KR101885103B1 - 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101885103B1
KR101885103B1 KR1020150155246A KR20150155246A KR101885103B1 KR 101885103 B1 KR101885103 B1 KR 101885103B1 KR 1020150155246 A KR1020150155246 A KR 1020150155246A KR 20150155246 A KR20150155246 A KR 20150155246A KR 101885103 B1 KR101885103 B1 KR 101885103B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning liquid
organic solvent
valve
supply line
substrate
Prior art date
Application number
KR1020150155246A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170053009A (ko
Inventor
방병선
권길성
정부영
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020150155246A priority Critical patent/KR101885103B1/ko
Publication of KR20170053009A publication Critical patent/KR20170053009A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101885103B1 publication Critical patent/KR101885103B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02054Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process combining dry and wet cleaning steps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046Dry cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

본 발명은 분사 유닛에 관한 것이다. 본 발명에 의한 분사 유닛은, 기판에 유체를 토출하는 노즐; 상기 노즐에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인; 상기 노즐에 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 라인;을 포함하되, 상기 노즐에는 상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인과 연결된 내부 공간; 유체를 토출하는 토출구; 상기 내부 공간 및 상기 토출구를 연결하는 토출 라인이 형성된다.

Description

분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{Injection Unit and Apparatus for treating Substrate with the same}
본 발명은 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 세정액을 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제를 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다. 세정액으로는 순수가 이용될 수 있고, 유기 용제로는 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol)이 이용될 수 있다. 건조 공정을 수행할 때, 기판 상에 순수의 공급을 중단하고, 이소프로필 알코올을 공급한다.
도 1은 세정 및 건조 공정을 수행하는 일반적인 기판 처리 장치를 보여준다. 기판에 유체를 공급하여 기판을 처리하되, 각각 별개의 노즐(5, 11, 12, 13)들에서 약액 및 건조 유체를 기판에 공급한다.
도 2는 서로 다른 두 유체가 접촉할 때 발생하는 핑거(finger) 현상을 보여주는 사진이다. 린스 공정을 통해 기판상에 잔류하는 순수와 건조 공정에서 공급되는 이소프로필 알코올이 접촉하면서 핑거(finger) 현상이 발생한다. 핑거(finger) 현상은 서로 다른 두 물질의 점도 및 표면장력의 차이로 인해 손가락 모양의 확산이 진행되는 현상이다. 이러한 현상이 기판 표면에서 발생하게 되어 순간적으로 확산되지 않은 표면이 대기중에 노출되면서 불순물이 기판에 유입되어 공정 불량이 발생한다.
도 3은 기판의 리닝(leaning) 현상을 보여주는 사진이다. 좌측이 정상적인 기판의 패턴을 보여주는 사진이고, 우측이 리닝(leaning) 현상이 발생한 패턴을 보여준다. 공정의 정밀화로 인해 기판 패턴 사이의 간격은 미세하다. 이로 인해, 패턴 사이에 잔류하는 순수는 이소프로필 알코올과의 치환이 제대로 이루어지지 않는다. 따라서, 치환되지 않고 잔류하는 순수의 표면 장력에 의해 패턴들의 상단이 서로 붙어있는 리닝(leaning) 현상이 발생하여 공정 불량이 발생한다.
본 발명은 기판을 건조하는 공정에서 핑거 현상을 방지하기 위한 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 기판을 건조하는 공정에서 기판의 패턴에 발생하는 리닝 현상을 방지하기 위한 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 기판을 건조하는 공정에서 공정 불량이 발생하는 것을 방지하는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 분사 유닛을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판에 유체를 토출하는 노즐; 상기 노즐에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인; 상기 노즐에 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 라인;을 포함하되, 상기 노즐에는 상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인과 연결된 내부 공간; 유체를 토출하는 토출구; 상기 내부 공간 및 상기 토출구를 연결하는 토출 라인이 형성된다.
일 실시예에 따르면, 상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인 중 어느 하나는, 상기 내부 공간에 접하는 측이 나선 형상으로 제공된다.
일 실시예에 따르면, 상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인 중 다른 하나는, 상기 내부 공간과 접하는 측의 그 단부가 상기 내부 공간의 내측벽을 향하도록 제공된다.
일 실시예에 따르면, 상기 토출 라인의 길이는 상기 내부 공간의 길이보다 더 길게 제공된다.
일 실시예에 따르면, 상기 세정액 공급 라인이 상기 내부 공간과 연결되는 단부에는 상기 세정액 공급 라인을 개폐하는 제1 개폐 부재가 제공되고, 상기 유기 용제 공급 라인과 상기 내부 공간이 연결되는 단부에는 상기 유기 용제 공급 라인을 개폐하는 제2 개폐 부재가 제공된다.
