TWI785282B - 調溫裝置 - Google Patents

調溫裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI785282B
TWI785282B TW108140056A TW108140056A TWI785282B TW I785282 B TWI785282 B TW I785282B TW 108140056 A TW108140056 A TW 108140056A TW 108140056 A TW108140056 A TW 108140056A TW I785282 B TWI785282 B TW I785282B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
plate
thermoelectric module
top plate
bottom plate
mentioned
Prior art date
Application number
TW108140056A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202027212A (zh
Inventor
小林敦
堀越真人
大久保英明
清澤航
Original Assignee
日商科理克股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商科理克股份有限公司 filed Critical 日商科理克股份有限公司
Publication of TW202027212A publication Critical patent/TW202027212A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI785282B publication Critical patent/TWI785282B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Temperature-Responsive Valves (AREA)

Abstract

調溫裝置包括：頂板，其支持基板；底板，其以在與頂板之間形成內部空間之方式與頂板連接；熱電模組板，其配置於內部空間中；熱交換板，其配置於內部空間中，且與熱電模組板進行熱交換；第1結合構件，其透過熱電模組板及熱交換板而將頂板與底板結合，且於頂板及底板上分別固定；以及第2結合構件，其透過熱電模組板及熱交換板而將頂板與底板結合，且固定於頂板上，可與底板相對移動。

Description

調溫裝置
本發明係關於調溫裝置。
於半導體裝置之製造步驟中，使用如對基板進行成膜處理之成膜裝置、對基板進行曝光處理之曝光裝置、以及對基板進行蝕刻處理之蝕刻裝置之類的多種半導體處理裝置。於半導體處理裝置中多有設置了調整基板溫度之調溫裝置之情形。例如於對基板進行乾式蝕刻處理之情形時，由於蝕刻速度受到基板之溫度之影響，故而一面利用調溫裝置來調整基板之溫度，一面實行乾式蝕刻處理。專利文獻1中揭示有於半導體處理裝置之真空腔室中調整基板溫度之基板支持組件。專利文獻1中，基板支持組件作為調溫裝置而發揮功能。基板支持組件包括：用以支持基板之頂板、配置於頂板之下方之底板、以及配置於頂板與底板之間之蓋板。於蓋板與底板之間之內部空間中配置熱電模組。熱電模組係與蓋板接合。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-008287號公報
於調溫裝置於高溫環境下使用之情形時，有如下可能性：由於熱電模組以及與熱電模組鄰接之構件中之至少一者之熱變形，而造成過度之應力作用於熱電模組以及構件中之至少一者。其結果為，調溫裝置之至少一部分損傷，有調溫裝置之性能下降之可能性。
本發明之形態之目的為，即便調溫裝置之至少一部分熱變形，亦抑制調溫裝置之性能之下降。
依據本發明之形態，提供一種調溫裝置，其包括：頂板，其支持基板；底板，其以在與上述頂板之間形成內部空間之方式與上述頂板連接；熱電模組板，其配置於上述內部空間中；熱交換板，其配置於上述內部空間中，且與上述熱電模組板進行熱交換；第1結合構件，其透過上述熱電模組板及上述熱交換板而將上述頂板與上述底板結合，且於上述頂板及上述底板上分別固定；第2結合構件，其透過上述熱電模組板及上述熱交換板而將上述頂板與上述底板結合，且固定於上述頂板上，可與上述底板相對移動。
依據本發明之形態，即便調溫裝置之至少一部分熱變形，亦可抑制調溫裝置之性能之下降。
1:半導體處理裝置
2:腔室裝置
2S:內部空間
2T:腔室構件
2U:溫度調整裝置
3:調溫裝置
3S:內部空間
4:頂板
4A:支持面
4B:背面
4C:下表面
4H:螺孔
4T:凸部
4W:貫通孔
5:底板
5A:上表面
5B:下表面
5C:凹部
5D:對向面
5E:支持面
5H:貫通孔
5J:貫通孔
5S:凸部
5T:凸部
5U:凸部
5W:貫通孔
6:熱電模組板
6A:上表面
6B:下表面
6H:貫通孔
6J:貫通孔
6K:貫通孔
7:熱交換板
7A:上表面
7B:下表面
7H:貫通孔
7J:貫通孔
7K:貫通孔
8:結合構件
9:抬升銷
10:密封構件
11:通路
12:黏彈性膜
14:滑動構件
15:墊圈
16:間隔件
20:熱電模組
21:第1絕緣膜
22:第2絕緣膜
23:隔離壁構件
24:熱電半導體元件
24P:p型熱電半導體元件
24N:n型熱電半導體元件
25:第1電極
26:第2電極
40:隔熱材
41:支持部
42:周壁部
51:輪緣部
52:輪輻部
61:第1熱電模組板
62:第2熱電模組板
63:第3熱電模組板
64:第4熱電模組板
65:第5熱電模組板
66:第6熱電模組板
67:第7熱電模組板
81:第1結合構件
81H:頭部
81S:軸部
81W:墊圈
82:第2結合構件
