JP3241270B2 - 熱電変換装置 - Google Patents

熱電変換装置

Info

Publication number
JP3241270B2
JP3241270B2 JP16448696A JP16448696A JP3241270B2 JP 3241270 B2 JP3241270 B2 JP 3241270B2 JP 16448696 A JP16448696 A JP 16448696A JP 16448696 A JP16448696 A JP 16448696A JP 3241270 B2 JP3241270 B2 JP 3241270B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermoelectric conversion
heat
conversion device
heat exchange
frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP16448696A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1012934A (ja
Inventor
日出男 渡辺
弘房 手塚
光敏 小笠原
伸彦 鈴木
一也 佐藤
Original Assignee
日本政策投資銀行
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本政策投資銀行 filed Critical 日本政策投資銀行
Priority to JP16448696A priority Critical patent/JP3241270B2/ja
Priority to EP97201932A priority patent/EP0820107B1/en
Priority to DE69725521T priority patent/DE69725521T2/de
Priority to AU26243/97A priority patent/AU717063B2/en
Priority to US08/881,760 priority patent/US6073449A/en
Priority to CN97113758A priority patent/CN1128478C/zh
Publication of JPH1012934A publication Critical patent/JPH1012934A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3241270B2 publication Critical patent/JP3241270B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25BREFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
    • F25B2321/00Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
    • F25B2321/02Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effects; using Nernst-Ettinghausen effects
    • F25B2321/023Mounting details thereof

