TW202412913A - 基板處理裝置以及微粒去除方法 - Google Patents
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Abstract
基板處理裝置(100)係具備基板處理單元(10)、配管(32)、過濾器單元(140)以及泵(114)。基板處理單元(10)係處理基板(W)。配管(32)係供處理液流通至基板處理單元(10)。過濾器單元(140)係配置於配管(32)。過濾器單元(140)係具有：過濾器(141)，係捕捉處理液中的微粒。泵(114)係將包含處理液的液體加壓從而使該液體通過過濾器(141)。泵(114)係在基板處理中以處理液相對於過濾器(141)之壓力變成第一壓力之方式加壓處理液。泵(114)係在非基板處理中以液體相對於過濾器(141)之壓力變成比第一壓力還高的第二壓力之方式加壓液體。
Description
本發明係有關於一種基板處理裝置以及微粒(particle)去除方法。
以往，已知有一種用以處理基板之基板處理裝置。基板處理裝置係適合使用於製造半導體基板。基板處理裝置係使用藥液等處理液處理基板。處理液係於安裝有過濾器以及閥等之配管流通並處理基板。過濾器係捕捉通過配管內部的處理液所含有的微粒。已經使用過預定時間的過濾器係被更換成新的過濾器。作為此種基板處理裝置，已知有一種液體處理裝置，係具備：筒槽(tank)，係貯留處理液；以及循環管線，係從筒槽拉出並返回至筒槽；並且，經由循環管線對液體處理單元供給處理液(例如參照專利文獻1)。液體處理裝置係具備：過濾器，係去除處理液所含有的微粒。過濾器係配置於循環管線。當過濾器長期間地供處理液流通時，過濾器會因為微粒而發生堵塞。因此，在專利文獻1的液體處理裝置中，從下游側朝上游側對過濾器流通洗淨用流體，藉此從過濾器去除微粒。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-204302號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，隨著近年來半導體的細微化，過濾器係除了具有物理性的捕捉功能之外還具有靜電性的捕捉功能。具體而言，過濾器係除了捕捉比過濾器的孔洞還大的微粒之外，還以靜電性的功效捕捉比孔洞還小的微粒。因此，如專利文獻1般，當從下游側朝上游側對過濾器流通洗淨用流體時，能夠從過濾器去除比孔洞還大的微粒。另一方面，針對以靜電性功效所捕捉的微粒，即使從下游側朝上游側對過濾器流通洗淨用流體，亦難以從過濾器去除。因此，當於過濾器發生堵塞時，需要將堵塞的過濾器更換成新的過濾器。
然而，由於更換過濾器會增加環境負擔，因此從降低環境負擔的觀點來看期望抑制過濾器的更換頻率。
本發明有鑑於上述課題而研創，目的在於提供一種能夠抑制過濾器的更換頻率之基板處理裝置以及微粒去除方法。
[用以解決課題之手段]
本發明的一態樣的基板處理裝置係具備基板處理單元、處理液配管、過濾器單元以及加壓部。前述基板處理單元係處理基板。前述處理液配管係供處理液流通至前述基板處理單元。前述過濾器單元係配置於前述處理液配管。前述過濾器單元係具有：過濾器，係捕捉前述處理液中的微粒。前述加壓部係將包含前述處理液的液體加壓從而使前述液體通過前述過濾器。前述加壓部係能夠變更前述液體相對於前述過濾器之壓力。前述加壓部係在藉由前述處理液處理前述基板之基板處理中，以前述處理液相對於前述過濾器之壓力變成第一壓力之方式加壓前述處理液。前述加壓部係在不藉由前述處理液處理前述基板之非基板處理中，以前述液體相對於前述過濾器之壓力變成比前述第一壓力還高的第二壓力之方式加壓前述液體。
在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步地具備：加熱部，係加熱通過前述過濾器的前述液體。在前述基板處理中，通過前述過濾器的前述處理液的溫度為第一溫度。前述加熱部係在前述非基板處理中以通過前述過濾器的前述液體的溫度變成比前述第一溫度還高的第二溫度之方式加熱前述液體。
在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步地具備上游側配管、下游側配管以及去除液供給部。前述上游側配管係在前述過濾器的上游側處連接於前述處理液配管。前述下游側配管係在前述過濾器的下游側處連接於前述處理液配管。前述去除液供給部係連接於前述上游側配管以及前述下游側配管的一者。前述去除液供給部係將用以去除堵塞於前述過濾器的微粒之去除液供給至前述上游側配管以及前述下游側配管的一者。前述液體係包含前述去除液。前述基板處理裝置係在前述非基板處理中使前述去除液從前述上游側配管以及前述下游側配管的一者經由前述過濾器通過前述上游側配管以及前述下游側配管的另一者。
在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步地具備第一閥、第二閥、第三閥以及第四閥。前述第一閥係在前述過濾器的上游側處配置於前述處理液配管。前述第二閥係在前述過濾器的下游側處配置於前述處理液配管。前述第三閥係配置於前述上游側配管。前述第四閥係配置於前述下游側配管。前述基板處理裝置係在前述基板處理中關閉前述第三閥以及前述第四閥且打開前述第一閥以及前述第二閥，藉此使前述處理液從前述處理液配管的上游側經由前述過濾器通過前述處理液配管的下游側。前述基板處理裝置係在前述非基板處理中關閉前述第一閥以及前述第二閥且打開前述第三閥以及前述第四閥，藉此使前述去除液從前述上游側配管以及前述下游側配管的一者經由前述過濾器通過前述上游側配管以及前述下游側配管的另一者。
在實施形態之一中，前述去除液為與前述處理液不同種類的液體。
在實施形態之一中，前述基板處理裝置係在前述非基板處理中使前述去除液從前述下游側配管經由前述過濾器通過前述上游側配管。
在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步地具備下游側配管。前述下游側配管係在前述過濾器的下游側處連接於前述處理液配管。前述基板處理裝置係在前述非基板處理中使前述液體從前述過濾器的上游側經由前述過濾器通過前述下游側配管。
在實施形態之一中，前述過濾器單元係進一步地具有：上游室，係配置於前述過濾器的上游側；以及下游室，係配置於前述過濾器的下游側。前述下游側配管係經由前述下游室連接於前述處理液配管。
在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步地具備檢測器。前述檢測器係配置於前述處理液配管。前述檢測器係檢測通過前述過濾器的前述處理液的壓力或者流量。在前述檢測器的檢測值未滿臨限值之情形中，前述加壓部係以前述液體相對於前述過濾器之壓力變成前述第二壓力之方式加壓前述液體。
在實施形態之一中，前述加壓部係以前述液體相對於前述過濾器之壓力變成前述第二壓力之方式定期性地加壓前述液體。
依據本發明的另一個態樣，微粒去除方法係包含：基板處理工序，係使處理液經由配置於與基板處理單元相連的處理液配管之過濾器單元的過濾器流動並通過前述基板處理單元，並藉由前述處理液處理基板；以及非基板處理工序，係不藉由前述處理液處理前述基板；在前述基板處理工序中，以前述處理液相對於前述過濾器之壓力變成第一壓力之方式使前述處理液流動並通過前述過濾器；在前述非基板處理工序中，以前述液體相對於前述過濾器之壓力變成比前述第一壓力還高的第二壓力之方式使前述液體流動並通過前述過濾器。
在實施形態之一中，在前述基板處理工序中，通過前述過濾器的前述處理液的溫度為第一溫度；在前述非基板處理工序中，使比前述第一溫度還高的第二溫度的前述液體流動並通過前述過濾器。
在實施形態之一中，前述液體係包含用以去除堵塞於前述過濾器的微粒之去除液；在前述非基板處理工序中，使前述去除液從上游側配管以及下游側配管的一者經由前述過濾器通過前述上游側配管以及前述下游側配管的另一者，前述上游側配管係在前述過濾器的上游側處連接於前述處理液配管，前述下游側配管係在前述過濾器的下游側處連接於前述處理液配管。
在實施形態之一中，前述去除液為與前述處理液不同種類的液體。
在實施形態之一中，在前述非基板處理工序中，使前述去除液從前述下游側配管經由前述過濾器通過前述上游側配管。
在實施形態之一中，在前述非基板處理工序中，使前述液體從前述過濾器的上游側經由前述過濾器通過在前述過濾器的下游側處連接於前述處理液配管之下游側配管。
在實施形態之一中，前述過濾器單元係具有：上游室，係配置於前述過濾器的上游側；以及下游室，係配置於前述過濾器的下游側；前述下游側配管係經由前述下游室連接於前述處理液配管。
在實施形態之一中，在前述基板處理工序中，在通過前述過濾器的前述處理液的壓力或者流量未滿臨限值之情形中，執行前述非基板處理工序。
在實施形態之一中，定期性地執行前述非基板處理工序。
[發明功效]
依據本發明，能提供一種能夠抑制過濾器的更換頻率之基板處理裝置以及微粒去除方法。
以下，參照圖式說明本發明的基板處理裝置以及微粒去除方法的實施形態。此外，圖中針對相同或者相當的部分附上相同的元件符號且不重複說明。此外，為了容易理解本發明，在說明書中會有記載彼此正交的X軸、Y軸以及Z軸之情形。在本實施形態中，X軸以及Y軸係與水平方向平行，Z軸係與鉛直方向平行。
[第一實施形態]
參照圖1至圖5、圖6A以及圖6B說明本發明的第一實施形態的基板處理裝置100。圖1為第一實施形態的基板處理裝置100的示意性的俯視圖。
