TW202338376A - 溫度調整裝置以及電子元件測試裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係提供：能達DUT溫度調整高速化的溫度調整裝置、以及具備該溫度調整裝置的電子元件測試裝置。 本發明的溫度調整裝置6係具備有：供應第1流體的連續流供應部7；供應具溫度不同於第1流體溫度之第2流體的脈衝流供應部8；將從連續流供應部7所供應的第1流體、與從脈衝流供應部8所供應的第2流體予以混合，再將混合流體供應給插座3內部空間34的混合部9。

Description

溫度調整裝置以及電子元件測試裝置

本發明係關於半導體集積電路元件等受測電子元件(以下簡稱「DUT」(Device Under Test))測試時，調整DUT溫度的溫度調整裝置，以及具備該溫度調整裝置的電子元件測試裝置。

已知有藉由對DUT供應氣體(空氣)而控制測試中DUT溫度的測試系統(例如參照專利文獻1(段落[0033]~[0035]、第5圖))。該測試系統係具備有調整供應給DUT之氣體溫度的冷卻手段與加熱手段，而冷卻手段與加熱手段係利用溫度控制器進行控制。該溫度控制器係根據表示從空氣溫度感測器所輸入氣體溫度計測值的信號，依將DUT溫度保持於所需設定值的方式，對冷卻手段與加熱手段進行控制。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2004-503924號公報

[發明所欲解決之課題]

然而，如上述的測試系統，因氣體流路等的熱阻力，會有氣體的溫度調整較難高速化，導致DUT溫度調整無法追蹤急遽溫度變化的情況等問題。

本發明所欲解決的課題係在於提供：可達DUT溫度調整高速化的溫度調整裝置、以及具備該溫度調整裝置的電子元件測試裝置。 [解決課題之手段]

[1]本發明的溫度調整裝置，係調整電氣式連接於插座的DUT溫度之溫度調整裝置；其中，上述插座係具備有：具內部空間且供應第1流體的第1供應部；供應具溫度不同於上述第1流體溫度之第2流體的第2供應部；將從上述第1供應部供應的第1流體、從上述第2供應部供應的上述第2流體予以混合，再將混合流體供應給上述內部空間的混合部。

[2]上述發明中，亦可上述第1流體係常溫空氣；上述第2流體係具有溫度較高於上述第1流體溫度的氣體、或具有溫度較低於上述第1流體溫度的氣體。

[3]上述發明中，亦可上述第1供應部係具備有：連接於供應上述第1流體之第1供應源的第1連接部、以及調整經由上述第1連接部從上述第1供應源所供應上述第1流體流量的第1閥。

[4]上述發明中，亦可上述第1供應部係具備有：計算出上述DUT的溫度，再根據上述DUT溫度的算出結果，對上述第1閥進行控制的第1控制部。

[5]上述發明中，亦可上述第1控制部係依間歇式供應上述第1流體的方式，對上述第1閥進行控制。

[6]上述發明中，亦可上述第1控制部係利用PWM控制對上述第1閥進行控制。

[7]上述發明中，亦可上述第2供應部係具備有：連接供應上述第2流體之第2供應源的第2連接部、調整經由上述第2連接部從上述第2供應源所供應上述第2流體流量的第2閥、以及調整經由上述第2連接部從上述第2供應源所供應上述第2流體溫度的溫度調整部。

[8]上述發明中，亦可上述第2供應部係具備有：對上述第2閥進行控制的第2控制部；上述第2控制部係依連續供應上述第2流體的方式，對上述第2閥進行控制。

[9]上述發明中，亦可上述第2控制部係利用開關式控制對上述第2閥進行控制。

[10]上述發明中，亦可上述第2供應部係具備有：在上述溫度調整部的下游端測定上述第2流體溫度的測定部；以及根據上述測定部的測定結果，對上述溫度調整部進行控制的第3控制部。

[11]上述發明中，亦可上述第2連接部係含有：連接於儲存液態氮並供應氮之第3供應源的第3連接部；上述第2閥係調整經由上述第3連接部從上述第3供應源所供應上述氮流量的第3閥。

