CN101093788A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，该基板处理方法包括：清洗处理工序，向作为待处理对象的基板的主面供给纯水而对该基板进行清洗；干燥前处理工序，在该清洗处理工序之后，向基板的主面供给含有挥发性比纯水更高的有机溶剂的干燥前处理液，使在该主面上残留的纯水置换成干燥前处理液；干燥处理工序，在该干燥前处理工序之后，除去被供给到基板的主面上的干燥前处理液而使该基板干燥。干燥前处理工序包括：纯水·有机溶剂混合液供给工序，将含有纯水和有机溶剂的混合液作为干燥前处理液而向基板的主面供给；混合比变更工序，在进行该纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中，使含有纯水和有机溶剂的混合液中的有机溶剂的比例增加。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种用于对基板进行清洗而使其干燥的基板处理方法以及基板处理装置。成为待处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板等。
背景技术
在半导体装置和液晶显示装置的制造工序中，使用处理液对半导体晶片和液晶显示装置用玻璃基板等基板进行处理。具体地说，向基板的主面供给药液而对该基板进行药液处理，然后，向供给过药液的基板的主面供给纯水(deionized water：去离子水)，而进行冲洗掉基板上的药液的冲洗处理(例如，参照日本特开2003-92280号公报)。
在进行了清洗处理后，进行除去在基板上残留的纯水而使基板干燥的干燥处理。作为进行这种干燥处理的方法，有例如像IPA(异丙醇)蒸气干燥法、马兰哥尼干燥法、旋转马兰哥尼干燥法等那样使用IPA将基板上的纯水置换为IPA而使基板干燥的方法。
但是，在使用IPA的以往的干燥方法中，存在不能使基板充分干燥的情况。例如，在基板的主面上有如下的情况：在主面上形成有长宽比高的孔、沟槽以及其他的凹部。在这种基板中，在该凹部内残留的纯水中，仅其上部的纯水被置换为IPA，而下部(底部)的纯水没有被IPA充分地置换。因此，即使在进行干燥处理后，也存在有在长宽比高的凹部的底部残留着纯水的情况。因该残留的纯水导致在凹部内产生水斑，而该水斑成为安装在基板上的器件特性恶化的原因。
更具体地说，由于IPA的表面张力比纯水小，所以与纯水相比，IPA容易进入到长宽比高的凹部的内部中。但是，由于IPA与纯水并不容易混合，在IPA与纯水接触的情况下，两者只不过在它们的界面附近稍微混合。因此，在纯水先进入到长宽比高的微细的凹部内的情况下，IPA只不过在该凹部的上部附近与纯水混合，而不会到达该凹部的底部。因此，仅凹部上部的纯水被置换成IPA，而凹部底部附近的纯水被留下，从而成为水斑。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种能够在抑制水斑产生的同时使基板干燥的基板处理方法以及基板处理装置。
本发明的基板处理方法，包括：清洗处理工序，向作为待处理对象的基板的主面供给纯水而对该基板进行清洗；干燥前处理工序，在该清洗处理工序之后，向所述基板的主面供给含有挥发性比纯水更高的有机溶剂的干燥前处理液，而使在该主面上残留的纯水置换成干燥前处理液；干燥处理工序，在该干燥前处理工序之后，除去被供给到所述基板的主面上的干燥前处理液而使该基板干燥。所述干燥前处理工序包括：纯水·有机溶剂混合液供给工序，将含有纯水和所述有机溶剂的混合液作为所述干燥前处理液而向所述基板的主面供给；混合比变更工序，在进行纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中，使含有纯水和所述有机溶剂的混合液中的所述有机溶剂的比例增加。
根据本发明，进行向作为待处理对象的基板的主面供给纯水而对该基板进行清洗的清洗处理工序之后，进行纯水·有机溶剂混合液供给工序，将含有纯水和挥发性比纯水高的有机溶剂的混合液、即干燥前处理液向所述基板的主面供给。然后，进行混合比变更工序，在进行上述纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中，使所述干燥前处理液中的有机溶剂的比例增加。即，在纯水·有机溶剂混合液供给工序的初期，将以纯水为主要成分的干燥前处理液向基板的主面供给，在纯水·有机溶剂混合液供给工序的末期，将以有机溶剂为主要成分的干燥前处理液向基板的主面供给。
因此，在所述纯水·有机溶剂混合液供给工序的初期，由于与纯水的组成接近的干燥前处理液被供给到基板的主面，所以干燥前处理液和纯水容易混合。然后，在干燥前处理液中的有机溶剂的混合比增加的过程中，通过纯水·有机溶剂混合液供给工序而供给到基板上的干燥前处理液的组成与在基板上存在的干燥前处理液的组成近似。因此，新被供给到基板上的干燥前处理液与在基板上存在的干燥前处理液良好地混合。这样一来，通过增加被供给到基板上的干燥前处理液中的有机溶剂的混合比，就能够可靠地将基板上的纯水置换成有机溶剂。例如，即使是在基板的主面上形成有在长宽比高的孔以及其他凹部的情况下，初始被供给的干燥前处理液也容易与在该长宽比高的凹部内残留的纯水混合。并且，然后提高有机溶剂的混合比而供给的干燥前处理液也容易与该长宽比高的凹部内的液体混合。这样一来，能够将长宽比高的凹部内的纯水可靠地置换成有机溶剂。
这样，通过在进行所述纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中使所述干燥前处理液中的有机溶剂的比例增加，从而能够将在所述基板的主面残留的纯水置换成挥发性更高的干燥前处理液，最终置换成以有机溶剂为主要成分的干燥前处理液。由此，在所述纯水·有机溶剂混合液供给工序之后进行的干燥处理工序中，能够迅速且充分地使基板干燥，即使是在基板的主面上形成有长宽比高的凹部的情况下，也能够抑制或者防止在其内部产生水斑。
