CN110648941A - 处理液温度调节装置、基板处理装置及处理液供给方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能恰当调节向处理液罐返回的处理液的温度的处理液温度调节装置、供给方法及基板处理装置。温度调节装置调节包括:上游路,从供从处理液罐向基板处理单元供给的处理液通过的供给流路分支,而供向处理液罐返回的处理液流入;第一及第二分流路,与上游路的下游端连接,使处理液分流;下游路,与第一及第二分流路的下游端连接,使处理液合流并向处理液罐引导;冷却单元,冷却在第一分流路流动的处理液;流量比率变更单元,变更从上游路流入第一及第二分流路的处理液的流量的比率;下游温度检测单元,检测在下游路流动的处理液的温度;控制器,控制流量比率变更单元以使下游检测温度接近规定的目标温度。
Description
技术领域
本发明涉及处理液温度调节装置、基板处理装置、以及处理液供给方法。利用处理液处理的处理对象包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机电致发光(EL:Electroluminescence)显示装置等平板显示器(FPD:Flat Panel Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。
背景技术
在美国专利申请公开第2016/247697号说明书中公开有如下结构的基板处理装置:药液罐内的药液经由供给流路向处理单元内的基板供给。供给流路分支为多个上游流路。多个上游流路分别朝向多个喷出口引导处理液。通过对安装于各上游流路的阀进行开闭,控制从各喷出口喷出处理液。在该基板处理装置中,在停止向处理单元供给药液时,药液经由与上游流路分支连接的返回流路返回至药液罐。在上游流路设置有加热器,在返回流路设置有冷却器。
在利用基板处理装置处理基板时,有时在基板处理的中途变更药液的流量、温度等基板处理条件。在这样的情况下,为了使向基板供给的药液的温度稳定,需要根据基板处理条件地变更来调节药液罐内的药液的温度。
在美国专利申请公开第2016/247697号说明书记载的基板处理装置中,在变更基板处理条件时,为了调节药液罐内的药液的温度,有时使冷却器的输出变化。
然而,即使在使冷却器的输出变化的情况下,在冷却器的温度变化为止也需要相应的时间。因此,可能通过冷却器过度地冷却药液,或冷却器对药液的冷却不充分,而导致冷却器的温度变化赶不上基板处理条件的变化。由此,药液罐内的药液的温度可能不稳定。而且,向基板供给的药液的温度可能不稳定,处理单元中的基板的处理可能不稳定。
发明内容
因此,本发明的一个目的在于,提供能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度的处理液温度调节装置、基板处理装置、以及处理液供给方法。
本发明的一实施方式提供一种处理液温度调节装置,其对从处理液罐向基板处理单元供给的处理液的温度进行调节。
所述处理液温度调节装置包括:上游路,从供给流路分支而供向所述处理液罐返回的处理液流入,所述供给流路供从所述处理液罐向所述基板处理单元供给的处理液通过;第一分流路以及第二分流路,与所述上游路的下游端连接,使从所述上游路流入的处理液分流;下游路,与所述第一分流路以及所述第二分流路的下游端连接,使从所述第一分流路以及所述第二分流路流入的处理液合流并向所述处理液罐引导;冷却单元,对在所述第一分流路内流动的处理液进行冷却;流量比率变更单元,变更从所述上游路流入所述第一分流路的处理液的流量和从所述上游路流入所述第二分流路的处理液的流量的比率;下游温度检测单元,检测在所述下游路内流动的处理液的温度;控制器,以由所述下游温度检测单元检测出的下游检测温度接近规定的目标温度的方式,控制所述流量比率变更单元。
根据该装置,在上游路内流动的处理液向第一分流路以及第二分流路分流。在第一分流路内流动的处理液被冷却单元冷却后向下游路流入,在第二分流路内流动的处理液不被冷却单元冷却而向下游路流入。从第一分流路以及第二分流路流入下游路的处理液在下游路内合流。
另外,通过变更从上游路向第一分流路流入的处理液的流量和从上游路向第二分流路流入的处理液的流量的比率,变更向下游路流入的处理液中的被冷却后向下游路流入的处理液的比例。因此,通过变更从上游路向第一分流路流入的处理液的流量和从上游路向第二分流路流入的处理液的流量的比率,向下游路流入的处理液的温度变化。因此,即使变更基板处理条件,若控制器恰当地控制流量比率变更单元以使由下游温度检测单元检测出的下游检测温度接近目标温度,则也能够将向下游路流入的处理液的温度维持为接近目标温度的温度。即,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液温度调节装置还包括:上游分支流路,与所述上游路分支连接,将处理液向所述处理液罐引导;上游切换单元,将所述上游路内的处理液的引导目的地切换为所述上游路的下游端以及所述上游分支流路中的任一个。
在需要冷却上游路内的处理液的情况下,通过将上游路内的处理液的引导目的地切换为上游路的下游端,能够使上游路内的处理液流入第一分流路以及第二分流路并适当地冷却。另一方面,在无需冷却上游路内的处理液的情况下,通过将上游路内的处理液的引导目的地切换为上游分支流路,能够使上游路内的处理液不进行冷却而流入下游路。因此,能够抑制进行了超过需要的冷却的处理液向处理液罐返回。因此,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液温度调节装置还包括上游温度检测单元,所述上游温度检测单元检测在所述上游路内流动的处理液的温度。并且,在由所述上游温度检测单元检测出的上游检测温度低于需要冷却温度的情况下,所述上游切换单元将所述上游路内的处理液的引导目的地切换为所述上游分支流路,在所述上游检测温度高于所述需要冷却温度的情况下,所述上游切换单元将所述上游路内的处理液的引导目的地切换为所述上游路的下游端。
根据该结构,在上游检测温度高于需要冷却温度的情况下,通过将上游路内的处理液的引导目的地切换为上游路的下游端,能够使从上游路流入第一分流路的处理液被冷却单元冷却。由此,能够使被适当地冷却的处理液经由下游路向处理液罐返回。
另一方面,在上游检测温度低于需要冷却温度的情况下,将上游路内的处理液的引导目的地切换为上游分支流路,能够使处理液不进行冷却而流入下游路。因此,能够抑制进行了超过需要的冷却的处理液向处理液罐返回。
这样,通过根据上游检测温度与需要冷却温度的大小关系来恰当地变更上游路内的引导目的地,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液温度调节装置还包括:排出流路,在所述下游路中的被所述下游温度检测单元检测温度的被检测部分的下游侧与所述下游路分支连接,将处理液从所述下游路向所述处理液罐外引导;下游切换单元,将所述下游路内的处理液的引导目的地切换为所述处理液罐以及所述排出流路中的任一个。
在下游路内的处理液的温度过低的情况下,通过将下游路内的处理液的引导目的地切换为排出流路来向处理液罐外引导处理液,能够抑制进行了超过需要的冷却的处理液向处理液罐返回。另一方面,在下游路内的处理液的温度恰当的情况下,通过将下游路内的处理液的引导目的地切换为处理液罐,能够使被恰当地调节了温度的处理液向处理液罐返回。
在本发明的一实施方式中,在所述下游检测温度比低于所述目标温度的过冷却温度低的情况下,所述下游切换单元将所述下游路内的处理液的引导目的地切换为所述排出流路,在所述下游检测温度高于所述过冷却温度的情况下,所述下游切换单元将所述下游路内的处理液的引导目的地切换为所述处理液罐。
根据该结构,在下游检测温度低于过冷却温度的情况下,通过将下游路内的处理液的引导目的地切换为排出流路,能够向处理液罐外引导处理液。由此,能够抑制进行了超过需要的冷却的处理液向处理液罐返回。
另一方面,在下游检测温度高于过冷却温度的情况下,能够将下游路内的处理液的引导目的地的切换为处理液罐。因此,能够使比过冷却温度高的被恰当地调节的温度的处理液向处理液罐返回。这样,通过根据下游检测温度和过冷却温度的大小关系来恰当地变更下游路内的引导目的地,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液温度调节装置还包括:排出处理液罐,贮存从所述排出流路流入的处理液;排出处理液加热单元,对所述排出处理液罐内的处理液进行加热;移送流路,将所述排出处理液罐内的处理液向所述处理液罐移送。
根据该结构,排出流路内的处理液被排出处理液罐贮存。并且,排出处理液罐内的处理液被排出处理液加热单元加热后向处理液罐移送。由此,能够避免进行了超过需要的冷却的状态的处理液流入处理液罐。因此,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。而且,与废弃排出流路内的处理液的结构相比,能够降低处理液的消耗量。
在本发明的一实施方式中,所述处理液温度调节装置还包括引导流路,所述引导流路将处理液从所述处理液罐向所述第一分流路中被所述冷却单元冷却的被冷却部分的上游侧的部分引导。
在第一分流路内未形成处理液的流动而处理液停留于第一分流路的被冷却部分的情况下,被冷却部分内的处理液被冷却单元过度地冷却。在该状态下,若在第一分流路内形成处理液的流动,则被过度地冷却的处理液可能流入处理液罐。
因此,通过从处理液罐向第一分流路的被冷却部分的上游侧的部分引导处理液,能够在下游路内的处理液被过度地冷却前在第一分流路内形成处理液的流动。其结果,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液温度调节装置还包括对述引导流路进行开闭的引导流路阀。并且,在停止处理液向所述上游路流入时,所述引导流路阀打开所述引导流路,经由所述引导流路从所述处理液罐向所述第一分流路引导处理液。
在停止处理液向上游路流入时,在第一分流路内难以形成处理液的流动,从而处理液特别容易停留于第一分流路的被冷却部分。停留于第一分流路的被冷却部分的处理液被冷却单元过度地冷却。在该状态下,若在第一分流路内形成处理液的流动,则被过度地冷却的处理液可能流入处理液罐。
因此,在停止处理液向上游路流入时,通过引导流路阀打开引导流路,能够从处理液罐向第一分流路引导处理液。由此,在下游路内的处理液被过度地冷却前,能够在第一分流路内形成处理液的流动。其结果,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液温度调节装置还包括加热单元,所述加热单元对所述下游路中比所述下游温度检测单元更靠下游侧的被加热部分内的处理液进行加热。
