JPWO2015194023A1 - パワーモジュール装置及び電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

両面から半導体素子を冷却するために、半導体素子を内蔵する半導体部品と冷却装置とを交互に配置でき、交互に配置した半導体部品と冷却装置とを加圧して隙間を無くすために、加圧方向の剛性を小さくでき、なおかつ、耐圧を確保するための液状のシリコーンゲルを注入しても漏れることなく封止できるケースを備えた電力変換装置を提供する。電力変換装置において、半導体素子と端子とを含む半導体部品を搭載する数の窪みを持つ形状を形成すると同時に、端部が略同一平面上に配置されるケースを設け、そのケースの窪みとなる位置に半導体部品を配置し、ケースを介して半導体部品を挟む様に冷却装置を配置し、半導体部品をシリコーンゲルで封止する。

Description

本発明は，パワーモジュール装置及び半導体素子に関する。
電気自動車やハイブリッド自動車，鉄道，電力機器など様々な製品において，ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＦＷＤ（Free Wheel Diode）などのパワー半導体素子を搭載した電力変換装置が用いられる。これらのパワー半導体素子は動作時に発熱するため、パワー半導体素子を適切に冷却することが求められる。そのために、水を循環させる水冷、或いは、フィンを利用した風冷等の冷却器を設け、この冷却器と熱交換することでパワー半導体素子を冷却する。
ここで、一般の電力変換装置等では複数の半導体素子が必要であり、さらに、この複数の半導体素子の実装密度を密にすることが要求されている。それらを効率良く冷却するために、半導体部品（半導体素子が格納されている）を両面から冷却する構造が開発されている。このように半導体素子の発熱を効率良く冷却するには，半導体素子を内蔵する半導体部品と冷却装置を交互に配置することが有効である。例えば，半導体部品と，冷却のための冷却チューブとを交互に配置して積層する技術が知られている。このような技術は、例えば、特開２０１１−１８１６８７号公報（特許文献１）に記載されている。
特開２０１１−１８１６８７号公報
上記の従来技術は半導体部品と冷却装置を交互に配置することで半導体素子の高効率の冷却を実現しているものの、単に空間で絶縁を確保しているので、冷却には一般的に冷却部材を互いに接続する冷却媒体路を用い、あるいは前記冷却部材に熱的に接続される冷却フィンを用いるところ、しかも、半導体部品と冷却装置を交互に配置することで配置密度が高くなる傾向にあるが、上記の従来技術では、封止材で半導体部品の一部を封止することまでは配慮されてなかった。
本発明の目的は、冷却効率を維持しつつ、なお封止材を用いて高圧化に対応するのに適したパワーモジュール装置及び電力変換装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明では、半導体部品と冷却部材を交互に配置することで前記半導体部品を前記冷却部材により両面側から冷却するように構成し、前記半導体部品は複数であり、前記半導体部品は、半導体素子と、前記半導体素子に接続される端子を含み、前記半導体素子の少なくとも一部はスイッチング動作をなすものであり、前記半導体部品と冷却部材を隔離するように板材が成型された一体的なケースを有し、前記ケースは、前記端子を封止材で封止するための延長部を有するものであって、さらに、前記冷却部材を互いに接続する冷却媒体路、あるいは、前記冷却部材に熱的に接続される冷却フィンを有するように構成した。
本発明によれば、冷却効率を維持しつつ、なお高圧化に適することが可能となる。
図1は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置の外観図である。 図２は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置の側面図および断面図である。 図３は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置を構成する部品である半導体素子を内蔵する半導体部品の外観図および断面図である。 図４は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置を構成する部品であるヒートシンクの外観図および断面図である。 図５は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置を構成する部品である端子ブロックの断面図である。 