进而，伴随所述纯水·有机溶剂混合液供给工序的进行，可以缓缓增加所述干燥前处理液中的有机溶剂的比例。由此，能够将在所述基板的主面上残留的纯水顺畅地置换成挥发性比纯水高的干燥前处理液，最终能够顺畅地置换为以有机溶剂为主要成分的干燥前处理液。
另外，在所述纯水·有机溶剂混合液供给工序的末期供给的所述干燥前处理液中的所述有机溶剂的比例优选为100％。即，优选纯水·有机溶剂混合液供给工序的末期是仅将有机溶剂向基板供给的有机溶剂供给工序。由此，在所述有机溶剂供给工序之后进行的干燥处理工序中，能够使基板更快速且充分地干燥。
另外，作为所述挥发性比纯水高的有机溶剂，优选相对基板的表面张力比纯水小、且蒸气压比纯水高(沸点低)的有机溶剂。即，当有机溶剂的表面张力比纯水小时，由于有机溶剂易于进入到基板上的微细的图案中，所以能够更可靠地置换基板上的纯水，且能够更可靠地排除基板上的污染物(药液残留等)。另外，当有机溶剂的蒸气压比纯水高时，由于比纯水更容易蒸发，所以能够快速且充分地使基板干燥。另外，在有机溶剂相对纯水有溶解性的情况下，能够顺畅地进行从纯水向含有有机溶剂和纯水的混合液的置换以及该混合液的混合比的变更。
作为所述挥发性比纯水高的有机溶剂，能够应用含有甲醇、乙醇、丙酮、IPA(异丙醇)、HFE(氢氟醚)以及MEK(甲乙酮)中一种以上的溶剂。即，能够使用以甲醇、乙醇以及IPA为代表的醇类、以HFE为代表的醚类、以及以丙酮和MEK为代表的酮类的有机溶剂。可以将上述的有机溶剂中的任意一种和纯水混合而制成干燥前处理液，也可以将这些中的两种以上的物质和纯水混合而制成干燥前处理液。此外，上述的HFE难溶于水(难以溶解的性质)，并具有比重比纯水大的性质。
通过将含有纯水和有机溶剂的混合液作为干燥前处理液而供给到基板的主面，能够将在所述凹部内残留的纯水置换成干燥前处理液，并能够抑制在凹部内产生水斑，其中，该有机溶剂含有所述甲醇等中的一种以上。
所述干燥前处理液含有第一有机溶剂和第二有机溶剂。此时，所述纯水·有机溶剂混合液供给工序是将含有纯水和所述第一有机溶剂的混合液作为所述干燥前处理液而向所述基板的主面供给的工序，所述混合比变更工序是在进行所述纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中使含有纯水和所述第一有机溶剂的混合液中的所述第一有机溶剂的比例增加的工序。并且，所述干燥前处理工序还包括：混合有机溶剂供给工序，将含有所述第一有机溶剂和所述第二有机溶剂的混合液(优选是不含有纯水)作为所述干燥前处理液而向所述基板的主面供给；有机溶剂混合比变更工序，在进行该混合有机溶剂供给工序的期间中，使含有所述第一和第二有机溶剂的混合液中的所述第二有机溶剂的比例增加。
混合有机溶剂供给工序可以在所述纯水·有机溶剂混合液供给工序之后进行。更具体地说，可以在纯水·有机溶剂混合液供给工序的末期，使纯水的混合比为零，而仅供给第一有机溶剂，其后执行混合有机溶剂供给工序。另外，也可以在纯水·有机溶剂混合液供给工序的末期，开始混合有机溶剂供给工序。即，可以存在同时进行纯水·有机溶剂混合液供给工序和混合有机溶剂供给工序的期间。此时，可以在混合有机溶剂供给工序的初期供给含有纯水、第一有机溶剂以及第二有机溶剂的混合液。
在上述方法中，在所述清洗处理工序之后，进行将含有纯水和第一有机溶剂的混合液作为干燥前处理液而向基板的主面供给的纯水·有机溶剂混合液供给工序，在进行该纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中，进行使含有纯水和第一有机溶剂的混合液中的第一有机溶剂的比例增加的混合比变更工序。即，在纯水·有机溶剂混合液供给工序的初期，以纯水为主要成分的干燥前处理液被供给到基板的主面上，而在纯水·有机溶剂混合液供给工序的末期，以第一有机溶剂为主要成分的干燥前处理液被供给到基板的主面上。此外，也可以伴随纯水·有机溶剂混合液供给工序的进行，来执行缓缓增加第一有机溶剂的比例的混合比变更工序。
并且，在含有纯水和第一有机溶剂的混合液供给到基板之后，进行将含有第一有机溶剂和第二有机溶剂的混合液作为干燥前处理液而供给到基板的主面的混合有机溶剂供给工序，在进行该混合有机溶剂供给工序的期间中，进行使含有第一以及第二有机溶剂的混合液中的第二有机溶剂的比例增加的有机溶剂混合比变更工序。即，在混合有机溶剂工序的初期，以第一有机溶剂为主要成分的干燥前处理液被供给到基板的主面，而在混合有机溶剂供给工序的末期，以第二有机溶剂为主要成分的干燥前处理液被供给到基板的主面。
由此，在所述基板的主面上残留的纯水，最初被置换成含有纯水和第一有机溶剂的混合液，最终被置换成含有第一以及第二有机溶剂的混合液。由于被供给到所述基板的干燥前处理液具有与在该基板的主面上残留的液体(含有纯水、第一有机溶剂以及第二有机溶剂中的一种以上的液体)近似的组成，所以它们容易混合，从而能够使该基板上的液体易于置换成干燥前处理液。
在所述混合有机溶剂供给工序的末期供给的干燥前处理液的所述第二有机溶剂的比例可以为100％。即，在混合有机溶剂供给工序的末期可以是仅供给第二有机溶剂的第二有机溶剂供给工序。由此，在所述混合有机溶剂供给工序之后进行的干燥处理工序中，能够更快速且充分地使基板干燥。
优选所述第二有机溶剂是挥发性比所述第一有机溶剂更高的溶剂。此时，在混合有机溶剂供给工序的末期供给的含有第一以及第二有机溶剂的混合液由于是以挥发性比第一有机溶剂更高的第二有机溶剂为主要成分，所以能够快速且充分地使基板干燥。因此，能够更有效地抑制水斑的发生。
另外，作为挥发性比所述第一有机溶剂更高的第二有机溶剂，优选是这样的有机溶剂：稍微具有对第一有机溶剂的溶解性，对基板的表面张力比第一有机溶剂小，且蒸气压比第一有机溶剂高。更具体地说，例如，使用IPA作为第一有机溶剂的情况下，可以使用HFE作为第二有机溶剂。
