JP2022147693A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】パーティクルを含んだ処理液が基板に供給されることを効果的に抑制できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、処理液タンク３０と、第１循環配管３１と、フィルター３９と、ポンプ３７と、制御部３Ａとを備える。第１循環配管３１は、上流端３１ａが処理液タンク３０に接続されるとともに、下流端３１ｂが処理液タンク３０に接続されて、処理液が循環する。フィルター３９は、第１循環配管３１に配置され、処理液に含まれるパーティクルを捕捉する。ポンプ３７は、第１循環配管３１に配置される。ポンプ３７は、回転体３７１を有し、回転体３７１を回転させることで、処理液を送り出す。停止状態のポンプ３７を駆動する場合、回転体３７１が４００ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で回転するように、制御部３Ａは、ポンプ３７を制御する。【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
特許文献１に記載された液処理装置は、タンクと、循環ラインと、ポンプと、フィルターと、背圧弁と、制御部とを備える。タンクは、処理液を貯留する。循環ラインは、タンクから送られる処理液をタンクへ戻す。ポンプは、循環ラインにおける処理液の循環流を形成する。フィルターは、循環ラインにおけるポンプの下流側に設けられる。背圧弁は、循環ラインにおけるフィルターの下流側に設けられる。制御部は、ポンプ及び背圧弁を制御する。そして、制御部は、循環ラインにおける処理液の循環を開始する際に、ポンプの吐出圧力が第１圧力で立ち上がり、所定時間経過後にポンプの吐出圧力が第１圧力より大きい第２圧力に増加するようにポンプの吐出圧力を制御する。
ポンプの吐出圧力が第１圧力となるように制御して処理液の循環を開始することにより、フィルターの上流側と下流側との間にかかる差圧を、小さい差圧に抑えることができる。その結果、処理液の循環を開始した直後に、ポンプの吐出圧力に起因して異物（パーティクル）がフィルターを通り抜けることを抑制できる。
特開２０１９－４１０３９号公報
しかしながら、特許文献１に記載された液処理装置では、ポンプの種類については何ら開示していない。ポンプの種類としては、例えば、ベローズによって処理液を送り出すベローズポンプ、及び、回転体（例えば、インペラ）を回転させることで処理液を送り出すポンプがある。
本願の発明者は、回転体を回転させることで処理液を送り出すポンプに着目して、鋭意研究を重ねた結果、基板に供給された処理液中のパーティクルに関して新たな知見を得た。
すなわち、停止状態のポンプが始動し、回転体が大きな回転加速度（例えば、３０００ｒｐｍ／秒）で回転することで、ポンプの内部に差圧が発生する。その結果、状況によっては、回転体によって送り出される処理液中に気泡が発生する可能性がある。
具体的には、ベルヌーイの定理よれば、流体の速度が増加すると圧力が下降する。つまり、流体の加速度が大きいほど圧力降下が大きい。従って、処理液の飽和蒸気圧に到達し易くなる。その結果、停止状態のポンプが始動して回転体が大きな回転加速度で回転すると、回転体によって送り出される処理液中に気泡が発生し易くなる可能性がある。
そして、処理液中に発生した気泡が、フィルターの二次側に蓄積したパーティクル、フィルターの二次側に蓄積されて流路に拡散したパーティクル、及び／又は、流路に滞留したパーティクルを補足する可能性がある。この場合、パーティクルを含む処理液が、基板に供給される可能性がある。このような可能性が極めて低い場合でも、近年の基板パターンの微細化を考慮すると、対策を講じることが好ましい。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、パーティクルを含んだ処理液が基板に供給されることを効果的に抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、処理液によって基板を処理する。基板処理装置は、処理液貯留部と、第１循環配管と、フィルターと、ポンプと、制御部とを備える。処理液貯留部は、前記処理液を貯留する。第１循環配管は、上流端が前記処理液貯留部に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液が循環する。フィルターは、前記第１循環配管に配置され、前記処理液に含まれるパーティクルを捕捉する。ポンプは、前記第１循環配管に配置される。制御部は、前記ポンプを制御する。前記ポンプは、回転体を有し、前記回転体を回転させることで、前記処理液を送り出す。停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記回転体が４００ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で回転するように、前記制御部は、前記ポンプを制御する。
本発明の一態様においては、停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記制御部は、前記回転体が４００ｒｐｍ／秒以下の一定回転加速度で回転するように、前記ポンプを制御することが好ましい。前記回転体の回転数が目標回転数に到達した場合、前記制御部は、前記回転体が前記目標回転数を維持するように、前記ポンプを制御することが好ましい。
本発明の一態様においては、停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記回転体が５０ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で回転するように、前記制御部は、前記ポンプを制御することが好ましい。
本発明の一態様においては、基板処理装置は、第１排液配管と、第１排液バルブとを更に備えることが好ましい。第１排液配管は、前記第１循環配管に接続され、前記第１循環配管から前記処理液を排出することが好ましい。第１排液バルブは、前記第１排液配管に配置され、前記第１排液配管の流路を開閉することが好ましい。停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記第１排液バルブが前記第１排液配管の流路を開放するように、前記制御部は、前記第１排液バルブを制御することが好ましい。
本発明の一態様においては、基板処理装置は、第２排液配管と、第２排液バルブとを更に備えることが好ましい。第２排液配管は、前記フィルターから延び、前記フィルターから前記処理液を排出することが好ましい。第２排液バルブは、前記第２排液配管に配置され、前記第２排液配管の流路を開閉することが好ましい。停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記第２排液バルブが前記第２排液配管の流路を開放するように、前記制御部は、前記第２排液バルブを制御することが好ましい。
本発明の一態様においては、基板処理装置は、第１循環バルブと、第２循環配管と、第２循環バルブとを更に備えることが好ましい。第１循環バルブは、前記第１循環配管に配置され、前記第１循環配管の流路を開閉することが好ましい。第２循環配管は、前記第１循環配管から前記処理液貯留部まで延びることが好ましい。第２循環バルブは、前記第２循環配管に配置され、前記第２循環配管の流路を開閉することが好ましい。停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記制御部は、前記第１循環バルブが前記第１循環配管の流路を閉塞するように、前記第１循環バルブを制御するとともに、前記第２循環バルブが前記第２循環配管の流路を開放するように、前記第２循環バルブを制御することが好ましい。
本発明の他の局面によれば、基板処理方法において、処理液によって基板を処理する。基板処理方法は、前記処理液が循環する第１循環配管においてフィルターよりも上流に配置される停止状態のポンプを駆動する場合、４００ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で前記ポンプの回転体を回転させる第１回転工程と、前記第１回転工程よりも後において、前記回転体によって送り出された前記処理液を前記基板に供給する処理液供給工程とを含む。
本発明の一態様においては、基板処理方法は、第２回転工程を更に含むことが好ましい。前記第１回転工程では、停止状態の前記ポンプを駆動する場合、４００ｒｐｍ／秒以下の一定回転加速度で前記回転体を回転させることが好ましい。前記第２回転工程では、前記回転体の回転数が目標回転数に到達した場合、前記回転体に前記目標回転数を維持させることが好ましい。前記処理液供給工程では、前記回転体の回転数が前記目標回転数に維持されている状態において、前記基板に前記処理液を供給することが好ましい。
本発明の一態様においては、前記第１回転工程では、停止状態の前記ポンプを駆動する場合、５０ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で前記回転体を回転させることが好ましい。
本発明の一態様においては、停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記第１循環配管から延びる第１排液配管を通して前記第１循環配管から前記処理液を排出する循環配管排液工程を更に含むことが好ましい。
本発明の一態様においては、停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記第１循環配管に配置される前記フィルターから延びる第２排液配管を通して前記フィルターから前記処理液を排出するフィルター排液工程を更に含むことが好ましい。