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子冷却装置あるいは
熱発電装置などの熱電変換装置に係り、特に熱サイクル
を繰り返しても性能劣化が少ない、動作信頼性に優れ、
耐用寿命の長い熱電変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の熱電変換装置は、熱導体の間に熱
電変換素子群を配置し、熱導体と熱電変換素子群の間に
熱的な接触を良くする熱伝導性のグリースを介在して、
複数本のネジで両熱導体間を締結し熱電変換素子群を固
定していた。
【0003】ネジは金属製あるいはプラスチック製のも
のが使用され、金属製ネジは熱電変換素子群の固定とし
ての強度は十分に有しているが、そのままでは熱伝導度
が大きいため断熱ワッシャーを併用している。一方、プ
ラスチック製ネジは熱伝導度は小さいが、機械強度が低
いため接着剤などの補助的な補強を施す必要がある。
【0004】このネジなどによる締結力は、熱導体と熱
電変換素子群の熱コンダクタンスを得ることと、熱電変
換素子群の固定のために必要である。なお、熱電変換素
子群の外周は、防水のためにシリコーンゴムなどでシー
ルされている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前述のように従来の熱
電変換装置は複数のネジにより両熱導体間を締結してい
るため、熱電変換素子群に均一な圧力を加えることが難
しく、熱電変換素子に偏荷重がかかり、素子が破壊され
ることがある。
【0006】前記金属製ネジとして熱伝導度が比較的小
さい例えばステンレス製あるいは鉄製のものが使用され
ているが、これらの材質のものは熱導体や熱電変換素子
よりも熱膨張係数が小さい。そのため熱電変換装置の使
用によって生じる熱導体および熱電変換素子群の膨脹、
収縮に対してネジがそれらの動きを拘束するから、熱電
変換素子に大きな圧縮、引張り応力が繰り返し発生し
て、素子の破壊を生じる。
【0007】またプラスチック製ネジは機械強度が低い
ため長期的な信頼性に欠け、さらに熱電変換装置の落下
衝撃試験に耐えられる強度は得られないなどの欠点を有
している。
【0008】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、熱サイクルの繰り返しによる性能劣化を軽
減し、しかも動作信頼性に優れ、耐用寿命の長い熱電変
換装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、熱電変換素子群を介して第1の熱交換基
体と第2の熱交換基体が互いに対向するように配置され
た熱電変換装置を対象とするものである。
【0010】そして本発明は、前記第1の熱交換基体の
外周部と接合して、前記第2の熱交換基体の外周部を取
り囲む合成樹脂製の枠体を有し、 前記第2の熱交換基体
の外周部に、前記第1の熱交換基体−熱電変換素子群−
第2の熱交換基体の積層方向にほぼ沿って延びた基体側
延設部を有し、 前記枠体に、基体側延設部とほぼ同じ方
向に延びて、その基体側延設部と隙間を介して対向する
枠体側延設部を有し、 第2の熱交換基体を枠体内に挿入
して、第2の熱交換基体の外周部の一部を枠体の内周部
の一部に当接し、基体側延設部と枠体側延設部の隙間に
接着剤を注入してその延設部どうしを接着剤層で接合
し、 第2の熱交換基体の熱電変換素子群と対向する面と
は反対側の面に熱電導性部材を当接して、枠体側延設部
の開口端ならびに接着剤層がその熱電導性部材と接触し
ないことを特徴とするものである。
【0011】
【0012】
【発明の実施の形態】第1の本発明は前述のように、吸
熱側熱交換基体または放熱側熱交換基体のいずれか一方
の外周部を保持する合成樹脂材料から構成された枠体を
有し、その枠体と、その枠体に保持されていない他方の
熱交換基体がともに、吸熱側熱交換基体−熱電変換素子
群−放熱側熱交換基体の積層方向にほぼ沿ってほぼ同じ
方向に延びた延設部を有し、その延設部どうしが一体に
接合されている。
【0013】また第2の本発明は前述のように、吸熱側
熱交換基体ならびに放熱側熱交換基体の外周部をを吸熱
側枠体ならびに放熱側枠体でそれぞれ保持して、その吸
熱側枠体と放熱側枠体に吸熱側熱交換基体−熱電変換素
子群−放熱側熱交換基体の積層方向にほぼ沿ってほぼ同
じ方向に延びた延設部を有し、その延設部どうしが一体
に接合されている。
【0014】合成樹脂製の枠体は熱導体や熱電変換素子
とほぼ同程度の熱膨張係数を有し、動作時の熱導体や熱
電変換素子群の膨脹、収縮に対応して枠体も同様に伸び
縮みするから、熱電変換素子に発生する応力が大幅に低
減される。
【0015】また、枠体は熱交換基体の外周部を保持す
る大きさを有していることから、延設部どうしの接合面
積が十分に得られ、従って合成樹脂製の枠体であっても
十分な締結力が得られる。
【0016】このようなことから、熱電変換装置の性能
劣化が防止でき、動作信頼性に優れ、非常に耐用寿命の
長い熱電変換装置を提供することができる。
【0017】次に本発明の実施の形態を図とともに説明
する。図1ないし図3は第1の実施の形態を説明するた
めの図で、図1は例えば電子冷蔵庫などの電子冷却装置
として用いる熱電変換装置の断面図、図2はその熱電変
換装置に使用される第1放熱側枠体の底面図、図3はリ
ード線の取り出し構造を示す一部拡大断面図である。
【0018】図1に示すように熱電変換装置は、例えば
冷蔵庫の庫内などの被冷却側に配置される吸熱部材1
と、吸熱側熱交換基体2と、熱電変換素子群3と、放熱
側熱交換基体4と、第1放熱側枠体6−1と、第2放熱
側枠体6−2と、分散部材7とから主に構成されてい
る。
【0019】前記吸熱部材1は広い面積を有するフィン
ベースからなり多数の吸熱フィン(図示せず)を付設し
ており、必要に応じて近傍にファンを付設することがで
きる。なお、フィンベースと吸熱フィンは一体の場合も
あるし、また吸熱フィンがない場合もある。
【0020】前記吸熱側熱交換基体2ならびに放熱側熱
交換基体4は共に例えばアルミニウムなどの熱伝導性の
良好な金属からなり、熱電変換素子群3と接する側の表
面に例えばアルマイトなどの電気絶縁膜が形成されてい
る。陽極酸化法によってアルマイトの絶縁膜を形成する
場合、その絶縁膜に封孔処理しない方が、後述する薄膜
38を介しての熱電変換素子群3との接合性が良好であ
る。電気絶縁膜は、この他に溶射などで形成することも
可能である。この熱交換基体2,4の別の製法について
は後で説明する。
【0021】図1に示すように吸熱側熱交換基体2は、
良好な冷却状態を確保するため肉厚のブロック体から構
成されている。
【0022】前記熱電変換素子群3は、図示していない
が周知のように吸熱側電極と、放熱側電極と、両電極の
間に多数配置されたP型半導体層とN型半導体層とから
構成され、P型半導体層とN型半導体層は構造的ならび
に熱的に並列に配置されているが、電気的には前記電極
を介して直列に接続されている。
【0023】前記第1吸熱側枠体6−1は図1に示され
ているように、放熱側熱交換基体4から吸熱側熱交換基
体2側にかけて配置されている。そして上方ならびに下
方が開口した中空状のもので、基端部6−1aとその基
端部6−1aの内周部から下方に向けて延びた延設部6
−1bとを有し断面形状がほぼ階段形をしている。基端
部6−1aは、例えば接着剤あるいはOリングと接着剤
の併用などにより放熱側熱交換基体4の下面周辺部に液
密に接合されている。
【0024】前述のように吸熱側熱交換基体2は肉厚の
ブロック体からなり、従ってその外周部は吸熱側熱交換
基体2−熱電変換素子群3−放熱側熱交換基体4の積層
方向にほぼ沿って延びた延設部2aを構成している。こ
の吸熱側熱交換基体2の延設部2aと第1吸熱側枠体6
−1の延設部6−1bはほぼ平行に対向しており、両者
の間に注入された接着剤14により吸熱側熱交換基体2
と第1吸熱側枠体6−1が一体に接合されている。接着
剤14としては、例えばエポキシ系やアクリル系のよう
な硬化型接着剤、あるいはホットメルト系のような融着
型接着剤などが適用可能である。
【0025】前記延設部2aと延設部6−1bの間には
複数本の位置決めピン26が挿通されて、接着剤14が
完全に硬化する前の吸熱側熱交換基体2と第1吸熱側枠
体6−1との相対的に位置ずれを防止している。図2に
示されている6−1dが、延設部6−1bに形成された
ピン挿通孔である。