[12]上述發明中，亦可上述第2連接部係含有：連接於供應空氣之第4供應源的第4連接部；上述第2閥係含有：調整經由上述第4連接部從上述第4供應源所供應上述空氣流量的第4閥；上述第2供應部係具備有將：連接於上述第3閥的第1流路、與連接於上述第4閥的第2流路予以合流之合流部；上述第2供應部係將由上述第3供應源所供應上述氮、由上述第4供應源所供應上述空氣、或上述空氣與上述氮的混合流體，當作上述第2流體並供應。

[13]上述發明中，亦可上述溫度調整部係含有加熱上述第2流體的加熱部。

[14]上述發明中，亦可上述混合部係設置於在上述插座周圍所配置的插座導件中。

[15]上述發明中，亦可上述混合部係設置於上述插座中。

[16]本發明的電子元件測試裝置，係測試DUT的電子元件測試裝置，具備有：具內部空間的插座、以及上述發明的溫度調整裝置；上述溫度調整裝置係朝上述插座的上述內部空間供應流體。

[17]上述發明中，亦可上述插座係具備有：電氣式連接於上述DUT端子的接觸元件、以及保持上述接觸元件的殼體；上述內部空間係設置於上述殼體中；上述接觸元件係露出於上述內部空間內。 [發明效果]

本發明的溫度調整裝置，藉由混合部係對第1流體混合具有溫度不同於第1流體溫度的第2流體，便可達DUT溫度調整高速化。又，本發明的溫度調整裝置，因為朝插座供應混合流體，因而可朝熱阻力較小的DUT下部供應混合流體。故，能對DUT效率佳地施行溫度調整。

以下，針對本發明實施形態根據圖式進行說明。圖1所示係本實施形態電子元件測試裝置的構成一例方塊圖。

圖1所示電子元件測試裝置1係測試半導體集積電路元件等DUT100之電氣特性的裝置。該電子元件測試裝置1係一邊對DUT100施加高溫或低溫的熱壓力，一邊測試DUT100是否有適當動作。

該電子元件測試裝置1係具備有：測試器2、插座3、插座導件4、以及處理器5。測試器2係執行DUT100之電氣特性測定與評價的測試。該測試器2係具備有：測試器主框架21、與經由排線22連接於該測試器主框架21的測試頭23。在測試頭23的上面裝設有插座3，在該插座3的周圍配置插座導件4。

處理器5係將DUT100押抵於插座3，俾使DUT100與插座3呈電氣式連接。藉此，經由插座3使DUT100與測試頭23呈電氣式連接。然後，測試器2從測試器主框架21經由排線22與測試頭23朝DUT100輸入信號，再根據所輸入的信號，對DUT100的輸出施行測定與評價。

測試對象DUT100係可例示如SoC(System on a chip，系統單晶片)，亦可為記憶體系裝置、邏輯系裝置等。又，DUT100亦可為半導體晶片經利用樹脂材料等塑模材進行封裝的樹脂塑模裝置，亦可為未封裝的裸晶粒(bare die)。另外，插座3係在更換DUT100品種時，會被更換為適合於DUT100形狀、針腳數等者。

再者，本實施形態的DUT100係具備有檢測接頭溫度的溫度檢測電路101。本實施形態的溫度檢測電路101係例如含有熱二極體的電路，形成於半導體基板上。另外，溫度檢測電路101並不僅侷限於熱二極體。例如亦可使用依存於溫度的電阻特性、或具能帶隙特性的元件，構成溫度檢測電路101，或者溫度檢測電路101亦可將熱電偶埋設於DUT100中。

處理器5係將DUT100搬送並押抵於插座3。該處理器5係具備有：接觸臂51、與腔52。接觸臂51係具備有：臂511、與推進器512。臂511係具備有水平移動用致動器(未圖示)，依循該致動器的滑軌可沿前後左右(XY方向)進行移動。又，臂511亦具備有上下驅動用致動器(未圖示)，可沿上下方向(Z軸方向)進行移動。推進器512係設置於臂511的前端。該推進器512係利用真空吸附等可接觸保持著DUT100。

