KR20080097688A - 반도체 패키지의 검사 장치 및 이를 이용한 반도체패키지의 검사 방법 - Google Patents

반도체 패키지의 검사 장치 및 이를 이용한 반도체패키지의 검사 방법 Download PDF

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KR20080097688A
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Abstract

반도체 패키지의 검사 장치는 반도체 패키지를 테스트하기 위한 공간을 제공하며 하부가 개방된 챔버, 상기 챔버의 상부에 설치되며 상기 챔버 내에 소정의 온도 분위기를 형성하기 위한 제1 가스를 강제 공급하기 위한 가스 공급부 및 상기 챔버의 외측에 형성되어 상기 챔버의 내부와 외부의 온도차를 감소시키기 위한 제2 가스가 순환되는 가스 순환부를 포함한다. 따라서, 저온의 온도 분위기가 형성된 챔버의 외측에 결로가 형성되는 것을 방지할 수 있게 된다. 이리하여, 장시간 동안 반도체 패키지의 전기적 특성을 정확하게 검사할 수 있으며, 상기 반도체 패키지가 탑재된 테스트 보드의 고장을 방지할 수 있다.

Description

반도체 패키지의 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 검사 방법{Apparatus for testing a semiconductor package and Method of testing a semiconductor package using the same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 검사 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1의 반도체 패키지의 검사 장치의 가스 순환부를 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1의 반도체 패키지의 검사 장치를 이용하여 반도체 패키지를 검사하는 방법을 나타내는 순서도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 반도체 패키지의 검사 장치 101 : 반도체 패키지
110 : 챔버 112 : 가스 공급구
114 : 확산공 116 : 단열 부재
120 : 가스 공급부 122 : 제1 가스 공급 유닛
130 : 가스 순환부 132 : 유입구
134 : 유출구 135 : 가스 순환 덕트
136 : 가이드 플레이트 138 : 제2 가스 공급 유닛
150 : 테스트 보드 152 : 테스트 모듈
154 : 테스터 헤드
본 발명은 반도체 패키지의 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 검사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저온 또는 고온 하에서 반도체 패키지의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 검사 방법에 관한 것이다.
현재 반도체 모듈은 고성능 및 고집적화를 목적으로 개발되고 있으며, 이를 위해서는 패키징 기술의 뒷받침이 무엇보다 중요하다. 특히, 패키지 기술에 따라서, 반도체 모듈의 크기, 열방출 능력, 전기적 수행 능력, 신뢰성, 가격 등이 결정된다.
일반적으로, 반도체 패키지 제조 공정은 복수개의 반도체 소자가 내장된 웨이퍼를 개별 반도체 소자로 분리하는 다이싱(dicing)공정, 접착체를 사용하여 상기 반도체 소자를 리드 프레임의 다이 패드(die pad)에 부착하는 다이 본딩(die bonding) 공정, 상기 반도체 소자의 입출력 패드와 리드 프레임의 본드 핑거를 도전 와이어로 연결하는 와이어 본딩(wire bonding) 공정, 상기 반도체 소자를 외부 환경으로부터 보호하도록 열경화성 수지로 봉지하는 몰딩(molding) 공정, 상기 리드 프레임으로부터 반도체 패키지를 개개의 디바이스로 분리하여 소정의 형태로 형 성하는 트림/폼(trim/form) 공정과, 외면에 상표 및 제품 번호를 인쇄하는 마킹(marking) 공정으로 이루어진다.
반도체 패키지 공정을 수행한 후, 이를 통해 제조된 반도체 패키지를 검사하는 검사 공정이 진행된다. 일반적으로, 상기 검사 공정에서는, 상온보다 높거나 낮은 온도 환경에서 복수의 반도체 패키지의 전기적 특성을 검사한다.
반도체 패키지의 특성을 분석하기 위한 검사장치는 테스트 환경을 제공하는 테스트 챔버를 포함하고, 상기 테스트 챔버의 하부에는 반도체 패키지가 탑재된 테스트 보드가 삽입된다. 특히, 상온보다 낮은 온도 환경에서 반도체 패키지의 특성을 분석할 경우, 상기 테스트 챔버 내에는 상온 보다 낮은 온도를 갖는 가스가 공급되어 저온의 테스트 환경이 챔버 내에 형성된다.