本発明の一態様においては、基板処理方法は、停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記第１循環配管の流路を閉塞するとともに、前記第１循環配管に接続される第２循環配管に前記処理液を供給する循環工程を更に含むことが好ましい。前記第２循環配管は、前記第１循環配管から、前記処理液を貯留する処理液貯留部まで延びていることが好ましい。前記循環工程では、前記第２循環配管を前記処理液が循環することが好ましい。
本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法によれば、パーティクルを含んだ処理液が基板に供給されることを効果的に抑制できる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置の内部を示す平面図である。 本実施形態に係る処理ユニットの内部を示す側面図である。 本実施形態に係る処理液供給装置の構成を示す図である。 （ａ）は、本実施形態に係るポンプを示す平面図である。（ｂ）は、本実施形態に係るポンプの回転数を示すグラフである。 本実施形態に係る処理液供給装置のレディ状態における処理液の流れを示す図である。 本実施形態に係る処理液供給装置の循環停止アイドル状態における処理液の流れを示す図である。 本実施形態に係る処理液供給装置の排液状態における処理液の流れを示す図である。 本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本実施形態に係る基板処理の流れを示すフローチャートである。 本実施形態の変形例に係る処理液供給装置のレディ状態を示す図である。 本実施形態の変形例に係る処理液供給装置の内循環状態を示す図である。 本実施形態の変形例に係る基板処理の流れを示すフローチャートである。 本発明の実施例１～３及び比較例におけるポンプの回転数を示すグラフである。 本発明の実施例１～３及び比較例に係るポンプの回転加速度とパーティクル数との関係を示すグラフである。 本発明の実施例１～３に係るポンプの回転加速度とパーティクル数との関係を示す別のグラフである。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図面には、説明の便宜のため、三次元直交座標系（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を適宜記載している。そして、図中、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
まず、図１を参照して、基板処理装置１を説明する。図１は、基板処理装置１の内部を示す平面図である。図１に示す基板処理装置１は、基板Ｗを処理液によって処理する。
基板Ｗは、例えば、半導体ウェハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。
処理液は、例えば、薬液である。薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ3）との混合液）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、又は、腐食防止剤である。
処理液は、例えば、リンス液であってもよい。リンス液は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ Ｗａｔｅｒ）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。
以下、一例として、処理液はＩＰＡである。
図１に示すように、基板処理装置１は、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、複数の処理ユニット２と、制御装置３と、複数の流体ボックス４と、処理液キャビネット５とを備える。
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。処理ユニット２の各々は、基板Ｗに処理液を供給して、基板Ｗを処理する。流体ボックス４の各々は流体機器を収容する。処理液キャビネット５は処理液を収容する。
具体的には、複数の処理ユニット２は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１の例では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理ユニット２（図１の例では３つの処理ユニット２）を含む。複数の流体ボックス４は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。処理液キャビネット５内の処理液は、いずれかの流体ボックス４を介して、流体ボックス４に対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット２に供給される。
制御装置３は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、処理ユニット２、流体ボックス４、及び、処理液キャビネット５を制御する。制御装置３は、例えば、コンピューターである。
制御装置３は、制御部３Ａと、記憶部３Ｂとを含む。制御部３Ａは、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを含む。記憶部３Ｂは、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部３Ｂは、半導体メモリー等の主記憶装置と、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブ等の補助記憶装置とを含む。記憶部３Ｂは、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。記憶部３Ｂは、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体の一例に相当する。
制御部３Ａは、記憶部３Ｂに記憶されたコンピュータープログラムを実行することで、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、処理ユニット２、流体ボックス４、及び、処理液キャビネット５を制御する。
次に、図２を参照して、処理ユニット２を説明する。図２は、処理ユニット２の内部を示す側面図である。
図２に示すように、処理ユニット２は、チャンバー６と、スピンチャック１０と、スピンモーター１３と、複数のガード１４と、ノズル１６と、ノズル２１と、ノズル移動部２６とを含む。基板処理装置１は、処理液供給装置ＣＳと、配管１７と、バルブ１８とを更に備える。処理液供給装置ＣＳは、配管２２と、バルブ２３とを含む。なお、配管１７及びバルブ１８は、処理液供給装置ＣＳに含まれていてもよい。
チャンバー６は略箱形状を有する。チャンバー６は、スピンチャック１０、スピンモーター１３、複数のガード１４、ノズル１６、ノズル２１、ノズル移動部２６、配管１７の一部、及び、配管２２の一部を収容する。なお、バルブ１８、２３がチャンバー６に収容されていてもよい。
スピンチャック１０は基板Ｗを保持する。具体的には、スピンモーター１３は、スピンチャック１０を回転軸線ＡＸ１の周りに回転させる。従って、スピンチャック１０は、基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸ１の周りに基板Ｗを回転させる。具体的には、スピンチャック１０は、複数のチャック部材１１と、スピンベース１２とを含む。スピンベース１２は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材１１を支持する。複数のチャック部材１１は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。なお、スピンチャック１０は、例えば、バキュームチャック、又は、ベルヌーイ効果を利用したベルヌーイチャックであってもよく、特に限定されない。
ノズル２１は、基板Ｗに対して処理液を吐出する。ノズル移動部２６は、ノズル２１を昇降したり、ノズル２１を回動軸線ＡＸ２の周りに水平回動させたりする。ノズル移動部２６は、ノズル２１を昇降させるために、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モーターとを含む。また、ノズル移動部２６は、ノズル２１を水平回動させるために、例えば、電動モーターを含む。
処理液供給装置ＣＳは、ノズル２１に処理液を供給する。具体的には、処理液供給装置ＣＳの配管２２がノズル２１に処理液を供給する。従って、配管２２には処理液が流れる。バルブ２３は、配管２２に配置される。そして、バルブ２３は、配管２２の流路を開閉し、ノズル２１に対する処理液の供給と供給停止とを切り替える。
ノズル１６は、基板Ｗに向けてリンス液を供給する。その結果、基板Ｗから処理液が洗い流される。
配管１７はノズル１６にリンス液を供給する。従って、配管１７にはリンス液が流れる。バルブ１８は、配管１７に配置される。そして、バルブ１８は、配管１７の流路を開閉し、ノズル１６に対するリンス液の供給と供給停止とを切り替える。
各ガード１４は略筒形状を有する。各ガード１４は、基板Ｗから排出された処理液又はリンス液を受け止める。
次に、図３を参照して、処理液供給装置ＣＳの詳細を説明する。図３は、処理液供給装置ＣＳを示す図である。図３では、流体ボックス４を一点鎖線で示しており、処理液キャビネット５を二点鎖線で示している。一点鎖線で囲まれた領域に配置された部材は流体ボックス４内に配置されており、二点鎖線で囲まれた領域に配置された部材は処理液キャビネット５内に配置されている。