腔52係由絕熱材料等構成的恆溫槽。因為該腔52不易受周邊環境溫度變化的影響，所以可將恆溫槽的內部環境溫度保持一定。測試頭23的上部係經由開口插入於該腔52內，而插座3則配置於腔52內。

該處理器5係藉由將DUT100在由推進器512保持狀態下，使臂511進行水平移動，而搬送於位於腔52內的插座3上方。接著，利用臂511下降，使DUT100押抵於插座3。此時，推進器512係位於腔52內。

該處理器5係具備有溫度調整系統11。該溫度調整系統11係具備有：插座溫度調整裝置6、與腔溫度調整裝置9。插座溫度調整裝置6係藉由朝插座3的內部空間34供應經溫度調整的流體，而執行DUT100之溫度調整的裝置。插座溫度調整裝置6與腔溫度調整裝置9係可如本實施形態構成處理器5其中一部分，或者亦可設為處理器5外的另一裝置。

本實施形態的插座溫度調整裝置6係具備有：連續流供應部7、脈衝流供應部8、以及混合部10。

連續流供應部7係將由經加熱溫度調整過的冷媒或熱媒所構成加熱流體，連續性供應給混合部10的機構。熱媒與冷媒係供使用於調整DUT100的溫度。測試高溫時DUT100是否適當動作的高溫測試係使用熱媒，反之，測試低溫時DUT100是否適當動作的低溫測試係使用冷媒。本實施形態因為將熱媒或冷媒供應給插座3。因而為保護插座與測試頭的接頭等，熱媒與冷媒最好使用氣體。又，因為氣體不易如液體般發生凝固與沸騰問題，因而可拓廣溫度到達範圍。本實施形態並無特別的限定，例示冷媒係使用低溫氣態氮，熱媒係使用高溫空氣的情況。

連續流供應部7係具備有：複數連接部71a,71b、流路P ₁~P ₅、複數閥72a ₁,72a ₂,72b、連續流控制部73、熱交換器74、流路加熱器75、加熱器控制部76、以及溫度感測器77。

連接部71a係連接於儲存液態氮並供應低溫氮的LN ₂(液態氮)供應源200。LN ₂供應源200係具備有與依高壓儲存例如液態氮的壓力容器間、或與工廠內之液態氮供應管線間之連接口，可對連接部71a輸送低溫氣態氮及/或液態氮。該連接部71a連接於呈雙叉分支的流路P ₁，分支的流路P ₁分別連接於合流部J與腔52。在分支的流路P ₁中設有調整從LN ₂供應源200所供應氮流量的閥72a ₁,72a ₂。閥72a ₁係提整供應給合流部J的氮流量，另一方面，閥72a ₂係調整供應給腔52內部的氮流量。

連接部71b係連接於供應常溫空氣的空氣供應源300。空氣供應源300係具備有例如將外部空氣供應給連接部71b的泵。該空氣供應源300亦可採用現有的工廠配管等。該連接部71b連接於流路P ₂，在該流路P ₂的下游端於合流部J處與流路P ₁合流。該流路P ₂中設有調整從空氣供應源300所供應空氣流量的閥72b。

連續流控制部73係對閥72a ₁,72a ₂,72b的開閉進行開關式控制。該連續流控制部73係當執行DUT100的低溫測試時，便開放調整氮流量的閥72a ₁,72a ₂，將調整空氣流量的閥72b維持呈關閉狀態。即，連續流控制部73係在低溫測試時，依連續式供應冷媒之氮的方式控制著閥72a ₁,72a ₂。

另一方面，當執行DUT100的高溫測試時，開放調整空氣流量的閥72b，並將調整氮流量的閥72a ₁,72a ₂維持關閉狀態。即，連續流控制部73係依在高溫測試執行中，連續式供應空氣的方式控制著閥72b。