일 실시예에 따르면, 상기 세정액 공급 라인에는 상기 세정액 공급 라인 내부의 세정액을 흡입하는 제1 석백 밸브가 제공되고, 상기 유기 용제 공급 라인에는 상기 유기 용제 공급 라인 내부의 유기 용제를 흡입하는 제2 석백 밸브가 제공된다.
일 실시예에 따르면, 상기 유기 용제는 이소프로필 알코올이고, 상기 세정액은 순수이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 처리하는 처리 공간을 제공하는 컵;
상기 처리 공간 내에 제공되고, 상기 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 기판에 유체를 분사하는 분사 유닛을 포함하되; 상기 분사 유닛은, 기판에 유체를 토출하는 노즐; 상기 노즐에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인; 상기 노즐에 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 라인; 상기 세정액 공급 라인에 제공되어 상기 세정액의 공급량을 제어하는 제1 밸브; 및 상기 유기 용제 공급 라인에 제공되어 상기 유기 용제의 공급량을 제어하는 제2 밸브;를 포함하되, 상기 노즐에는, 상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인과 연결된 내부 공간; 유체를 토출하는 토출구; 상기 내부 공간 및 상기 토출구를 연결하는 토출 라인이 형성된다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는, 상기 제1 밸브를 개방하고, 상기 제2 밸브를 폐쇄하여 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계; 상기 제1 밸브 및 상기 제2 밸브를 일부 개방하여 세정액과 유기 용제의 혼합액을 공급하는 혼합액 공급 단계; 상기 제1 밸브를 폐쇄하고, 상기 제2 밸브를 개방하여 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 단계;가 순차적으로 수행되도록 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 제어한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어기는, 상기 혼합액 공급 단계에서 상기 세정액의 유량과 상기 유기 용제의 유량의 합은 동일하도록 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 제어한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어기는, 상기 혼합액 공급 단계에서 상기 세정액의 공급량을 점차적으로 감소시키고, 상기 유기 용제의 공급량을 점차적으로 증가시키도록 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 제어한다.
일 실시예에 따르면, 상기 세정액 공급 라인 및 상기 유제 공급 라인 중 어느 하나는, 상기 내부 공간에 접하는 측이 나선 형상으로 제공된다.
일 실시예에 따르면, 상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인 중 다른 하나는, 상기 내부 공간과 접하는 측의 그 단부가 상기 내부 공간의 내측벽을 향하도록 제공된다.
일 실시예에 따르면, 상기 토출 라인의 길이는 상기 내부 공간의 길이보다 더 길게 제공된다.
일 실시예에 따르면, 상기 세정액 공급 라인이 상기 내부 공간과 연결되는 단부에는 상기 세정액 공급 라인을 개폐하는 제1 개폐 부재가 제공되고, 상기 유기 용제 공급 라인과 상기 내부 공간이 연결되는 단부에는 상기 유기 용제 공급 라인을 개폐하는 제2 개폐 부재가 제공되며, 상기 제1 개폐 부재를 구동하는 제1 구동기; 그리고 상기 제2 개폐 부재를 구동하는 제2 구동기;를 더 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어기는, 상기 제1 구동기와 상기 제2 구동기를 제어하되, 상기 세정액 공급 단계에서는 상기 제2 개폐 부재가 상기 유기 용제 공급 라인을 폐쇄하고, 상기 유기 용제 공급 단계에서는 상기 제1 개폐 부재가 상기 세정액 공급 라인을 폐쇄하도록, 상기 제1 구동기 및 상기 제2 구동기를 제어한다.
일 실시예에 따르면, 상기 세정액 공급 라인에는, 상기 세정액 공급 라인 내부의 세정액을 흡입하는 제1 석백 밸브가 제공되고, 상기 유기 용제 공급 라인에는, 상기 유기 용제 공급 라인 내부의 유기 용제를 흡입하는 제2 석백 밸브가 제공된다.
일 실시예에 따르면, 상기 제어기는, 상기 제1 석백 밸브와 상기 제2 석백 밸브를 제어하되, 상기 세정액 공급 단계에서는 상기 제2 석백 밸브를 개방하고, 상기 혼합액 공급 단계에서는 상기 제1 석밸 밸브 및 상기 제2 석백 밸브를 폐쇄하고, 상기 유기 용제 공급 단계에서 상기 제1 석백 밸브를 개방한다.
일 실시예에 따르면, 상기 유기 용제는 이소프로필 알코올이고, 상기 세정액은 순수이다.