根据该结构,在下游路内的处理液低于目标温度的情况下,能够通过加热单元对下游路内的处理液进行加热。能够进一步恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液温度调节装置还包括流量检测单元,所述流量检测单元检测在所述上游路内流动的处理液的流量。所述冷却单元包括:制冷剂流路,供与在所述第一分流路内流动的处理液进行热交换的制冷剂流通;制冷剂流量调节单元,调节在所述制冷剂流路内流动的所述制冷剂的流量。并且,在由所述流量检测单元检测出的上游检测流量大于规定的基准流量的情况下,所述控制器控制所述制冷剂流量调节单元,以使所述制冷剂的流量变大,在所述上游检测流量小于所述规定的基准流量的情况下,所述控制器控制所述制冷剂流量调节单元,以使所述制冷剂的流量变小。
在上游路内流动的处理液的流量越大,则应从处理液夺取的热量越大,以使处理液的温度变为目标温度。制冷剂的流量越大,则冷却单元从处理液夺取的热量增加。因此,通过控制制冷剂流量调节单元,以使在上游检测流量大于基准流量的情况下,制冷剂的流量变大,在上游检测流量小于基准流量的情况下,制冷剂的流量变小,能够高精度地冷却第一分流路内的处理液。其结果,能够高精度地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液温度调节装置还包括:供给流路加热单元,对所述供给流路内的处理液进行加热;上游返回流路,从所述供给流路中被所述供给流路加热单元加热的部分的下游侧的部分分支,将所述供给流路内的处理液向所述上游路输送。
根据该结构,通过供给流路加热单元加热处理液。因此,能够将被加热的处理液经由供给流路向基板处理单元供给,以使处理液与基板反应。
并且,被加热的处理液经由上游返回流路也向处理液温度调节装置的上游路输送。因此,处理液在处理液温度调节装置内根据需要被恰当地冷却。因此,在被加热的处理液流入上游路的结构中,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
本发明的一实施方式提供一种基板处理装置,该基板处理装置包括所述处理液温度调节装置、所述供给流路以及所述基板处理单元,通过处理液对基板进行处理。所述基板处理单元包括:基板保持旋转单元,一边将所述基板保持为水平,一边使所述基板以通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线为中心旋转;主喷出口,朝向所述基板的上表面中央部喷出处理液;副喷出口,朝向所述基板的上表面内的与所述上表面中央部分离的位置喷出处理液。所述供给流路包括:上游供给流路,将所述处理液罐内的处理液朝向下游侧引导;多个下游供给流路,使所述上游供给流路分流。所述多个下游供给流路包括:下游主供给流路,向所述主喷出口引导处理液;下游副供给流路,向所述副喷出口引导处理液。所述供给流路加热单元包括:上游供给流路加热单元,对所述上游供给流路内的处理液进行加热;下游供给流路加热单元,对所述下游副供给流路内的处理液进行加热。所述上游返回流路从所述下游副供给流路中被所述下游供给流路加热单元加热的部分的下游侧的部分分支,将所述下游副供给流路内的处理液向所述上游路输送。
供给至旋转的基板的上表面中央部的处理液沿基板的上表面从中央部向周缘部流动。在该过程中,处理液的温度逐渐地降低。因此,温度的均匀性降低,从而对基板的上表面的处理的均匀性可能降低。若增加向基板的上表面供给的处理液的流量,则处理液到达基板的上表面周缘部为止的时间缩短,因此,能够减轻处理液的温度降低。然而,处理液的消耗量会增加。
因此,在该基板处理装置中,被上游供给流路加热单元加热的处理液朝向基板的上表面中央部喷出,在被上游供给流路加热单元加热后又被下游供给流路加热单元进一步加热的处理液向基板的上表面内与上表面中央部分离的位置喷出。因此,向副喷出口引导的处理液被加热以比向主喷出口引导的处理液的温度高。因此,向基板中与上表面中央部分离的位置供给的处理液的温度比向基板的上表面中央部供给的处理液的温度高。由此,既能够降低处理液的消耗量,又能够提高对基板的上表面的处理的均匀性。
另一方面,在该基板处理装置中,上游返回流路从下游副供给流路中被下游供给流路加热单元加热的部分的下游侧的部分分支。因此,在被上游供给流路加热单元加热后又被下游供给流路加热单元进一步加热的处理液流入处理液温度调节装置的上游路。因此,若没有恰当地冷却向处理液罐返回的处理液,则向主喷出口引导的处理液的温度可能上升,对基板的上表面的处理的均匀性可能降低。因此,若使用上述的处理液温度调节装置恰当地冷却向处理液罐返回的处理液,则能够抑制向主喷出口引导的处理液的温度的上升。
本发明的一实施方式提供一种处理液供给方法,包括:
供给工序,将贮存处理液的处理液罐内的处理液经由供给流路向基板处理单元供给;分流工序,通过与上游路的下游端连接的第一分流路以及第二分流路使在所述上游路内流动的处理液分流,所述上游路从所述供给流路分支而供向所述处理液罐返回的处理液流入;冷却工序,通过冷却单元对在所述第一分流路内流动的处理液进行冷却;合流工序,使处理液从所述第一分流路以及所述第二分流路流入下游路而合流并向所述处理液罐引导;下游温度检测工序,通过下游温度检测单元检测在所述下游路内流动的处理液的温度即下游检测温度;流量比率变更工序,变更从所述上游路流入所述第一分流路的处理液的流量与从所述上游路流入所述第二分流路的处理液的流量的比率,以使被所述下游温度检测单元检测出的下游检测温度接近规定的目标温度。
根据该方法,在上游路内流动的处理液向第一分流路以及第二分流路分流。在第一分流路内流动的处理液被冷却单元冷却后流入下游路,在第二分流路内流动的处理液不被冷却单元冷却而流入下游路。从第一分流路以及第二分流路流入下游路的处理液在下游路内合流。
另外,通过变更从上游路向第一分流路流入的处理液的流量和从上游路向第二分流路流入的处理液的流量的比率,变更向下游路流入的处理液中的被冷却后向下游路流入的处理液的比例。因此,通过变更从上游路向第一分流路流入的处理液的流量和从上游路向第二分流路流入的处理液的流量的比率,向下游路流入的处理液的温度变化。因此,即使变更基板处理条件,通过恰当地变更向第一分流路流入的处理液的流量和向第二分流路流入的处理液的流量的比率,以使由下游温度检测单元检测出的下游检测温度接近目标温度,从而能够将向下游路流入的处理液的温度维持为接近目标温度的温度。即,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液供给方法还包括:上游温度检测工序,检测在所述上游路内流动的处理液的温度即上游检测温度;上游切换工序,对所述上游路内的处理液的引导目的地进行切换,以便在所述上游检测温度低于需要冷却温度的情况下,将所述上游路内的处理液向与所述上游路分支连接且使处理液向所述处理液罐返回的上游分支流路引导,在所述上游检测温度高于所述需要冷却温度的情况下,将所述上游路内的处理液向所述上游路的下游端引导。
根据该方法,在上游检测温度高于需要冷却温度的情况下,通过将上游路内的处理液的引导目的地切换为上游路的下游端,能够使从上游路流入第一分流路的处理液被冷却单元冷却。由此,能够使被适当地冷却的处理液经由下游路向处理液罐返回。
另一方面,在上游检测温度低于需要冷却温度的情况下,将上游路内的处理液的引导目的地切换为上游分支流路,能够使处理液不进行冷却而流入下游路。因此,能够抑制进行了超过需要的冷却的处理液向处理液罐返回。
这样,通过根据上游检测温度与需要冷却温度的大小关系来恰当地变更上游路内的引导目的地,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液供给方法还包括下游切换工序,所述下游切换工序对所述下游路内的处理液的引导目的地进行切换,以便在所述下游检测温度比低于所述目标温度的过冷却温度低的情况下,将所述下游路内的处理液从所述下游路向所述处理液罐外引导,在所述下游检测温度高于所述过冷却温度的情况下,将所述下游路内的处理液向所述处理液罐引导。
根据该方法,在下游检测温度低于过冷却温度的情况下,通过将下游路内的处理液的引导目的地切换为排出流路,能够向处理液罐外引导处理液。由此,能够抑制进行了超过需要的冷却的处理液向处理液罐返回。
另一方面,在下游检测温度高于过冷却温度的情况下,能够将下游路内的处理液的引导目的地的切换为处理液罐。因此,能够使比过冷却温度高的被恰当地调节的温度的处理液向处理液罐返回。这样,通过根据下游检测温度和过冷却温度的大小关系来恰当地变更下游路内的引导目的地,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液供给方法还包括:流入停止工序,停止处理液向所述上游路流入;引导工序,在停止处理液向所述上游路流入时,将处理液向设定于所述第一分流路的比被冷却部分靠上游侧的部分引导。
在停止处理液向上游路流入时,在第一分流路内难以形成处理液的流动,从而处理液特别容易停留于第一分流路的被冷却部分。停留于第一分流路的被冷却部分的处理液被冷却单元过度地冷却。在该状态下,若在第一分流路内形成处理液的流动,则被过度地冷却的处理液可能流入处理液罐。
因此,在停止处理液向上游路流入时,通过引导流路阀打开引导流路,能够从处理液罐向第一分流路引导处理液。由此,在下游路内的处理液被过度地冷却前,能够在第一分流路内形成处理液的流动。其结果,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液供给方法还包括对所述下游路内的处理液进行加热的加热工序。
根据该方法,在下游路内的处理液低于目标温度的情况下,能够对下游路内的处理液进行加热。能够进一步恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液供给方法还包括:制冷剂流通工序,使与在所述第一分流路内流动的处理液进行热交换的制冷剂流通于所述冷却单元所具有的制冷剂流路;流量检测工序,通过流量检测单元检测在所述上游路内流动的处理液的流量即上游检测流量;制冷剂流量调节工序,调节在所述制冷剂流路内流动的制冷剂的流量,以使在所述上游检测流量大于规定的基准流量的情况下,使在所述制冷剂流路内流动的制冷剂的流量变大,在所述上游检测流量小于所述规定的基准流量的情况下,使在所述制冷剂流路内流动的制冷剂的流量变小。
在上游路内流动的处理液的流量越大,则应从处理液夺取的热量越大,以使处理液的温度变为目标温度。制冷剂的流量越大,则冷却单元从处理液夺取的热量增加。因此,若调节制冷剂的流量,以使在上游检测流量大于基准流量的情况下,制冷剂的流量变大,在上游检测流量小于基准流量的情况下,制冷剂的流量变小,则能够高精度地冷却第一分流路内的处理液。其结果,能够高精度地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