82H:頭部
82S:軸部
82W:墊圈
AX:中心軸
TH:厚度
P1:第1部分
P2:第2部分
W:基板
[圖1]係示意性表示本實施方式之半導體處理裝置之一例之剖面圖。
[圖2]係示意性表示本實施方式之調溫裝置之一例之剖面圖。
[圖3]係表示本實施方式之調溫裝置之一例之分解立體圖。
[圖4]係將本實施方式之熱電模組板之一部分之放大剖面圖。
[圖5]係表示本實施方式之熱電發電模組之一部分之立體圖。
[圖6]係表示本實施方式之第1結合構件之一例之剖面圖。
[圖7]係表示本實施方式之第2結合構件之一例之剖面圖。
[圖8]係表示本實施方式之凸部之一例之剖面圖。
[圖9]係用以對本實施方式之作用進行說明之示意圖。
以下，參照圖式，對本發明之實施方式進行說明，但本發明並不限定於此。以下所說明之實施方式之構成要素可適當組合。又，亦存在不使用其中一部分構成要素之情形。
以下之說明中，設定XYZ直角座標系，參照該XYZ直角座標系來對各部之位置關係進行說明。將與既定面內之X軸平行之方向設為X軸方向。將於既定面內和與X軸正交之Y軸平行之方向設為Y軸方向。將和與既定面正交之Z軸平行之方向設為Z軸方向。包含X軸及Y軸之XY平面係與既定面平行。包含Y軸及Z軸之YZ平面係與XY平面正交。包含X軸及Z軸之XZ平面係與XY平面及YZ平面分別正交。本實施方式中，XY平面係與水平面平行。Z軸方向為鉛直方向。+Z方向(+Z側)為上方向(上側)。-Z方向(-Z側)為下方向(下側)。此外，XY平面相對於水平面而傾斜亦可。
[半導體處理裝置]
圖1係示意性表示本實施方式之半導體處理裝置1之一例之剖面圖。如圖1所示，半導體處理裝置1包括腔室裝置2以及調溫裝置3，該調溫裝置3配置於腔室裝置2之內部空間2S中，且於內部空間2S中調整基板W之溫度。
本實施方式中，半導體處理裝置1包含對基板W進行乾式蝕刻處理之乾式蝕刻裝置。基板W包含半導體晶圓。乾式蝕刻處理中，腔室裝置2之內 部空間2S之壓力調整為低於大氣壓之壓力。內部空間2S之壓力例如調整為200[Pa]。於乾式蝕刻處理中，基板W之溫度係利用調溫裝置3來調整。於腔室裝置2之內部空間2S減壓，且基板W之溫度經調整之狀態下，對腔室裝置2之內部空間2S中供給蝕刻氣體。藉由對內部空間2S中供給蝕刻氣體，而對基板W進行乾式蝕刻處理。
調溫裝置3係於支持基板W之狀態下調整基板W之溫度。調溫裝置3可調整基板W之溫度，來調整蝕刻速度。又，調溫裝置3可調整基板W之溫度分佈。
腔室裝置2包括：形成內部空間2S之腔室構件2T、以及調整腔室構件2T之溫度之溫度調整裝置2U。若利用溫度調整裝置2U來對腔室構件2T進行加熱，則有由調溫裝置3所支持之基板W之溫度較目標溫度而言過度升高，或基板W之溫度分佈未達到目標溫度分佈之可能性。調溫裝置3係以即便腔室構件2T被加熱，基板W亦達到目標溫度之方式，來調整基板W之溫度。調溫裝置3係以即便腔室構件2T被加熱，基板W亦達到目標溫度分佈之方式，來調整基板W之溫度分佈。
[調溫裝置]
圖2係示意性表示本實施方式之調溫裝置3之一例之剖面圖。圖3係表示本實施方式之調溫裝置3之一例之分解立體圖。
如圖1、圖2及圖3所示，調溫裝置3包括：頂板4，其支持基板W；底板5，其以在與頂板4之間形成內部空間3S之方式與頂板4連接；熱電模組板6，其配置於內部空間3S中；熱交換板7，其配置於內部空間3S中，且與熱電模組板6進行熱交換；結合構件8，其將頂板4與底板5結合；抬升銷9，其支持基板W之背面且於Z軸方向上移動；以及密封構件10，其與頂板4及底板5分別接觸。
頂板4、熱電模組板6、熱交換板7及底板5實質上分別為圓板狀。 頂板4、熱電模組板6、熱交換板7及底板5係於Z軸方向上積層。以下之說明中，將於XY平面內通過調溫裝置3之中心且與Z軸平行之假想軸適當稱為調溫裝置3之中心軸AX。
頂板4具有支持基板W之支持面4A。頂板4例如為鋁製。頂板4為不鏽鋼製亦可。支持面4A係朝向+Z方向。頂板4係以基板W之表面與XY平面成為平行之方式，來支持基板W。基板W載置於支持面4A上。
頂板4包括：圓板狀之支持部41，其具有支持面4A以及朝向支持面4A之相反方向之背面4B；以及周壁部42，其與支持部41之周緣部連接，且從支持部41之周緣部向底板5突出。
底板5支持頂板4。底板5例如為鋁製。底板5為不鏽鋼製亦可。底板5配置於較頂板4、熱電模組板6及熱交換板7而言更靠近-Z側。底板5包括：上表面5A，其與頂板4之周壁部42之下表面4C對向；以及對向面5D，其經由間隙而與熱交換板7之下表面7B對向。上表面5A及對向面5D分別朝向+Z方向。對向面5D配置於較上表面5A而言更靠近-Z側。上表面5A為圓環狀。於XY平面內，上表面5A配置於對向面5D之周圍。上表面5A係與周壁部42之下表面4C接觸。藉由周壁部42之下表面4C與底板5之上表面5A之至少一部分接觸，而於頂板4與底板5之間形成調溫裝置3之內部空間3S。
底板5具有從對向面5D向支持部41突出之凸部5T。凸部5T之至少一部分配置於熱交換板7上所設置之貫通孔7J中。凸部5T之至少一部分配置於熱電模組板6上所設置之貫通孔6J中。凸部5T之上端部係與頂板4之支持部41連接。
底板5具有從對向面5D向支持部41突出之凸部5U。於中心軸AX之輻射方向上，凸部5U配置於中心軸AX與凸部5T之間。凸部5U之至少一部分配置於熱交換板7上所設置之貫通孔7K中。凸部5U之至少一部分配置於熱電模組板6上所設置之貫通孔6K中。凸部5U之上端部係與頂板4之支持部41連接。
熱電模組板6係對支持於頂板4之支持面4A上之基板W之溫度加以調整。熱電模組板6包含藉由電力之供給而吸熱或放熱之熱電模組20。熱電模組板6配置於內部空間3S中。熱電模組板6配置於較頂板4之支持部41而言更靠近-Z側。熱電模組板6係以於內部空間3S中與頂板4鄰接之方式配置。熱電模組板6之上表面6A係與支持部41之背面4B對向。
