JP2008258533A - 熱電変換装置 - Google Patents

熱電変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008258533A
JP2008258533A JP2007101636A JP2007101636A JP2008258533A JP 2008258533 A JP2008258533 A JP 2008258533A JP 2007101636 A JP2007101636 A JP 2007101636A JP 2007101636 A JP2007101636 A JP 2007101636A JP 2008258533 A JP2008258533 A JP 2008258533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat exchange
heat
thermoelectric conversion
exchange base
frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007101636A
Other languages
English (en)
Inventor
Bunichi Kitani
文一 木谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
THERMOELECTRIC DEVICE DEV Inc
THERMOELECTRIC DEVICE DEVELOPMENT Inc
Original Assignee
THERMOELECTRIC DEVICE DEV Inc
THERMOELECTRIC DEVICE DEVELOPMENT Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by THERMOELECTRIC DEVICE DEV Inc, THERMOELECTRIC DEVICE DEVELOPMENT Inc filed Critical THERMOELECTRIC DEVICE DEV Inc
Priority to JP2007101636A priority Critical patent/JP2008258533A/ja
Priority to TW097109438A priority patent/TW200845439A/zh
Priority to KR1020080032515A priority patent/KR20080091719A/ko
Priority to CN2008100920910A priority patent/CN101286543B/zh
Publication of JP2008258533A publication Critical patent/JP2008258533A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device