図６は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置を構成する部品であるケースの外観図および断面図である。 図７は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置を構成する部品であるケースの製造方法を説明する図である。 図８は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置の製造方法を示す第１の図である。 図９は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置の製造方法を示す第２の図である。 図１０は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置の製造方法を示す第３の図である。 図１１は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置の製造方法を示す第４の図である。 図１２は本発明を備えた第1の実施例である半導体装置の加圧方法を示す図である。 図１３は本発明を備えた第２の実施例である半導体装置を構成する部品であるケースの製造方法を説明する図である。 図１４は本発明を備えた第２の実施例である半導体装置の製造方法を示す図である。 図１５は本発明を備えた第３の実施例である半導体装置を示す図である。 図１６は本発明を備えた第４の実施例である半導体装置を示す図である。 図１７は本発明を備えた第４の実施例である半導体装置を構成する部品であるヒートパイプを説明する図である。 図１８は本発明を備えた第５の実施例である半導体装置を示す図である。 図１９は本発明を備えた第５の実施例である半導体装置を構成する部品であるヒートパイプを説明する図である。 図２０は本発明を備えた第６の実施例である半導体装置の外観図および断面図である。 図２１は本発明を備えた第６の実施例である半導体装置を構成する部品であるケースの製造方法を説明する図である。 図２２は本発明を備えた第６の実施例である半導体装置の製造方法を示す第１の図である。 図２３は本発明を備えた第６の実施例である半導体装置の製造方法を示す第２の図である。 図２４は本発明を備えた第６の実施例である半導体装置の製造方法を示す第３の図である。 図２５は本発明を備えた第６の実施例である半導体装置の製造方法を示す第４の図である。 図２６は本発明を備えた第１の実施例である半導体装置の電力変換装置を示す図である。
以下，図面を用いて実施例を説明する。
図２６に本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置の回路図を示す。半導体モジュールとして、ケース１には、半導体部品２７-１、半導体部品２７-２及び半導体部品２７-３が格納される。この例では、２組のケース１と、コンデンサ１０１、コンデンサ１０２で電力変換装置が形成される。
半導体部品２７-１（上側）（Ｓ１）、２７-２（上側）（Ｓ２）、２７-２（下側）（Ｓ３）、２７-１（下側）（Ｓ４）が直流端子＋Ｅ及びーＥの間で直列に、各々のケース１の外部端子３−２を介して接続される（半導体部品２７-１、２７-２、２７-３を総称して半導体部品２７と記する。他の構成部品についても同様に「-１」「-２」…と記することで総称部品の一部をなすことを意味する。）。ここで、半導体部品２７-１、２７-２は、ＩＧＢＴ等のスイッチング素子と還流ダイオード（逆接続）の並列回路から構成される。直流端子＋Ｅ及びーＥの間には、半導体部品２７の直列回路と並列に、コンデンサ１０１及び１０２が直列に接続さる。コンデンサ１０１及び１０２の接続点は中性極性として中性端子Ｎが構成される。中性端子Ｎと、半導体部品２７-１（上側）と２７-２（上側）の接続点は、各々のケース１に配される外部端子３−３を介して、半導体部品２７-３（上側）により接続される。同様に、半導体部品２７-１（下側）と２７-２（下側）の接続点は半導体部品２７-３（下側）により接続される。
半導体部品２７-１は内部端子２８―１−１及び内部端子２８―１−２を介して各々外部端子３−１及び半導体部品２７-２の内部端子２８―２−１に接続される。半導体部品２７-２は内部端子２８―２−２及び内部端子２８―２−２を介して各々半導体部品２７-２の内部端子２８―２−１及び外部端子３−２に接続される。半導体部品２７-３は内部端子２８―３−１及び内部端子２８―３−２を介して各々半導体部品２７-１の内部端子２８―1−２と半導体部品２７-２の内部端子２８―２−１の接続点、及び外部端子３−３及びに接続される。