【0026】延設部6−1bの外側には、基端部6−1
a側に延びた補強リブ6−1cが一体に複数個(本実施
の形態では4個)設けられている。図1に示されている
ように第1吸熱側枠体6−1は吸熱側熱交換基体2と放
熱側熱交換基体4を跨ぐように配置されているため、第
1吸熱側枠体6−1を伝わっての熱の戻りがある。この
熱の戻りを可及的に少なくするため、第1吸熱側枠体6
−1は比較的肉薄に成形する方がよいが、肉薄成形だと
第1吸熱側枠体6−1の機械的強度が低下する。そのた
めに本実施の形態では、基端部6−1aと延設部6−1
bの間に複数個の補強リブ6−1cを設けて第1吸熱側
枠体6−1の剛直性を維持している。
【0027】また、基端部6−1aと延設部6−1bの
間を階段状、すなわち非直線状にすることにより、第1
吸熱側枠体6−1の吸熱側熱交換基体2から放熱側熱交
換基体4までの沿面距離を長く確保して、第1吸熱側枠
体6−1を伝わっての熱の戻りを少くしている。
【0028】図2ならびに図3に示すように、基端部6
−1aの所定位置にはリード線取出溝6−1eが形成さ
れて、熱電変換素子群3の電極34に接続されたリード
線19(給電手段)がこの取出溝6−1eから引き出さ
れ、取出溝6−1eとリード線19の間はシール剤27
で気液密にシールされている(図3参照)。
【0029】前記第2放熱側枠体6−2は放熱側熱交換
基体4の上側に配置され、上方がほぼ塞がれ下方が開口
した中空状のもので、下方開口部がOリング8を介して
放熱側熱交換基体4の上面周辺部に液密に接着されてい
る。第2放熱側枠体6−2のほぼ中央部に給水管部9
が、周縁近くに排水管部10が設けられている。
【0030】分散部材7は周壁7aと、周壁7aの下端
に連設した底壁7bと、底壁7bから放熱側熱交換基体
4側に延びた多数本のノズル部7eとが設けられ、前記
ノズル部7eに分散孔7dが形成されている。
【0031】分散部材7を第2放熱側枠体6−2内に固
定することにより、分散部材7の給水管部9側に扁平状
の第1空間11が形成され、分散部材7の放熱側熱交換
基体4側に扁平状の第2空間13が形成されるととも
に、この第2空間13と排水管部10を連通する排水路
12が形成される。
【0032】前記放熱側枠体6−1,6−2は、例えば
ポリフェニレンサルファイド(PPS 吸水率:0.0
2%、水蒸気透過率:2.5g/m2 ・24hr/0.
1mm)、ポリブチレンテレフタレート(PBT 吸水
率:0.07%、水蒸気透過率:6.9g/m2 ・24
hr/0.1mm)、ポリプロピレン(PP 吸水率:
0.01%、水蒸気透過率:1.5〜3.0g/m2 ・
24hr/0.1mm)などの吸水率ならびに水蒸気透
過率の低い合成樹脂で成形される。水蒸気透過率の高い
枠体を使用すると、特に吸熱側(低温側)において電極
表面などに結露が生じ、それが原因でショート、電極の
腐食、熱抵抗の増加などを引き起こすことになる。その
ため本発明では放熱側枠体、吸熱側枠体の材料として水
蒸気透過率の低いものを選定している。
【0033】本実施の態様では放熱側枠体6−1,6−
2がともに、水蒸気透過率ならびに熱伝導率が低く、か
つ熱電変換素子群3の半導体の線膨張率に近いという点
から、ポリフェニレンサルファイド(PPS)にガラス
繊維などのフィラーを20〜70重量%、好ましくは3
0〜70重量%混合分散したものを使用している。ガラ
ス繊維などのフィラーの含有率が20重量%未満だと線
膨張率が大きくなり、一方、含有率が70重量%を超え
ると成形性が悪くなるから、含有率は20〜70重量%
の範囲に規制する必要がある。
【0034】ガラス繊維が30〜60重量%添加された
PPSにおいては、線膨張係数は成形流れ方向で18〜
23×10-6/℃の範囲で制御でき、半導体材料の線膨
張係数16〜22×10-6/℃、熱交換基体として使用
するアルミニウムの線膨張係数22〜23×10-6/℃
とほぼ同じであり、熱伝導率は0.28〜0.49〔K
cal/m・h・℃〕と低い。
【0035】図1に示すように熱移動媒体である水15
を中央の給水管部9から供給すると第1空間部11で一
斉に拡がり、各ノズル部7e(分散孔7d)から放熱側
熱交換基体4の上面に向けて勢いよく噴射する。放熱側
熱交換基体4に衝突して放熱側熱交換基体4の熱を奪っ
た水15は隙間の狭い第2空間部13で拡散し、排水路
12を経て排水管部10から系外へ排出される。排出さ
れた水15は図示しないラジェタ−または自然放冷で冷
却され、強制循環系統を通り再利用される。
【0036】図1に示した28は断熱材で、第1放熱側
枠体6−1、放熱側熱交換基体4ならびに第2放熱側枠
体6−2の外周部を覆うように設置されている。この断
熱材28は他の実施の形態に係る熱電変換装置でも施さ
れているが、図面を簡略化するため断熱材28の図示を
省略している。なお、断熱材28は必ずしも必要ではな
い。
【0037】なおこの実施の形態においては、第1放熱
側枠体6−1と第2放熱側枠体6−2を別体としたが、
第1放熱側枠体6−1と第2放熱側枠体6−2を一体に
形成したり、あるいは放熱側熱交換基体4と第2放熱側
枠体6−2を一体に形成することも可能である。
【0038】図4は、本発明の第2の実施の形態を示す
熱電変換装置の要部断面図である。
【0039】この実施の形態では、吸熱側熱交換基体2
の延設部2aの下部が水平方向に延びた外フランジ部2
bとなっており、一方、第1放熱側枠体6−1の延設部
6−1bの下部も外フランジ部6−1gとなっている。
そしてこの両外フランジ部2b,6−1gの間に接着剤
14を介在させることにより、吸熱側熱交換基体2の延
設部2aと第1放熱側枠体6−1の延設部6−1bを一
体に接合している。
【0040】図5は、本発明の第3の実施の形態を示す
熱電変換装置の要部断面図である。
【0041】この実施の形態では、吸熱側熱交換基体2
の延設部2aの下部が若干外側に拡がって傾斜拡大部2
cとなっており、一方、第1放熱側枠体6−1の延設部
6−1bの下部も若干外側に拡がって傾斜拡大部6−1
hとなっている。そしてこの両傾斜拡大部2c、6−1
hの間に接着剤14を介在させることにより、吸熱側熱
交換基体2の延設部2aと第1放熱側枠体6−1の延設
部6−1bを一体に接合している。
【0042】図6ならびに図7は本発明の第4の実施の
形態を説明するための図で、図6は熱電変換装置の断面
図、図7はその熱電変換装置の斜視図である。
【0043】熱電変換装置は、被冷却側に配置される吸
熱部材1と、吸熱側熱交換基体2と、熱電変換素子群3
(図6参照)と、放熱側熱交換基体4(図6参照)と、
吸熱側枠体5と、放熱側枠体6と、分散部材7(図6参
照)とから主に構成されている。
【0044】前記吸熱部材1は内部に多数の吸熱フィン
(図示せず)を有し、必要に応じて近傍にファンを付設
することができる。
【0045】前記吸熱側熱交換基体2ならびに放熱側熱
交換基体4は共に例えばアルミニウムなどの金属からな
り、熱電変換素子群3と接する側の表面に例えばアルマ
イトなどの電気絶縁膜が形成されている。
【0046】前記吸熱側枠体5は上方ならびに下方が開
口した中空状のもので、基端部5aとその基端部5aの
内周部から上方に向けて延びた延設部5bとを有し断面
形状がほぼL字形をしている。基端部5aの下面には凹
溝が形成されてその凹溝内にOリング8が収納され、基
端部5aの下面が吸熱側熱交換基体2の周辺部に液密に
接合されている。
【0047】前記放熱側枠体6は上方がほぼ塞がれ下方
が開口した中空状のもので、吸熱側枠体5内に収納さ
れ、下方開口部に基体受部6aが設けられて放熱側熱交
換基体4の周辺部が液密に接着されている。基体受部6
aの内周部から上方に向けて延設部6bが設けられ、延
設部6bの上端付近には吸熱側枠体5の延設部5bの内
面に接するように外側に向けて延びた接着剤受け部6c
が形成されている。
【0048】延設部6bの上端から内側に向いて閉塞部
6dが形成され、図7に示すように閉塞部6dのほぼ中
央部に給水管部9が、また周縁近くに排水管部10が設
けられている。
【0049】分散部材7は周壁7aと、周壁7aの下端
から内側に向けて延びた底壁7bと、周壁7aの上下方
向の中間位置から外側に向けて延びたつば部7cを一体
に形成している。底壁7bには厚さ方向に向けて多数の
分散孔7dが設けられ、また前記つば部7cの四隅に比
較的径大の排出穴(図示せず)が形成されている。
【0050】分散部材7の周壁7aの上面ならびにつば
