TW202036012A - 電子元件測試裝置 - Google Patents

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TW202036012A
TW202036012A TW108140723A TW108140723A TW202036012A TW 202036012 A TW202036012 A TW 202036012A TW 108140723 A TW108140723 A TW 108140723A TW 108140723 A TW108140723 A TW 108140723A TW 202036012 A TW202036012 A TW 202036012A
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thermoelectric
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木村洋一
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日商日新類望股份有限公司
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices

Abstract

本發明提供一種電子元件測試裝置,可在短時間內進行電子元件的加熱或冷卻,並能容易地進行溫度調節。測試裝置1具備:管路37,讓冷卻水流通;中空狀的頭部39,連通管路37並用於藉由冷卻水進行冷卻;以及複數個熱電組件41,其背面41b安裝於頭部39,且正面41a分別與複數個IC晶片C接觸;其中,複數個熱電組件41分別在正面41a及背面41b的其中一面成為加熱面時,正面41a及背面41b的另一面成為冷卻面,並進行IC晶片C的加熱或冷卻。

Description

電子元件測試裝置
本發明為一種電子元件測試裝置,將複數個電子元件加熱或冷卻並進行測試。
在半導體裝置等的製造過程中,需要對最終製造出的IC晶片等電子元件進行測試的測試裝置。作為此種測試裝置,例如有專利文獻1所記載的裝置。
這種測試裝置是在殼體內的封閉空間中配置保持複數個IC晶片的測試盤,藉由設於驅動板下表面的按壓部加壓各IC晶片,並以設在驅動板上表面的調溫器透過驅動板和按壓部傳熱,由此進行加熱或冷卻。因此,可在加熱或冷卻下進行IC晶片的測試。
然而,因為傳統的測試裝置是構成為透過驅動板和按壓部而藉由調溫器將IC晶片進行加熱或冷卻,IC晶片的溫度變化相對於調溫器上溫度變化的響應性不佳,IC晶片的加熱或冷卻耗費時間又難以調節溫度。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-352183號公報。
本發明欲解決的問題點為,電子元件的加熱或冷卻耗費時間又難以調節溫度。
本發明提供一種電子元件測試裝置,可在短時間內進行電子元件的加熱或冷卻,並能容易地進行溫度調節。此電子元件測試裝置是將複數個電子元件加熱或冷卻並進行測試,其具備:管路,讓冷卻用流體流通;中空狀的頭部,連通前述管路並用於藉由前述冷卻用流體進行冷卻;以及複數個熱電組件,其背面安裝於前述頭部,且正面分別與前述複數個電子元件接觸;其中,前述複數個熱電元件分別在前述正面及背面的其中一面成為加熱面時,前述正面及背面的另一面成為冷卻面,並進行前述電子元件的加熱或冷卻。
本發明的電子元件測試裝置,因為熱電組件的正面成為加熱面或冷卻面而接觸電子元件,所以電子元件的溫度變化相對於熱電組件的正面溫度變化的響應性提升,可在短時間內進行電子元件的加熱或冷卻,並能容易地進行調節溫度。
1‧‧‧電子元件測試裝置
3‧‧‧主體部
5‧‧‧測試室
7‧‧‧顯示器
9‧‧‧測試單元
11‧‧‧控制部
13‧‧‧電源
15‧‧‧冷卻器
17‧‧‧下部殼體(第一殼體)
17a‧‧‧開口緣部
19‧‧‧上部殼體(第二殼體)
19a‧‧‧開口緣部
21‧‧‧元件支撐部
23‧‧‧溫度調整部
25‧‧‧除溼部
27‧‧‧封閉空間
29‧‧‧元件支撐板
29a‧‧‧元件支撐板的正面
31‧‧‧下部彈性體(元件側彈性體)
31a‧‧‧螺旋彈簧
33‧‧‧軸部
35‧‧‧停止器
37‧‧‧管路
39‧‧‧頭部
39a‧‧‧頭部的正面