半導体部品２７-３はダイオードとして構成される。このような構成において、半導体部品２７-１、２７-２のオン/オフを制御することで、直流電圧＋Ｅ、中性電圧Ｎ、直流電圧ーＥのいずれかを選択的に半導体部品２７-２（上側）と２７-２（下側）の間に出力するか、あるいは、半導体部品２７-２（上側）と２７-２（下側）の間に印加された交流を直流として直流端子＋Ｅ、直流端子ーＥに出力、すなわち、電力変換するのである。
図１に本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置の外観図，図２に側面図および断面図を示す。ケース１の下部に４個のヒートシンク５が，ケース１の上部に端子ブロック４が配置されており，端子ブロック４の側面には外部端子３が突出している。この外部端子３によって外部との電気的導通をとることで，電力変換装置として機能する。
図２に示す断面図を用いて，本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置の内部構造を説明する。ケース１は，薄い金属板によって構成されており，ケース１の断面形状は，両側面が封止材２より高く，中央部に３箇所の窪みを持つ形状である。本実施例では，ケース１に曲げ加工した厚さ約０．１ｍｍのアルミ板を用いた。このケース１の窪みそれぞれに，半導体素子を内蔵する半導体部品２７が配置されており，半導体素子を内蔵する半導体部品２７を合計で３個備えている。それぞれの半導体素子を内蔵する半導体部品２７は，内部に半導体素子２１，金属回路２２，絶縁材２３，放熱部材２４が積層され，これらの部材がモールド樹脂２５で封止されている。また，金属回路２２との電気的導通がとられた端子２６がモールド樹脂２５から突出し，端子ブロック４から突出する内部端子２８と接続されている，内部端子２８は，端子ブロック４の内部において外部端子３と接続され，半導体素子２１と外部との電気的導通がとられる。本実施例において，半導体素子を内蔵する半導体部品２７のモールド樹脂２５から突出する端子２６と端子ブロック４から突出する内部端子２８は，溶接によって強固に接合されている。また，モールド樹脂２５から突出する端子２６と端子ブロック４から突出する内部端子２８は，封止材２で封止されている。本実施例では，封止材２にシリコーンゲルを用いており，高耐圧な半導体素子を用いる場合であっても，十分な耐圧を確保できる。ケース１の外側，すなわち図２の断面図に示すケース１より下側には，ケース１を介して半導体素子を内蔵する半導体部品２７を挟む様に４個のヒートシンク５が配置されている。この様にヒートシンクを配置することで，いずれの半導体素子を内蔵する半導体部品２７も両面から冷却できる。
本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置では，半導体素子を内蔵する半導体部品２７全ての両面にヒートシンク５が配置されているので，半導体素子を内蔵する半導体部品２７内部での発熱を効率良く冷却できる。このとき，半導体素子を内蔵する半導体部品２７とヒートシンク５は，薄い金属性のケース１を介して面しており，熱抵抗の大きい部材を介さないことから，半導体素子を内蔵する半導体部品２７とヒートシンク５の間の熱抵抗を小さくできる。なお，図示はしていないが，半導体素子を内蔵する半導体部品２７とケース１の間や，ケース１とヒートシンク５の間に，熱伝導率の高い低弾性体やグリースを設けることで，接触抵抗をより低減できる。半導体素子２１，半導体素子を内蔵する半導体部品２７，端子２６，内部端子２８は，全てモールド樹脂２５あるいは封止材２で封止されており，高電圧を扱う電力変換装置に用いた場合であっても，十分な耐圧性を確保できる。さらに，半導体素子を内蔵する半導体部品２７やヒートシンク５が薄く，隣接する半導体素子を内蔵する半導体部品２７の端子２６の間隔が短い場合であっても，シリコーンゲルによって十分な耐圧性を確保できることから，電力変換装置をより小型省スペース化することができる。
図３から６を用いて，本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置を構成する各部材を詳細に説明する。