所述第一有机溶剂优选是相对纯水的溶解性比所述第二有机溶剂更高的溶剂。此时，由于第一有机溶剂能够容易地溶解到纯水中，所以易于相互混合，另一方面，第一和第二有机溶剂彼此能够容易溶解而混合。因此能够顺畅地进行含有第一有机溶剂和第二有机溶剂的混合液的置换。具体地说，例如在使用IPA作为第一有机溶剂的情况下，能够使用HFE作为第二有机溶剂。
所述清洗处理工序前的基板的主面是疏水面。此时，例如利用作为药液的氢氟酸进行处理，即使是主面成为疏水面的基板，也能够抑制水斑的发生并使基板干燥。特别是，在表面上形成有长宽比高的微细的凹部的基板容易发生水斑，但是通过对这种基板使用本发明，能够进行高品质的基板清洗。
所述干燥前处理工序优选还包括在将干燥前处理液向所述基板的主面供给之前对干燥前处理液进行搅拌的搅拌工序。此时，能够将充分混合的干燥前处理液供给到基板的主面。由此，新供给到基板的主面上的干燥前处理液容易与在所述基板的主面上残留的液体混合，从而能够有效地置换基板上的液体。
优选还包括基板旋转工序，该基板旋转工序与所述清洗处理工序、干燥前处理工序以及干燥处理工序同时进行，使基板围绕与基板主面交叉的轴线旋转。此时，通过对正旋转的基板的主面的旋转中心附近供给纯水或者干燥前处理液，从而所供给的纯水或者干燥前处理液受到由基板的旋转产生的离心力而遍布基板的整个表面。由此，能够对基板的整个表面进行清洗处理或者干燥前处理。
另外，在进行所述干燥前处理后，通过将基板的旋转速度加速到比此前更高的干燥旋转速度，从而利用离心力甩掉基板主面上的干燥前处理液，而使该基板干燥。
本发明的基板处理装置包括：纯水供给单元，其用于向作为待处理对象的基板的主面供给纯水；干燥前处理液制成单元，其用于混合包括纯水的多种处理液，而制成含有挥发性比纯水更高的有机溶剂的干燥前处理液；干燥前处理液供给单元，其用于将由该干燥前处理液制成单元所制成的所述干燥前处理液向所述基板的主面供给；混合比变更单元，其用于变更在所述干燥前处理液制成单元中混合的所述多种处理液的混合比；干燥单元，其用于使所述基板干燥。
该基板处理装置优选还包括控制单元，通过该控制单元执行：清洗处理工序，即由所述纯水供给单元向所述基板的主面供给纯水而对该基板进行清洗；在该清洗处理工序之后执行干燥前处理工序，即由所述干燥前处理液供给单元向所述基板的主面供给所述干燥前处理液，而使在该主面上残留的纯水置换成所述干燥前处理液；在进行该干燥前处理工序的期间中执行混合比变更工序，即通过由所述混合比变更单元使所述干燥前处理液制成单元混合的处理液的混合比变更，从而使在干燥前处理液中所包含的所述有机溶剂的比例增加；在该干燥前处理工序之后执行干燥处理工序，即除去所述干燥单元供给到所述基板的主面上的干燥前处理液而使该基板干燥。
根据上述的基板处理装置，能够变更被供给到基板的干燥前处理液的混合比，能够进行适合基板的干燥的处理。
具体来说，在进行由纯水供给单元向所述基板的主面供给纯水而清洗该基板的清洗处理工序后，进行由干燥前处理液供给单元向该基板的主面供给干燥前处理液而使在主面残留的纯水置换成所述干燥前处理液的干燥前处理工序，在进行该干燥前处理工序的期间中，进行由混合比变更单元使在所述干燥前处理液所包含的所述有机溶剂的比例增加的混合比变更工序。
由此，在所述干燥前处理工序的初期，以纯水为主要成分的干燥前处理液被供给到基板的主面，而在所述干燥前处理工序的末期，以有机溶剂为主要成分的干燥前处理液被供给到基板的主面。因此，在干燥前处理工序的初期，基板上的纯水和被供给到基板上的干燥前处理液良好地混合，然后，基板上的液体和新供给到基板上的干燥前处理液也良好地混合。因此，通过提高干燥前处理液中的有机溶剂比率，从而在进行所述清洗处理工序后，能够将在基板的主面残留的纯水可靠地置换成有机溶剂。由此，在由干燥单元进行的干燥处理工序中，能够快速且充分地使基板干燥，能够有效地抑制或者防止纯水残留在干燥处理后的基板上。由此，能够抑制水斑的产生并使基板干燥。
参照附图对以下实施方式进行说明，来进一步明确本发明的上述或者其它目的、特征以及效果。
附图说明
图1是用于说明本发明第一实施方式的基板处理装置的结构的图。
图2是表示与上述基板处理装置的控制相关的结构的框图。
图3是用于对本发明第一实施方式的晶片的处理进行说明的流程图。
图4是表示向晶片表面供给纯水·有机溶剂混合液的供给时间和上述混合液中的有机溶剂的比例的关系的图。
图5是用于说明本发明第二实施方式的基板处理装置的结构的图。
图6是用于对本发明第二实施方式的晶片的处理进行说明的流程图。
具体实施方式
图1是用于说明本发明第一实施方式的基板处理装置的结构的图。该基板处理装置是向作为基板一例的硅半导体晶片W(以下仅称为“晶片”)供给处理液(含有药液、纯水以及有机溶剂中一种以上的液体)而对该晶片W逐张进行处理的单张式的基板处理装置。该基板处理装置具有：作为基板保持旋转机构的旋转卡盘1，其将晶片W近似水平地保持并使其旋转；作为处理液供给单元的喷嘴2，其向在该旋转卡盘1上所保持的晶片W的表面(上表面、下表面)供给处理液。
旋转卡盘1具有例如沿近似铅垂方向延伸的旋转轴3、在旋转轴3的上端安装的圆板状的旋转基座4、该旋转基座4的周边部上配置的多个夹持构件5。多个夹持构件5配置在与晶片W的外周形状对应的圆周上，在不同的多个位置与晶片W的外周面相抵接，从而相互协动来夹持晶片W，能够以近似水平的姿势保持该晶片W。另外，在旋转轴3上结合着包括马达等驱动源的旋转驱动机构6，在用多个夹持构件5保持晶片W的状态下，通过从旋转驱动机构6向旋转轴3输入驱动力，从而能够使晶片W围绕与晶片W的表面交叉的轴线、即旋转轴3的中心轴线旋转。
