JP6205225B2 - 基板検査装置及び基板温度調整方法 - Google Patents
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Description
10 プローバ
11 ステージ
14 テストヘッド
25,46 温度調整システム
26 高温チラー
27 低温チラー
28 調温流路
29 混合バルブユニット
47 第2の分岐点
48 循環路
49 合流点
50 圧送ポンプ
61 ヒータ
62 ペルチェ素子
Claims (13)
- 半導体デバイスが形成された基板を載置する載置台と、前記載置された基板の前記半導体デバイスの電気的特性を検査する検査部と、前記載置台の温度を調整する温度調整部と、前記載置台を通過する媒体流路とを備える基板検査装置において、
前記温度調整部は、
高温媒体を前記媒体流路へ供給する高温媒体供給部と、低温媒体を前記媒体流路へ供給する低温媒体供給部と、前記媒体流路へ供給される前記高温媒体及び前記低温媒体を混合する媒体混合部と、
前記載置台を通過した前記媒体流路を分岐する分岐点と前記高温媒体供給部とを接続する第1の還流路、及び前記載置台を通過した前記媒体流路を分岐する分岐点と前記低温媒体供給部とを接続する第2の還流路と、
前記高温媒体供給部から前記媒体流路へ供給される高温媒体の一部を前記載置台をバイパスして前記第1の還流路に還流させる高温媒体還流路、及び前記低温媒体供給部から前記媒体流路へ供給される低温媒体の一部を前記載置台をバイパスして前記第2の還流路に還流させる低温媒体還流路と、
を備えることを特徴とする基板検査装置。 - 前記媒体混合部は、前記高温媒体の流量を制御する第1の制御弁と、前記低温媒体の流量を制御する第2の制御弁とを有し、前記高温媒体及び前記低温媒体を混合する前に、前記第1の制御弁は前記高温媒体の流量を制御するとともに、前記第2の制御弁は前記低温媒体の流量を制御することを特徴とする請求項1記載の基板検査装置。
- 前記媒体流路は前記載置台の下流において循環路に分岐する分岐点を有し、
前記循環路は、前記媒体混合部及び前記載置台の間の合流点において前記媒体流路へ接続され、さらに前記分岐点から前記合流点へ媒体を圧送するポンプを有することを特徴とする請求項1又は2記載の基板検査装置。 - 前記基板は円板状の半導体ウエハであり、前記基板の直径は300mm以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板検査装置。
- 前記高温媒体の温度は20℃〜180℃であり、前記低温媒体の温度は−100℃〜60℃であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板検査装置。
- 前記媒体混合部及び前記載置台の間において前記媒体流路に配置される温度センサをさらに備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板検査装置。
- 前記載置台に配置される温度センサをさらに備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板検査装置。
- 前記載置台に配置されるヒータ及びペルチェ素子の一方又は両方をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板検査装置。
- 半導体デバイスが形成された基板を載置する載置台と、前記載置された基板の前記半導体デバイスの電気的特性を検査する検査部と、前記載置台の温度を調整する温度調整部と、前記載置台を通過する媒体流路とを備える基板検査装置における基板温度調整方法であって、
前記温度調整部は、高温媒体を前記媒体流路へ供給する高温媒体供給部と、低温媒体を前記媒体流路へ供給する低温媒体供給部とを有し、
前記高温媒体及び前記低温媒体を混合して前記媒体流路へ供給し、前記載置台を通過した混合媒体を前記載置台の下流側で分岐された第1の還流路及び第2の還流路を経て前記高温媒体供給部及び前記低温媒体供給部にそれぞれ還流させると共に、
前記高温媒体供給部から前記媒体流路へ供給される高温媒体の一部を前記載置台をバイパスする高温媒体還流路を経て前記第1の還流路に還流させ、前記低温媒体供給部から前記媒体流路へ供給される低温媒体の一部を前記載置台をバイパスする低温媒体還流路を経て前記第2の還流路に還流させることを特徴とする基板温度調整方法。 - 前記高温媒体及び前記低温媒体を混合する前に、前記高温媒体の流量を制御するとともに、前記低温媒体の流量を制御することを特徴とする請求項9記載の基板温度調整方法。
- 前記媒体流路は前記載置台の下流の分岐点において循環路に分岐し、前記循環路は前記載置台の上流の合流点において前記媒体流路に接続され、
前記合流点及び前記分岐点の間における前記媒体流路、並びに前記循環路において媒体を循環させることを特徴とする請求項9又は10記載の基板温度調整方法。 - 前記温度調整部は、前記載置台に配置されるヒータを備え、
前記ヒータを動作させることにより、前記載置台の温度調整範囲の上限値を上げることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の基板温度調整方法。 - 前記温度調整部は、前記載置台に配置されるペルチェ素子をさらに備え、
前記ペルチェ素子を加熱素子として動作させることにより前記載置台の温度調整範囲の上限値を上げ、前記ペルチェ素子を冷却素子として動作させることにより前記載置台の温度調整範囲の下限値を下げることを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の基板温度調整方法。
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