基板處理裝置100係處理基板W。基板處理裝置100係以對基板W進行蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、膜的至少一部分的去除以及洗淨中的至少一者之方式處理基板W。
基板W係作為半導體基板來使用。基板W係包含半導體晶圓。例如，基板W為略圓板狀。在此，基板處理裝置100係逐片地處理基板W。
如圖1所示，基板處理裝置100係具備複數個基板處理單元10、處理液櫃110、處理液箱120、複數個裝載埠(load port)LP、索引機器人(indexer robot)IR、中心機器人(center robot)CR以及控制裝置101。控制裝置101係控制裝載埠LP、索引機器人IR以及中心機器人CR。控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。
裝載埠LP係分別層疊並收容複數片基板W。索引機器人IR係在裝載埠LP與中心機器人CR之間搬運基板W。中心機器人CR係在索引機器人IR與基板處理單元10之間搬運基板W。基板處理單元10係分別對基板W噴出處理液從而處理基板W。處理液係包含例如藥液、洗淨液以及／或者撥水劑。處理液櫃110係收容處理液。此外，處理液櫃110亦可收容氣體。
具體而言，複數個基板處理單元10係形成複數個塔TW(在圖1中為四個塔TW)，複數個塔TW係以俯視觀看時圍繞中心機器人CR之方式配置。各個塔TW係包含上下地層疊的複數個基板處理單元10(在圖1中為三個基板處理單元10)。處理液箱120係分別與複數個塔TW對應。處理液櫃110內的液體係經由某個處理液箱120被供給至與處理液箱120對應的塔TW所含有的全部的基板處理單元10。此外，處理液櫃110內的氣體係經由任一個處理液箱120被供給至與處理液箱120對應的塔TW所含有的全部的基板處理單元10。
在基板處理裝置100中，於設置有中心機器人CR以及基板處理單元10的區域與設置有處理液櫃110的區域之間配置有交界壁BW。處理液櫃110係區劃基板處理裝置100中的交界壁BW的外側部分的區域的一部分的空間。
典型而言，處理液櫃110係具有用以調製處理液之調製槽(筒槽)。處理液櫃110係可具有一種類的處理液用的調製槽，亦可具有複數種類的處理液用的調製槽。此外，處理液櫃110亦可具有用以使處理液流通之泵、噴嘴以及／或者過濾器。
在此，處理液櫃110係具有第一處理液櫃110A以及第二處理液櫃110B。第一處理液櫃110A以及第二處理液櫃110B係相互對向地配置。
控制裝置101係控制基板處理裝置100的各種動作。
控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。控制部102係具有處理器(processor)。控制部102係具有例如中央處理運算器(亦即CPU(Central Processing Unit；中央處理單元))。或者，控制部102亦可具有泛用的運算器。
記憶部104係記憶資料以及電腦程式。資料係包含處方資料(recipe data)。處方資料係包含用以顯示複數個處方之資訊。複數個處方係分別規定基板W的處理內容以及處理順序。
記憶部104係包含主記憶裝置以及輔助記憶裝置。主記憶裝置係例如為半導體記憶體。輔助記憶裝置係例如為半導體記憶體以及／或者硬碟機(hard disk drive)。記憶部104亦可包含可移媒體(removable media)。控制部102係執行記憶部104所記憶的電腦程式並執行基板處理動作。
接著，參照圖2說明第一實施形態的基板處理裝置100中的基板處理單元10。圖2為第一實施形態的基板處理裝置100中的基板處理單元10的示意圖。
基板處理單元10係具備腔室(chamber)11、基板保持部20以及處理液供給部30。
腔室11為具有內部空間之略箱形狀。腔室11係收容基板W。在此，基板處理裝置100為用以逐片地處理基板W之葉片型，於腔室11逐片地收容基板W。基板W係被收容至腔室11內並在腔室11內被處理。於腔室11收容有基板保持部20以及處理液供給部30各者的至少一部分。
基板保持部20係保持基板W。基板保持部20係以將基板W的上表面(表面)Wa朝向上方並將基板W的背面(下表面)Wb朝向鉛直下方之方式水平地保持基板W。此外，基板保持部20係以保持著基板W的狀態使基板W旋轉。例如，於基板W的上表面Wa設置了形成有凹部(recess)的層疊構造。基板保持部20係在保持著基板W的狀態下直接使基板W旋轉。
例如，基板保持部20亦可為用以夾持基板W的端部之夾持式。或者，基板保持部20亦可具有用以從背面Wb保持基板W之任意的機構。例如，基板保持部20亦可為真空式。在此種情形中，基板保持部20係使屬於非器件(non-device)形成面之基板W的背面Wb的中央部吸附於上表面，藉此水平地保持基板W。或者，基板保持部20亦可組合用以使複數個夾具銷(chuck pin)接觸至基板W的周端面之夾持式與真空式。
例如，基板保持部20係包含自轉基座(spin base)21、夾具(chuck)構件22、軸件(shaft)23、電動馬達24以及殼體(housing)25。夾具構件22係設置於自轉基座21。夾具構件22係夾持基板W。典型而言，於自轉基座21設置有複數個夾具構件22。
軸件23為中空軸。軸件23係沿著旋轉軸線Ax於鉛直方向延伸。於軸件23的上端結合有自轉基座21。基板W係被載置於自轉基座21的上方。
自轉基座21為圓板狀，用以水平地支撐基板W。軸件23係從自轉基座21的中央部朝下方延伸。電動馬達24係對軸件23賦予旋轉力。電動馬達24係使軸件23於旋轉方向旋轉，藉此以旋轉軸線Ax作為中心使基板W以及自轉基座21旋轉。殼體25係圍繞軸件23以及電動馬達24的周圍。
處理液供給部30係對基板W供給處理液。典型而言，處理液供給部30係對基板W的上表面Wa供給處理液。處理液供給部30的至少一部分係被收容於腔室11內。
處理液供給部30係對基板W的上表面Wa供給處理液。處理液亦可包含所謂的藥液。藥液亦可包含例如稀釋氫氟酸(DHF；dilute hydrofluoric acid)、氫氟酸(HF；hydrofluoric acid)、氫氟硝酸(氫氟酸與硝酸(HNO
3)的混合液)、緩衝氫氟酸(BHF；buffered hydrogen fluoride)、氟化銨、HFEG(hydrof luorine ethylene glycol；氫氟酸乙二醇)(氫氟酸與乙二醇的混合液)、磷酸(H
3PO
4)、硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸)、有機鹼(例如TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide；氫氧化四甲銨))、硫酸過氧化氫水混合液(SPM；sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture)、氨水過氧化氫水混合液(ammonia-hydrogen peroxide)(SC1(standard clean-1；第一標準清洗液))、鹽酸過氧化氫水混合液(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture)(SC2(standard clean-2；第二標準清洗液))、異丙醇(IPA；isopropyl alcohol)、界面活性劑、防腐蝕劑或者疏水化劑中的任一者。
或者，處理液亦可包含所謂的洗淨液(清洗(rinse)液)。例如，洗淨液亦可包含去離子水(DIW；deionized water)、碳酸水、電解離子水、臭氧水、氨水、稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水或者還原水(氫水)中的任一者。
處理液供給部30係包含配管32、噴嘴34以及閥36。此外，配管32係相當於本發明的「處理液配管」的一例。噴嘴34係對基板W的上表面Wa噴出處理液。噴嘴34係連接於配管32。從供給源對配管32供給處理液。閥36係將配管32內的流路打開以及關閉。噴嘴34係較佳為構成能夠相對於基板W移動。
閥36係將配管32內的流路打開以及關閉。閥36係調節配管32的開放度，從而調整被供給至配管32的處理液的流量。具體而言，閥36係包含：閥本體(valve body)(未圖示)，係於內部設置有閥座；閥體，係將閥座打開以及關閉；以及致動器(actuator)(未圖示)，係使閥體在開放位置與關閉位置之間移動。
噴嘴34亦能夠移動。噴嘴34係能藉由被控制部102控制的移動機構而於水平方向以及／或者鉛直方向移動。此外，須注意為了避免圖式過於複雜，於本說明書中省略了移動機構。
基板處理單元10係進一步地具備罩杯(cup)80。罩杯80係回收從基板W飛散的處理液。罩杯80係升降。例如，罩杯80係在整個處理液供給部30對基板W供給處理液之期間於鉛直上方上升至基板W的側方為止。在此種情形中，罩杯80係回收藉由基板W的旋轉而從基板W飛散的處理液。此外，當處理液供給部30對基板W供給處理液之期間結束時，罩杯80係從基板W的側方朝鉛直下方下降。
如上所述，控制裝置101係包含控制部102以及記憶部104。控制部102係控制基板保持部20、處理液供給部30以及／或者罩杯80。在一例中，控制部102係控制電動馬達24、閥36以及／或者罩杯80。