此外，作为旋转卡盘1，并不限于这样的结构，例如，可以采用真空吸附式的卡盘(真空卡盘)，其通过对晶片W的下表面进行真空吸附，从而将晶片W以近似水平的姿势保持，进而，在该状态下，使其围绕近似铅垂的轴线旋转，从而能够使其保持的晶片W旋转。
喷嘴2安装在臂7的前端上，该臂7设置在旋转卡盘1的上方。臂7被近似铅垂地延伸的支撑轴8支撑着，并从该支撑轴8的上端部近似水平地延伸着。支撑轴8以能够围绕其中心轴线旋转的方式设置。通过利用与支撑轴8结合的支撑轴驱动机构9使支撑轴8旋转，从而能够将喷嘴2配置于在旋转卡盘1上所保持的晶片W的上方，或者配置于从旋转卡盘1的上方退避的待机位置。另外，通过使支撑轴8在给定角度范围内往复旋转，从而能够使臂7在旋转卡盘1上所保持的晶片W的上方摆动。由此，在旋转卡盘1上所保持的晶片W的表面上，能够扫描(移动)来自喷嘴2的处理液的供给位置。这样，支撑轴8和支撑轴驱动机构9构成使来自喷嘴2的处理液供给位置在晶片W上移动的喷嘴移动机构。
经由混合阀10(干燥前处理液制成单元)从处理液供给路径11向喷嘴2供给处理液。在混合阀10上连接着氢氟酸供给路径12、纯水供给路径13以及IPA供给路径14，从氢氟酸供给路径12供给作为药液的氢氟酸(HF)，从纯水供给路径13供给纯水(DIW(去离子水))，从IPA供给路径14供给作为有机溶剂的IPA，该IPA相比纯水更容易干燥(即，挥发性高)，并且相对纯水稍微有溶解性。
在氢氟酸供给路径12上安装有用于控制氢氟酸向混合阀10供给的氢氟酸阀16。在纯水供给路径13上安装有用于控制纯水向混合阀10供给的纯水阀17、用于调整纯水向混合阀10的供给流量的流量调整阀20。在IPA供给路径14上安装有用于控制IPA向混合阀10供给的IPA阀18、用于调整IPA向混合阀10的供给流量的流量调整阀21。上述纯水供给路径13和纯水阀17等构成纯水供给单元。另外，纯水供给路径13、IPA供给路径14、纯水阀17以及IPA阀18等构成干燥前处理液供给单元。并且，流量调整阀20、21等构成混合比变更单元。
在向混合阀10供给多种处理液的情况下，这些处理液在混合阀10内混合，并作为混合液供给到处理液供给路径11。进而，该混合液由在处理液供给路径11的中途部安装的带搅拌叶片流通管23搅拌。由此，向喷嘴2供给多种处理液被充分混合后的混合液。
该带搅拌叶片流通管23是在管构件内将由分别以液体流通方向为轴施加近似180度扭弯的长方形板状体构成的多个搅拌叶片，使围绕沿着液体流通方向的管中心轴的旋转角度每90度交互不同而配置的结构。例如，作为搅拌叶片流通道，可以使用株式会社ノリタケカンパ一リミテド·アドバンス电气工业株式会社制造的商品名为“MX系列：管道搅拌机”的产品。
图2是表示与上述基板处理装置的控制相关的结构的框图。该基板处理装置具有控制单元24。该控制单元24控制旋转驱动机构6和支撑轴驱动机构9的动作。另外，控制单元24通过使氢氟酸阀16开闭而控制氢氟酸向混合阀10的供给，通过使纯水阀17开闭而控制纯水向混合阀10的供给，通过使IPA阀18开闭而控制IPA向混合阀10的供给。进而，控制单元24通过调整流量调整阀20的开度而控制纯水向混合阀10的供给流量，通过调整流量调整阀21的开度而控制IPA向混合阀10的供给流量。
图3是用于对本发明第一实施方式的晶片W的处理进行说明的流程图。图4是表示向晶片W表面供给的纯水·有机溶剂(IPA)混合液的供给时间和上述混合液中的有机溶剂的比例的关系的图。下面，参照图3和图4，对在表面形成有长宽比高的孔、沟槽等凹部的晶片W的处理进行说明。
作为待处理对象的晶片W由未图示的搬送机械手搬入，并从搬送机械手将晶片W交接到旋转卡盘1上。然后，由旋转驱动机构6向旋转轴3输入驱动力，在旋转卡盘1上保持的晶片W以给定的旋转速度旋转(步骤S1。基板旋转工序)。
然后，控制单元24打开氢氟酸阀16并关闭纯水阀17和IPA阀18，使氢氟酸从氢氟酸供给路径12供给到混合阀10中。被供给到混合阀10中的氢氟酸经由处理液供给路径11供给到喷嘴2中，然后从喷嘴2供给到正旋转的晶片W表面的旋转中心附近。被供给到晶片W表面的氢氟酸受到由晶片W的旋转产生的离心力而遍布在晶片W的整个表面。由此，对晶片W的整个表面进行蚀刻处理和除去处理，从而晶片W的表面通过上述处理而成为疏水面，其中，该除去处理是伴随蚀刻处理而除去(lift-off)晶片W表面上的杂质(颗粒、金属杂质等杂质)的处理。
当氢氟酸向晶片W表面的供给进行了给定的氢氟酸处理时间时，控制单元24关闭氢氟酸阀16而停止氢氟酸向晶片W的供给(步骤S2)。然后，控制单元24保持关闭氢氟酸阀16和IPA阀18的状态，打开纯水阀17而使纯水供给到晶片W表面的旋转中心附近(步骤S3。清洗处理工序)。此时，流量调整阀20调整开度，使得纯水以给定的供给流量向晶片W供给。
被供给到晶片W表面的纯水受到由晶片W的旋转产生的离心力而遍布晶片W的整个表面。由此，对晶片W的表面进行由纯水清洗掉在晶片W表面上残留的氢氟酸的清洗处理。当在给定的清洗处理时间内进行了纯水向晶片W表面的供给之后，控制单元24关闭纯水阀17而停止纯水向晶片W的供给(步骤S3)。
接着，控制单元24打开纯水阀17和IPA阀18，从纯水供给路径13和IPA供给路径14分别使纯水和IPA供给到混合阀10中。此时，调整流量调整阀20的开度，使得以给定的纯水初始流量(例如900ml/min)将纯水供给到混合阀10中，调整流量调整阀21的开度，使得以给定的IPA初始流量(例如100ml/min)将IPA供给到混合阀10中。
被供给到混合阀10的纯水和IPA在混合阀10内混合而成为以纯水为主要成分的纯水·IPA混合液(步骤S4)，该纯水·IPA混合液以给定的混合液供给流量(例如1000ml/min)供给到处理液供给路径11。被供给到处理液供给路径11的纯水·IPA混合液由带搅拌叶片流通管23搅拌(步骤S5。搅拌工序)，作为干燥前处理液而从喷嘴2供给到晶片W表面的旋转中心附近(步骤S6。纯水·有机溶剂混合液供给工序)。被供给到晶片W表面的纯水·IPA混合液受到由晶片W的旋转产生的离心力而遍布晶片W的整个表面。