41‧‧‧熱電組件
41a‧‧‧熱電組件的正面
41b‧‧‧熱電組件的背面
43‧‧‧頭支撐部
45‧‧‧頭支撐板
45a‧‧‧頭支撐板的正面
47‧‧‧上部彈性體
47a‧‧‧螺旋彈簧
49‧‧‧軸部
51a‧‧‧上停止器
51b‧‧‧下停止器
53a、53b‧‧‧陶瓷基板
55‧‧‧熱電半導體
57‧‧‧基座
59‧‧‧聚醯亞胺薄膜
63‧‧‧個別控制部
65‧‧‧中央控制部
67‧‧‧除溼氣體供給部
69‧‧‧氣體排出部
71‧‧‧氣體供給管
73‧‧‧除溼單元
75‧‧‧氣體排出管
77‧‧‧冷卻部
79‧‧‧流入口
81‧‧‧流出口
83‧‧‧第一間隔壁
85‧‧‧第一室
87‧‧‧第二室
89‧‧‧散熱槽
89a‧‧‧基底板
89a‧‧‧散熱片
91‧‧‧第一開口部
93‧‧‧第三室
95‧‧‧第二間隔壁
97‧‧‧第二開口部
B‧‧‧基板
C‧‧‧IC晶片
Ca‧‧‧IC晶片的正面
圖1係表示本發明實施例1之電子元件測試裝置的概略圖。
圖2係表示圖1之電子元件測試裝置在測試室打開時的局部剖面側視圖。
圖3係表示圖1之電子元件測試裝置在測試室關閉時的局部剖面側視圖。
圖4係表示圖3之熱電組件和IC晶片的側視圖。
圖5係表示圖1之電子元件測試裝置的控制部的區塊圖。
圖6係表示本發明實施例2之電子元件測試裝置的測試室的局部剖面側視圖。
圖7係表示本發明實施例3之電子元件測試裝置的測試室的局部剖面側視圖。
圖8係表示用於本發明實施例4之電子元件測試裝置的測試室的頭部的剖面圖。
圖9係圖8之IX-IX線的剖面圖。
藉由以下構成的電子元件測試裝置,實現可在短時間內進行電子元件的加熱或冷卻,並能容易地進行溫度調節的目的。
亦即,電子元件測試裝置具備:管路,讓冷卻用流體流通;中空狀的頭部,連通管路並用於藉由冷卻用流體進行冷卻;以及複數個熱電組件,其背面安裝於頭部,且正面分別與複數個電子元件接觸;其中,複數個熱電組件分別在正面及背面的其中一面成為加熱面時,正面及背面的另一面成為冷卻面,並進行電子元件的加熱或冷卻。
熱電組件的正面較佳為由聚醯亞胺薄膜所覆蓋。
電子元件測試裝置較佳為進一步具備:第一殼體,支撐複數個電子元件;以及第二殼體,支撐頭部,並且可相對於第一殼體接近或分離移動,藉由往第一殼體的接近移動與第一殼體共同形成封閉空間;在封閉空間內,複數個熱電組件的正面與複數個電子元件接觸。
電子元件測試裝置較佳為進一步具備組件側彈性體,將頭部支撐於第二殼體,並使複數個熱電組件的正面可彈性接合於複數個電子元件。
電子元件測試裝置較佳為進一步具備元件側彈性體,將複數個電子元件支撐於第一殼體,並使複數個電子元件可彈性接合於複數個熱電元件的正面。
此種情況,較佳為複數個電子元件安裝於基板,且元件側彈性體將基板支撐於第一殼體。
電子元件測試裝置較佳為進一步具備:除溼氣體供給部,對封閉空間供給除溼過的氣體;以及氣體排出部,從封閉空間排出氣體。
電子元件測試裝置較佳為進一步具備:複數個個別控制部,個別地控制複數個熱電組件;以及中央控制部,控制複數個個別控制部。
頭部亦可構成為具備:流入口,使冷卻用流體流入頭部;流出口,使冷卻用流體由頭部流出;第一間隔壁,配置在流入口與流出口之間,將頭部內劃分為流入口側的第一室和安裝有複數個熱電組件的流出口側的第二室;複數個散熱槽,設於第二室內,對應熱電組件而配置;以及複數個第一開口部,設於第一間隔壁且分別相對複數個散熱槽,使冷卻用流體由第一室往第二室流動。
另外,複數個第一開口部亦可構成為與複數個散熱槽之間的距離相同,並且設定為在冷卻用流體的流動方向上開口尺寸會隨著遠離流入口而變大,透過各個第一開口部將由第一室往第二室流動的冷卻用流體的流量均勻化。
另外,頭部亦可構成為具備:第二間隔壁,在流出口與第二室之間劃分第三室;以及複數個第二開口部,設於第二間隔壁,使冷卻用流體由第二室往第三室流動。
實施例1
[電子元件測試裝置]
圖1係表示本發明實施例1之電子元件測試裝置的概略圖。
本實施例的電子元件測試裝置1(以下簡稱為「測試裝置1」)是在主體部3上具備測試室5,對作為容納於測試室5內之電子元件的IC(Integrated Circuit)晶片C(參閱圖2及圖3)加熱或冷卻並進行動作測試的裝置。