이 때, 상기 테스트 챔버 내의 온도가 이슬점 온도 이하의 저온으로 장시간 유지되면, 상기 테스트 챔버의 내부와 외부의 온도차이가 발생하게 된다. 상기 온도 차이에 의해 상기 테스트 챔버의 외부면에는 결로가 생기게 되고, 상기 결로가 녹으면서 물방울들이 맺히게 된다. 상기 물방울은 상기 테스트 챔버의 하부에 배치된 테스트 보드 내로 유입되어 상기 테스트 보드의 배선과 접촉하게 된다. 따라서, 상기 테스트 보드 내의 배선에서는 상기 물방울에 의해 누설(leakage) 또는 단선(short)이 발생하게 되고, 이로 인해 상기 검사 장치의 파손 및 생산성 저하를 초래하게 되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 저온의 테스트 환경을 제공하는 챔버의 외부와 내부와의 온도차를 감소시킬 수 있는 반도체 패키지의 검사 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 반도체 패키지의 검사 장치를 이용하여 반도체 패키지를 검사하는 검사 방법을 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체 패키지의 검사 장치는 반도체 패키지를 테스트하기 위한 공간을 제공하며 하부가 개방된 챔버, 상기 챔버의 상부에 설치되며 상기 챔버 내에 소정의 온도 분위기를 형성하기 위한 제1 가스를 강제 공급하기 위한 가스 공급부 및 상기 챔버의 외측에 형성되어 상기 챔버의 내부와 외부의 온도차를 감소시키기 위한 제2 가스가 순환되는 가스 순환부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 가스 순환부는 상기 챔버의 상부에 형성되며 상기 제2 가스가 유입되는 유입구, 상기 유입구로부터 유입된 제2 가스를 상기 챔버의 외측을 따라 나선형으로 순환시키는 가스 순환 덕트 및 상기 챔버의 하부에 형성되며, 상기 가스 순환 덕트로부터 상기 제2 가스가 배출되는 유출구를 포함할 수 있다. 또한, 상기 가스 순환 덕트에는 상기 챔버의 측벽에 대하여 소정의 기울기를 갖는 가이드 플레이트가 형성될 수 있다. 더욱이, 상기 가스 순환부는 상기 유입구에 연결되어 상기 제2 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급 유닛을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 가스 공급부는 상기 챔버의 상부에 형성된 가스 공급구에 연결되어 상기 제1 가스를 공급하기 위한 제1 가스 공급 유닛 을 포함할 수 있다.
또한, 상기 반도체 패키지 검사 장치는 상기 챔버와 상기 가스 순환부 사이에 형성된 단열 부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 가스는 제1 온도를 갖고, 상기 제2 가스는 제2 온도를 갖으며, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높은 것을 특징으로 할 수 있다. 상기 제2 가스는 공기를 포함할 수 있다.
상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 패키지의 검사 방법에 있어서, 챔버 내에 반도체 패키지를 배치시킨다. 상기 반도체 패키지 상에 상기 챔버 내에 소정의 온도 분위기를 형성하기 위한 제1 가스를 공급한다. 상기 챔버의 내부와 외부의 온도차를 감소시키기 위하여 상기 챔버의 외측을 따라 제2 가스를 순환시킨다. 상기 온도 분위기 하에서 상기 반도체 패키지의 특성을 테스트한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 가스를 순환시키는 단계는 상기 제2 가스를 상기 챔버의 상부에서 하부로 나선형으로 순환시키는 것을 특징으로 할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 패키지의 검사장치는 저온 또는 고온의 온도 분위기가 형성된 챔버의 외측에 형성되며, 상기 챔버의 내부와 외부의 온도차를 감소시키기 위한 가스가 순환되는 가스 순환부를 포함한다.
상기 가스 순환부를 통해 상기 가스는 상기 챔버의 외측을 따라 순환하게 되어, 상기 챔버의 외부와 내부의 온도차를 감소시킨다. 따라서, 저온의 온도 분위기 가 형성된 챔버의 외측에 결로가 형성되는 것을 방지할 수 있게 된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지의 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 검사 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않 는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 검사 장치(100)를 나타내는 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1의 반도체 패키지의 검사 장치(100)의 가스 순환부(130)를 나타내는 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 검사 장치(100)는 반도체 패키지(101)를 테스트하기 위한 공간을 제공하는 챔버(110), 챔버(110)의 상부에 설치되는 가스 공급부(120) 및 챔버(110)의 외측에 형성되는 가스 순환부(130)를 포함한다.