圖2所示係本實施形態電子元件測試裝置1的腔52內部構成一例側視圖。如圖1與圖2所示，合流部J連接於流路P ₃，在該流路P ₃下游端，於腔52內部連接熱交換器74。該熱交換器74係設置於腔52內部，在從流路P ₃所供應流體、與腔52內環境之間進行熱交換。

如圖2所示，熱交換器74係具備有：本體部741、與在該本體部741中形成的複數鰭片742。在本體部741內部形成供從流路P ₃所供應流體流通用的流路P ₄。該流路P ₄係從本體部741一端延伸至另一端，具有依使與本體部741間之接觸面積變大方式蛇行的線形狀。鰭片742係設計呈裸露出腔52內部的狀態，藉由該鰭片742增加熱交換器74的表面積，便可在流路P ₄流通的流體、與腔52內環境間效率佳進行熱交換。

腔52內環境的溫度係利用腔溫度調整裝置9調整為高溫或低溫。該腔溫度調整裝置9係具備有：上述連接部71a、上述閥72a ₂、上述流路P ₁、氮供應口91、腔加熱器92、以及風扇93。即，本實施形態中，插座溫度調整裝置6與腔溫度調整裝置9係共用流路P ₁其中一部分、連接部71a、以及閥72a ₂。

氮供應口91係經由流路P ₁連接於連接部71a。該氮供應口91係藉由將由LN ₂供應源200所供應的低溫氮，供應給腔52內，而使腔52內環境的溫度降低。另一方面，腔加熱器92係加熱腔52內的環境而使環境溫度上升。

風扇93係利用送風使腔52內環境進行循環，藉此效率佳使環境溫度變化。該風扇93係在循環的環境流動中，設置於較熱交換器74更靠上游端，可對熱交換器74進行送風。又，本實施形態的腔加熱器92係位於較熱交換器74更靠上游端，且較風扇93更靠下游端。又，本實施形態的氮供應口91係位於較熱交換器74更靠上游端，且較風扇93更靠下游端。

當施行DUT100的低溫測試時，腔溫度調整裝置9係一邊利用風扇93進行送風，一邊從氮供應口91朝腔52內供應低溫氮，使腔52內環境的溫度降低至目標溫度(Target Temperature)。當環境溫度較低於目標溫度等情況時，視需要亦可利用腔加熱器92對環境施行加熱。

此時，本實施形態在低溫測試時，LN ₂供應源200係將LN ₂供應給插座溫度調整裝置6。因為低溫測試時的腔內環境設定溫度，通常均呈較高於在流路P ₄中流通的氮溫度，因而本實施形態在流路P ₄中流通的氮會被熱交換器74加熱。

再者，當施行DUT100的高溫測試時，腔溫度調整裝置9係一邊利用風扇93送風，一邊利用腔加熱器92使腔52內環境溫度上升至目標溫度。本實施形態在高溫測試時，雖空氣供應源300係將常溫空氣供應給插座溫度調整裝置6，但因為高溫測試時的腔內環境設定溫度較高於常溫，因而即使施行高溫測試的情況，在流路P ₄中流通的流體仍會被熱交換器74加熱。

依此，腔52內環境的溫度係不管在低溫測試與高溫測試任一測試時，均設定為較高於在流路P ₄中流通流體的溫度，因而在流路P ₄中流通的流體便利用熱交換被加熱。依此，藉由熱交換器74利用腔52內環境的熱，便可減少由流路加熱器75施加的流體加熱量。

在流路P ₄的下游端連接著流路P ₅。如圖1所示，在該流路P ₅中設有流路加熱器75。該流路加熱器75對在流路P ₅中流通的流體加熱。如上述，因為利用流路加熱器75進行加熱的流體，會預先利用熱交換器74進行加熱，因而流路加熱器75可使用輸出較小的加熱器。

加熱器控制部76係對流路加熱器75進行回饋控制。具體而言，該加熱器控制部76係根據在流路P ₅中設置於較流路加熱器75更靠下游端的溫度感測器77之溫度測定值，依縮小溫度測定值與目標溫度(Target Temperature)間之偏差的方式，對流路加熱器75的輸出進行PID控制。該流體的目標溫度並無特別的限定，例如在高溫測試時可設為較DUT目標溫度設定值(Set temperature)高出20℃左右的溫度，在低溫測試時可設為較DUT目標溫度設定值(Set temperature)低20℃左右的溫度。