本實施形態的基板處理裝置100係適合使用於製作設置有半導體的半導體元件。典型而言，在半導體元件中於基材上層疊有導電層以及絕緣層。基板處理裝置100係在半導體元件的製造時適合使用於導電層以及／或者絕緣層的洗淨以及／或者加工(例如蝕刻、特性變化等)。
此外，在圖2所示的基板處理單元10中，處理液供給部30係能夠供給一種類的處理液。然而，本實施形態並未限定於此。處理液供給部30亦可供給複數種類的處理液。例如，處理液供給部30亦可將用途不同的複數種類的處理液依序供給至基板W。或者，處理液供給部30亦可將用途不同的複數種類的處理液同時地供給至基板W。
接著，參照圖1至圖3說明第一實施形態的基板處理裝置100的配管構成。圖3為用以說明第一實施形態的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。此外，如從圖1以及圖2所理解般，較佳為：基板處理裝置100係具有複數個基板處理單元10，基板W係能夠被複數種處理液處理。然而，在此，為了避免說明過於複雜，說明對一個基板處理單元10供給一種類的處理液的態樣。
如圖3所示，基板處理裝置100係具備調製槽112、泵114、閥115、過濾器單元140、檢測器116以及閥117。此外，泵114為本發明的「加壓部」的一例。閥115為本發明的「第一閥」的一例。閥117為本發明的「第二閥」的一例。
調製槽112係貯留處理液。處理液係被供給至基板處理單元10，從而處理基板W。典型而言，處理液為藥液。然而，處理液亦可為洗淨液。處理液係在調製槽112中被調製。典型而言，調製槽112係配置於處理液櫃110。
配管32係連通調製槽112以及基板處理單元10。於配管32安裝有泵114、閥115、過濾器單元140、檢測器116、閥117以及閥36。泵114、閥115、過濾器單元140、檢測器116、閥117以及閥36係構成處理液供給部30。此外，在圖3中雖然僅描繪一個閥36，然而閥36係設置於每個噴嘴34。因此，針對一個過濾器單元140配置有複數個閥36。
處理液櫃110係具有框體111。典型而言，於框體111內收容有調製槽112、泵114、閥115、過濾器單元140、檢測器116以及閥117。
處理液箱120係具有框體121。典型而言，閥36係被收容於框體121。
配管32係從處理液櫃110通過處理液箱120延伸至基板處理單元10。處理液係在調製槽112中經過調製後，從調製槽112通過配管32流動至基板處理單元10。配管32係例如由樹脂所形成。
泵114係朝向噴嘴34輸送調製槽112的處理液。在第一實施形態中，泵114係能夠變更對於處理液的加壓力。亦即，泵114係能夠變更輸出。此外，在第一實施形態中，如後述般，泵114係在藉由處理液處理基板W之基板處理中，以處理液相對於過濾器141之壓力變成第一壓力之方式加壓處理液。此外，泵114係在不藉由處理液處理基板W之非基板處理中，以處理液相對於過濾器141之壓力變成比第一壓力還高的第二壓力之方式加壓處理液。此外，只要第二壓力比第一壓力還高則未特別限定，然而第二壓力亦可為例如處理液的壓力所作用的構件或者機器等的耐壓的最小值。換言之，第二壓力亦可為例如與閥115、過濾器單元140、檢測器116以及閥117中的耐壓性最低的構件或者機器等的耐壓相同的大小。具體而言，例如在閥115、過濾器單元140、檢測器116以及閥117中的耐壓性最低的構件或者機器等的耐壓為0.5MPa之情形中，第二壓力亦可為0.5MPa。
閥115係在後述的過濾器141的上游側處連接於配管32。閥115係將配管32內的流路打開以及關閉。詳細而言，閥115係將配管32中之比過濾器單元140還上游側的上游部分32a的流路打開以及關閉。閥115係調節配管32的開放度，從而調整被供給至配管32的處理液的流量。具體而言，閥115係包含：閥本體(未圖示)，係於內部設置有閥座；閥體，係將閥座打開以及關閉；以及致動器(未圖示)，係使閥體在開放位置與關閉位置之間移動。
過濾器單元140係安裝於配管32。過濾器單元140係能夠相對於配管32裝設以及取下。在配管32安裝有過濾器單元140之情形中，處理液係於過濾器單元140流動。另一方面，過濾器單元140係能從配管32拆除。因此，當過濾器單元140劣化時，更換過濾器單元140。
過濾器單元140係例如由樹脂所形成。典型而言，過濾器單元140係藉由樹脂成型而形成。在一例中，過濾器單元140係藉由以金屬的加工器具切削樹脂形成物來製作。此外，過濾器單元140亦可由金屬所形成。
過濾器單元140係過濾於配管32內流動的處理液。過濾器單元140係包含過濾器141以及過濾器殼體142。過濾器141係配置於配管32。過濾器141係例如具有多孔質形狀。過濾器141係使處理液的液體成分通過。另一方面，過濾器141係捕捉處理液所含有的微粒。具體而言，過濾器141係具有眾多的孔洞。在第一實施形態中，過濾器141係除了物理性地捕捉微粒之外，亦靜電性地捕捉微粒。亦即，過濾器141係除了捕捉比孔洞還大的微粒之外，還以靜電性的功效捕捉比孔洞還小的微粒。此外，微粒係例如為固體。微粒並未特別限定，例如由樹脂或者金屬所構成。
過濾器殼體142係收容過濾器141。過濾器殼體142係具有：上游室142a，係配置於過濾器141的上游側；以及下游室142b，係配置於過濾器141的下游側。此外，亦可於上游室142a以及下游室142b連接有用以將氣體排出至外部之排氣管(vent pipe)以及用以將液體排出至外部之排放管(drain pipe)。
檢測器116係檢測通過過濾器141的處理液的壓力或者流量。亦即，檢測器116係例如為用以檢測通過過濾器141的處理液的壓力之壓力計，或者為用以檢測通過過濾器141的處理液的流量之流量計。在第一實施形態中，檢測器116為流量計。此外，檢測器116較佳為配置於過濾器141的下游側，但亦可配置於過濾器141的上游側。
閥117係在過濾器141的下游側處連接於配管32。閥117係將配管32內的流路打開以及關閉。詳細而言，閥117係將配管32中之比過濾器單元140還下游側的下游部分32b的流路打開以及關閉。閥117係調節配管32的開放度，從而調整被供給至配管32的處理液的流量。具體而言，閥117係包含：閥本體(未圖示)，係於內部設置有閥座；閥體，係將閥座打開以及關閉；以及致動器(未圖示)，係使閥體在開放位置與關閉位置之間移動。
基板處理裝置100係具備下游側配管161以及閥162。
下游側配管161係在過濾器141的下游側處連接於配管32。下游側配管161係在過濾器141的下游側處連接於配管32的下游部分32b。在第一實施形態中，下游側配管161係直接連接於配管32。換言之，下游側配管161係不經由過濾器單元140地連接於配管32。
閥162係配置於下游側配管161。閥162係調節下游側配管161內的流路的開放度，從而調節通過下游側配管161的液體的流量。具體而言，閥162係包含：閥本體(未圖示)，係於內部設置有閥座；閥體，係將閥座打開以及關閉；以及致動器(未圖示)，係使閥體在開放位置與關閉位置之間移動。此外，閥162係相當於本發明的「第四閥」的一例。
接著，參照圖1至圖4說明第一實施形態的基板處理裝置100。圖4為第一實施形態的基板處理裝置100的方塊圖。
如圖4所示，控制裝置101係控制基板處理裝置100的各種動作。控制裝置101係控制索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20、處理液供給部30以及閥162。具體而言，控制裝置101係對索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20、處理液供給部30以及閥162發送控制訊號，藉此控制索引機器人IR、中心機器人CR、基板保持部20、處理液供給部30以及閥162。
更具體而言，控制部102係控制索引機器人IR，藉由索引機器人IR接取並傳遞基板W。
控制部102係控制中心機器人CR，藉由中心機器人CR接取並傳遞基板W。例如，中心機器人CR係接取未處理的基板W，並將基板W搬入至複數個基板處理單元10中的任一個基板處理單元10。此外，中心機器人CR係從基板處理單元10接取經過處理的基板W並搬出基板W。
控制部102係控制基板保持部20，從而控制基板W開始旋轉、旋轉速度的變更以及停止旋轉基板W。例如，控制部102係控制基板保持部20，從而能變更基板保持部20的轉數。具體而言，控制部102係變更基板保持部20的電動馬達24的轉數，藉此能變更基板W的轉數。
控制部102係控制閥115、閥117以及閥36，從而能將閥115、閥117以及閥36的狀態切換成打開狀態以及關閉狀態。具體而言，控制部102係將閥115設定成打開狀態或者關閉狀態，藉此能使配管32的上游部分32a內的液體通過或者不使配管32的上游部分32a內的液體通過。此外，控制部102係將閥117設定成打開狀態或者關閉狀態，藉此能使配管32的下游部分32b內的液體通過或者不使配管32的下游部分32b內的液體通過。此外，控制部102係將閥36設定成打開狀態或者關閉狀態，藉此能將已經通過閥117的液體供給至噴嘴34或者不將已經通過閥117的液體供給至噴嘴34。
控制部102係控制泵114，從而將調製槽112內的液體輸送至下游側。具體而言，控制部102係驅動泵114，藉此將調製槽112內的液體朝向噴嘴34送出。對控制部102輸送有檢測器116的計測結果。