챔버(110)의 상부에는 가스 공급구(112)가 형성될 수 있다. 가스 공급부(120)는 챔버(110) 내에 소정의 온도 분위기를 형성하기 위한 제1 가스를 가스 공급구(112)를 통해 챔버(110) 내로 강제 공급한다. 본 발명에 따르면, 가스 공급구(112)를 통해 유입된 제1 가스는 챔버(110)의 상부에 형성된 확산공들(114)을 통해 균일하게 챔버(110) 내로 공급될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 챔버(110)는 상부벽과 4개의 측벽을 갖는 육면체 형상을 가질 수 있으며, 챔버(110)는 알루미늄을 포함할 수 있다. 구체적으로, 챔버(110)의 하부는 개방되고, 상기 챔버의 하부에는 반도체 패키지(101)가 탑재된 테스트 보드(150)가 배치될 수 있다. 테스트 보드(150)는 챔버(110)의 측벽들과 인접하여 챔버(110)의 하부에 배치될 수 있다. 즉, 챔버(110) 내로 유입된 제1 가스는 테스트 보드(150)와 챔버(110)의 측벽들 사이의 소정의 간격을 통해 외부로 배출될 수 있다. 이와 달리, 테스트 보드(150)는 챔버(110)의 측벽들과 접촉하여 배치되고, 챔버(110)내로 유입된 제1 가스는 챔버(110)의 일측벽에 형성된 배출구(도시되지 않음)를 통해 배출될 수 있다.
테스트 보드(150)는 반도체 패키지(101)가 삽입되는 테스트 모듈(152)을 포함할 수 있다. 또한, 테스트 보드(150)는 테스터 헤드(tester head)(154) 상에 지지된다. 테스터 헤드(154)는 테스트 모듈(152)을 통해 반도체 패키지(101)에 입출력되는 검사 신호를 이용하여 반도체 패키지(101)의 전기적 특성을 검사하게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 가스 공급부(120)는 챔버(110)의 상부에 형성된 가스 공급구(112)에 연결되어 상기 제1 가스를 공급하기 위한 제1 가스 공급 유닛(122)을 포함할 수 있다. 상기 제1 가스 공급 유닛은 상기 제1 가스를 공급하고, 상기 제1 가스는 챔버(110)의 상부에 형성된 가스 공급구(112)를 통해 챔버(110) 내로 공급된다. 예를 들면, 상기 제1 가스 공급 유닛은 액화 질소 공급원을 포함할 수 있으며, 액화 질소를 포함하는 제1 가스를 챔버(110)로 공급할 수 있다.
상기 제1 가스는 제1 온도를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 가스의 제1 온도는 약 -90℃ 내지 약 20℃ 일 수 있다. 상기와 같은 저온의 제1 가스는 가스 공급구(112)를 통해 챔버(110) 내의 반도체 패키지(101)를 향해 공급될 수 있다. 구체적으로, 약 20℃의 상온의 제1 가스가 공급될 경우, 상온의 온도 분위기 하에서 반도체 패키지(101)의 전기적 특성을 검사하게 된다. 또한, 약 -90℃의 저온의 제1 가스가 공급될 경우, 극저온의 온도 분위기 하에서 반도체 패키지(101)가 정상적인 작동을 수행하는 지 여부를 검사하게 된다.
이와 달리, 상기 제1 가스 공급 유닛은 고온의 제1 가스를 챔버(110)로 공급할 수 있다. 고온의 제1 가스가 챔버(110) 내로 공급될 경우, 고온의 온도 분위기 하에서 반도체 패키지(101)의 전기적 특성을 검사하게 된다.
가스 순환부(130)는 챔버(110)의 외측에 형성되며, 챔버(110)의 내부와 외부의 온도차를 감소시키기 위한 제2 가스를 순환시킨다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 가스 순환부(130)는 챔버(110)의 상부에 형성되며 상기 제2 가스가 유입되는 유입구(132), 유입구(132)로부터 유입된 제2 가스를 챔버(110)의 외측을 따라 나선형으로 순환시키는 가스 순환 덕트(135) 및 챔버(110)의 하부에 형성되며 가스 순환 덕트(135)로부터 상기 제2 가스가 배출되는 유출구(134)를 포함할 수 있다.
또한, 가스 순환부(130)는 상기 제2 가스가 챔버(110)의 외측을 따라 나선형으로 순환하도록 적어도 하나 이상의 가이드 플레이트(136)를 포함할 수 있다. 가이드 플레이트(136)는 챔버(110)의 측벽에 대하여 소정의 기울기를 가지고 형성될 수 있다.