図３に示すように、制御部３Ａは、記憶部３Ｂに記憶されたコンピュータープログラムを実行することで、処理液供給装置ＣＳを制御する。処理液供給装置ＣＳは、基板Ｗに供給される処理液を貯留する処理液タンク３０と、処理液タンク３０内の処理液を循環させる循環配管とを含む。処理液タンク３０は、本発明の「処理液貯留部」の一例に相当する。
循環配管は、第１循環配管３１と、第２循環配管３２とを含む。第１循環配管３１の上流端３１ａが処理液タンク３０に接続されるとともに、第１循環配管３１の下流端３１ｂが処理液タンク３０に接続される。第２循環配管３２は、第１循環配管３１から処理液タンク３０まで延びる。具体的には、第２循環配管３２は、第１循環配管３１において分岐接続され、第１循環配管３１内の処理液を処理液タンク３０に戻すリターン配管である。第１循環配管３１は、第２循環配管３２が接続されている接続位置Ｐ２よりも上流側の上流側部分３３と、接続位置Ｐ２よりも下流側の下流側部分３４とを含む。
図３の例では、処理液タンク３０と、第１循環配管３１とによって、処理液タンク３０内の処理液を循環させる第１循環流路Ｃ１が形成される。図３の例では、処理液タンク３０と、上流側部分３３と、第２循環配管３２とによって、処理液タンク３０内の処理液を循環させる第２循環流路Ｃ２が形成される。
第１循環流路Ｃ１（第１循環配管３１）を処理液が循環することを「外循環」と記載し、第２循環流路Ｃ２（第２循環配管３２）を処理液が循環することを「内循環」と記載する場合がある。従って、第１循環流路Ｃ１は外循環経路であり、第２循環流路Ｃ２は内循環経路である。また、第１循環配管３１は外循環配管であり、第２循環配管３２は内循環配管である。
また、図３の例では、第１循環流路Ｃ１は、流体ボックス４まで延びる。換言すると、第１循環流路Ｃ１は、複数の処理ユニット２に対して処理液を共通して供給する。そして、処理ユニット２に一対一対応で設けられた配管２２が第１循環配管３１に分岐接続されることにより、第１循環流路Ｃ１を流れる処理液が、配管２２を介して処理ユニット２に供給される。
また、図３の例では、第１循環配管３１は、処理液タンク３０から下流に延びる共通配管３５と、共通配管３５から分岐した複数の個別配管３６とを含む。共通配管３５の上流端は、処理液タンク３０に接続されている。各個別配管３６の下流端は、処理液タンク３０に接続されている。共通配管３５の上流端は、第１循環配管３１の上流端３１ａに相当する。各個別配管３６の下流端は、第１循環配管３１の下流端３１ｂに相当する。上流側部分３３は、共通配管３５に含まれている。接続位置Ｐ２は、共通配管３５に設定されている。下流側部分３４は、共通配管３５の一部と、複数の個別配管３６とを含む。
複数の個別配管３６は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。図３は、１つの個別配管３６の全体と残り３つの個別配管３６の一部とを示している。図３は、同じタワーＴＷに含まれる３つの処理ユニット２を示している。同じタワーＴＷに含まれる３つの処理ユニット２に対応する３つの配管２２は、同じ個別配管３６に接続されている。換言すると、配管２２は、第１循環配管３１において、接続位置Ｐ２よりも下流側に設定された接続位置Ｐ１に分岐接続されている。
各個別配管３６には、個別配管３６を開閉するための第１循環バルブ４０が配置されている。第１循環バルブ４０が閉じられている状態では、共通配管３５を流れる処理液は、各個別配管３６には案内されない。すなわち、上流側部分３３を流れる処理液は、下流側部分３４に案内されない。そして、第１循環バルブ４０が開かれることにより、共通配管３５を流れる処理液が各個別配管３６に案内される。すなわち、上流側部分３３を流れる処理液が、下流側部分３４に案内される。
図３に示すように、基板処理装置１の処理液供給装置ＣＳは、処理液タンク３０内の処理液を第１循環配管３１に送り出すポンプ３７と、処理液タンク３０内の処理液を加熱して、処理液タンク３０内の処理液の温度を調整するヒーター３８と、第１循環配管３１を流れる処理液に含まれるパーティクルを捕捉するフィルター３９とを含む。ポンプ３７、ヒーター３８およびフィルター３９は、上流側部分３３に、処理液タンク３０側からこの順で配置されている。つまり、ポンプ３７、ヒーター３８、及び、フィルター３９は、この順番で上流から下流に向けて第１循環配管３１に配置される。
ポンプ３７は、駆動状態では、処理液タンク３０内の処理液を一定の圧力で第１循環配管３１に送り続ける。ポンプ３７は、処理液が循環する第１循環配管３１においてフィルター３９よりも上流に配置される。ポンプ３７の詳細は図４を参照して後述する。
ヒーター３８は、上流側部分３３を流れる処理液を加熱する。ヒーター３８は、ジュール熱を発生させるヒーターである。
フィルター３９は、フィルター３９を通過する処理液に含まれるパーティクルを捕捉する。換言すれば、フィルター３９は、フィルター３９を通過する処理液に含まれるパーティクルを除去する。更に換言すれば、フィルター３９は処理液をろ過する。
例えば、フィルター３９は多数の孔（不図示）を有する。そして、処理液は、フィルター３９の孔を通過する。その結果、フィルター３９によって処理液がろ過される。具体的には、処理液に含まれるパーティクルは、フィルター３９の孔を通過する際に、孔を区画する壁面によって吸着され、孔内に捕捉される。その結果、パーティクルが処理液中から除去される。
フィルター３９のパーティクルの捕捉能力は、フィルター３９に加わる圧力の変動に伴って変化する。フィルター３９に圧力が加わった状態では、フィルター３９に圧力が加わっていない状態と比較して、より小さなサイズのパーティクルを捕捉可能である。そして、フィルター３９に対して加わる圧力が増大するのに従って、より一層小さなサイズのパーティクルを捕捉可能である。
図３に示すように、基板処理装置１の処理液供給装置ＣＳは、フィルター３９内の一次側の気泡（エア）を抜くためのエア抜き配管６４と、フィルター３９内の液体を排出するための第２排液配管６６とをさらに備えている。エア抜き配管６４は、パーティクルの発生の原因になるフィルター３９内の気泡を除去するために用いられる。具体的には、フィルター３９の一次側に、エア抜き配管６４および第２排液配管６６の一端（上流端）が接続されている。エア抜き配管６４の他端は、処理液タンク３０に接続されている。エア抜き配管６４には、エア抜き配管６４を開閉するためのエア抜きバルブ６５が配置されている。第２排液配管６６の他端は、排液タンク８０に接続されている。第２排液配管６６は、フィルター３９から延び、フィルター３９から処理液を排出する。第２排液配管６６には、第２排液バルブ６７が配置されている。第２排液バルブ６７は、第２排液配管６６の流路を開閉する。
図３に示すように、基板処理装置１の処理液供給装置ＣＳは、第２循環配管３２に配置された第２循環バルブ７０と、上流側部分３３を流れる処理液の圧力を調整する圧力調整ユニットとを含む。圧力調整ユニットは、第２循環配管３２の開度を調整する開度調整ユニットである。開度調整ユニットは、第２循環配管３２に配置されている。図３の例では、開度調整ユニットは、レギュレータ７１である。レギュレータ７１は、たとえば電空レギュレータである。
圧力調整ユニットは、上流側部分３３内の処理液の圧力を検出する圧力センサー７２をさらに備える。圧力センサー７２は、上流側部分３３上の所定の検出位置Ｐ１１で上流側部分３３内の処理液の圧力を検出する。検出位置Ｐ１１で圧力センサー７２によって上流側部分３３内の処理液の圧力を検出することは、フィルター３９を流れる処理液の圧力を検出することと実質的に等価である。検出位置Ｐ１１は、図３に示すようにフィルター３９の上流であってもよいし、フィルター３９の下流であってもよい。
図３に示すように、基板処理装置１の処理液供給装置ＣＳは、処理液タンク３０から排出された処理液を溜めておくための排液タンク８０をさらに含む。処理液タンク３０には、排液タンク８０に向けて延びた排出配管８１が接続されている。排出配管８１の途中部には、排出配管８１を開閉する排出バルブ８２が配置されている。処理液タンク３０に貯留されている処理液を、それ以上基板Ｗの処理のために使用しない場合には、排出バルブ８２が開かれる。その結果、処理液タンク３０に貯留されている処理液が、処理液タンク３０から排液タンク８０に導かれ、排液タンク８０に貯留される。
排液タンク８０には、排液配管８３が接続されている。排液タンク８０に貯留された処理液は、排液配管８３に配置された不図示のバルブを開くことによって機外の排液処理設備に送られ、排液処理設備において排液処理される。
各個別配管３６の下流側付近（すなわち、第１循環配管３１の下流端付近）には、第１排液配管８５の一端が分岐接続されている。つまり、第１排液配管８５は、第１循環配管３１に接続される。第１排液配管８５の他端は、排液タンク８０に接続されている。そして、第１排液配管８５は、第１循環配管３１から処理液を排出する。第１排液配管８５の途中部には、第１排液配管８５の流路を開閉する第１排液バルブ８６が配置されている。また、各個別配管３６において第１排液配管８５の接続位置Ｐ３よりも下流側には、個別配管３６を開閉するための帰還バルブ８９が配置されている。
第１排液バルブ８６と帰還バルブ８９とによって、下流側部分３４において接続位置Ｐ３よりも上流側の処理液の案内先を、下流側部分３４における接続位置Ｐ３よりも下流側と、第１排液配管８５との間で切り換える第１切り換えユニットが構成されている。第１切り換えユニットとして、第１排液バルブ８６及び帰還バルブ８９に代えて、三方弁が採用されてもよい。
第１排液バルブ８６が閉じられている状態で帰還バルブ８９が開かれることにより、個別配管３６において第１排液配管８５の接続位置Ｐ３よりも上流側を流れる処理液が、接続位置Ｐ３よりも下流側を介して、処理液タンク３０に案内される。一方、帰還バルブ８９が閉じられている状態で第１排液バルブ８６が開かれることにより、個別配管３６において第１排液配管８５の接続位置Ｐ３よりも上流側を流れる処理液が、第１排液配管８５を介して排液タンク８０に案内される。