控制部102係控制閥162，從而能將閥162的狀態切換成打開狀態以及關閉狀態。具體而言，控制部102係將閥162設定成打開狀態或者關閉狀態，藉此能使下游側配管161內的液體通過或者不使下游側配管161內的液體通過。
如上所述，記憶部104亦可記憶複數個處方資料。複數個處方亦可規定用以去除堵塞於過濾器單元140的微粒之處理內容以及處理順序。用以去除微粒之處方亦可包含於例如用以規定處理液櫃110的動作內容以及動作順序之處方內。
第一實施形態的基板處理裝置100係適合使用於用以形成半導體元件。例如，基板處理裝置100係適合利用於用以處理作為層疊構造的半導體元件來使用的基板W。半導體元件為所謂的3D(three-dimensional；三維)構造的記憶體(記憶裝置)。作為一例，基板W係適合作為NAND(NOT-AND；反及閘)型快閃記憶體來使用。
接著，參照圖5、圖6A以及圖6B說明第一實施形態的基板處理裝置100所為的過濾器141的微粒去除方法。圖5為顯示第一實施形態的過濾器141的微粒去除方法之流程圖。圖6A以及圖6B為用以說明第一實施形態的微粒去除方法之示意圖，且為以箭頭顯示過濾器單元140周邊中的液體的流動之圖。第一實施形態的過濾器141的微粒去除方法係包含步驟S101至步驟S104。步驟S101至步驟S104係藉由控制部102而執行。此外，步驟S101為本發明的「基板處理工序」的一例。此外，步驟S103為本發明的「非基板處理工序」的一例。
如圖5所示，在步驟S101中，控制部102係判定通過配管32的處理液的流量是否未滿臨限值。臨限值為預先決定的值。具體而言，在步驟S101中，閥115以及閥117係變成打開狀態，閥162係變成關閉狀態(參照圖6A)。閥36係配合對基板W噴出處理液之時序被切換成打開狀態以及關閉狀態。亦即，在步驟S101中，使處理液流動並通過配置於配管32的過濾器141。此外，在步驟S101中，使處理液於配管32流通並供給至基板處理單元10，藉此能夠藉由處理液處理基板W。此外，在步驟S101(基板處理工序)中，處理液相對於過濾器141之壓力為第一壓力。
在步驟S101中，控制部102係在處理液能夠通過配管32的狀態(例如閥36為打開狀態)下判定檢測器116的計測值是否未滿臨限值。此外，例如在過濾器141為新品的狀態下，檢測器116的計測值係呈現臨限值以上。另一方面，當微粒堵塞於過濾器141時，由於通過過濾器141的處理液的流量降低，因此檢測器116的計測值係降低。而且，當堵塞於過濾器141的微粒的量變成預定量以上時，檢測器116的計測值係變成未滿臨限值。此外，計測值為本發明的「檢測值」的一例。
在步驟S101中，在控制部102判定通過配管32的處理液的流量為臨限值以上之情形中，處理係重複步驟S101。換言之，檢測器116的計測值為臨限值以上之情形中，處理係重複步驟S101。
另一方面，在步驟S101中，在控制部102判定通過配管32的處理液的流量未滿臨限值之情形中，處理係移行至步驟S102。換言之，在檢測器116的計測值未滿臨限值之情形中，處理係移行至步驟S102。
接著，在步驟S102中，控制部102係停止供給處理液。具體而言，控制部102係將閥117從打開狀態切換成關閉狀態。
接著，在步驟S103中，控制部102係將液體加壓從而使液體流動並通過過濾器141。在第一實施形態中，控制部102係將處理液加壓從而使處理液流動並通過過濾器141。具體而言，控制部102係將閥162從關閉狀態切換成打開狀態。此外，控制部102係將泵114的輸出設定成比步驟S101(基板處理工序)還高。藉此，如圖6B所示，調製槽112內的處理液係通過配管32以及過濾器單元140後再經由下游側配管161排出。此時，處理液相對於過濾器141之壓力(第二壓力)係比步驟S101中的處理液相對於過濾器141之壓力(第一壓力)還高。因此，處理液通過過濾器141，藉此去除堵塞於過濾器141的微粒。亦即，恢復過濾器141的液體流動並通過的性能。此外，在步驟S103(非基板處理工序)中，處理液相對於過濾器141之壓力為第二壓力。接著，控制部102係在經過預定時間後將閥162從打開狀態返回至關閉狀態。此外，控制部102係將泵114的輸出設定成與步驟S101中的泵114的輸出相同的大小。
接著，在步驟S104中，控制部102係再次開始供給處理液。具體而言，控制部102係將閥117從關閉狀態切換成打開狀態。藉此，如圖6A所示，調製槽112內的處理液係通過過濾器單元140以及閥117。
如上所述，結束第一實施形態的過濾器141的微粒去除。
以上，參照圖1至圖5、圖6A以及圖6B說明本發明的第一實施形態。如上所述，在第一實施形態中，泵114係在不處理基板W之非基板處理中(例如步驟S103)，以處理液相對於過濾器141之壓力變成比基板處理中(例如步驟S101)的第一壓力還高的第二壓力之方式加壓處理液。因此，能去除堵塞於過濾器141的微粒。亦即，能恢復過濾器141的液體流動並通過的性能。因此，能抑制過濾器141的更換頻率。結果，能降低環境負擔。
此外，將處理液相對於過濾器141之壓力設定成第二壓力藉此能恢復過濾器141的液體流動並通過的性能之原因認為是以下的理由所致。亦即，認為是以下的理由所致：將處理液的壓力設定成比第一壓力還高的第二壓力，藉此比過濾器141靜電性地捕捉微粒之力量還大的力量係作用於微粒，從而微粒係通過過濾器141的孔洞。
此外，藉由抑制過濾器141的更換頻率，能減少過濾器141的更換以及恢復用的時間(亦稱為停工時間(down time))。
此外，如上所述，在非基板處理中使處理液從過濾器141的上游側經由過濾器141通過下游側配管161。因此，能使用處理液去除堵塞於過濾器141的微粒。因此，與後述般使用去除液之情形不同，無須設置用以供給去除液之配管。此外，與使用去除液之情形不同，處理液以及去除液不會混合或者接觸。
此外，如上所述，計測通過過濾器141的處理液的流量。因此，能使用檢測器116容易地確認難以直接觀察的微粒的堵塞。而且，在處理液的流量未滿臨限值之情形中，能使去除液從調製槽112經由過濾器141通過至下游側配管161。因此，在大量的微粒堵塞之前，能進行微粒去除。因此，在微粒去除時能抑制處理液流動並通過過濾器141的時間變長。
[第二實施形態]
接著，參照圖7以及圖8說明本發明的第二實施形態的基板處理裝置100。圖7為用以說明第二實施形態的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。在第二實施形態中，說明於配管32的上游部分32a設置加熱器113的例子。
如圖7所示，基板處理裝置100係具備加熱器113。此外，加熱器113為本發明的「加熱部」的一例。
加熱器113係加熱通過過濾器141的液體。在第二實施形態中，加熱器113係加熱通過過濾器141的處理液。此外，在第二實施形態中，加熱器113係配置於配管32的上游部分32a。此外，在第二實施形態中，雖然加熱器113配置於泵114的上游側，然而只要配置於過濾器141的上游側，則未特別限定加熱器113的配置位置。亦即，例如加熱器113亦可配置於泵114與閥115之間，亦可配置於閥115與過濾器141之間。
此外，在第二實施形態中，加熱器113係在基板處理中以通過過濾器141的處理液的溫度變成第一溫度之方式加熱處理液。此外，在第二實施形態中，在來自調製槽112的處理液為第一溫度之情形中，加熱器113亦可不加熱處理液。此外，加熱器113係在非基板處理中以通過過濾器141的處理液的溫度變成比第一溫度還高的第二溫度之方式加熱處理液。第二溫度為比第一溫度還要高出例如5℃以上至15℃以下的溫度。加熱器113係被控制部102控制。此外，第一溫度以及第二溫度亦可分別具有預定的溫度範圍。
第二實施形態的其他的構成係與第一實施形態相同。
接著，參照圖6A、圖6B以及圖8說明第二實施形態的基板處理裝置100所為的過濾器141的微粒去除方法。圖8為顯示第二實施形態的過濾器141的微粒去除方法之流程圖。第二實施形態的過濾器141的微粒去除方法係包含步驟S101、S102、S1021、S103、S1031、S104。
如圖8所示，在步驟S101中，控制部102係判定通過配管32的處理液的流量是否未滿臨限值。此外，在屬於基板處理中的步驟S101(基板處理工序)中，加熱器113係以通過過濾器141的處理液的溫度變成第一溫度之方式加熱處理液。此外，在步驟S101中，處理液相對於過濾器141之壓力為第一壓力。
在步驟S101中，在控制部102判定通過配管32的處理液的流量為臨限值以上之情形中，處理係重複步驟S101。
另一方面，在步驟S101中，在控制部102判定通過配管32的處理液的流量未滿臨限值之情形中，處理係移行至步驟S102。
接著，在步驟S102中，控制部102係停止供給處理液。
接著，在步驟S1021中，控制部102係控制加熱器113加熱液體。在第二實施形態中，控制部102係控制加熱器113加熱處理液。具體而言，控制部102係將加熱器113的輸出設定成比步驟S101(基板處理中)還高。藉此，處理液的溫度係變成第二溫度或者比第二溫度還高的溫度。
接著，在步驟S103中，控制部102係將液體加壓從而使液體流動並通過過濾器141。在第二實施形態中，控制部102係將處理液加壓從而使處理液流動並通過過濾器141。藉此，調製槽112內的處理液係在被加熱器113加熱並被泵114加壓的狀態下通過過濾器單元140後再經由下游側配管161排出。此時，通過過濾器141的處理液的溫度係比步驟S101中通過過濾器141的處理液的溫度還高。因此， 過濾器141的溫度變高導致孔洞的尺寸變大，微粒變得容易通過孔洞。此外，微粒的溫度變高導致微粒容易變形，微粒變得容易通過孔洞。因此，處理液通過過濾器141，藉此能去除堵塞於過濾器141的微粒。