在主體部3設有觸控面板式的顯示器7,顯示器7進行測試裝置1測試狀況的顯示或操作輸入。在主體部3內容納有進行IC晶片檢查的測試單元9,其他還設有控制部11、電源13、後述的溫度調整部23用的冷卻器15等。再者,測試單元9、電源13及冷卻器15可採用習知的裝置。另外,稍後描述控制部11。
圖2及圖3係表示圖1之測試裝置1的測試室5的局部剖面側視圖,圖2是測試室5為打開時,圖3是測試室5為關閉時。圖4係表示圖3之測試室5內的熱電組件41與IC晶片C的側視圖。
測試室5具備:作為第一殼體的下部殼體17、作為第二殼體的上部殼體19、元件支撐21部、溫度調整部23、以及除溼部25。
下部殼體17和上部殼體19是由金屬等所組成之剖面通道形狀的構件,在上下方向相互面對而配置。上部殼體19可相對於下部殼體17接近或分離移動,藉由往下部殼體17的接近移動與下部殼體17共同形成封閉空間27。此封閉空間27形成時的上部殼體19的位置稱為封閉位置。
上部殼體19的接近或分離移動可藉由制動器(未圖示)進行。致動器可使用習知的裝置。再者,在本實施例中上部殼體19雖相對於下部殼體17接近或分離移動,亦可固定上部殼體19,將下部殼體17相對於上部殼體19接近或分離移動。
另外,上部殼體19和下部殼體17的接近或分離方向雖為上下方向,但亦可為相對於上下方向傾斜的方向等,或其他方向。
封閉空間27藉由在上部殼體19與下部殼體17之間的密封構件29密閉。密封構件29為彈性體,安裝於上部殼體19的開口緣部19a。然而,密封構件29亦可安裝於下部殼體17的開口緣部17a。
元件支撐部21是相對於下部殼體17支撐複數個IC晶片C的構件。因此,在本實施例中,下部殼體17構成為支撐複數個IC晶片C。
本實施例的元件支撐部21具備元件支撐板29、以及作為元件側彈性體的下部彈性體31。
元件支撐板29是由金屬等所組成的平板,正面29a構成為載置IC晶片C的平坦載置面。在本實施例中,複數個IC晶片C搭載於基板B上,且在元件支撐板29的正面29a載置搭載了IC晶片C的基板B。基板B藉由機械手(handler)(未圖示)等,事前載置於元件支撐板29的正面29a。另外,複數個IC晶片C亦可不搭載於基板B,而採用分別配置於下部殼體17的基座(socket)等構成。
在所述元件支撐板29與下部殼體17之間,存在有下部彈性體31。因此,在本實施例中,構成為透過元件支撐板29藉由下部彈性體31,將複數個IC晶片C、特別是基板B支撐於下部殼體17。再者,亦可構成為省略下部彈性體31,將元件支撐板29固定於下部殼體17。
下部彈性體31藉由複數個螺旋彈簧31a構成。然而,下部彈性體31亦可藉由矽海綿等複數個塊狀的彈性片構成。此下部彈性體31在元件支撐板29與下部殼體17之間保持於軸部33的周圍。軸部33固定於下部殼體17,在上下方向延伸並插通元件支撐板29。
在軸部33的上端設有膨出形狀的停止器35。當上部殼體19在相對於下部殼體17分離的開啟位置時,停止器35推抵住藉由下部彈性體31的彈性力而朝向上部殼體19(對上方)推壓的元件支撐板29,並決定元件支撐板29的位置。
當上部殼體19在封閉位置時,藉由後述的複數個熱電組件41的正面41a,於上部殼體19的移動方向(下方)上按壓IC晶片C而壓縮下部彈性體31。這個結果,下部彈性體使複數個IC晶片C可彈性接合於複數個熱電組件41的正面41a。再者,雖IC晶片C在正面Ca與熱電組件41的正面41a彈性 接合,但根據IC晶片C的配置或構成,亦可在側面與熱電組件41的正面41a彈性接合。
溫度調整部23具備管路37、頭部39、以及複數個熱電組件41。
管路37是讓作為冷卻用流體的冷卻水流通之物。管路37構成為冷卻器15的一部分。亦即,管路37作為冷卻器15的一部分,使受到溫度管理的冷卻水循環。在此管路37設有頭部39。
頭部39是連通管路37,並用於藉由冷卻水進行冷卻的中空狀構件。頭部39是由鋁或錫等合金所形成,從管線37供給冷卻水至內部。
本實施例的頭部39是形成為平面矩形的箱狀,在正面39a安裝有複數個熱電組件41,透過頭支撐部43支撐於上部殼體19。熱電組件41對頭部39的安裝可例如藉由熔接或接著進行。
頭支撐部43具備頭支撐板45、以及作為組件側彈性體的上部彈性體47。
頭支撐板45與元件支撐部21的元件支撐板29相同,是由金屬等所組成的平板,正面45a構成為安裝頭部39的安裝面。頭部39對頭支撐板45的安裝可例如藉由熔接或接著進行。