在本发明的一实施方式中,所述处理液供给方法还包括:供给流路加热工序,对所述供给流路内的处理液进行加热;上游返回工序,将在所述供给流路内被加热的处理液向所述上游路输送。
根据该方法,供给流路内的处理液被加热。因此,能够使被加热的处理液经由供给流路向基板处理单元供给,以使处理液与基板反应。
并且,被加热的处理液也向上游路输送。因此,处理液在冷却工序中根据需要被恰当地冷却。因此,在被加热的处理液向上游路流入的结构中,能够恰当地调节向处理液罐返回的处理液的温度。
本发明中的上述的目的或其他的目的、特征及效果通过参照附图并通过如下所述的实施方式的说明而明确。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的结构例的示意图。
图2是表示所述基板处理装置所具有的基板处理单元的内部结构例的示意性的主视图。
图3是表示所述基板处理单元的内部结构例的示意性的俯视图。
图4是表示所述基板处理装置所具有的药液温度调节装置的结构例的示意图。
图5是表示所述基板处理装置的主要部分的电气结构例的框图。
图6A以及图6B是用于说明向所述基板处理单元供给药液的动作例的示意图,是表示所述基板处理装置的药液喷出状态的示意图。
图7A~图7D是用于说明通过所述药液温度调节装置调节药液的温度的动作例的示意图。
图8是用于说明所述药液温度调节装置所具有的流量比变更单元的反馈控制的流程图。
图9是用于说明所述基板处理装置进行的基板处理的一例的流程图。
图10是用于说明本发明的第二实施方式的基板处理装置所具有的处理液温度调节装置的结构例的示意图。
具体实施方式
<第一实施方式>
图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置1的结构例的示意图。基板处理装置1是一张一张地处理半导体晶片等圆板状的基板W的单张式的装置。基板处理装置1包括通过处理液处理基板W的基板处理单元2、向基板处理单元2搬运基板W的搬运机械手(未图示)、控制基板处理装置1的控制器3(参照图5)。在基板处理单元2内向基板W供给的处理液包括药液、冲洗液等。
基板处理装置1还包括:贮存箱6,容纳用于贮存应向基板处理单元2供给的处理液的处理液罐等;流体箱5,容纳对从贮存箱6向基板处理单元2的处理液供给进行控制的流体设备等。处理液罐包括例如贮存药液的药液罐8和贮存冲洗液的冲洗液罐(未图示)。
基板处理单元2以及流体箱5配置在基板处理装置1的框架4之中。基板处理单元2的腔室7和流体箱5在水平方向上排列。在该实施方式中,贮存箱6配置在框架4之外。贮存箱6也可以配置在框架4之中。
基板处理装置1包括供给配管9、药液温度调节装置10、返回配管11以及循环配管12。
供给配管9形成用于从药液罐8向基板处理单元2供给的药液通过的供给流路。返回配管11形成使供给配管9(供给流路)内的药液返回至药液罐8的返回流路。药液温度调节装置10是调节从药液罐8向基板处理单元2供给的药液的温度的装置,该药液温度调节装置10是处理液温度调节装置的一例。在该实施方式中,药液温度调节装置10配置于返回配管11,调节从供给配管9向药液罐8返回的处理液的温度,由此,调节向基板处理单元2供给的处理液的温度。循环配管12与供给配管9以及药液罐8连接,形成使药液罐8内的药液不经由基板处理单元2以及药液温度调节装置10而循环的循环流路。
供给配管9包括与药液罐8连接的上游供给配管20和从上游供给配管20分支的多个下游供给配管21。
上游供给配管20形成将药液罐8内的药液朝向下游侧引导的上游供给流路。多个下游供给配管21包括下游主供给配管21A以及第一下游副供给配管21B~第三下游副供给配管21D,它们分别形成使上游供给配管20分流的多个下游供给流路。下游主供给配管21A形成下游主供给流路。多个下游副供给配管21B~21D分别形成多个下游副供给流路。多个下游供给配管21的下游端分别与基板处理单元2所具有的多个药液喷嘴50连接。
返回配管11包括分别与多个下游副供给配管21B~21D连接的多个上游返回配管22、与药液温度调节装置10以及药液罐8连接的下游返回配管23。
多个上游返回配管22包括第一上游返回配管22B~第三上游返回配管22D,它们分别与多个下游副供给配管21B~21D的中途部分支连接。各上游返回配管22形成从对应的下游副供给配管21B~21D向药液温度调节装置10输送药液的多个上游返回流路。下游返回配管23形成从药液温度调节装置10所具有的下游配管63向药液罐8输送药液的下游返回流路。
第一上游返回配管22B的上游端与第一下游副供给配管21B分支连接。第一上游返回配管22B的下游端与药液温度调节装置10所具有的上游配管60连接。第二上游返回配管22C的上游端与第二下游副供给配管21C分支连接。第二上游返回配管22C的下游端与第一上游返回配管22B连接。第三上游返回配管22D的上游端与第三下游副供给配管21D分支连接。第三上游返回配管22D的下游端在第二上游返回配管22C的下游侧与第一上游返回配管22B连接。因此,在多个上游返回配管22中流动的药液在第一上游返回配管22B内合流,向药液温度调节装置10的上游配管60输送。
下游返回配管23的上游端与药液温度调节装置10所具有的下游配管63连接。下游返回配管23的下游端与药液罐8连接。
循环配管12的上游端与上游供给配管20分支连接。循环配管12的下游端与药液罐8连接。
基板处理装置1包括上游供给加热器30、泵31、过滤器32、上游供给阀33、下游主供给流量计34A、下游主供给流量调节阀35A以及下游主供给阀36A。
基板处理装置1包括多个下游副供给流量计34B~34D(第一下游副供给流量计34B、第二下游副供给流量计34C、第三下游副供给流量计34D)、多个下游副供给流量调节阀35B~35D(第一下游副供给流量调节阀35B、第二下游副供给流量调节阀35C、第三下游副供给流量调节阀35D)。
基板处理装置1包括多个下游供给加热器37B~37D(第一下游供给加热器37B、第二下游供给加热器37C、第三下游供给加热器37D)、多个下游副供给阀36B~36D(第一下游副供给阀36B、第二下游副供给阀36C、第三下游副供给阀36D)、多个上游返回阀38B~38D(第一上游返回阀38B、第二上游返回阀38C、第三上游返回阀38D)、循环阀39。
上游供给加热器30对上游供给配管20内的药液进行加热。上游供给加热器30是供给流路加热单元的一例。
泵31在被上游供给加热器30加热的部分的下游侧且循环配管12的分支位置的上游侧安装于上游供给配管20。泵31将药液罐8内的药液向上游供给配管20输送。
过滤器32在泵31的下游侧且循环配管12的分支位置的上游侧安装于上游供给配管20。过滤器32去除在上游供给配管20中流动的药液中的颗粒。
上游供给阀33在过滤器32的下游侧且下游供给配管21的分支位置的上游侧安装于上游供给配管20。上游供给阀33对上游供给配管20内的流路(上游供给流路)进行开闭。
下游主供给流量计34A安装于下游主供给配管21A。下游主供给流量计34A用于检测下游主供给配管21A内的药液的流量。下游主供给流量调节阀35A在下游主供给流量计34A的下游侧安装于下游主供给配管21A。下游主供给流量调节阀35A用于调节下游主供给配管21A内的药液的流量。下游主供给阀36A在下游主供给流量调节阀35A的下游侧安装于下游主供给配管21A。下游主供给阀36A对下游主供给配管21A内的流路(下游主供给流路)进行开闭。
多个下游副供给流量计34B~34D分别安装于多个下游副供给配管21B~21D。各下游副供给流量计34B~34D在连接有对应的上游返回配管22的位置(上游返回配管分支位置22a)的上游侧安装于对应的下游副供给配管21B~21D。各下游副供给流量计34B~34D用于检测对应的下游副供给配管21B~21D内的药液的流量。
多个下游副供给流量调节阀35B~35D分别安装于多个下游副供给配管21B~21D。各下游副供给流量调节阀35B~35D在上游返回配管分支位置22a的上游侧且对应的下游副供给流量计34B~34D的下游侧安装于对应的下游副供给配管21B~21D。下游副供给流量调节阀35B~35D用于调节在对应的下游副供给配管21B~21D内流动的药液的流量。
多个下游副供给阀36B~36D分别安装于多个下游副供给配管21B~21D。各下游副供给阀36B~36D在上游返回配管分支位置22a的下游侧安装于对应的下游副供给配管21B~21D。下游副供给阀36B~36D对相对应的下游副供给配管21B~21D内的流路(下游副供给流路)进行开闭。
多个下游供给加热器37B~37D分别设置于游副供给配管21B~21D。各下游供给加热器37B~37D加热对应的下游副供给配管21B~21D中比上游返回配管分支位置22a更靠上游侧且比对应的下游副供给流量调节阀35B~35D更靠下游侧的部分。下游供给加热器37B~37D加热对应的下游副供给配管21B~21D内的药液。下游供给加热器37B~37D是加热供给配管9的流路内的药液的供给流路加热单元的一例,也是加热下游副供给配管21B~21D内的药液的下游供给流路加热单元的一例。
多个上游返回阀38B~38D分别安装于上游返回配管22B~22D。各上游返回阀38B~38D对相对应的上游返回配管22B~22D内的流路(上游返回流路)进行开闭。
循环阀39安装于循环配管12。循环阀39对循环配管12内的流路(循环流路)进行开闭。
图2是表示基板处理单元2的内部的结构的示意性的主视图。图3是表示基板处理单元2的内部的示意性的俯视图。
基板处理单元2包括箱型的腔室7、在腔室7内一边将基板W保持为水平一边使基板W以通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转的旋转卡盘41、挡住从基板W排出的处理液的筒状的挡板42。
腔室7包括设置有供基板W通过的搬入搬出口43a的箱型的间隔壁43。间隔壁43的搬入搬出口43a通过闸门43b进行开闭(参照图3)。闸门43b在搬入搬出口43a打开的打开位置和搬入搬出口43a关闭的关闭位置(图3所示的位置)之间,相对于间隔壁43能够移动。搬运机械手(未图示)通过搬入搬出口43a向腔室7搬入基板W,并通过搬入搬出口43a从腔室7搬出基板W。
旋转卡盘41包括被保持为水平的姿势的圆板状的旋转基座44、在旋转基座44的上方将基板W保持为水平的姿势的多个卡盘销45、通过使旋转基座44旋转而使基板W以旋转轴线A1为中心旋转的旋转马达46。旋转卡盘41是一边将基板W保持为水平,一边使基板W以旋转轴线A1为中心旋转的基板保持旋转单元的一例。