図３ａに，本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置を構成する半導体素子を内蔵する半導体部品２７の外観図を示す。本実施例で用いる半導体素子を内蔵する半導体部品２７は，主面の中央部に放熱部材２４が露出し，上部から端子２６ａ，２６ｂが突出し，これらをモールド樹脂２５で封止する構造である。放熱部材２４はケース１と面で接して半導体素子を内蔵する半導体部品２７内部の熱をヒートシンク５に伝える役割を持つ。本実施例では，平面度の高い銅製の部材を用いた。銅は熱伝導率が高く，半導体部品２７とヒートシンク５の間の熱抵抗をより小さくできる。端子２６ａ，２６ｂにおいて，大電流を流す端子２６ａの断面積を大きくすることで電流密度が小さくなって通電時のジュール熱を低減できる。一方，大電流を流さない制御用の端子２６ｂの断面積を小さくすることで導体部品２７を小型化できる。
図３ｂに，本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置を構成する半導体素子を内蔵する半導体部品２７の断面図を示す。半導体部品２７は，少なくとも１つ以上の半導体素子１を内蔵し，半導体素子１の両面に金属回路２２が配置され，その一部は端子２６となっている。本実施例では，半導体素子１と金属回路２２をはんだで接合している。半導体素子１の両面に配置される金属回路２２のうち少なくとも片側は，半導体素子１と接する箇所の厚みが他の箇所よりも大きい。これによって，半導体素子１の両面に配置される金属回路２２の回路間距離を確保できるので，高電圧を扱う場合でも十分な信頼性を確保できる。金属回路２２において，半導体素子２１と面する側と反対側の面には，それぞれ絶縁材２３が配置され，半導体素子２１や金属回路２２を，ケース１などから絶縁し，回路の信頼性を確保する。絶縁材２３の厚さは，使用する電圧に応じて選定することができる。本実施例では，絶縁材２３に厚さ約０．６４ｍｍの窒化珪素を用いた。必要な耐圧や熱抵抗に応じて，他のセラミック材料や絶縁性を持つ樹脂シートなどを用いることも可能である。用いる絶縁材の熱伝導率が大きく，厚さが薄いほど熱抵抗を小さくできる。絶縁材２３において，金属回路２２を面する側と反対側の面には，放熱部材２４が配置されている。本実施例では，半導体素子２１から放熱部材２４の間は，銅と窒化珪素とはんだのみが配置されており，いずれも熱伝導率が高く薄い部材であることから，半導体素子２１と放熱部材２４の間の熱抵抗を小さくできる。なお，本実施例では金属回路２２や放熱部材２４に銅を用いたが，アルミや他の金属材料を用いることも可能である。アルミを用いた場合，銅と比較して熱伝導率が小さいため熱抵抗は増加する一方，軽量や加工し易さといった特徴がある。用途に応じて使い分けることができる。半導体素子２１，金属回路２２，絶縁材２３，放熱部材２４，端子２６は，放熱部材と端子２６の一部を除き，モールドレジン２５で封止されている。モールドレジン２５で封止することで，電気的な短絡を防止し，耐圧性を確保すると共に，動作時に生じる各部材の熱変形差を低減し，強度的信頼性を確保することができる。
図４に，本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置を構成するヒートシンク５の外観図および断面図を示す。ヒートシンク５は，主面である２面がケースと接して半導体部材２７を冷却する役割を持つ。ヒートシンク５の内部は，主面に略直交する方向にフィンを設けることで，水路４１が形成されている。なお，図示はしていないが，ヒートシンク５の長手方向の両端部には，冷却水の吸水口と排水口が設けられており，冷却水の流出入を可能にしている。本実施例では，ヒートシンクの材料に銅を用いた。熱伝導率の高い銅を用いることで，熱抵抗を低減できる。なお，冷却媒体の種類や必要な放熱性能に応じて，アルミなど異なる材料を用いることも可能である。アルミを用いた場合，銅と比較して熱伝導率が小さいため熱抵抗は増加する一方，軽量や加工し易さといった特徴がある。用途に応じて使い分けることができる。
図５に，本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置を構成する端子ブロック４の外観図を示す。本実施例において，端子ブロック４はエポキシ系の樹脂で構成されており，外側に銅製の外部端子３，内側に銅製の内部端子２８が突出し，端子ブロック４の内部で外部端子３と内部端子２８が結合している。