본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.
일 실시예에 따르면, 유기 용제와 세정액을 공급하여 기판을 처리하되, 세정액의 공급량을 점차적으로 감소시키고, 유기 용제의 공급량을 점차적으로 증가시킨다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 밸브를 개방하고, 상기 제2 밸브를 폐쇄하여 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계; 상기 제1 밸브 및 상기 제2 밸브를 일부 개방하여 세정액과 유기 용제의 혼합액을 공급하는 혼합액 공급 단계; 그리고 상기 제1 밸브를 폐쇄하고, 상기 제2 밸브를 개방하여 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 단계가 순차적으로 수행된다.
일 실시예에 따르면, 상기 혼합액 공급 단계에서 상기 세정액의 유량과 상기 유기 용제의 유량의 합은 동일하다.
일 실시예에 따르면, 상기 혼합액 공급 단계에서 상기 세정액의 공급량을 점차적으로 감소시키고, 상기 유기 용제의 공급량을 점차적으로 증가시킨다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 건조 공정시 세정액과 유기 용제의 접촉으로 인한 핑거 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 패턴 사이에 잔류하는 세정액으로 인한 리닝 현상을 방지할 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 서로 다른 유체가 만날 때 발생하는 핑거(finger) 현상을 보여주는 사진이다.
도 3은 기판의 패턴면에 발생하는 리닝(leaning) 현상을 보여주는 사진이다.
도 4는 본 발명에 의한 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명에 의한 기판 처리 장치를 보여준다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 의한 분사 유닛을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 의한 분사 유닛을 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명에 의한 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 9는 도 8의 기판 처리 방법의 각 단계별로 유체의 공급량을 보여주는 그래프이다.
도 10 내지 도 12은 본 발명의 제1 실시예에 의한 기판 처리 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 제2 실시예에 의한 기판 처리 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
이하, 도 4 내지 도 15를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도 4은 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 포함한다. 인덱스 모듈(100)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 놓인다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130)내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(200)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 바디(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 바디(144b)에 결합되고, 바디(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 바디(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 바디(244b)에 결합되고, 이는 바디(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
아래에서는 기판(W)을 처리하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 5는 기판 처리 장치(300)의 제1 실시예를 보여주는 도면이다.
도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 컵(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 그리고 분사 유닛(380)을 가진다. 컵(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리유체 중 서로 상이한 처리유체를 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리유체가 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리유체를 배출한다. 배출된 처리유체는 외부의 처리유체 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
지지 유닛(340)은 컵(320)의 처리 공간 내에 배치된다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 스핀 헤드(342), 지지핀(344), 척핀(346), 구동축(348) 그리고 구동부(349)를 가진다. 스핀 헤드(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀 헤드(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 구동축(348)이 고정결합된다. 구동축(348)이 회전하면 스핀헤드(342)가 회전된다. 스핀 헤드(342)는 기판을 지지할 수 있도록, 지지핀(344)과 척핀(346)을 포함한다. 지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 스핀 헤드(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀 헤드(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(344)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 스핀 헤드(342)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격되도록 기판의 저면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지 유닛(340)이 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측면을 지지한다. 척핀(346)은 스핀 헤드(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 스핀 헤드(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다.
승강 유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 승강 유닛(360)은 컵(320)의 복수의 회수통(322, 324, 326)을 이동시킬 수 있다. 또는 도시하지는 않았으나, 각각의 회수통을 개별적으로 이동시킬 수 있다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 놓이거나, 지지 유닛(340)으로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(340)이 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리유체의 종류에 따라 처리유체가 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리유체로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리유체, 그리고 제3처리유체로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 컵(320) 대신 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 의한 분사 유닛을 보여준다.
분사 유닛(380)은 기판(W)에 유체를 공급한다. 유체는 케미칼일 수 있다. 유체는 세정액일 수 있다. 세정액은 순수일 수 있다. 유체는 유기 용제일 수 있다. 유기 용제는 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol)일 수 있다. 분사 유닛(380)은 회동이 가능할 수 있다. 분사 유닛(380)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사 유닛(380)은 노즐 지지대(382), 지지대(386), 구동부(388), 노즐(400), 세정액 공급 라인(510), 유기 용제 공급 라인(520), 제1 밸브(512), 그리고 제2 밸브(522)를 포함한다.
지지대(386)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지대(386)의 하단에는 구동부(388)가 결합된다. 구동부(388)는 지지대(386)를 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동부(388)와 결합된 지지대(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(400)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(400)은 구동부(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(400)이 컵(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(400)이 컵(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다.