部7cの外周面が、放熱側枠体6の閉塞部6dの内面な
らびに延設部6bの内周面にそれぞれ液密に接着され
る。このようにして分散部材7を放熱側枠体6の内側に
接着固定することにより、分散部材7の周壁7aならび
に底壁7bと放熱側枠体6の閉塞部6dとによって扁平
状の第1空間11が形成され、分散部材7の周壁7aな
らびにつば部7cと放熱側枠体6の延設部6bの一部な
らびに閉塞部6dの一部により、前記排出穴に連通する
排水路12が形成され、さらに分散部材7の底壁7bと
放熱側熱交換基体4の間に扁平状の第2空間13が形成
される。
【0051】図6に示すように吸熱側熱交換基体2と熱
電変換素子群3と放熱側熱交換基体4が上下方向に重ね
て密着配置され、吸熱側熱交換基体2と連結した吸熱側
枠体5の延設部5bと、放熱側熱交換基体4と連結した
放熱側枠体6の延設部6bは、熱電変換素子群3の放熱
側においてほぼ同じ方向に延びている。そして延設部5
bと延設部6bは、それらの一部と接着剤受け部6cに
よって形成された凹部に例えばエポキシ系接着剤などの
接着剤14を注入固化することにより、気液密に接合さ
れる。
【0052】図7に示すように熱移動媒体である水15
を中央の給水管部9から供給すると第1空間部11で一
斉に拡がり、各分散孔7dから放熱側熱交換基体4の上
面に向けて勢いよく噴射する。放熱側熱交換基体4に衝
突して放熱側熱交換基体4の熱を奪った水15は隙間の
狭い第2空間部13で拡散し、その周囲の集水路16で
集められ、近くの排出穴から排水路12を経て排水管部
10(図7参照)から系外へ排出される。排出された水
15は図示しないラジエタ−または自然放冷で冷却さ
れ、循環系統を通って再利用される。
【0053】図8は本発明の第5の実施の形態を説明す
るための図で、この実施の形態では放熱側枠体6の接着
剤受け部6cの外周部近くに止め枠17を一体に立設し
て、この止め枠17と吸熱側枠体5の延設部5bとを隙
間をおいて対向させ、その隙間に接着剤14を充填して
いる。なお、接着剤14の充填を容易にするため、延設
部5bならびに止め枠17の一方または両方(本実施の
形態では両方)に傾斜が付けられている。
【0054】図9ならびに図10は本発明の第6の実施
の形態を説明するための図で、図10はその要部拡大断
面図である。この実施の形態では熱電変換素子群3のリ
ードの引出し方に改良を加えたものであり、図9に示す
ように放熱側枠体6の接着剤受け部6cに端子部材18
(給電手段)が貫通して設けられ、熱電変換素子群3と
端子部材18の間にリード線19が接続されている。
【0055】図10は端子部材18の取付け部を示す拡
大断面図で、接着剤受け部6cの中間部にナット20が
インサート成形され、それに端子部材18のネジ部21
が螺合されている。ネジ部21の上方にはフランジ部2
2が設けられ、接着剤受け部6cとフランジ部22の間
にOリング23が介挿されている。従って端子部材18
をナット20に対してねじ込むことにより、Oリング2
3が接着剤受け部6cとフランジ部22の間で押圧変形
され、接着剤受け部6cとOリング23の間ならびにフ
ランジ部22とOリング23の間において局部的に高い
接面圧力が得られる。端子部材18の取付け部における
気液密性をさらに高めるため、フランジ部22を覆うよ
うに例えばエポキシ系樹脂などからなる封止用接着剤層
24が形成されている。
【0056】図11は本発明の第7の実施の形態を説明
するための拡大断面図で、この実施の形態では接着剤受
け部6cの中間部に端子部材18のフランジ部22がイ
ンサート成形され、端子部材18の付け根部は封止用接
着剤層24で覆われている。
【0057】25はその封止用接着剤層24を確実に形
成するための止め枠である。
【0058】図12は本発明の第8の実施の形態を説明
するための図で、この実施の形態では吸熱側枠体5の延
設部5bが折り返し状(非直線状)になって設けられ、
放熱側枠体6との間に位置決めピン26が挿通されて、
接着剤14で一体に接合されている。
【0059】またこの実施の形態では、熱電変換素子群
3が薄膜38を介してあるいは介さずして吸熱部材1で
あるフィンベースに接合されている。
【0060】前述のように吸熱側熱交換基体2と放熱側
熱交換基体4が対向している構造では、放熱側熱交換基
体4から吸熱側熱交換基体2への熱の戻りがあり、その
ために熱電変換効率が低下する心配がある。図13ない
し図19はこの点を配慮した具体例である。なおこれら
の図では図面を簡略化するため、吸熱部材1ならびに分
散板7などの他の部材の図示は省略している。
【0061】図13は本発明の第9の実施の形態を説明
するための図で、この実施の形態では、吸熱側熱交換基
体2の熱電変換素子群3と密着する中央部とその基体2
の周縁部との間に、吸熱側熱交換基体2が断面山形にな
るように1個または複数個の段差部41を形成してい
る。このように段差部41を設けることにより、吸熱側
熱交換基体2の熱電変換素子群3と対向する中央部以外
の周辺部を放熱側熱交換基体4から可及的に遠ざけて、
吸熱側熱交換基体2の周辺部への熱の戻りが抑制でき
る。
【0062】そしてさらに吸熱側枠体5の段差部41と
対向する内周部に熱移動遮断部42を一体にまたは別体
に設け、Oリング8を介して段差部41に接合して、こ
の熱移動遮断部42により放熱側熱交換基体4の周辺部
からの吸熱側熱交換基体2への熱の戻りを防止したもの
である。
【0063】図14は本発明の第10の実施の形態を説
明するための図で、この実施の形態では、吸熱側熱交換
基体2の放熱側熱交換基体4と対向する面積を小さく
し、かつ、吸熱側熱交換基体2の側面を吸熱側枠体5か
ら延びた熱移動遮断部42で覆った構造になっている。
【0064】図15は本発明の第11の実施の形態を説
明するための図で、この実施の形態では、前記第10の
実施の形態と相違する点は、吸熱側熱交換基体2の吸熱
部材1(図1参照)と接合する側の面積を広くするため
拡張部を設けた点である。
【0065】図16は本発明の第12の実施の形態を説
明するための図で、この実施の形態では、放熱側熱交換
基体4の周辺部ならびに熱移動遮断部42の表面に断熱
層43が形成されている。この断熱層43は、例えばポ
リアミド系合成繊維、ポリエステル系合成繊維、ポリア
クリロニトリル系合成繊維、ポリオレフィン系合成繊
維、フッ素系合成繊維などの短繊維(繊維長は0.5〜
1mm程度)、またはアルミナ、ガラス、ケイソウ土、
酸化チタンなどの微粉末を接着したもの、あるいは片面
に粘着剤が塗布された断熱テープ(シート)などから構
成される。
【0066】図17は本発明の第13の実施の形態を説
明するための図で、この実施の形態では、吸熱側熱交換
基体2の中央部と周縁部との間に凹部44が形成されて
放熱側熱交換基体4との対向間隔を拡げ、かつ吸熱側熱
交換基体2の露出部分に断熱層43が形成されている。
【0067】図18ならびに図19は本発明の第14な
らびに第15の実施の形態を説明するための図で、これ
らの実施の形態では前記図14,図15に示す実施の形
態において、吸熱側熱交換基体2や放熱側熱交換基体4
の露出面ならびに熱移動遮断部42の表面に断熱層43
が形成されている。
【0068】また断熱層として、吸熱側熱交換基体2と
放熱側熱交換基体4の空間部に、空気より熱伝導率の低
い材料、例えば酸化チタンなどの金属酸化物の超微粒
子、あるいはアルゴンガスなどのガスを充填することも
可能である。
【0069】前記第4ないし第15の実施の形態では吸
熱側枠体5の延設部5bと放熱側枠体6の延設部6bを
共に熱電変換素子群3の放熱側に延ばしたが、延設部5
bと延設部6bを共に熱電変換素子群3の吸熱側に延ば
すこともできる。
【0070】また前記各実施の形態では延設部どうしを
接着剤14によって接合する場合について説明したが、
これに限らず例えば超音波融着やボルト締結あるいはこ
れらの組み合わせなど他の接合手段も使用可能である。
【0071】前記各実施の形態の熱電変換装置の組み立
て作業性を考慮した場合、熱電変換素子群3を一方の熱
交換基体(例えば放熱側熱交換基体4)に半田層や接着
層などを介して取付け、他方の熱交換基体(例えば吸熱
側熱交換基体2)と熱電変換素子群3は直接に接触させ
るか、あるいは熱伝導性の良い層もしくは部材を介して
接触させる方法が好適である。
【0072】図20は、この製造方法の改良を加えた第
16の実施の形態を示す組み立て途中の断面図である。