図６に，本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置を構成するケース１の外観図および断面図を示す。本実施例において，ケース１は厚さ０．１ｍｍのアルミ板を折り曲げ加工することで構成されている。半導体素子を内蔵する半導体部品２７を挿入する窪みが３箇所設けられていると共に，端部が略同一平面上に配置される様に折り曲げ加工されていることから，液状のシリコーンゲルを注入しても漏れることがなく，シリコーンゲルによる封止が可能である。さらに，半導体素子を内蔵する半導体部品２７やヒートシンク５と面して放熱経路となる箇所は平面であり，熱抵抗低減に有効な形状となっている，また，半導体部品２７やヒートシンク５と面して放熱経路となる面に垂直な方向，すなわち部品などを搭載した後に接触熱抵抗低減のために加圧する方向に対して，ケース１はバネに類似した形状となっており，非常に低剛性である。そのため，加圧する際に，ケース１の剛性が妨げとなることはない。なお，本実施例では，ケース１の材料にアルミを用いたが，銅など他の材料や，アルミや銅の合金などを用いることもできる。ケース１に銅を用いる場合，熱伝導率がアルミよりも大きいので熱抵抗をより小さくできる。一方，剛性がアルミよりも大きくなる。これらを鑑みて，選択することができる。
図７から１２を用いて，本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置の製造方法を説明する。
はじめに，図７を用いてケース１の製造方法を説明する。ケース１は，略四角形の薄板７１を曲げ加工して製造される。図中に示す点線箇所を谷折し，一点鎖線箇所を山折りすると，ケース１が形成できる。本実施例ではケース１の材料に厚さ０．１ｍｍのアルミ板を用いている。加工性に優れたアルミを用いることで，加工時の破断を防止しながら曲げ加工ができるので，完成したケース１にはシリコーンゲルが漏れる穴や破断箇所は発生しない。薄板７１において，寸法Ｌ１〜Ｌ７は折り曲げ加工後にそれぞれ，Ｌ１は半導体部品２７搭載位置の窪みの幅，Ｌ２は半導体部品２７搭載位置の窪みの深さ，Ｌ３はヒートシンク５設置位置の幅，Ｌ４はケース１端部のヒートシンク５設置位置の幅，Ｌ５はケース１縁の高さ，Ｌ６は半導体部品２７搭載位置の窪みの長さ，Ｌ７は半導体部品２７を搭載する際の長手方向のケース１寸法となる。薄板７１の寸法や折り曲げ箇所を搭載する半導体部品２７やヒートシンクの寸法や搭載数に応じて決めることで，任意の部品数や部品寸法に対応するケースを製造できる。
次に，図８ａに示す様に，４個のヒートシンク５を並べ，その間にケース１を設置する。なお，図示はしていないが，各ヒートシンク５には注水口と排水口が設けられており，全てのヒートシンク５に冷却水が流れる用に各ヒートシンク５の口はパイプなどで連結されている。連結方法によって，各ヒートシンク５に冷却水を直列に流すことも，並列に流すことも可能である。４個のヒートシンク５にケース１を設置すると，図８ｂに示す形状となる。
次に，図９ａに示す様に，ケース１の３箇所の窪みに，それぞれ半導体素子を内蔵する半導体部品２７を設置する。このとき，半導体部品２７の主面であり放熱部材２４が露出している面を，ヒートシンク５の主面と面しているケース１の面と接する様に配置することで，半導体部品２７の両面にヒートシンク５を配置できる。なお，本実施例では，ヒートシンク５の上部にケース１を設置した後にケース１の窪みに半導体部品２７を設置したが，ケース１の窪みに半導体部品２７を設置した後にヒートシンク５の上部にケース１を設置しても良い。
次に，図１０に示す様に，ケース１の上部に端子ブロック４を配置し，半導体部品２７の端子２６と端子ブロックの内部端子２８とを溶接で接合する。
次に，図１１に示す様に，ケース１の内側で半導体部品２７が搭載されている位置に，硬化前の液状のシリコーンゲルを封止材２として注入する。液状のシリコーンゲルは，その液面が導体部品２７の端子２６や端子ブロックの内部端子２８よりも上になる様に注入することで，半導体部品２７や導体部品２７の端子２６や端子ブロックの内部端子２８を封止できる。このとき，ケース１は一枚のアルミ板の端部が略同一平面上に配置される様に折り曲げ加工されていることから，液面が端部の平面より下に位置すれば液状のシリコーンゲルが漏れることはない。シリコーンゲル注入後，ゲルを硬化させることで封止が完了する。
最後に，図１２に示す様に，両端に配置される２つのヒートシンク５の外側に位置する主面を加圧面１２１として，加圧面１２１に加圧力１２２を加えることで，半導体部品２７−ケース１間やケース１−ヒートシンク５間の接触熱抵抗を低減する。図示はしないが，本実施例では加圧方法にボルト締結を用いた。ヒートシンク５の外側にボルト用の穴を設けた２枚の板を配置し，４本のボルトで２枚の板をボルト締結することで加圧した。