세정액 공급 라인(510)은 세정액을 노즐(400)로 공급한다. 일 예로, 세정액 공급 라인(510)은 순수를 노즐(400)로 공급할 수 있다.
유기 용제 공급 라인(520)은 유기 용제를 노즐(400)로 공급한다. 일 예로, 유기 용제 공급 라인(520)은 이소프로필 알코올을 노즐(400)로 공급할 수 있다.
제1 밸브(512)는 세정액 공급 라인(510) 상에 제공된다. 제1 밸브(512)는 노즐(400)로 공급되는 세정액의 공급량을 제어한다.
제2 밸브(522)는 유기 용제 공급 라인(520) 상에 제공된다. 제2 밸브(522)는 노즐(400)로 공급되는 유기 용제의 공급량을 제어한다.
노즐(400)에는 내부 공간(410), 토출구(420), 그리고 토출 라인(430)이 형성된다. 노즐(400)의 상부에는 상기 내부 공간(410)을 덮는 커버(450)가 제공될 수 있다. 상기 세정액 공급 라인(510)과 상기 유기 용제 공급 라인(520)은 커버(450)를 관통하여 내부 공간(410)에 유체를 공급한다.
내부 공간(410)은 세정액과 유기 용제를 수용하거나, 혼합할 수 있는 공간을 제공한다. 내부 공간(410)은 세정액 공급 라인(510), 그리고 유기 용제 공급 라인(520)과 연결된다.
토출구(420)는 유체를 토출한다. 유체는 세정액, 유기 용제, 또는 세정액과 유기 용제의 혼합액일 수 있다.
토출 라인(430)은 내부 공간(410)과 토출구(420)를 연결한다. 토출 라인(430)은 내부 공간(410)에 수용된 유체를 토출구(420)로 안내한다. 토출 라인(430)의 직경은 내부 공간(410)의 직경보다 작게 제공된다. 토출 라인(430)의 길이는 내부 공간(410)의 길이보다 길도록 제공된다. 토출 라인(430)에 잔류하는 유체가 토출구(420)를 통해 기판에 적하되지 않도록, 토출 라인(430)은 직경이 작고 길이가 길게 제공된다.
세정액 공급 라인(510)과 유기 용제 공급 라인(520) 중 어느 하나는 내부 공간(410)과 접하는 측의 그 단부가 내부 공간(410)의 내측벽을 향하도록 할 수 있다. 즉, 액을 내부 공간(410)의 측벽을 향하여 공급하도록 할 수 있다. 또한, 세정액 공급 라인(510)과 유기 용제 공급 라인(520) 중 다른 하나는 내부 공간(410)과 접하는 측이 나선 형상으로 제공되게 할 수 있다. 따라서, 나선 형상을 따라 유동하는 액은 내부 공간(410) 내에서도 선회(swirl) 유동을 할 수 있다. 이와 같이, 어느 하나의 액은 내부 공간(410)의 내벽을 향하여 공급하고, 다른 하나의 액은 내부 공간(410) 내에서 선회(swirl) 유동을 하도록 하여 세정액과 유기 용제는 더욱 원활하게 혼합될 수 있다.
또는 세정액 공급 라인(510)과 유기 용제 공급 라인(520)이 내부 공간(410)과 접하는 측에서 모두 나선형으로 제공하여 모두 선회 유동하도록 할 수 있다. 또는 세정액 공급 라인(510)과 유기 용제 공급 라인(520)이 모두 내부 공간(410)과 접하는 측의 단부가 내부 공간(410)의 내벽을 향할 수 있다.
세정액 공급 라인(510)과 내부 공간(410)이 연결되는 단부에는 제1 개폐 부재(514)가 제공된다. 제1 개폐 부재(514)는 세정액 공급 라인(510)에 잔류하는 세정액이 내부 공간(410)으로 스며들지 않도록 한다. 제1 개폐 부재(514)는 세정액 공급 라인(510) 내부에서 개방되거나 폐쇄된다. 제1 개폐 부재(514)가 폐쇄되면 세정액 공급 라인(510)에 잔류하는 세정액이 내부 공간(410)으로 스며들지 않는다. 제1 구동기(516)는 제1 개폐 부재(514)를 구동한다.
유기 용제 공급 라인(520)과 내부 공간(410)이 연결되는 단부에는 제2 개폐 부재(524)가 제공된다. 제2 개폐 부재(524)는 유기 용제 공급 라인(520)에 잔류하는 유기 용제가 내부 공간(410)으로 스며들지 않도록 한다. 제2 개폐 부재(524)는 유기 용제 공급 라인(520) 내부에서 개방되거나 폐쇄된다. 제2 개폐 부재(524)가 폐쇄되면 유기 용제 공급 라인(520)에 잔류하는 유기 용제가 내부 공간(410)으로 스며들지 않는다. 제2 구동기(526)은 제2 개폐 부재(514)를 구동한다.