図３に示すように、基板処理装置１の処理液供給装置ＣＳは、処理液の新液を処理液タンク３０に補充する処理液補充配管８７と、処理液補充配管８７を開閉するための処理液補充バルブ８８とをさらに含む。
基板処理装置１は、電源投入された後、アイドル状態になる。その後、レディ化操作が行われることにより、レディ状態へと移行する。基板処理装置１のレディ状態において、基板処理装置１よる基板処理動作が実現可能になる。
基板処理装置１の動作状態は、処理ユニット２において処理を実行可能な動作状態であるレディ状態（実行可能状態、つまりは稼働状態）と、処理ユニット２において処理を実行不能な（準備ができていない）動作状態であるアイドル状態（待機状態）とを含む。基板処理装置１のレディ状態は、処理液供給装置ＣＳに関して言えば、処理ユニット２に対して処理液を供給可能な状態である。基板処理装置１のアイドル状態は、処理液供給装置ＣＳに関して言えば、処理ユニット２に対して処理液を供給不能（準備ができていない）な動作状態である。
基板処理装置１では、アイドル状態として、第１循環流路Ｃ１および第２循環流路Ｃ２の双方において処理液の循環を停止する循環停止アイドル状態（循環停止待機状態）と、第１循環流路Ｃ１において処理液の循環を停止しながら、第２循環流路Ｃ２において処理液の循環を継続する循環アイドル状態（循環待機状態）とが、用意されている。すなわち、基板処理装置１では、アイドル状態として、２種類のアイドル状態が用意されている。以下、本実施形態では、レディ状態及び循環停止アイドルにのみ着目する。
次に、図４（ａ）を参照して、ポンプ３７を説明する。図４（ａ）は、ポンプ３７を示す平面図である。
図４（ａ）に示すように、制御部３Ａはポンプ３７を制御する。ポンプ３７は、回転体３７１と、ハウジング３７２とを有する。ハウジング３７２は回転体３７１を収容する。ハウジング３７２は、吸込口３７３と、吐出口３７４とを有する。回転体３７１は、回転することで、吸込口３７３から処理液を吸い込んで、吐出口３７４から処理液を吐出する。回転体３７１は、回転する限りにおいて特に限定されないが、例えば、インペラ又はプロペラである。図４（ａ）の例では、ポンプ３７は、遠心ポンプである。ただし、ポンプ３７の方式は、回転体の回転によって処理液を送り出すことのできる限りにおいて特に限定されず、例えば、斜流ポンプ又は軸流ポンプであってもよい。また、回転体３７１は、軸受（不図示）によって回転可能に支持されていてもよいし、磁気によって非接触状態で浮上していてもよい。回転体３７１が磁気によって非接触状態で浮上している場合、ポンプ３７は、磁気浮上型ポンプである。
以上、図４（ａ）を参照して説明したように、ポンプ３７は、回転体３７１を有し、回転体３７１を回転させることで、処理液を送り出す。そして、本実施形態では、停止状態のポンプ３７を駆動する場合、回転体３７１が４００ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で回転するように、制御部３Ａはポンプ３７を制御する。従って、本実施形態によれば、ポンプ３７の内部に差圧が発生することを抑制できる。よって、回転体３７１によって送り出される処理液中に気泡が発生することを抑制できる。その結果、フィルター３９の二次側に蓄積したパーティクル、フィルター３９の二次側に蓄積されて流路（第１循環流路Ｃ１及び／又は第２循環流路Ｃ２）に拡散したパーティクル、及び、流路（第１循環流路Ｃ１及び／又は第２循環流路Ｃ２）に滞留したパーティクルが、処理液中の気泡に捕捉された状態で基板Ｗに供給されることを抑制できる。つまり、パーティクルを含んだ処理液が基板Ｗに供給されることを効果的に抑制できる。
停止状態のポンプ３７を駆動する際に、回転体３７１が４００ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で回転すると、処理液中のパーティクル数を低減できることは、後述する実施例によって実証されている。「ｒｐｍ（ｒｏｔａｔｉｏｎｓ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）」は、単位時間当たりの回転体３７１の回転数を示す。
好ましくは、停止状態のポンプ３７を駆動する場合、回転体３７１が５０ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で回転するように、制御部３Ａはポンプ３７を制御する。この好ましい例によれば、回転体３７１の回転加速度が、４００ｒｐｍ／秒以下、かつ、５０ｒｐｍ／秒より大きい場合と比較して、ポンプ３７の内部に差圧が発生することを更に抑制できる。従って、回転体３７１によって送り出される処理液中に気泡が発生することを更に抑制できる。よって、フィルター３９の二次側に蓄積したパーティクル、フィルター３９の二次側に蓄積されて流路（第１循環流路Ｃ１及び／又は第２循環流路Ｃ２）に拡散したパーティクル、及び、流路（第１循環流路Ｃ１及び／又は第２循環流路Ｃ２）に滞留したパーティクルが、処理液中の気泡に捕捉された状態で基板Ｗに供給されることを更に抑制できる。つまり、パーティクルを含んだ処理液が基板Ｗに供給されることを更に効果的に抑制できる。この点についても、後述する実施例によって実証されている。
ここで、本明細書において、回転加速度とは、「単位時間当たりの回転体３７１の回転速度の変化率」のことである。回転速度とは、「単位時間当たりの回転体３７１の回転数」又は「単位時間当たりの回転体３７１の回転数に比例する物理量」のことである。単位時間当たりの回転体３７１の回転数に比例する物理量は、例えば、単位時間当たりの回転体３７１の回転角度、つまり、角速度である。
次に、図３を参照して、不可抗力ではあるが、パーティクルが発生する原因を説明する。
ポンプ３７が停止している場合は、処理液の循環が停止している（例えば、後述の循環停止アイドル状態）。従って、フィルター３９における処理液の移動がないため、フィルター３９に圧力が加わらない。よって、ポンプ３７が停止している状態では、ポンプ３７が駆動している状態と比べて、フィルター３９によるパーティクルの捕捉能力が低い。その結果、ポンプ３７が停止している状態では、フィルター３９によって捕捉されていたパーティクルが、フィルター３９から二次側に流出して、フィルター３９の二次側に蓄積している可能性がある。そして、フィルター３９から二次側にパーティクルが蓄積している状態で、ポンプ３７が駆動されて処理液の循環が開始されると、フィルター３９の二次側に蓄積されていたパーティクルが、第１循環流路Ｃ１（第１循環配管３１）及び／又は第２循環流路Ｃ２（第２循環配管３２）の全域に拡散する可能性がある。
また、ポンプ３７が停止して、処理液の循環が停止している状態（例えば、後述の循環停止アイドル状態）では、処理液である薬液（例えばＩＰＡ）がフィルター３９によってろ過されずに、第１循環流路Ｃ１（第１循環配管３１）、第２循環流路Ｃ２（第２循環配管３２）、及び／又は、処理液タンク３０に滞留する。その結果、処理液である薬液（例えばＩＰＡ）による配管（樹脂配管）及び／又は処理液タンク３０の溶出に起因して発生するパーティクルが増加する可能性がある。そして、溶出に起因して発生するパーティクルが、第１循環流路Ｃ１（第１循環配管３１）、第２循環流路Ｃ２（第２循環配管３２）、及び／又は、処理液タンク３０に滞留する可能性がある。
そこで、本実施形態では、停止状態のポンプ３７を駆動する場合、ポンプ３７の回転体３７１を４００ｒｐｍ／秒以下の回転加速度（好ましくは一定回転加速度）で回転させることで、ポンプ３７の停止状態からの駆動時において気泡の発生を抑制する。その結果、上記原因によって発生したパーティクル（フィルター３９の二次側に蓄積したパーティクル、フィルター３９の二次側に蓄積されて流路に拡散したパーティクル、並びに、流路及び処理液タンク３０に滞留したパーティクル）が、処理液中の気泡に捕捉された状態で基板Ｗに供給されることを抑制できる。
次に、図４（ｂ）を参照して、ポンプ３７の制御を説明する。図４（ｂ）は、ポンプ３７の回転数を示すグラフである。図４（ｂ）において、横軸は時間を示し、縦軸は回転数を示す。
図４（ａ）及び図４（ｂ）の直線Ｑ１に示すように、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動する場合、回転体３７１が４００ｒｐｍ／秒以下の一定回転加速度で回転するように、ポンプ３７を制御する。従って、ポンプ３７の内部に差圧が発生することを更に抑制できる。よって、回転体３７１によって送り出される処理液中に気泡が発生することを更に抑制できる。その結果、パーティクルを捕捉した気泡を含む処理液が基板Ｗに供給されることを更に効果的に抑制できる。
そして、制御部３Ａは、回転体３７１の回転数が目標回転数ＴＧに到達した場合、回転体３７１が目標回転数ＴＧを維持するように、ポンプ３７を制御する。その結果、ポンプ３７は、一定の圧力で処理液を送り出すことができる。
具体的には、時刻ｔ０において、制御部３Ａはポンプ３７の回転体３７１の回転を開始する。そして、制御部３Ａは、時刻ｔ０から時刻ｔ１までの期間において、４００ｒｐｍ／秒以下の一定回転加速度で回転体３７１を回転させる。そして、時刻ｔ１で回転数が目標回転数ＴＧに到達すると、制御部３Ａは、回転体３７１に目標回転数ＴＧを維持させる。つまり、時刻ｔ１以降では、回転体３７１の回転加速度はゼロである。
例えば、目標回転数ＴＧが６０００回転であり、回転体３７１の一定回転加速度が４００ｒｐｍ／秒である場合、時刻ｔ０から１５秒で目標回転数ＴＧに到達する。