図１から１２を用いて，構造および製造方法を説明した本発明を備えた第１の実施例である電力変換装置は，半導体素子を内蔵する半導体部品２７全ての両側にヒートシンク５が配置され，半導体素子２１を両面から効率的に冷却できる。また，加圧方向において，ケース１の剛性が小さいので，加圧して熱抵抗を低減する場合に，ケース１の剛性が妨げになることが無い。さらに，薄板の折り曲げ加工によって，薄板の外形を構成する辺全てが略同一面上に配置されるケース形状を実現し，その窪みとなる位置に導体素子を内蔵する半導体部品２７を配置しているため，半導体素子２１を内蔵する半導体部品２７をシリコーンゲル封止するために液状のシリコーンゲルを注入しても漏れることがなく，適切に封止できる。これらのことから，冷却性や耐圧性に優れた電力変換装置を提供できる。
図１３に，本発明を備えた第２の実施例である電力変換装置を構成するケース１３１およびその展開図１３２を示す。実施例１で用いたケース１との相違点は，実施例１で用いたケース１には半導体素子を内蔵する半導体部品２７を配置する窪みが３箇所あったのに対して，本実施例で用いるケース１３１には２箇所である点である。そのため，図７で示したケース１の展開図と比較して，ケース１３１の展開図１３２は折り曲げ前のアルミ板の長手方向寸法が短く，折り曲げ箇所が少ない。この様に，本発明を供えた電力変換装置に用いるケースは，用いるアルミ板の寸法や折り曲げ箇所を選択することで，設置する半導体部品２７の数や寸法に応じた形状とすることができる点が，本発明の大きな特徴である。
図１４を用いて，本発明を備えた第２の実施例である電力変換装置の製造方法を説明する。３個のヒートシンク５を並べ，その間にケース１３２を設置する。なお，実施例１と同様に，図示はしていないが，各ヒートシンク５には注水口と排水口が設けられており，全てのヒートシンクに冷却水が流れる用に各ヒートシンクの口はパイプなどで連結されている。次に，ケース１３２の２箇所の窪みに，それぞれ半導体素子を内蔵する半導体部品２７を設置する。このとき，半導体部品２７の主面であり放熱部材２４が露出している面を，ヒートシンク５の主面と面しているケース１の面と接する様に配置することで，半導体部品２７の両面にヒートシンク５を配置できる。以降の製造方法は実施例１と同様である。ケース１３２の上部に端子ブロック４を配置し，半導体部品２７の端子２６と端子ブロックの内部端子２８とを溶接で接合し，ケース１３２の内側に硬化前の液状のシリコーンゲルを封止材２として注入し硬化させることで，電力変換装置が完成する。
実施例１では，電力変換装置の内部に３個の半導体部品２７を備えるのに対して，本実施例では電力変換装置の内部に２個の半導体部品２７を備えており，電力変換装置として使用する電圧や電流の条件が実施例１とは異なる。この様に，本発明を備えた電力変換装置では，同じ半導体部品２７とヒートシンク５を用意して，使用する数を自由に変更することで，使用目的に適した電力変換装置を構成できる。そのため，同じ半導体部品２７を用いて，様々な使用目的に対応する幅広いラインナップを構築することができる。
図１５に，本発明を備えた第３の実施例である電力変換装置を説明する図を示す。本実施例と第１の実施例との相違点は，図１５ａに示す様にケース１に３個の半導体部品２７を搭載し，図１５ｂに示す様に端子ブロック（図示せず）を設置してシリコーンゲル（輪郭を図示）で封止してゲルが硬化した後，図１５ｃに示す様にケース長手両端部の台形形状の領域を切断する点である。ケース長手両端部の台形形状の領域は，液状のシリコーンゲルを注入する場合には漏れ防止の役割をする。ただし，シリコーンゲルが硬化した後には，この領域を切断しても漏れは発生しない。この領域を切断することで，使用時のケースを小型化できると共に，ヒートシンクの小型化も可能になるため，電力変換装置全体を小型化できる。その一方，ケースと硬化後のシリコーンゲルを切断する工程が必要になるため，小型化と工程短縮の目的に応じて実施例１と使い分けることができる。
図１６に，本発明を備えた第４の実施例である電力変換装置の外観図を示す。第１の実施例との相違点は，水冷のヒートシンク５ではなく，ヒートパイプ１６１を用いて冷却する点である。図１７に，本実施例で用いるヒートパイプ１６１を示す。ヒートパイプのケースとの接触部１７１から内部に液体の入ったパイプ部１７２が突出し，突出部分には冷却フィン１７３が接続されている。図１６の電力変換装置において，４個のヒートパイプ１６１がヒートパイプのケースとの接触部１７１がケース１を介して半導体部品２７の両側に配置され，半導体部品２７を両面から冷却する。なお，図ではヒートパイプ１６１が電力変換装置の下に配置されているが，動作時にはヒートパイプの方が上に配置される。その結果，パイプ部１７２の内部の液体は半導体部品２７の近傍に配置され，半導体部品２７の発熱によって気化し，冷却フィン１７３の近傍に移動し，冷却されて液化して再び半導体部品２７の近傍に移動する。このサイクルを繰り返すことで，半導体部品２７を冷却する。なお，本実施例では，４個のヒートパイプ１６１を用いたが，これらのヒートパイプ１６１が冷却フィン１７３の位置で連結されていても良い。この場合，取り付け作業などの取り扱いは容易になる一方，剛性が大きくなって加圧の妨げにならない様に，冷却ふぃん１７３の形状などを注意する必要がある。