제어기(700)는 제1 밸브(512), 제2 밸브(522), 제1 구동기(516), 그리고 제2 구동기(526)를 제어한다. 이와 관련해서는 기판 처리 방법과 관련하여 상세히 후술한다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 의한 분사 유닛을 보여준다. 아래에서는, 도 7을 참조하여 본 발명에 제2 실시예에 의한 기판 처리 장치 및 분사 유닛을 설명한다. 제1 실시예와의 차이점을 중심으로 설명한다.
세정액 공급 라인(1510)에는 제1 밸브(1512)와 제1 석백 밸브(1514)가 제공된다. 제1 밸브(1512)는 제1 실시예에서의 제1 밸브(1512)와 동일한 기능을 한다. 제1 석백 밸브(1514)는 세정액 공급 라인(1510)에 잔류하고 있는 세정액을 흡입하여 내부 공간(1410)으로 스며들지 않도록 한다. 제1 석백 밸브(1514)가 개방되면 세정액 공급 라인(1510)에 잔류하는 세정액이 내부 공간(1410)으로 스며들지 않는다.
유기 용제 공급 라인(1520)에는 제2 밸브(1522)와 제2 석백 밸브(1524)가 제공된다. 제2 밸브(1522)는 제1 실시예에서의 제2 밸브(1522)와 동일한 기능을 한다. 제2 석백 밸브(1524)는 유기 용제 공급 라인(1520)에 잔류하고 있는 유기 용제를 흡입하여 내부 공간(1410)으로 스며들지 않도록 한다. 제2 석백 밸브(1524)가 개방되면 유기 용제 공급 라인(1520)에 잔류하는 유기 용제가 내부 공간(1410)으로 스며들지 않는다.
제어기(1700)는 제1 밸브(1512), 제2 밸브(1522), 제1 석백 밸브(1514), 그리고 제2 석백 밸브(1524)를 제어한다. 이와 관련해서는 본 발명의 제2 실시예에 의한 기판 처리 방법과 관련하여 상세히 후술한다.
아래에서는, 본 발명의 제1 실시예에 의한 기판을 처리하는 방법을 설명한다.
도 8을 참조하면, 본 발명에 의한 기판 처리 방법은 세정액 공급 단계(S100), 혼합액 공급 단계(S110), 그리고 유기 용제 공급 단계(S120)를 포함한다. 도 10 내지 도 12에서 제1 밸브(512) 및 제2 밸브(522)의 음영처리는 밸브가 개방 또는 폐쇄되었음을 나타낸다.
도 9 내지 도 12를 참조하면, 세정액 공급 단계(S100)에서는 기판에 순수와 같은 세정액을 공급하여 기판을 세정한다. 혼합액 공급 단계(S110)에서는 세정액과 유기 용제의 혼합액을 기판에 공급하여 세정 및 치환 공정을 수행한다. 치환 공정은 세정액을 유기 용제로 치환한다. 유기 용제 공급 단계(S120)에서는 기판에 유기 용제르 공급하여 세정액을 유기 용제로 치환한다.
세정액 공급 단계(S100)에서는 세정액을 공급한다. 세정액 공급 단계(S100)에서는 유기 용제의 공급량은 0이다.
세정액 공급 단계(S100)에서는 제1 밸브(512)가 개방되어 세정액이 내부 공간(410)으로 공급된다. 제1 개폐 부재(514)는 개방된다. 제2 밸브(522)는 폐쇄된다. 제2 개폐 부재(524)는 폐쇄될 수 있다.
혼합액 공급 단계(S110)에서는 제1 밸브(512) 및 제2 밸브(522)가 모두 개방된다. 제1 밸브(512)와 제2 밸브(522)는 일부 개방될 수 있다. 도 9를 참조하면, 세정액의 공급량은 점차적으로 감소하도록 제1 밸브(512)를 단계적으로 점차 폐쇄할 수 있다. 유기 용제의 공급량은 점차적으로 증가하도록 제2 밸브(522)를 단계적으로 점차 개방할 수 있다.
혼합액 공급 단계(S110)에서의 세정액과 유기 용제의 공급량의 합은 일정하게 유지될 수 있다.