在所述元件支撐板45與上部殼體19之間,置入有上部彈性體47。因此,在本實施例中,構成為透過頭支撐板45藉由上部彈性體47將頭部39支撐於上部殼體19。再者,亦可構成為省略上部彈性體47,將頭支撐板45固定於上部殼體19。
上部彈性體47與下部彈性體31相同,雖藉由複數個螺旋彈簧47a構成,但亦可藉由矽海綿等複數個塊狀的彈性片構成。此上部彈性體47在頭支撐板45與上部殼體19之間保持於軸部49的周圍。軸部49在上下方向延伸,且其兩端部插通頭支撐板45及上部殼體19的撐條(stay)19b。
再者,撐條19b在上部殼體19內藉由熔接等安裝,構成上部殼體19的一部分。亦可省略撐條19b。
在插通撐條19b的軸部49的上端設有上停止器51a,在插通頭支撐板45的軸部49的下端設有下停止器51b。在本實施例中軸部49由螺栓組成,上停止器51a是螺合於軸部49的螺帽,下停止器51b是螺栓的螺栓頭。
藉由所述上停止器51a、軸部49、下停止器51b,將頭支撐板45支撐於撐條19b(上部殼體19)。當上部殼體19在開啟位置時,藉由上部彈性體47的彈性力而朝向下部殼體17(對下方)推壓的頭支撐板45,被推抵於下停止器51b並決定位置。
當上部殼體19在封閉位置時,藉由複數個熱電組件41的正面41a抵接IC晶片C而壓縮上部彈性體47。這個結果,上部彈性體47使複數個熱電組件41的正面41a可彈性接合於複數個IC晶片C。在本實施例中,藉由所述彈性接合與下部彈性體31之彈性接合的共同運作,可使複數個熱電組件41的正面41a與複數個IC晶片C確實地接觸。
複數個熱電組件41分別藉由帕耳帖元件構成。具體而言,各熱電組件41是在一對陶瓷基板53a、53b之間置入有複數個熱電半導體55而構成。陶瓷基板53a、53b分別構成熱電組件41的正面41a及背面41b。
熱電組件41的正面41a及背面41b對應從電源13施加的電流的方向,在任一面成為加熱面時另一面成為冷卻面。
熱電組件41的背面41b安裝於頭部39。在本實施例中,在熱電組件41的背面41b與頭部39的正面39a之間置入有由金屬板所組成的基座57。再者,亦可省略基座57。
熱電組件41的背面41b在成為加熱面時藉由頭部39進行冷卻,在成為冷卻面時透過頭部39進行冷卻水的冷卻。
熱電組件41的正面41a是接觸於IC晶片C的部分,將IC晶片C加熱或冷卻。本實施例的熱電組件41的正面41a由聚醯亞胺薄膜59覆蓋。聚醯亞胺薄膜59是保護熱電組件41的正面41a及IC晶片C的正面Ca免於接觸時的損傷之物。再者,亦可省略聚醯亞胺薄膜59。所述熱電組件41是連接於控制部11並控制正面的溫度。
圖5係表示測試裝置1的控制部11的區塊圖。
控制部11具備複數個個別控制部63及中央控制部65。
複數個個別控制部63是運算裝置,分別連接複數個熱電組件41。個別控制部63控制所連接的熱電組件41。具體而言,控制施加於熱電組件41的電流方向,並藉由變更脈衝的負載比控制加熱或冷卻溫度。
藉此,複數個個別控制部63構成為個別控制複數個熱電組件41。在所述個別控制部63的控制中,將熱電組件41的正面41a的溫度保持為設定溫度。設定溫度例如為-20℃~+120℃等。各個個別控制部63的設定溫度藉由中央控制部65設定。
中央控制部65是運算裝置,控制複數個個別控制部63及其他測試裝置1的各個部。本實施例中的中央控制部65通過顯示器7上的顯示或操作輸入,接收對於個別控制部63的設定溫度等的設定資訊,並基於這些對個別控制部63進行設定。再者,亦可省略複數個個別控制部63,用中央控制部65控制全部的熱電組件41。
圖2及圖3的除溼部25具備除溼氣體供給部67、以及氣體排出部69。另外,亦可省略除溼部25。
除溼氣體供給部67構成為:插通測試室5內外的氣體供給管71在測試室5外連接有除溼單元73。除溼單元73容納於測試裝置1的本體部3,將流經氣體供給管71的氣體的空氣除溼。藉此,能在測試室5內的封閉空間27內供給除溼過的空氣。再者,除溼單元73可採用習知的裝置。
氣體排出部69將氣體從測試室5的封閉空間27排出。氣體排出部69可由具有閥門等的氣體排出管75構成。此氣體排出部69對應於經除溼氣體供給部67除溼之空氣的供給,從封閉空間27排出空氣,可將測試室5的封閉空間27內置換為除溼過的空氣。