本発明を備えた電力変換装置では，半導体部品や配線と，冷却部分がケース１によって分離されているため，半導体部品や配線を変更することなく，異なる冷却方式を用いることができることが，大きな特徴である。本実施例では，ヒートパイプによる冷却方式を用いたが，必要な冷却能力によっては，空冷方式など他の冷却方式を用いることも可能である。いずれの冷却方式を用いる場合でも，半導体部品２７を両面から冷却することができる。
図１８に，本発明を備えた第５の実施例である電力変換装置の外観図を示す。ヒートパイプ１６１を用いて冷却する点は第４の実施例と同じであるが，ヒートパイプ１６１が電力変換装置の横方向に設けられている点が第４の実施例との相違点である。第４の実施例では，ヒートパイプ１６１を電力変換装置の下方向に配置しており，動作時にはヒートパイプを上側に配置する必要があるため全体を大きく回転させる必要があった。本実施例では，全体をわずかに回転させるだけでヒートパイプとして機能させることができる。さらに，ヒートパイプ１６１のパイプ部１７２を「く」の字型にすることで，電力変換装置を回転させることなく，ヒートパイプ１６１のパイプ部先端を根本部分よりも上に配置してヒートパイプとして機能させることができる。これは，本発明を備えた電力変換装置では，ヒートパイプ１６１のヒートパイプのケースとの接触部１７１とケース１を接触させる位置において，ケース１が下方向だけでなく左右方向にも無く，ヒートパイプ１６１のパイプ１７２を下方向だけでなく左右方向にも引き回せる特長を持つためである。この様に，本発明を備えた電力変換装置では，搭載する冷却部品の形状自由度が大きいことが特徴である。なお，本実施例を用いる場合，図１９に示す様に，ヒートパイプのケースとの接触部１７１と冷却フィン１７３の間の距離を第４の実施例よりも大きく確保して，冷却フィン１７３とケース１の接触を防止する必要がある。電力変換装置を設置する設置空間の形状や空気の流れに応じて，これらの実施例を選択できる。
図２０に，本発明を備えた第６の実施例である電力変換装置の外観図および断面図を示す。外観図は，実施例１と同様である。実施例１との相違点は，断面図において，半導体素子を内蔵する半導体部品２７のモールド樹脂２５が無く，シリコーンゲルである封止材２のみで全ての封止を行う点である。本実施例では，半導体素子を内蔵する半導体部品２７を製造する際に，樹脂でモールドする必要がないので，製造工程を簡略化できる。また，モールド樹脂が無い分，半導体部品２７の外寸を小さくできるので，電力変換装置全体の小型化に有効である。本実施例において，絶縁部材２３の外寸を金属回路２２より大きくすることで，モールド樹脂２５が無くてもケース１に半導体部品２７を設置する際にケース１と金属回路２２は接触せず，電気的な短絡を防止できる。さらに，シリコーンゲル注入後は，十分な耐圧性を確保できる。ただし，半導体素子２１や金属回路２２などをモールド樹脂２５で封止しないため，動作時の温度上昇に各部材の熱変形差に起因する熱応力を低減することに注意を払う必要がある。各部材の熱変形差を低減する方法として，金属回路２２の少なくとも一部に，半導体素子２１と線膨張係数差が小さい材料である，モリブデン，タングステンなどを用いることが有効である。また，カーボンやカーボンを含む複合材料を金属回路２２の一部に用いることも，熱応力低減に有効である。
図２１から２５を用いて，本発明を備えた第６の実施例である電力変換装置の製造方法を示す。図２１に示すケース１の製造方法は実施例１と同様である。ただし，半導体部品２７の外寸が小さくなるため，ケース１を小型化することができる。次に，図２２に示す様に，ケース１をヒートシンク５に設置する。半導体部品２７の外寸が小さくなるため，ヒートシンク５も小型化することができる。次に，図２３に示す様に，半導体部品２７をケース１に設置する。このとき，半導体部品２７はモールドされていないため，金属回路２２や半導体素子２１が露出しているため，扱いには注意が必要である。次に，図２４に示す様に，ケース１の上部に端子ブロック４を設置し，端子２６と２８を接続する。次に，ケース１に液状のシリコーンゲルを注入し，ゲルを硬化させることで半導体素子２１や金属回路２２や端子２６などを全て封止する。図示はしないが，最後にヒートシンク５を加圧することで，電力変換装置が完成する。