由此，在进行清洗处理后，进行使在晶片W的表面残留的纯水置换为纯水·IPA混合液的纯水·IPA干燥前处理。被供给到晶片W表面的纯水·IPA混合液由于是接近纯水的组成，所以容易与上述在晶片W表面残留的纯水混合。
接着，控制单元24，伴随着纯水·IPA干燥前处理的进行，调整流量调整阀20、21的开度，来变更向晶片W的表面供给的纯水·IPA混合液中的纯水和IPA的混合比(步骤S7。混合比变更工序)。具体地说，控制单元24减小流量调整阀20的开度，并增大流量调整阀21的开度，来增加纯水·IPA混合液中的IPA的比例。
如图4所示，纯水·IPA混合液中的IPA的比例，可以随着纯水·IPA混合液的供给时间的增长而阶段性地增加(图中点划线L1)，也可以线性地增加(图中的双点划线L2)，也可以在纯水·IPA混合液的供给期间的初期缓缓增加，而从中期到末期加速增加(图中的实线L3)。在使纯水·IPA混合液的供给位置向晶片W供给位置扫描的情况下，优选阶段性地增加IPA的比例，以便在扫描过程中(从扫描开始位置至扫描结束位置，供给位置移动的期间)的纯水·IPA混合液的混合比恒定。例如，可以以扫描开始位置为晶片W的旋转中心而以扫描结束位置为晶片W的周端位置，也可以以晶片W的周端部的第一位置为扫描开始位置，在近似沿着晶片W的直径的轨道上扫描晶片W的表面，使得通过晶片W的旋转中心而到达其周端部的第二位置、即扫描结束位置。另外，被供给到晶片W的表面上的纯水·IPA混合液优选在纯水·IPA混合液的供给期间的末期使IPA的比例为100％。只要IPA的供给量和处理时间允许，优选延长IPA的比例为100％的时间。
在增加纯水·IPA混合液中的IPA的比例的过程中，被供给到晶片W表面的纯水·IPA混合液的组成在所有的时刻都与在晶片W表面存在的纯水·IPA混合液的组成近似，所以新供给的纯水·IPA混合液能够与在晶片W表面存在的纯水·IPA混合液良好地混合。这样一来，能够将在晶片W表面残留的纯水可靠地置换成纯水·IPA混合液中的IPA。
当纯水·IPA混合液的混合比的变更结束，并且纯水·IPA混合液的供给进行了给定的纯水·IPA干燥前处理时间(例如数秒～2、3分钟)时，控制单元24关闭纯水阀17和IPA阀18，停止纯水·IPA混合液向晶片W表面的供给(步骤S8)。
然后，控制单元24控制旋转驱动机构6，进行旋转干燥处理(步骤S9。干燥处理工序)，该旋转干燥处理是将晶片W的旋转速度提升到给定的旋转干燥旋转速度(例如3000rpm)来甩掉在晶片W表面残留的纯水·IPA混合液而使其干燥的处理。旋转干燥处理进行给定的旋转干燥时间(例如30sec)。旋转干燥处理后，对晶片W的旋转速度进行减速而停止晶片W的旋转(步骤S10)，并由未图示的搬送机械手从旋转卡盘1搬送处理后的晶片W。
如上所述，根据该第一实施方式，即使是在表面形成有长宽比高的孔、沟槽等凹部的晶片W，初始供给的纯水·IPA混合液容易地与在该凹部内残留的纯水混合，然后提高IPA的混合比，同时继续供给的纯水·IPA混合液容易地与该凹部内的液体混合。这样一来，能够将长宽比高的凹部内的纯水可靠地置换成IPA。
另外，伴随着纯水·IPA混合液向晶片W表面的供给，增加纯水·IPA混合液中的IPA的比例，从而将在晶片W表面残留的纯水置换成挥发性更高的纯水·IPA混合液，最终能够使其置换成以IPA为主要成分的纯水·IPA混合液(或者IPA)。即，从纯水缓缓置换成IPA。由此，在干燥处理工序中，能够迅速且充分地使晶片W干燥，即使是在晶片W表面形成有长宽比高的凹部的情况下，也能够抑制或者防止在其凹部产生水斑。另外，即使是在晶片W的表面成为液滴容易残留的疏水面的情况下，也能够充分地使晶片W干燥，而不会在该表面残留液滴。即，由于能够不残留作为水斑的产生要因之一的液滴而使晶片W充分干燥，所以能够抑制或者防止在晶片W的表面产生水斑。
图5是用于说明本发明第二实施方式的基板处理装置的结构的图。图6是用于对本发明第二实施方式的晶片W的处理进行说明的流程图。在该图5和图6中，对与在上述的图1和图3等中示出的各部分结构相同的部分标上与图1以及图3等相同的附图标记。
该图5的结构与图1的结构的主要不同点是：HFE供给路径15与混合阀10相连接，该HFE供给路径15用于供给相比作为第一有机溶剂的IPA挥发性更高的、作为第二有机溶剂的HFE(氢氟醚)，关于HFE供给路径15，HFE阀19和流量调整阀22安装在HFE供给路径15上。HFE阀19的开度以及流量调整阀22的开度由上述控制单元24控制(参照图2)。在该实施方式中，纯水供给路径13、IPA供给路径14、HFE供给路径15、纯水阀17、IPA阀18以及HFE阀19等构成干燥前处理液供给单元。并且，流量调整阀20、21、22等构成混合比变更单元。
HFE是具有对IPA的溶解性而不具有对纯水的溶解性的有机溶剂，例如，可以为以化学式C4F9OCH3或者C4F9OC2H5表示的溶剂(例如，由住友3M株式会社(Sumitomo 3M Limited)作为商品名为ノベツクHFE而提供)。
下面，参照图2、图4～图6，对由在图5示出的基板处理装置进行的、在表面形成有长宽比高的孔、沟槽等凹部的晶片W的处理进行说明。
最初，作为待处理对象的晶片W由未图示的搬送机械手搬入，并从搬送机械手将晶片W交接到旋转卡盘1上。然后，由旋转驱动机构6向旋转轴3输入驱动力，在旋转卡盘1上保持的晶片W以给定的旋转速度旋转(步骤S1。基板旋转工序)。