旋转卡盘41并不限定于使多个卡盘销45与基板W的周端面接触的夹持式的卡盘,也可以是通过使非器件形成面即基板W的背面(下表面)吸附于旋转基座44的上表面将基板W保持为水平的真空型的卡盘。
基板处理单元2包括朝向被旋转卡盘41保持的基板W的上表面向下方喷出冲洗液的冲洗液喷嘴47。冲洗液喷嘴47与安装有冲洗液阀48的冲洗液配管49连接。基板处理单元2也可以具有使冲洗液喷嘴47在处理位置与待机位置之间移动的喷嘴移动单元。
若打开冲洗液阀48,则冲洗液从冲洗液配管49向冲洗液喷嘴47供给,并从冲洗液喷嘴47喷出。冲洗液是例如纯水(去离子水:Deionized Water)。冲洗液并不限定于纯水,也可以是碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、以及稀释浓度(例如,10ppm~100ppm左右)的盐酸水中的任一种。
基板处理单元2还包括向下方喷出药液的多个药液喷嘴50、保持多个药液喷嘴50的保持架51、使多个药液喷嘴50移动的喷嘴移动单元52。多个药液喷嘴50包括主药液喷嘴50A、第一副药液喷嘴50B、第二副药液喷嘴50C、以及第三副药液喷嘴50D。
各药液喷嘴50包括被保持架51悬臂支撑的喷嘴主体53。喷嘴主体53包括从保持架51沿水平的长度方向D1延伸的臂部54、从臂部54的顶端54a向下方延伸的顶端部55。臂部54的顶端54a是指,在俯视时在长度方向D1上离保持架51最远的部分。
多个臂部54按主药液喷嘴50A、第一副药液喷嘴50B、第二副药液喷嘴50C、第三副药液喷嘴50D的顺序,在与长度方向D1正交的水平的排列方向D2上排列。多个臂部54配置在同一高度。多个臂部54也可以以等间隔在排列方向D2上排列,也可以以不等间隔在排列方向D2上排列。在图3中示出了多个臂部54以等间隔配置的例子。
长度方向D1上的多个臂部54的长度按照主药液喷嘴50A、第一副药液喷嘴50B、第二副药液喷嘴50C、第三副药液喷嘴50D的顺序依次变短。多个药液喷嘴50的顶端(多个臂部54的顶端54a)以在长度方向D1上按照主药液喷嘴50A、第一副药液喷嘴50B、第二副药液喷嘴50C、第三副药液喷嘴50D的顺序排列的方式在长度方向D1上错开。多个药液喷嘴50的顶端在俯视时直线状地排列。
喷嘴移动单元52通过使保持架51以在挡板42的周围铅垂地延伸的喷嘴转动轴线A2为中心转动,使多个药液喷嘴50沿在俯视时通过基板W的圆弧状的路径移动。由此,多个药液喷嘴50在处理位置(图3中的由双点划线表示的位置)与待机位置(图3中的由实线表示的位置)之间水平地移动。
在多个药液喷嘴50位于处理位置时,从多个药液喷嘴50喷出的药液着落于基板W的上表面。在处理位置,多个药液喷嘴50和基板W在俯视时重叠,多个药液喷嘴50的顶端在俯视时从旋转轴线A1侧按照主药液喷嘴50A、第一副药液喷嘴50B、第二副药液喷嘴50C、第三副药液喷嘴50D的顺序在基板W的旋转径向上排列。此时,主药液喷嘴50A的顶端在俯视时与基板W的中央部重叠,第三副药液喷嘴50D的顶端在俯视时与基板W的周缘部重叠。
多个药液喷嘴50分别在顶端具有多个喷出口57。详细地说,主药液喷嘴50A具有主喷出口57A,所述主喷出口57A在多个药液喷嘴50位于处理位置时,能够朝向基板W的上表面中央部喷出处理液。多个副药液喷嘴50B~50D分别具有在多个药液喷嘴50位于处理位置时,朝向与中央部分离的基板W上表面的位置喷出处理液的多个副喷出口57B~57D(第一副喷出口57B、第二副喷出口57C、第三副喷出口57D)。
多个药液喷嘴50在位于待机位置,从基板W的上方退避,以使多个药液喷嘴50和基板W在俯视时不重叠。在多个药液喷嘴50位于待机位置时,多个药液喷嘴50的顶端以在俯视时沿着挡板42的外周面(外壁16的外周面)的方式位于挡板42的外侧,按照主药液喷嘴50A、第一副药液喷嘴50B、第二副药液喷嘴50C、第三副药液喷嘴50D的顺序在周向(围绕旋转轴线A1的方向)上排列。多个药液喷嘴50以按照主药液喷嘴50A、第一副药液喷嘴50B、第二副药液喷嘴50C、第三副药液喷嘴50D的顺序远离旋转轴线A1的方式配置。
作为从药液喷嘴50供给的药液的例子,可列举TMAH(四甲基氢氧化铵)等蚀刻液、SPM(包含硫酸以及过氧化氢水的混合液)等抗蚀剂剥离液等。药液并不限定于TMAH以及SPM,也可以是包括硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如,柠檬酸、草酸等)、TMAH以外的有机碱、界面活化剂、防腐剂中的至少一种的液体。
图4是表示药液温度调节装置10的结构例的示意图。药液温度调节装置10包括上游配管60、第一分流配管61、第二分流配管62、下游配管63、上游分支配管64、排出配管65以及引导配管66。
上游配管60的上游端与第一上游返回配管22B的下游端连接,因此,与第一上游返回配管22B、第二上游返回配管22C以及第三上游返回配管22D连接(参照图1)。上游配管60形成上游路,该上游路从供给配管9分支而供向药液罐8返回的药液流入。第一分流配管61以及第二分流配管62的上游端与上游配管60的下游端连接。第一分流配管61以及第二分流配管62分别形成使从上游配管60流入的药液分流的第一分流路以及第二分流路。
下游配管63的上游端与第一分流配管61以及第二分流配管62的下游端连接。下游配管63的下游端与下游返回配管23的上游端连接。下游配管63形成使从第一分流配管61以及第二分流配管62流入的药液合流并经由下游返回配管23向药液罐8引导的下游路。
上游分支配管64的上游端与上游配管60分支连接。上游分支配管64的下游端与下游配管63连接。上游分支配管64形成使上游配管60内的药液绕过第一分流配管61以及第二分流配管62并经由下游配管63以及下游返回配管23向药液罐8引导的上游分支流路。
排出配管65的上游端在上游分支配管64的下游端的上游侧与下游配管63分支连接。排出配管65的下游端与废弃罐(未图示)连接。排出配管65形成不使下游配管63内的药液返回至药液罐8而将其排出至药液罐8外的排出流路。
引导配管66的上游端与上游供给配管20中的上游供给阀33的上游侧分支连接(参照图1)。引导配管66的下游端与第一分流配管61连接。引导配管66形成不经由下游主供给配管21A、下游副供给配管21B~21D、多个上游返回配管22B~22D以及上游配管60而将上游供给配管20内的药液向第一分流配管61引导的引导流路。
药液温度调节装置10包括上游流量计70、上游温度计71、上游阀72、上游分支阀73、第一分流流量调节阀74、第二分流流量调节阀75、冷却器76、第一下游温度计80、第二下游温度计81、下游阀82、下游加热器83、排出阀84以及引导阀85。
上游流量计70在上游配管60中连接有上游分支配管64的位置(上游分支位置64a)的上游侧安装于上游配管60。上游流量计70是检测上游配管60内的药液的流量(下面,称为“上游检测流量VU”)的上游流量检测单元(流量检测单元)的一例。
上游阀72在上游分支位置64a的下游侧安装于上游配管60。上游阀72是对上游配管60内的流路(上游路)进行开闭的阀。上游分支阀73安装于上游分支配管64。上游分支阀73是对上游分支配管64内的流路(上游分支流路)进行开闭的阀。
上游温度计71在上游配管60中配置在上游流量计70的下游侧且上游阀72的上游侧(在该实施方式中为上游分支位置64a的上游侧)的位置。上游温度计71是检测上游配管60内的药液的温度(下面,称为“上游检测温度TU”)的上游温度检测单元的一例。
在上游阀72打开且上游分支阀73关闭的状态下,上游配管60内的药液向上游配管60的下游端(第一分流配管61以及第二分流配管62的上游端)被引导。在上游阀72关闭且上游分支阀73打开的状态下,上游配管60内的药液向上游分支配管64被引导。即,上游阀72以及上游分支阀73构成将上游配管60内的药液的引导目的地切换为上游配管60的下游端和上游分支配管64中的任一个的上游切换单元。
第一分流流量调节阀74在引导配管66的下游端的连接位置的下游侧安装于第一分流配管61。第一分流流量调节阀74对在第一分流配管61内流动的药液的流量进行变更。
冷却器76是对从上游配管60(上游路)流入第一分流配管61(第一分流路)的药液进行冷却的冷却单元的一例。
冷却器76对在第一分流配管61中设定于第一分流流量调节阀74的下游侧的被冷却部分61a进行冷却。被冷却部分61a在第一分流配管61中设定于连接有引导配管66的下游端的部分的下游侧。
冷却器76包括制冷剂罐86、制冷剂供给配管77、制冷剂返回配管78、以及制冷剂流量调节阀79。制冷剂罐86是贮存制冷剂的罐。制冷剂罐86连接有制冷剂供给配管77的下游端以及制冷剂返回配管78的上游端。
制冷剂供给配管77形成将制冷剂供给源90内的制冷剂向制冷剂罐86供给的制冷剂供给流路。制冷剂返回配管78形成使冷却器76内的制冷剂向制冷剂供给源90返回的制冷剂返回流路。制冷剂罐86、制冷剂供给配管77以及制冷剂返回配管78形成与在第一分流配管61内流动的药液进行热交换的制冷剂流通的制冷剂流路。制冷剂流量调节阀79是调节制冷剂罐86、制冷剂供给配管77以及制冷剂返回配管78内的流路(制冷剂流路)的流量的制冷剂流量调节单元的一例。
引导配管66向第一分流配管61中比被冷却部分61a更靠上游侧的部分引导药液。在引导配管66上安装有对引导配管66内的流路(引导流路)进行开闭的引导阀85。引导阀85是引导流路阀的一例。
第二分流流量调节阀75安装于第二分流配管62。第二分流流量调节阀75对在第二分流配管62内流动的药液的流量进行变更。
第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75例如是电动阀。电动阀包括对流路进行开闭的阀主体(未图示)、对阀主体的开度进行变更的电动促动器(未图示)。
通过调节第一分流流量调节阀74的开度,能够变更从上游配管60流入第一分流配管61的药液的流量(下面,称为“第一流量VS1”)。通过调节第二分流流量调节阀75的开度,能够变更从上游配管60流入第二分流配管62的药液的流量(下面,称为“第二流量VS2”)。
通过调节第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75的至少一方的开度,能够变更第一流量VS1与第二流量VS2的比率。即,第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75构成流量比率变更单元。
第一下游温度计80在下游配管63中配置在连接有排出配管65的位置(排出分支位置65a)的上游侧。换言之,排出配管65在第一被检测部分63a的下游侧与下游配管63分支连接。第一下游温度计80检测在下游配管63中设置于排出分支位置65a的上游侧的第一被检测部分63a内的药液的温度(下面,称为“第一下游检测温度TL1”)。