好ましくは、図４（ａ）及び図４（ｂ）の直線Ｑ２に示すように、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動する場合、回転体３７１が５０ｒｐｍ／秒以下の一定回転加速度で回転するように、ポンプ３７を制御する。従って、回転体３７１の回転加速度が、４００ｒｐｍ／秒以下、かつ、５０ｒｐｍ／秒より大きい場合と比較して、ポンプ３７の内部に差圧が発生することを更に抑制できる。よって、回転体３７１によって送り出される処理液中に気泡が発生することを更に抑制できる。その結果、パーティクルを捕捉した気泡を含む処理液が基板Ｗに供給されることを更に効果的に抑制できる。
そして、制御部３Ａは、回転体３７１の回転数が目標回転数ＴＧに到達した場合、回転体３７１が目標回転数ＴＧを維持するように、ポンプ３７を制御する。その結果、ポンプ３７は、一定の圧力で処理液を送り出すことができる。
具体的には、時刻ｔ０において、制御部３Ａはポンプ３７の回転体３７１の回転を開始する。そして、制御部３Ａは、時刻ｔ０から時刻ｔ２までの期間において、５０ｒｐｍ／秒以下の一定回転加速度で回転体３７１を回転させる。そして、時刻ｔ２で回転数が目標回転数ＴＧに到達すると、制御部３Ａは、回転体３７１に目標回転数ＴＧを維持させる。つまり、時刻ｔ２以降では、回転体３７１の回転加速度はゼロである。
例えば、目標回転数ＴＧが６０００回転であり、回転体３７１の一定回転加速度が５０ｒｐｍ／秒である場合、時刻ｔ０から１２０秒で目標回転数ＴＧに到達する。
次に、図５～図７を参照して、処理液供給装置ＣＳのレディ状態、循環停止アイドル状態、及び、排液状態を説明する。この場合、図５～図７のバルブ４０、６５、６７、７０、８２、８６、８９を示す記号において、白色はバルブが閉じていることを示し、黒色はバルブが開いていることを示す。また、ポンプ３７を示す記号において、白色の三角形はポンプ３７が停止していることを示し、黒色の三角形はポンプ３７が駆動していることを示す。さらに、処理液の流通経路が、太線によって示される。
まず、図５を参照してレディ状態を説明する。図５は、処理液供給装置ＣＳのレディ状態における処理液の流れを示す図である。
図５に示すように、レディ状態では、ポンプ３７が駆動状態にある。第１循環バルブ４０及び第２循環バルブ７０が開かれている。エア抜きバルブ６５が開かれており、第２排液バルブ６７が閉じられている。帰還バルブ８９が開かれており、第１排液バルブ８６が閉じられている。また、排出バルブ８２が閉じられている。
従って、処理液タンク３０内の処理液は、ポンプ３７によって、第１循環配管３１の上流側部分３３に送られ、上流側部分３３から下流側部分３４に流れる。上流側部分３３内の処理液は、接続位置Ｐ２において下流側部分３４に流れ、下流側部分３４から処理液タンク３０に戻る。この間に、処理液に含まれるパーティクルがフィルター３９によって捕捉される。また、処理液タンク３０内の処理液が、レシピによって規定された温度になるようにヒーター３８によって加熱されて下流側部分３４に送り込まれる。その結果、処理液タンク３０内の処理液は、処理ユニット２内の雰囲気の温度（たとえば２０～２６℃）よりも高い一定の温度に維持されつつ下流側部分３４に送り込まれる。
また、上流側部分３３内の処理液は、接続位置Ｐ２において下流側部分３４だけでなく、第２循環配管３２にも案内される。第２循環配管３２に案内された処理液は、上流側部分３３の下流端（接続位置Ｐ２）から処理液タンク３０に戻される。
すなわち、レディ状態では、第１循環流路Ｃ１（第１循環配管３１）を処理液が循環し、かつ第２循環流路Ｃ２（第２循環配管３２）を処理液が循環する（双循環状態）。
次に、図６を参照して循環停止アイドル状態を説明する。図６は、処理液供給装置ＣＳの循環停止アイドル状態における処理液の流れを示す図である。
図６に示すように、処理液供給装置ＣＳの循環停止アイドル状態では、ポンプ３７が停止状態にある。第１循環バルブ４０及び第２循環バルブ７０が閉じられている。その他のバルブも閉じられている。
循環停止アイドル状態では、ポンプ３７が停止されているから、第１循環流路Ｃ１および第２循環流路Ｃ２の双方において、処理液の循環が停止されている。そして、循環停止アイドル状態では、第１循環流路Ｃ１および第２循環流路Ｃ２の途中部に処理液が滞留している。
本実施形態では、一例として、図６に示す循環停止アイドル状態から図５に示すレディ状態に移行する際に、制御部３Ａは、ポンプ３７の回転体３７１が４００ｒｐｍ／秒以下の回転加速度（好ましくは一定回転加速度）で回転するように、ポンプ３７を制御する。その結果、ポンプ３７内での気泡の発生が抑制されて、基板Ｗに供給される処理液に含まれるパーティクル数を効果的に低減できる。
好ましくは、本実施形態では、処理液供給装置ＣＳは、循環停止アイドル状態（図６）において、システム再開ボタン（不図示）が操作されると、排液状態を経て、レディ状態に移行する。
図７は、処理液供給装置ＣＳの排液状態における処理液の流れを示す図である。図７に示すように、循環停止アイドル状態解除後の所定排液期間Ｔにおいて、処理液供給装置ＣＳは排液状態になる。
具体的には、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動し、かつ第１循環バルブ４０を開く。また、制御部３Ａは、第２循環バルブ７０、帰還バルブ８９、及び、エア抜きバルブ６５を閉じた状態で第１排液バルブ８６を開く。
すなわち、停止状態のポンプ３７を駆動する場合、制御部３Ａは、第１排液バルブ８６が第１排液配管８５の流路を開放するように、第１排液バルブ８６を制御する。従って、所定排液期間Ｔでは、第１循環流路Ｃ１及び第２循環流路Ｃ２に滞留していた処理液が、処理液タンク３０に戻されずに、第１排液配管８５を介して排液タンク８０に排液される。よって、処理液とともに、フィルター３９の二次側に蓄積したパーティクル、フィルター３９の二次側に蓄積されて流路（第１循環流路Ｃ１及び／又は第２循環流路Ｃ２）に拡散したパーティクル、並びに、流路（第１循環流路Ｃ１及び／又は第２循環流路Ｃ２）に滞留したパーティクルを排液タンク８０に排出できる。その結果、基板Ｗに対して供給される処理液に含まれるパーティクルを更に低減できる。
加えて、制御部３Ａは、第２排液バルブ６７を開く。すなわち、停止状態のポンプ３７を駆動する場合、制御部３Ａは、第２排液バルブ６７が第２排液配管６６の流路を開放するように、第２排液バルブ６７を制御する。従って、所定排液期間Ｔでは、フィルター３９の内部の一次側空間に存在する処理液が、第２排液配管６６を介して排液タンク８０に排液される。よって、処理液中のパーティクルもまた、第２排液配管６６から排液タンク８０に排出される。その結果、基板Ｗに対して供給される処理液に含まれるパーティクルを更に低減できる。
ここで、所定排液期間Ｔは、例えば、実験的及び／又は経験的に予め定められる。例えば、所定排液期間Ｔは、第１循環流路Ｃ１および第２循環流路Ｃ２内の滞留処理液の全てを、ポンプ３７の駆動再開後に供給される新たな処理液で置換できるように、ポンプ３７の供給能力、処理液粘性、配管径、及び、配管長に基づいて設定されている。
第１排液バルブ８６及び第２排液バルブ６７が開かれてから所定排液期間Ｔが経過すると、制御部３Ａは、第１排液バルブ８６及び第２排液バルブ６７を閉じ、帰還バルブ８９及び第２循環バルブ７０を開く。その結果、処理液供給装置ＣＳの状態は、図５に示すレディ状態に移行する。レディ状態において、処理ユニット２において基板Ｗに対する処理が施される。
次に、図３及び図８を参照して、本実施形態に係る基板処理方法を説明する。基板処理方法においては、処理液によって基板Ｗが処理される。図８は、本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図８に示すように、本実施形態に係る基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ１１を含む。基板処理方法は、基板処理装置１によって実行される。基板処理方法の開始時では、処理液供給装置ＣＳの状態は、レディ状態（図５）にある。つまり、基板処理方法の開始時では、ポンプ３７が駆動しており、第１循環流路Ｃ１及び第２循環流路Ｃ２を処理液が循環している。
そして、図３及び図８に示すように、まず、工程Ｓ１において、制御部３Ａは、操作装置（不図示）から、ダウン操作を示す操作信号を受け付ける。ダウン操作とは、レディ状態から循環停止アイドル状態に移行することを指示する操作のことである。
次に、工程Ｓ２及び工程Ｓ３が並行して実行される。
すなわち、工程Ｓ２において、制御部３Ａは、ポンプ３７を停止する（図６）。
一方、工程Ｓ３において、制御部３Ａは、処理液の外循環及び内循環の流路を閉塞するように、処理液供給装置ＣＳを制御する（図６）。具体的には、制御部３Ａは、第１循環バルブ４０及び帰還バルブ８９を閉じる。その結果、第１循環配管３１の流路が閉塞されて、処理液の外循環が停止される。加えて、制御部３Ａは、第２循環バルブ７０及びエア抜きバルブ６５を閉じる。その結果、第２循環配管３２の流路が閉塞されて、処理液の内循環が停止される。
工程Ｓ２及び工程Ｓ３が実行されると、処理液供給装置ＣＳの状態は、レディ状態（図５）から循環停止アイドル状態（図６）に移行する。
次に、工程Ｓ４において、制御部３Ａは、操作装置（不図示）から、レディ操作を示す操作信号を受け付けたか否かを判定する。レディ操作とは、循環停止アイドル状態からレディ状態に移行することを指示する操作のことである。
工程Ｓ４でレディ操作を示す操作信号を受け付けていないと判定された場合（Ｎｏ）、処理は工程Ｓ４を待機する。
一方、工程Ｓ４でレディ操作を示す操作信号を受け付けたと判定された場合（Ｙｅｓ）、処理は工程Ｓ５及び工程Ｓ８に進む。
次に、工程Ｓ５～工程Ｓ７と、工程Ｓ８、Ｓ９とが並行して実行される。