この実施の形態の場合、吸熱側熱交換基体2は例えばア
ルミニウムなどの金属板30の片面にアルマイトなどの
電気絶縁膜31を形成したものから構成されており、ま
た、放熱側熱交換基体4も同様に例えばアルミニウムな
どの金属板32の片面にアルマイトなどの電気絶縁膜3
3を形成したものから構成されている。
【0073】同図に示すように、放熱側熱交換基体4に
おける電気絶縁膜33の上(図面では下)に放熱側電極
34が半田などによって接合され、さらに放熱側電極3
4の上(図面では下)にP型半導体層35とN型半導体
層36が半田などによって接合され、さらにまたP型半
導体層35ならびにN型半導体層36の上(図面では
下)に吸熱側電極37が半田などによって接合されてい
る。前記放熱側電極34とP型半導体層35とN型半導
体層36と吸熱側電極37によって熱電変換素子群3が
構成されており、この熱電変換素子群3は前述のように
して放熱側熱交換基体4に取り付けられている。
【0074】一方、吸熱側熱交換基体2の電気絶縁膜3
1上には、熱伝導率が大きくしかも可撓性、弾性を有す
る薄膜38が、熱電変換素子群3の面積よりも若干広い
目に形成されている。この薄膜38として微細なフィラ
ーが混合分散されたゴム弾性を有する有機材料が使用可
能で、本実施の形態では微細なフィラーを混合分散した
ゲル状のシリコーンゴム(例えば東レダウコーニング社
の製品名SE4440)を使用している。このシリコー
ンゲルの硬化後の特性は、熱伝導率が1.8×10
-3〔cal/cm・℃・sec〕と大きく、針入度(J
IS K2220)が60で良好なゲル弾性を有してい
る。なお、薄膜38の膜厚は500μm以下が適当であ
る。
【0075】前述のように熱電変換素子群3を放熱側熱
交換基体4に取り付け、一方の吸熱側熱交換基体2に弾
性を有する薄膜38を設け、吸熱側熱交換基体2と放熱
側熱交換基体4を近接して熱電変換素子群3を薄膜38
に圧接することにより、吸熱側熱交換基体2は熱伝導性
の良い薄膜38を介して熱電変換素子群3と簡単にかつ
確実に熱的に接続される。
【0076】図21ならびに図22は本発明の第17の
実施の形態を示す図で、図21は熱電変換素子群3の断
面図、図22はその熱電変換素子群3に用いる応力吸収
部材の斜視図である。
【0077】この実施の形態では、各P型半導体層35
と吸熱側電極37との間ならびに各N型半導体層36と
吸熱側電極37との間に個別に、例えばアルミニウムや
銅などの熱伝導性ならびに電気伝導性が良好な弾性材料
からなる側面形状がZ(S)字状の応力吸収部材39が
介在、接合されている。図22で破線で示した領域40
はクリーム半田が塗布される接合領域である。
【0078】図23ならびに図24は本発明の第18の
実施の形態を示す図で、図23は熱電変換素子群3の断
面図、図24はその熱電変換素子群3に用いる応力吸収
部材39の斜視図である。この実施の形態では、応力吸
収部材39の両側にZ(S)字状に折り曲げられた部分
が形成され、応力吸収部材39が吸熱側電極37を兼ね
ている。
【0079】図25ならびに図26は本発明の第19の
実施の形態を示す図で、図25は熱電変換素子群3の断
面図、図26はその熱電変換素子群3に用いる応力吸収
部材39の斜視図である。この実施の形態で前記第17
の実施の形態と相違する点は、応力吸収部材39の形状
がU字状をしている点である。
【0080】図27ならびに図28は本発明の第20の
実施の形態を示す図で、図27は熱電変換素子群3の断
面図、図28はその熱電変換素子群3に用いる応力吸収
部材39の斜視図である。この実施の形態で前記第18
の実施の形態と相違する点は、応力吸収部材39の形状
がU字形をしている点である。
【0081】この第17〜20の実施の形態では応力吸
収部材39を半導体層35、36の吸熱側に設置した
が、放熱側に設置してもまた吸熱側と放熱側の両方に設
置してもよい。
【0082】このようにZ(S)字状あるいはU字状に
折り曲げられて、吸熱側熱交換基体2、熱電変換素子群
3、放熱側熱交換基体4の積層(垂直)方向または積層
(垂直)方向と水平方向に弾性変形が可能な応力吸収部
材39を設ければ、熱サイクルの繰り返しによって発生
する前記積層方向の応力を有効に吸収して、熱電変換素
子群3への悪影響を解消することができる。また、応力
吸収部材39を設置することにより、吸熱側熱交換基体
2と放熱側熱交換基体4の間の間隔が長くできるので、
半導体層35、36以外の空隙での熱ロスが低減でき
る。
【0083】前記実施の形態でアルミニウムなどの金属
板30(32)の片面にアルマイトなどの電気絶縁膜3
1(33)を形成したものを吸熱側熱交換基体2や放熱
側熱交換基体4として用いた例を説明した。この基体
2,4は例えばアルミナなどからなるセラミック製の基
体に比較して熱抵抗が少なく、熱サイクルを繰り返した
際の熱変換素子群3へのダメージが少ないなどの特長を
有しており、前述のアルマイトの電気絶縁膜31(3
3)は陽極酸化法などで形成される。
【0084】しかし、金属板30(32)の表面に完全
な電気絶縁膜31(33)を形成するには、製造コスト
と時間がかかるという難点がある。
【0085】図29ならびに図30はこの点を配慮した
第21の実施の形態を示す図で、図29は基体2(4)
の製造過程を示す図、図30は基体2(4)の断面図で
ある。
【0086】まず、アルミニウムなどの金属板32(3
0)の片面に陽極酸化法などでアルマイトなどの電気絶
縁膜33(31)を形成し、その電気絶縁膜33(3
1)の上に塗布ローラ45によって樹脂塗料46を一定
の厚さに塗布して樹脂被膜47を形成する。この具体例
では塗布ローラ45を使用しているが、スピンコート法
や印刷など他の方法によって樹脂被膜47を形成するこ
ともできる。
【0087】この樹脂被膜47としては、例えばポリイ
ミド系、ポリアミド系、ポリエステル系、アクリル系、
ビニル系、ポリオレフイン系、繊維素系、ゴム系などの
各種合成樹脂がが使用可能で、放熱側熱交換基体4への
適用を考慮すれば特にポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエステルなどの耐熱性を有する熱可塑性樹脂が好適
である。
【0088】樹脂被膜47の膜厚は、1〜20μmの範
囲、好ましくは3〜10μmの範囲に規制した方がよ
い。膜厚が1μm未満になると樹脂被膜47にピンホー
ルなどが発生して電気絶縁の補完機能が発揮されず、一
方、膜厚が20μmを超えると樹脂被膜47による熱抵
抗の影響がでるため好ましくない。本実施の形態では、
ポリイミドからなる厚さが約5μmの樹脂被膜47を使
用する。
【0089】この樹脂被膜47を形成した金属板30を
吸熱側熱交換基体2として用いる場合には、この金属板
30を所定の広さに裁断してそのまま吸熱側熱交換基体
2として用いることができる。
【0090】図29ならびに図30は樹脂被膜47を形
成した金属板32を放熱側熱交換基体4として用いる場
合を示しており、樹脂被膜47の上に例えば銅からなる
箔板状の電極材48を積層し、加熱・加圧ローラ対49
a,49bによって加熱・圧着され、樹脂被膜47の熱
溶融性を利用して電極材48が金属板32上に接着固定
される。
【0091】このようにして形成した電気絶縁膜33付
きの金属板32と樹脂被膜47と電極材48の複合材を
所定の広さに裁断し、次に電極材48をエッチング処理
によって不要な部分を除去して所定の形状にパターンニ
ングし、残った部分の表面にニッケルメッキを施して図
30に示すように放熱側電極34を形成する。後は常法
に従って、放熱側電極34の上にP型半導体層35なら
びにN型半導体層36を接合する。
【0092】この実施の形態では電極材48を使用した
が、予め所定の形状に作成された各放熱側電極34を樹
脂被膜47の上に整列させて、それらを加熱・圧着して
各放熱側電極34を固定することもできる。
【0093】この実施の形態のように樹脂被膜47を電
気絶縁膜33の補完用に使用するとともに、放熱側電極
34の固定用にも利用すれば、コストの低減を図ること
ができる。
【0094】図31は、水平方向の応力緩和を配慮した
本発明の第22の実施の形態を示す図である。同図に示
すように、金属板32の上に電気絶縁膜33が形成さ
れ、その上に樹脂被膜47を介してまたは介さずして放
熱側電極34が接合される。さらにこの放熱側電極34
の上にP型半導体層35ならびにN型半導体層36が接
合され、その上に吸熱側電極37が接合される。