第二下游温度计81检测设置于第一被检测部分63a的下游侧且排出分支位置65a的上游侧的第二被检测部分63b内的药液的温度(下面,称为“第二下游检测温度TL2”)。换言之,排出配管65在第二被检测部分63b的下游侧分支连接。第一下游温度计80以及第二下游温度计81分别是下游温度检测单元的一例。
下游加热器83是加热在下游配管63中比上游分支配管64的连接位置更靠下游侧设置的被加热部分63c内的药液的加热单元的一例。被加热部分63c在下游配管63中设置于第一被检测部分63a以及第二被检测部分63b的下游侧的位置。
下游阀82在上游分支配管64的连接位置的上游侧且排出分支位置65a的下游侧安装于下游配管63。下游阀82是对下游配管63内的流路(下游路)进行开闭的阀。排出阀84安装于排出配管65。排出阀84是对排出配管65内的流路(排出流路)进行开闭的阀。
在下游阀82打开且排出阀84关闭的状态下,下游配管63内的药液向下游配管63的下游端(药液罐8)被引导。在下游阀82关闭且排出阀84打开的状态下,下游配管63内的药液向排出配管65被引导。即,下游阀82以及排出阀84构成将下游配管63内的药液的引导目的地切换为下游配管63的下游端(药液罐8)和排出配管65中的任一个的下游切换单元。
图5是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。控制器3具有微型计算机,按照规定的程序控制基板处理装置1所具有的控制对象。更具体地说,控制器3包括处理器(CPU)3A和存储有程序的存储器3B,通过处理器3A执行程序来执行用于基板处理的各种控制处理。特别地,控制器3监视流量计34A~34D、70以及温度计71、80、81的输出信号,来控制旋转马达46、加热器30、37B~37D、83、泵31、以及阀33、35A~35D、36A~36D、38B~38D、39、48、72、73、74、75、79、82、84、85等的动作。
图6A以及图6B是用于说明向基板处理单元2供给药液的方法的示意图。在图6A以及图6B中,打开的阀用黑色表示,关闭的阀用白色表示。在后述的图7A~图7D中也同样,打开的阀用黑色表示,关闭的阀用白色表示。
图6A是从多个喷出口57供给药液的药液喷出状态的基板处理装置1的示意图。在图6A中示出了上游供给阀33、下游主供给阀36A以及多个下游副供给阀36B~36D打开,多个上游返回阀38B~38D以及循环阀39关闭的状态。
在该状态下,通过泵31吸取药液罐8内的药液并向上游供给配管20输送。药液在被上游供给加热器30加热后,从上游供给配管20向下游主供给配管21A以及多个下游副供给配管21B~21D分流。
下游主供给配管21A内的药液不会再被加热,向设置于主药液喷嘴50A的主喷出口57A供给。
供给至下游副供给配管21B~21D的药液被对应的下游供给加热器37B~37D加热。第一下游副供给配管21B内的药液向设置于第一副药液喷嘴50B的第一副喷出口57B供给。第二下游副供给配管21C内的药液向设置于第二副药液喷嘴50C的多个第二副喷出口57C供给。第三下游副供给配管21D内的药液向设置于第三副药液喷嘴50D的多个第三副喷出口57D供给。由此,从全部的喷出口57A~57D喷出药液。这样一来,药液罐8内的药液经由供给配管9向基板处理单元2供给(供给工序)。在图6A的状态下,由于上游返回阀38B~38D关闭,因此,药液停止向上游配管60流入(流入停止工序)。
第一下游供给加热器37B对药液的加热温度(第一下游供给温度)比上游供给加热器30对药液的加热温度(上游供给温度)高。另外,第二下游供给加热器37C对药液的加热温度(第二下游供给温度)比第一下游供给温度高。另外,第三下游供给加热器37D对药液的加热温度(第三下游供给温度)比第二下游供给温度高。
主喷出口57A喷出上游供给温度的药液。第一副喷出口57B喷出第一下游供给温度的药液。第二副喷出口57C喷出第二下游供给温度的药液,第三副喷出口57D喷出第三下游供给温度的药液。因此,从多个喷出口57A~57D喷出的药液的温度随着远离旋转轴线A1而阶梯性地增加。
虽未图示,但在药液喷出状态下,控制器3能够根据基板处理条件控制多个下游副供给阀36B~36D以及多个上游返回阀38B~38D的开闭状态,以仅从一部分的喷出口57A~57D向基板W的上表面供给药液。
在药液喷出状态下,在多个上游返回阀38B~38D中的至少任一个打开的情况下,对应的下游副供给配管21B~21D内的药液的一部分在被对应的下游供给加热器37B~37D加热后,经由多个上游返回配管23B~23D流入药液温度调节装置10的上游配管60。流入至上游配管60的药液的温度被药液温度调节装置10调节(温度调节工序)。被药液温度调节装置10调节了温度的药液从药液温度调节装置10的下游配管63流入下游返回配管23。然后,药液从下游返回配管23返回至药液罐8。
图6B是停止从多个喷出口57供给药液的药液喷出停止状态的基板处理装置1的示意图。在药液喷出停止状态下,下游主供给阀36A以及多个下游副供给阀36B~36D关闭,上游供给阀33、多个上游返回阀38B~38D以及循环阀39打开。
在药液喷出停止状态下,药液罐8内的药液通过泵31向上游供给配管20输送。通过泵31输送的药液的一部分在被上游供给加热器30加热后,经由循环配管12返回至药液罐8。剩余的药液在被上游供给加热器30加热后,从上游供给配管20向多个下游副供给配管21B~21D分流。供给至各下游副供给配管21B~21D的药液被对应的下游供给加热器37B~37D加热。
各下游副供给配管21B~21D内的药液在被对应的下游供给加热器37B~37D加热后,经由多个上游返回配管22B~22D流入药液温度调节装置10的上游配管60。流入至上游配管60的药液的温度被药液温度调节装置10调节(温度调节工序)。被药液温度调节装置10调节了温度的药液从药液温度调节装置10的下游配管63流入下游返回配管23。然后,从下游返回配管23返回至药液罐8。由此,通过泵31输送至上游供给配管20的全部的药液返回至药液罐8。
图7A~图7D是用于说明通过药液温度调节装置10调节药液的温度的温度调节动作的例子的示意图。
首先,参照图7A说明上游阀72以及下游阀82打开,上游分支阀73以及排出阀84关闭时的基于药液温度调节装置10的药液的温度调节动作。
在药液流入上游配管60时,通过上游流量计70检测上游检测流量VU(上游流量检测工序)。并且,通过上游温度计71检测上游检测温度TU(上游温度检测工序)。
引导至上游配管60的下游端的药液通过第一分流配管61以及第二分流配管62分流(分流工序)。第一分流配管61内的药液被冷却器76冷却(冷却工序)。第一分流配管61内的药液一边被冷却器76冷却,一边向第一分流配管61的下游端被引导。第二分流配管62内的药液向第二分流配管62的下游端被引导,而不被冷却。药液从第一分流配管61以及第二分流配管62的下游端流入下游配管63进行合流(合流工序)。
在药液流入下游配管63时,通过第一下游温度计80检测第一下游检测温度TL1(第一下游温度检测工序、下游温度检测工序)。下游配管63内的药液在第一下游温度计80的下游侧,通过第二下游温度计81检测第二下游检测温度TL2(第二下游温度检测工序)。
通过控制第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75来变更第一流量VS1与第二流量VS2的比率,变更向下游配管63流入的药液中的被冷却器76冷却后向下游配管63流入的药液的比例。因此,通过变更第一流量VS1与第二流量VS2的比率,使得向下游配管63流入的药液的温度变化。
因此,控制器3基于第一下游检测温度TL1,进行第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75的反馈控制,从而调节下游配管63内的温度。
具体而言,控制器3调节第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75的开度,以使第一下游检测温度TL1接近规定的目标温度TA,从而变更第一流量VS1与第二流量VS2的比率(流量比率变更工序)。目标温度TA是例如经由循环配管12从上游供给配管20流入药液罐8内的药液的温度,被控制器3预先设定。
更具体地说,参照图8,控制器3判断第一下游检测温度TL1是否高于目标温度TA以及规定的设定温度ΔT的和(步骤S1)。在第一下游检测温度TL1高于目标温度TA以及规定的设定温度ΔT的和的情况下(步骤S1:是),控制器3使第一分流流量调节阀74的开度变大,和/或使第二分流流量调节阀75的开度变小(步骤S2)。由此,第一流量VS1变大,第二流量VS2变小。通过第一流量VS1变大,第二流量VS2变小,使得流入下游配管63的药液的温度降低。然后,控制器3的处理返回步骤S1。
另一方面,在第一下游检测温度TL1在目标温度TA以及规定的设定温度ΔT的和以下的情况下(步骤S1:否),控制器3判断第一下游检测温度TL1是否低于目标温度TA减去规定的设定温度ΔT所得的值(步骤S3)。在第一下游检测温度TL1低于目标温度TA减去规定的设定温度ΔT所得的值的情况下(步骤S3:是),控制器3使第一分流流量调节阀74的开度变小,和/或使第二分流流量调节阀75的开度变大(步骤S4)。由此,第一流量VS1变小,第二流量VS2变大。通过第一流量VS1变小,第二流量VS2变大,使得流入下游配管63的药液的温度上升。然后,控制器3的处理返回步骤S1。
在第一下游检测温度TL1在目标温度TA减去规定的设定温度ΔT所得的值以上的情况下(步骤S3:否),即,在第一下游检测温度TL1在目标温度TA与规定的设定温度ΔT的偏差内的情况下(TA-ΔT≤TL1≤TA+ΔT),控制器3维持第一分流流量调节阀74的开度以及第二分流流量调节阀75的开度(步骤S5)。由此,第一流量VS1以及第二流量VS2被维持而不会被变更。然后,控制器3的处理返回步骤S1。
在变更喷出药液的药液喷嘴50的数量、上游供给加热器30以及下游供给加热器37B~37D的加热温度等基板处理条件的情况下,流入上游配管60的药液的温度、流量发生变化。因此,如上所述,若控制器3以第一下游检测温度TL1接近目标温度TA的方式恰当地控制流量比率变更单元(第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75),则即使基板处理条件被变更,也能够将流入下游配管63的药液的温度维持为接近目标温度TA的温度。即,能够恰当地调节向药液罐8返回的药液的温度。