[電子元件測試裝置的動作]
在測試裝置1進行複數個IC晶片C測試的情況,事前使上部殼體19移動至開啟位置,讓測試室5保持打開。這種狀態下,將搭載有複數個IC晶片C的基板B載置於元件支撐部21的元件支撐板29的正面29a。
基板B的載置由如上述的機械手等進行,將基板B的位置決定在元件支撐板29的特定位置。藉由決定基板B的位置,複數個IC晶片C的正面Ca分別在上下方向面對溫度調整部23的複數個熱電組件41的正面41a。
在這種狀態下,使上部殼體19相對於下部殼體17接近移動並位於封閉位置。上部殼體19成為封閉位置時,透過密封構件29使上部殼體19的開口緣部19a與下部殼體17的開口緣部17a相合。藉此,關閉測試室5,在內部形成封閉空間27並密閉所形成的封閉空間27。
此時,對應上部殼體19的接近移動,複數個熱電組件41的正面41a分別與複數個IC晶片C的正面Ca接觸,且熱電組件41的正面41a與IC晶片C的正面Ca互相按壓。
藉由所述按壓,上部彈性體47及下部彈性體31進行壓縮,熱電組件41的正面41a與IC晶片C的正面Ca成為彈性接合狀態。因此,可使熱電組件41的正面41a與IC晶片C的正面Ca確實地接觸。此時,藉由熱電組件41的正面41a的聚醯亞胺薄膜59,可抑止熱電組件41的正面41a與IC晶片C的正面Ca接觸所造成的損傷。
如此,在測試室5的內部形成封閉空間27時,藉由除溼部25進行封閉空間27內的除溼。具體而言,從除溼氣體供給部67供給除溼過的空氣至封閉空間27內,並對應除溼過的氣體的供應,從氣體排出部69排出空氣。藉由所述除溼過的空氣的供給及空氣的排出,將封閉空間27內置換為除溼過的空氣。
在所述除溼後,複數個熱電組件41的正面41a成為加熱面或冷卻面,將IC晶片C加熱或冷卻。此時,因為熱電組件41的正面41a與IC晶片C的正面Ca接觸,可提升IC晶片C的溫度變化相對於熱電組件41的正面41a溫度變化的響應性。因此,能在短時間內進行IC晶片C的加熱或冷卻,亦能容易地進行溫度調節。
另外,因為IC晶片C藉由下部彈性體31的螺旋彈簧31a,位於從下部殼體17分離的位置,而抑止與下部殼體17之間的熱交換。因此,能夠更容易地在短時間內進行IC晶片C的加熱或冷卻,亦能進行溫度調節。
另外,在冷卻IC晶片C的情況,因為將封閉空間27內除溼,可抑止霜或結露的產生,並可抑止IC晶片C的故障。
在所述複數個IC晶片C的加熱或冷卻之際,可將複數個熱電組件41的溫度進行不同設定,另外可使IC晶片C的加熱和冷卻混合,並可一次進行不同環境的測試。
即使在這種情況,因為是構成為將複數個熱電組件41安裝於頭部39,熱電組件41的背面41b在為加熱面的情況藉由頭部39來冷卻,在為冷卻面的情況則冷卻頭部39內的冷卻水,不論在任何情況熱電組件41背面41b 的熱都藉由與頭部39(冷卻水)的熱交換來消耗。因此,抑止在複數個熱電組件41的相互間的熱影響,可進行準確的IC晶片C的加熱或冷卻。
並且,在所述IC晶片C的加熱或冷卻下進行動作的測試。測試可藉由連接IC晶片C的測試單元9來進行。
[實施例1的效果1
如以上的說明,本實施例的測試裝置1具備:管路37,讓冷卻水流通;中空狀的頭部39,連通管路37並用於藉由冷卻水進行冷卻;以及複數個熱電組件41,其背面41b安裝於頭部39,且正面41a分別接觸於複數個IC晶片C;其中,複數個熱電組件41分別在正面41a及背面41b的其中一面成為加熱面時,正面41a及背面41b的另一面成為冷卻面,並進行IC晶片C的加熱或冷卻。
從而,因為熱電組件41的正面41a為加熱面或冷卻面而接觸IC晶片C,IC晶片C的溫度變化相對於熱電組件41的正面41a溫度變化的響應性提升,可在短時間內進行IC晶片C的加熱或冷卻,亦能容易地進行調節溫度。
而且,在本實施例中,可將複數個熱電組件41的溫度進行不同設定,另外使IC晶片C的加熱和冷卻混合,可一次進行不同環境的測試。
即使在這種情況,因為熱電組件41的背面41b的熱藉由與頭部39(冷卻水)的熱交換而消耗,抑止在複數個熱電組件41的相互間加熱或冷卻的影響,可進行準確的IC晶片C的加熱或冷卻。
另外,在本實施例的測試裝置1中,因為熱電組件41的表面41a由聚醯亞胺薄膜59覆蓋,即使熱電組件41的正面41a接觸IC晶片C,可抑止由接觸所造成之IC晶片C與熱電組件41的正面41a的損傷。