在流路P ₅的下游端連接著混合部10，經利用流路加熱器75進行加熱後的加熱流體，被供應給混合部10。

脈衝流供應部8係將由常溫壓縮乾燥空氣所形成的常溫流體，間歇式供應給混合部10的機構。該脈衝流供應部8係利用常溫壓縮乾燥空氣，使由連續流供應部7供應給混合部10的加熱流體溫度出現瞬間變化。

該脈衝流供應部8係具備有：連接部81、閥82、以及脈衝流控制部83。連接部81係連接於供應壓縮乾燥空氣的CDA(Compressed Dry Air，壓縮乾燥空氣)供應源400。CDA供應源400係例如亦可具備有：吸入外部空氣並壓縮的壓縮機、以及將已壓縮空氣施行乾燥的乾燥機。又，CDA供應源400亦可為能供應壓縮乾燥空氣的現有工廠配管等。

由脈衝流供應部8供應的流體，在混合部10中會與由連續流供應部7供應的低溫氮等進行混合，因而為防止結露，最好使用露點溫度較低的壓縮乾燥空氣。雖無特別的限定，壓縮乾燥空氣在大氣壓下的露點溫度較佳係-70℃以下。

該連接部81係連接於流路P ₆，在該流路P ₆的下游端連接著混合部10。又，在該流路P ₆中設有調整從CDA供應源400所供應壓縮乾燥空氣流量的閥82。本實施形態的閥82係可使用具高頻的常溫用閥，因而可高速控制壓縮乾燥空氣的流量。

脈衝流控制部83係依間歇式供應壓縮乾燥空氣方式，對閥82施行PWM控制。該脈衝流控制部83係根據從DUT100的溫度檢測電路101所輸入信號，計算出DUT100的接頭溫度Tj。然後，脈衝流控制部83係依縮小接頭溫度計算結果、與DUT100目標溫度間之偏差的方式，對閥82進行控制，而控制供應給流路P ₆的壓縮乾燥空氣流量。此時使用接頭溫度的控制具體例，係可例示如：美國專利申請案第15/719,849(美國專利申請案公開第2019/0101587號說明書)、美國專利申請案第16/351,363(美國專利申請案公開第2020/0033402號說明書)、美國專利申請案第16/575,460(美國專利申請案公開第2020/0241582號說明書)、及美國專利申請案第16/575,470(美國專利申請案公開第2020/0241040號說明書)所記載的控制。

圖3所示係本實施形態電子元件測試裝置的插座附近構成一例剖視圖。本實施形態的混合部10係設置於插座導件4中。該混合部10係具有中空的構件，內部形成：連接於連續流供應部7之流路P ₅的流路P ₇、以及連接於脈衝流供應部8之流路P ₆的流路P ₈。流路P ₇連接於流路P ₈一端，在該連接部分處，將由連續流供應部7所供應的流體、與由脈衝流供應部8所供應的流體進行混合。

混合部10的流路P ₇係連接於插座導件4內部所形成的流路P ₉。該流路P ₉係連接於插座3的內部空間34，經由該流路P ₉將來自混合部10的混合流體供應給內部空間34。又，內部空間34連接於插座導件4的流路P ₁₀，將從該流路P ₁₀通過內部空間34的混合流體進行排氣。因為本實施形態的混合流體係屬於氣體，因而經排氣的混合流體沒有回收的必要。

本實施形態的插座3係具備有：殼體31、複數接觸元件32、螺旋彈簧33、以及內部空間34。該殼體31係具備有機座構件311、與頂板312。機座構件311係設置於測試頭23上。該機座構件311係具有複數第1保持孔311a。