在制冷剂罐86、制冷剂供给配管77以及制冷剂返回配管78内流通从制冷剂供给源90供给的制冷剂(制冷剂流通工序)。控制器3根据上游检测流量VU与基准流量V1的大小关系,控制制冷剂流量调节阀79来变更制冷剂供给配管77内的制冷剂流量(制冷剂流量调节工序)。
通过使制冷剂流量调节阀79的开度变大,向制冷剂罐86供给的制冷剂的流量增大,因此,每单位时间内冷却器76从被冷却部分61a夺取的热量增多。通过使制冷剂流量调节阀79的开度变小,向制冷剂罐86供给的制冷剂的流量减少,因此,每单位时间内冷却器76从被冷却部分61a夺取的热量减少。
因此,在上游检测流量VU大于基准流量的情况下(VU>V1),使制冷剂流量调节阀79的开度变大而使制冷剂流量变大。另一方面,在上游检测流量在基准流量以下的情况下(VU≤V1),使制冷剂流量调节阀79的开度变小而使制冷剂流量变小。由此,能够高精度地冷却第一分流配管61内的药液。其结果,能够高精度地调节向药液罐8返回的药液的温度。
然后,在下游配管63流动的药液被下游加热器83加热(加热工序)。被下游加热器83加热后的药液流入下游返回配管23。
也可以通过控制器3根据上游检测温度TU来控制下游加热器83的输出。即,在上游检测温度TU高于规定的需要加热温度T1的情况下(TU>T1),控制器3使下游加热器83的输出降低,或停止向下游加热器83供给电力。在上游检测温度TU低于需要加热温度T1的情况下(TU<T1),控制器3使下游加热器83的输出上升,或开始向下游加热器83供给电力。
在上游检测温度TU低于需要加热温度T1的情况下,能够通过下游加热器83来加热下游配管63内的药液。因此,能够进一步恰当地调节向药液罐8返回的药液的温度。
在上游检测温度TU和需要加热温度T1相等时(TU=T1),无需使下游加热器83的输出变化,下游加热器83的输出维持为现状的状态即可。
接着,对上游配管60内的药液的引导目的地的切换控制进行说明。
存在流入上游配管60的药液的温度比规定的需要冷却温度T2低,不需要冷却器76的冷却的情况。例如,在基板处理装置1刚起动之后、停止上游供给加热器30、多个下游供给加热器37A~37D加热药液时,存在流入上游配管60的药液的温度比需要冷却温度T2低的情况。另外,在喷出药液的药液喷嘴50的数量多的情况下,从上游返回配管22B~22D流入上游配管60的药液的流量小,因此,有时通过经由上游返回配管22B~22D、上游配管60的散热,药液的温度变得比需要冷却温度T2低。
因此,控制器3根据规定的需要冷却温度T2与上游检测温度TU的大小关系,切换上游配管60内的药液的引导目的地(上游切换工序)。
具体而言,如图7A所示,在上游检测温度TU高于需要冷却温度T2的情况下(TU>T2),控制器3使上游阀72打开,使上游分支阀73关闭。由此,上游配管60内的药液的引导目的地被切换为上游配管60的下游端(第一分流配管61以及第二分流配管62的上游端)。因此,能够使上游配管60内的药液流入第一分流配管61以及第二分流配管62,并通过冷却第一分流配管61的冷却器76适当地冷却药液。由此,能够使被适当地冷却的药液经由下游配管63返回至药液罐8。
另一方面,在上游检测温度TU低于需要冷却温度T2的情况下(TU<T2),如图7B所示,关闭上游阀72,打开上游分支阀73。由此,上游配管60内的药液的引导目的地被切换为上游分支配管64的上游端,从而能够不冷却药液而使药液流入下游配管63。因此,能够抑制进行了超过需要的冷却(过度冷却)的药液返回至药液罐8。
这样,控制器3根据上游检测温度TU与需要冷却温度T2的大小关系,控制上游切换单元(上游阀72以及上游分支阀73)来变更在上游配管60内流动的药液的引导目的地,从而能够恰当地调节向药液罐8返回的药液的温度。
在上游检测温度TU与需要冷却温度T2相等时(TU=T2),无需切换上游配管60内的药液的引导目的地,将上游配管60内的药液的引导目的地维持为现状的状态即可。
上游分支配管64内的药液在下游加热器83的上游侧流入下游配管63。如上所述,下游加热器83被控制器3控制。因此,从上游分支配管64流入至下游配管63的药液被下游加热器83恰当地加热(加热工序)。
接着,对下游配管63内的药液的引导目的地的切换控制进行说明。
存在流入下游配管63的药液的温度比规定的过冷却温度T3低,不想使在下游配管63内流动的药液返回药液罐8的情况。例如,在从全部的药液喷嘴50A~50D喷出药液时,即,在上游配管60内的药液的流量极小,实质上停止药液向上游配管60流入时,基于第一下游检测温度TL1的第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75的反馈控制有时不会正常地发挥作用。在经由这样的状态后,在变更基板处理条件而上游配管60内的药液的流量增大时,低于规定的过冷却温度T3的温度的药液可能返回至药液罐8。
因此,控制器3根据规定的过冷却温度T3与第二下游检测温度TL2的大小关系,切换下游配管63内的药液的引导目的地(下游切换工序)。
具体而言,在第二下游检测温度TL2低于过冷却温度T3的情况下(TL2<T3),如图7C所示,控制器3使下游阀82关闭,使排出阀84打开。由此,将下游配管63内的药液的引导目的地切换为排出配管65。流入至排出配管65的药液向药液罐8外排出。由此,能够抑制进行了超过需要的冷却的药液返回至药液罐8。
另一方面,在第二下游检测温度TL2高于过冷却温度T3的情况下(TL2>T3),控制器3使下游阀82打开,使排出阀84关闭。由此,如图7A所示,下游配管63内的药液的引导目的地被切换为下游配管63的下游端(下游返回配管23的上游端)。因此,能够使被冷却为高于过冷却温度T3的温度即被适当地冷却的药液返回至药液罐8。
这样,控制器3根据第二下游检测温度TL2与过冷却温度T3的大小关系,控制下游切换单元(下游阀82以及排出阀84)而变更在下游配管63内流动的药液的引导目的地,从而能够恰当地调节向药液罐8返回的处理液的温度。
在第二下游检测温度TL2和过冷却温度T3相等时(TL2=T3),无需切换下游配管63内的药液的引导目的地,将下游配管63内的药液的引导目的地维持为现状的状态即可。
接着,对引导阀85的开闭控制进行说明。
另外,在停止药液流入上游配管60时,在第一分流配管61内未形成药液的流动。在药液停留于第一分流配管61的被冷却部分61a的情况下,被冷却部分61a内的药液可能被冷却器76过度地冷却。在该状态下,若在第一分流配管61内形成药液的流动,则被过度地冷却的药液可能流入药液罐8。
因此,在停止药液流入上游配管60时,通过控制器3使引导阀85打开。由此,如图7D所示,上游供给配管20内的药液的一部分经由引导配管66被引导至第一分流配管61中的被冷却部分61a的上游侧(引导工序)。由此,在下游配管63内的药液被过度地冷却前,能够在第一分流配管61内形成药液的流动。其结果,能够恰当地调节向药液罐8返回的药液的温度。
接着,说明基板处理装置1进行的基板处理的一例。
图9是用于说明基板处理的一例的流程图。下面的各动作通过控制器3控制基板处理装置1来执行。下面,同时参照图2以及图3。
在通过基板处理单元2处理基板W时,在多个药液喷嘴50A~50D从旋转卡盘41的上方退避的状态下,通过搬运机械手的手部(未图示)将基板W搬入腔室7内。由此,基板W以表面朝上的状态被交接至多个卡盘销45。然后,搬运机械手的手部从腔室7的内部退避,通过闸门43b关闭腔室7的搬入搬出口43a。
通过多个卡盘销45按压基板W的周缘部,基板W被多个卡盘销45把持。然后,驱动旋转马达46,开始基板W的旋转。由此,基板W以规定的液处理速度(例如,数百rpm)旋转。
接着,喷嘴移动单元52使多个药液喷嘴50A~50D从待机位置向处理位置移动。由此,多个喷出口57在俯视时与基板W重叠。然后,控制下游主供给阀36A以及多个下游副供给阀36B~36D,例如,药液从多个药液喷嘴50A~50D同时喷出(图9的步骤S11)。多个药液喷嘴50A~50D在喷嘴移动单元52使多个药液喷嘴50A~50D静止的状态下喷出药液。
若从下游主供给阀36A以及多个下游副供给阀36B~36D打开后经过规定时间,则同时停止从多个药液喷嘴50A~50D喷出药液(图9的步骤S12)。然后,喷嘴移动单元52使多个药液喷嘴50A~50D从处理位置向待机位置移动。
从多个药液喷嘴50A~50D喷出的药液在着落于旋转的基板W的上表面后,因离心力沿基板W的上表面向外侧(远离旋转轴线A1的方向)流动。到达了基板W的上表面周缘部的药液向基板W的周围飞散,被挡板42的内周面挡住。这样一来,药液被供给至基板W的上表面整个区域,从而在基板W上形成覆盖基板W的上表面整个区域的药液的液膜。由此,通过药液处理基板W的上表面整个区域。
在停止药液从多个药液喷嘴50A~50D喷出后,打开冲洗液阀48,开始从冲洗液喷嘴47喷出冲洗液(例如,纯水)(图9的步骤S13)。由此,基板W上的药液被冲洗液冲洗,从而形成覆盖基板W的上表面整个区域的冲洗液的液膜。若打开冲洗液阀48后经过规定时间,则关闭冲洗液阀48,从而停止冲洗液从冲洗液喷嘴47喷出(图9的步骤S14)。
在停止冲洗液从冲洗液喷嘴47喷出后,通过旋转马达46加速基板W的旋转。基板W以比液处理速度大的干燥速度(例如,数千rpm)旋转(图9的步骤S15)。由此,附着于基板W的冲洗液被甩向基板W的周围,从而基板W干燥。若开始基板W的高速旋转后经过规定时间,则通过旋转马达46使基板W的旋转停止。
在基板W的旋转停止后,解除多个卡盘销45对基板W的保持。搬运机械手在多个药液喷嘴50A~50D从旋转卡盘41的上方退避的状态下,使手部进入腔室7的内部。然后,搬运机械手通过手部抓取旋转卡盘41上的基板W,并将该基板W从腔室7搬出。
作为其他的基板处理例,也可以仅从主药液喷嘴50A朝向基板W的上表面供给药液。在该情况下,着落于旋转状态的基板W的上表面中央部的药液沿基板W的上表面从中央部向周缘部流动。在该过程中,药液的温度逐渐地降低。因此,在基板W的上表面的各部的药液的温度的均匀性降低,从而对基板W的上表面的处理的均匀性可能降低。若增加向基板W的上表面供给的药液的流量,则药液到达基板W的上表面周缘部为止的时间缩短,因此,能够减轻药液的温度降低。然而,药液的消耗量会增加。
另一方面,根据上述的基板处理例,被上游供给加热器30加热的药液朝向基板W的上表面中央部喷出,在被上游供给加热器30加热后又被下游供给加热器37B~37D进一步加热的药液向基板W的上表面内与上表面中央部分离的位置喷出。即,向副喷出口57B~57D引导的药液以比向主喷出口57A引导的药液的温度高的方式被加热。因此,向基板W内与上表面中央部分离的位置供给的药液的温度比向基板W的上表面中央部供给的药液的温度高。由此,既能够降低药液的消耗量,又能够提高对基板W的上表面的处理的均匀性。