유기 용제 공급 단계(S120)에서는 제2 밸브(522)가 개방된 상태를 유지한다. 유기 용제가 내부 공간(410)으로 공급된다. 제1 밸브(512)는 폐쇄된다. 제1 개폐 부재(514)를 폐쇄한다. 따라서, 세정액 공급 라인(510)으로부터 내부 공간(410)에 세정액이 공급되지 않도록 한다. 세정액의 공급량은 0이다.
상기 단계들에서 내부 공간(410)에 수용되는 유체는 토출 라인(430)과 토출구(420)를 통해 기판에 공급된다. 토출 라인(430)은 내부 공간(410)의 직경에 비해 작고, 길이가 길게 구성된다. 따라서, 공정 중단시에 토출 라인(430)의 내벽에 잔류하는 유체가 기판에 적하되지 않는다.
아래에서는 본 발명의 제2 실시예에 의한 기판을 처리하는 방법을 설명한다.
도 13 내지 도 15에서 제1 밸브(1512), 제1 석백 밸브(1514), 제2 밸브(1522), 제2 밸브(1524)의 음영처리는 밸브가 개방 또는 폐쇄되었음을 나타낸다. 석백 밸브가 개방되면 석백 효과를 발생시키고, 석밸 밸브가 폐쇄되면 석백 효과를 발생시키지 않는다.
도 9 및 도 13 내지 도 15를 참조하면, 세정액 공급 단계(S100)에서는 제1 밸브(1512)가 개방된다. 세정액이 공급된다. 제1 석백 밸브(1514)는 폐쇄된다. 세정액 공급 라인(1510) 상에서 석백 효과는 발생하지 않는다. 제2 석백 밸브(1524)는 개방될 수 있다. 유기 용제 공급 라인(1520) 상에 있는 유기 용제가 내부 공간(1410)으로 스며들지 않는다.
혼합액 공급 단계(S110)에서는 제1 밸브(1512)와 제2 밸브(1522)가 개방된다. 제1 밸브(1512)와 제2 밸브(1522)가 일부 개방될 수 있다. 제1 석백 밸브(1514)와 제2 석백 밸브(1524)는 모두 폐쇄된다. 세정액 공급 라인(1510)과 유기 용제 공급 라인(1520) 상에서 석백 효과는 발생하지 않는다. 도 9를 참조하면, 세정액의 공급량은 점차적으로 감소하도록 제1 밸브(1512)를 단계적으로 점차 폐쇄할 수 있다. 유기 용제의 공급량은 점차적으로 증가하도록 제2 밸브(1522)를 단계적으로 점차 개방할 수 있다. 혼합액 공급 단계(S110)에서의 세정액과 유기 용제의 공급량의 합은 일정하게 유지될 수 있다.
유기 용제 공급 단계(S120)에서는 제1 밸브(1512)가 폐쇄되고 제2 밸브(1522)가 개방된다. 제1 석백 밸브(1514)는 개방된다. 세정액 공급 라인(1510) 상에서 석백 효과가 발생한다. 따라서, 세정액 공급 라인(1510) 상에 잔류하는 세정액이 내부 공간(1410)으로 스며들지 않는다. 제2 석백 밸브(1524)는 폐쇄된다. 유기 용제 공급 라인(1520) 상에서 석백 효과는 발생하지 않는다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1 : 기판 처리 설비 260 : 공정챔버
300 : 기판 처리 장치 320 : 컵
340 : 지지 유닛 380 : 분사 유닛
400: 노즐 510: 세정액 공급 라인
520: 유기 용제 공급 라인

Claims (23)

  1. 기판에 유체를 공급하는 분사 유닛에 있어서,
    기판에 유체를 토출하는 노즐;
    상기 노즐에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인;
    상기 노즐에 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 라인;을 포함하되,
    상기 노즐에는 상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인과 연결된 내부 공간; 유체를 토출하는 토출구; 상기 내부 공간 및 상기 토출구를 연결하는 토출 라인이 형성되며,
    상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인 중 어느 하나는,
    상기 내부 공간에 접하는 측이 나선 형상으로 제공되고,
    상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인 중 다른 하나는,
    상기 내부 공간과 접하는 측의 그 단부가 상기 내부 공간의 내측벽을 향하는 분사 유닛.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 토출 라인의 길이는 상기 내부 공간의 길이보다 더 길게 제공되는 분사 유닛.