然后，控制单元24打开氢氟酸阀16并关闭纯水阀17、IPA阀18以及HFE阀19，使氢氟酸从氢氟酸供给路径12供给到混合阀10中。被供给到混合阀10中的氢氟酸经由处理液供给路径11供给到喷嘴2中，然后从喷嘴2供给到正旋转的晶片W表面的旋转中心附近。被供给到晶片W表面的氢氟酸受到由晶片W的旋转产生的离心力而遍布在晶片W的整个表面。由此，对晶片W的整个表面进行蚀刻处理和除去处理，从而晶片W的表面通过上述处理而成为疏水面，其中，该除去处理是伴随蚀刻处理来除去(lift-off)晶片W表面上的杂质(颗粒、金属杂质等杂质)。
当氢氟酸向晶片W表面的供给进行了给定的氢氟酸处理时间后，控制单元24关闭氢氟酸阀16而停止氢氟酸向晶片W的供给(步骤S2)。然后，控制单元24保持关闭氢氟酸阀16、IPA阀18以及HFE阀19的状态，打开纯水阀17而使纯水供给到晶片W表面的旋转中心附近(步骤S3。清洗处理工序)。此时，调整流量调整阀20的开度，使得纯水以给定的供给流量向晶片W供给。
被供给到晶片W表面的纯水受到由晶片W的旋转产生的离心力而遍布晶片W的整个表面。由此，对晶片W的表面进行由纯水清洗掉在晶片W表面上残留的氢氟酸的清洗处理。当纯水向晶片W表面的供给进行给定的清洗处理时间后，控制单元24关闭纯水阀17而停止纯水向晶片W的供给(步骤S3)。
接着，控制单元24打开纯水阀17和IPA阀18，从纯水供给路径13和IPA供给路径14分别使纯水和IPA供给到混合阀10中。此时，调整流量调整阀20的开度，使得以给定的纯水初始流量(例如900ml/min)将纯水供给到混合阀10中，调整流量调整阀21的开度，使得以给定的IPA初始流量(例如100ml/min)将IPA供给到混合阀10中。
被供给到混合阀10的纯水和IPA在混合阀10内混合而成为以纯水为主要成分的纯水·IPA混合液(步骤S4)，该纯水·IPA混合液以给定的混合液供给流量(例如1000ml/min)供给到处理液供给路径11。被供给到处理液供给路径11的纯水·IPA混合液由带搅拌叶片流通管23搅拌(步骤S5。搅拌工序)，作为干燥前处理液而从喷嘴2供给到晶片W表面的旋转中心附近(步骤S6。纯水·有机溶剂混合液供给工序)。被供给到晶片W表面的纯水·IPA混合液受到由晶片W的旋转产生的离心力而遍布晶片W的整个表面。
由此，在进行清洗处理后，进行使在晶片W的表面残留的纯水置换为纯水·IPA混合液的纯水·IPA干燥前处理。被供给到晶片W表面的纯水·IPA混合液由于是接近纯水的组成，所以容易与上述在晶片W表面残留的纯水混合。
接着，控制单元24，伴随着纯水·IPA干燥前处理的进行，调整流量调整阀20、21的开度，来变更向晶片W的表面供给的纯水·IPA混合液中的纯水和IPA的混合比(步骤S7。混合比变更工序)。具体地说，控制单元24减小流量调整阀20的开度，并增大流量调整阀21的开度，来增加纯水·IPA混合液中的IPA的比例。
如图4所示，纯水·IPA混合液中的IPA的比例，可以随着纯水·IPA混合液的供给时间的增长而阶段性地增加(图中点划线L1)，也可以线性地增加(图中的双点划线L2)，也可以在纯水·IPA混合液的供给期间的初期缓缓增加，而从中期到末期加速增加(图中的实线L3)。在使纯水·IPA混合液的供给位置向晶片W供给位置扫描的情况下，优选阶段性地增加IPA的比例，以便在扫描过程中的纯水·IPA混合液的混合比恒定。另外，被供给到晶片W表面的纯水·IPA混合液优选在纯水·IPA混合液的供给期间的末期IPA为主要成分，优选是IPA的比例为100％。
在增加纯水·IPA混合液中的IPA的比例的过程中，被供给到晶片W表面的纯水·IPA混合液的组成在所有的时刻都与在晶片W表面存在的纯水·IPA混合液的组成近似，所以新供给的纯水·IPA混合液能够与在晶片W表面存在的纯水·IPA混合液良好地混合。这样一来，能够将在晶片W表面残留的纯水可靠地置换成纯水·IPA混合液中的IPA。
当纯水·IPA混合液的混合比的变更结束，并且纯水·IPA混合液的供给进行了给定的纯水·IPA干燥前处理时间(例如数秒～2、3分钟)后，控制单元24关闭纯水阀17和IPA阀18，停止纯水·IPA混合液向晶片W表面的供给(步骤S8)。
接着，控制单元24打开IPA阀18和HFE阀19，从IPA供给路径14和HFE供给路径15分别使IPA和HFE供给到混合阀10中。此时，调整流量调整阀21的开度，使得以给定的IPA初始流量(例如900ml/min)将IPA供给到混合阀10中，调整流量调整阀22的开度，使得以给定的HFE初始流量(例如100ml/min)将HFE供给到混合阀10中。
被供给到混合阀10的IPA和HFE在混合阀10内混合而成为以IPA为主要成分的IPA·HFE混合液(步骤S11)，该IPA·HFE混合液以给定的混合液供给流量(例如1000ml/min)供给到处理液供给路径11。被供给到处理液供给路径11的IPA·HFE混合液由带搅拌叶片流通管23搅拌(步骤S12。搅拌工序)，作为干燥前处理液而从喷嘴2供给到晶片W表面的旋转中心附近(步骤S13。混合有机溶剂供给工序)。被供给到晶片W表面的IPA·HFE混合液受到由晶片W的旋转产生的离心力而遍布晶片W的整个表面。
由此，在进行纯水·IPA干燥前处理后，进行使在晶片W的表面残留的纯水·IPA混合液置换为IPA·HFE混合液的IPA·HFE干燥前处理。在纯水·IPA混合液的供给之后，上述的在晶片W表面残留的纯水·IPA混合液以IPA为主要成分，另外，由于被供给到晶片W表面的初始的IPA·HFE混合液也以IPA为主要成分，所以初始的IPA·HFE混合液容易地与上述在晶片W表面残留的纯水·IPA混合液混合。另外，即使是在晶片W表面残留的纯水·IPA混合液中存在纯水的情况下，由于初始的IPA·HFE混合液以对纯水的溶解性高的IPA为主要成分，所以在纯水·IPA中存在的纯水容易地与IPA·HFE混合液混合。
接着，控制单元24，伴随着IPA·HFE干燥前处理的进行，调整流量调整阀21、22的开度，来变更向晶片W的表面供给的IPA·HFE混合液中的IPA和HFE的混合比(步骤S14。有机溶剂混合比变更工序)。具体地说，控制单元24减小流量调整阀21的开度，并增大流量调整阀22的开度，来增加IPA·HFE混合液中的HFE的比例。