すなわち、工程Ｓ５において、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動する（図７）。具体的には、工程Ｓ５では、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動する場合、４００ｒｐｍ／秒以下の回転加速度でポンプ３７の回転体３７１を回転させる。本実施形態では、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動する場合、４００ｒｐｍ／秒以下の一定回転加速度でポンプ３７の回転体３７１を回転させる。工程Ｓ５は、本発明の「第１回転工程」の一例に相当する。
次に、工程Ｓ６において、制御部３Ａは、回転体３７１の回転数が目標回転数ＴＧに到達したか否かを判定する。
工程Ｓ６で回転体３７１の回転数が目標回転数ＴＧに到達していないと判定された場合（Ｎｏ）、回転数が目標回転数ＴＧに到達するまで工程Ｓ６が繰り返される。
一方、工程Ｓ６で回転体３７１の回転数が目標回転数ＴＧに到達したと判定された場合（Ｙｅｓ）、処理は工程Ｓ７に進む。
次に、工程Ｓ７において、制御部３Ａは、回転体３７１に目標回転数ＴＧを維持させる。工程Ｓ７は、本発明の「第２回転工程」の一例に相当する。
一方、工程Ｓ８において、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動する場合（工程Ｓ５）、処理液が外循環する第１循環配管３１から延びる第１排液配管８５を通して第１循環配管３１から処理液を排出するように、処理液供給装置ＣＳを制御する（図７）。具体的には、制御部３Ａは、第１循環バルブ４０及び第１排液バルブ８６を開く。その結果、処理液が第１循環配管３１から第１排液配管８５を通って排液タンク８０に排出される。工程Ｓ８は、本発明の「循環配管排液工程」の一例に相当する。
次に、工程Ｓ９において、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動する場合（工程Ｓ５）、第１循環配管３１に配置されるフィルター３９から延びる第２排液配管６６を通してフィルター３９から処理液を排出するように、処理液供給装置ＣＳを制御する（図７）。具体的には、制御部３Ａは、第２排液バルブ６７を開く。その結果、フィルター３９の内部の一次側空間に存在する処理液が、第２排液配管６６を通って排液タンク８０に排出される。工程Ｓ９は、本発明の「フィルター排液工程」の一例に相当する。
工程Ｓ８及び工程Ｓ９が実行されると、処理液供給装置ＣＳの状態は、循環停止アイドル状態（図６）から排液状態（図７）に移行する。制御部３Ａは、所定排液期間Ｔ、排液状態を維持する。そして、制御部３Ａは、所定排液期間Ｔが経過すると、処理を工程Ｓ１０に進める。
次に、工程Ｓ１０において、制御部３Ａは、処理液が外循環及び内循環を開始するように、処理液供給装置ＣＳを制御する（図５）。具体的には、制御部３Ａは、第１排液バルブ８６を閉じ、帰還バルブ８９を開ける。その結果、第１循環配管３１の流路が開放されて、処理液の外循環が開始される。加えて、制御部３Ａは、第２排液バルブ６７を閉じて、第２循環バルブ７０及びエア抜きバルブ６５を開く。その結果、第２循環配管３２の流路が開放されて、処理液の内循環が開始される。
工程Ｓ１０が実行されると、処理液供給装置ＣＳの状態は、排液状態（図７）からレディ状態（図５）に移行する。制御部３Ａは、レディ状態においても、ポンプ３７の回転体３７１の回転数を、目標回転数ＴＧ（工程Ｓ７）に維持する。
次に、工程Ｓ１１において、処理ユニット２（図２）は、処理液によって基板Ｗを処理する。つまり、工程Ｓ５～工程Ｓ１０よりも後において、処理ユニット２は、ポンプ３７の回転体３７１によって送り出された処理液を基板Ｗに供給する。具体的には、工程Ｓ１１では、処理ユニット２は、ポンプ３７の回転体３７１の回転数が目標回転数ＴＧに維持されている状態において、基板Ｗに処理液を供給する。その結果、処理液によって基板Ｗが処理される。そして、基板処理方法は終了する。工程Ｓ１１は、本発明の「処理液供給工程」の一例に相当する。
図９は、図８の工程Ｓ１１を示すフローチャートである。図９に示すように、工程Ｓ１１によって実行される基板処理は、工程Ｓ１１１～工程Ｓ１１５を含む。
まず、工程Ｓ１１１において、センターロボットＣＲ（図１）は、基板Ｗを処理ユニット２に搬入する。そして、処理ユニット２（図２）において、スピンチャック１０は基板Ｗを保持する。更に、スピンモーター１３は、スピンチャック１０を回転させることで、基板Ｗを回転させる。
次に、工程Ｓ１１２において、処理ユニット２のノズル２１は、回転中の基板Ｗに処理液を供給する。具体的には、制御部３Ａは、バルブ２３を開く。従って、処理液は、第１循環配管３１から配管２２を介してノズル２１に供給される。その結果、ノズル２１は、基板Ｗに向けて処理液を供給する。工程Ｓ１１２は、本発明の「処理液供給工程」の一例に相当する。
バルブ２３が開かれてから所定処理期間が経過すると、バルブ２３が閉じられ、ノズル２１からの処理液の供給が停止される。なお、所定処理期間は、基板Ｗの処理目的に応じて予め定められる。
次に、工程Ｓ１１３において、ノズル１６は、回転中の基板Ｗにリンス液を供給する。その結果、基板Ｗ上の処理液が、リンス液によって洗い流される。
具体的には、バルブ１８が開かれると、ノズル１６は、リンス液を基板Ｗに供給する。バルブ１８が開かれてから所定リンス期間が経過すると、バルブ１８が閉じられ、ノズル１６からのリンス液の供給が停止される。なお、所定リンス期間は、例えば、実験的及び／又は経験的に予め定められる。
次に、工程Ｓ１１４において、処理ユニット２は、基板Ｗの高速回転によって基板Ｗを乾燥させる。
具体的には、スピンモーター１３が基板Ｗを回転方向に加速させ、工程Ｓ１１２及び工程Ｓ１１３での基板Ｗの回転速度よりも大きい高回転速度で基板Ｗを回転させる。その結果、液体が基板Ｗから除去され、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定乾燥期間が経過すると、スピンモーター１３が回転を停止する。そして、基板Ｗの回転が停止される。なお、所定乾燥期間は、例えば、実験的及び／又は経験的に予め定められる。
次に、工程Ｓ１１５において、センターロボットＣＲは、基板Ｗを処理ユニット２から搬出する。つまり、処理済みの基板Ｗがチャンバー６から搬出される。そして、処理は図８のメインルーチンに戻り、基板処理方法は終了する。
（変形例）
図１０～図１２を参照して、本実施形態の変形例に係る基板処理装置１を説明する。変形例に係る基板処理装置１のハードウェア構成は、図１～図３を参照して説明した基板処理装置１のハードウェア構成と同様である。変形例では、レディ状態において外循環のみを実行し、排液状態に代えて内循環状態が存在する点で、変形例は図５及び図７を参照して説明した本実施形態と主に異なる。以下、変形例が本実施形態と異なる点を主に説明する。
図１０は、変形例に係る処理液供給装置ＣＳのレディ状態を示す図である。図１０に示すように、レディ状態では、第２循環バルブ７０が閉じている。従って、処理液は第２循環配管３２を流れない。つまり、処理液は内循環しない。処理液供給装置ＣＳのその他の状態は、図５に示すレディ状態と同じである。従って、レディ状態では、第１循環配管３１（第１循環流路Ｃ１）を処理液が流れる。つまり、処理液の外循環のみが実行される。
変形例では、制御部３Ａは、図６に示す循環停止アイドル状態から図１０に示すレディ状態への移行指示を受け付けると、直ちにレディ状態に移行するのではなく、処理液供給装置ＣＳの状態が内循環状態になるように処理液供給装置ＣＳを制御する。
図１１は、変形例に係る処理液供給装置ＣＳの内循環状態を示す図である。図１１に示すように、内循環状態では、第１循環バルブ４０を閉じた状態で、第２循環バルブ７０及びエア抜きバルブ６５が開かれている。その結果、第２循環配管３２（第２循環流路Ｃ２）を処理液が流れる。つまり、処理液が内循環する。
具体的には、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動する場合、第１循環バルブ４０が第１循環配管３１の流路を閉塞するように、第１循環バルブ４０を制御するとともに、第２循環バルブ７０が第２循環配管３２の流路を開放するように、第２循環バルブ７０を制御する。その結果、第１循環配管３１（第１循環流路Ｃ１）における処理液の外循環が実行されず、第２循環配管３２（第２循環流路Ｃ２）における処理液の内循環が実行される。処理液の内循環は、処理液の温度が目標温度に到達するまで実行される。そして、例えば、処理液の温度が目標温度に到達すると、処理液供給装置ＣＳの状態が内循環状態（図１１）からレディ状態（図１０）に移行する。
変形例によれば、内循環の実行中に並行して、ポンプ３７の回転体３７１の回転数を目標回転数ＴＧに到達させることができる。一方、内循環によって処理液の温度が目標温度に到達しているため、レディ状態に移行後速やかに、処理液の温度が安定する。
例えば、内循環状態における処理液の内循環は、所定循環期間だけ実行される。所定循環期間は、例えば、実験的及び／又は経験的に定められ、処理液の温度が目標温度に到達するまでの時間である。この場合、例えば、所定循環期間を、ポンプ３７の回転体３７１の回転数がゼロから目標回転数ＴＧに到達するまでの時間に設定してもよい。この場合、「回転数がゼロから目標回転数ＴＧに到達するまでの時間」は、停止状態のポンプ３７の回転体３７１を、４００ｒｐｍ以下の回転加速度（好ましくは一定回転加速度）で回転させた場合において、目標回転数ＴＧに到達するまでの時間を示す。
なお、制御部３Ａは、温度センサー（不図示）によって検出された処理液の温度を監視しながら、内循環する処理液の温度が目標温度になるように、ヒーター３８を制御する。図１１に図示していないが、例えば、温度センサーは、上流側部分３３に配置される。