接著，在步驟S1031中，控制部102係將加熱器113的輸出返回至步驟S101中的輸出。亦即，控制部102係將加熱器113的輸出設定成與步驟S101中的加熱器113的輸出相同的大小。
接著，在步驟S104中，控制部102係再次開始供給處理液。
如上所述，結束第二實施形態的過濾器141的微粒去除。
如上所述，在第二實施形態中，加熱器113係在非基板處理中(步驟S103)以通過過濾器141的處理液的溫度變成比第一溫度還高的第二溫度之方式加熱處理液。因此，變得更容易地去除堵塞於過濾器141的微粒。從而，能容易地除堵塞於過濾器141的微粒。亦即，能容易地恢復過濾器141的液體流動並通過的性能。從而，能抑制過濾器141的更換頻率。結果，能降低環境負擔。
第二實施形態的其他的微粒去除方法以及其他的功效係與第一實施形態相同。
[第三實施形態]
接著，參照圖9、圖10、圖11A以及圖11B說明本發明的第三實施形態的基板處理裝置100。圖9為用以說明第三實施形態的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。在第三實施形態中說明與第一實施形態以及第二實施形態不同的例子，亦即說明基板處理裝置100進一步地具備上游側配管151以及去除液供給部165的例子。
如圖9所示，基板處理裝置100係進一步地具備上游側配管151以及去除液供給部165。此外，泵114以及去除液供給部165為本發明的「加壓部」的一例。
上游側配管151係在過濾器141的上游側處連接於配管32。上游側配管151係在過濾器141的上游側處連接於配管32的上游部分32a。在第三實施形態中，上游側配管151係直接連接於配管32。換言之，上游側配管151係不經由過濾器單元140地連接於配管32。
基板處理裝置100係具備閥152。閥152係配置於上游側配管151。閥152係調節上游側配管151內的流路的開放度，從而調節被供給至上游側配管151的液體的流量。具體而言，閥152係包含：閥本體(未圖示)，係於內部設置有閥座；閥體，係將閥座打開以及關閉；以及致動器(未圖示)，係使閥體在開放位置與關閉位置之間移動。此外，閥152為本發明的「第三閥」的一例。
去除液供給部165係連接於上游側配管151以及下游側配管161的一者。去除液供給部165係將用以去除堵塞於過濾器141的微粒的去除液供給至上游側配管151以及下游側配管161的一者。在第三實施形態中，去除液供給部165係連接於上游側配管151，並將去除液供給至上游側配管151。去除液供給部165係例如包含用以將去除液加壓並送出之泵。去除液供給部165亦可包含用以貯留去除液之筒槽。去除液只要為用以去除微粒之液體則無特別限定，例如包含去離子水(DIW)、包含鹽酸之液體、IPA(異丙醇)或者PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate；丙二醇甲醚醋酸酯)。在第三實施形態中，去除液係包含DIW。
此外，去除液較佳為與處理液不同種類的液體。例如，在使用DIW作為去除液之情形中，能減少去除堵塞於過濾器141的微粒時的處理液的使用量。因此，能進一步地降低環境負擔。此外，去除液亦可例如為用以溶解不被處理液溶解的微粒之種類的液體。在此種情形中，使去除液流動並通過過濾器141，藉此能溶解微粒，因此能效率佳地去除堵塞於過濾器141的微粒。
第三實施形態的其他構成係與第一實施形態相同。
接著，參照圖10、圖11A以及圖11B說明第三實施形態的基板處理裝置100所為的過濾器141的微粒去除方法。圖10為顯示第三實施形態的過濾器141的微粒去除方法之流程圖。圖11A以及圖11B為用以說明第三實施形態的微粒去除方法之示意圖，且為以箭頭顯示過濾器單元140周邊中的液體的流動之圖。第三實施形態的過濾器141的微粒去除方法係包含步驟S101、S102、S103a、S104。第三實施形態的步驟S103a係與第一實施形態的步驟S103對應。此外，步驟S103a為本發明的「非基板處理工序」的一例。
如圖10所示，在步驟S101中，控制部102係判定通過配管32的處理液的流量是否未滿臨限值。此外，在步驟S101中，閥115以及閥117係成為打開狀態，閥152以及閥162係成為關閉狀態(參照圖11A)。
在步驟S101中，在控制部102判定通過配管32的處理液的流量為臨限值以上之情形中，處理係重複步驟S101。
另一方面，在步驟S101中，在控制部102判定通過配管32的處理液的流量未滿臨限值之情形中，處理係移行至步驟S102。
接著，在步驟S102中，控制部102係停止供給處理液。
接著，在步驟S103a中，控制部102係將去除液加壓從而使去除液流動並通過過濾器141。具體而言，控制部102係將閥152以及閥162從關閉狀態切換成打開狀態。藉此，如圖11B所示，去除液供給部165的去除液係在通過上游側配管151以及過濾器單元140後再經由下游側配管161排出。此時，去除液供給部165係以去除液相對於過濾器141之壓力變成比處理液相對於步驟S101中的過濾器141之壓力還高之方式加壓去除液。因此，去除液通過過濾器141，藉此去除堵塞於過濾器141的微粒。接著，控制部102係在經過預定時間後將閥152以及閥162從打開狀態返回至關閉狀態。
接著，在步驟S104中，控制部102係再次開始供給處理液。具體而言，控制部102係將閥115以及閥117從關閉狀態切換成打開狀態。藉此，如圖11A所示，調製槽112內的處理液係通過過濾器單元140以及閥117。
如上所述，結束第三實施形態的過濾器141的微粒去除。
第三實施形態的其他的微粒去除方法係與第一實施形態相同。
如上所述，在第三實施形態中，去除液為與處理液不同種類的液體。亦即，在去除堵塞於過濾器141的微粒時，使與處理液不同的去除液流動並通過過濾器141。因此，能減少處理液的使用量。因此，能夠更降低環境負擔。
此外，如上所述，在第三實施形態中設置有：上游側配管151，係在過濾器141的上游側處連接於配管32；以及下游側配管161，係在過濾器141的下游側處連接於配管32；藉此，能容易地使與處理液不同種類的去除液流動並通過過濾器141。
第三實施形態的其他的功效係與第一實施形態相同。
[第一變化例]
接著，參照圖12以及圖13說明本發明的第一變化例的基板處理裝置100。圖12為用以說明第一變化例的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。在第一變化例中說明與第三實施形態不同的例子，亦即說明於配管32的上游部分32a設置有加熱器113並且於上游側配管151設置有加熱器153的例子。
如圖12所示，基板處理裝置100係具備加熱器113以及加熱器153。此外，加熱器113以及加熱器153為本發明的「加熱部」的一例。
加熱器113的構成係與第二實施形態的加熱器113相同。然而，在第一變化例中，非基板處理中的加熱器113的輸出亦可與基板處理中的加熱器113的輸出相同。
加熱器153係加熱通過過濾器141的去除液。此外，加熱器153係配置於上游側配管151。此外，在第一變化例中，雖然加熱器153係配置於閥152的上游側，然而只要配置於過濾器141的上游側，則加熱器153的配置位置並無特別限定。亦即，加熱器153亦可例如配置於閥152的下游側。
此外，在第一變化例中，加熱器153係在非基板處理中以通過過濾器141的去除液的溫度變成比第一溫度還高的第二溫度之方式加熱去除液。此外，加熱器153係被控制部102控制。
第一變化例的其他的構成係與第三實施形態相同。
接著，參照圖13說明第一變化例的基板處理裝置100所為的過濾器141的微粒去除方法。圖13為顯示第一變化例的過濾器141的微粒去除方法之流程圖。第一變化例的過濾器141的微粒去除方法係包含步驟S101、S102、S1022、S103a、S1032、S104。
如圖13所示，步驟S101以及步驟S102係與第二實施形態相同。在步驟S102之後，處理係移行至步驟S1022。
接著，在步驟S1022中，控制部102係驅動(導通(ON))加熱器153，從而加熱去除液。具體而言，控制部102係在非基板處理中以通過過濾器141的去除液的溫度變成比第一溫度還高的第二溫度之方式加熱去除液。例如，加熱器153的輸出亦可比加熱器113的輸出還高。
接著，在步驟S103a中，控制部102係加壓去除液從而使去除液流動並通過過濾器141。具體而言，控制部102係將閥152以及閥162從關閉狀態切換成打開狀態。藉此，去除液供給部165的去除液係在通過上游側配管151以及過濾器單元140後再經由下游側配管161排出。此時，加熱器153係以通過過濾器141的去除液的溫度變成比在步驟S101中通過過濾器141的處理液的溫度還高之方式加熱去除液。因此，去除液係在被加熱器153加熱且被去除液供給部165加壓的狀態下通過過濾器單元140後再經由下游側配管161排出。此外，此時，通過過濾器141的去除液的溫度係比在步驟S101中通過過濾器141的處理液的溫度還高。因此， 過濾器141的溫度變高導致孔洞的尺寸變大，微粒變得容易通過孔洞。此外，微粒的溫度變高導致微粒容易變形，微粒變得容易通過孔洞。因此，去除液通過過濾器141，藉此能去除堵塞於過濾器141的微粒。接著，控制部102係在經過預定時間後，將閥152以及閥162從打開狀態返回至關閉狀態。