【0095】この吸熱側電極37の両側にはP型半導体
層35ならびにN型半導体層36と接合する領域40、
40が設けられているが、この領域40、40の間には
両側端から若干位置をずらして切欠部50a,50bが
平行に設けられて、吸熱側電極37の平面形状がほぼS
字状をしている。
【0096】このように領域40、40の間に形成した
S字状部51の伸縮により、同図に矢印で示す水平方向
の応力を吸収することができる。
【0097】図32は、本発明の第23の実施の形態を
示す図である。この実施の形態では、両側をZ字状ある
いはU字状(本実施の形態ではZ字状)に折り曲げた応
力吸収部材37の中間部にS字状部51を形成した例を
示している。このような構成にすれば、熱サイクルの繰
り返しによる垂直方向ならびに水平方向の応力を有効に
吸収して、熱電変換素子群3へのダメージを極力回避す
ることができる。
【0098】前記実施の形態では電子冷却装置の場合に
ついて説明したが、本発明は熱発電装置にも適用可能で
ある。
【0099】
【発明の効果】本発明は前述のように、熱電変換素子群
を介して第1の熱交換基体と第2の熱交換基体が互いに
対向するように配置された熱電変換装置において、 前記
第1の熱交換基体の外周部と接合して、前記第2の熱交
換基体の外周部を取り囲む合成樹脂製の枠体を有し、
記第2の熱交換基体の外周部に、前記第1の熱交換基体
−熱電変換素子群−第2の熱交換基体の積層方向にほぼ
沿って延びた基体側延設部を有し、 前記枠体に、基体側
延設部とほぼ同じ方向に延びて、その基体側延設部と隙
間を介して対向する枠体側延設部を有し、 第2の熱交換
基体を枠体内に挿入して、第2の熱交換基体の外周部の
一部を枠体の内周部の一部に当接し、基体側延設部と枠
体側延設部の隙間に接着剤を注入してその延設部どうし
を接着剤層で接合し、 第2の熱交換基体の熱電変換素子
群と対向する面とは反対側の面に熱電導性部材を当接し
て、枠体側延設部の開口端ならびに接着剤層がその熱電
導性部材と接触しないことを特徴とするものである。
【0100】
【0101】合成樹脂製の枠体は熱導体や熱電変換素子
とほぼ同程度の熱膨張係数を有し、動作時の熱導体や熱
電変換素子群の膨脹、収縮に対応して枠体も同様に伸び
縮みするから、熱電変換素子に発生する応力が大幅に低
減される。
【0102】また、枠体は熱交換基体の外周部を保持す
る大きさを有していることから、延設部どうしの接合面
積が十分に得られ、従って合成樹脂製の枠体であっても
十分な締結力が得られる。
【0103】このようなことから、熱電変換装置の性能
劣化が防止でき、動作信頼性に優れ、非常に耐用寿命の
長い熱電変換装置を提供することができる。
【0104】請求項記載のように、基体側延設部と枠
体側延設部の間に位置決めピンが挿通されておれば、接
着剤が硬化するまでの間の延設部の相対的な位置ずれを
防止し、延設部どうしの接合状態を適切に確保すること
ができる。
【0105】
【0106】請求項記載のように、枠体がポリフェニ
レンサルファイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリ
プロピレンのうちの少なくとも1種の合成樹脂から構成
されておれば、枠体を通しての水分の侵入が少ない。そ
のため吸熱側の結露、ならびにそれに伴う電極やその近
辺の腐食、ショートなどが防止できる。
【0107】
【0108】請求項記載のように、枠体の熱交換基体
と接合する基端部とその枠体の延設部との間が非直線状
になっておれば、枠体の沿面距離が直線状のものよりも
長くなり、そのため枠体を伝わっての熱の戻りが少な
い。
【0109】請求項記載のように、枠体の熱交換基体
と接合する基端部とその枠体の延設部との間の補強リブ
が設けられておれば、その補強リブによって枠体の機械
的強度を確保することができる。そのため枠体の肉厚を
可及的に薄くして、枠体を通しての熱の戻りを少なくす
ることが可能である。
【0110】請求項10記載のように吸熱側熱交換基体
と放熱側熱交換基体との間に熱移動遮断部を設けたり、
請求項12記載のように断熱層を設ければ、熱の戻りが
防止できる。
【0111】請求項13記載のように、熱電変換素子群
に弾性を有する応力吸収部材が内在されておれば、応力
による熱電変換素子へのダメージが軽減できる。
【0112】請求項14記載のように、熱電変換素子群
と熱交換基体との間に弾性を有する薄膜が介在されてお
れば、応力による熱電変換素子へのダメージが軽減でき
るとともに、半導体層の高さのバラツキなどが吸収でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る熱電変換装置
の断面図である。
【図2】その熱電変換装置に使用する第1放熱側枠体の
底面図である。
【図3】その熱電変換装置におけるリード線の取り出し
構造を説明するための一部拡大断面図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態に係る熱電変換装置
の一部断面図である。
【図5】本発明の第3の実施の形態に係る熱電変換装置
の一部断面図である。
【図6】本発明の第4の実施の形態に係る熱電変換装置
の断面図である。
【図7】その熱電変換装置の斜視図である。
【図8】本発明の第5の実施の形態に係る熱電変換装置
の断面図である。
【図9】本発明の第6の実施の形態に係る熱電変換装置
の断面図である。
【図10】その熱電変換装置の端子部の一部拡大断面図
である。
【図11】本発明の第7の実施の形態に係る熱電変換装
置の端子部の一部拡大断面図である。
【図12】本発明の第8の実施の形態に係る熱電変換装
置の一部断面図である。
【図13】本発明の第9の実施の形態に係る熱電変換装
置の一部断面図である。
【図14】本発明の第10の実施の形態に係る熱電変換
装置の一部断面図である。
【図15】本発明の第11の実施の形態に係る熱電変換
装置の一部断面図である。
【図16】本発明の第12の実施の形態に係る熱電変換
装置の一部断面図である。
【図17】本発明の第13の実施の形態に係る熱電変換
装置の一部断面図である。
【図18】本発明の第14の実施の形態に係る熱電変換
装置の一部断面図である。
【図19】本発明の第15の実施の形態に係る熱電変換
装置の一部断面図である。
【図20】本発明の第16の実施の形態に係る熱電変換
装置の組み立て途中の一部断面図である。
【図21】本発明の第17の実施の形態に係る熱電変換
装置の組み立て途中の一部断面図である。
【図22】その熱電変換装置に用いる応力吸収部材の斜
視図である。
【図23】本発明の第18の実施の形態に係る熱電変換
装置の組み立て途中の一部断面図である。
【図24】その熱電変換装置に用いる応力吸収部材の斜
視図である。
【図25】本発明の第19の実施の形態に係る熱電変換
装置の組み立て途中の一部断面図である。
【図26】その熱電変換装置に用いる応力吸収部材の斜
視図である。
【図27】本発明の第20の実施の形態に係る熱電変換
装置の組み立て途中の一部断面図である。
【図28】その熱電変換装置に用いる応力吸収部材の斜
視図である。
【図29】本発明の第21の実施の形態に係る放熱側熱
交換基体の製造過程を示す断面図である。
【図30】その放熱側熱交換基体の断面図である。
【図31】本発明の第22の実施の形態に係る熱電変換
装置の一部斜視図である。
【図32】本発明の第23の実施の形態に係る応力吸収
部材の斜視図である。
【符号の説明】
1 吸熱部材 2 吸熱側熱交換基体 2a 延設部 3 熱電変換素子群 4 放熱側熱交換基体 5 吸熱側枠体 5b 延設部 6 放熱側枠体 6−1 第1放熱側枠体 6−2 第2放熱側枠体 6b、6−1b、6−2b 延設部 6−1c 補強リブ 7 分散板 14 接着剤 15 水 18 端子部材 19 リード線 26 位置決めピン 30 金属板 31 電気絶縁膜 32 金属板 33 電気絶縁膜 34 放熱側電極 35 P型半導体層 36 N型半導体層 37 吸熱側電極 38 薄膜 39 応力吸収部材 42 熱移動遮断部 43 断熱層 47 樹脂被膜 51 S字状部
フロントページの続き (72)発明者 佐藤 一也 北海道登別市柏木町3丁目36番83号 (56)参考文献 特開 平9−321348(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 35/30 F25B 21/02 H01L 35/32