  5. 기판에 유체를 공급하는 분사 유닛에 있어서,
    기판에 유체를 토출하는 노즐;
    상기 노즐에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인;
    상기 노즐에 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 라인;을 포함하되,
    상기 노즐에는 상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인과 연결된 내부 공간; 유체를 토출하는 토출구; 상기 내부 공간 및 상기 토출구를 연결하는 토출 라인이 형성되며,
    상기 세정액 공급 라인이 상기 내부 공간과 연결되는 단부에는 상기 세정액 공급 라인을 개폐하는 제1 개폐 부재가 제공되고,
    상기 유기 용제 공급 라인과 상기 내부 공간이 연결되는 단부에는 상기 유기 용제 공급 라인을 개폐하는 제2 개폐 부재가 제공되는 분사 유닛.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 세정액 공급 라인에는 상기 세정액 공급 라인 내부의 세정액을 흡입하는 제1 석백 밸브가 제공되고,
    상기 유기 용제 공급 라인에는 상기 유기 용제 공급 라인 내부의 유기 용제를 흡입하는 제2 석백 밸브가 제공되는 분사 유닛.

  7. 제1항, 제4항 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 용제는 이소프로필 알코올이고, 상기 세정액은 순수인 분사 유닛.
  8. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 처리하는 처리 공간을 제공하는 컵;
    상기 처리 공간 내에 제공되고, 상기 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판에 유체를 분사하는 분사 유닛을 포함하되;
    상기 분사 유닛은,
    기판에 유체를 토출하는 노즐;
    상기 노즐에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인;
    상기 노즐에 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 라인;
    상기 세정액 공급 라인에 제공되어 상기 세정액의 공급량을 제어하는 제1 밸브; 및
    상기 유기 용제 공급 라인에 제공되어 상기 유기 용제의 공급량을 제어하는 제2 밸브;를 포함하되,
    상기 노즐에는,
    상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인과 연결된 내부 공간;
    유체를 토출하는 토출구;
    상기 내부 공간 및 상기 토출구를 연결하는 토출 라인이 형성되며,
    상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인 중 어느 하나는,
    상기 내부 공간에 접하는 측이 나선 형상으로 제공되고,
    상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인 중 다른 하나는,
    상기 내부 공간과 접하는 측의 그 단부가 상기 내부 공간의 내측벽을 향하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 제1 밸브를 개방하고, 상기 제2 밸브를 폐쇄하여 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계; 상기 제1 밸브 및 상기 제2 밸브를 일부 개방하여 세정액과 유기 용제의 혼합액을 공급하는 혼합액 공급 단계; 상기 제1 밸브를 폐쇄하고, 상기 제2 밸브를 개방하여 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 단계;가 순차적으로 수행되도록 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 혼합액 공급 단계에서 상기 세정액의 유량과 상기 유기 용제의 유량의 합은 동일하도록 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.

  11. 제9항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 혼합액 공급 단계에서 상기 세정액의 공급량을 점차적으로 감소시키고, 상기 유기 용제의 공급량을 점차적으로 증가시키도록 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 제어하는 기판 처리 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제9항에 있어서,
    상기 토출 라인의 길이는 상기 내부 공간의 길이보다 더 길게 제공되는 기판 처리 장치.
  15. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 처리하는 처리 공간을 제공하는 컵;
    상기 처리 공간 내에 제공되고, 상기 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판에 유체를 분사하는 분사 유닛을 포함하되;
    상기 분사 유닛은,
    기판에 유체를 토출하는 노즐;
    상기 노즐에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인;
    상기 노즐에 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 라인;
    상기 세정액 공급 라인에 제공되어 상기 세정액의 공급량을 제어하는 제1 밸브; 및
    상기 유기 용제 공급 라인에 제공되어 상기 유기 용제의 공급량을 제어하는 제2 밸브;를 포함하되,
    상기 노즐에는,
    상기 세정액 공급 라인 및 상기 유기 용제 공급 라인과 연결된 내부 공간;
    유체를 토출하는 토출구;
    상기 내부 공간 및 상기 토출구를 연결하는 토출 라인이 형성되며,
    상기 세정액 공급 라인이 상기 내부 공간과 연결되는 단부에는 상기 세정액 공급 라인을 개폐하는 제1 개폐 부재가 제공되고,
    상기 유기 용제 공급 라인과 상기 내부 공간이 연결되는 단부에는 상기 유기 용제 공급 라인을 개폐하는 제2 개폐 부재가 제공되며,
    상기 제1 개폐 부재를 구동하는 제1 구동기; 그리고
    상기 제2 개폐 부재를 구동하는 제2 구동기;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 제1 밸브를 개방하고, 상기 제2 밸브를 폐쇄하여 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계;
    상기 제1 밸브 및 상기 제2 밸브를 일부 개방하여 세정액과 유기 용제의 혼합액을 공급하는 혼합액 공급 단계;
    상기 제1 밸브를 폐쇄하고, 상기 제2 밸브를 개방하여 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 단계;가 순차적으로 수행되도록 상기 제1 밸브와 상기 제2 밸브를 제어하고,
    상기 제1 구동기와 상기 제2 구동기를 제어하되,
    상기 세정액 공급 단계에서는 상기 제2 개폐 부재가 상기 유기 용제 공급 라인을 폐쇄하고,
    상기 유기 용제 공급 단계에서는 상기 제1 개폐 부재가 상기 세정액 공급 라인을 폐쇄하도록,
    상기 제1 구동기 및 상기 제2 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.