頂板312係支撐呈利用在機座構件311中所設置的螺旋彈簧33，可沿DUT100按押方向移動。頂板312遠離機座構件311，藉此在機座構件311與頂板312之間形成內部空間34。頂板312係設有依相對向於第1保持孔311a狀態設置的複數第2保持孔312a。

第1與第2保持孔311a,312a係由接觸元件32保持。該接觸元件32係由金屬等構成，第2保持孔312a接觸於DUT100的端子102。藉此，DUT100與測試頭23便呈電氣式連接。

再者，接觸元件32其中一部分露出於內部空間34，並接觸於供應給內部空間34的混合流體。因為接觸元件32的熱導率高，因而具有散熱片機能。供應給內部空間34的混合流體經由接觸元件32，在與DUT100間進行熱交換，而調整DUT100的溫度。

本實施形態的電子元件測試裝置1係當施行低溫測試時，便依如下述執行溫度調整。首先，由連續流控制部73打開閥72a ₁,72a ₂，藉由將閥72a ₁,72a ₂維持開啟狀態，便將低溫氮連續式供應給腔52與熱交換器74。供應給熱交換器74的氮係藉由與腔52內環境進行熱交換而被加熱後，再於流路P ₅中，依氮溫度較設定值低20℃左右的方式，利用流路加熱器75被加熱。此時，因為氮係利用熱交換器74被加熱，因而可減少由流路加熱器75施加的氮加熱量。朝混合部10連續式供應經流路加熱器75加熱的氮。

在此之同時，脈衝流控制部83利用上述PWM控制重複進行閥82的開閉，而將壓縮乾燥空氣間歇式供應給混合部10。壓縮乾燥空氣係利用混合部10而與氮混合，使混合流體的溫度上升，便製成經溫度調整至設定溫度附近的混合流體。依此，本實施形態因為利用脈衝流控制部83施行PWM控制而頻繁重複閥82的開閉，便可精密控制供應給插座3的混合流體溫度。

另一方面，當施行高溫測試時，本實施形態的電子元件測試裝置1係依如下述執行溫度調整。首先，由連續流控制部73打開閥72b，藉由將閥72b維持開啟狀態，便將常溫空氣連續式供應給熱交換器74。此時，腔52內的環境利用腔加熱器92被加熱。供應給熱交換器74的空氣利用與腔52內環境進行熱交換而被加熱後，再於流路P ₅中，依空氣溫度較設定值高出20℃左右方式，利用流路加熱器75施行加熱。此時，因為空氣利用熱交換器74被加熱，因而可減少由流路加熱器75進行的空氣加熱量。朝混合部10連續式供應經流路加熱器75加熱的空氣。

在此之同時，脈衝流控制部83利用上述PWM控制重複進行閥82的開閉，而將壓縮乾燥空氣間歇式供應給混合部10。壓縮乾燥空氣係利用混合部10而與加熱空氣混合，使混合流體的溫度降低，便製成經溫度調整至設定溫度附近的混合流體。依此，執行高溫測試的情況，亦是因為利用脈衝流控制部83施行PWM控制而頻繁重複閥82的開閉，便可精密控制供應給插座3的混合流體溫度。

根據如上述的本實施形態電子元件測試裝置1，藉由在混合部10中，對低溫氣態氮、或加熱空氣等加熱流體，混合入常溫壓縮乾燥空氣等常溫流體，便可使混合流體的溫度在短時間內出現較大變化。故，能達DUT溫度調整的高速化。

再者，根據本實施形態的電子元件測試裝置1，因為朝插座3供應混合流體，因而可朝熱阻力較小的DUT100下部供應混合流體。所以，可對DUT有效率地施行溫度調整。特別係樹脂塑模裝置，因為利用熱阻力較大的樹脂塑模覆蓋半導體晶片，因而即使從樹脂塑模端(上側)施行溫度，仍無法效率佳調整半導體晶片的溫度，但如本實施形態藉由經插座3的內部空間從下側施加溫度，便可效率佳調整半導體晶片的溫度。