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱電変換素子群を介して第1の熱交換基
    体と第2の熱交換基体が互いに対向するように配置され
    た熱電変換装置において、前記第1の熱交換基体の外周部と接合して、前記第2の
    熱交換基体の外周部を取り囲む合成樹脂製の枠体を有
    し、 前記第2の熱交換基体の外周部に、前記第1の熱交換基
    体−熱電変換素子群−第2の熱交換基体の積層方向にほ
    ぼ沿って延びた基体側延設部を有し、 前記枠体に、基体側延設部とほぼ同じ方向に延びて、そ
    の基体側延設部と隙間を介して対向する枠体側延設部を
    有し、 第2の熱交換基体を枠体内に挿入して、第2の熱交換基
    体の外周部の一部を枠体の内周部の一部に当接し、基体
    側延設部と枠体側延設部の隙間に接着剤を注入してその
    延設部どうしを接着剤層で接合し、 第2の熱交換基体の熱電変換素子群と対向する面とは反
    対側の面に熱電導性部材を当接して、枠体側延設部の開
    口端ならびに接着剤層がその熱電導性部材と接触しない
    ことを特徴とする熱電変換装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の熱電変換装置において、
    前記第2の熱交換基体が肉厚のブロック体からなり、そ
    のブロック体の外周部が前記基体側延設部になっている
    ことを特徴とする熱電変換装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の熱電変換装置において、
    前記基体側延設部と枠体側延設部の間に位置決めピンが
    挿通されていることを特徴とする熱電変換装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の熱電変換装置において、
    前記接着剤層が基体側延設部と枠体側延設部に対してほ
    ぼ平行に形成されていることを特徴とする熱電変換装
    置。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の熱電変換装置において、
    前記枠体がポリフェニレンサルファイド、ポリブチレン
    テレフタレート、ポリプロピレンのうちの少なくとも1
    種の合成樹脂から構成されていることを特徴とする熱電
    変換装置。
  6. 【請求項6】 請求項1記載の熱電変換装置において、
    前記枠体が繊維状フィラーを混合分散した合成樹脂で構
    成されていることを特徴とする熱電変換装置。
  7. 【請求項7】 請求項1記載の熱電変換装置において、
    前記熱電変換素子群へ給電するための給電手段が前記枠
    体に保持されていることを特徴とする熱電変換装置。
  8. 【請求項8】 請求項1記載の熱電変換装置において、
    前記枠体の前記第1の熱交換基体と接合する基端部とそ
    の枠体の延設部との間が非直線状になっていることを特
    徴とする熱電変換装置。
  9. 【請求項9】 請求項1記載の熱電変換装置において、
    前記枠体の前記第1の熱交換基体と接合する基端部とそ
    の枠体の延設部との間の補強リブが設けられていること
    を特徴とする熱電変換装置。
  10. 【請求項10】 請求項1記載の熱電変換装置におい
    て、前記第1の熱交換基体と第2の熱交換基体との間に
    熱移動遮断部が設けられていることを特徴とする熱電変
    換装置。
  11. 【請求項11】 請求項10記載の熱電変換装置におい
    て、前記熱移動遮断部が前記枠体と一体に形成されてい
    ことを特徴とする熱電変換装置。
  12. 【請求項12】 請求項1記載の熱電変換装置におい
    て、前記吸熱側熱交換基体と放熱側熱交換基体の互いに
    対向する面の少なくとも一方に断熱層が設けられている
    ことを特徴とする熱電変換装置。
  13. 【請求項13】 請求項1記載の熱電変換装置におい
    て、前記熱電変換素子群に弾性を有する応力吸収部材が
    内在されていることを特徴とする熱電変換装置。
  14. 【請求項14】 請求項1記載の熱電変換装置におい
    て、前記熱電変換素子群と第1の熱交換基体との間、お
    よび熱電変換素子群と第2の熱交換基体との間の少なく
    ともいずれか一方に弾性を有する薄膜が介在されている
    ことを特徴とする熱電変換装置。
  15. 【請求項15】 請求項14記載の熱電変換装置におい
    て、前記薄膜が熱伝導性の高いシリコーンゲルで構成さ
    れていることを特徴とする熱電変換装置。
  16. 【請求項16】 請求項1記載の熱電変換装置におい
    て、前記第1の熱交換基体および第2の熱交換基体の少
    なくともいずれか一方の熱交換基体がフィンベ ースであ
    ことを特徴とする熱電変換装置。
JP16448696A 1996-06-25 1996-06-25 熱電変換装置 Expired - Lifetime JP3241270B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16448696A JP3241270B2 (ja) 1996-06-25 1996-06-25 熱電変換装置
EP97201932A EP0820107B1 (en) 1996-06-25 1997-06-24 Thermoelectric apparatus
DE69725521T DE69725521T2 (de) 1996-06-25 1997-06-24 Thermoelektrischer Apparat
AU26243/97A AU717063B2 (en) 1996-06-25 1997-06-24 Thermoelectric apparatus
US08/881,760 US6073449A (en) 1996-06-25 1997-06-24 Thermoelectric apparatus
CN97113758A CN1128478C (zh) 1996-06-25 1997-06-25 热电式装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16448696A JP3241270B2 (ja) 1996-06-25 1996-06-25 熱電変換装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001249189A Division JP2002151750A (ja) 2001-08-20 2001-08-20 熱電変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1012934A JPH1012934A (ja) 1998-01-16
JP3241270B2 true JP3241270B2 (ja) 2001-12-25