次に、図３及び図１２を参照して、変形例に係る基板処理方法を説明する。図１２は、変形例に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１２に示すように、変形例に係る基板処理方法は、工程Ｓ２１～工程Ｓ３１を含む。基板処理方法は、基板処理装置１によって実行される。基板処理方法の開始時では、処理液供給装置ＣＳの状態は、レディ状態（図１０）である。つまり、基板処理方法の開始時では、ポンプ３７が駆動しており、第１循環流路Ｃ１を処理液が循環している。
そして、図３及び図１２に示すように、まず、工程Ｓ２１において、制御部３Ａは、操作装置（不図示）から、ダウン操作を示す操作信号を受け付ける。その他、工程Ｓ２１は図８の工程Ｓ１と同様である。
次に、工程Ｓ２２及び工程Ｓ２３が並行して実行される。
すなわち、工程Ｓ２２において、制御部３Ａは、ポンプ３７を停止する（図６）。
一方、工程Ｓ２３において、制御部３Ａは、処理液の外循環の流路を閉塞するように、処理液供給装置ＣＳを制御する（図６）。具体的には、制御部３Ａは、第１循環バルブ４０及び帰還バルブ８９を閉じる。その結果、第１循環配管３１の流路が閉塞されて、処理液の外循環が停止される（図１１）。なお、変形例では、レディ状態（図１０）では内循環が実行されていない。
工程Ｓ２２及び工程Ｓ２３が実行されると、処理液供給装置ＣＳの状態は、レディ状態（図１０）から循環停止アイドル状態（図６）に移行する。
次に、工程Ｓ２４において、制御部３Ａは、操作装置（不図示）から、レディ操作を示す操作信号を受け付けたか否かを判定する。その他、工程Ｓ２４は図８の工程Ｓ４と同様である。
工程Ｓ２４でレディ操作を示す操作信号を受け付けたと判定された場合（Ｙｅｓ）、処理は工程Ｓ２５及び工程Ｓ２８に進む。
次に、工程Ｓ２５～工程Ｓ２７と、工程Ｓ２８、Ｓ２９とが並行して実行される。
すなわち、工程Ｓ２５において、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動する。具体的には、工程Ｓ２５では、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動する場合、４００ｒｐｍ／秒以下の回転加速度（好ましくは一定回転加速度）でポンプ３７の回転体３７１を回転させる。その他、工程Ｓ２５は図８の工程Ｓ５と同様である。工程Ｓ２５は、本発明の「第１回転工程」の一例に相当する。
次に、工程Ｓ２６において、制御部３Ａは、回転体３７１の回転数が目標回転数ＴＧに到達したか否かを判定する。その他、工程Ｓ２６は図８の工程Ｓ６と同様である。
次に、工程Ｓ２７において、制御部３Ａは、回転体３７１に目標回転数ＴＧを維持させる。その他、工程Ｓ２７は図６の工程Ｓ７と同様である。工程Ｓ２７は、本発明の「第２回転工程」の一例に相当する。
一方、工程Ｓ２８において、制御部３Ａは、処理液が内循環を開始するように、処理液供給装置ＣＳを制御する（図１１）。つまり、制御部３Ａは、停止状態のポンプ３７を駆動する場合（工程Ｓ２５）、第１循環配管３１の流路を閉塞するとともに、第１循環配管３１に接続される第２循環配管３２に処理液を供給する。具体的には、制御部３Ａは、第１循環バルブ４０の閉じた状態を維持しつつ、第２循環バルブ７０及びエア抜きバルブ６５を開く。その結果、第２循環配管３２の流路が開放されて、処理液の内循環が開始される。つまり、処理液が第２循環配管３２（第２循環流路Ｃ２）を流れる。工程Ｓ２８は、本発明の「循環工程」の一例に相当する。
工程Ｓ２８が実行されると、処理液供給装置ＣＳの状態は、循環停止アイドル状態（図６）から内循環状態（図１１）に移行する。
次に、工程Ｓ２９において、制御部３Ａは、所定循環期間が経過すると、処理液が内循環を停止するように、処理液供給装置ＣＳを制御する。具体的には、制御部３Ａは、第２循環バルブ７０を閉じることで、第２循環配管３２（第２循環流路Ｃ２）を閉塞する。その結果、処理液の内循環が停止される。この場合、所定循環期間は、例えば、ポンプ３７の回転体３７１の回転数がゼロから目標回転数ＴＧに到達するまでの時間以上に設定される。
次に、工程Ｓ３０において、制御部３Ａは、処理液が外循環を開始するように、処理液供給装置ＣＳを制御する（図１０）。具体的には、制御部３Ａは、第１循環バルブ４０及び帰還バルブ８９を開ける。その結果、第１循環配管３１の流路が開放されて、処理液の外循環が開始される。つまり、処理液が第１循環配管３１（第１循環流路Ｃ１）を流れる。
工程Ｓ３０が実行されると、処理液供給装置ＣＳの状態は、内循環状態（図１１）からレディ状態（図１０）に移行する。制御部３Ａは、レディ状態においても、ポンプ３７の回転体３７１の回転数を、目標回転数ＴＧ（工程Ｓ２７）に維持する。
次に、工程Ｓ３１において、処理ユニット２（図２）は、処理液によって基板Ｗを処理する。その他、工程Ｓ３１は図８の工程Ｓ１１と同様である。そして、基板処理方法は終了する。
次に、本発明が実施例に基づき具体的に説明されるが、本発明は以下の実施例によって限定されない。
図１３～図１５を参照して本発明の実施例１～３及び比較例を説明する。実施例１～３では、図１～図３を参照して説明した本実施形態に係る基板処理装置１を使用した。また、比較例に係る基板処理装置のハードウェア構成は、図１～図３を参照して説明した本実施形態に係る基板処理装置１のハードウェア構成と同じであった。なお、説明の便宜上、比較例に係る基板処理装置の各構成には、実施例１～３に係る基板処理装置１の各構成と同じ参照符号を付して説明する。
（１）ポンプ３７の回転体３７１の回転加速度は、下記の通りであった。
実施例１：４００ｒｐｍ／秒
実施例２：５０ｒｐｍ／秒
実施例３：１０ｒｐｍ／秒
比較例 ：３０００ｒｐｍ／秒
（２）実施例１～３及び比較例の目標回転数ＴＧは、６０００ｒｐｍであった。
（３）図１３は、実施例１～３及び比較例におけるポンプ３７の回転数を示すグラフである。図１３において、横軸は時間（秒）を示し、縦軸は回転数を示す。
図１３の直線ＲＴ１に示すように、実施例１では、制御部３Ａは、ポンプ３７が停止している状態から、回転体３７１が４００ｒｐｍ／秒の一定回転加速度で回転するように、ポンプ３７を制御した。そして、回転体３７１の回転数は、始動から１５秒で目標回転数ＴＧに到達し、目標回転数ＴＧに維持された。
直線ＲＴ２に示すように、実施例２では、制御部３Ａは、ポンプ３７が停止している状態から、回転体３７１が５０ｒｐｍ／秒の一定回転加速度で回転するように、ポンプ３７を制御した。そして、回転体３７１の回転数は、始動から１２０秒で目標回転数ＴＧに到達し、目標回転数ＴＧに維持された。
直線ＲＴ３に示すように、実施例３では、制御部３Ａは、ポンプ３７が停止している状態から、回転体３７１が１０ｒｐｍ／秒の一定回転加速度で回転するように、ポンプ３７を制御した。そして、回転体３７１の回転数は、始動から６００秒で目標回転数ＴＧに到達し、目標回転数ＴＧに維持された。なお、紙面の都合上、実施例３における回転数のグラフでは、目標回転数ＴＧに到達する前の部分のみが示され、他は省略されている。
直線ＲＴ０に示すように、比較例では、制御部３Ａは、ポンプ３７が停止している状態から、回転体３７１が３０００ｒｐｍ／秒の一定回転加速度で回転するように、ポンプ３７を制御した。そして、回転体３７１の回転数は、始動から２秒で目標回転数ＴＧに到達し、目標回転数ＴＧに維持された。
（４）処理液供給装置ＣＳの制御については、排液状態（図７）を経由することなく、ポンプ３７が停止している循環停止アイドル状態（図６）から、直ちにレディ状態（図５）に移行した。そして、ポンプ３７の回転体３７１の回転数が目標回転数ＴＧに到達した時点からレディ状態を３０分以上維持した。この場合、ポンプ３７の回転体３７１の回転数が６０００回転に到達した時点から３０分後に、第１循環配管３１及び配管２２からノズル２１に処理液を供給し、ノズル２１から基板Ｗに向けて処理液を供給した。基板Ｗへの処理液の供給時間は、８秒であった。そして、粒子計測装置（ＫＬＡテンコール社製、Ｓｕｒｆｓｃａｎ（登録商標）ＳＰ７）を使用して、基板Ｗ上面の処理液において、パーティクル数を計数した。この場合、粒径が３０ｎｍよりも大きいパーティクルの数、粒径が１９ｎｍよりも大きいパーティクルの数、及び、粒径が１５ｎｍよりも大きいパーティクルの数を計数した。粒径はパーティクルにおいて最も大きな部分の長さであった。
（５）図１４は、実施例１～３及び比較例に係るポンプ３７の回転加速度とパーティクル数との関係を示すグラフである。図１４において、横軸は回転加速度（ｒｐｍ／秒）を示し、縦軸は、粒径が３０ｎｍよりも大きいパーティクル数を示す。また、バーＡ０は比較例におけるパーティクル数を示し、バーＡ１は実施例１におけるパーティクル数を示し、バーＡ２は実施例２におけるパーティクル数を示し、バーＡ３は、実施例３におけるパーティクル数を示している。
図１４に示すように、比較例（バーＡ０）のパーティクル数は６３個であった。これに対して、実施例１（バーＡ１）のパーティクル数は３３個であり、実施例２（バーＡ２）のパーティクル数は２５個であり、実施例３（バーＡ３）のパーティクル数は２３個であった。
実施例１～３から明らかなように、ポンプ３７の始動時の回転加速度を４００ｒｐｍ／秒以下にすることで、基板Ｗに供給した処理液中のパーティクル数は、比較例と比べて、約１／２以下になった。つまり、ポンプ３７の始動時の回転加速度を４００ｒｐｍ／秒以下にすることで、基板Ｗに供給した処理液中のパーティクル数を低減できた。
また、実施例２（バーＡ２）及び実施例３（バーＡ３）では、実施例１（バーＡ１）と比べて、パーティクル数が少なかった。つまり、ポンプ３７の始動時の回転加速度を５０ｒｐｍ／秒以下にすることで、基板Ｗに供給した処理液中のパーティクル数をより低減できた。
