバー１１内に収容される。
処理液供給部３０は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する。処理液は、いわゆる薬液を含んでもよい。薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ3）との混合液）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、腐食防止剤、または、疎水化剤のいずれかを含んでもよい。
または、処理液は、いわゆる洗浄液（リンス液）を含んでもよい。例えば、洗浄液は、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ：ＤＩＷ）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、または、還元水（水素水）のいずれかを含んでもよい。
処理液供給部３０は、配管３２と、ノズル３４と、バルブ３６とを含む。なお、配管３２は、本発明の「処理液配管」の一例である。ノズル３４は基板Ｗの上面Ｗａに処理液を吐出する。ノズル３４は、配管３２に接続される。配管３２には、供給源から処理液が供給される。バルブ３６は、配管３２内の流路を開閉する。ノズル３４は、基板Ｗに対して移動可能に構成されていることが好ましい。
バルブ３６は、配管３２内の流路を開閉する。バルブ３６は、配管３２の開度を調節して、配管３２に供給される処理液の流量を調整する。具体的には、バルブ３６は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
ノズル３４は移動可能であってもよい。ノズル３４は、制御部１０２によって制御される移動機構にしたがって水平方向および／または鉛直方向に移動できる。なお、本明細書において、図面が過度に複雑になることを避けるために移動機構を省略していることに留意されたい。
基板処理ユニット１０は、カップ８０をさらに備える。カップ８０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。カップ８０は昇降する。例えば、カップ８０は、処理液供給部３０が基板Ｗに処理液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ８０は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛散する処理液を回収する。また、カップ８０は、処理液供給部３０が基板Ｗに処理液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降する。
上述したように、制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、基板保持部２０、処理液供給部３０および／またはカップ８０を制御する。一例では、制御部１０２は、電動モーター２４、バルブ３６および／またはカップ８０を制御する。
本実施形態の基板処理装置１００は、半導体の設けられた半導体素子の作製に好適に用いられる。典型的には、半導体素子において、基材の上に導電層および絶縁層が積層される。基板処理装置１００は、半導体素子の製造時に、導電層および／または絶縁層の洗浄および／または加工（例えば、エッチング、特性変化等）に好適に用いられる。
なお、図２に示した基板処理ユニット１０では、処理液供給部３０は、１種類の処理液を供給可能である。ただし、本実施形態はこれに限定されない。処理液供給部３０は、複数種類の処理液を供給してもよい。例えば、処理液供給部３０は、用途の異なる複数種類の処理液を基板Ｗに順次供給可能であってもよい。あるいは、処理液供給部３０は、用途の異なる複数種類の処理液を基板Ｗに同時に供給可能であってもよい。
次に、図１～図３を参照して、第１実施形態の基板処理装置１００の配管構成を説明する。図３は、第１実施形態の基板処理装置１００における配管構成を説明するための模式図である。なお、図１および図２から理解されるように、基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１０を有しており、基板Ｗは複数種の処理液で処理され得ることが好ましい。ただし、ここでは、説明が過度に複雑になることを避ける目的で、１つの基板処理ユニット１０に対して１種類の処理液が供給される態様を説明する。
図３に示すように、基板処理装置１００は、調製槽１１２と、ポンプ１１４と、バルブ１１５と、フィルタユニット１４０と、検出器１１６と、バルブ１１７とを備える。なお、ポンプ１１４は、本発明の「加圧部」の一例である。バルブ１１５は、本発明の「第１バルブ」の一例である。バルブ１１７は、本発明の「第２バルブ」の一例である。
調製槽１１２は、処理液を貯留する。処理液は、基板処理ユニット１０に供給され、基板Ｗを処理する。典型的には、処理液は、薬液である。ただし、処理液は、洗浄液であってもよい。処理液は、調製槽１１２において調製される。典型的には、調製槽１１２は、処理液キャビネット１１０に配置される。
配管３２は、調製槽１１２と基板処理ユニット１０とを連絡する。配管３２には、ポンプ１１４、バルブ１１５、フィルタユニット１４０、検出器１１６、バルブ１１７およびバルブ３６が取り付けられる。ポンプ１１４、バルブ１１５、フィルタユニット１４０、検出器１１６、バルブ１１７およびバルブ３６は、処理液供給部３０を構成する。なお、図３では、バルブ３６は１つだけ描かれているが、バルブ３６は、ノズル３４毎に設けられる。このため、１つのフィルタユニット１４０に対して複数のバルブ３６が配置されている。
処理液キャビネット１１０は、筐体１１１を有する。典型的には、筐体１１１内に、調製槽１１２、ポンプ１１４、バルブ１１５、フィルタユニット１４０、検出器１１６およびバルブ１１７が収容される。
処理液ボックス１２０は、筐体１２１を有する。典型的には、バルブ３６は、筐体１２１に収容される。
配管３２は、処理液キャビネット１１０から処理液ボックス１２０を通過して基板処理ユニット１０まで延びる。処理液は、調製槽１１２において調製された後、調製槽１１２から配管３２を通って基板処理ユニット１０まで流れる。例えば、配管３２は、樹脂から形成される。
ポンプ１１４は、調製槽１１２の処理液をノズル３４に向けて送る。第１実施形態では、ポンプ１１４は、処理液に対する加圧力を変更可能である。つまり、ポンプ１１４は、出力を変更可能である。また、第１実施形態では、後述するように、ポンプ１１４は、基板Ｗを処理液により処理する基板処理中に、フィルタ１４１に対する処理液の圧力が第１圧力となるように、処理液を加圧する。また、ポンプ１１４は、基板Ｗを処理液により処理しない非基板処理中に、フィルタ１４１に対する処理液の圧力が第１圧力よりも高い第２圧力となるように、処理液を加圧する。なお、第２圧力は、第１圧力よりも高ければ、特に限定されるものではないが、例えば、処理液の圧力が作用する部品または機器等の耐圧の最小値であってもよい。言い換えると、第２圧力は、例えば、バルブ１１５、フィルタユニット１４０、検出器１１６、バルブ１１７のうち、最も耐圧性の低い部品または機器等の耐圧と同じ大きさであってもよい。具体的には、例えば、バルブ１１５、フィルタユニット１４０、検出器１１６、バルブ１１７のうち、最も耐圧性の低い部品または機器等の耐圧が０．５ＭＰａである場合、第２圧力は、０．５ＭＰａであってもよい。
バルブ１１５は、後述するフィルタ１４１の上流側で配管３２に接続される。バルブ１１５は、配管３２内の流路を開閉する。詳細には、バルブ１１５は、配管３２のうちフィルタユニット１４０よりも上流側の上流部分３２ａの流路を開閉する。バルブ１１５は、配管３２の開度を調節して、配管３２に供給される処理液の流量を調整する。具体的には、バルブ１１５は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
フィルタユニット１４０は、配管３２に取り付けられる。フィルタユニット１４０は、配管３２に対して着脱可能である。フィルタユニット１４０が配管３２に取り付けられた場合、処理液は、フィルタユニット１４０を流れる。一方で、フィルタユニット１４０は、配管３２から取り外しできる。このため、フィルタユニット１４０が劣化すると、フィルタユニット１４０は交換される。