接著，在步驟S1032中，控制部102係停止驅動(關斷(OFF))加熱器153，從而停止加熱去除液。
接著，在步驟S104中，控制部102係再次開始供給處理液。
如上所述，結束第一變化例的過濾器141的微粒去除。
第一變化例的其他的微粒去除方法以及其他的功效係與第二實施形態以及第三實施形態相同。
[第四實施形態]
接著，參照圖14、圖15、圖16A以及圖16B說明本發明的第四實施形態的基板處理裝置100。圖14為用以說明第四實施形態的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。在第四實施形態中說明與第三實施形態不同的例子，亦即說明去除液從下游側配管161朝向上游側配管151流動的例子。
如圖14所示，與第三實施形態同樣地，基板處理裝置100係具備上游側配管151、下游側配管161以及去除液供給部165。
在第四實施形態中，去除液供給部165係連接於下游側配管161，並將去除液供給至下游側配管161。亦即，在第四實施形態中，去除液係從下游側配管161朝向上游側配管151流動。
第四實施形態的其他的構成係與第三實施形態相同。
接著，參照圖15、圖16A以及圖16B說明第四實施形態的基板處理裝置100所為的過濾器141的微粒去除方法。圖15為顯示第四實施形態的過濾器141的微粒去除方法之流程圖。圖16A以及圖16B為用以說明第四實施形態的微粒去除方法之示意圖，且為以箭頭顯示過濾器單元140周邊中的液體的流動之圖。第四實施形態的過濾器141的微粒去除方法係包含步驟S101、S102、S103b、S104。第四實施形態的步驟S103b係與第三實施形態的步驟S103a對應。此外，步驟S103b為本發明的「非基板處理工序」的一例。
如圖15所示，步驟S101以及步驟S102係與第三實施形態相同。此外，在步驟S101中，閥115以及閥117係成為打開狀態，閥152以及閥162係成為關閉狀態(參照圖16A)。在步驟S102之後，處理係移行至步驟S103b。
接著，在步驟S103b中，控制部102係將去除液加壓從而使去除液流動並通過過濾器141。具體而言，控制部102係將閥152以及閥162從關閉狀態切換成打開狀態。藉此，如圖16B所示，去除液供給部165的去除液係通過下游側配管161以及過濾器單元140後再經由上游側配管151排出。此時，去除液供給部165係以去除液相對於過濾器141之壓力變成比步驟S101中的處理液相對於過濾器141之壓力還高之方式加壓去除液。因此，去除液通過過濾器141，藉此去除堵塞於過濾器141的微粒。接著，控制部102係在經過預定時間後將閥152以及閥162從打開狀態返回至關閉狀態。
接著，在步驟S104中，控制部102係再次開始供給處理液。具體而言，控制部102係將閥115以及閥117從關閉狀態切換成打開狀態。藉此，如圖16A所示，調製槽112內的處理液係通過過濾器單元140以及閥117。
如上所述，結束第四實施形態的過濾器141的微粒去除。
第四實施形態的其他的微粒去除方法係與第三實施形態相同。
如上所述，在第四實施形態中，在非基板處理中，使去除液從下游側配管161經由過濾器141通過上游側配管151。因此，比過濾器141的孔洞還大且物理性被捕捉到的微粒亦能從過濾器141去除。
第四實施形態的其他的功效係與第三實施形態相同。
[第二變化例]
接著，參照圖17以及圖18說明本發明的第二變化例的基板處理裝置100。圖17為用以說明第二變化例的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。在第二變化例中說明與第四實施形態不同的例子，亦即說明於配管32的上游部分32a設置有加熱器113且於下游側配管161設置有加熱器163的例子。
如圖17所示，基板處理裝置100係具備加熱器113以及加熱器163。此外，加熱器113以及加熱器163為本發明的「加熱部」的一例。
加熱器113的構成係與第二實施形態的加熱器113相同。然而，在第二變化例中，非基板處理中的加熱器113的輸出亦可與基板處理中的加熱器113的輸出相同。
加熱器163係加熱通過過濾器141的去除液。此外，加熱器163係配置於下游側配管161。此外，在第二變化例中，雖然加熱器163係配置於閥162的上游側，然而只要配置於過濾器141的上游側，則加熱器163的配置位置並無特別限定。亦即，加熱器163亦可例如配置於閥162的下游側。
此外，在第二變化例中，加熱器163係在非基板處理中以通過過濾器141的去除液的溫度變成比第一溫度還高的第二溫度之方式加熱去除液。此外，加熱器163係被控制部102控制。
第二變化例的其他的構成係與第四實施形態相同。
接著，參照圖18說明本發明的第二變化例的基板處理裝置100所為的過濾器141的微粒去除方法。圖18為用以說明第二變化例的過濾器141的微粒去除方法之流程圖。第二變化例的過濾器141的微粒去除方法係包含步驟S101、S102、S1023、S103b、S1033、S104。
如圖18所示，步驟S101以及步驟S102係與第四實施形態相同。在步驟S102之後，處理係移行至步驟S1022。
接著，在步驟S1023中，控制部102係驅動(導通)加熱器163，從而加熱去除液。具體而言，控制部102係在非基板處理中以通過過濾器141的去除液的溫度變成比第一溫度還高的第二溫度之方式加熱去除液。例如，加熱器163的輸出亦可比加熱器113的輸出還高。
接著，在步驟S103b中，控制部102係加壓去除液從而使去除液流動並通過過濾器141。具體而言，控制部102係將閥152以及閥162從關閉狀態切換成打開狀態。藉此，去除液供給部165的去除液係在通過下游側配管161以及過濾器單元140後再經由上游側配管151排出。此時，加熱器163係以通過過濾器141的去除液的溫度變成比在步驟S101中通過過濾器141的處理液的溫度還高之方式加熱去除液。因此，去除液係在被加熱器163加熱且被去除液供給部165加壓的狀態下通過過濾器單元140後再經由上游側配管151排出。此外，此時，通過過濾器141的去除液的溫度係比在步驟S101中通過過濾器141的處理液的溫度還高。因此， 過濾器141的溫度變高導致孔洞的尺寸變大，微粒變得容易通過孔洞。此外，微粒的溫度變高導致微粒容易變形，微粒變得容易通過孔洞。因此，去除液通過過濾器141，藉此能去除堵塞於過濾器141的微粒。接著，控制部102係在經過預定時間後，將閥152以及閥162從打開狀態返回至關閉狀態。
接著，在步驟S1033中，控制部102係停止驅動(關斷)加熱器163，從而停止加熱去除液。
接著，在步驟S104中，控制部102係再次開始供給處理液。
如上所述，結束第二變化例的過濾器141的微粒去除。
第二變化例的其他的微粒去除方法以及其他的功效係與第二實施形態以及第四實施形態相同。
[第三變化例]
接著，參照圖19說明本發明的第三變化例的基板處理裝置100。圖19為用以說明第三變化例的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。在第三變化例中例如說明與第一實施形態至第四實施形態不同的例子，亦即說明下游側配管161連接於過濾器單元140的例子。此外，在此，雖然變更圖3所示的第一實施形態的配管構成的一部分來進行說明，然而亦可變更第一實施形態以外的配管構成的一部分。
如圖19所示，在第三變化例的基板處理裝置100中，下游側配管161係在過濾器141的下游側處連接於配管32的下游部分32b。具體而言，下游側配管161係經由過濾器單元140連接於配管32。下游側配管161係經由過濾器單元140的下游室142b連接於配管32。
在第三變化例中，與第一實施形態至第三實施形態同樣地，能使通過過濾器141的液體經由下游側配管161排出。
下游側配管161係例如連接於下游室142b的下部。例如，在過濾器單元140的下游室142b連接有用以將通過過濾器141的液體排出至外部之排放管之構成中，亦可使用排放管作為下游側配管161。換言之，預先設置的排放管亦可兼作為下游側配管161。依據此種構成，由於無須另外設置下游側配管161，因此能抑制基板處理裝置100的構件數量增加。
第三變化例的其他的構成、微粒去除方法以及其他的功效係與第一實施形態至第三實施形態相同。
[第四變化例]
接著，參照圖20說明本發明的第四變化例的基板處理裝置100。圖20為用以說明第四變化例的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。在第四變化例中說明與第三變化例不同的例子，亦即說明於過濾器單元140的下游室142b的上部連接有下游側配管161的例子。此外，在此雖然變更圖3所示的第一實施形態的配管構成的一部分來進行說明，然而亦可變更第一實施形態以外的配管構成的一部分。
如圖20所示，在第四變化例的基板處理裝置100中，與第三變化例同樣地，下游側配管161係經由過濾器單元140的下游室142b連接於配管32。在第四變化例中，與第三變化例同樣地，能使通過過濾器141的液體經由下游側配管161排出。