另一方面,在基板处理装置1中,上游返回配管22B~22D从下游副供给配管21B~21D中比被下游供给加热器37B~37D加热的部分更靠下游侧的部分分支。因此,被上游供给加热器30加热后又被下游供给加热器37B~37D进一步加热的药液流入药液温度调节装置10的上游配管60,然后,返回至药液罐8。
因此,若未恰当地冷却向药液罐8返回的药液,则最终药液罐8内的药液的温度有时会上升至比上游供给温度高的温度。在该情况下,随着药液罐8内的温度的上升,从主喷出口57A喷出的药液的温度会上升至比上游供给温度高的温度。其结果,针对多个基板W的处理的均匀性可能降低。
在该实施方式中,在基板处理装置1中设置有药液温度调节装置10,因此,能够恰当地冷却向药液罐8返回的药液。因此,即使是从每个喷出口喷出的药液的温度不同,也能够抑制向主喷出口57A引导的药液的温度的上升。
<第二实施方式>
图10是用于说明本发明的第二实施方式的基板处理装置1P所具有的药液温度调节装置10P的结构的示意图。在图10中,对与上面已说明的部分相同的部分赋予相同的附图标记,并省略其说明。
第二实施方式的药液温度调节装置10P与第一实施方式的药液温度调节装置10(参照图4)的主要不同点在于,药液温度调节装置10P包括排出药液罐100、移送配管101、排出循环配管102、移送泵103、移送加热器104、移送阀105、排出循环阀106。
另外,第二实施方式的药液温度调节装置10P不包括下游加热器83,取而代之,包括对在上游分支配管64内流动的药液进行加热的分支加热器107。另外,第二实施方式的药液温度调节装置10P不包括引导阀85,取而代之,包括引导流量调节阀108。
另外,在第二实施方式的药液温度调节装置10P中,上游分支配管64的下游端与下游配管63不连接,而与排出药液罐100连接。
排出药液罐100是贮存从排出配管65排出的药液的罐。排出药液罐100是排出处理液罐的一例。排出药液罐100连接有排出配管65的下游端。
移送配管101的上游端与排出药液罐100连接。在该实施方式中,与第一实施方式同样,排出配管65形成使药液从下游配管63向药液罐8外排出的排出流路。移送配管101的下游端在下游阀82的下游侧与下游配管63连接。移送配管101形成用于将排出药液罐100内的药液向药液罐8移送的移送流路。
排出循环配管102的上游端与移送配管101连接。排出循环配管102的下游端与排出药液罐100连接。排出循环配管102形成使排出药液罐100内的药液不返回药液罐8而循环的排出循环流路。
移送加热器104在移送配管101中连接有排出循环配管102的位置的上游侧对在移送配管101内流动的药液进行加热。移送加热器104是排出处理液加热单元的一例。移送泵103在移送配管101中连接有排出循环配管102的位置的上游侧安装于移送配管101。移送泵103将排出药液罐100内的药液向移送配管101送出。
移送阀105在移送配管101中连接有排出循环配管102的位置的下游侧安装于移送配管101。移送阀105对移送配管101内的流路(移送流路)进行开闭。排出循环阀106安装于排出循环配管102。排出循环阀106对排出循环配管102内的流路(排出循环流路)进行开闭。
引导流量调节阀108安装于引导配管66。引导流量调节阀108对引导配管66内的药液的流量进行调节。引导流量调节阀108例如是电动阀。电动阀包括对流路进行开闭的阀主体(未图示)、变更阀主体的开度的电动促动器(未图示)。
接着,说明第二实施方式的药液温度调节装置10P对药液的温度调节方法。与第一实施方式同样,从第一上游返回配管22B(参照图1)向上游配管60输送药液。在上游阀72以及下游阀82打开且上游分支阀73以及排出阀84关闭的状态下,与第一实施方式同样,药液经由上游配管60、第一分流配管61、第二分流配管62、下游配管63以及下游返回配管23向药液罐8返回。
在上游阀72关闭且上游分支阀73打开的状态下,上游配管60内的药液经由上游分支配管64流入排出药液罐100。另外,在下游阀82关闭且排出阀84打开的状态下,下游配管63内的药液经由排出配管65流入排出药液罐100。
在排出循环阀106打开且移送阀105关闭的状态下,排出药液罐100内的药液通过移送泵103向移送配管101送出。由此,送出至排出循环配管102药液被移送加热器104加热,经由排出循环阀106返回至排出药液罐100。由此,排出药液罐100内的药液的温度上升。然后,排出循环阀106关闭且移送阀105打开。由此,被移送泵103送出至移送配管101的药液流入下游配管63,最终返回至药液罐8。
由上游流量计70检测出的上游检测流量VU越大,控制器3使引导流量调节阀108的开度越小,上游检测流量VU越小,使引导流量调节阀108的开度越大。由此,不管流入上游配管60内的药液的流量如何,都能够在第一分流配管61内形成稳定的药液的流动。
另外,控制器3也可以基于由上游温度计71检测出的上游检测温度TU来调节引导流量调节阀108的开度,以代替上游检测流量VU。在该情况下,上游检测温度TU越高,则控制器3使引导流量调节阀108的开度越小,上游检测温度TU越低,则使引导流量调节阀108的开度越大即可。
根据第二实施方式,能够到达与第一实施方式相同的效果。另外,在第二实施方式中,排出配管65内的药液由排出药液罐100贮存。并且,排出药液罐100内的药液被移送加热器104加热后移送至药液罐8。由此,能够避免进行了超过需要的冷却的状态的药液流入药液罐8。因此,能够恰当地调节向药液罐8返回的药液的温度。而且,与废弃排出配管65内的药液的结构相比,能够降低药液的消耗量。
本发明并不限定于上面说明的实施方式,还能够以其他方式实施。
例如,在上述的各实施方式中,调节药液的温度的药液温度调节装置10、10P设置于基板处理装置1、1P。然而,温度调节的对象并不限定于药液。例如,温度调节的对象也可以是冲洗液,作为处理液温度调节装置也可以设置有冲洗液温度调节装置。
另外,在上述的第二实施方式中,上游分支配管64的下游端与排出药液罐100连接。然而,如图10中的双点划线所示,上游分支配管64的下游端也可以与下游配管63连接。
另外,在上述的各实施方式中,在第一分流配管61上安装有第一分流流量调节阀74,在第二分流配管62安装有第二分流流量调节阀75。然而,无需一定设置第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75双方,设置有至少一方即可。若设置有第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75中的一方,则通过控制器3调节该一方的阀74、75的开度,也能够变更第一流量VS1与第二流量VS2的比率。
另外,在上述的各实施方式中,下游配管63内的药液的引导目的地基于第二下游检测温度TL2进行切换。另外,第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75的反馈控制基于第一下游检测温度TL1进行。然而,下游配管63内的药液的引导目的地也可以基于第一下游检测温度TL1进行切换,第一分流流量调节阀74以及第二分流流量调节阀75的反馈控制也可以基于第二下游检测温度TL2进行。另外,设置有第一下游温度计80以及第二下游温度计81中的至少一方即可。
根据基板处理条件变更向基板处理单元2供给的药液的温度,因此,需要使上游供给配管20内的药液的温度接近与基板处理条件对应的规定的目标循环温度。在上述的实施方式中,目标温度TA被预先设定,因此,能够在预定的范围内变更目标温度TA,或通过用户的手动操作变更目标温度TA。但是,无法根据基板处理条件灵活地变更目标温度TA。因此,与上述的实施方式不同,控制器3也可以基于药液罐8内的药液的温度(上游供给配管20内的药液的温度),恰当地变更目标温度TA。
具体而言,控制器3以循环温度计130(参照图1中的双点划线)检测出的循环检测温度TC成为规定的目标循环温度的方式设定目标温度TA,并调节药液温度调节装置10、10P的冷却程度。循环温度计130在加热器30与泵31之间检测上游供给配管20内的药液的温度。
例如,在循环检测温度TC高于规定的目标循环温度的情况下,需要使循环检测温度TC变低而使循环检测温度TC接近目标循环温度。因此,控制器3使目标温度TA变低而加强药液温度调节装置10、10P对药液的冷却。具体而言,为了使第一下游检测温度TL1变低以接近目标温度TA,控制器3使第一分流流量调节阀74的开度变大,或使第二分流流量调节阀75的开度变小,来使被冷却器76冷却的药液的流量变大。或者,控制器3通过使制冷剂流量调节阀79的开度变大,来使每单位时间内冷却器76从被冷却部分61a夺取的热量增大。
相反,在循环检测温度TC低于规定的目标循环温度的情况下,需要使循环检测温度TC变高而使循环检测温度TC接近目标循环温度。因此,控制器3使目标温度TA变高而减弱药液温度调节装置10、10P对药液的冷却。具体而言,为了使第一下游检测温度TL1变高以接近目标温度TA,控制器3使第一分流流量调节阀74的开度变小,或使第二分流流量调节阀75的开度变大,来使被冷却器76冷却的药液的流量变小。或者,控制器3通过使制冷剂流量调节阀79的开度变小,使每单位时间内冷却器76从被冷却部分61a夺取的热量降低。
另外,即使在循环检测温度TC充分地接近规定的目标循环温度的情况下,在每单位时间的循环检测温度TC的变动大时,需要使循环检测温度TC变高。在该情况下,控制器3使目标温度TA变高而减弱药液温度调节装置10、10P对药液的冷却。另一方面,在循环检测温度TC充分地接近规定的目标循环温度,每单位时间的循环检测温度TC的变动小时,即使在循环检测温度TC与规定的目标循环温度不完全一致的情况下,也无需变更循环检测温度TC。在该情况下,控制器3将目标温度TA维持现状。
在这样的结构中,优选地,控制器3以目标温度TA成为比过冷却温度T3高的值的方式变更目标温度TA。这样的话,能够降低流入排出配管65的药液的量。
对本发明的实施方式进行了详细的说明,但这些只不过是用于使本发明的技术内容明确的具体例,本发明不应限定于这些具体例,本发明的范围仅由权利要求书来限定。
本申请要求2018年6月26日在日本申请的日本特愿2018-121183号的优先权,并将在先申请的全部内容引入于此。
Claims (19)
1.一种处理液温度调节装置,对从处理液罐向基板处理单元供给的处理液的温度进行调节,其中,
包括:
上游路,从供给流路分支而供向所述处理液罐返回的处理液流入,所述供给流路供从所述处理液罐向所述基板处理单元供给的处理液通过;
第一分流路以及第二分流路,与所述上游路的下游端连接,使从所述上游路流入的处理液分流;
下游路,与所述第一分流路以及所述第二分流路的下游端连接,使从所述第一分流路以及所述第二分流路流入的处理液合流并向所述处理液罐引导;