熱電模組20係藉由帕耳帖效應而吸熱或放熱。熱電模組20可經由支持部41，而從支持於支持面4A上之基板W中奪取熱。熱電模組20可經由支持部41，而對支持於支持面4A上之基板W提供熱。藉由熱電模組20吸熱或放熱，而對支持於支持面4A上之基板W之溫度加以調整。
熱電模組板6包括：熱電模組20；第1絕緣膜21，其與熱電模組20之上表面連接；第2絕緣膜22，其與熱電模組20之下表面連接；以及隔離壁構件23，其配置於熱電模組20之周圍。熱電模組20配置於由第1絕緣膜21、第2絕緣膜22及隔離壁構件23所規定之空間中。第1絕緣膜21及第2絕緣膜22分別包含例如聚醯亞胺製之膜。熱電模組板6之上表面6A包含第1絕緣膜21之上表面。熱電模組板6之下表面6B包含第2絕緣膜22之下表面。
如圖3所示，熱電模組板6包含：第1熱電模組板61、第2熱電模組板62、第3熱電模組板63、第4熱電模組板64、第5熱電模組板65、第6熱電模組板66、及第7熱電模組板67。第1熱電模組板61係於XY平面內配置於中央部之圓形狀之板。中心軸AX通過第1熱電模組板61。第2熱電模組板62係配置於第1熱電模組板61之周圍之圓環狀之板。第3熱電模組板63係配置於第2熱電模組板62之周圍之圓環狀之板。第4熱電模組板64係配置於第3熱電模組板63之周圍之一部分中的圓弧狀之板。第5熱電模組板65係於第3熱電模組板63之周圍之一部分中，配置於第4熱電模組板64之隔壁之圓弧狀之板。第6熱電模組板66係於第3熱電模組板63之周圍之一部分中，配置於第5熱電模組板65之隔壁之圓弧狀之板。 第7熱電模組板67係於第3熱電模組板63之周圍之一部分中，配置於第4熱電模組板64與第6熱電模組板66之間的圓弧狀之板。
第1~第7熱電模組板61~67分別包括：熱電模組20、第1絕緣膜21、第2絕緣膜22、以及隔離壁構件23。第1~第7熱電模組板61~67分別具有上表面6A及下表面6B。
熱交換板7係與熱電模組板6進行熱交換。熱交換板7係於內部空間3S中，配置於較熱電模組板6而言更靠近-Z側。於Z軸方向上，熱電模組板6配置於支持部41與熱交換板7之間。於Z軸方向上，熱交換板7配置於熱電模組板6與底板5之間。熱交換板7係以於內部空間3S中與熱電模組板6鄰接之方式配置。熱交換板7之上表面7A係與熱電模組板6之下表面6B對向。
於熱電模組20從支持於支持面4A上之基板W中奪取熱之情形時，基板W之熱經由支持部41及熱電模組板6而轉移至熱交換板7。熱交換板7具有調溫用流體所流通之內部流路(未圖示)。調溫用流體包含如冷卻水之類之冷媒。調溫用流體藉由流體溫度調整裝置(未圖示)而調整溫度後，經由內部流路之入口而流入至內部流路。調溫用流體於內部流路中流通，奪取轉移至熱交換板7之熱。奪取熱之調溫用流體從內部流路之出口流出，返回至流體溫度調整裝置中。
熱交換板7為銅製。銅之導熱率高。因此，熱交換板7可效率良好地與熱電模組板6進行熱交換。
結合構件8係經由熱電模組板6及熱交換板7，而將頂板4與底板5結合。結合構件8設置有複數個。結合構件8包含螺栓。底板5具有配置結合構件8之頭部的凹部5C。凹部5C設置於底板5之下表面5B。
底板5具有貫通孔5H，其配置有結合構件8之軸部之至少一部分。熱交換板7具有貫通孔7H，其配置有結合構件8之軸部之至少一部分。熱電 模組板6具有貫通孔6H，其配置有結合構件8之軸部之至少一部分。頂板4具有螺孔4H，其插入有結合構件8之軸部之前端部。結合構件8經由熱電模組板6之貫通孔6H以及熱交換板7之貫通孔7H，而將頂板4與底板5結合。
結合構件8包含：第1結合構件81，其與頂板4之第1部分P1結合；以及第2結合構件82，其與複數個規定在第1部分P1之周圍之頂板4之第2部分P2結合。第1部分P1於XY平面內，規定於頂板4之支持部41之中央部分。第2部分P2於XY平面內，於頂板4之支持部41之第1部分P1之周圍規定有複數個。本實施方式中，第2部分P2規定於第1部分P1之周圍之6個部位。此外，第2部分P2只要規定於第1部分P1之周圍之至少3個部位即可。第1結合構件81經由熱電模組板6及熱交換板7，而將頂板4之第1部分P1與底板5結合。第2結合構件82經由熱電模組板6及熱交換板7，而將頂板4之第2部分P2與底板5結合。
複數個第2結合構件82中，至少1個第2結合構件82配置於凸部5T上所設置之貫通孔5J中。
頂板4具有從背面4B向底板5突出之凸部4T。第1結合構件81所插入之螺孔4H設置於凸部4T。熱交換板7具有貫通孔7H，其配置有第1結合構件81及凸部4T。熱電模組板6具有貫通孔6H，其配置有第1結合構件81及凸部4T。凸部4T之下端面係經由隔熱材40而與設置於底板5上之凸部5S之上端面接觸。
抬升銷9係以基板W與支持面4A接近或從支持面4A離開之方式，支持基板W之背面而於Z軸方向上移動。抬升銷9之至少一部分配置於凸部5U上所設置之貫通孔5W中。抬升銷9之至少一部分配置於頂板4上所設置之貫通孔4W中。貫通孔5W之內側之空間及貫通孔4W之內側之空間係與腔室裝置2之內部空間2S連接。
內部空間3S開放於大氣中。內部空間3S維持為大氣壓。內部空間3S經由通路11而與腔室裝置2之外部空間(大氣空間)連接。通路11之至少一 部分設置於底板5上。如圖3所示，底板5包括環狀之輪緣部51、以及配置於輪緣部51之內側之輪輻部52。於輪緣部51與輪輻部52之間設置通路11。與頂板4之第1部分P1結合之結合構件8所配置之貫通孔5H設置於輪輻部52。
調溫裝置3之內部空間3S維持為大氣壓。調溫裝置3之周圍之腔室裝置2之內部空間2S維持為低於大氣壓之壓力。由於調溫裝置3之內部空間3S之壓力高於腔室裝置2之內部空間2S之壓力，故而能抑制供給至腔室裝置2之內部空間2S之蝕刻氣體流入至調溫裝置3之內部空間3S中。藉此，抑制了蝕刻氣體與熱電模組20之接觸。例如於蝕刻氣體為腐蝕性之情形時，較佳為蝕刻氣體與熱電模組20不接觸。本實施方式中，由於調溫裝置3之內部空間3S之壓力高於腔室裝置2之內部空間2S之壓力，故而抑制了蝕刻氣體與熱電模組20之接觸。