가스 순환부(130)는 제2 가스 공급 유닛(138)을 포함한다. 가스 순환부(130)의 유입구(132)는 가스 순환부(130)에 상기 제2 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급 유닛(138)과 연결된다. 예를 들면, 상기 제2 가스는 공기를 포함할 수 있다.
이 때, 상기 제2 가스는 제2 온도를 가지며, 상기 제2 가스는 상기 제1 가스의 제1 온도보다 높은 제2 온도를 갖는다.
챔버(110) 내에 배치된 반도체 패키지(101)를 검사하기 위하여, 제1 가스 공 급 유닛(120)은 테스트 환경을 형성하기 위한 소정의 온도를 갖는 제1 가스를 챔버(110) 내로 공급한다. 반도체 패키지(101)를 검사하는 동안, 상기 제2 가스 공급 유닛은 가스 순환부(130)의 유입구(132)로 상기 제2 가스를 공급한다. 공급된 제2 가스는 챔버(110)의 외측을 따라 순환된다. 챔버(110)의 외측을 따라 순환하는 제2 가스는 상기 제1 가스의 제1 온도보다 높은 제2 온도를 가지며, 이에 따라, 챔버(110)의 외부와 내부의 온도차를 감소시킨다. 따라서, 챔버(110)의 외측에 결로가 형성되는 것을 방지할 수 있게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 챔버(110)와 가스 순환부(130) 사이에 단열 부재(116)가 형성될 수 있다. 단열 부재(116)는 스티로폼과 같은 단열재를 포함할 수 있다. 단열 부재(116)는 고온의 온도 분위기 하에서 반도체 패키지(101)의 전기적 특성을 검사할 경우, 챔버(110) 내의 온도를 용이하게 고온으로 유지하게 할 수 있다.
도 3은 도 1의 반도체 패키지의 검사 장치를 이용하여 반도체 패키지를 검사하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3을 참조하면, 챔버 내에 반도체 패키지와 같은 디바이스를 배치시킨다.(S100) 구체적으로, 반도체 패키지 공정을 수행하여 제조된 반도체 패키지는 상기 챔버 내에 배치된다. 상기 챔버는 하부가 개방되어, 상기 챔버의 하부에는 상기 반도체 패키지가 탑재된 테스트 보드가 배치될 수 있다.
이 후, 상기 반도체 패키지 상에 상기 챔버 내에 소정의 온도 분위기를 형성하기 위한 제1 가스를 공급한다.(S200) 상기 챔버의 상부에는 가스 공급구가 형성 되고, 상기 제1 가스는 상기 가스 공급구를 통해 외부의 제1 가스 공급 유닛으로부터 상기 챔버 내로 공급된다.
예를 들면, 상기 제1 가스는 액화 질소를 포함할 수 있다. 또한, 제1 가스의 온도는 약 -90℃ 내지 약 20℃ 일 수 있다. 상기와 같은 저온의 제1 가스는 상기 가스 공급구를 통해 상기 챔버 내의 반도체 패키지로 공급될 수 있다. 구체적으로, 약 20℃의 상온의 제1 가스가 공급될 경우, 상온의 온도 분위기 하에서 반도체 패키지의 전기적 특성을 검사하게 된다. 또한, 약 -90℃의 저온의 제1 가스가 공급될 경우, 극저온의 온도 분위기 하에서 상기 반도체 패키지가 정상적인 작동을 수행하는 지 여부를 검사하게 된다.
이와 달리, 고온의 제1 가스가 상기 챔버 내로 공급할 수 있다. 고온의 제1 가스가 상기 챔버 내로 공급될 경우, 고온의 온도 분위기 하에서 상기 반도체 패키지의 전기적 특성을 검사하게 된다.
공급된 제1 가스에 의해 상기 챔버가 소정의 온도를 갖게 되면, 상기 챔버의 내부와 외부의 온도차를 감소시키기 위하여 상기 챔버의 외측을 따라 제2 가스를 순환시킨다.(S300) 상기 챔버의 외측에는 가스 순환부가 형성될 수 있다. 상기 가스 순환부는 상기 챔버의 외측을 따라 가스가 순환되도록 형성된 덕트를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 가스는 공기를 포함할 수 있다.
이에 따라, 저온의 온도를 갖는 챔버의 외측을 따라 상기 제2 가스가 순환함으로써, 상기 챔버의 외측에 결로가 생기는 것을 방지할 수 있게 된다.
