JP4934199B2 - ウォータジャケット - Google Patents

Description

本発明は、基板に実装された電子部品を冷却するために、基板に装着されたウォータジャケット、並びに、それを備えた電子部品冷却装置及び電子部品試験装置に関する。

半導体集積回路素子などの各種電子部品（以下、単にＤＵＴ（Device Under Test）とも称する。）の製造工程では、電子部品試験装置を用いてＤＵＴの性能や機能の試験が行われる。この電子部品試験装置は、ＤＵＴに試験信号を送出すると共に応答信号を検査するテスタ本体と、このテスタ本体に接続されていると共に、ＤＵＴと電気的に接触するためのソケットを有するテストヘッドと、ＤＵＴをテストヘッド上に順次搬送し、テストが終了したＤＵＴをテスト結果に応じて分類するハンドラと、を備えている。この電子部品試験装置による試験は、ハンドラによりＤＵＴに高温又は低温の熱ストレスが印加された状態で実行される。

このような電子部品試験装置のテストヘッドは、ＤＵＴとテスタ本体との間の電気的なインタフェースとして使用されるピンエレクトロニクスカードを多数備えている。それぞれのピンエレクトロニクスカードは、試験用の高周波回路や電源回路等の各種の試験用デバイスが多数実装された基板から構成されている。

ピンエレクトロニクスカードに実装された試験用デバイスの中には、ＤＵＴの試験時に自己発熱により高温になるものがある。これに対し、自己発熱により高温となっている試験用デバイスを冷媒に直接浸漬させて冷却するために、ピンエレクトロニクスカードに装着して試験用デバイスを覆うウォータジャケットが従来から知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。

上記のウォータジャケットでは、冷媒を流通させる通路の流路断面積が一定となっている。そのため、ウォータジャケットに供給可能な冷媒の流量が一定量に制限されている場合には、冷却効率の向上に限界があった。

特開平１０−５１１６９号公報 特開平１０−３０３５８６号公報

本発明が解決しようとする課題は、冷却効率の向上を図ることが可能なウォータジャケット、並びに、それを備えた電子部品冷却装置及び電子部品試験装置を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明によれば、基板に実装された電子部品を冷媒により冷却するために、前記基板に装着されるウォータジャケットであって、前記電子部品を収容可能であると共に、前記冷媒が流通可能な通路を備えており、前記通路は、流路断面積が他の部分よりも小さくなっている絞り部を、前記電子部品の上流に有しており、前記通路は、前記各電子部品の間を仕切る隔壁を有し、前記絞り部は、前記隔壁に設けられているウォータジャケットが提供される（請求項１参照）。

上記発明においては特に限定されないが、前記絞り部は、前記電子部品よりも小さな開口幅を有することが好ましい（請求項２参照）。

上記発明において特に限定されないが、前記絞り部は、前記冷媒の流通方向に沿って、前記電子部品が有する半導体チップと同一直線上に設けられていることが好ましい（請求項３参照）。

上記発明においては特に限定されないが、前記電子部品が有する半導体チップに前記冷媒を方向付ける指向手段を備えていることが好ましい（請求項４参照）。

上記発明においては特に限定されないが、前記絞り部は、前記電子部品の下流にも設けられていることが好ましい（請求項５参照）。

上記発明においては特に限定されないが、前記通路は、複数の前記電子部品を並べた状態で収容することが可能であり、複数の前記絞り部が、前記各電子部品の上流にそれぞれ設けられていることが好ましい（請求項６参照）。

上記発明においては特に限定されないが、前記複数の絞り部は、前記電子部品の発熱量に応じて相互に異なる開口幅を有することが好ましい（請求項７参照）。

上記発明においては特に限定されないが、前記複数の絞り部の開口幅は、下流に向かうに従って小さくなっていることが好ましい（請求項８参照）。

上記発明においては特に限定されないが、前記隔壁は、第１の隔壁と、前記第１の隔壁に隣接している第２の隔壁と、を含み、前記第１の隔壁は、前記第２の隔壁から分岐していることが好ましい（請求項９参照）。