密封構件10係與頂板4及底板5分別接觸。密封構件10將頂板4之周壁部42與底板5之邊界加以密封。藉由設置密封構件10，而抑制供給至腔室裝置2之內部空間2S之蝕刻氣體流入至調溫裝置3之內部空間3S中。又，藉由設置密封構件10，而抑制調溫裝置3之內部空間3S之氣體流出至腔室裝置2之內部空間2S中。例如抑制從熱電模組板6及熱交換板7中之至少一者產生之異物流出至腔室裝置2之內部空間2S中。藉此，抑制了異物附著於支持面4A所支持之基板W上之狀況。本實施方式中，熱交換板7為銅製。若包含銅之異物附著於基板W上，則有由基板W來製造之半導體裝置之性能下降之可能性。藉由設置密封構件10，而抑制於調溫裝置3之內部空間3S中產生之異物附著於支持面4A所支持之基板W上之狀況。
[熱電發電模組]
圖4係將本實施方式之熱電模組板6之一部分放大之剖面圖。圖5係表示本實施方式之熱電模組板6之一部分之立體圖。此外，圖4係將第1熱電模組板61與第2熱電模組板62之邊界放大之剖面圖。第2熱電模組板62至第7熱電模組板67之各 自之邊界之結構係與第1熱電模組板61與第2熱電模組板62之邊界之結構相同。
如圖4及圖5所示，熱電模組板6包括：熱電模組20、與熱電模組20之上表面連接之第1絕緣膜21、與熱電模組20之下表面連接之第2絕緣膜22、以及配置於熱電模組20之周圍之隔離壁構件23。熱電模組20配置於由第1絕緣膜21、第2絕緣膜22及隔離壁構件23所規定之空間中。第1絕緣膜21及第2絕緣膜22分別包含例如聚醯亞胺製之膜。熱電模組板6之上表面6A包含第1絕緣膜21之上表面。熱電模組板6之下表面6B包含第2絕緣膜22之下表面。
隔離壁構件23配置於第1絕緣膜21與第2絕緣膜22之間。隔離壁構件23係以將配置熱電模組20之空間包圍之方式來設置之環狀之構件。隔離壁構件23為陶瓷製。隔離壁構件23可為氧化鋁製，為氮化鋁製亦可。隔離壁構件23藉由黏接劑而與第1絕緣膜21及第2絕緣膜22分別接合。
熱電模組20包括熱電半導體元件24、第1電極25、及第2電極26。熱電半導體元件24包含p型熱電半導體元件24P、及n型熱電半導體元件24N。於XY平面內，p型熱電半導體元件24P與n型熱電半導體元件24N交替配置。第1電極25係與p型熱電半導體元件24P以及n型熱電半導體元件24N分別連接。第2電極26係與p型熱電半導體元件24P以及n型熱電半導體元件24N分別連接。p型熱電半導體元件24P之上表面以及n型熱電半導體元件24N之上表面係與第1電極25連接。p型熱電半導體元件24P之下表面以及n型熱電半導體元件24N之下表面係與第2電極26連接。第1電極25係與第1絕緣膜21連接。第2電極26係與第2絕緣膜22連接。熱電模組20之上表面包含第1電極25之上表面。熱電模組20之下表面包含第2電極26之下表面。
熱電模組20係藉由帕耳帖效應而吸熱或放熱。若於第1電極25與第2電極26之間賦予電位差，則電荷於熱電半導體元件24中移動。隨著電荷之移動，熱於熱電半導體元件24中轉移。藉此，熱電模組20吸熱或放熱。本實施方 式中，以與熱電半導體元件24之+Z側之端部連接之第1電極25吸熱，且與熱電半導體元件24之-Z側之端部連接之第2電極26放熱之方式，對第1電極25與第2電極26之間賦予電位差。藉由第1電極25吸熱，冷卻支持於支持面4A上之基板W。此外，以第1電極25放熱，且第2電極26吸熱之方式，對第1電極25與第2電極26之間賦予電位差亦可。藉由第1電極25放熱，加熱支持於支持面4A上之基板W。
熱電模組板6之第1絕緣膜21係與頂板4之支持部41鄰接。於頂板4之支持部41與熱電模組板6之第1絕緣膜21之間設置有黏彈性膜12。黏彈性膜12包含導熱膏。此外，黏彈性膜12包含凝膠片亦可。藉由第1電極25吸熱，支持於支持面4A上之基板W之熱經由支持部41、黏彈性膜12及熱電模組板6而轉移至熱交換板7。
第2絕緣膜22係與熱交換板7接合。第2絕緣膜22係藉由例如黏接劑而與熱交換板7接合。
[第1結合構件]
圖6係表示本實施方式之第1結合構件81之一例之剖面圖。第1結合構件81係透過熱電模組板6及熱交換板7而將頂板4與底板5結合。第1結合構件81係透過熱電模組板6之貫通孔6H以及熱交換板7之貫通孔7H，而將頂板4之第1部分P1與底板5結合。第1部分P1係於XY平面內，規定於頂板4之支持部41之中央部分。第1結合構件81固定於頂板4之中央部分。第1結合構件81係於頂板4及底板5上分別固定。
第1機構構件81包含螺栓。第1結合構件81包括頭部81H、軸部81S、及墊圈81W。於軸部81S之前端部(上端部)設置外螺紋。於支持部41之第1部分P1之背面4B上，形成軸部81S之前端部所插入之螺孔4H。於螺孔4H中設置內螺紋。藉由設置於軸部81S之外螺紋與設置於螺孔4H中之內螺紋咬合，第1結合構件81固定於頂板4上。
軸部81S之至少一部分配置於底板5之貫通孔5H中。軸部81S之表面與貫通孔5H之內表面分離。軸部81S之至少一部分配置於熱交換板7之貫通孔7H中。軸部81S之表面與貫通孔7H之內表面分開。軸部81S之至少一部分配置於熱電模組板6之貫通孔6H中。軸部81S之表面與貫通孔6H之內表面分開。此外，軸部81S之表面與貫通孔5H之內表面、貫通孔7H之內表面以及貫通孔6H之內表面中之至少一者接觸亦可。
頭部81H配置於底板5之下表面5B上所設置之凹部5C中。凹部5C之內徑大於貫通孔5H之內徑。於貫通孔5H與凹部5C之邊界配置支持面5E。支持面5E朝向-Z方向。於頭部81H與支持面5E之間配置墊圈81W。墊圈81W配置於軸部81S之周圍。
藉由將軸部81S之前端部螺入螺孔4H中，頭部81H透過墊圈81W而擠壓於支持面5E。藉此，第1結合構件81固定於底板5上。
藉由第1結合構件81於頂板4及底板5上分別固定，第1結合構件81與頂板4及底板5之相對位置得以維持。
[第2結合構件]