冷却单元,对在所述第一分流路内流动的处理液进行冷却;
流量比率变更单元,变更从所述上游路流入所述第一分流路的处理液的流量和从所述上游路流入所述第二分流路的处理液的流量的比率;
下游温度检测单元,检测在所述下游路内流动的处理液的温度;
控制器,控制所述流量比率变更单元,以使由所述下游温度检测单元检测出的下游检测温度接近规定的目标温度。
2.如权利要求1所述的处理液温度调节装置,其中,
所述处理液温度调节装置还包括:
上游分支流路,与所述上游路分支连接,将处理液向所述处理液罐引导;
上游切换单元,将所述上游路内的处理液的引导目的地切换为所述上游路的下游端以及所述上游分支流路中的任一个。
3.如权利要求2所述的处理液温度调节装置,其中,
所述处理液温度调节装置还包括上游温度检测单元,所述上游温度检测单元检测在所述上游路内流动的处理液的温度,
在由所述上游温度检测单元检测出的上游检测温度低于需要冷却温度的情况下,所述上游切换单元将所述上游路内的处理液的引导目的地切换为所述上游分支流路,在所述上游检测温度高于所述需要冷却温度的情况下,所述上游切换单元将所述上游路内的处理液的引导目的地切换为所述上游路的下游端。
4.如权利要求1至3中任一项所述的处理液温度调节装置,其中,
所述处理液温度调节装置还包括:
排出流路,在所述下游路中的被所述下游温度检测单元检测温度的被检测部分的下游侧与所述下游路分支连接,将处理液从所述下游路向所述处理液罐外引导;
下游切换单元,将所述下游路内的处理液的引导目的地切换为所述处理液罐以及所述排出流路中的任一个。
5.如权利要求4所述的处理液温度调节装置,其中,
在所述下游检测温度比低于所述目标温度的过冷却温度低的情况下,所述下游切换单元将所述下游路内的处理液的引导目的地切换为所述排出流路,在所述下游检测温度高于所述过冷却温度的情况下,所述下游切换单元将所述下游路内的处理液的引导目的地切换为所述处理液罐。
6.如权利要求4所述的处理液温度调节装置,其中,
所述处理液温度调节装置还包括:
排出处理液罐,贮存从所述排出流路流入的处理液;
排出处理液加热单元,对所述排出处理液罐内的处理液进行加热;
移送流路,将所述排出处理液罐内的处理液向所述处理液罐移送。
7.如权利要求1至3中任一项所述的处理液温度调节装置,其中,
所述处理液温度调节装置还包括引导流路,所述引导流路将处理液从所述处理液罐向所述第一分流路中被所述冷却单元冷却的被冷却部分的上游侧的部分引导。
8.如权利要求7所述的处理液温度调节装置,其中,
所述处理液温度调节装置还包括对述引导流路进行开闭的引导流路阀,
在停止处理液向所述上游路流入时,所述引导流路阀打开所述引导流路,经由所述引导流路从所述处理液罐向所述第一分流路引导处理液。
9.如权利要求1至3中任一项所述的处理液温度调节装置,其中,
所述处理液温度调节装置还包括加热单元,所述加热单元对所述下游路中比所述下游温度检测单元更靠下游侧的被加热部分内的处理液进行加热。
10.如权利要求1至3中任一项所述的处理液温度调节装置,其中,
所述处理液温度调节装置还包括流量检测单元,所述流量检测单元检测在所述上游路内流动的处理液的流量,
所述冷却单元包括:制冷剂流路,供与在所述第一分流路内流动的处理液进行热交换的制冷剂流通;制冷剂流量调节单元,调节在所述制冷剂流路内流动的所述制冷剂的流量,
在由所述流量检测单元检测出的上游检测流量大于规定的基准流量的情况下,所述控制器控制所述制冷剂流量调节单元,以使所述制冷剂的流量变大,在所述上游检测流量小于所述规定的基准流量的情况下,所述控制器控制所述制冷剂流量调节单元,以使所述制冷剂的流量变小。
11.如权利要求1至3中任一项所述的处理液温度调节装置,其中,
所述处理液温度调节装置还包括:
供给流路加热单元,对所述供给流路内的处理液进行加热;
上游返回流路,从所述供给流路中被所述供给流路加热单元加热的部分的下游侧的部分分支,将所述供给流路内的处理液向所述上游路输送。
12.一种基板处理装置,包括权利要求11所述的处理液温度调节装置、所述供给流路以及所述基板处理单元,通过处理液对基板进行处理,其中,
所述基板处理单元包括:基板保持旋转单元,一边将所述基板保持为水平,一边使所述基板以通过所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线为中心旋转;主喷出口,朝向所述基板的上表面中央部喷出处理液;副喷出口,朝向所述基板的上表面内的与所述上表面中央部分离的位置喷出处理液,
所述供给流路包括:上游供给流路,将所述处理液罐内的处理液朝向下游侧引导;多个下游供给流路,使所述上游供给流路分流,
所述多个下游供给流路包括:下游主供给流路,向所述主喷出口引导处理液;下游副供给流路,向所述副喷出口引导处理液,
所述供给流路加热单元包括:上游供给流路加热单元,对所述上游供给流路内的处理液进行加热;下游供给流路加热单元,对所述下游副供给流路内的处理液进行加热,
所述上游返回流路从所述下游副供给流路中被所述下游供给流路加热单元加热的部分的下游侧的部分分支,将所述下游副供给流路内的处理液向所述上游路输送。
13.一种处理液供给方法,
包括:
供给工序,将贮存处理液的处理液罐内的处理液经由供给流路向基板处理单元供给;
分流工序,通过与上游路的下游端连接的第一分流路以及第二分流路使在所述上游路内流动的处理液分流,所述上游路从所述供给流路分支而供向所述处理液罐返回的处理液流入;
冷却工序,通过冷却单元对在所述第一分流路内流动的处理液进行冷却;
合流工序,使处理液从所述第一分流路以及所述第二分流路流入下游路而合流并向所述处理液罐引导;
下游温度检测工序,通过下游温度检测单元检测在所述下游路内流动的处理液的温度即下游检测温度;
流量比率变更工序,变更从所述上游路流入所述第一分流路的处理液的流量与从所述上游路流入所述第二分流路的处理液的流量的比率,以使被所述下游温度检测单元检测出的下游检测温度接近规定的目标温度。
14.如权利要求13所述的处理液供给方法,其中,
所述处理液供给方法还包括:
上游温度检测工序,检测在所述上游路内流动的处理液的温度即上游检测温度;
上游切换工序,对所述上游路内的处理液的引导目的地进行切换,以便在所述上游检测温度低于需要冷却温度的情况下,将所述上游路内的处理液向与所述上游路分支连接且使处理液向所述处理液罐返回的上游分支流路引导,在所述上游检测温度高于所述需要冷却温度的情况下,将所述上游路内的处理液向所述上游路的下游端引导。
15.如权利要求13或14所述的处理液供给方法,其中,
所述处理液供给方法还包括下游切换工序,所述下游切换工序对所述下游路内的处理液的引导目的地进行切换,以便在所述下游检测温度比低于所述目标温度的过冷却温度低的情况下,将所述下游路内的处理液从所述下游路向所述处理液罐外引导,在所述下游检测温度高于所述过冷却温度的情况下,将所述下游路内的处理液向所述处理液罐引导。
16.如权利要求15所述的处理液供给方法,其中,
所述处理液供给方法还包括:
流入停止工序,停止处理液向所述上游路流入;
引导工序,在停止处理液向所述上游路流入时,将处理液向设定于所述第一分流路的比被冷却部分靠上游侧的部分引导。
17.如权利要求13或14所述的处理液供给方法,其中,
所述处理液供给方法还包括对所述下游路内的处理液进行加热的加热工序。
18.如权利要求13或14所述的处理液供给方法,其中,
所述处理液供给方法还包括:
制冷剂流通工序,使与在所述第一分流路内流动的处理液进行热交换的制冷剂流通于所述冷却单元所具有的制冷剂流路;
流量检测工序,通过流量检测单元检测在所述上游路内流动的处理液的流量即上游检测流量;
制冷剂流量调节工序,调节在所述制冷剂流路内流动的制冷剂的流量,以便在所述上游检测流量大于规定的基准流量的情况下,使在所述制冷剂流路内流动的制冷剂的流量变大,在所述上游检测流量小于所述规定的基准流量的情况下,使在所述制冷剂流路内流动的制冷剂的流量变小。
19.如权利要求13或14所述的处理液供给方法,其中,
所述处理液供给方法还包括:
供给流路加热工序,对所述供给流路内的处理液进行加热;
上游返回工序,将在所述供给流路内被加热的处理液向所述上游路输送。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060225769A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Gentaro Goshi | Isothermal control of a process chamber |
US20130048609A1 (en) * | 2011-08-25 | 2013-02-28 | Norihiro Ito | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium |
JP2015084380A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び液供給装置 |
JP2015167161A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
US20160240399A1 (en) * | 2015-02-18 | 2016-08-18 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060225769A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Gentaro Goshi | Isothermal control of a process chamber |
US20130048609A1 (en) * | 2011-08-25 | 2013-02-28 | Norihiro Ito | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium |
JP2015084380A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び液供給装置 |
JP2015167161A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
US20160240399A1 (en) * | 2015-02-18 | 2016-08-18 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
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