与上述的纯水·IPA混合液中的IPA的比例相同，IPA·FE混合液中的HFE的比例可以随着IPA·HFE混合液的供给时间的增长而阶段性地增加，也可以线性地增加，也可以在IPA·HFE混合液的供给期间的初期缓缓增加，而从中期到末期加速增加。在使IPA·HFE混合液的供给位置向晶片W供给位置扫描的情况下，优选阶段性地增加HFE的比例，以便在扫描过程中的IPA·HFE混合液的混合比恒定。另外，被供给到晶片W表面的IPA·HFE混合液优选在IPA·HFE混合液的供给期间的末期以HFE为主要成分，优选HFE的比例为100％。
在增加IPA·HFE混合液中的HFE的比例的过程中，被供给到晶片W表面的IPA·HFE混合液的组成在所有的时刻都与在晶片W表面存在的IPA·HFE混合液的组成近似，所以新供给的IPA·HFE混合液能够与在晶片W表面存在的IPA·HFE混合液良好地混合。这样一来，能够将在晶片W表面残留的纯水·IPA混合液中的IPA可靠地置换成IPA·HFE混合液中的HFE。
当IPA·HFE混合液的混合比的变更结束，并且IPA·HFE混合液的供给进行了给定的IPA·HFE干燥前处理时间(例如数秒～2、3分钟)后，控制单元24关闭IPA阀18和HFE阀19，而停止IPA·HFE混合液向晶片W表面的供给(步骤S15)。
然后，控制单元24控制旋转驱动机构6，进行旋转干燥处理(步骤S9)，该旋转干燥处理是将晶片W的旋转速度提升到给定的旋转干燥旋转速度(例如3000rpm)来甩掉在晶片W表面残留的IPA·HFE混合液而使其干燥的处理。旋转干燥处理进行给定的旋转干燥时间(例如30sec)。旋转干燥处理后，对晶片W的旋转速度进行减速而停止晶片W的旋转(步骤S10)，并由未图示的搬送机械手从旋转卡盘1搬送处理后的晶片W。
如上所述，根据该第二实施方式，在进行清洗处理后残留在晶片W表面上的纯水最初被置换成纯水·IPA混合液，最终被置换成IPA·HFE混合液。即，按照纯水、IPA、HFE的顺序缓缓被置换。被供给到晶片W表面的混合液(纯水·IPA混合液或者IPA·HFE混合液)在所有的时刻都具有与在晶片W表面残留的液体(含有纯水、IPA以及HFE中的一种以上)近似的组成，所以它们容易混合，容易使该晶片W上的液体置换成上述混合液。
另外，在IPA·HFE干燥前处理的末期供给的IPA·HFE混合液以HFE为主要成分，所以能快速且充分地使晶片W干燥，其中，该HFE相比IPA表面张力更低、沸点低、挥发性高。因此，能够进一步有效地抑制水斑的发生。
本发明并不限于以上的第一和第二实施方式的内容，而可在要求保护的范围内进行各种变更。例如，在上述的第一和第二实施方式中，针对使用IPA或者HFE作为比纯水挥发性高的有机溶剂的例子进行了说明，但是，上述有机溶剂可以是例如含有像甲醇、乙醇、丙酮、IPA(异丙醇)、HFE(氢氟醚)以及MEK(甲乙酮)中一种以上的有机溶剂那样的、对晶片的表面张力比纯水小、蒸气压比纯水高(沸点低)的有机溶剂。
此外，在这里，作为表示有机溶剂的挥发性的高低的指标，若例示沸点，则有机溶剂在大气压中的沸点分别为：IPA：82℃；甲醇：65℃；乙醇：78℃；丙酮：56℃；MEK：80℃；HFE(C4F9OCH3)：61℃；HFE(C4F9OC2H5)：76℃。若例示有机溶剂的混合液时的沸点，则HFE(C4F9OCH3)50％和反式1，2-二氯乙烯50％的混合液：41℃；HFE(C4F9OC2H5)52.7％、反式1，2-二氯乙烯44.6％、乙醇2.7％的混合液：40℃；HFE(C4F9OCH3)95％和IPA5％的混合液：54.5℃。即，这些所有的有机溶剂和有机溶剂的混合液的沸点都比纯水的沸点(100℃)低，且挥发性高。
此外，若按挥发性从高至低的顺序(沸点从低至高的顺序)对它们进行排列，则HFE(C4F9OCH3)52.7％、反式1，2-二氯乙烯44.6％、乙醇2.7％的混合液＞HFE(C4F9OCH3)50％和反式1，2-二氯乙烯50％的混合液＞HFE(C4F9OCH3)95％和IPA5％的混合液＞丙酮＞HFE(C4F9OCH3)＞甲醇＞HFE(C4F9OC2H5)＞乙醇＞MEK＞IPA。因此，在第二实施方式中，可以取代作为第一有机溶剂的IPA、挥发性比第一有机溶剂高的作为第二有机溶剂的HFE，而在满足第二有机溶剂的挥发性比第一有机溶剂高的条件的范围，能够应用上述有机溶剂中任意2种的组合。此外若能够在处理允许的范围顺利地进行，则与第一有机溶剂相比，第二有机溶剂的挥发性高。
另外，在上述的第一和第二实施方式中，纯水·IPA混合液中的IPA的混合比、或者IPA·HFE混合液中的HFE的混合比缓缓增加，但是，并不限于此。该混合比的变更工序(S7或者S14)可以在步骤S6～S8的纯水·IPA混合液被供给到晶片W的期间、或者步骤S13～S15的IPA·HFE混合液被供给到晶片W的期间中所有的时刻进行，另外，在该期间中至少变更一次即可。其中，为了足够顺畅地进行从纯水向IPA的置换、或者从IPA向HFE的置换，如图4的点划线L1、双点划线L2以及实线L3那样，优选缓缓增加混合比。
另外，在上述的第一以及第二实施方式中，对喷嘴2是能够扫描处理液向晶片W供给的供给位置的扫描喷嘴的情况进行了说明，但是，喷嘴2也可以是固定在晶片W上方的给定位置而向晶片W的给定位置供给处理液的固定喷嘴。
另外，例如在上述的第一实施方式中，可以在停止供给DIW(步骤S3)之后至进行旋转干燥(步骤S9)的期间，仅进行向晶片W供给纯水和HFE的混合液的纯水·HFE干燥前处理。即，可以取代图3的步骤S3～S8，而使用混合纯水和HFE的混合液的步骤、搅拌该混合液的步骤、向晶片W供给该混合液的步骤、变更该混合液的混合比的步骤、以及停止该混合液的供给的步骤。但是，此时，考虑存在这样的情况：由于HFE对纯水的溶解性低，该混合液不会完全混合，所以会抑制该混合液顺畅的置换。因此，如上述的第二实施方式(参照图6)那样，使对纯水、HFE溶解性都高的IPA介于纯水和HFE之间而能够促进混合液顺畅的置换，能更良好地进行干燥前处理。