另外,本實施例的測試裝置1具備:下部殼體17,支撐複數個IC晶片C;上部殼體19,支撐頭部39並可相對於下部殼體17接近或遠離移動,藉由往下部殼體17的接近移動與下部殼體17共同形成封閉空間27;在封閉空間27內複數個熱電組件41的正面41a接觸複數個IC晶片C。
因此,藉由使上部殼體19相對於下部殼體17接近移動,可形成封閉空間27並使複數個的熱電組件41的正面41a接觸IC晶片C,可期待測試的迅速化。
另外,本實施例的測試裝置1將頭部39支撐於上部殼體19,並具備上部彈性體47,其使複數個熱電組件41的正面41a可彈性接合於複數個IC晶片C。
因此,在本實施例中,可使熱電組件41的正面41a與IC晶片C確實地接觸,而能更確實地提升IC晶片C的溫度變化相對於熱電組件41的正面41a溫度變化的響應性,更確實地在短時間內進行IC晶片C的加熱或冷卻,並能更容易地進行溫度調節。
而且,不用相對於複數個熱電組件41分別設有上部彈性體47,可為簡單的構造。
另外,本實施例的測試裝置1將複數個IC晶片C支撐於下部殼體17,並具備下部彈性體31,其使複數個IC晶片C可彈性接合於複數個熱電組件41的正面41a。
因此,在本實施例中,可使熱電組件41的正面41a與IC晶片C更確實地接觸,而能更確實地提升IC晶片C的溫度變化相對於熱電組件41的正面41a溫度變化的響應性,更確實地在短時間內進行IC晶片C的加熱或冷卻,並能更容易地進行溫度調節。
另外,在本實施例中,因為下部彈性體31是螺旋彈簧31a,使IC晶片C從下部殼體17分離並定位,可抑止IC晶片C與下部殼體17之間的熱交換。因此,能更容易地在短時間內進行IC晶片C的加熱或冷卻,亦能進行溫度調節。
另外,在本實施例中,具備安裝有複數個IC晶片C的基板B,下部彈性體31將基板B支撐於下部殼體17。
因此,不用相對於複數個的IC晶片C分別設有下部彈性體31,可為簡單的構造。
另外,本實施例的測試裝置1具備:除溼氣體供給部67,對封閉空間27供給除溼過的氣體;以及氣體排出部69,從封閉空間27排出氣體。
因此,在本實施例中,藉由對封閉空間27供給除溼過的氣體及排出氣體可將封閉空間27內除溼,在冷卻IC晶片C的情況可抑止霜或結露的產生,並可抑止IC晶片C的故障。
另外,本實施例的測試裝置1具備:複數個個別控制部63,個別地控制前述複數個熱電組件41的正面41a的溫度;以及中央控制部65,控制複數個個別控制部63。
因此,在本實施例中,可容易且確實地進行各IC晶片C的溫度調節。
實施例2
圖6係表示本發明實施例2之電子元件測試裝置的測試室的局部剖面側視圖。再者,在本實施例中,與實施例1對應的構成附上相同符號而省略重複說明。
本實施例的測試裝置1使下部彈性體31為具有隔熱性的片狀物。再者,上部彈性體47亦可為片狀。
例如可使用矽薄片或矽海綿等作為片狀的下部彈性體31。另外,在本實施例中,伴隨著使下部彈性體31為片狀,省略元件支撐部21的元件支撐板29。其他與實施例1相同。
因此,實施例2亦可與實施例1具有相同的作用效果。
實施例3
圖7係表示本發明實施例3之電子元件測試裝置的測試室的局部剖面側視圖。再者,在本實施例中,與實施例1對應的構成附上相同符號而省略重複說明。
本實施例的電子元件測試裝置1在除溼部25的除溼氣體供給部67設有冷卻部77。其他與實施例1相同。
冷卻部77將流經氣體供給管71的空氣冷卻,可採用習知的冷卻裝置。此冷卻部77藉由控制部11控制,在IC晶片C的測試中從加熱移轉至冷卻時驅動。
藉此,在IC晶片C的測試中從加熱移轉至冷卻時,除溼氣體供給部67可從氣體供給管71供給冷卻過的乾燥空氣至測試室5內的封閉空間27。
藉由所述冷卻過的乾燥空氣的供給,可降低IC晶片C及元件支撐部21的元件支撐板29等的殘留熱,並可縮短從加熱狀態移轉至冷卻狀態的時間。
另外,因為利用除溼部25供給冷卻過的空氣,可期待構造的簡單化。
另外,實施例3亦可與實施例1具有相同的作用效果。
實施例4
圖8係表示用於本發明實施例4之電子元件測試裝置的測試室之頭部的剖面圖,圖9係圖8的IX-IX線的剖面圖。再者,在本實施例中,與實施例1對應的構成附上相同符號而省略重複說明。
本實施例是相對於實施例1將頭部39的構造變更。其他與實施例1相同。
本實施例的頭部39與實施例1相同,形成為平面矩形的箱狀,在沿長邊的長邊方向的兩端設有流入口79及流出口81。
流入口79及流出口81是連接管路37的部分,流入口79使作為冷卻用流體的冷卻水流入頭部39內,流出口81使冷卻水從頭部39流出。
在所述流入口79與流出口81間,設有第一間隔壁83。藉由這個第一間隔壁83將頭部39內劃分為流入口79側的第一室85、以及流出口81側的第二室87。
第一室85沿頭部39長邊方向的一側及寬度方向的兩側設置,在頭部39寬度方向的兩側沿長邊方向引導從流入口79流入的冷卻水。
第二室87位於第一室85的寬度方向內側,在頭部39的正面39a安裝有複數個熱電組件41。在此第二室87內設有對應複數個熱電組件41而配置的複數個散熱槽89。
散熱槽89在基底板89a上具有複數個散熱片89b,基底板89a固定於頭部39的內表面。再者,散熱片89a可採用板型、針型、格子型等各種形狀。固定有散熱槽89的頭部39的內表面,成為在頭部39的正面39a安裝有熱電組件41的部分的內表面。藉此,散熱槽89構成為從熱電組件41的背面41b吸收熱或冷。
本實施例的散熱槽89對應熱電組件41沿頭部39的長邊方向配置為兩列。然而,散熱槽89的配置並不限定於此,可對應熱電組件41適當變更。
以相對散熱槽89之方式在第一間隔壁83設置複數個第一開口部91。
第一開口部91相對各個散熱槽89使冷卻水從第一室85往第二室87流動。因此,在第二室87流動的冷卻水從各個第一開口部91供給至各個散熱槽89。再者,第一開口部91及散熱槽89的相對方向雖是頭部39的寬度方向,但亦可對應散熱槽89做適當變更。
複數個第一開口部91與分別相對的散熱槽89之間的距離相同。另外,第一開口部91設定為在冷卻水的流動方向上開口尺寸會隨著遠離流入口79而變大,透過各個第一開口部91將往第二室87流動的冷卻水的流量均勻化。
在此的流量均勻化是意指,藉由供給至散熱槽89的冷卻水與散熱槽89之間的熱交換,能消除在將熱電組件41控制為同一溫度時的溫度偏差的程度。
進而,第一開口部91用作第一室85與第二室87之間的擴散器,將第二室87內維持在高雷諾數,並且大小設定為使來自冷卻器15的冷卻水的壓力損失為最小。
供給至散熱槽89的冷卻水透過第三室93從流出口81排出。
第三室93藉由在流出口81與第二室87之間形成的第二間隔壁95劃分。第三室93在第二室87的寬度方向中央部沿長邊方向延伸。
在劃分這個第三室93的第二間隔壁95設有複數個第二開口部97。第二開口部97使冷卻水從第二室87往第三室93流動。本實施例的第二開口部97相對於第一開口部91夾持散熱槽89並面對面配置。第二開口部97的大小設定為與分別相對的第一開口部91相同。再者,第二開口部97藉由調整其大小,可在第二室87與第三室93之間有作為擴散器的功能。
在所述實施例4中,將從流入口79流入頭部39內的冷卻水從第一開口部91直接供給至各散熱槽89,可使散熱槽89與冷卻水之間熱交換。這個結果,從複數個熱電組件41藉由頭部39確實地吸收熱或冷,可確實地控制這些熱電組件41的溫度。
另外,在第一室85與第二室87之間發揮擴散器功能,可降低來自冷卻器15的冷卻水的壓力損失。
另外,本實施例的複數個第一開口部91與複數個散熱槽89之間的距離相同,並且設定為在冷卻水的流動方向上開口尺寸會隨著遠離流入口79 而變大,透過各個第一開口部91將由第一室85往第二室87流動的冷卻水的流量均勻化。
因此,在本實施例中,可對於複數個熱電組件41將熱或冷的吸收性能均勻化,並可更確實地控制複數個熱電組件41的溫度。
另外,本實施例的頭部39具備:第二間隔壁95,在流出口81與第二室87之間劃分第三室93;以及複數個第二開口部97,設於第二間隔壁95,使冷卻水由第二室87往第三室93流動。
因此,在本實施例中,藉由設定第二開口部97的大小,可調整第二室87內的壓力,並可更確實地降低來自冷卻器15的冷卻水的壓力損失。
1‧‧‧電子元件測試裝置
3‧‧‧主體部
5‧‧‧測試室
7‧‧‧顯示器
9‧‧‧測試單元
11‧‧‧控制部
13‧‧‧電源
15‧‧‧冷卻器

Claims (12)

  1. 一種電子元件測試裝置,將複數個電子元件加熱或冷卻並進行測試,其具備:
    管路,讓冷卻用流體流通;
    中空狀的頭部,連通前述管路並用於藉由前述冷卻用流體進行冷卻;以及