상기 챔버의 외측을 따라 상기 제2 가스를 순환시키면서, 상기 온도 분위기 하에서 상기 반도체 패키지의 특성을 테스트한다.(S400)
상기 반도체 패키지의 검사 공정에 있어서, 상기 반도체 패키지는 상기 테스트 보드의 테스트 모듈에 삽입되고, 상기 테스트 보드는 테스터 헤드 상에 지지된다. 상기 테스터 헤드는 상기 테스트 모듈을 통해 상기 반도체 패키지에 입출력되는 검사 신호를 이용하여 상기 반도체 패키지의 전기적 특성을 검사하게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 패키지의 검사장치는 저온 또는 고온의 온도 분위기가 형성된 챔버의 외측에 형성되며, 상기 챔버의 내부와 외부의 온도차를 감소시키기 위한 가스가 순환되는 가스 순환부를 포함한다.
상기 가스 순환부를 통해 상기 가스는 상기 챔버의 외측을 따라 순환하게 되어 상기 챔버의 외부와 내부의 온도차를 감소시킨다. 따라서, 저온의 온도 분위기가 형성된 챔버의 외측에 결로가 형성되는 것을 방지할 수 있게 된다. 이리하여, 장시간 동안 저온의 온도 분위기 하에서 반도체 패키지의 전기적 특성을 정확하게 검사할 수 있으며, 상기 반도체 패키지가 탑재된 테스트 보드의 고장을 방지하고, 생산성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (12)

  1. 반도체 패키지를 테스트하기 위한 공간을 제공하며, 하부가 개방된 챔버;
    상기 챔버의 상부에 설치되며, 상기 챔버 내에 소정의 온도 분위기를 형성하기 위한 제1 가스를 강제 공급하기 위한 가스 공급부; 및
    상기 챔버의 외측에 형성되어, 상기 챔버의 내부와 외부의 온도차를 감소시키기 위한 제2 가스가 순환되는 가스 순환부를 포함하는 반도체 패키지의 검사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 순환부는
    상기 챔버의 상부에 형성되며, 상기 제2 가스가 유입되는 유입구;
    상기 유입구로부터 유입된 제2 가스를 상기 챔버의 외측을 따라 나선형으로 순환시키는 가스 순환 덕트; 및
    상기 챔버의 하부에 형성되며, 상기 가스 순환 덕트로부터 상기 제2 가스가 배출되는 유출구를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 검사 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 가스 순환 덕트에는 상기 챔버의 측벽에 대하여 소정의 기울기를 갖는 가이드 플레이트가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 검사 장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 가스 순환부는 상기 유입구에 연결되어 상기 제2 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 검사 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 공급부는 상기 챔버의 상부에 형성된 가스 공급구에 연결되어 상기 제1 가스를 공급하기 위한 제1 가스 공급 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 검사 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 챔버와 상기 가스 순환부 사이에 형성된 단열 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 검사 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 가스는 제1 온도를 갖고, 상기 제2 가스는 제2 온도를 갖으며, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 검사 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 가스는 공기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 검사 장치.
  9. 챔버 내에 반도체 패키지를 배치시키는 단계;
    상기 반도체 패키지 상에 상기 챔버 내에 소정의 온도 분위기를 형성하기 위 한 제1 가스를 공급하는 단계;
    상기 챔버의 내부와 외부의 온도차를 감소시키기 위하여 상기 챔버의 외측을 따라 제2 가스를 순환시키는 단계; 및
    상기 온도 분위기 하에서 상기 반도체 패키지의 특성을 테스트하는 단계를 포함하는 반도체 패키지의 검사 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제2 가스를 순환시키는 단계는 상기 제2 가스를 상기 챔버의 상부에서 하부로 나선형으로 순환시키는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 검사 방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 가스는 제1 온도를 갖고, 상기 제2 가스는 제2 온도를 갖으며, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 검사 장치.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 제2 가스는 공기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 검사 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101996561B1 (ko) * 2018-01-10 2019-07-04 주식회사 제이에스티 열풍장치
KR20210039361A (ko) * 2018-08-27 2021-04-09 주식회사 제이에스티 사이드 블로워 시스템을 포함하는 열충격 테스터
CN113608088A (zh) * 2020-05-04 2021-11-05 南亚科技股份有限公司 半导体元件的测试设备及其测试方法

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