上記発明においては特に限定されないが、前記通路は、前記電子部品が有する第１の半導体チップと、前記電子部品が有する第２の半導体チップとの間に、上流から下流に向かって流路断面積を小さくする段差部を有することが好ましい（請求項１０参照）。

上記発明においては特に限定されないが、前記通路は、前記冷媒の乱流を生成する乱流生成手段を有することが好ましい（請求項１１参照）。

上記目的を達成するために、本発明によれば、基板に実装された電子部品を冷媒により冷却する電子部品冷却装置であって、上記のウォータジャケットと、前記ウォータジャケットの前記通路に冷媒を供給する冷媒供給手段と、を備えた電子部品冷却装置が提供される（請求項１２参照）。

また、上記目的を達成するために、本発明によれば、被試験電子部品の試験を行う電子部品試験装置であって、前記被試験電子部品に電気的に接触するコンタクト部と、試験用電子部品が実装されていると共に、前記コンタクト部に電気的に接続された基板と、上記の電子部品冷却装置と、を備え、前記電子部品冷却装置が有する前記ウォータジャケットは、前記試験用電子部品を冷媒により冷却するために前記基板に装着されている電子部品試験装置が提供される（請求項１３参照）。

本発明では、通路において流路断面積が他の部分よりも小さくなっている絞り部を冷媒が通過することで、冷媒の流速が上がるので、冷媒による電子部品の冷却効率を向上させることができる。

図１は本発明の第１実施形態における電子部品試験装置を示す概略断面図である。 図２は、図１のII-II線に沿ったテストヘッドの断面図である。 図３は、図２のIII-III線に沿った断面図である。 図４は、本発明の第１実施形態における電子部品冷却装置を示すブロック図である。 図５は、図３のV-V線に沿ったウォータジャケットを示す断面図である。 図６は、図５のVI-VI線に沿った断面図である。 図７は、図５のVII部の拡大図である。 図８は、図７のA₁-A₂線に沿った通路の流路断面積を示すグラフである。 図９は、図７のA₁-A₂線に沿った冷媒の流速分布を示すグラフである。 図１０は、図７のB₁-B₂線に沿った冷媒の流速分布を示すグラフである。 図１１は、図７のA₁-A₂線に沿った断面図である。 図１２は、本発明の第１実施形態に係るウォータジャケットと、従来構造のウォータジャケットとの冷却性能を比較したグラフである。 図１３は、本発明の第２実施形態におけるウォータジャケットを示す断面図である。 図１４は、本発明の第３実施形態におけるウォータジャケットを示す拡大断面図である。 図１５は、本発明の第４実施形態におけるウォータジャケットを示す拡大断面図である。 図１６は、本発明の第５実施形態におけるウォータジャケットの絞り部を示す拡大断面図である。 図１７は、本発明の第６実施形態におけるウォータジャケットの絞り部を示す拡大断面図である。 図１８Ａは、冷却対象である電子部品の第１の変形例を示す平面図である。 図１８Ｂは、図１８ＡのXVIIIB-XVIIIB線に沿った断面図である。 図１９Ａは、冷却対象である電子部品の第２の変形例を示す平面図である。 図１９Ｂは、図１９ＡのXIXB-XIXB線に沿った断面図である。 図２０Ａは、冷却対象である電子部品の第３の変形例を示す平面図である。 図２０Ｂは、図２０ＡのXXB-XXB線に沿った断面図である。

１０…テストヘッド
２０…ピンエレクトロニクスカード
２１…試験用デバイス
２２Ａ…ＭＣＭ
２４…カード基板
３０…電子部品冷却装置
４０…チラー
５０…ウォータジャケット
５１…通路
５１ｄ…段差部
５２…隔壁
５３…ブロック
５４，５４１〜５４９…絞り部
５５…整流板
５６Ａ，５６Ｂ…バッフル
５７…シール部材
６０…半導体パッケージ

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

図１は本発明の第１実施形態における電子部品試験装置を示す概略断面図、図２及び図３は本発明の第１実施形態におけるテストヘッドを示す断面図、図４は本発明の第１実施形態における電子部品冷却装置を示すブロック図、図５は図３のV-V線に沿ったウォータジャケットを示す断面図、図６は図５のVI-VI線に沿った断面図、図７は図５のVII部の拡大図、図８は図７のA₁-A₂線に沿った通路の流路断面積を示すグラフ、図９は図７のA₁-A₂線に沿った冷媒の流速分布を示すグラフ、図１０は図７のB₁-B₂線に沿った冷媒の流速分布を示すグラフ、図１１は図７のA₁-A₂線に沿った断面図、図１２は本発明の第１実施形態に係るウォータジャケットと従来構造のウォータジャケットとの冷却性能を比較したグラフである。

本発明の第１実施形態における電子部品試験装置は、図１に示すように、例えば、ＤＵＴを取り廻すためのハンドラ１と、ＤＵＴと電気的に接続されるテストヘッド１０と、テストヘッド１０を介してＤＵＴに試験信号を送出し、ＤＵＴのテストを実行するテスタ本体２と、から構成されている。この電子部品試験装置は、ＤＵＴに高温又は低温の熱ストレスを印加した状態で、ＤＵＴが適切に動作するか否かを試験（検査）し、当該試験結果に応じてＤＵＴを分類する装置である。

図１に示すように、テストヘッド１０の上部には、ＤＵＴのテストの際に、ＤＵＴに電気的に接続されるソケット１１が設けられている。このソケット１１は、同図に示すように、ハンドラ１に形成された開口１ａを介して、ハンドラ１の内部に臨んでおり、ハンドラ１内を搬送されてきたＤＵＴがこのソケット１１に押し付けられる。なお、ハンドラ１としては、ヒートプレートタイプやチャンバタイプのものを用いることができる。

ソケット１１は、ＤＵＴの入出力端子に電気的に接触するコンタクトピン（不図示）を多数有しており、図２及び図３に示すようにソケットボード１２に実装されている。ソケットボード１２は、ケーブル１３を介して、パフォーマンスボード１４に電気的に接続されている。本実施形態では、例えば１０個のソケット１１がソケットボード１２上に２行５列に配列されている。

テストヘッド１０内には、複数（本例では１０枚）のピンエレクトロニクスカード２０が収容されており、パフォーマンスボード１４は、各ピンエレクトロニクスカード２０に電気的に接続されている。

本実施形態では、図２及び図３に示すように、複数のピン２５を保持している保持部２６がピンエレクトロニクスカード２０の上端部に設けられている。各ピン２５が、パフォーマンスボード１４の下面に設けられたパッドに接触することで、パフォーマンスボード１４とピンエレクトロニクスカード２０とが電気的に接続されるようになっている。なお、本発明においては、パフォーマンスボード１４とピンエレクトロニクスカード２０との間の接続方式は上記のものに限定されず、例えばケーブルやコネクタ等を用いた接続方式であってもよい。

ピンエレクトロニクスカード２０の下端部にはコネクタ２７が設けられている。このコネクタ２７は、テストヘッド１０の底部に位置しているバックボード２８に接続されている。さらに、このバックボード２８は、ケーブル２９を介してテスタ本体２に接続されている。

なお、本実施形態では、１０枚のピンエレクトロニクスカード２０が直立して並んでいるが、特にこれに限定されず、ピンエレクトロニクスカードの枚数を任意に設定することができる。また、ピンエレクトロニクスカードを水平方向に沿って設けてもよい。

ピンエレクトロニクスカード２０は、ＤＵＴの試験に用いられる複数の試験用デバイス２１と、当該試験用デバイス２１が両面に実装されているカード基板２４と、から構成されている。試験用デバイス２１の具体例としては、例えば、テスト信号を取り扱うためにＬＳＩ等が組み込まれた高周波回路や、試験用の電力をＤＵＴに供給するためにスイッチングレギュレータ等が組み込まれた電源回路等を例示することができる。また、カード基板２４の具体例としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂等から構成されるプリント基板や、ガラス基板、セラミック基板等を例示することができる。このピンエレクトロニクスカード２０には、後述するように、試験用デバイス２１を冷却するためにウォータジャケット５０が両面に装着されている。

さらに、本実施形態における電子部品試験装置は、ピンエレクトロニクスカード２０に実装されている試験用デバイス２１を冷却するための電子部品冷却装置３０を備えている。この電子部品冷却装置３０は、図４に示すように、各ピンエレクトロニクスカード２０にそれぞれ装着されたウォータジャケット５０と、ウォータジャケット５０に冷媒を供給するためのチラー４０と、ウォータジャケット５０とチラー４０との間で冷媒を循環させる配管系４４〜４９と、を備えている。チラー４０は、冷媒を冷却する熱交換器４１と、冷媒を圧送するポンプ４２と、冷媒の圧力の上限を規制するための圧力スイッチ４３と、を有している。なお、試験用デバイス２１を冷却するための冷媒の具体例としては、例えば、フッ素系不活性液体（例えばスリーエム社製フロリナート（Fluorinert）（登録商標））等の電気絶縁性に優れた液体を例示することができる。

ポンプ４２により送り出された冷媒は、熱交換器４１で冷却された後、主管４４を介して上流側の分岐ユニット４５に至り、この分岐ユニット４５で各支管４６に分配されてそれぞれのウォータジャケット５０に供給される（ポンプ４２→熱交換器４１→主管４４→分岐ユニット４５→各支管４６→各ウォータジャケット５０）。

一方、各ウォータジャケット５０の通路５１内を通過した冷媒は、各支管４９を介して、下流側の分岐ユニット４８で合流し、さらに下流側の主管４７を介してチラー４０のポンプ４２に戻るようになっている（各ウォータジャケット５０→各支管４９→分岐ユニット４８→主管４７→ポンプ４２）。

本実施形態におけるウォータジャケット５０は、図５及び図６に示すように、チラー４０から供給された冷媒が流れる通路５１を有している。このウォータジャケット５０は、試験用デバイス２１が通路５１内に位置した状態で、カード基板２４にネジ止め等により固定されている。カード基板２４とウォータジャケット５０との間には、Ｏリング等のシール部材５７が介装されており、通路５１内が密閉されている。このウォータジャケット５０の通路５１内に冷媒を流すことで、試験用デバイス２１に冷媒が直接接触して試験デバイス２１を冷却するようになっている。なお、図５には、ウォータジャケット５０において通路５１の最上段しか図示していないが、実際には、例えば通路５１がウォータジャケットの全面に蛇行するように形成されている。

通路５１の最上段には、試験用デバイス２１の中でも特に自己発熱の大きな半導体チップを有するＭＣＭ（Multi Chip Module）２２Ａが配置されている。それぞれのＭＣＭ２２Ａは、図７に示すように、３つのベアチップ２２２〜２２４と、当該ベアチップ２２２〜２２４が実装されたモジュール基板２２１と、を有している。３つのベアチップの中でも、第１及び第２のベアチップ２２２，２２３は自己発熱が特に大きなデバイスである。これに対し、第３のベアチップ２２４は、第１及び第２のベアチップ２２２，２２３と比較して自己発熱の小さなデバイスである。モジュール基板２２１の具体例としては、例えば、ガラスセラミック基板等の低熱膨張基板を例示することができる。

図５に示すように、通路５１の最上段には入口５１ａが形成されており、この入口５１ａに上流側の支管４６が接続されている。通路５１において入口５１ａの下流には８個のＭＣＭ２２Ａが一列に並んで収容されている。これらＭＣＭ２２Ａの周りを通過した冷媒は、特に図示しないが、通路５１に沿って蛇行しながらカード基板２４上の他の電子部品を冷却した後、出口（不図示）に接続された下流側の支管４９に至るようになっている。

通路５１は、互いに隣接するＭＣＭ２２Ａ同士の間に設けられた隔壁５２を有している。隣接する隔壁５２の間にブロック５３が画定されており、各ブロック５３の中にＭＣＭ２２Ａが一つずつ収容されている。

なお、図５及び図７に示すように、各ブロック５３は、ＭＣＭ２２Ａ以外の電子部品２３Ａを収容するために拡大領域５３ａを有しているが、ブロック５２内にＭＣＭ２２Ａのみを収容する場合には拡大領域５３ａは不要である。

図１３は本発明の第２実施形態におけるウォータジャケットを示す断面図である。ブロック５２内に比較的サイズの大きな電子部品２３Ｂを収容する場合には、図１３に示すように、第１の隔壁５２Ａに隣接する第２の隔壁５２Ｂから、当該第１の隔壁５２Ｂを分岐させてもよい。

図５に示すように、各隔壁５２には、通路５１において他の部分よりも流路断面積が小さくなっている絞り部５４がそれぞれ設けられている。図７に示すように、それぞれの絞り部５４の開口幅ｗは、冷媒の流通方向に対して実質的に直交する方向に沿ったＭＣＭ２２Ａ全体の長さＬよりも小さくなっており（ｗ＜Ｌ）、本実施形態では絞り部５４の開口幅ｗが、第１のベアチップ２２２の図７中の縦方向の長さ程度となっており、図８に示すように、この絞り部５４において流路断面積が狭くなっている。なお、本実施形態では、９個の絞り部５４１〜５４９を総称して絞り部５４と称し、９個の絞り部５４１〜５４９の開口幅ｗ１〜ｗ９の総称して開口幅ｗと称する。

本実施形態では、流路断面積が小さくなっている絞り部５４がＭＣＭ２２Ａの直ぐ上流に設けられているので、図９に示すように、絞り部５４を備えていない従来構造（図９中にて破線で示す。）と比較して、絞り部５４の下流における冷媒の流速が上がり、冷却効率を高めることができる。特に、図１０に示すように、冷媒の慣性と粘性の影響により、冷媒の流通方向において絞り部５４の直下に位置する半導体チップ２１，２２（図１０における位置Ｂ_３）における流速が著しく上がる。また、冷媒の流速が上がることで、重力による冷媒の流線の変化を抑制することができる。さらに、本実施形態では、絞り部５４がＭＣＭ２２Ａの下流にも位置しているので、冷媒の流線の発散を抑制することができる。なお、図１０において、実際には、冷媒の粘性により拡大領域５３ａには二次流れ（渦）が発生し、図中の破線のような分布を示す。また、図８〜１０において、後述する段差部５１ｄによる影響は考慮していない。

図７に示すように、本実施形態では、各絞り部５４は、冷媒の流通方向に沿って第１及び第２のベアチップ２２２，２２３と同一直線状に位置している。このため、第１及び第２のベアチップ２２２，２２３に冷媒を集中的に当てることができ、冷却効率を更に高めることができる。

また、本実施形態では、図１１に示すように、通路５１において第１のベアチップ２２２と第２のベアチップ２２３との間の天井面５１ｃに段差部５１ｄが設けられている。この段差部５１ｄにより通路５１の流路断面積が上流側よりも下流側で小さくなっており、第２のベアチップ２２３の周りを流れる冷媒は、第１のベアチップ２２２の周りを流れる冷媒よりも速くなっている。高発熱のベアチップ２２２，２２２３が冷媒の流通方向に沿って並んでいる場合、上流側のベアチップ２２２の自己発熱により下流側のベアチップ２２３の温度が高くなり、第１及び第２のベアチップ２２２，２２３の間で温度差が生じてしまう。これに対し、本実施形態では、通路５１の段差部５１ｄにより流路断面積を小さくすることで、上流側のベアチップ２２２による温度上昇分を相殺して温度差を低減することができる。

図１４及び図１５は本発明の第３及び第４実施形態におけるウォータジャケットを示す拡大断面図、図１６及び図１７は本発明の第５及び第６実施形態におけるウォータジャケットの絞り部を示す拡大断面図である。

図１４に示すように、絞り部５４を、第１及び第２のベアチップ２２２，２２３と同一直線上に設けず、冷媒の流れが第１のベアチップ２２２に向くように、絞り部５４に整流板５５を設けてもよい。

また、図１５に示すように、一つのＭＣＭ２２Ｂにおいて高発熱ベアチップ２２２、２２３，２２５，２２６が多数実装されている場合には、それに応じて隔壁５２に複数の絞り部５４を設けてもよい。

さらに、図１６や図１７に示すように、絞り部５４に板状のバッフル５６Ａや円柱状のバッフル５６Ｂを配置して、ＭＣＭ２２Ａの第１及び第２のベアチップ２２２，２２３上に冷媒の乱流を発生させてもよい。

図５に戻り、本実施形態では、それぞれの隔壁５２に設けられた絞り部５４１〜５４９の開口幅ｗ１〜ｗ９が、下流に向かうに従って除々に狭くなっている（ｗ１＞ｗ２＞ｗ３＞ｗ４＞ｗ５＞ｗ７＞ｗ８＞ｗ９）。全ての絞り部の開口幅を一定すると、上流側のＭＣＭの自己発熱により下流側のＭＣＭの温度が高くなり、図１２に示すように、上流側のＭＣＭと下流側ＭＣＭとの間で温度差が生じてしまう。これに対し、本実施形態では、上記の構成により、下流に行くほど冷媒の流速を上げることで、上流側のＭＣＭ２２Ａによる温度上昇分を相殺し、図１２に示すように各ＭＣＭ２２Ａの温度が実質的に同一となっている。なお、図５において絞り部５４２〜５４８の開口幅ｗ２〜ｗ８を図示していない。また、図１２におけるＭＣＭの数は、図５におけるＭＣＭ２２Ａの数と一致していないが、図１２は第１実施形態の変形例であり、本発明においては通路内に配置されるＭＣＭの数は任意に設定することができる。

また、従来は最も下流側のＭＣＭの温度を基準に設計していたため、上流側では過冷却となっており、無駄に冷却を行っていた。これに対し、本実施形態では、上記の通り、上流側及び下流側のＭＣＭの温度が実質的に同一となっているため、無駄な冷却を低減することができる。

なお、一列に配列されたＭＣＭの仕様が相違し、ベアチップの発熱量が異なる場合には、絞り部の開口幅が下流に向かうに従って除々に狭くなるとは限らず、ＭＣＭが目標温度となるようにそれぞれの絞り部の開口幅を個別的に設定する必要がある。

図１８Ａ及び図１８Ｂは冷却対象である電子部品の第１変形例を示す平面図及び断面図、図１９Ａ及び図１９Ｂは冷却対象である電子部品の第２変形例を示す平面図及び断面図、図２０Ａ及び図２０Ｂは冷却対象である電子部品の第３変形例を示す平面図及び断面図である。

絞り部５４の下流に位置するデバイスが、図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、モジュール基板６１と、モジュール基板６１上に実装された半導体チップ６２と、半導体チップ６２上に設けられた金属製の放熱フィン６３と、から構成されたＭＣＭ６０であってもよい。また、絞り部５４の下流側に位置するデバイスが、図１９Ａ及び図１９Ｂに示すように、モジュール基板７１、半導体チップ７２及び放熱フィン７３を、樹脂パッケージ７４で封止した半導体パッケージ７０であってもよい。或いは、絞り部５４の下流側に位置するデバイスが、図２０Ａ及び図２０Ｂに示すように、半導体チップ８１を樹脂パッケージ８２に封止した半導体パッケージ８０であってもよい。なお、放熱フィンの取付位置は、電子部品の上面以外の任意の位置に設定することができる。

本発明においては、上記に例示した電子部品に限定されず、半導体チップをモジュール化し又はパッケージングした全ての電子部品を含む。なお、いずれの場合にも、半導体チップを狙うように絞り部５４をウォータジャケット５０に設ける。また、電子部品全体が発熱する場合であっても、絞り部５４により冷媒の流速を上げて当該電子部品の一部を集中的に冷却してもよい。

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、絞り部５４の開口幅を可変とし、ＭＣＭ２２Ａにおいて第１及び第２のベアチップ２２２，２２３の停止時には開口幅を広げ、第１及び第２のベアチップ２２２，２２３の動作時には開口幅を狭めて冷却効率を高めてもよい。

また、上述の実施形態では、ハンドラを用いた後工程における電子部品試験装置について説明したが、特にこれに限定されず、プローバを用いた前工程における電子部品試験装置に本発明を適用しても良い。

Claims (13)

1. 基板に実装された電子部品を冷媒により冷却するために、前記基板に装着されるウォータジャケットであって、
   前記電子部品を収容可能であると共に、前記冷媒が流通可能な通路を備えており、
   前記通路は、流路断面積が他の部分よりも小さくなっている絞り部を、前記電子部品の上流に有しており、
   前記通路は、前記各電子部品の間を仕切る隔壁を有し、
   前記絞り部は、前記隔壁に設けられているウォータジャケット。
2. 前記絞り部は、前記電子部品よりも小さな開口幅を有する請求項１記載のウォータジャケット。
3. 前記絞り部は、前記冷媒の流通方向に沿って、前記電子部品が有する半導体チップと同一直線上に設けられている請求項２記載のウォータジャケット。
4. 前記電子部品が有する半導体チップに前記冷媒を方向付ける指向手段を備えた請求項２記載のウォータジャケット。
5. 前記絞り部は、前記電子部品の下流にも設けられている請求項１〜４の何れかに記載のウォータジャケット。
6. 前記通路は、複数の前記電子部品を並べた状態で収容することが可能であり、
   複数の前記絞り部が、前記各電子部品の上流にそれぞれ設けられている請求項１〜５の何れかに記載のウォータジャケット。
7. 前記複数の絞り部は、前記電子部品の発熱量に応じて相互に異なる開口幅を有する請求項６記載のウォータジャケット。
8. 前記複数の絞り部の開口幅は、下流に向かうに従って小さくなっている請求項７記載のウォータジャケット。
9. 前記隔壁は、第１の隔壁と、前記第１の隔壁に隣接している第２の隔壁と、を含み、
   前記第１の隔壁は、前記第２の隔壁から分岐している請求項１記載のウォータジャケット。
10. 前記通路は、前記電子部品が有する第１の半導体チップと、前記電子部品が有する第２の半導体チップとの間に、上流から下流に向かって流路断面積を小さくする段差部を有する請求項１〜９の何れかに記載のウォータジャケット。
11. 前記通路は、前記冷媒の乱流を生成する乱流生成手段を有する請求項１〜１０の何れかに記載のウォータジャケット。
12. 基板に実装された電子部品を冷媒により冷却する電子部品冷却装置であって、
    請求項１〜１１記載の何れかにウォータジャケットと、
    前記ウォータジャケットの前記通路に冷媒を供給する冷媒供給手段と、を備えた電子部品冷却装置。
13. 被試験電子部品の試験を行う電子部品試験装置であって、
    前記被試験電子部品に電気的に接触するコンタクト部と、
    試験用電子部品が実装されていると共に、前記コンタクト部に電気的に接続された基板と、
    請求項１２記載の電子部品冷却装置と、を備え、
    前記電子部品冷却装置が有する前記ウォータジャケットは、前記試験用電子部品を冷媒により冷却するために前記基板に装着されている電子部品試験装置。

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