フィルタユニット１４０は、例えば、樹脂から形成される。典型的には、フィルタユニット１４０は、樹脂成型によって形成される。一例では、フィルタユニット１４０は、樹脂成形物を金属の加工具で切削することによって作製される。なお、フィルタユニット１４０は、金属から形成されてもよい。
フィルタユニット１４０は、配管３２内を流れる処理液をろ過する。フィルタユニット１４０は、フィルタ１４１と、フィルタハウジング１４２とを含む。フィルタ１４１は、配管３２に配置される。フィルタ１４１は、例えば、多孔質形状を有する。フィルタ１４１は、処理液の液体成分を通過させる。一方、フィルタ１４１は、処理液に含有されるパーティクルを捕捉する。具体的には、フィルタ１４１は、多数の孔を有する。第１本実施形態では、フィルタ１４１は、パーティクルを物理的に捕捉することに加え、静電気的にも捕捉する。つまり、フィルタ１４１は、孔よりも大きいパーティクルを捕捉することに加え、孔よりも小さいパーティクルを静電気的な効果で捕捉する。なお、パーティクルは、例えば、固体である。パーティクルは、特に限定されるものではないが、例えば、樹脂または金属からなる。
フィルタハウジング１４２は、フィルタ１４１を収容する。フィルタハウジング１４２は、フィルタ１４１の上流側に配置される上流室１４２ａと、フィルタ１４１の下流側に配置される下流室１４２ｂとを有する。なお、上流室１４２ａおよび下流室１４２ｂに、気体を外部に排出するためのベント管、および、液体を外部に排出するためのドレイン管が接続されていてもよい。
検出器１１６は、フィルタ１４１を通過する処理液の圧力または流量を検出する。つまり、検出器１１６は、例えば、フィルタ１４１を通過する処理液の圧力を検出する圧力計、または、フィルタ１４１を通過する処理液の流量を検出する流量計である。第１実施形態では、検出器１１６は、流量計である。なお、検出器１１６は、フィルタ１４１に対して下流側に配置されることが好ましいが、上流側に配置されてもよい。
バルブ１１７は、フィルタ１４１の下流側で配管３２に配置される。バルブ１１７は、配管３２内の流路を開閉する。詳細には、バルブ１１７は、配管３２のうちフィルタユニット１４０よりも下流側の下流部分３２ｂの流路を開閉する。バルブ１１７は、配管３２の開度を調節して、配管３２を通過する処理液の流量を調整する。具体的には、バルブ１１７は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。
基板処理装置１００は、下流側配管１６１と、バルブ１６２とを備える。
下流側配管１６１は、フィルタ１４１の下流側で配管３２に接続される。下流側配管１６１は、フィルタ１４１の下流側で、配管３２の下流部分３２ｂに接続される。第１実施形態では、下流側配管１６１は、配管３２に直接接続される。言い換えると、下流側配管１６１は、フィルタユニット１４０を介さずに配管３２に接続される。
バルブ１６２は、下流側配管１６１に配置される。バルブ１６２は、下流側配管１６１内の流路の開度を調節して、下流側配管１６１を通過する液体の流量を調節する。具体的には、バルブ１６２は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。なお、バルブ１６２は、本発明の「第４バルブ」の一例である。
次に、図１～図４を参照して、第１実施形態の基板処理装置１００を説明する。図４は、第１実施形態の基板処理装置１００のブロック図である。
図４に示すように、制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部２０、処理液供給部３０およびバルブ１６２を制御する。具体的には、制御装置１０１は、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部２０、処理液供給部３０およびバルブ１６２に制御信号を送信することによって、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、基板保持部２０、処理液供給部３０およびバルブ１６２を制御する。
さらに具体的には、制御部１０２は、インデクサーロボットＩＲを制御して、インデクサーロボットＩＲによって基板Ｗを受け渡しする。
制御部１０２は、センターロボットＣＲを制御して、センターロボットＣＲによって基板Ｗを受け渡しする。例えば、センターロボットＣＲは、未処理の基板Ｗを受け取って、複数の基板処理ユニット１０のうちのいずれかに基板Ｗを搬入する。また、センターロボットＣＲは、処理された基板Ｗを基板処理ユニット１０から受け取って、基板Ｗを搬出する。
制御部１０２は、基板保持部２０を制御して、基板Ｗの回転の開始、回転速度の変更および基板Ｗの回転の停止を制御する。例えば、制御部１０２は、基板保持部２０を制御して、基板保持部２０の回転数を変更することができる。具体的には、制御部１０２は、基板保持部２０の電動モーター２４の回転数を変更することによって、基板Ｗの回転数を変更できる。
制御部１０２は、バルブ１１５、バルブ１１７およびバルブ３６を制御して、バルブ１１５、バルブ１１７およびバルブ３６の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１０２は、バルブ１１５を開状態または閉状態にすることによって、配管３２の上流部分３２ａ内の液体を通過させたり、通過させなかったりすることができる。また、制御部１０２は、バルブ１１７を開状態または閉状態にすることによって、配管３２の下流部分３２ｂ内の液体を通過させたり、通過させなかったりすることができる。また、制御部１０２は、バルブ３６を開状態または閉状態にすることによって、バルブ１１７を通過した液体をノズル３４に供給したり、供給しなかったりすることができる。
制御部１０２は、ポンプ１１４を制御して、調製槽１１２内の液体を下流側に送り出す。具体的には、制御部１０２は、ポンプ１１４を駆動することによって、調製槽１１２内の液体をノズル３４に向けて送り出す。制御部１０２には、検出器１１６の計測結果が送られる。
制御部１０２は、バルブ１６２を制御して、バルブ１６２の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部１０２は、バルブ１６２を開状態または閉状態にすることによって、下流側配管１６１内の液体を通過させたり、通過させなかったりすることができる。
上述したように、記憶部１０４は、複数のレシピデータを記憶してもよい。複数のレシピは、フィルタユニット１４０に詰まったパーティクルを除去する処理内容および処理手順を規定してもよい。パーティクルを除去するレシピは、例えば、処理液キャビネット１１０の動作内容および動作手順を規定するレシピに含まれていてもよい。
第１実施形態の基板処理装置１００は、半導体素子を形成するために好適に用いられる。例えば、基板処理装置１００は、積層構造の半導体素子として用いられる基板Ｗを処理するために好適に利用される。半導体素子は、いわゆる３Ｄ構造のメモリ（記憶装置）である。一例として、基板Ｗは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリとして好適に用いられる。
次に、図５、図６Ａおよび図６Ｂを参照して、第１実施形態の基板処理装置１００によるフィルタ１４１のパーティクル除去方法について説明する。図５は、第１実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去方法を示すフローチャートである。図６Ａおよび図６Ｂは、第１実施形態のパーティクル除去方法を説明するための模式図であり、フィルタユニット１４０周辺における液の流れを矢印で示す図である。第１実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去方法は、ステップＳ１０１～ステップＳ１０４を含む。ステップＳ１０１～ステップＳ１０４は、制御部１０２によって実行される。なお、ステップＳ１０１は、本発明の「基板処理工程」の一例である。また、ステップＳ１０３は、本発明の「非基板処理工程」の一例である。