  17. 제9항에 있어서,
    상기 세정액 공급 라인에는,
    상기 세정액 공급 라인 내부의 세정액을 흡입하는 제1 석백 밸브가 제공되고,
    상기 유기 용제 공급 라인에는,
    상기 유기 용제 공급 라인 내부의 유기 용제를 흡입하는 제2 석백 밸브가 제공되는 기판 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 제1 석백 밸브와 상기 제2 석백 밸브를 제어하되,
    상기 세정액 공급 단계에서는 상기 제2 석백 밸브를 개방하고,
    상기 혼합액 공급 단계에서는 상기 제1 석백 밸브 및 상기 제2 석백 밸브를 폐쇄하고,
    상기 유기 용제 공급 단계에서 상기 제1 석백 밸브를 개방하는 기판 처리 장치.
  19. 제8항 내지 제11항, 제14항, 제17항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 용제는 이소프로필 알코올이고, 상기 세정액은 순수인 기판 처리 장치.
  20. 제8항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 유기 용제와 세정액을 공급하여 기판을 처리하되, 세정액의 공급량을 점차적으로 감소시키고, 유기 용제의 공급량을 점차적으로 증가시키는 기판 처리 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1 밸브를 개방하고, 상기 제2 밸브를 폐쇄하여 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계;
    상기 제1 밸브 및 상기 제2 밸브를 일부 개방하여 세정액과 유기 용제의 혼합액을 공급하는 혼합액 공급 단계; 그리고
    상기 제1 밸브를 폐쇄하고, 상기 제2 밸브를 개방하여 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 단계가 순차적으로 수행되는 기판 처리 방법.

  22. 제21항에 있어서,
    상기 혼합액 공급 단계에서 상기 세정액의 유량과 상기 유기 용제의 유량의 합은 동일한 기판 처리 방법.
  23. 제21항에 있어서,
    상기 혼합액 공급 단계에서 상기 세정액의 공급량을 점차적으로 감소시키고, 상기 유기 용제의 공급량을 점차적으로 증가시키는 기판 처리 방법.
KR1020150155246A 2015-11-05 2015-11-05 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 KR101885103B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150155246A KR101885103B1 (ko) 2015-11-05 2015-11-05 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150155246A KR101885103B1 (ko) 2015-11-05 2015-11-05 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170053009A KR20170053009A (ko) 2017-05-15
KR101885103B1 true KR101885103B1 (ko) 2018-08-06

Family

ID=58739883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150155246A KR101885103B1 (ko) 2015-11-05 2015-11-05 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101885103B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006187707A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Hitachi Chem Co Ltd 洗浄用2流体ノズル、洗浄方法及び洗浄装置
JP2006247619A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Sony Corp 2流体ノズル及び洗浄装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4767767B2 (ja) * 2006-06-19 2011-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR101023750B1 (ko) * 2008-10-28 2011-03-28 세메스 주식회사 유체 흐름 개폐 유닛 및 이를 이용한 기판 처리 장치.
KR101395248B1 (ko) * 2010-08-12 2014-05-15 세메스 주식회사 노즐 유닛
JP5965729B2 (ja) * 2012-05-31 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法および基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006187707A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Hitachi Chem Co Ltd 洗浄用2流体ノズル、洗浄方法及び洗浄装置
JP2006247619A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Sony Corp 2流体ノズル及び洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170053009A (ko) 2017-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107785290B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
KR102319966B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
CN108269752B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
KR20170110199A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101776019B1 (ko) 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101491055B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
KR20140112299A (ko) 기판처리장치
KR20160147163A (ko) 기판 처리 장치 및 세정 방법
KR101817211B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102265121B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101736853B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101842125B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170134925A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101885103B1 (ko) 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20130052997A (ko) 버퍼
KR20170046490A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101736871B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20180013327A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102410311B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102347975B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102193031B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102232835B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20170137242A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102310462B1 (ko) 기판 처리 장치 및 세정 방법
KR102231022B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant