JP2002151750A - 熱電変換装置 - Google Patents

熱電変換装置

Info

Publication number
JP2002151750A
JP2002151750A JP2001249189A JP2001249189A JP2002151750A JP 2002151750 A JP2002151750 A JP 2002151750A JP 2001249189 A JP2001249189 A JP 2001249189A JP 2001249189 A JP2001249189 A JP 2001249189A JP 2002151750 A JP2002151750 A JP 2002151750A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
thermoelectric conversion
heat exchange
frame
conversion device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001249189A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Watanabe
日出男 渡辺
Hirofusa Tezuka
弘房 手塚
Mitsutoshi Ogasawara
光敏 小笠原
Nobuhiko Suzuki
伸彦 鈴木
Kazuya Sato
一也 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DEV BANK OF JAPAN
DEVELOPMENT BANK OF JAPAN
Original Assignee
DEV BANK OF JAPAN
DEVELOPMENT BANK OF JAPAN
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DEV BANK OF JAPAN, DEVELOPMENT BANK OF JAPAN filed Critical DEV BANK OF JAPAN
Priority to JP2001249189A priority Critical patent/JP2002151750A/ja
Publication of JP2002151750A publication Critical patent/JP2002151750A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱サイクルの繰り返しによる性能劣化を軽減
し、しかも動作信頼性に優れ、耐用寿命の長い熱電変換
装置を提供する。 【解決手段】 熱電変換素子群3を介して熱伝導性の良
好な吸熱側熱交換基体2と放熱側熱交換基体4とが対向
するように配置された熱電変換装置において、吸熱側熱
交換基体2または放熱側熱交換基体4のいずれか一方の
外周部を保持する合成樹脂材料から構成された枠体6を
有し、枠体6と、枠体6に保持されていない他方の熱交
換基体2に、他方の熱交換基体2と枠体6との相対的な
位置ずれを防止する係合突起26と、その係合突起と係
合する被係合部とを設けたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子冷却装置ある
いは熱発電装置などの熱電変換装置に係り、特に熱サイ
クルを繰り返しても性能劣化が少ない、動作信頼性に優
れ、耐用寿命の長い熱電変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の熱電変換装置は、熱導体の間に熱
電変換素子群を配置し、熱導体と熱電変換素子群の間に
熱的な接触を良くする熱伝導性のグリースを介在して、
複数本のネジで両熱導体間を締結し熱電変換素子群を固
定していた。
【0003】ネジは金属製或いはプラスチック製のもの
が使用され、金属製ネジは熱電変換素子群の固定として
の強度は十分に有しているが、そのままでは熱伝導度が
大きいため断熱ワッシャーを併用している。一方、プラ
スチック製ネジは熱伝導度は小さいが、機械強度が低い
ため接着剤などの補助的な補強を施す必要がある。
【0004】このネジなどによる締結力は、熱導体と熱
電変換素子群の熱コンダクタンスを得ることと、熱電変
換素子群の固定のために必要である。なお、熱電変換素
子群の外周は、防水のためにシリコーンゴムなどでシー
ルされている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前述のように従来の熱
電変換装置は複数のネジにより両熱導体間を締結してい
るため、熱電変換素子群に均一な圧力を加えることが難
しく、熱電変換素子に偏荷重がかかり、素子が破壊され
ることがある。
【0006】前記金属製ネジとして熱伝導度が比較的小
さい例えばステンレス製あるいは鉄製のものが使用され
ているが、これらの材質のものは熱導体や熱電変換素子
よりも熱膨張係数が小さい。そのため熱電変換装置の使
用によって生じる熱導体および熱電変換素子群の膨脹、
収縮に対してネジがそれらの動きを拘束するから、熱電
変換素子に大きな圧縮、引張り応力が繰り返し発生し
て、素子の破壊を生じる。
【0007】またプラスチック製ネジは機械強度が低い
ため長期的な信頼性に欠け、さらに熱電変換装置の落下
衝撃試験に耐えられる強度は得られないなどの欠点を有
している。
【0008】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、熱サイクルの繰り返しによる性能劣化を軽
減し、しかも動作信頼性に優れ、耐用寿命の長い熱電変
換装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、熱電変換素子群を介して熱伝導性の良好
な吸熱側熱交換基体と放熱側熱交換基体とが対向するよ
うに配置された熱電変換装置を対象とするものである。
【0010】そして本発明は、前記吸熱側熱交換基体ま
たは放熱側熱交換基体のいずれか一方の外周部を保持す
る合成樹脂、例えばポリフェニレンサルファイドなどの
材料から構成された枠体を有し、その枠体と、その枠体
に保持されていない他方の熱交換基体に、その他方の熱
交換基体と枠体との相対的な位置ずれを防止する例えば
位置決めピンなどの係合突起と、その係合突起と係合す
る挿通孔などの被係合部とを設けたことを特徴とするも
のである。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明は前述のように、一方の熱
交換基体を保持した枠体と、その枠体に保持されていな
い他方の熱交換基体に、その他方の熱交換基体と枠体と
の相対的な位置ずれを防止する係合突起と、その係合突
起と係合する被係合部とを設けたことを特徴とするもの
である。
【0012】合成樹脂製の枠体は熱導体や熱電変換素子
とほぼ同程度の熱膨張係数を有し、動作時の熱導体や熱
電変換素子群の膨脹、収縮に対応して枠体も同様に伸び
縮みするから、熱電変換素子に発生する応力が大幅に低
減される。
【0013】また、一方の熱交換基体を保持した枠体と
他方の熱交換基体の相対的な位置ずれを防止する構造に
なっているから、吸熱側熱交換基体と熱電変換素子群と
放熱側熱交換基体の密着が維持され、熱電変換装置の性
能劣化が防止でき、動作信頼性に優れ、非常に耐用寿命
の長い熱電変換装置を提供することができる。
【0014】次に本発明の実施の形態を図1ないし図3
とともに説明する。図1は例えば電子冷蔵庫などの電子
冷却装置として用いる熱電変換装置の断面図、図2はそ
の熱電変換装置に使用される第1放熱側枠体の底面図、
図3はリード線の取り出し構造を示す一部拡大断面図で
ある。
【0015】図1に示すように熱電変換装置は、例えば
冷蔵庫の庫内などの被冷却側に配置される吸熱部材1
と、吸熱側熱交換基体2と、熱電変換素子群3と、放熱
側熱交換基体4と、第1放熱側枠体6−1と、第2放熱
側枠体6−2と、分散部材7とから主に構成されてい
る。
【0016】前記吸熱部材1は広い面積を有するフィン
ベースからなり多数の吸熱フィン(図示せず)を付設し
ており、必要に応じて近傍にファンを付設することがで
きる。なお、フィンベースと吸熱フィンは一体の場合も
あるし、また吸熱フィンがない場合もある。
【0017】前記吸熱側熱交換基体2ならびに放熱側熱
交換基体4は共に例えばアルミニウムなどの熱伝導性の
良好な金属からなり、熱電変換素子群3と接する側の表
面に例えばアルマイトなどの電気絶縁膜が形成されてい
る。陽極酸化法によってアルマイトの絶縁膜を形成する
場合、その絶縁膜に封孔処理しない方が、後述する薄膜
38を介しての熱電変換素子群3との接合性が良好であ
る。電気絶縁膜は、この他に溶射などで形成することも
可能である。この熱交換基体2,4の別の製法について
は後で説明する。
【0018】図1に示すように吸熱側熱交換基体2は、
良好な冷却状態を確保するため肉厚のブロック体から構
成されている。
【0019】前記熱電変換素子群3は、図示していない
が周知のように吸熱側電極と、放熱側電極と、両電極の
間に多数配置されたP型半導体層とN型半導体層とから
構成され、P型半導体層とN型半導体層は構造的ならび
に熱的に並列に配置されているが、電気的には前記電極
を介して直列に接続されている。
【0020】前記第1吸熱側枠体6−1は図1に示され
ているように、放熱側熱交換基体4から吸熱側熱交換基
体2側にかけて配置されている。そして上方ならびに下
方が開口した中空状のもので、基端部6−1aとその基
端部6−1aの内周部から下方に向けて延びた延設部6
−1bとを有し断面形状がほぼ階段形をしている。基端
部6−1aは、例えば接着剤あるいはOリングと接着剤
の併用などにより放熱側熱交換基体4の下面周辺部に液
密に接合されている。
【0021】前述のように吸熱側熱交換基体2は肉厚の
ブロック体からなり、従ってその外周部は吸熱側熱交換
基体2−熱電変換素子群3−放熱側熱交換基体4の積層
方向にほぼ沿って延びた延設部2aを構成している。こ
の吸熱側熱交換基体2の延設部2aと第1吸熱側枠体6
−1の延設部6−1bはほぼ平行に対向しており、両者
の間に注入された接着剤14により吸熱側熱交換基体2
と第1吸熱側枠体6−1が一体に接合されている。接着
剤14としては、例えばエポキシ系やアクリル系のよう
な硬化型接着剤、あるいはホットメルト系のような融着
型接着剤などが適用可能である。
【0022】前記延設部2aと延設部6−1bの間には
複数本の位置決めピン26が挿通されて、接着剤14が
完全に硬化する前の吸熱側熱交換基体2と第1吸熱側枠
体6−1との相対的に位置ずれを防止している。図2に
示されている6−1dが、延設部6−1bに形成された
ピン挿通孔である。
【0023】延設部6−1bの外側には、基端部6−1
a側に延びた補強リブ6−1cが一体に複数個(本実施
の形態では4個)設けられている。図1に示されている
ように第1吸熱側枠体6−1は吸熱側熱交換基体2と放
熱側熱交換基体4を跨ぐように配置されているため、第
1吸熱側枠体6−1を伝わっての熱の戻りがある。この
熱の戻りを可及的に少なくするため、第1吸熱側枠体6
−1は比較的肉薄に成形する方がよいが、肉薄成形だと
第1吸熱側枠体6−1の機械的強度が低下する。そのた
めに本実施の形態では、基端部6−1aと延設部6−1
bの間に複数個の補強リブ6−1cを設けて第1吸熱側
枠体6−1の剛直性を維持している。
【0024】また、基端部6−1aと延設部6−1bの
間を階段状、すなわち非直線状にすることにより、第1
吸熱側枠体6−1の吸熱側熱交換基体2から放熱側熱交
換基体4までの沿面距離を長く確保して、第1吸熱側枠
体6−1を伝わっての熱の戻りを少くしている。
【0025】図2ならびに図3に示すように、基端部6
−1aの所定位置にはリード線取出溝6−1eが形成さ
れて、熱電変換素子群3の電極34に接続されたリード
線19(給電手段)がこの取出溝6−1eから引き出さ
れ、取出溝6−1eとリード線19の間はシール剤27
で気液密にシールされている(図3参照)。
【0026】前記第2放熱側枠体6−2は放熱側熱交換
基体4の上側に配置され、上方がほぼ塞がれ下方が開口
した中空状のもので、下方開口部がOリング8を介して
放熱側熱交換基体4の上面周辺部に液密に接着されてい
る。第2放熱側枠体6−2のほぼ中央部に給水管部9
が、周縁近くに排水管部10が設けられている。
【0027】分散部材7は周壁7aと、周壁7aの下端
に連設した底壁7bと、底壁7bから放熱側熱交換基体
4側に延びた多数本のノズル部7eとが設けられ、前記
ノズル部7eに分散孔7dが形成されている。
【0028】分散部材7を第2放熱側枠体6−2内に固
定することにより、分散部材7の給水管部9側に扁平状
の第1空間11が形成され、分散部材7の放熱側熱交換
基体4側に扁平状の第2空間13が形成されるととも
に、この第2空間13と排水管部10を連通する排水路
12が形成される。
【0029】前記放熱側枠体6−1,6−2は、例えば
PPS(吸水率:0.02%、水蒸気透過率:2.5g
/m2 ・24hr/0.1mm)、PBT(吸水率:
0.07%、水蒸気透過率:6.9g/m2 ・24hr
/0.1mm)、PP(吸水率:0.01%、水蒸気透
過率:1.5〜3.0g/m2 ・24hr/0.1m
m)などの吸水率ならびに水蒸気透過率の低い合成樹脂
で成形される。水蒸気透過率の高い枠体を使用すると、
特に吸熱側(低温側)において電極表面などに結露が生
じ、それが原因でショート、電極の腐食、熱抵抗の増加
などを引き起こすことになる。そのため本発明では放熱
側枠体、吸熱側枠体の材料として水蒸気透過率の低いも
のを選定している。
【0030】本実施の態様では放熱側枠体6−1,6−
2がともに、水蒸気透過率ならびに熱伝導率が低く、か
つ熱電変換素子群3の半導体の線膨張率に近いという点
から、ポリフェニレンサルファイド(PPS)にガラス
繊維などのフィラーを20〜70重量%、好ましくは3
0〜70重量%混合分散したものを使用している。ガラ
ス繊維などのフィラーの含有率が20重量%未満だと線
膨張率が大きくなり、一方、含有率が70重量%を超え
ると成形性が悪くなるから、含有率は20〜70重量%
の範囲に規制する必要がある。
【0031】ガラス繊維が30〜60重量%添加された
PPSにおいては、線膨張係数は成形流れ方向で18〜
23×10-6/℃の範囲で制御でき、半導体材料の線膨
張係数16〜22×10-6/℃、熱交換基体として使用
するアルミニウムの線膨張係数22〜23×10-6/℃
とほぼ同じであり、熱伝導率は0.28〜0.49〔K
cal/m・h・℃〕と低い。
【0032】図1に示すように熱移動媒体である水15
を中央の給水管部9から供給すると第1空間部11で一
斉に拡がり、各ノズル部7e(分散孔7d)から放熱側
熱交換基体4の上面に向けて勢いよく噴射する。放熱側
熱交換基体4に衝突して放熱側熱交換基体4の熱を奪っ
た水15は隙間の狭い第2空間部13で拡散し、排水路
12を経て排水管部10から系外へ排出される。排出さ
れた水15は図示しないラジェタ−または自然放冷で冷
却され、強制循環系統を通り再利用される。
【0033】図1に示した28は断熱材で、第1放熱側
枠体6−1、放熱側熱交換基体4ならびに第2放熱側枠
体6−2の外周部を覆うように設置されている。この断
熱材28は他の実施の形態に係る熱電変換装置でも施さ
れているが、図面を簡略化するため断熱材28の図示を
省略している。なお、断熱材28は必ずしも必要ではな
い。
【0034】なおこの実施の形態においては、第1放熱
側枠体6−1と第2放熱側枠体6−2を別体としたが、
第1放熱側枠体6−1と第2放熱側枠体6−2を一体に
形成したり、あるいは放熱側熱交換基体4と第2放熱側
枠体6−2を一体に形成することも可能である。
【0035】
【発明の効果】本発明は前述のように、一方の熱交換基
体を保持した枠体と、その枠体に保持されていない他方
の熱交換基体に、その他方の熱交換基体と枠体との相対
的な位置ずれを防止する係合突起と、その係合突起と係
合する被係合部とを設けたことを特徴とするものであ
る。
【0036】合成樹脂製の枠体は熱導体や熱電変換素子
とほぼ同程度の熱膨張係数を有し、動作時の熱導体や熱
電変換素子群の膨脹、収縮に対応して枠体も同様に伸び
縮みするから、熱電変換素子に発生する応力が大幅に低
減される。
【0037】また、一方の熱交換基体を保持した枠体と
他方の熱交換基体の相対的な位置ずれを防止する構造に
なっているから、吸熱側熱交換基体と熱電変換素子群と
放熱側熱交換基体の密着が維持され、熱電変換装置の性
能劣化が防止でき、動作信頼性に優れ、非常に耐用寿命
の長い熱電変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る熱電変換装置の断面
図である。
【図2】その熱電変換装置に使用する第1放熱側枠体の
底面図である。
【図3】その熱電変換装置におけるリード線の取り出し
構造を説明するための一部拡大断面図である。
【符号の説明】
1 吸熱部材 2 吸熱側熱交換基体 2a 延設部 3 熱電変換素子群 4 放熱側熱交換基体 5 吸熱側枠体 5b 延設部 6 放熱側枠体 6−1 第1放熱側枠体 6−2 第2放熱側枠体 6b、6−1b、6−2b 延設部 6−1c 補強リブ 7 分散板 14 接着剤 15 水 18 端子部材 19 リード線 26 位置決めピン 30 金属板 31 電気絶縁膜 32 金属板 33 電気絶縁膜 34 放熱側電極 35 P型半導体層 36 N型半導体層 37 吸熱側電極 38 薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 一也 北海道登別市柏木町3丁目36番83号 Fターム(参考) 5F036 BC00

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱電変換素子群を介して熱伝導性の良好
    な吸熱側熱交換基体と放熱側熱交換基体とが対向するよ
    うに配置された熱電変換装置において、 前記吸熱側熱交換基体または放熱側熱交換基体のいずれ
    か一方の外周部を保持する、合成樹脂材料から構成され
    た枠体を有し、 その枠体と、その枠体に保持されていない他方の熱交換
    基体に、その他方の熱交換基体と枠体との相対的な位置
    ずれを防止する係合突起と、その係合突起と係合する被
    係合部とを設けたことを特徴とする熱電変換装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の熱電変換装置において、
    前記枠体に保持されていない他方の熱交換基体が肉厚の
    ブロック体からなり、そのブロック体の外周部が前記枠
    体と係合していることを特徴とする熱電変換装置。
JP2001249189A 2001-08-20 2001-08-20 熱電変換装置 Pending JP2002151750A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001249189A JP2002151750A (ja) 2001-08-20 2001-08-20 熱電変換装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001249189A JP2002151750A (ja) 2001-08-20 2001-08-20 熱電変換装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16448696A Division JP3241270B2 (ja) 1996-06-25 1996-06-25 熱電変換装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002151750A true JP2002151750A (ja) 2002-05-24

Family

ID=19078231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001249189A Pending JP2002151750A (ja) 2001-08-20 2001-08-20 熱電変換装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002151750A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010207385A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Kanagawa Univ 生体組織切断・接着用装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06174329A (ja) * 1992-10-05 1994-06-24 Saamobonitsuku:Kk 電子冷却装置
JPH06294561A (ja) * 1993-02-10 1994-10-21 Matsushita Electric Works Ltd 電子加熱冷却装置
JPH09321348A (ja) * 1996-05-29 1997-12-12 Aisin Seiki Co Ltd 熱変換装置
JPH1012934A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Technova:Kk 熱電変換装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06174329A (ja) * 1992-10-05 1994-06-24 Saamobonitsuku:Kk 電子冷却装置
JPH06294561A (ja) * 1993-02-10 1994-10-21 Matsushita Electric Works Ltd 電子加熱冷却装置
JPH09321348A (ja) * 1996-05-29 1997-12-12 Aisin Seiki Co Ltd 熱変換装置
JPH1012934A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Technova:Kk 熱電変換装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010207385A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Kanagawa Univ 生体組織切断・接着用装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3241270B2 (ja) 熱電変換装置
JP3238114B2 (ja) 熱電変換装置
US7859846B2 (en) Low thermal resistance power module assembly
KR20180069231A (ko) 양면냉각형 파워모듈
KR20060095431A (ko) 열교환기 및 열교환기의 제조방법
JP4994123B2 (ja) パワー半導体モジュール
JP2008258533A (ja) 熱電変換装置
JP3920403B2 (ja) 熱電変換装置
JP2002064168A (ja) 冷却装置、冷却装置の製造方法および半導体装置
JP2013026296A (ja) パワーモジュール
JP3726767B2 (ja) 半導体モジュール
JP2002151750A (ja) 熱電変換装置
JP4649950B2 (ja) 冷却器付半導体装置
JP3055679B2 (ja) 熱電モジュールジャケット、熱電加熱冷却装置、熱電モジュールジャケットの製造方法、及び熱電加熱冷却装置の製造方法
KR102210735B1 (ko) 열전소자 어셈블리
JP2019125730A (ja) 半導体装置
JP5499239B2 (ja) 熱電変換装置
JP2006140390A (ja) パワー半導体装置
JP4158648B2 (ja) 半導体冷却ユニット
JP5499238B2 (ja) 熱電変換装置
CN210325769U (zh) 一种三相二极管整流桥模块
JP5925052B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN111465268B (zh) 散热器及其制造方法和电子设备
CN214800426U (zh) 一种低功耗器件散热结构
JP4193633B2 (ja) 半導体冷却ユニット

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051213

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060425