図５に示すように、ステップＳ１０１において、制御部１０２は、配管３２を通過する処理液の流量が閾値未満であるか否かを判定する。閾値は、予め決められた値である。具体的には、ステップＳ１０１では、バルブ１１５およびバルブ１１７は、開状態になっており、バルブ１６２は、閉状態になっている（図６Ａ参照）。バルブ３６は、基板Ｗに対して処理液を吐出するタイミングに合わせて開状態と閉状態とに切り替えられる。つまり、ステップＳ１０１では、配管３２に配置されたフィルタ１４１に対して処理液を通液する。また、ステップＳ１０１では、処理液を配管３２に流通して基板処理ユニット１０に供給することによって、基板Ｗを処理液により処理することが可能である。なお、ステップＳ１０１（基板処理工程）において、フィルタ１４１に対する処理液の圧力は、第１圧力である。
ステップＳ１０１で、制御部１０２は、配管３２を処理液が通過可能な状態（例えば、バルブ３６が開状態）において、検出器１１６の計測値が閾値未満であるか否かを判定する。なお、例えば、フィルタ１４１が新品の状態では、検出器１１６の計測値は閾値以上を示す。一方、フィルタ１４１にパーティクルが詰まると、フィルタ１４１を通過する処理液の流量が低下するため、検出器１１６の計測値は低下する。そして、フィルタ１４１に詰まるパーティクルの量が所定量以上になると、検出器１１６の計測値は、閾値未満になる。なお、計測値は、本発明の「検出値」の一例である。
ステップＳ１０１で、配管３２を通過する処理液の流量が閾値以上であると制御部１０２が判定した場合、処理はステップＳ１０１を繰り返す。言い換えると、検出器１１６の計測値が閾値以上である場合、処理はステップＳ１０１を繰り返す。
一方、ステップＳ１０１で、配管３２を通過する処理液の流量が閾値未満であると制御部１０２が判定した場合、処理はステップＳ１０２に進む。言い換えると、検出器１１６の計測値が閾値未満である場合、処理はステップＳ１０２に進む。
次に、ステップＳ１０２において、制御部１０２は、処理液の供給を停止する。具体的には、制御部１０２は、バルブ１１７を開状態から閉状態に切り替える。
次に、ステップＳ１０３において、制御部１０２は、液を加圧してフィルタ１４１に通液する。第１実施形態では、制御部１０２は、処理液を加圧してフィルタ１４１に通液する。具体的には、制御部１０２は、バルブ１６２を閉状態から開状態に切り替える。また、制御部１０２は、ポンプ１１４の出力をステップＳ１０１（基板処理工程）に比べて高くする。これにより、図６Ｂに示すように、調製槽１１２内の処理液は、配管３２およびフィルタユニット１４０を通過した後、下流側配管１６１を介して排出される。このとき、フィルタ１４１に対する処理液の圧力（第２圧力）は、ステップＳ１０１におけるフィルタ１４１に対する処理液の圧力（第１圧力）に比べて高い。このため、処理液がフィルタ１４１を通過することによって、フィルタ１４１に詰まったパーティクルが除去される。つまり、フィルタ１４１の通液性能が回復する。なお、ステップＳ１０３（非基板処理工程）において、フィルタ１４１に対する処理液の圧力は、第２圧力である。そして、制御部１０２は、所定時間経過後、バルブ１６２を開状態から閉状態に戻す。また、制御部１０２は、ポンプ１１４の出力をステップＳ１０１におけるポンプ１１４の出力と同じ大きさにする。
次に、ステップＳ１０４において、制御部１０２は、処理液の供給を再開する。具体的には、制御部１０２は、バルブ１１７を閉状態から開状態に切り替える。これにより、図６Ａに示すように、調製槽１１２内の処理液は、フィルタユニット１４０およびバルブ１１７を通過する。
以上のようにして、第１実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去が終了する。
以上、図１～図５、図６Ａおよび図６Ｂを参照して本発明の第１実施形態を説明した。第１実施形態では、上記のように、ポンプ１１４は、基板Ｗを処理しない非基板処理中（例えば、ステップＳ１０３）に、フィルタ１４１に対する処理液の圧力が、基板処理中（例えば、ステップＳ１０１）の第１圧力よりも高い第２圧力となるように、処理液を加圧する。従って、フィルタ１４１に詰まったパーティクルを除去できる。つまり、フィルタ１４１の通液性能を回復することができる。よって、フィルタ１４１の交換頻度を抑制できる。その結果、環境負荷を低減できる。
なお、フィルタ１４１に対する処理液の圧力を第２圧力にすることによって、フィルタ１４１の通液性能を回復することができるのは、以下の理由によるものと考えられる。すなわち、処理液の圧力を第１圧力よりも高い第２圧力にすることによって、フィルタ１４１がパーティクルを静電気的に捕捉する力よりも大きい力がパーティクルに作用し、パーティクルがフィルタ１４１の孔を通過するためであると考えられる。
また、フィルタ１４１の交換頻度を抑制することによって、フィルタ１４１の交換および復旧のための時間（ダウンタイムともいう）を少なくできる。
また、上記のように、非基板処理中に、処理液を、フィルタ１４１の上流側から、フィルタ１４１を介して下流側配管１６１に通過させる。従って、処理液を用いてフィルタ１４１に詰まったパーティクルを除去することができる。よって、後述するように除去液を用いる場合と異なり、除去液を供給するための配管を設ける必要がない。また、除去液を用いる場合と異なり、処理液と除去液とが混ざる、または、接触することがない。
また、上記のように、フィルタ１４１を通過する処理液の流量を計測する。従って、直接的に観察することが困難なパーティクルの詰まりを、検出器１１６を用いて容易に確認することができる。そして、処理液の流量が閾値未満である場合に、除去液を、調製槽１１２からフィルタ１４１を介して下流側配管１６１に通過させる。従って、大量のパーティクルが詰まる前に、パーティクル除去を行うことができる。よって、パーティクル除去の際に、フィルタ１４１に対する処理液の通液にかかる時間が長くなることを抑制できる。
（第２実施形態）
次に、図７および図８を参照して、本発明の第２実施形態による基板処理装置１００について説明する。図７は、第２実施形態の基板処理装置１００における配管構成を説明するための模式図である。第２実施形態では、配管３２の上流部分３２ａにヒータ１１３を設ける例について説明する。
図７に示すように、基板処理装置１００は、ヒータ１１３を備える。なお、ヒータ１１３は、本発明の「加熱部」の一例である。
ヒータ１１３は、フィルタ１４１を通過する液を加熱する。第２実施形態では、ヒータ１１３は、フィルタ１４１を通過する処理液を加熱する。また、第２実施形態では、ヒータ１１３は、配管３２の上流部分３２ａに配置される。なお、第２実施形態では、ヒータ１１３は、ポンプ１１４よりも上流側に配置されるが、フィルタ１４１よりも上流側に配置されるのであれば、ヒータ１１３の配置位置は特に限定されない。つまり、ヒータ１１３は、例えば、ポンプ１１４とバルブ１１５との間に配置されてもよいし、バルブ１１５とフィルタ１４１との間に配置されてもよい。
また、第２実施形態では、ヒータ１１３は、基板処理中に、フィルタ１４１を通過する処理液の温度が第１温度となるように、処理液を加熱する。なお、第２実施形態において、ヒータ１１３は、調製槽１１２からの処理液が第１温度である場合、処理液を加熱しなくてもよい。また、ヒータ１１３は、非基板処理中に、フィルタ１４１を通過する処理液の温度が第１温度よりも高い第２温度となるように、処理液を加熱する。第２温度は、第１温度よりも、例えば５℃以上１５℃以下高い温度である。ヒータ１１３は、制御部１０２に制御される。なお、第１温度および第２温度の各々は、所定の温度範囲を有してもよい。
第２実施形態のその他の構成は、第１実施形態と同様である。
次に、図６Ａ、図６Ｂおよび図８を参照して、第２実施形態の基板処理装置１００によるフィルタ１４１のパーティクル除去方法について説明する。図８は、第２実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去方法を示すフローチャートである。第２実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去方法は、ステップＳ１０１、Ｓ１０２、Ｓ１０２１、Ｓ１０３、Ｓ１０３１、Ｓ１０４を含む。
図８に示すように、ステップＳ１０１において、制御部１０２は、配管３２を通過する処理液の流量が閾値未満であるか否かを判定する。なお、基板処理中であるステップＳ１０１（基板処理工程）において、ヒータ１１３は、フィルタ１４１を通過する処理液の温度が第１温度となるように、処理液を加熱する。また、ステップＳ１０１において、フィルタ１４１に対する処理液の圧力は、第１圧力である。
ステップＳ１０１で、配管３２を通過する処理液の流量が閾値以上であると制御部１０２が判定した場合、処理はステップＳ１０１を繰り返す。
一方、ステップＳ１０１で、配管３２を通過する処理液の流量が閾値未満であると制御部１０２が判定した場合、処理はステップＳ１０２に進む。
次に、ステップＳ１０２において、制御部１０２は、処理液の供給を停止する。
次に、ステップＳ１０２１において、制御部１０２は、ヒータ１１３を制御して液を加熱する。第２実施形態では、制御部１０２は、ヒータ１１３を制御して処理液を加熱する。具体的には、制御部１０２は、ヒータ１１３の出力を、ステップＳ１０１（基板処理中）に比べて高くする。これにより、処理液の温度は、第２温度、または、第２温度よりも高い温度になる。
次に、ステップＳ１０３において、制御部１０２は、液を加圧してフィルタ１４１に通液する。第２実施形態では、制御部１０２は、処理液を加圧してフィルタ１４１に通液する。これにより、調製槽１１２内の処理液は、ヒータ１１３によって加熱されポンプ１１４によって加圧された状態で、フィルタユニット１４０を通過した後、下流側配管１６１を介して排出される。このとき、フィルタ１４１を通過する処理液の温度は、ステップＳ１０１においてフィルタ１４１を通過する処理液の温度に比べて高い。このため、フィルタ１４１の温度が高くなることに起因して孔のサイズが大きくなり、パーティクルが孔を通過しやすくなる。また、パーティクルの温度が高くなることに起因してパーティクルが変形しやすくなり、パーティクルが孔を通過しやすくなる。よって、処理液がフィルタ１４１を通過することによって、フィルタ１４１に詰まったパーティクルが除去される。
次に、ステップＳ１０３１において、制御部１０２は、ヒータ１１３の出力を、ステップＳ１０１における出力に戻す。つまり、制御部１０２は、ヒータ１１３の出力をステップＳ１０１におけるヒータ１１３の出力と同じ大きさにする。
次に、ステップＳ１０４において、制御部１０２は、処理液の供給を再開する。
以上のようにして、第２実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去が終了する。
第２実施形態では、上記のように、ヒータ１１３は、非基板処理中（ステップＳ１０３）に、フィルタ１４１を通過する処理液の温度が第１温度よりも高い第２温度となるように、処理液を加熱する。従って、フィルタ１４１に詰まったパーティクルがより除去されやすくなる。よって、フィルタ１４１に詰まったパーティクルを容易に除去できる。つまり、フィルタ１４１の通液性能を容易に回復することができる。よって、フィルタ１４１の交換頻度を容易に抑制できる。その結果、環境負荷を容易に低減できる。
第２実施形態のその他のパーティクル除去方法およびその他の効果は、第１実施形態と同様である。
（第３実施形態）
次に、図９、図１０、図１１Ａおよび図１１Ｂを参照して、本発明の第３実施形態による基板処理装置１００について説明する。図９は、第３実施形態の基板処理装置１００における配管構成を説明するための模式図である。第３実施形態では、第１実施形態および第２実施形態とは異なり、基板処理装置１００が上流側配管１５１および除去液供給部１６５をさらに備える例について説明する。
図９に示すように、基板処理装置１００は、上流側配管１５１および除去液供給部１６５をさらに備える。なお、ポンプ１１４および除去液供給部１６５は、本発明の「加圧部」の一例である。
上流側配管１５１は、フィルタ１４１の上流側で配管３２に接続される。上流側配管１５１は、フィルタ１４１の上流側で、配管３２の上流部分３２ａに接続される。第３実施形態では、上流側配管１５１は、配管３２に直接接続される。言い換えると、上流側配管１５１は、フィルタユニット１４０を介さずに配管３２に接続される。
基板処理装置１００は、バルブ１５２を備える。バルブ１５２は、上流側配管１５１に配置される。バルブ１５２は、上流側配管１５１内の流路の開度を調節して、上流側配管１５１を通過する液体の流量を調節する。具体的には、バルブ１５２は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。なお、バルブ１５２は、本発明の「第３バルブ」の一例である。
除去液供給部１６５は、上流側配管１５１および下流側配管１６１の一方に接続される。除去液供給部１６５は、フィルタ１４１に詰まったパーティクルを除去する除去液を、上流側配管１５１および下流側配管１６１の一方に供給する。第３実施形態では、除去液供給部１６５は、上流側配管１５１に接続され、除去液を上流側配管１５１に供給する。除去液供給部１６５は、例えば、除去液を加圧して送り出すポンプを含む。除去液供給部１６５は、除去液を貯留するタンクを含んでもよい。除去液は、パーティクルを除去する液であれば特に限定されないが、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）、塩酸を含む液、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）またはＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）を含む。第３実施形態では、除去液は、ＤＩＷを含む。
また、除去液は、処理液とは異なる種類の液であることが好ましい。例えば、除去液としてＤＩＷを用いる場合、フィルタ１４１に詰まったパーティクルを除去する際の処理液の使用量を削減できる。よって、環境負荷をより低減できる。また、例えば、除去液は、処理液が溶かさないパーティクルを溶かす種類の液であってもよい。この場合、除去液をフィルタ１４１に通液することによって、パーティクルを溶かすことができるので、フィルタ１４１に詰まったパーティクルを効率良く除去することができる。
第３実施形態のその他の構成は、第１実施形態と同様である。
次に、図１０、図１１Ａおよび図１１Ｂを参照して、第３実施形態の基板処理装置１００によるフィルタ１４１のパーティクル除去方法について説明する。図１０は、第３実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去方法を示すフローチャートである。図１１Ａおよび図１１Ｂは、第３実施形態のパーティクル除去方法を説明するための模式図であり、フィルタユニット１４０周辺における液の流れを矢印で示す図である。第３実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去方法は、ステップＳ１０１、Ｓ１０２、Ｓ１０３ａ、Ｓ１０４を含む。第３実施形態のステップＳ１０３ａは、第１実施形態のステップＳ１０３に対応している。なお、ステップＳ１０３ａは、本発明の「非基板処理工程」の一例である。
図１０に示すように、ステップＳ１０１において、制御部１０２は、配管３２を通過する処理液の流量が閾値未満であるか否かを判定する。なお、ステップＳ１０１では、バルブ１１５およびバルブ１１７は、開状態となっており、バルブ１５２およびバルブ１６２は、閉状態となっている（図１１Ａ参照）。
ステップＳ１０１で、配管３２を通過する処理液の流量が閾値以上であると制御部１０２が判定した場合、処理はステップＳ１０１を繰り返す。
一方、ステップＳ１０１で、配管３２を通過する処理液の流量が閾値未満であると制御部１０２が判定した場合、処理はステップＳ１０２に進む。
次に、ステップＳ１０２において、制御部１０２は、処理液の供給を停止する。
次に、ステップＳ１０３ａにおいて、制御部１０２は、除去液を加圧してフィルタ１４１に通液する。具体的には、制御部１０２は、バルブ１５２およびバルブ１６２を閉状態から開状態に切り替える。これにより、図１１Ｂに示すように、除去液供給部１６５の除去液は、上流側配管１５１およびフィルタユニット１４０を通過した後、下流側配管１６１を介して排出される。このとき、除去液供給部１６５は、フィルタ１４１に対する除去液の圧力が、ステップＳ１０１におけるフィルタ１４１に対する処理液の圧力に比べて高くなるように、除去液を加圧する。このため、除去液がフィルタ１４１を通過することによって、フィルタ１４１に詰まったパーティクルが除去される。そして、制御部１０２は、所定時間経過後、バルブ１５２およびバルブ１６２を開状態から閉状態に戻す。
次に、ステップＳ１０４において、制御部１０２は、処理液の供給を再開する。具体的には、制御部１０２は、バルブ１１５およびバルブ１１７を閉状態から開状態に切り替える。これにより、図１１Ａに示すように、調製槽１１２内の処理液は、フィルタユニット１４０およびバルブ１１７を通過する。
以上のようにして、第３実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去が終了する。
第３実施形態のその他のパーティクル除去方法は、第１実施形態と同様である。
第３実施形態では、上記のように、除去液は、処理液とは異なる種類の液である。つまり、フィルタ１４１に詰まったパーティクルを除去する際に、フィルタ１４１に処理液とは異なる除去液を通液する。従って、処理液の使用量を削減できる。よって、環境負荷をより低減することが可能である。
また、第３実施形態では、上記のように、フィルタ１４１の上流側で配管３２に接続される上流側配管１５１と、フィルタ１４１の下流側で配管３２に接続される下流側配管１６１とを設けることによって、処理液とは異なる種類の除去液を、容易にフィルタ１４１に通液することができる。
第３実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
（第１変形例）
次に、図１２および図１３を参照して、本発明の第１変形例による基板処理装置１００について説明する。図１２は、第１変形例の基板処理装置１００における配管構成を説明するための模式図である。第１変形例では、第３実施形態とは異なり、配管３２の上流部分３２ａにヒータ１１３が設けられるとともに、上流側配管１５１にヒータ１５３が設けられる例について説明する。
図１２に示すように、基板処理装置１００は、ヒータ１１３およびヒータ１５３を備える。なお、ヒータ１１３およびヒータ１５３は、本発明の「加熱部」の一例である。
ヒータ１１３の構成は、第２実施形態のヒータ１１３と同様である。ただし、第１変形例では、非基板処理中におけるヒータ１１３の出力は、基板処理中におけるヒータ１１３の出力と同じであってもよい。
ヒータ１５３は、フィルタ１４１を通過する除去液を加熱する。また、ヒータ１５３は、上流側配管１５１に配置される。なお、第１変形例では、ヒータ１５３は、バルブ１５２よりも上流側に配置されるが、フィルタ１４１よりも上流側に配置されるのであれば、ヒータ１５３の配置位置は特に限定されない。つまり、ヒータ１５３は、例えば、バルブ１５２よりも下流側に配置されてもよい。
また、第１変形例では、ヒータ１５３は、非基板処理中に、フィルタ１４１を通過する除去液の温度が第１温度よりも高い第２温度となるように、除去液を加熱する。なお、ヒータ１５３は、制御部１０２に制御される。
第１変形例のその他の構成は、第３実施形態と同様である。
次に、図１３を参照して、第１変形例の基板処理装置１００によるフィルタ１４１のパーティクル除去方法について説明する。図１３は、第１変形例のフィルタ１４１のパーティクル除去方法を示すフローチャートである。第１変形例のフィルタ１４１のパーティクル除去方法は、ステップＳ１０１、Ｓ１０２、Ｓ１０２２、Ｓ１０３ａ、Ｓ１０３２、Ｓ１０４を含む。
図１３に示すように、ステップＳ１０１およびＳ１０２は、第２実施形態と同様である。ステップＳ１０２の後、処理は、ステップＳ１０２２に進む。
次に、ステップＳ１０２２において、制御部１０２は、ヒータ１５３を駆動（オン）して除去液を加熱する。具体的には、制御部１０２は、非基板処理中に、フィルタ１４１を通過する除去液の温度が第１温度よりも高い第２温度となるように、除去液を加熱する。例えば、ヒータ１５３の出力は、ヒータ１１３の出力よりも高い。
次に、ステップＳ１０３ａにおいて、制御部１０２は、除去液を加圧してフィルタ１４１に通液する。具体的には、制御部１０２は、バルブ１５２およびバルブ１６２を閉状態から開状態に切り替える。これにより、除去液供給部１６５の除去液は、上流側配管１５１およびフィルタユニット１４０を通過した後、下流側配管１６１を介して排出される。このとき、ヒータ１５３は、フィルタ１４１を通過する除去液の温度が、ステップＳ１０１においてフィルタ１４１を通過する処理液の温度に比べて高くなるように、除去液を加熱する。このため、除去液は、ヒータ１５３によって加熱され除去液供給部１６５によって加圧された状態で、フィルタユニット１４０を通過した後、下流側配管１６１を介して排出される。また、このとき、フィルタ１４１を通過する除去液の温度は、ステップＳ１０１においてフィルタ１４１を通過する処理液の温度に比べて高い。このため、フィルタ１４１の温度が高くなることに起因して孔のサイズが大きくなり、パーティクルが孔を通過しやすくなる。また、パーティクルの温度が高くなることに起因してパーティクルが変形しやすくなり、パーティクルが孔を通過しやすくなる。よって、除去液がフィルタ１４１を通過することによって、フィルタ１４１に詰まったパーティクルが除去される。そして、制御部１０２は、所定時間経過後、バルブ１５２およびバルブ１６２を開状態から閉状態に戻す。
次に、ステップＳ１０３２において、制御部１０２は、ヒータ１５３を駆動停止（オフ）して除去液の加熱を停止する。
次に、ステップＳ１０４において、制御部１０２は、処理液の供給を再開する。
以上のようにして、第１変形例のフィルタ１４１のパーティクル除去が終了する。
第１変形例のその他のパーティクル除去方法およびその他の効果は、第２実施形態および第３実施形態と同様である。
（第４実施形態）
次に、図１４、図１５、図１６Ａおよび図１６Ｂを参照して、本発明の第４実施形態による基板処理装置１００について説明する。図１４は、第４実施形態の基板処理装置１００における配管構成を説明するための模式図である。第４実施形態では、第３実施形態とは異なり、除去液が下流側配管１６１から上流側配管１５１に向かって流れる例について説明する。
図１４に示すように、基板処理装置１００は、第３実施形態と同様、上流側配管１５１、下流側配管１６１および除去液供給部１６５を備える。
第４実施形態では、除去液供給部１６５は、下流側配管１６１に接続され、除去液を下流側配管１６１に供給する。つまり、第４実施形態では、除去液は、下流側配管１６１から上流側配管１５１に向かって流れる。
第４実施形態のその他の構成は、第３実施形態と同様である。
次に、図１５、図１６Ａおよび図１６Ｂを参照して、第４実施形態の基板処理装置１００によるフィルタ１４１のパーティクル除去方法について説明する。図１５は、第４実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去方法を示すフローチャートである。図１６Ａおよび図１６Ｂは、第４実施形態のパーティクル除去方法を説明するための模式図であり、フィルタユニット１４０周辺における液の流れを矢印で示す図である。第４実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去方法は、ステップＳ１０１、Ｓ１０２、Ｓ１０３ｂ、Ｓ１０４を含む。第４実施形態のステップＳ１０３ｂは、第３実施形態のステップＳ１０３ａに対応している。なお、ステップＳ１０３ｂは、本発明の「非基板処理工程」の一例である。
図１５に示すように、ステップＳ１０１およびＳ１０２は、第３実施形態と同様である。なお、ステップＳ１０１では、バルブ１１５およびバルブ１１７は、開状態となっており、バルブ１５２およびバルブ１６２は、閉状態となっている（図１６Ａ参照）。ステップＳ１０２の後、処理は、ステップＳ１０３ｂに進む。