Abstract

【課題】 熱サイクルの繰り返しによる性能劣化を軽減し、しかも動作信頼性に優れた熱電変換装置を提供する。
【解決手段】 熱電変換素子群3を介して対向するように配置された吸熱側熱交換基体2ならびに放熱側熱交換基体4と、上下両端が開口した中空体からなり、基端部が吸熱側熱交換基体2または放熱側熱交換基体4のいずれか一方の熱交換基体の外周部に固定され、中空部に熱電変換素子群3と吸熱側熱交換基体2または放熱側熱交換基体4のいずれか他方の熱交換基体を収納した枠体5を備え、中空部に収納された熱交換基体2に対して最も近接している枠体5の部分と熱交換基体2の部分との間に、枠体5よりも熱伝導率の低い断熱層23を設けたことを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、電子冷却装置あるいは熱発電装置などの熱電変換装置に係り、特に熱サイクルを繰り返しても性能劣化が少ない、動作信頼性に優れた熱電変換装置に関する。
従来の熱電変換装置は、2つの熱導体の間に熱電変換素子群を配置し、熱導体と熱電変換素子群の間に熱的な接触を良くする熱伝導性のグリースを介在して、複数本のネジで両熱導体間を締結し熱電変換素子群を固定していた。
ネジは金属製或いはプラスチック製のものが使用され、金属製ネジは熱電変換素子群の固定としての強度は十分に有しているが、そのままでは熱伝導度が大きいため断熱ワッシャーを併用している。一方、プラスチック製ネジは熱伝導度は小さいが、機械強度が低いため接着剤などで補強する必要がある。
このネジなどによる締結力は、熱導体と熱電変換素子群の熱コンダクタンスを得ることと、熱電変換素子群の固定のために必要である。
この熱電変換装置は複数のネジにより両熱導体間を締結しているため、熱電変換素子群に均一な圧力を加えることが難しく、熱電変換素子に偏荷重がかかり、素子が破壊されることがある。
前記金属製ネジとして熱伝導度が比較的小さい例えばステンレス製あるいは鉄製のものが使用されているが、これらの材質のものは熱導体や熱電変換素子よりも熱膨張係数が小さい。そのため熱電変換装置の使用によって生じる熱導体および熱電変換素子群の膨脹、収縮に対してネジがそれらの動きを拘束するから、熱電変換素子に大きな圧縮、引張り応力が繰り返し発生して、素子の破壊を生じる。
またプラスチック製ネジは機械強度が低いため長期的な信頼性に欠け、さらに熱電変換装置の落下衝撃試験に耐えられる強度は得られないなどの欠点を有している。
このような欠点を解消するため、図8に示すような熱電変換装置が提案されている(特許文献1参照)。
同図に示すように熱電変換装置は、例えば冷蔵庫の庫内などの被冷却側に配置される吸熱部材1と、吸熱側熱交換基体2と、熱電変換素子群3と、放熱側熱交換基体4と、枠体5と、カバー6と、分散部材7とから主に構成されている。
前記吸熱部材1は広い面積を有するアルミニウムなどのフィンベースからなり、多数の吸熱フィン(図示せず)を付設している。前記交換基体2、4は共に例えばアルミニウムなどの熱伝導性の良好な金属からなり、熱電変換素子群3と接する側の表面に例えばアルマイトなどの電気絶縁膜が形成されている。
前記枠体5は図に示されているように、放熱側熱交換基体4から吸熱側熱交換基体2側にかけて配置されている。そして上方ならびに下方が開口した中空状のもので、基端部5aとその基端部5aの内周部から下方に向けて延びた延設部5bとを有し断面形状がほぼ階段形をしている。基端部5aは、Oリングと接着剤の併用により放熱側熱交換基体4の下面周辺部に接合されている。
吸熱側熱交換基体2はブロック体からなり、その外周部は吸熱側熱交換基体2−熱電変換素子群3−放熱側熱交換基体4の積層方向にほぼ沿って延びた延設部2aを構成している。この吸熱側熱交換基体2の延設部2aと枠体5の延設部5bはほぼ平行に対向しており、両者の間は接着剤14により一体に接合されている。また延設部2aと延設部5bの間には複数本の位置決めピン15が挿通されている。
前記カバー6は放熱側熱交換基体4の上側に配置され、上方がほぼ塞がれ下方が開口した中空状のもので、下方開口部がOリング8を介して放熱側熱交換基体4の上面周辺部に接着されている。カバー6のほぼ中央部に給水管部9が、周縁近くに排水管部10が設けられている。
分散部材7は周壁7aと、周壁7aの下端に連設した底壁7bと、底壁7bから放熱側熱交換基体4側に延びた多数本のノズル部7eとが設けられ、前記ノズル部7eに分散孔7dが形成されている。
分散部材7をカバー6内に固定することにより、分散部材7の給水管部9側に扁平状の第1空間11が形成され、分散部材7の放熱側熱交換基体4側に扁平状の第2空間13が形成されるとともに、この第2空間13と排水管部10を連通する排水路12が形成される。
図に示すように熱移動媒体である水16を中央の給水管部9から供給すると第1空間部11で一斉に拡がり、各ノズル部7e(分散孔7d)から放熱側熱交換基体4の上面に向けて勢いよく噴射する。放熱側熱交換基体4に衝突して放熱側熱交換基体4の熱を奪った水16は隙間の狭い第2空間部13で拡散し、排水路12を経て排水管部10から系外へ排出される。図中の17は断熱材で、第1放熱側枠体5、放熱側熱交換基体4ならびにカバー6の外周部を覆うように設置されている。
特開平10−12934号公報
図8に示す熱電変換装置は、枠体5の基端部が高温の放熱側熱交換基体4と直接接触し、枠体5の先端部が低温の吸熱側熱交換基体2と直接接触した構造になっている。そしてこの枠体5として水蒸気透過率が低く、かつ熱電変換素子群3に使用している半導体の線膨張率に近いという点からポリフェニレンサルファイド(PPS)にガラス繊維を適量混合した材質のものが使用されている。
そのため放熱側熱交換基体4の熱が枠体5を通して吸熱側熱交換基体2に伝わり、すなわち熱の戻りがあり、冷却効率(熱電効率)が低下するという欠点があった。このようなことは、枠体5の材質として通常の合成樹脂を用いた場合にも起こり得る問題である。
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、冷却効率の高い熱電変換装置を提供することにある。
前記目的を達成するため本発明は、熱電変換素子群と、その熱電変換素子群を介して対向するように配置された吸熱側熱交換基体ならびに放熱側熱交換基体と、上下両端が開口した中空体からなり、基端部が前記吸熱側熱交換基体または放熱側熱交換基体のいずれか一方の熱交換基体の外周部に固定され、中空部に前記熱電変換素子群と前記吸熱側熱交換基体または放熱側熱交換基体のいずれか他方の熱交換基体を収納した枠体とを備えた熱電変換装置を対象とするものである。
そして前記中空部に収納された前記熱交換基体に対して最も近接している前記枠体の部分と前記熱交換基体の部分との間に、例えば空気層などの前記枠体よりも熱伝導率の低い断熱層を設けたことを特徴とするものである。
本発明は前述のような構成になっており、前記枠体を通しての熱の戻りが抑止され、冷却効率の高い熱電変換装置を提供することができる。
次に本発明の第1実施形態を図とともに説明する。図1は例えば電子冷蔵庫などの電子冷却装置として用いる熱電変換装置の断面図、図2はその熱電変換装置に使用される枠体の底面図である。
図1に示すように熱電変換装置は、例えば冷蔵庫の庫内などの被冷却側に配置される吸熱部材1と、吸熱側熱交換基体2と、熱電変換素子群3と、放熱側熱交換基体4と、枠体5と、カバー6と、分散部材7とから主に構成されている。
吸熱部材1は広い面積を有するフィンベースからなり多数の吸熱フィン(図示せず)を付設しており、必要に応じて近傍にファンを付設することができる。なお、フィンベースと吸熱フィンは一体の場合もあるし、また吸熱フィンがない場合もある。
熱交換基体2、4は共に例えばアルミニウムなどの熱伝導性の良好な金属からなり、熱電変換素子群3と接する側の表面に例えばアルマイトなどの電気絶縁膜が形成されている。陽極酸化法によってアルマイトの絶縁膜を形成する場合、その絶縁膜に封孔処理しない方が、後述する薄膜21を介しての熱電変換素子群3との接合性が良好である。
図1に示すように吸熱側熱交換基体2は、良好な冷却状態を確保するため肉厚のブロック体から構成されている。
熱電変換素子群3は、図示していないが吸熱側電極と、放熱側電極と、両電極の間に多数配置されたP型半導体層とN型半導体層とから構成され、P型半導体層とN型半導体層は構造的ならびに熱的に並列に配置されているが、電気的には前記電極を介して直列に接続されている。
本実施形態では枠体5は、熱電変換素子群3の半導体の線膨張率と近似させるためにポリフェニレンサルファイド(PPS)にガラス繊維などのフィラーを20重量%〜50重量%混合分散したものを使用している。ガラス繊維などのフィラーの含有率が20重量%未満だと線膨張率が大きくなり、含有率が50重量%を超えると枠体5の成形性が悪くなるから、フィラーの含有率は20重量%〜50重量%の範囲に規制する必要がある。
枠体5は図1に示されているように、放熱側熱交換基体4から吸熱側熱交換基体2側にかけて配置されている。枠体5は、放熱側熱交換基体4の外周部下面に接着される水平方向に延びた基端部5aと、その基端部5aの内周部から下方に向けて垂直方向に延びた延設部5bと、前記基端部5aと延設部5bを結ぶ断面形状がほぼU字型の中間連結部5cとから構成され、上方と下方が開口した中空状のものである。
基端部5aと延設部5bの間に断面形状がほぼU字型の中間連結部5cを設けて非直線状にすることにより、枠体5の吸熱側熱交換基体2から放熱側熱交換基体4までの沿面距離を長く確保して、枠体5を伝わっての熱の戻りを少くしている。
延設部5bの外側には、基端部5a側に延びた補強リブ5dが一体に複数個(本実施形態では図2に示すように4個)設けられている。図1に示されているように枠体5は吸熱側熱交換基体2と放熱側熱交換基体4を跨ぐように配置されているため、枠体5を伝わっての熱の戻りがある。この熱の戻りを可及的に少なくするため、枠体5は比較的肉薄に成形する方がよいが、肉薄成形だと枠体5の機械的強度が低下する。そのために本実施形態では、基端部5aと延設部5bの間に複数個の補強リブ5dを設けて、枠体5の剛直性を維持している。
図2に示すように、基端部5aの所定位置にはリード線取出溝5eが形成されて、熱電変換素子群3の電極に接続されたリード線がこの取出溝5eから引き出され、取出溝5eとリード線の間はシール剤で気液密にシールされている。
図2に示すように延設部5bの内周部四面には接着剤溜部5fが凹設され、図1に示すようにその接着剤溜部5fと吸熱側熱交換基体2の延設部2aとの隙間には、最初、例えばエポキシ樹脂などからなり大気中の水蒸気に対するシールとブロック状の吸熱側熱交換基体2の変位を抑えるための第1の接着剤層18aが形成され、その後例えばシリコーン樹脂などからなる水に対するシールのための第2の接着剤層18bが形成されて、2層構造になっている。
図1に示すように、吸熱側熱交換基体2の熱電変換素子群3と対向する上部には外側に向けて突出した係合突起19が形成され、その係合突起19の下面と対向するように枠体5の中間連結部5cの内側脚部5gが配置されている。何らかの原因で吸熱側熱交換基体2に矢印X方向へ引っ張られる力が作用した際、前記係合突起19が内側脚部5gに当接して吸熱側熱交換基体2の移動を抑止している。本実施形態では吸熱側熱交換基体2と熱電変換素子群3の接合面に、シリコーン樹脂などからなる弾性薄膜21が形成されて、前記接合面での密着をより確実にしている。
図1ならびに図2に示すように、枠体5の延設部5bの内周部四面には接着剤溜部5fが凹設されることから、枠体5のうちで最も吸熱側熱交換基体2と接近する部分は中間連結部5cの内側脚部5gとなる。そのため本実施形態では、図1に示すように放熱側熱交換基体4の外周面と内側脚部5gの内周面との間から放熱側熱交換基体4の係合突起19の下面と内側脚部5gの上端面との間にかけて、厚さが3mm以下、(本実施形態では0.1mm〜1mm程度)の断面形状が逆L字型をした空隙部23(空気層)が形成されている。
本実施形態で枠体5に使用しているガラス繊維を混合分散したポリフェニレンサルファイド(PPS)の熱伝導率は0.35〔W/m・K〕であるのに対して空隙部23(空気層)の熱伝導率は0.024〔W/m・K〕と極端に低いから、この空隙部23の存在によって枠体5から吸熱側熱交換基体2への熱の戻りを有効に抑止することができる。本実施形態では空隙部23(空気層)を設けたが、空気の代わりに例えばアルゴンや窒素など他の気体を充填した層を設けることも可能である。またこの空隙部23(空気層)の代わりに、熱伝導率の低い樹脂あるいはゴムからなる接着剤層を形成することも可能である。
カバー6は放熱側熱交換基体4の上側に配置され、上方がほぼ塞がれ下方が開口した中空状のもので、下方開口部がOリング8を介して放熱側熱交換基体4の上面周辺部に液密に接着されている。カバー6のほぼ中央部に給水管部9が、周縁近くに排水管部10が設けられている。
分散部材7は周壁7aと、周壁7aの下端に連設した底壁7bと、底壁7bから放熱側熱交換基体4側に延びた多数本のノズル部7eとが設けられ、前記ノズル部7eに分散孔7dが形成されている。
分散部材7をカバー6内に固定することにより、分散部材7の給水管部9側に扁平状の第1空間11が形成され、分散部材7の放熱側熱交換基体4側に扁平状の第2空間13が形成されるとともに、この第2空間13と排水管部10を連通する排水路12が形成される。
図1に示すように熱移動媒体である水16を中央の給水管部9から供給すると第1空間部11で一斉に拡がり、各ノズル部7e(分散孔7d)から放熱側熱交換基体4の上面に向けて勢いよく噴射する。放熱側熱交換基体4に衝突して放熱側熱交換基体4の熱を奪った水16は隙間の狭い第2空間部13で拡散し、排水路12を経て排水管部10から系外へ排出される。排出された水16は図示しないラジェタ−または自然放冷で冷却され、強制循環系統を通り再利用される。本実施形態で水16によって放熱側熱交換基体4を冷却したが、放熱フィンなどで冷却することも可能である。
図1に示した17は断熱材で、第1放熱側枠体5、放熱側熱交換基体4ならびにカバー6の外周部を覆うように設置されている。
図3ならびに図4は本発明の第2実施形態を説明するための図で、図3は熱電変換装置の断面図、図4は吸熱側熱交換基体をインサートモールドした枠体の断面図である。
本実施形態の場合、吸熱側熱交換基体2の外周面で枠体5の内側脚部5gと対向する部分に、枠体5よりも熱伝導率の低い材料からなる断熱膜24が予め塗布などの適宜な手段で形成され、この断熱膜24を設けた吸熱側熱交換基体2の外周に枠体5が成形される。このように吸熱側熱交換基体2の所定部分に予め断熱膜24を形成してから枠体5を成形すれば、吸熱側熱交換基体2と最も接近している内側脚部5gと吸熱側熱交換基体2との間に断熱膜24を確実に介在することができる。
この実施形態では断熱膜24を設けた吸熱側熱交換基体2の外周に枠体5を射出成形装置のキャビティ内に装着してインサートモールドしたが、断熱膜24を設けた吸熱側熱交換基体2の外周に成形した枠体5を嵌合することも可能である。
この断熱膜24としては、例えばエポキシ樹脂〔熱伝導率0.2W/m・K〕、シリコーン樹脂〔熱伝導率0.2W/m・K〕、ゴム〔熱伝導率0.15W/m・K〕などを使用することができる。
図5ならびに図6は本発明の第3実施形態を説明するための図で、図5は熱電変換装置の断面図、図6は吸熱側熱交換基体をインサートモールドした枠体の断面図である。
本実施形態で前記第2実施形態と相違する点は、枠体5から接着剤溜部5fを有する延設部5bと補強リブ5dが省略されて枠体5が薄型となり、それに伴って吸熱側熱交換基体2も薄型になった点である。
図7は本発明の第4実施形態を説明するための図で、吸熱側熱交換基体をインサートモールドした枠体の断面図である。本実施形態で前記第3実施形態と相違する点は、枠体5のU字型部5cの内周の一部に吸熱側熱交換基体2と小面積で接触する突起25を設けた点である。
前記第2〜第4実施形態において他の構成は図1、図2に示した前記第1実施形態と同様であるので、それらの説明は省略する。
前記実施形態としては枠体の材料としてポリフェニレンサルファイド(PPS)を使用したが、他に例えばポリブチレンテレフタレート(PBT)〔熱伝導率0.34 W/m・K〕、液晶ポリマー〔熱伝導率0.3W/m・K〕などを使用することができる。この場合もガラス繊維などのフィラーを適量混合分散することも可能である。
前記実施形態では吸熱側熱交換基体2の外周部に係合突起19を形成したが、係合突起19を設けない場合もある。
本発明の第1実施形態に係る熱電変換装置の断面図である。 その熱電変換装置に使用する枠体の底面図である。 本発明の第2実施形態に係る熱電変換装置の断面図である。 その熱電変換装置に使用する吸熱側熱交換基体と枠体の断面図である。 本発明の第3実施形態に係る熱電変換装置の断面図である。 その熱電変換装置に使用する吸熱側熱交換基体と枠体の断面図である。 本発明の第4実施形態に係る熱電変換装置に使用する吸熱側熱交換基体と枠体の断面図である。 従来提案された熱電変換装置の断面図である。
符号の説明
1:吸熱部材、2:吸熱側熱交換基体、2a:延設部、3:熱電変換素子群、4:放熱側熱交換基体、5:枠体、5a:基端部、5b:延設部、5c:中間連結部、5d:補強リブ、5e:取出溝、5f:接着剤溜部、5g:内側脚部、6:カバー、7:分散板、8:Oリング、9:給水管部、10:排水管部、11:第1の空間、12:排水路、13:第2の空間、14:接着剤、16:水、17:断熱層、18a:第1の接着剤層、18b:第2の接着剤層、19:係合突起、21:弾性薄膜、23:空隙部、24:断熱膜、25:突起部。

Claims (3)

  1. 熱電変換素子群と、
    その熱電変換素子群を介して対向するように配置された吸熱側熱交換基体ならびに放熱側熱交換基体と、
    上下両端が開口した中空体からなり、基端部が前記吸熱側熱交換基体または放熱側熱交換基体のいずれか一方の熱交換基体の外周部に固定され、中空部に前記熱電変換素子群と前記吸熱側熱交換基体または放熱側熱交換基体のいずれか他方の熱交換基体を収納した枠体とを備えた熱電変換装置において、
    前記中空部に収納された前記熱交換基体に対して最も近接している前記枠体の部分と前記熱交換基体の部分との間に、前記枠体よりも熱伝導率の低い断熱層を設けたことを特徴とする熱電変換装置。
  2. 請求項1記載の熱電変換装置において、前記断熱層が気体層であることを特徴とする熱電変換装置。
  3. 請求項1記載の熱電変換装置において、前記断熱層が樹脂層またはゴム層であることを特徴とする熱電変換装置。
JP2007101636A 2007-04-09 2007-04-09 熱電変換装置 Pending JP2008258533A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007101636A JP2008258533A (ja) 2007-04-09 2007-04-09 熱電変換装置
TW097109438A TW200845439A (en) 2007-04-09 2008-03-18 Thermoelectric inversion device
KR1020080032515A KR20080091719A (ko) 2007-04-09 2008-04-08 열전 변환 장치
CN2008100920910A CN101286543B (zh) 2007-04-09 2008-04-08 热电变换装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007101636A JP2008258533A (ja) 2007-04-09 2007-04-09 熱電変換装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008258533A true JP2008258533A (ja) 2008-10-23

Family

ID=39981778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007101636A Pending JP2008258533A (ja) 2007-04-09 2007-04-09 熱電変換装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2008258533A (ja)
KR (1) KR20080091719A (ja)
CN (1) CN101286543B (ja)
TW (1) TW200845439A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015522943A (ja) * 2012-05-07 2015-08-06 フォノニック デバイセズ、インク 保護用熱拡散蓋および最適な熱界面抵抗を含む熱電熱交換器部品
US10458683B2 (en) 2014-07-21 2019-10-29 Phononic, Inc. Systems and methods for mitigating heat rejection limitations of a thermoelectric module
US11152346B2 (en) 2018-05-22 2021-10-19 Socionext Inc. Semiconductor integrated circuit device including capacitive element using vertical nanowire field effect transistors

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9448121B2 (en) 2012-04-10 2016-09-20 Industrial Technology Research Institute Measurement method, measurement apparatus, and computer program product
TWI642212B (zh) 2016-08-11 2018-11-21 財團法人工業技術研究院 一種熱電轉換裝置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183676A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子冷却ユニット

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3241270B2 (ja) * 1996-06-25 2001-12-25 日本政策投資銀行 熱電変換装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183676A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子冷却ユニット

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015522943A (ja) * 2012-05-07 2015-08-06 フォノニック デバイセズ、インク 保護用熱拡散蓋および最適な熱界面抵抗を含む熱電熱交換器部品
US10458683B2 (en) 2014-07-21 2019-10-29 Phononic, Inc. Systems and methods for mitigating heat rejection limitations of a thermoelectric module
US11152346B2 (en) 2018-05-22 2021-10-19 Socionext Inc. Semiconductor integrated circuit device including capacitive element using vertical nanowire field effect transistors

Also Published As

Publication number Publication date
TW200845439A (en) 2008-11-16
CN101286543B (zh) 2011-12-14
KR20080091719A (ko) 2008-10-14
CN101286543A (zh) 2008-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3241270B2 (ja) 熱電変換装置
JP3238114B2 (ja) 熱電変換装置
JP2007110025A (ja) 電力変換装置
JP6286543B2 (ja) パワーモジュール装置、電力変換装置およびパワーモジュール装置の製造方法
JP2008258533A (ja) 熱電変換装置
WO2013105166A1 (ja) 電力変換装置
US10262925B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2009246063A (ja) パワーモジュールの冷却構造、及びそれを用いた半導体装置
WO2013084416A1 (ja) 電力変換装置
JP5891616B2 (ja) 半導体装置
JP2019062066A (ja) 半導体装置
JPWO2015194023A1 (ja) パワーモジュール装置及び電力変換装置
JP3920403B2 (ja) 熱電変換装置
JP5368492B2 (ja) パワー半導体装置
WO2013084417A1 (ja) 電力変換装置
JP3726767B2 (ja) 半導体モジュール
JPWO2013080440A1 (ja) 電力変換装置
JP5499240B2 (ja) 熱電変換装置およびその製造方法
JP2010226103A (ja) 熱電変換装置
JP2019125730A (ja) 半導体装置
JP3055679B2 (ja) 熱電モジュールジャケット、熱電加熱冷却装置、熱電モジュールジャケットの製造方法、及び熱電加熱冷却装置の製造方法
JP5499238B2 (ja) 熱電変換装置
JP5019392B2 (ja) 電子冷却装置
JP2002151750A (ja) 熱電変換装置
CN111465268B (zh) 散热器及其制造方法和电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110913

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120124