圖7係表示本實施方式之第2結合構件82之一例之剖面圖。第2結合構件82係透過熱電模組板6及熱交換板7而將頂板4與底板5結合。第2結合構件82係透過熱電模組板6之貫通孔6H以及熱交換板7之貫通孔7H，而將頂板4之第2部分P2與底板5結合。第2部分P2係於XY平面內，於由頂板4之支持部41所規定的第1部分P1之周圍規定有複數個。第2結合構件82係於第1結合構件81之周圍固定有複數個。第2結合構件82固定於頂板4上，可與底板5相對移動。
第2結合構件82包含螺栓。第2結合構件82具有頭部82H、軸部82S、及墊圈82W。於軸部82S之前端部(上端部)設置外螺紋。於支持部41之第2部分P2之背面4B，形成軸部82S之前端部所插入之螺孔4H。於螺孔4H中設置 內螺紋。藉由設置於軸部82S之外螺紋與設置於螺孔4H中之螺紋咬合，第2結合構件82固定於頂板4上。
軸部82S之至少一部分配置於底板5之貫通孔5H中。軸部82S之表面與貫通孔5H之內表面分開。軸部82S之至少一部分配置於熱交換板7之貫通孔7H中。軸部82S之表面與貫通孔7H之內表面分開。軸部82S之至少一部分配置於熱電模組板6之貫通孔6H中。軸部82S之表面與貫通孔6H之內表面分開。
頭部82H配置於底板5之下表面5B上所設置之凹部5C中。凹部5C之內徑大於貫通孔5H之內徑。於貫通孔5H與凹部5C之邊界配置支持面5E。支持面5E朝向-Z方向。
墊圈82W配置於較頭部82H而言更靠近+Z側。墊圈82W配置於軸部82S之周圍。墊圈82W固定於頭部82H。
本實施方式中，調溫裝置3包括配置於第2結合構件82與底板5之間的滑動構件14。滑動構件14包含配置於頭部82H與支持面5E之間的墊圈。滑動構件14配置於軸部82S之周圍。滑動構件14配置於較第2結合構件82之墊圈82W而言更靠近+Z側。
於滑動構件14與支持面5E之間配置墊圈15。墊圈15配置於較滑動構件14而言更靠近+Z側。墊圈15係以墊圈15之上表面與支持面5E接觸之方式，配置於凹部5C中。墊圈15之外徑與凹部5C之內徑實質上相等。墊圈15嵌入凹部5C中。墊圈15之位置固定於凹部5C中。墊圈15與底板5之相對位置得以維持。
本實施方式中，底板5包含墊圈15。即，墊圈15被視為底板5之構成要素。底板5與墊圈15被視為一體。
滑動構件14係配置於第2結合構件82之墊圈82W與底板5之墊圈15之間。墊圈82W之上表面與滑動構件14之下表面對向。墊圈82W之上表面與滑動構件14之下表面接觸。滑動構件14之上表面與墊圈15之下表面對向。滑動構 件14之上表面與墊圈15之下表面接觸。
滑動構件14係以滑動構件14之上表面與墊圈15之下表面接觸之方式，配置於凹部5C中。滑動構件14之外徑與凹部5C之內徑實質上相等。滑動構件14嵌入凹部5C中。滑動構件14之位置固定於凹部5C中。滑動構件14與底板5之相對位置得以維持。
墊圈82W係以墊圈82W之上表面與滑動構件14之下表面接觸之方式，配置於凹部5C中。墊圈82W之外徑及頭部82H之外徑分別小於凹部5C之內徑。
滑動構件14之表面相對於第2結合構件82之摩擦係數小於底板5之表面相對於第2結合構件82之摩擦係數。本實施方式中，滑動構件14之表面相對於墊圈82W之摩擦係數小於墊圈15之表面之摩擦係數。本實施方式中，墊圈82W及墊圈15分別為不鏽鋼製。滑動構件14為聚醚醚酮樹脂(PEEK：polyetheretherketone)製。第2結合構件82之墊圈82W可相對於滑動構件14之下表面而滑動。
藉由將軸部82S之前端部螺入螺孔4H中，頭部82H及墊圈82W透過滑動構件14及墊圈15而擠壓於支持面5E上。墊圈82W可相對於滑動構件14之下表面而滑動。頭部82H與墊圈82W被固定，且為一體。墊圈82W之外徑及頭部82H之外徑分別小於凹部5C之內徑。因此，頭部82H及墊圈82W可於凹部5C之內側，一邊相對於滑動構件14之下表面而滑動，一邊於XY平面內移動。
頭部82H、軸部82S及墊圈82W為一體。因此，第2結合構件82可一邊相對於滑動構件14之下表面而滑動，一邊於XY平面內移動。
藉由第2結合構件82固定於頂板4上，第2結合構件82與頂板4之相對位置得以維持。第2結合構件82藉由使滑動構件14滑動，而相對於底板5，於XY平面內相對移動。在與第2結合構件82之中心軸正交之XY平面內，第2結合構 件82與底板5之相對位置變化。
[凸部]
圖8係表示本實施方式之凸部5T之一例之剖面圖。底板5具有從對向面5D向支持部41突出之凸部5T。凸部5T之至少一部分配置於熱交換板7上所設置之貫通孔7J中。凸部5T之至少一部分配置於熱電模組板6上所設置之貫通孔6J中。凸部5T之上端部係與頂板4之支持部41連接。複數個第2結合構件82中，至少1個第2結合構件82配置於凸部5T上所設置之貫通孔5J中。
由於凸部5T與支持部41連接，故而於Z軸方向上，支持部41之背面4B與底板5之上表面5A以及對向面5D之距離得以維持。
本實施方式中，於凸部5T之上端面與支持部41之背面4B之間配置間隔件16。凸部5T之上端部係透過間隔件16而與支持部41連接。藉由調整間隔件16之厚度或者間隔件16之數量，來調整支持部41之背面4B與底板5之上表面5A以及對向面5D之距離。
間隔件16係由例如碳之類的低導熱率材料所形成。藉此，抑制基板W之熱直接傳遞至底板5。基板W之熱效率良好地傳遞至熱電模組板6。
[動作]
其次，對本實施方式之調溫裝置3之動作進行說明。腔室裝置2之內部空間2S被減壓。基板W被搬入腔室裝置2之內部空間2S中。抬升銷9係以抬升銷9之上端部配置於較支持面4A更上方之方式上升。抬升銷9支持被搬送至內部空間2S中之基板W之背面。支持基板W之背面之抬升銷9下降。藉由抬升銷9下降，基板W支持於頂板4之支持面4A上。
藉由對熱電模組20賦予電位差，調溫裝置3開始調整支持於支持面4A上之基板W之溫度。本實施方式中，熱電模組板6包含第1~第7熱電模組板61~67。第1~第7熱電模組板61~67之各者可各自調整基板W之溫度。藉由調 整對第1~第7熱電模組板61~67之各者賦予之電位差，調溫裝置3可調整基板W之溫度分佈。