在第四變化例中，下游側配管161係例如連接於下游室142b的上部。例如，在過濾器單元140的下游室142b連接有用以將通過過濾器141的氣體排出至外部之排氣管之構成中，亦可使用排氣管作為下游側配管161。換言之，預先設置的排氣管亦可兼作為下游側配管161。依據此種構成，由於無須另外設置下游側配管161，能抑制基板處理裝置100的構件數量增加。
第四變化例的其他的構成、微粒去除方法以及其他的功效係與第三變化例相同。
此外，在第三變化例以及第四變化例中，雖然說明了下游側配管161經由過濾器單元140連接於配管32的例子，然而本發明並未限定於此。例如，上游側配管151係經由過濾器單元140連接於配管32。具體而言，上游側配管151亦可經由過濾器單元140的上游室142a連接於配管32。此外，在過濾器單元140的上游室142a連接有排放管或者排氣管之構成中，亦可使用排放管或者排氣管作為上游側配管151。此外，例如與第四實施形態同樣地，亦可使去除液通過下游側配管161以及過濾器141後再經由上游側配管151排出。
[第五實施形態]
接著，參照圖21說明本發明的第五實施形態的基板處理裝置100。在第五實施形態中，說明與第一實施形態至第四實施形態等不同的例子，亦即說明定期性地進行微粒去除的例子。此外，在此雖然變更圖5所示的第一實施形態的微粒去除方法的一部分來進行說明，然而亦可變更第一實施形態以外的微粒去除方法的一部分。
第五實施形態的基板處理裝置100的構成係與第一實施形態相同。然而，在第五實施形態中，基板處理裝置100亦可不具備檢測器116。
圖21為顯示第五實施形態的過濾器141的微粒去除方法之流程圖。第五實施形態的過濾器141的微粒去除方法係包含步驟S201以及步驟S102至步驟S104。此外，步驟S201為本發明的「基板處理工序」的一例。在步驟S201中，與上述步驟S101同樣地，使處理液流動並通過過濾器141。此外，在步驟S201中，使處理液流通至配管32且供給至基板處理單元10，藉此能藉由處理液處理基板W。此外，在步驟S201(基板處理工序)中，處理液相對於過濾器141之壓力為第一壓力。
如圖21所示，在步驟S201中，控制部102係判定是否已經經過預定期間。預定期間為預先決定的期間。預定期間係例如為過濾器141經過更換或者微粒去除後的經過時間，或者例如為過濾器141經過更換或者微粒去除後的基板處理裝置100的累計驅動時間。此外，預定期間亦可例如為前一次過濾器141經過更換或者微粒去除後之使處理液流動並通過的累計時間。使處理液流動並通過的累計時間係與處理液的流量對應。為了計測上述預定期間，基板處理裝置100較佳為具備計時器或者流量計。
此外，前一次過濾器141經過更換之情形的預定期間與前一次過濾器141經過微粒去除之情形的預定期間亦可不同。在此種情形中，過濾器141經過更換之情形的預定期間亦可設定成比過濾器141經過微粒去除之情形的預定期間還長。
在步驟S201中，在控制部102判定未經過預定期間之情形中，處理係重複步驟S201。
另一方面，在步驟S201中，在控制部102判定已經經過預定期間之情形中，處理係移行至步驟S102。
接著，執行步驟S102至步驟S104。
第五實施形態的其他的微粒去除方法係與第一實施形態相同。
如上所述，在第五實施形態中，使去除液定期性地從上游側配管151經由過濾器141通過下游側配管161。因此，能在大量的微粒堵塞之前進行微粒去除。因此，能抑制使處理液或者去除液流動並通過過濾器141時所耗費的時間變長。
第五實施形態的其他的功效係與第一實施形態相同。此外，亦可將第五實施形態的步驟S201應用於第二實施形態至第四實施形態。
[第六實施形態]
接著，參照圖22說明本發明的第六實施形態的基板處理裝置100。圖22為顯示第六實施形態的基板處理裝置100中的配管構成之示意圖。在第六實施形態中，說明已經通過閥117的處理液的一部分返回至調製槽112的例子。亦即，在第六實施形態中，說明以使處理液循環之方式構成配管32的例子。此外，在此雖然變更圖3所示的第一實施形態的配管構成的一部分來進行說明，然而亦可變更第一實施形態以外的配管構成的一部分。
如圖22所示，在第六實施形態中，配管32係包含共通配管32c、分支配管32d、返回配管32e、共通配管32f以及分支配管32g。共通配管32c係連接於配管32的下游部分32b。於共通配管32c連接有複數個(在此為四個)分支配管32d。分支配管32d係從共通配管32c分支。分支配管32d係將已經通過閥117的處理液供給至處理液箱120。
返回配管32e係連接於共通配管32c。返回配管32e係延伸至調製槽112。返回配管32e係將已經通過共通配管32c的處理液返回至調製槽112。
共通配管32f係例如配置於處理液箱120內。共通配管32f係連接於分支配管32d。此外，於共通配管32f連接有複數個(在此為三個)分支配管32g。分支配管32g係從共通配管32f分支。分支配管32g係將已經通過共通配管32f的處理液供給至噴嘴34。
在第六實施形態中，在將閥117從打開狀態切換成關閉狀態之情形中，在結束全部的基板處理單元10中的基板處理工序後，將閥117從打開狀態切換成關閉狀態。
第六實施形態的其他的構成、其他的微粒去除方法以及功效係與第一實施形態相同。此外，亦可將第六實施形態的配管構成應用於第二實施形態至第五實施形態。
以上已參照圖式說明本發明的實施形態。然而，本發明並未限定於上述實施形態，在未逸離本發明的精神範圍內可在各種態樣中實施。此外，藉由適當地組合上述實施形態所揭示之複數個構成要素，可形成各種發明。例如，亦可將實施形態所示的全部的構成要素中的某幾個構成要素刪除。再者，亦可適當地組合不同的實施形態中的構成要素。為了容易理解本發明，圖式係將各個構成要素主體性且示意性地顯示，且所圖示的各個構成要素的厚度、長度、個數、間隔等亦會有因為圖式繪製的關係而與實際不同之情形。此外，上述實施形態所示的各個構成要素的材質、形狀、尺寸等係一例，並未特別限定，在未實質性地逸離本發明的功效之範圍內可進行各種變更。
例如，在第一實施形態以及第二實施形態中，雖然說明了由於使用調製槽112內的處理液去除微粒從而消耗調製槽112內的處理液的例子，然而本發明並未限定於此。例如，亦能夠不實質性地消耗調製槽112內的處理液地去除微粒。具體而言，調製槽112內的處理液係例如定期性地更換成新的處理液。在將調製槽112內的處理液更換成新的處理液時，亦可使用經過排液的處理液去除微粒。依據此種構成，無須為了去除微粒而消耗調製槽112內的處理液。結果，由於能抑制處理液的使用量，因此能進一步地降低環境負擔。
此外，例如在第三實施形態以及第四實施形態中，雖然顯示了使用與處理液不同種類的去除液的例子，然而本發明並未限定於此。例如亦可使用與處理液相同種類的去除液或者與處理液相同成分的去除液。
此外，在上述實施形態中，雖然說明了閥36、115、117、152、162為能夠調整液體的流量之閥的例子，然而本發明並未限定於此。例如，閥36、115、117、152、162亦可為無法調節液體的流量之閥。亦即，閥36、115、117、152、162亦可將流路僅切換成打開狀態或者關閉狀態。
此外，在上述實施形態中，雖然說明了使用泵114作為用以加壓處理液之加壓部的例子，然而本發明並未限定於此。例如，在將壓縮氣體送入至調製槽112內並藉由壓縮氣體將調製槽112內的處理液送出至配管32之構成中，亦可使用用以將壓縮空氣送入至調製槽112內之空壓機(compressor)等裝置作為加壓部。
[產業可利用性]
本發明係適合使用於基板處理裝置以及微粒去除方法。
10:基板處理單元
11:腔室
20:基板保持部
21:自轉基座
22:夾具構件
23:軸件
24:電動馬達
25:殼體
30:處理液供給部
32:配管(處理液配管)
32a:上游部分
32b:下游部分
32c:共通配管
32d,32g:分支配管
32e:返回配管
32f:共通配管
34:噴嘴
36:閥
80:罩杯
100:基板處理裝置
101:控制裝置
102:控制部
104:記憶部
110:處理液櫃
110A:第一處理液櫃
110B:第二處理液櫃
111,121:框體
112:調製槽
113,153,163:加熱器(加熱部)
114:泵(加壓部)
115:閥(第一閥)
116:檢測器
117:閥(第二閥)
120:處理液箱
140:過濾器單元
141:過濾器
142:過濾器殼體
142a:上游室
142b:下游室
151:上游側配管
152:閥(第三閥)
161:下游側配管
162:閥(第四閥)
165:去除液供給部(加壓部)
Ax:旋轉軸線
BW:交界壁
CR:中心機器人
IR:索引機器人
LP:裝載埠
S101,S201:步驟(基板處理工序)
S102,S104,S1021,S1022,S1023,S1031,S1032,S1033:步驟
S103,S103a,S103b:步驟(非基板處理工序)
TW:塔
W:基板
Wa:上表面
Wb:背面
[圖1]為第一實施形態的基板處理裝置的示意性的俯視圖。
[圖2]為第一實施形態的基板處理裝置中的基板處理單元的示意圖。
[圖3]為用以說明第一實施形態的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。
[圖4]為第一實施形態的基板處理裝置的方塊圖。
[圖5]為顯示第一實施形態的過濾器的微粒去除方法之流程圖。
[圖6A]為用以說明第一實施形態的微粒去除方法之示意圖，且為以箭頭顯示過濾器單元周邊中的液體的流動之圖。
[圖6B]為用以說明第一實施形態的微粒去除方法之示意圖，且為以箭頭顯示過濾器單元周邊中的液體的流動之圖。