    複數個熱電組件,其背面安裝於前述頭部,且正面分別與前述複數個電子元件接觸;
    其中,前述複數個熱電組件分別在前述正面及背面的其中一面成為加熱面時,前述正面及背面的另一面成為冷卻面,並進行前述電子元件的加熱或冷卻。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子元件測試裝置,其中,前述熱電組件的正面由聚醯亞胺薄膜所覆蓋。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子元件測試裝置,其中,具備:
    第一殼體,支撐前述複數個電子元件;以及
    第二殼體,支撐前述頭部,並且可相對於前述第一殼體接近或分離移動,藉由往前述第一殼體的接近移動與前述第一殼體共同形成封閉空間;
    在前述封閉空間內,前述複數個熱電組件的正面接觸前述複數個電子元件。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之電子元件測試裝置,其中,具備:
    組件側彈性體,將前述頭部支撐於前述第二殼體,並使前述複數個熱電組件的正面可彈性接合於前述複數個電子元件。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子元件測試裝置,其中,具備:
    元件側彈性體,將前述複數個電子元件支撐於前述第一殼體,並使前述複數個電子元件可彈性接合於前述複數個熱電組件的正面。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電子元件測試裝置,其中,具備:
    基板,安裝有前述複數個電子元件;
    前述元件側彈性體將前述基板支撐於前述第一殼體。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之電子元件測試裝置,其中,具備:
    除溼氣體供給部,從氣體供給管對前述封閉空間供給除溼過的氣體;以及
    氣體排出部,從前述封閉空間排出氣體。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子元件測試裝置,其中,具備:
    複數個個別控制部,個別地控制前述複數個熱電元件的正面溫度;以及
    中央控制部,控制前述複數個個別控制部。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之電子元件測試裝置,其中,具備:
    冷卻部,冷卻流經前述氣體供給管的氣體;
    前述除溼氣體供給部在對前述電子元件從加熱移轉至冷卻時,將藉由前述冷卻部冷卻的氣體供給至前述封閉空間。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電子元件測試裝置,其中,前述頭部具備:
    流入口,使前述冷卻用流體流入前述頭部;
    流出口,使前述冷卻用流體由前述頭部流出;
    第一間隔壁,配置在前述流入口與前述流出口之間,將前述頭部內劃分為前述流入口側的第一室和安裝有前述複數個熱電組件的前述流出口側的第二室;
    複數個散熱槽,設於前述第二室內,對應前述熱電組件而配置;以及
    複數個第一開口部,設於前述第一間隔壁且分別相對前述複數個散熱槽,使前述冷卻用流體由前述第一室往前述第二室流動。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電子元件測試裝置,其中,
    前述複數個第一開口部與前述複數個散熱槽之間的距離相同,並且設定為在前述冷卻用流體的流動方向上開口尺寸會隨著遠離前述流入口而變大,透過各個第一開口部將由前述第一室往前述第二室流動的前述冷卻用流體的流量均勻化。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之電子元件測試裝置,其中,前述頭部具備:
    第二間隔壁,在前述流出口與前述第二室之間劃分第三室;
    複數個第二開口部,設於前述第二間隔壁,使前述冷卻用流體由前述第二室往前述第三室流動。
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