次に、ステップＳ１０３ｂにおいて、制御部１０２は、除去液を加圧してフィルタ１４１に通液する。具体的には、制御部１０２は、バルブ１５２およびバルブ１６２を閉状態から開状態に切り替える。これにより、図１６Ｂに示すように、除去液供給部１６５の除去液は、下流側配管１６１およびフィルタユニット１４０を通過した後、上流側配管１５１を介して排出される。このとき、除去液供給部１６５は、フィルタ１４１に対する除去液の圧力が、ステップＳ１０１におけるフィルタ１４１に対する処理液の圧力に比べて高くなるように、除去液を加圧する。このため、除去液がフィルタ１４１を通過することによって、フィルタ１４１に詰まったパーティクルが除去される。そして、制御部１０２は、所定時間経過後、バルブ１５２およびバルブ１６２を開状態から閉状態に戻す。
次に、ステップＳ１０４において、制御部１０２は、処理液の供給を再開する。具体的には、制御部１０２は、バルブ１１５およびバルブ１１７を閉状態から開状態に切り替える。これにより、図１６Ａに示すように、調製槽１１２内の処理液は、フィルタユニット１４０およびバルブ１１７を通過する。
以上のようにして、第４実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去が終了する。
第４実施形態のその他のパーティクル除去方法は、第３実施形態と同様である。
第４実施形態では、上記のように、非基板処理中に、除去液を、下流側配管１６１からフィルタ１４１を介して上流側配管１５１に通過させる。従って、フィルタ１４１の孔よりも大きく物理的に捕捉されたパーティクルも、フィルタ１４１から除去することができる。
第４実施形態のその他の効果は、第３実施形態と同様である。
（第２変形例）
次に、図１７および図１８を参照して、本発明の第２変形例による基板処理装置１００について説明する。図１７は、第２変形例の基板処理装置１００における配管構成を説明するための模式図である。第２変形例では、第４実施形態とは異なり、配管３２の上流部分３２ａにヒータ１１３が設けられるとともに、下流側配管１６１にヒータ１６３が設けられる例について説明する。
図１７に示すように、基板処理装置１００は、ヒータ１１３およびヒータ１６３を備える。なお、ヒータ１１３およびヒータ１６３は、本発明の「加熱部」の一例である。
ヒータ１１３の構成は、第２実施形態のヒータ１１３と同様である。ただし、第１変形例では、非基板処理中におけるヒータ１１３の出力は、基板処理中におけるヒータ１１３の出力と同じであってもよい。
ヒータ１６３は、フィルタ１４１を通過する除去液を加熱する。また、ヒータ１６３は、下流側配管１６１に配置される。なお、第２変形例では、ヒータ１６３は、バルブ１６２よりも上流側に配置されるが、フィルタ１４１よりも上流側に配置されるのであれば、ヒータ１６３の配置位置は特に限定されない。つまり、ヒータ１６３は、例えば、バルブ１６２よりも下流側に配置されてもよい。
また、第２変形例では、ヒータ１６３は、非基板処理中に、フィルタ１４１を通過する除去液の温度が第１温度よりも高い第２温度となるように、除去液を加熱する。なお、ヒータ１６３は、制御部１０２に制御される。
第２変形例のその他の構成は、第４実施形態と同様である。
次に、図１８を参照して、第２変形例の基板処理装置１００によるフィルタ１４１のパーティクル除去方法について説明する。図１８は、第２変形例のフィルタ１４１のパーティクル除去方法を示すフローチャートである。第２変形例のフィルタ１４１のパーティクル除去方法は、ステップＳ１０１、Ｓ１０２、Ｓ１０２３、Ｓ１０３ｂ、Ｓ１０３３、Ｓ１０４を含む。
図１８に示すように、ステップＳ１０１およびＳ１０２は、第４実施形態と同様である。ステップＳ１０２の後、処理は、ステップＳ１０２２に進む。
次に、ステップＳ１０２３において、制御部１０２は、ヒータ１６３を駆動（オン）して除去液を加熱する。具体的には、制御部１０２は、非基板処理中に、フィルタ１４１を通過する除去液の温度が第１温度よりも高い第２温度となるように、除去液を加熱する。例えば、ヒータ１６３の出力は、ヒータ１１３の出力よりも高い。
次に、ステップＳ１０３ｂにおいて、制御部１０２は、除去液を加圧してフィルタ１４１に通液する。具体的には、制御部１０２は、バルブ１５２およびバルブ１６２を閉状態から開状態に切り替える。これにより、除去液供給部１６５の除去液は、下流側配管１６１およびフィルタユニット１４０を通過した後、上流側配管１５１を介して排出される。このとき、ヒータ１６３は、フィルタ１４１を通過する除去液の温度が、ステップＳ１０１においてフィルタ１４１を通過する処理液の温度に比べて高くなるように、除去液を加熱する。このため、除去液は、ヒータ１６３によって加熱され除去液供給部１６５によって加圧された状態で、フィルタユニット１４０を通過した後、上流側配管１５１を介して排出される。また、このとき、フィルタ１４１を通過する除去液の温度は、ステップＳ１０１においてフィルタ１４１を通過する処理液の温度に比べて高い。このため、フィルタ１４１の温度が高くなることに起因して孔のサイズが大きくなり、パーティクルが孔を通過しやすくなる。また、パーティクルの温度が高くなることに起因してパーティクルが変形しやすくなり、パーティクルが孔を通過しやすくなる。よって、除去液がフィルタ１４１を通過することによって、フィルタ１４１に詰まったパーティクルが除去される。そして、制御部１０２は、所定時間経過後、バルブ１５２およびバルブ１６２を開状態から閉状態に戻す。
次に、ステップＳ１０３３において、制御部１０２は、ヒータ１６３を駆動停止（オフ）して除去液の加熱を停止する。
次に、ステップＳ１０４において、制御部１０２は、処理液の供給を再開する。
以上のようにして、第２変形例のフィルタ１４１のパーティクル除去が終了する。
第２変形例のその他のパーティクル除去方法およびその他の効果は、第２実施形態および第４実施形態と同様である。
（第３変形例）
次に、図１９を参照して、本発明の第３変形例による基板処理装置１００について説明する。図１９は、第３変形例の基板処理装置１００における配管構成を説明するための模式図である。第３変形例では、例えば、第１実施形態～第４実施形態とは異なり、下流側配管１６１がフィルタユニット１４０に接続される例について説明する。なお、ここでは、図３に示した第１実施形態の配管構成の一部を変更して説明するが、第１実施形態以外の配管構成の一部を変更してもよい。
図１９に示すように、第３変形例の基板処理装置１００では、下流側配管１６１は、フィルタ１４１の下流側で、配管３２の下流部分３２ｂに接続される。具体的には、下流側配管１６１は、フィルタユニット１４０を介して配管３２に接続される。下流側配管１６１は、フィルタユニット１４０の下流室１４２ｂを介して配管３２に接続される。
第３変形例では、第１実施形態～第３実施形態と同様、フィルタ１４１を通過した液を、下流側配管１６１を介して排出できる。
下流側配管１６１は、例えば、下流室１４２ｂの下部に接続される。例えば、フィルタユニット１４０の下流室１４２ｂに、フィルタ１４１を通過した液体を外部に放出するためのドレイン管が接続されている構成においては、ドレイン管を下流側配管１６１として用いてもよい。言い換えると、予め設けられているドレイン管が、下流側配管１６１を兼ねてもよい。このように構成すれば、別途、下流側配管１６１を設ける必要がないため、基板処理装置１００の部品点数が増加することを抑制できる。
第３変形例のその他の構成、パーティクル除去方法、および、その他の効果は、第１実施形態～第３実施形態と同様である。
（第４変形例）
次に、図２０を参照して、本発明の第４変形例による基板処理装置１００について説明する。図２０は、第４変形例の基板処理装置１００における配管構成を説明するための模式図である。第４変形例では、第３変形例とは異なり、下流側配管１６１がフィルタユニット１４０の下流室１４２ｂの上部に接続される例について説明する。なお、ここでは、図３に示した第１実施形態の配管構成の一部を変更して説明するが、第１実施形態以外の配管構成の一部を変更してもよい。
図２０に示すように、第４変形例の基板処理装置１００では、第３変形例と同様、下流側配管１６１は、フィルタユニット１４０の下流室１４２ｂを介して配管３２に接続される。第４変形例では、第３変形例と同様、フィルタ１４１を通過した液を、下流側配管１６１を介して排出できる。