Family

ID=15794087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16448696A Expired - Lifetime JP3241270B2 (ja) 1996-06-25 1996-06-25 熱電変換装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6073449A (ja)
EP (1) EP0820107B1 (ja)
JP (1) JP3241270B2 (ja)
CN (1) CN1128478C (ja)
AU (1) AU717063B2 (ja)
DE (1) DE69725521T2 (ja)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11112040A (ja) * 1997-10-06 1999-04-23 Matsushita Refrig Co Ltd 熱電モジュールを内蔵するマニホールドの製造方法及びマニホールド
JP3238114B2 (ja) * 1997-12-25 2001-12-10 株式会社エコ・トゥエンティーワン 熱電変換装置
JP4277325B2 (ja) * 1998-04-28 2009-06-10 アイシン精機株式会社 熱変換装置
JPH11340523A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Ube Ind Ltd 熱電変換システム
JP3501394B2 (ja) * 1999-03-30 2004-03-02 日本発条株式会社 熱電変換モジュール
JP2001108325A (ja) * 1999-09-30 2001-04-20 Hitachi Ltd 熱電冷却加熱装置およびそれを用いた構造物
JP2001116102A (ja) * 1999-10-14 2001-04-27 Kuroda Precision Ind Ltd 送りねじ
TW514996B (en) * 1999-12-10 2002-12-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film
US6324058B1 (en) * 2000-10-25 2001-11-27 Chieh-Jen Hsiao Heat-dissipating apparatus for an integrated circuit device
DE60226788D1 (de) * 2001-03-29 2008-07-03 Bridgestone Corp Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Reifens
JP2002151750A (ja) * 2001-08-20 2002-05-24 Development Bank Of Japan 熱電変換装置
US7166166B2 (en) * 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US7137353B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
US7166200B2 (en) * 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system
US6837966B2 (en) * 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US7204912B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system
US7147749B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
US6798519B2 (en) * 2002-09-30 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system
KR100772740B1 (ko) * 2002-11-28 2007-11-01 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 용기 내부재
EP1465468B1 (en) * 2003-03-31 2007-11-14 SANYO ELECTRIC Co., Ltd. Metal mask and method of printing lead-free solder paste using same
JP4532479B2 (ja) * 2003-03-31 2010-08-25 東京エレクトロン株式会社 処理部材のためのバリア層およびそれと同じものを形成する方法。
JP4597972B2 (ja) 2003-03-31 2010-12-15 東京エレクトロン株式会社 処理部材上に隣接するコーティングを接合する方法。
US6843870B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-18 Epic Biosonics Inc. Implantable electrical cable and method of making
JP4488778B2 (ja) * 2003-07-25 2010-06-23 株式会社東芝 熱電変換装置
JP2005277206A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Toshiba Corp 熱電変換装置
JP2006005154A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Okano Electric Wire Co Ltd 熱電変換モジュール
US20060005944A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Jack Wang Thermoelectric heat dissipation device and method for fabricating the same
JP2006073632A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Toshiba Corp 熱電変換装置および熱電変換装置の製造方法
US7552521B2 (en) 2004-12-08 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved baffle plate
US7601242B2 (en) 2005-01-11 2009-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system
JP4873888B2 (ja) * 2005-05-27 2012-02-08 京セラ株式会社 熱電変換モジュール及び、これを用いた発電装置及び冷却装置
US20090301538A1 (en) * 2006-12-14 2009-12-10 Joel Lindstrom Thermoelectric module
US7985918B2 (en) * 2006-12-14 2011-07-26 Thermohex, Llc Thermoelectric module
WO2008076378A1 (en) * 2006-12-14 2008-06-26 Thermohex, Llc A thermoelectric module
JP2008258533A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Thermoelectric Device Development Inc 熱電変換装置
JP5139095B2 (ja) * 2008-01-24 2013-02-06 株式会社ユニバーサルエンターテインメント 熱電変換モジュールおよび熱電変換素子用コネクタ
DE102008022802A1 (de) * 2008-05-08 2009-11-19 Benteler Automobiltechnik Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung elektrischer Leistung aus der Abwärme eines Kraftfahrzeugverbrennungsmotors
US8327659B2 (en) * 2008-07-14 2012-12-11 Cooler By Design Insulated cooler
DE102009012841A1 (de) * 2009-03-04 2010-09-16 Elringklinger Ag Strukturbauteil zur Wärmeabschirmung von Motoren oder Motorkomponenten, insbesondere Hitzeschild für Verbrennungskraftmaschinen
DE102010037946A1 (de) * 2009-10-05 2011-04-07 Denso Corporation, Kariya-City Wärmemaschine
DE102009058948A1 (de) 2009-12-17 2011-06-22 J. Eberspächer GmbH & Co. KG, 73730 Abgasanlage mit thermoelektrischem Generator
US20130243922A1 (en) * 2012-03-19 2013-09-19 Judd B. Lynn Removal of alcohol from potable liquid using vacuum extraction
US20130291555A1 (en) 2012-05-07 2013-11-07 Phononic Devices, Inc. Thermoelectric refrigeration system control scheme for high efficiency performance
EP2848101B1 (en) * 2012-05-07 2019-04-10 Phononic Devices, Inc. Thermoelectric heat exchanger component including protective heat spreading lid and optimal thermal interface resistance
JP5765363B2 (ja) * 2013-04-16 2015-08-19 トヨタ自動車株式会社 熱電発電装置
JP6193709B2 (ja) * 2013-09-30 2017-09-06 日本サーモスタット株式会社 熱電変換モジュール
GB201320657D0 (en) * 2013-11-22 2014-01-08 Exnics Ltd Apparatus and method
US10458683B2 (en) 2014-07-21 2019-10-29 Phononic, Inc. Systems and methods for mitigating heat rejection limitations of a thermoelectric module
DE102014112826A1 (de) * 2014-09-05 2016-03-10 Minebea Co., Ltd. Thermoelektrischer Energiewandler
JP6184655B1 (ja) * 2016-02-02 2017-08-23 オリンパス株式会社 内視鏡用撮像装置
CN105737435B (zh) * 2016-03-30 2019-06-07 苏州恩欧西智能科技有限公司 一种激光器支架
DE102016110625A1 (de) * 2016-06-09 2017-12-14 Eberspächer Exhaust Technology GmbH & Co. KG Thermoelektrischer Generator für Abgasanlagen und Kontaktelement für einen thermoelektrischen Generator
JP6909062B2 (ja) * 2017-06-14 2021-07-28 株式会社Kelk 熱電モジュール
KR102072577B1 (ko) * 2017-12-07 2020-02-03 엘지이노텍 주식회사 열전 모듈
JP7162500B2 (ja) * 2018-11-09 2022-10-28 株式会社Kelk 温調装置
US20220376160A1 (en) * 2019-02-12 2022-11-24 Lg Innotek Co., Ltd. Thermoelectric module
CN110189891B (zh) * 2019-05-29 2021-07-06 钟晓茹 一种耐用型医疗变压器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3212274A (en) * 1964-07-28 1965-10-19 Eidus William Thermoelectric condenser
DE1904492A1 (de) * 1968-02-14 1969-09-18 Westinghouse Electric Corp Thermoelektrische Anordnung
US4497973A (en) * 1983-02-28 1985-02-05 Ecd-Anr Energy Conversion Company Thermoelectric device exhibiting decreased stress
CN1022506C (zh) * 1986-07-11 1993-10-20 蒸气公司 帕耳帖热电器的固定装置
JPH0629434A (ja) * 1992-07-09 1994-02-04 Matsumoto Kokan Kk 放熱装置
JPH07176798A (ja) * 1993-12-21 1995-07-14 Aisin Seiki Co Ltd 熱電変換装置
JPH0997930A (ja) * 1995-07-27 1997-04-08 Aisin Seiki Co Ltd 熱電冷却モジュール及びその製造方法
JP3533826B2 (ja) * 1996-05-29 2004-05-31 アイシン精機株式会社 熱変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0820107A2 (en) 1998-01-21
JPH1012934A (ja) 1998-01-16
US6073449A (en) 2000-06-13
AU717063B2 (en) 2000-03-16
EP0820107A3 (en) 1999-04-21
DE69725521D1 (de) 2003-11-20
AU2624397A (en) 1998-01-15
CN1171634A (zh) 1998-01-28
CN1128478C (zh) 2003-11-19
EP0820107B1 (en) 2003-10-15
DE69725521T2 (de) 2004-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3241270B2 (ja) 熱電変換装置
US6903457B2 (en) Power semiconductor device
JP3238114B2 (ja) 熱電変換装置
US8102652B2 (en) Base for power module
US7768109B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3826667B2 (ja) 両面冷却型半導体カ−ドモジュ−ル及びそれを用いた冷媒間接冷却型半導体装置
US20080041067A1 (en) Thermoelectric conversion device and manufacture method of the same
US7508067B2 (en) Semiconductor insulation structure
CN116666322A (zh) 半导体封装件、冷却系统、基板以及该基板制造方法
CN101286543B (zh) 热电变换装置
JP2002064168A (ja) 冷却装置、冷却装置の製造方法および半導体装置
JP3920403B2 (ja) 熱電変換装置
JP3726767B2 (ja) 半導体モジュール
JP3055679B2 (ja) 熱電モジュールジャケット、熱電加熱冷却装置、熱電モジュールジャケットの製造方法、及び熱電加熱冷却装置の製造方法
JP3175177B2 (ja) 半導体冷却装置
JP2020087966A (ja) 半導体モジュールおよびそれを用いた半導体装置
JPH06294561A (ja) 電子加熱冷却装置
JP3770164B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2003114080A (ja) 熱電変換装置およびその製造方法
JP2004064015A (ja) 熱電変換装置の製造方法ならびに熱電変換装置
JP2002151750A (ja) 熱電変換装置
JP4277325B2 (ja) 熱変換装置
JP3739739B2 (ja) 電子冷却ユニット
US20230057915A1 (en) Semiconductor module
JP4830668B2 (ja) 熱電変換装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114

S303 Written request for registration of pledge or change of pledge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S303 Written request for registration of pledge or change of pledge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S303 Written request for registration of pledge or change of pledge

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081019

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081019

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081019

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091019

Year of fee payment: 8

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091019

Year of fee payment: 8

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091019

Year of fee payment: 8

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091019

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019

Year of fee payment: 9

S803 Written request for registration of cancellation of provisional registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019

Year of fee payment: 9

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019

Year of fee payment: 9

S321 Written request for registration of change in pledge agreement

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316321

S803 Written request for registration of cancellation of provisional registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019

Year of fee payment: 9

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131019

Year of fee payment: 12

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313118

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term