另外，在上述的第一和第二实施方式中，列举出了向保持为近似水平而进行旋转的基板(晶片W)的表面供给处理液来处理基板的例子，但是，也可以向未旋转的状态(非旋转状态)的基板表面供给处理液来处理基板。此外，上述非旋转状态的基板可以是不旋转、不移动的状态(静止状态)的基板，也可以是不旋转而在给定的方向上移动的状态(移动状态)的基板。
另外，在上述的第一和第二实施方式中，作为待处理对象的基板，列举出了晶片W，但是不限于晶片W，液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等其他种类的基板也可以作为待处理对象。
上面对本发明的实施方式进行了详细地说明，但是这些实施方式只不过是为了明确表示本发明的技术内容而采用的具体例，从而不能仅限定于这些具体实施例而解释本发明，本发明的精神以及范围限定于附加的权利要求范围。
本申请对应于2006年6月19日向日本特许厅提出的JP特愿2006-169142号，该申请的全部公开内容通过引用而包含在该申请中。

Claims (10)

1.一种基板处理方法，包括：
清洗处理工序，向作为待处理对象的基板的主面供给纯水而对该基板进行清洗；
干燥前处理工序，在该清洗处理工序之后，向所述基板的主面供给含有挥发性比纯水更高的有机溶剂的干燥前处理液，而使在该主面上残留的纯水置换成干燥前处理液；
干燥处理工序，在该干燥前处理工序之后，除去被供给到所述基板的主面上的干燥前处理液而使该基板干燥，
所述干燥前处理工序包括：纯水·有机溶剂混合液供给工序，将含有纯水和所述有机溶剂的混合液作为所述干燥前处理液而向所述基板的主面供给；混合比变更工序，在进行该纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中，使含有纯水和所述有机溶剂的混合液中的所述有机溶剂的比例增加。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述挥发性比纯水更高的有机溶剂包括甲醇、乙醇、丙酮、异丙醇、氢氟醚、以及甲乙酮中的一种以上。
3.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述干燥前处理液包括第一有机溶剂和第二有机溶剂，
所述纯水·有机溶剂混合液供给工序是将含有纯水和所述第一有机溶剂的混合液作为所述干燥前处理液而向所述基板的主面供给的工序，
所述混合比变更工序是在进行所述纯水·有机溶剂混合液供给工序的期间中，使含有纯水和所述第一有机溶剂的混合液中的所述第一有机溶剂的比例增加的工序，
所述干燥前处理工序还包括：混合有机溶剂供给工序，将含有所述第一有机溶剂和所述第二有机溶剂的混合液作为所述干燥前处理液而向所述基板的主面供给；有机溶剂混合比变更工序，在进行该混合有机溶剂供给工序的期间中，使含有所述第一和第二有机溶剂的混合液中的所述第二有机溶剂的比例增加。
4.如权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述第二有机溶剂是挥发性比所述第一有机溶剂更高的溶剂。
5.如权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一有机溶剂是对纯水的溶解性比所述第二有机溶剂更高的溶剂。
6.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述清洗处理工序前的基板的主面是疏水面。
7.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述干燥前处理工序还包括在将干燥前处理液向所述基板的主面供给之前对干燥前处理液进行搅拌的搅拌工序。
8.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，还包括基板旋转工序，该基板旋转工序与所述清洗处理工序、干燥前处理工序以及干燥处理工序同时进行，使基板围绕与基板主面交叉的轴线旋转。
9.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
纯水供给单元，其用于向作为待处理对象的基板的主面供给纯水；
干燥前处理液制成单元，其用于混合包括纯水的多种处理液，而制成含有挥发性比纯水更高的有机溶剂的干燥前处理液；
干燥前处理液供给单元，其用于将由该干燥前处理液制成单元所制成的所述干燥前处理液向所述基板的主面供给；
混合比变更单元，其用于变更在所述干燥前处理液制成单元中混合的所述多种处理液的混合比；
干燥单元，其用于使所述基板干燥。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还包括控制单元，通过该控制单元执行清洗处理工序，即由所述纯水供给单元向所述基板的主面供给纯水而对该基板进行清洗；在该清洗处理工序之后执行干燥前处理工序，即由所述干燥前处理液供给单元向所述基板的主面供给所述干燥前处理液，而使在该主面上残留的纯水置换成干燥前处理液；在进行该干燥前处理工序的期间中执行混合比变更工序，即通过所述混合比变更单元使由所述干燥前处理液制成单元混合的处理液的混合比变更，从而使在干燥前处理液中所包含的所述有机溶剂的比例增加；在所述干燥前处理工序之后执行干燥处理工序，即利用所述干燥单元除去供给到所述基板的主面上的干燥前处理液而使该基板干燥。
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