第４変形例では、下流側配管１６１は、例えば、下流室１４２ｂの上部に接続される。例えば、フィルタユニット１４０の下流室１４２ｂに、フィルタ１４１を通過した気体を外部に放出するためのベント管が接続されている構成においては、ベント管を下流側配管１６１として用いてもよい。言い換えると、予め設けられているベント管が、下流側配管１６１を兼ねてもよい。このように構成すれば、別途、下流側配管１６１を設ける必要がないため、基板処理装置１００の部品点数が増加することを抑制できる。
第４変形例のその他の構成、パーティクル除去方法、および、その他の効果は、第３変形例と同様である。
なお、第３変形例および第４変形例では、下流側配管１６１がフィルタユニット１４０を介して配管３２に接続される例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、上流側配管１５１が、フィルタユニット１４０を介して配管３２に接続されてもよい。具体的には、上流側配管１５１が、フィルタユニット１４０の上流室１４２ａを介して配管３２に接続されてもよい。また、フィルタユニット１４０の上流室１４２ａに、ドレイン管またはベント管が接続されている構成においては、ドレイン管またはベント管を上流側配管１５１として用いてもよい。また、例えば、第４実施形態と同様、除去液を、下流側配管１６１およびフィルタ１４１を通過した後に、上流側配管１５１を介して排出してもよい。
（第５実施形態）
次に、図２１を参照して、本発明の第５実施形態による基板処理装置１００について説明する。第５実施形態では、第１実施形態～第４実施形態等とは異なり、定期的にパーティクル除去を行う例について説明する。なお、ここでは、図５に示した第１実施形態のパーティクル除去方法の一部を変更して説明するが、第１実施形態以外のパーティクル除去方法の一部を変更してもよい。
第５実施形態の基板処理装置１００の構成は、第１実施形態と同様である。ただし、第５実施形態では、基板処理装置１００は、検出器１１６を備えなくてもよい。
図２１は、第５実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去方法を示すフローチャートである。第５実施形態のフィルタ１４１のパーティクル除去方法は、ステップＳ２０１、Ｓ１０２～Ｓ１０４を含む。なお、ステップＳ２０１は、本発明の「基板処理工程」の一例である。ステップＳ２０１では、上記ステップＳ１０１と同様、フィルタ１４１に対して処理液を通液する。また、ステップＳ２０１では、処理液を配管３２に流通して基板処理ユニット１０に供給することによって、基板Ｗを処理液により処理することが可能である。なお、ステップＳ２０１（基板処理工程）において、フィルタ１４１に対する処理液の圧力は、第１圧力である。
図２１に示すように、ステップＳ２０１において、制御部１０２は、所定期間経過したか否かを判定する。所定期間は、予め決められた期間である。所定期間は、例えば、前回、フィルタ１４１が交換またはパーティクル除去されてからの、経過時間または基板処理装置１００の積算駆動時間である。また、所定期間は、例えば、前回、フィルタ１４１が交換またはパーティクル除去されてからの、処理液を通液した積算時間であってもよい。処理液を通液した積算時間は、処理液の流量に対応する。上記所定期間を計測するために、基板処理装置１００は、タイマーまたは流量計を備えることが好ましい。
また、前回、フィルタ１４１が交換された場合の所定期間と、フィルタ１４１がパーティクル除去された場合の所定期間とは、異なっていてもよい。この場合、フィルタ１４１が交換された場合の所定期間は、フィルタ１４１がパーティクル除去された場合の所定期間に比べて長く設定されてもよい。
ステップＳ２０１で、所定期間が経過していないと制御部１０２が判定した場合、処理はステップＳ２０１を繰り返す。
一方、ステップＳ２０１で、所定期間が経過したと制御部１０２が判定した場合、処理はステップＳ１０２に進む。
そして、ステップＳ１０２～ステップＳ１０４が実行される。
第５実施形態のその他のパーティクル除去方法は、第１実施形態と同様である。
第５実施形態では、上記のように、定期的に、除去液を、上流側配管１５１からフィルタ１４１を介して下流側配管１６１に通過させる。従って、大量のパーティクルが詰まる前に、パーティクル除去を行うことができる。よって、フィルタ１４１に対して処理液または除去液を通液する際にかかる時間が長くなることを抑制できる。
第５実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。なお、第５実施形態のステップＳ２０１を、第２実施形態～第４実施形態に適用してもよい。
（第６実施形態）
次に、図２２を参照して、本発明の第６実施形態による基板処理装置１００について説明する。図２２は、第６実施形態の基板処理装置１００における配管構成を説明するための模式図である。第６実施形態では、バルブ１１７を通過した処理液の一部が調製槽１１２に戻る例について説明する。つまり、第６実施形態では、処理液が循環するように配管３２が構成される例について説明する。なお、ここでは、図３に示した第１実施形態の配管構成の一部を変更して説明するが、第１実施形態以外の配管構成の一部を変更してもよい。
図２２に示すように、第６実施形態では、配管３２は、共通配管３２ｃ、分岐配管３２ｄ、戻り配管３２ｅ、共通配管３２ｆおよび分岐配管３２ｇを含む。共通配管３２ｃは、配管３２の下流部分３２ｂに接続される。共通配管３２ｃには、複数（ここでは、４つ）の分岐配管３２ｄが接続される。分岐配管３２ｄは、共通配管３２ｃから分岐する。分岐配管３２ｄは、バルブ１１７を通過した処理液を処理液ボックス１２０に供給する。
戻り配管３２ｅは、共通配管３２ｃに接続される。戻り配管３２ｅは、調製槽１１２まで延びる。戻り配管３２ｅは、共通配管３２ｃを通過した処理液を調製槽１１２に戻す。
共通配管３２ｆは、例えば、処理液ボックス１２０内に配置される。共通配管３２ｆは、分岐配管３２ｄに接続される。また、共通配管３２ｆには、複数（ここでは、３つ）の分岐配管３２ｇが接続される。分岐配管３２ｇは、共通配管３２ｆから分岐する。分岐配管３２ｇは、共通配管３２ｆを通過した処理液をノズル３４に供給する。
第６実施形態では、バルブ１１７を開状態から閉状態に切り替える場合、全ての基板処理ユニット１０における基板処理工程が終了した後に、バルブ１１７を開状態から閉状態に切り替える。
第６実施形態のその他の構成、その他のパーティクル除去方法および効果は、第１実施形態と同様である。なお、第６実施形態の配管構成を第２実施形態～第５実施形態に適用してもよい。
以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば第１実施形態および第２実施形態では、調製槽１１２内の処理液を用いてパーティクルを除去するため、調製槽１１２内の処理液を消費する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、調製槽１１２内の処理液を実質的に消費することなく、パーティクルを除去することも可能である。具体的には、調製槽１１２内の処理液は、例えば定期的に、新しい処理液に交換される。調製槽１１２内の処理液を新しい処理液に交換する際に、排液する処理液を用いてパーティクルを除去してもよい。このように構成すれば、パーティクルを除去するために調製槽１１２内の処理液を消費する必要がない。その結果、処理液の使用量を抑制できるので、環境負荷をより低減できる。
また、例えば第３実施形態および第４実施形態では、処理液とは異なる種類の除去液を用いる例について示したが、本発明はこれに限らない。例えば、処理液と同じ種類の除去液、または、処理液と同じ成分の除去液を用いてもよい。
また、上記実施形態では、バルブ３６、１１５、１１７、１５２および１６２が、液の流量を調整可能なバルブである例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、バルブ３６、１１５、１１７、１５２および１６２は、液の流量を調節できないバルブであってもよい。つまり、バルブ３６、１１５、１１７、１５２および１６２は、流路を開状態または閉状態のみに切り替え可能であってもよい。