（６）図１５は、実施例１～３に係るポンプ３７の回転加速度とパーティクル数との関係を示す別のグラフである。図１５において、横軸は回転加速度（ｒｐｍ／秒）を示し、縦軸はパーティクル数を示す。
（６－１）図１５において、バーＢ１は、実施例１における粒径が１９ｎｍより大きいパーティクル数を示す。バーＢ２は実施例２における粒径が１９ｎｍより大きいパーティクル数を示す。バーＢ３は、実施例３における粒径が１９ｎｍより大きいパーティクル数を示している。
実施例１（バーＢ１）のパーティクル数は５８３個であり、実施例２（バーＢ２）のパーティクル数は２４０個であり、実施例３（バーＢ３）のパーティクル数は２５５個であった。
実施例２（バーＢ２）及び実施例３（バーＢ３）では、実施例１（バーＢ１）と比べて、パーティクル数は約１／２以下になった。つまり、ポンプ３７の始動時の回転加速度を５０ｒｐｍ／秒以下にすることで、基板Ｗに供給した処理液中のパーティクル数をより低減できた。
（６－１）図１５において、バーＥ１は、実施例１における粒径が１５ｎｍより大きいパーティクル数を示す。バーＥ２は実施例２における粒径が１５ｎｍより大きいパーティクル数を示す。バーＥ３は、実施例３における粒径が１５ｎｍより大きいパーティクル数を示している。
実施例１（バーＥ１）のパーティクル数は９２７個であり、実施例２（バーＥ２）のパーティクル数は３６５個であり、実施例３（バーＥ３）のパーティクル数は３８６個であった。
実施例２（バーＥ２）及び実施例３（バーＥ３）では、実施例１（バーＥ１）と比べて、パーティクル数は約１／２．５以下になった。つまり、ポンプ３７の始動時の回転加速度を５０ｒｐｍ／秒以下にすることで、基板Ｗに供給した処理液中のパーティクル数をより低減できた。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
（１）図８及び図１２では、ポンプ３７が停止している状態として、循環アイドル停止状態を説明した。ただし、本発明は、停止状態のポンプ３７を駆動する限りにおいては、ポンプ３７の停止状態は循環アイドル停止状態に限定されない。例えば、ある工場において基板処理装置１を導入した直後においてポンプ３７が停止している状態からポンプ３７を初めて駆動する場合にも、本発明は適用される。
（２）図８において、工程Ｓ８、Ｓ９は実行されなくてもよいし、工程Ｓ８及び工程Ｓ９のいずれか一方が実行されてもよい。また、工程Ｓ９の後に工程Ｓ８が実行されてもよい。更に、工程Ｓ８、Ｓ９の後に、工程Ｓ５～工程Ｓ７が実行されてもよい。更に、工程Ｓ２の後に工程Ｓ３が実行されてもよいし、工程Ｓ３の後に工程Ｓ２が実行されてもよい。
（３）図１２において、工程Ｓ２８、Ｓ２９は実行されなくてもよい。また、工程Ｓ２８、Ｓ２９の後に、工程Ｓ２５～工程Ｓ２７が実行されてもよい。更に、工程Ｓ２２の後に工程Ｓ２３が実行されてもよいし、工程Ｓ２３の後に工程Ｓ２２が実行されてもよい。
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
１ 基板処理装置
３Ａ 制御部
３０ 処理液タンク（処理液貯留部）
３１ 第１循環配管
３７ ポンプ
３９ フィルター
４０ 第１循環バルブ
６６ 第２排液配管
６７ 第２排液バルブ
７０ 第２循環バルブ
８５ 第１排液配管
８６ 第１排液バルブ

Claims (12)

  1. 処理液によって基板を処理する基板処理装置であって、
    前記処理液を貯留する処理液貯留部と、
    上流端が前記処理液貯留部に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液が循環する第１循環配管と、
    前記第１循環配管に配置され、前記処理液に含まれるパーティクルを捕捉するフィルターと、
    前記第１循環配管に配置されるポンプと、
    前記ポンプを制御する制御部と
    を備え、
    前記ポンプは、回転体を有し、前記回転体を回転させることで、前記処理液を送り出し、
    停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記回転体が４００ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で回転するように、前記制御部は、前記ポンプを制御する、基板処理装置。
  2. 停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記制御部は、前記回転体が４００ｒｐｍ／秒以下の一定回転加速度で回転するように、前記ポンプを制御し、
    前記回転体の回転数が目標回転数に到達した場合、前記制御部は、前記回転体が前記目標回転数を維持するように、前記ポンプを制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記回転体が５０ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で回転するように、前記制御部は、前記ポンプを制御する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１循環配管に接続され、前記第１循環配管から前記処理液を排出する第１排液配管と、
    前記第１排液配管に配置され、前記第１排液配管の流路を開閉する第１排液バルブと
    を更に備え、
    停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記第１排液バルブが前記第１排液配管の流路を開放するように、前記制御部は、前記第１排液バルブを制御する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  5. 前記フィルターから延び、前記フィルターから前記処理液を排出する第２排液配管と、
    前記第２排液配管に配置され、前記第２排液配管の流路を開閉する第２排液バルブと
    を更に備え、
    停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記第２排液バルブが前記第２排液配管の流路を開放するように、前記制御部は、前記第２排液バルブを制御する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 前記第１循環配管に配置され、前記第１循環配管の流路を開閉する第１循環バルブと、
    前記第１循環配管から前記処理液貯留部までの延びる第２循環配管と、
    前記第２循環配管に配置され、前記第２循環配管の流路を開閉する第２循環バルブと
    を更に備え、
    停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記制御部は、前記第１循環バルブが前記第１循環配管の流路を閉塞するように、前記第１循環バルブを制御するとともに、前記第２循環バルブが前記第２循環配管の流路を開放するように、前記第２循環バルブを制御する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 処理液によって基板を処理する基板処理方法であって、
    前記処理液が循環する第１循環配管においてフィルターよりも上流に配置される停止状態のポンプを駆動する場合、４００ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で前記ポンプの回転体を回転させる第１回転工程と、
    前記第１回転工程よりも後において、前記回転体によって送り出された前記処理液を前記基板に供給する処理液供給工程と
    を含む、基板処理方法。
  8. 第２回転工程を更に含み、
    前記第１回転工程では、停止状態の前記ポンプを駆動する場合、４００ｒｐｍ／秒以下の一定回転加速度で前記回転体を回転させ、
    前記第２回転工程では、前記回転体の回転数が目標回転数に到達した場合、前記回転体に前記目標回転数を維持させ、
    前記処理液供給工程では、前記回転体の回転数が前記目標回転数に維持されている状態において、前記基板に前記処理液を供給する、請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 前記第１回転工程では、停止状態の前記ポンプを駆動する場合、５０ｒｐｍ／秒以下の回転加速度で前記回転体を回転させる、請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記第１循環配管から延びる第１排液配管を通して前記第１循環配管から前記処理液を排出する循環配管排液工程を更に含む、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  11. 停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記第１循環配管に配置される前記フィルターから延びる第２排液配管を通して前記フィルターから前記処理液を排出するフィルター排液工程を更に含む、請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  12. 停止状態の前記ポンプを駆動する場合、前記第１循環配管の流路を閉塞するとともに、前記第１循環配管に接続される第２循環配管に前記処理液を供給する循環工程を更に含み、
    前記第２循環配管は、前記第１循環配管から、前記処理液を貯留する処理液貯留部まで延びており、
    前記循環工程では、前記第２循環配管を前記処理液が循環する、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
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