對腔室裝置2之內部空間2S中供給蝕刻氣體。腔室構件2T係藉由溫度調整裝置2U而被加熱。藉由腔室構件2T被加熱，來抑制藉由蝕刻處理而生成之異物附著於腔室構件2T之內表面。
若腔室構件2T被加熱，則有以下可能性：支持於調溫裝置3之支持面4A上之基板W之溫度較目標溫度而言過度升高，或基板W之溫度分佈未達到目標溫度分佈。調溫裝置3係以即便腔室構件2T被加熱，基板W亦達到目標溫度之方式，來調整基板W之溫度。又，調溫裝置3係以即便腔室構件2T被加熱，基板W亦達到目標溫度分佈之方式，來調整基板W之溫度分佈。
調溫裝置3之至少一部分藉由腔室構件2T之輻射熱而熱變形之可能性為高。頂板4由於為板狀之構件，故而XY平面內之頂板4之熱變形量大於Z軸方向上之頂板4之熱變形量。同樣，XY平面內之熱電模組板6之熱變形量大於Z軸方向上之熱電模組板6之熱變形量。又，頂板4之線膨脹係數與熱電模組板6之線膨脹係數不同。因此，頂板4之熱變形量與熱電模組板6之熱變形量不同之可能性為高。XY平面內之頂板4之熱變形量與熱電模組板6之熱變形量之差增大之可能性為高。
圖9係用以對本實施方式之作用加以說明之示意圖。本實施方式中，第2結合構件82可於第2結合構件82之前端部固定於頂板4上之狀態下，相對於底板5而於XY平面內相對移動。因此，於頂板4於XY平面內熱變形之情形時，第2結合構件82可以與頂板4之熱變形連動之方式，於XY平面內移動。藉此，抑制過度之應力作用於頂板4，或過度之應力作用於熱電模組板6。
於頂板4與熱電模組板6之間設置黏彈性膜12。因此，頂板4可相對於熱電模組板6而於XY平面內滑順地相對移動。藉此，即便頂板4之熱變形量 與熱電模組板6之熱變形量之差增大，亦能抑制過度之應力作用於頂板4，或過度之應力作用於熱電模組板6。
黏彈性膜12包含導熱膏。因此，基板W之熱可經由導熱膏而轉移至熱電模組板6。
於第2結合構件82與底板5之間配置滑動構件14。藉此，第2結合構件82可一邊使滑動構件14滑動，一邊相對於底板5而滑順地相對移動。
第1結合構件81係於頂板4及底板5上分別固定。因此，頂板4與底板5之相對位置係藉由第1結合構件81而固定。
頂板4以中心軸AX為基準而於輻射方向上熱變形之可能性為高。本實施方式中，第1結合構件81之前端部所固定之頂板4之第1部分P1係規定於頂板4之中央部分。與頂板4之熱變形連動的第2結合構件82之前端部所固定之頂板4之第2部分P2，係於第1部分P1之周圍規定有複數個。因此，抑制過度之應力分別作用於頂板4以及熱電模組板6。
凸部5T係與頂板4直接連接。藉此，即便頂板4於XY平面內熱變形，或者黏彈性膜12壓扁或膨脹，Z軸方向上之頂板4與底板5之相對距離亦得以維持。
蝕刻處理結束後，抬升銷9上升。抬升銷9係以支持基板W之背面之狀態上升。藉此，基板W之背面與頂板4之支持面4A分開。從頂板4分開之基板W藉由卸載裝置(未圖示)而從腔室裝置2中搬出。
[效果]
如以上所說明，依據本實施方式，第1結合構件81係透過熱電模組板6以及熱交換板7而將頂板4之第1部分P1與底板5結合。第2結合構件82係透過熱電模組板6以及熱交換板7，而將與第1部分P1不同之頂板4之第2部分P2與底板5結合。第1結合構件81由於分別固定於頂板4及底板5上，故而頂板4與底板5之相對位置 係藉由第1結合構件81而固定。第2結合構件82固定於頂板4上，可與底板5相對移動，因此於頂板4熱變形之情形時，第2結合構件82可與頂板4之熱變形連動。藉此，抑制過度之應力作用於頂板4，或過度之應力作用於熱電模組板6。因此，抑制調溫裝置3之損傷，並抑制調溫裝置3之性能之下降。
於頂板4與熱電模組板6之間設置黏彈性膜12。因此，頂板4可相對於熱電模組板6，而於XY平面內滑順地相對移動。藉此，即便頂板4之熱變形量與熱電模組板6之熱變形量之差增大，亦能抑制過度之應力作用於頂板4，或過度之應力作用於熱電模組板6。
黏彈性膜12包含導熱膏。因此，基板W之熱可經由導熱膏而轉移至熱電模組板6。
於第2結合構件82與底板5之間配置滑動構件14。藉此，第2結合構件82可一邊使滑動構件14滑動，一邊相對於底板5而滑順地相對移動。
滑動構件14包含配置於第2結合構件82之軸部82S之周圍的墊圈。藉此，第2結合構件82可相對於滑動構件14而滑順地滑動。
頂板4以中心軸AX為基準而於輻射方向上熱變形之可能性為高。第1結合構件81之前端部所固定之頂板4之第1部分P1係規定於頂板4之中央部分。與頂板4之熱變形連動之第2結合構件82之前端部所固定之頂板4之第2部分P2係於第1部分P1之周圍規定有複數個。因此，抑制過度之應力分別作用於頂板4以及熱電模組板6。
凸部5T係與頂板4直接連接。藉此，即便頂板4於XY平面內熱變形，或者黏彈性膜12壓扁或膨脹，Z軸方向上之頂板4與底板5之相對距離亦得以維持。
3:調溫裝置
3S:內部空間
4:頂板
4A:支持面
4B:背面
4C:下表面
4H:螺孔
4T:凸部
4W:貫通孔
5:底板
5A:上表面
5B:下表面
5C:凹部
5D:對向面
5H:貫通孔
5J:貫通孔
5S:凸部
5U:凸部
5W:貫通孔
6:熱電模組板
6A:上表面
6B:下表面
6H:貫通孔
6J:貫通孔
6K:貫通孔
7:熱交換板
7A:上表面
7B:下表面
7H:貫通孔
7J:貫通孔
7K:貫通孔
8:結合構件
9:抬升銷
10:密封構件
11:通路
12:黏彈性膜
20:熱電模組
21:第1絕緣膜
22:第2絕緣膜
23:隔離壁構件
40:隔熱材
41:支持部
42:周壁部
81:第1結合構件
82:第2結合構件
AX:中心軸
P1:第1部分
P2:第2部分
W:基板

Claims (6)