また、上記実施形態では、処理液を加圧する加圧部として、ポンプ１１４を用いる例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、調製槽１１２内に圧縮気体を送り込み、圧縮気体によって調製槽１１２内の処理液を配管３２に送り出す構成においては、調製槽１１２内に圧縮空気を送り込むコンプレッサ等の装置を、加圧部として用いてもよい。
本発明は、基板処理装置およびパーティクル除去方法に好適に用いられる。
１０ ：基板処理ユニット
３２ ：配管（処理液配管）
１００ ：基板処理装置
１１３、１５３、１６３ ：ヒータ（加熱部）
１１４ ：ポンプ（加圧部）
１１５ ：バルブ（第１バルブ）
１１６ ：検出器
１１７ ：バルブ（第２バルブ）
１４０ ：フィルタユニット
１４１ ：フィルタ
１４２ａ ：上流室
１４２ｂ ：下流室
１５１ ：上流側配管
１５２ ：バルブ（第３バルブ）
１６１ ：下流側配管
１６２ ：バルブ（第４バルブ）
１６５ ：除去液供給部（加圧部）
Ｓ１０１、Ｓ２０１ ：ステップ（基板処理工程）
Ｓ１０３、Ｓ１０３ａ、Ｓ１０３ｂ ：ステップ（非基板処理工程）
Ｗ ：基板

Claims (19)

  1. 基板を処理するための基板処理ユニットと、
    前記基板処理ユニットに処理液を流通する処理液配管と、
    前記処理液配管に配置され、前記処理液中のパーティクルを捕捉するフィルタを有するフィルタユニットと、
    前記処理液を含む液を加圧して前記フィルタに通過させる加圧部と
    を備え、
    前記加圧部は、前記フィルタに対する前記液の圧力を変更可能であり、
    前記加圧部は、
    前記基板を前記処理液により処理する基板処理中に、前記フィルタに対する前記処理液の圧力が第１圧力となるように、前記処理液を加圧し、
    前記基板を前記処理液により処理しない非基板処理中に、前記フィルタに対する前記液の圧力が前記第１圧力よりも高い第２圧力となるように、前記液を加圧する、基板処理装置。
  2. 前記フィルタを通過する前記液を加熱する加熱部をさらに備え、
    前記基板処理中に、前記フィルタを通過する前記処理液の温度は、第１温度であり、
    前記加熱部は、前記非基板処理中に、前記フィルタを通過する前記液の温度が前記第１温度よりも高い第２温度となるように、前記液を加熱する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記フィルタの上流側で前記処理液配管に接続される上流側配管と、
    前記フィルタの下流側で前記処理液配管に接続される下流側配管と、
    前記上流側配管および前記下流側配管の一方に接続され、前記フィルタに詰まったパーティクルを除去する除去液を、前記上流側配管および前記下流側配管の一方に供給する除去液供給部と
    をさらに備え、
    前記液は、前記除去液を含み、
    前記非基板処理中に、前記除去液を、前記上流側配管および前記下流側配管の一方から、前記フィルタを介して前記上流側配管および前記下流側配管の他方に通過させる、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記フィルタの上流側で前記処理液配管に配置される第１バルブと、
    前記フィルタの下流側で前記処理液配管に配置される第２バルブと、
    前記上流側配管に配置される第３バルブと、
    前記下流側配管に配置される第４バルブと
    をさらに備え、
    前記基板処理中に、前記第３バルブおよび前記第４バルブを閉じ、前記第１バルブおよび前記第２バルブを開くことにより、前記処理液を、前記処理液配管の上流側から、前記フィルタを介して前記処理液配管の下流側に通過させ、
    前記非基板処理中に、前記第１バルブおよび前記第２バルブを閉じ、前記第３バルブおよび前記第４バルブを開くことにより、前記除去液を、前記上流側配管および前記下流側配管の一方から、前記フィルタを介して前記上流側配管および前記下流側配管の他方に通過させる、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記除去液は、前記処理液とは異なる種類の液である、請求項３に記載の基板処理装置。
  6. 前記非基板処理中に、前記除去液を、前記下流側配管から前記フィルタを介して前記上流側配管に通過させる、請求項３に記載の基板処理装置。
  7. 前記フィルタの下流側で前記処理液配管に接続される下流側配管をさらに備え、
    前記非基板処理中に、前記液を、前記フィルタの上流側から、前記フィルタを介して前記下流側配管に通過させる、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  8. 前記フィルタユニットは、前記フィルタの上流側に配置される上流室と、前記フィルタの下流側に配置される下流室とをさらに有し、
    前記下流側配管は、前記下流室を介して前記処理液配管に接続される、請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記処理液配管に配置され、前記フィルタを通過する前記処理液の圧力または流量を検出する検出器をさらに備え、
    前記検出器の検出値が閾値未満である場合、前記加圧部は、前記フィルタに対する前記液の圧力が前記第２圧力となるように、前記液を加圧する、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  10. 前記加圧部は、定期的に、前記フィルタに対する前記液の圧力が前記第２圧力となるように、前記液を加圧する、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  11. 基板処理ユニットに繋がる処理液配管に配置されたフィルタユニットのフィルタを介して、処理液を前記基板処理ユニットに通液し、前記処理液により基板を処理する基板処理工程と、
    前記基板を前記処理液により処理しない非基板処理工程と
    を含み、
    前記基板処理工程において、前記フィルタに対する前記処理液の圧力が第１圧力となるように、前記処理液を前記フィルタに対して通液し、
    前記非基板処理工程において、前記フィルタに対する前記液の圧力が前記第１圧力よりも高い第２圧力となるように、前記液を前記フィルタに対して通液する、パーティクル除去方法。
  12. 前記基板処理工程において、前記フィルタを通過する前記処理液の温度は、第１温度であり、
    前記非基板処理工程において、前記第１温度よりも高い第２温度である前記液を、前記フィルタに対して通液する、請求項１１に記載のパーティクル除去方法。
  13. 前記液は、前記フィルタに詰まったパーティクルを除去する除去液を含み、
    前記非基板処理工程において、前記除去液を、前記フィルタの上流側で前記処理液配管に接続される上流側配管と前記フィルタの下流側で前記処理液配管に接続される下流側配管との一方から、前記フィルタを介して前記上流側配管および前記下流側配管の他方に通過させる、請求項１１または請求項１２に記載のパーティクル除去方法。
  14. 前記除去液は、前記処理液とは異なる種類の液である、請求項１３に記載のパーティクル除去方法。
  15. 前記非基板処理工程において、前記除去液を、前記下流側配管から前記フィルタを介して前記上流側配管に通過させる、請求項１３に記載のパーティクル除去方法。
  16. 前記非基板処理工程において、前記液を、前記フィルタの上流側から前記フィルタを介して、前記フィルタの下流側で前記処理液配管に接続された下流側配管に通過させる、請求項１１または請求項１２に記載のパーティクル除去方法。
  17. 前記フィルタユニットは、前記フィルタの上流側に配置される上流室と、前記フィルタの下流側に配置される下流室とを有し、
    前記下流側配管は、前記下流室を介して前記処理液配管に接続される、請求項１６に記載のパーティクル除去方法。
  18. 前記基板処理工程において前記フィルタを通過する前記処理液の圧力または流量が閾値未満である場合に、前記非基板処理工程を実行する、請求項１１または請求項１２に記載のパーティクル除去方法。
  19. 定期的に、前記非基板処理工程を実行する、請求項１１または請求項１２に記載のパーティクル除去方法。
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