特別係本實施形態，將熱容量較小的高導熱性接觸元件32使用為散熱片，在混合流體與DUT100之間施行熱交換，因而可效率佳施行DUT100的溫度調整。

再者，習知當測試短時間會生成急遽自熱等形式的DUT時，溫度調整會有無法追蹤DUT之急遽溫度變化的情況，但根據本實施形態的電子元件測試裝置1，可高速切換溫度調整時所使用混合流體的溫度，因而可追蹤DUT100的急遽溫度變化。

再者，藉由將混合部10設於插座3附近，便縮短到達內部空間34的流路，故能可減小混合流體受流路熱阻力的影響。所以，可提升溫度調整精度。

再者，接觸臂設有溫度調整裝置的電子元件測試裝置，若處理器設有複數接觸臂的情況，亦會導致溫度調整裝置的數量增加。相對於此，若本實施形態從插座3端執行溫度調整的電子元件測試裝置1，無關接觸臂51的數量，均可利用最小極限數量的插座溫度調整裝置6施行DUT100之溫度調整。

另外，上述所說明實施形態係為能輕易理解本發明而記載，並非為限定本發明而記載。所以，涵蓋上述實施形態所揭示各要件在不逾越本發明技術範圍前提下，所為之任何設計變更、均等物。

例如上述實施形態，加熱流體並非同時使用從LN ₂供應源200所供應低溫氮、與從空氣供應源300所供應空氣，惟並不僅侷限於此，加熱流體亦可使用由二者混合形成的混合流體。

再者，上述實施形態，插座溫度調整裝置6係將流體加熱後才供應給混合部10，惟並不僅侷限此。例如亦可配合測試時的設定溫度，藉由將腔52的內部環境溫度，設為較低於在熱交換器74的流路P ₄中流通之流體溫度，而冷卻流體。又，亦可取代流路加熱器75，改為設置冷卻器施行流體冷卻。

再者，上述實施形態，混合部10係設置於插座導件中，惟並不僅侷限此。例如混合部10亦可設置於插座中。

1:電子元件測試裝置 2:測試器 21:測試器主框架 22:排線 23:測試頭 3:插座 31:殼體 311:機座構件 311a:第1保持孔 312:頂板 312a:第2保持孔 32:接觸元件 33:螺旋彈簧 34:內部空間 4:插座導件 5:處理器 51:接觸臂 511:臂 512:推進器 52:腔 6:插座溫度調整裝置 7:連續流供應部 71a,71b:連接部 72a ₁,72a ₂,72b:閥 73:連續流控制部 74:熱交換器 741:本體部 742:鰭片 75:流路加熱器 76:加熱器控制部 77:溫度感測器 8:脈衝流供應部 81:連接部 82:閥 83:脈衝流控制部 9:腔溫度調整裝置 91:氮供應口 92:腔加熱器 93:風扇 10:混合部 11:溫度調整系統 P ₁~P ₁₀:流路 J:合流部 100:DUT 101:溫度檢測電路 102:端子 200:LN ₂供應源 300:空氣供應源 400:CDA供應源

圖1係本發明實施形態電子元件測試裝置的構成一例方塊圖。 圖2係本發明實施形態電子元件測試裝置的腔內部構成一例剖視圖。 圖3係本發明實施形態電子元件測試裝置的插座與插座導件之構成一例剖視圖。

1:電子元件測試裝置

2:測試器

21:測試器主框架

22:排線

23:測試頭

3:插座

34:內部空間

4:插座導件

5:處理器

51:接觸臂

52:腔

511:臂

512:推進器

6:插座溫度調整裝置

7:連續流供應部

73:連續流控制部

74:熱交換器

75:流路加熱器

76:加熱器控制部

77:溫度感測器

71a,71b:連接部

72a₁,72a₂,72b:閥

8:脈衝流供應部

81:連接部

82:閥

83:脈衝流控制部

9:腔溫度調整裝置

10:混合部

11:溫度調整系統

100:DUT

101:溫度檢測電路

200:LN₂供應源

300:空氣供應源

400:CDA供應源

P₁~P₆:流路

Claims (16)