[圖7]為用以說明第二實施形態的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。
[圖8]為顯示第二實施形態的過濾器的微粒去除方法之流程圖。
[圖9]為用以說明第三實施形態的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。
[圖10]為顯示第三實施形態的過濾器的微粒去除方法之流程圖。
[圖11A]為用以說明第三實施形態的微粒去除方法之示意圖，且為以箭頭顯示過濾器單元周邊中的液體的流動之圖。
[圖11B]為用以說明第三實施形態的微粒去除方法之示意圖，且為以箭頭顯示過濾器單元周邊中的液體的流動之圖。
[圖12]為用以說明第一變化例的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。
[圖13]為顯示第一變化例的過濾器的微粒去除方法之流程圖。
[圖14]為用以說明第四實施形態的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。
[圖15]為顯示第四實施形態的過濾器的微粒去除方法之流程圖。
[圖16A]為用以說明第四實施形態的微粒去除方法之示意圖，且為以箭頭顯示過濾器單元周邊中的液體的流動之圖。
[圖16B]為用以說明第四實施形態的微粒去除方法之示意圖，且為以箭頭顯示過濾器單元周邊中的液體的流動之圖。
[圖17]為用以說明第二變化例的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。
[圖18]為顯示第二變化例的過濾器的微粒去除方法之流程圖。
[圖19]為用以說明第三變化例的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。
[圖20]為用以說明第四變化例的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。
[圖21]為顯示第五實施形態的過濾器的微粒去除方法之流程圖。
[圖22]為顯示第六實施形態的基板處理裝置中的配管構成之示意圖。
10:基板處理單元
11:腔室
20:基板保持部
32:配管(處理液配管)
32a:上游部分
32b:下游部分
34:噴嘴
36:閥
100:基板處理裝置
110:處理液櫃
111,121:框體
112:調製槽
114:泵(加壓部)
115:閥(第一閥)
116:檢測器
117:閥(第二閥)
120:處理液箱
140:過濾器單元
141:過濾器
142:過濾器殼體
142a:上游室
142b:下游室
161:下游側配管
162:閥(第四閥)
W:基板
Claims (19)
- 一種基板處理裝置，係具備： 基板處理單元，係處理基板； 處理液配管，係供處理液流通至前述基板處理單元； 過濾器單元，係配置於前述處理液配管，且具有用以捕捉前述處理液中的微粒之過濾器；以及 加壓部，係將包含前述處理液的液體加壓從而使前述液體通過前述過濾器； 前述加壓部係能夠變更前述液體相對於前述過濾器之壓力； 前述加壓部係在藉由前述處理液處理前述基板之基板處理中，以前述處理液相對於前述過濾器之壓力變成第一壓力之方式加壓前述處理液； 前述加壓部係在不藉由前述處理液處理前述基板之非基板處理中，以前述液體相對於前述過濾器之壓力變成比前述第一壓力還高的第二壓力之方式加壓前述液體。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備：加熱部，係加熱通過前述過濾器的前述液體； 在前述基板處理中，通過前述過濾器的前述處理液的溫度為第一溫度； 前述加熱部係在前述非基板處理中以通過前述過濾器的前述液體的溫度變成比前述第一溫度還高的第二溫度之方式加熱前述液體。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備： 上游側配管，係在前述過濾器的上游側處連接於前述處理液配管； 下游側配管，係在前述過濾器的下游側處連接於前述處理液配管；以及 去除液供給部，係連接於前述上游側配管以及前述下游側配管的一者，將用以去除堵塞於前述過濾器的微粒之去除液供給至前述上游側配管以及前述下游側配管的一者； 前述液體係包含前述去除液； 前述基板處理裝置係在前述非基板處理中使前述去除液從前述上游側配管以及前述下游側配管的一者經由前述過濾器通過前述上游側配管以及前述下游側配管的另一者。
- 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備： 第一閥，係在前述過濾器的上游側處配置於前述處理液配管； 第二閥，係在前述過濾器的下游側處配置於前述處理液配管； 第三閥，係配置於前述上游側配管；以及 第四閥，係配置於前述下游側配管； 前述基板處理裝置係在前述基板處理中關閉前述第三閥以及前述第四閥且打開前述第一閥以及前述第二閥，藉此使前述處理液從前述處理液配管的上游側經由前述過濾器通過前述處理液配管的下游側； 前述基板處理裝置係在前述非基板處理中關閉前述第一閥以及前述第二閥且打開前述第三閥以及前述第四閥，藉此使前述去除液從前述上游側配管以及前述下游側配管的一者經由前述過濾器通過前述上游側配管以及前述下游側配管的另一者。
- 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述去除液為與前述處理液不同種類的液體。
- 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置係在前述非基板處理中使前述去除液從前述下游側配管經由前述過濾器通過前述上游側配管。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備：下游側配管，係在前述過濾器的下游側處連接於前述處理液配管； 前述基板處理裝置係在前述非基板處理中使前述液體從前述過濾器的上游側經由前述過濾器通過前述下游側配管。
- 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中前述過濾器單元係進一步地具有： 上游室，係配置於前述過濾器的上游側；以及 下游室，係配置於前述過濾器的下游側； 前述下游側配管係經由前述下游室連接於前述處理液配管。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備：檢測器，係配置於前述處理液配管，檢測通過前述過濾器的前述處理液的壓力或者流量； 在前述檢測器的檢測值未滿臨限值之情形中，前述加壓部係以前述液體相對於前述過濾器之壓力變成前述第二壓力之方式加壓前述液體。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述加壓部係以前述液體相對於前述過濾器之壓力變成前述第二壓力之方式定期性地加壓前述液體。
- 一種微粒去除方法，係包含： 基板處理工序，係使處理液經由配置於與基板處理單元相連的處理液配管之過濾器單元的過濾器流動並通過前述基板處理單元，並藉由前述處理液處理基板；以及 非基板處理工序，係不藉由前述處理液處理前述基板； 在前述基板處理工序中，以前述處理液相對於前述過濾器之壓力變成第一壓力之方式使前述處理液流動並通過前述過濾器； 在前述非基板處理工序中，以前述液體相對於前述過濾器之壓力變成比前述第一壓力還高的第二壓力之方式使前述液體流動並通過前述過濾器。
- 如請求項11所記載之微粒去除方法，其中在前述基板處理工序中，通過前述過濾器的前述處理液的溫度為第一溫度； 在前述非基板處理工序中，使比前述第一溫度還高的第二溫度的前述液體流動並通過前述過濾器。
- 如請求項11或12所記載之微粒去除方法，其中前述液體係包含用以去除堵塞於前述過濾器的微粒之去除液； 在前述非基板處理工序中，使前述去除液從上游側配管以及下游側配管的一者經由前述過濾器通過前述上游側配管以及前述下游側配管的另一者，前述上游側配管係在前述過濾器的上游側處連接於前述處理液配管，前述下游側配管係在前述過濾器的下游側處連接於前述處理液配管。
- 如請求項13所記載之微粒去除方法，其中前述去除液為與前述處理液不同種類的液體。
- 如請求項13所記載之微粒去除方法，其中在前述非基板處理工序中，使前述去除液從前述下游側配管經由前述過濾器通過前述上游側配管。
- 如請求項11或12所記載之微粒去除方法，其中在前述非基板處理工序中，使前述液體從前述過濾器的上游側經由前述過濾器通過在前述過濾器的下游側處連接於前述處理液配管之下游側配管。
- 如請求項16所記載之微粒去除方法，其中前述過濾器單元係具有： 上游室，係配置於前述過濾器的上游側；以及 下游室，係配置於前述過濾器的下游側； 前述下游側配管係經由前述下游室連接於前述處理液配管。
- 如請求項11或12所記載之微粒去除方法，其中在前述基板處理工序中，在通過前述過濾器的前述處理液的壓力或者流量未滿臨限值之情形中，執行前述非基板處理工序。
- 如請求項11或12所記載之微粒去除方法，其中定期性地執行前述非基板處理工序。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2022-150056 | 2022-09-21 |
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