  1. 一種調溫裝置，其包括：頂板，其支持基板；底板，其以在與上述頂板之間僅與上述頂板形成內部空間之方式與上述頂板連接；熱電模組板，其配置於上述內部空間中；熱交換板，其配置於上述內部空間中，且與上述熱電模組板進行熱交換；第1結合構件，其透過上述熱電模組板及上述熱交換板而將上述頂板與上述底板結合，且於上述頂板及上述底板上分別固定；第2結合構件，其透過上述熱電模組板及上述熱交換板而將上述頂板與上述底板結合，且固定於上述頂板上，可與上述底板相對移動；以及滑動構件，其配置於上述第2結合構件與上述底板之間；其中上述滑動構件相對於上述第2結合構件之摩擦係數小於上述底板相對於上述第2結合構件之摩擦係數。
  2. 如請求項1所述之調溫裝置，其中，上述熱電模組板係以於上述內部空間中與上述頂板鄰接之方式配置，且包括設置於上述頂板與上述熱電模組板之間之黏彈性膜。
  3. 如請求項2所述之調溫裝置，其中，上述黏彈性膜包含導熱膏。
  4. 如請求項1所述之調溫裝置，其中，上述第2結合構件包含螺栓，上述滑動構件包含墊圈，其配置於上述螺栓之周圍。
  5. 如請求項1所述之調溫裝置，其中上述第1結合構件固定於上述頂板之中央部分，且 上述第2結合構件於上述第1結合構件之周圍固定複數個。
  6. 如請求項1所述之調溫裝置，其中，上述滑動構件配置於上述第2結合構件的墊圈與上述底板的墊圈之間，且上述滑動構件之表面相對於上述第2結合構件的墊圈之摩擦係數小於上述底板的墊圈之表面之摩擦係數。
TW108140056A 2018-11-09 2019-11-05 調溫裝置 TWI785282B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP2018-211418 2018-11-09
JP2018211418A JP7162500B2 (ja) 2018-11-09 2018-11-09 温調装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202027212A TW202027212A (zh) 2020-07-16
TWI785282B true TWI785282B (zh) 2022-12-01

Family

ID=70611835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108140056A TWI785282B (zh) 2018-11-09 2019-11-05 調溫裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11935767B2 (zh)
JP (1) JP7162500B2 (zh)
KR (1) KR102476087B1 (zh)
CN (1) CN112823429B (zh)
TW (1) TWI785282B (zh)
WO (1) WO2020095795A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7517886B2 (ja) 2020-07-16 2024-07-17 株式会社アルバック 真空処理装置用のステージ
JP2022047847A (ja) * 2020-09-14 2022-03-25 株式会社Kelk ウェーハの温度調節装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101802976A (zh) * 2007-09-11 2010-08-11 东京毅力科创株式会社 基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质
CN102414800A (zh) * 2009-08-18 2012-04-11 东京毅力科创株式会社 热处理装置
TWI401768B (zh) * 2008-09-09 2013-07-11 Komico Ltd 包含用以降低熱應力之緩衝層之靜電夾頭
TW201511174A (zh) * 2013-06-03 2015-03-16 Lam Res Corp 溫度控制基板支撐組件
TW201820528A (zh) * 2016-08-26 2018-06-01 日商日本碍子股份有限公司 晶圓載置台

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0743530A3 (en) * 1995-05-16 1997-04-09 Trio Tech International Test device for electronic components
JP3241270B2 (ja) * 1996-06-25 2001-12-25 日本政策投資銀行 熱電変換装置
US6328096B1 (en) 1997-12-31 2001-12-11 Temptronic Corporation Workpiece chuck
US6019164A (en) * 1997-12-31 2000-02-01 Temptronic Corporation Workpiece chuck
JP2007123911A (ja) * 1998-11-18 2007-05-17 Komatsu Ltd 温度調節器及びその製造方法
US6347521B1 (en) 1999-10-13 2002-02-19 Komatsu Ltd Temperature control device and method for manufacturing the same
JP3462469B2 (ja) * 2000-12-15 2003-11-05 Ｓｍｃ株式会社 円形冷却プレート用異形サーモモジュール及びそれを用いた円形冷却プレート
JP4593007B2 (ja) * 2001-05-23 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 載置装置