1. 一種溫度調整裝置，係調整電氣式連接於插座的DUT溫度之溫度調整裝置；其中， 上述插座係具有內部空間； 上述溫度調整裝置係具備有： 第1供應部，其係供應第1流體； 第2供應部，其係供應具溫度不同於上述第1流體溫度的第2流體；以及 混合部，其係將從上述第1供應部供應的第1流體、與從上述第2供應部供應的上述第2流體予以混合，再將混合流體供應給上述內部空間。
2. 如請求項1之溫度調整裝置，其中，上述第1流體係常溫空氣； 上述第2流體係具有溫度較高於上述第1流體溫度的氣體、或具有溫度較低於上述第1流體溫度的氣體。
3. 如請求項1之溫度調整裝置，其中，上述第1供應部係具備有： 第1連接部，其係連接於供應上述第1流體的第1供應源；以及 第1閥，其係調整經由上述第1連接部從上述第1供應源所供應的上述第1流體流量。
4. 如請求項3之溫度調整裝置，其中，上述第1供應部係具備有：計算出上述DUT的溫度，再根據上述DUT溫度的算出結果，對上述第1閥進行控制的第1控制部。
5. 如請求項4之溫度調整裝置，其中，上述第1控制部係依間歇式供應上述第1流體的方式，對上述第1閥進行控制。
6. 如請求項4之溫度調整裝置，其中，上述第1控制部係利用PWM控制對上述第1閥進行控制。
7. 如請求項1之溫度調整裝置，其中，上述第2供應部係具備有： 第2連接部，其係連接供應上述第2流體的第2供應源； 第2閥，其係調整經由上述第2連接部從上述第2供應源所供應上述第2流體流量；以及 溫度調整部，其係調整經由上述第2連接部從上述第2供應源所供應的上述第2流體溫度。
8. 如請求項7之溫度調整裝置，其中，上述第2供應部係具備有：對上述第2閥進行控制的第2控制部； 上述第2控制部係依連續供應上述第2流體的方式，對上述第2閥進行控制。
9. 如請求項8之溫度調整裝置，其中，上述第2控制部係利用開關式控制對上述第2閥進行控制。
10. 如請求項7之溫度調整裝置，其中，上述第2供應部係具備有： 測定部，其係在上述溫度調整部的下游端測定上述第2流體溫度；以及 第3控制部，其係根據上述測定部的測定結果，對上述溫度調整部進行控制。
11. 如請求項7之溫度調整裝置，其中，上述第2連接部係含有：連接於儲存液態氮並供應氮之第3供應源的第3連接部； 上述第2閥係調整經由上述第3連接部從上述第3供應源所供應上述氮流量的第3閥。
12. 如請求項11之溫度調整裝置，其中，上述第2連接部係含有：連接於供應空氣之第4供應源的第4連接部； 上述第2閥係含有：調整經由上述第4連接部從上述第4供應源所供應上述空氣流量的第4閥； 上述第2供應部係具備有將：連接於上述第3閥的第1流路、與連接於上述第4閥的第2流路予以合流之合流部； 上述第2供應部係將由上述第3供應源所供應上述氮、由上述第4供應源所供應上述空氣、或上述空氣與上述氮的混合流體，當作上述第2流體並供應。
13. 如請求項7之溫度調整裝置，其中，上述溫度調整部係含有加熱上述第2流體的加熱部。
14. 如請求項1之溫度調整裝置，其中，上述混合部係設置於在上述插座周圍所配置的插座導件中、或設置於上述插座中。
15. 一種電子元件測試裝置，係測試DUT的電子元件測試裝置，具備有： 插座，其係具內部空間；以及 溫度調整裝置，其係請求項1至14中任一項之溫度調整裝置； 其中，上述溫度調整裝置係朝上述插座的上述內部空間供應流體。
16. 如請求項15之電子元件測試裝置，其中，上述插座係具備有： 接觸元件，其係電氣式連接於上述DUT端子；以及 殼體，其係保持上述接觸元件； 其中，上述內部空間係設置於上述殼體中； 上述接觸元件係露出於上述內部空間內。

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