JP4403073B2 (ja) * 2002-07-11 2010-01-20 テンプトロニック コーポレイション 熱電気モジュールのための隙間を作る層間スペーサを有する熱制御アセンブリを備えるワークピースチャック
JP4451098B2 (ja) * 2002-08-22 2010-04-14 住友大阪セメント株式会社 サセプタ装置
JP4783213B2 (ja) * 2005-06-09 2011-09-28 日本碍子株式会社 静電チャック
US20070283709A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Veeco Instruments Inc. Apparatus and methods for managing the temperature of a substrate in a high vacuum processing system
JP5230462B2 (ja) * 2009-01-26 2013-07-10 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置の基板支持台
JP2013055089A (ja) * 2011-08-31 2013-03-21 Momentive Performance Materials Inc 静電チャック装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101802976A (zh) * 2007-09-11 2010-08-11 东京毅力科创株式会社 基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质
TWI401768B (zh) * 2008-09-09 2013-07-11 Komico Ltd 包含用以降低熱應力之緩衝層之靜電夾頭
CN102414800A (zh) * 2009-08-18 2012-04-11 东京毅力科创株式会社 热处理装置
TW201511174A (zh) * 2013-06-03 2015-03-16 Lam Res Corp 溫度控制基板支撐組件
TW201820528A (zh) * 2016-08-26 2018-06-01 日商日本碍子股份有限公司 晶圓載置台

Also Published As

Publication number Publication date
CN112823429B (zh) 2024-09-03
TW202027212A (zh) 2020-07-16
JP7162500B2 (ja) 2022-10-28
US11935767B2 (en) 2024-03-19
KR102476087B1 (ko) 2022-12-09
JP2020077810A (ja) 2020-05-21
WO2020095795A1 (ja) 2020-05-14
US20210391192A1 (en) 2021-12-16
CN112823429A (zh) 2021-05-18
KR20210041059A (ko) 2021-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8564957B2 (en) Cooling structure for electronic equipment
TWI809220B (zh) 調溫裝置
TWI785282B (zh) 調溫裝置
TWI627374B (zh) 熱移動單元以及溫度調節裝置
JP4403073B2 (ja) 熱電気モジュールのための隙間を作る層間スペーサを有する熱制御アセンブリを備えるワークピースチャック
US20240314980A1 (en) Cold plate with integrated sliding pedestal and processing system including the same
JP2019071349A (ja) ウエハ加熱用ヒータユニット
KR20190001271A (ko) 본딩 헤드 및 이를 갖는 본딩 장치
EP3787387A1 (en) Inverter and heat dissipation device thereof
JPH11284037A (ja) 半導体ウェーハの温度試験装置
JP2016102687A (ja) 電子部品搬送装置、電子部品検査装置および電子部品押圧装置
JP2016102686A (ja) 電子部品搬送装置、電子部品検査装置および電子部品押圧装置
JP2016102688A (ja) 電子部品搬送装置、電子部品検査装置および電子部品押圧装置
JP2016102685A (ja) 電子部品搬送装置、電子部品検査装置および電子部品押圧装置
KR100632234B1 (ko) 열방출 공간을 갖는 프로브 스테이션
JP2016102684A (ja) 電子部品搬送装置、電子部品検査装置および電子部品押圧装置
JP5560716B2 (ja) 加圧装置およびデバイスの製造方法
JP2000012637A (ja) 半導体ウェーハの温度試験装置
JP2011082366A (ja) 加熱モジュール
KR20190136242A (ko) 온도조절장치 및 이를 포함하는 반도체 처리장치
US11641727B2 (en) Cooling system for an electronic circuit module
JP2011091172A (ja) 移動ステージ、加圧装置およびデバイスの製造方法
JP2015026862A (ja) 加熱モジュールおよび貼り合わせ装置
JP2011082367A (ja) 加圧加熱モジュール
JP2009010005A (ja) 加熱冷却装置