以上の実施例で説明したとおりに，略4角形の薄板を山折および谷折りすることで半導体素子を内蔵する半導体部品を搭載する数の窪みを持つ形状を形成すると同時に，上記折り曲げ方向と直交する方向の側辺を折り曲げることで，薄板の外形を構成する縁全てが略同一面上に配置されるケースを設け，そのケースの窪みとなる位置に半導体素子を内蔵する半導体部品を配置し，ケースを介して半導体素子を内蔵する半導体部品を挟む様に冷却装置を配置し，半導体素子を内蔵する半導体部品をシリコーンゲル封止することで解決できる。また，好ましくは，前記ケースは熱伝導率の高い金属で構成される。さらに望ましくは，前記ケースはアルミや銅またはこれらを主成分とする合金で構成される。
冷却装置は，半導体素子を内蔵する半導体部品の両側に複数の独立した冷却モジュールを配置し，それぞれの冷却モジュールを加圧方向に低剛性な連結部で連結する。さらに，端子ブロックを支持する部材を，半導体素子を内蔵する半導体部品の側部に配置して端子ブロックを支持する。このとき，端子ブロックを支持する部材の厚みを，半導体素子を内蔵する半導体部品よりも小さくする。
このような構成をとるので，半導体素子を内蔵する半導体部品と冷却装置を交互に配置できるため，半導体素子を両面から効率的に冷却できる。また，ケースの剛性は，半導体素子を内蔵する半導体部品と冷却装置が交互に配置される方向に小さいので，半導体素子を内蔵する半導体部品と冷却装置の間を加圧して熱抵抗を低減する場合に，ケースの剛性が妨げになることが無い。さらに，薄板の折り曲げ加工によって全ての縁が略同一面上に配置されるケース形状を実現でき，その窪みとなる位置に導体素子を内蔵する半導体部品を配置しているため，液状のシリコーンゲルなどの封止材を注入しても漏れることがなく，適切に封止できる。これらのことから，冷却性や耐圧性に優れた電力変換装置を提供できる。さらに，冷却装置や端子ブロックを支持する部材が，半導体素子を内蔵する半導体部品と冷却装置の加圧の妨げになることを防止でき，適切な加圧を実現できる。
以上，本発明を実施例に基づき具体的に説明したが，本発明は前記実施例に限定されるものではなく，その趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
１ ・・・ケース
２ ・・・封止材
３ ・・・外部端子
４ ・・・端子ブロック
５ ・・・ヒートシンク
２１ ・・・半導体素子
２２ ・・・金属回路
２３ ・・・絶縁材
２４ ・・・放熱部材
２５ ・・・モールド樹脂
２６，２６ａ，２６ｂ ・・・半導体素子を内蔵する半導体部品の端子
２７ ・・・半導体素子を内蔵する半導体部品
２８ ・・・内部端子
４１ ・・・水路
７１ ・・・ケース折り曲げ加工前の薄板
Ｌ１ ・・・薄板の折り曲げ寸法
Ｌ２ ・・・薄板の折り曲げ寸法
Ｌ３ ・・・薄板の折り曲げ寸法
Ｌ４ ・・・薄板の折り曲げ寸法
Ｌ５ ・・・薄板の折り曲げ寸法
Ｌ６ ・・・薄板の折り曲げ寸法
Ｌ７ ・・・薄板の折り曲げ寸法
１２１ ・・・加圧面
１２２ ・・・加圧力
１３１ ・・・実施例２のケース
１３２ ・・・実施例２のケース展開図
１６１ ・・・ヒートパイプ
１７１ ・・・ヒートパイプのケースとの接触部
１７２ ・・・ヒートパイプのパイプ部
１７３ ・・・ヒートパイプの冷却フィン部

Claims (8)

  1. 半導体部品と冷却部材を交互に配置することで前記半導体部品を前記冷却部材により両面側から冷却するように構成し、前記半導体部品は複数であり、前記半導体部品は、半導体素子と、前記半導体素子に接続される端子を含み、前記半導体素子の少なくとも一部はスイッチング動作をなすものであり、前記半導体部品と冷却部材を隔離するように板材が成型された一体的なケースを有し、前記ケースは、前記端子を封止材で封止するための延長部を有するものであって、さらに、前記冷却部材を互いに接続する冷却媒体路、あるいは、前記冷却部材に熱的に接続される冷却フィンを有することを特徴とするパワーモジュール装置。
  2. 請求項1において，前記ケースは、薄板を折り曲げ加工により成型されていることを特徴とするパワーモジュール装置。
  3. 請求項２において，前記ケースはアルミまたは銅を主成分とすることを特徴とするパワーモジュール装置。
  4. 請求項１乃至３のいずれかにおいて，前記半導体部品の少なくともいずれかが，前記半導体素子の両主面に放熱部材が配置されることを特徴とするパワーモジュール装置。
  5. 請求項１から４のいずれかにおいて，前記冷却部材の数が前記半導体部品の数よりも１つ多いことを特徴とするパワーモジュール装置。
  6. 請求項１乃至５のいずれかにおいて，前記冷却部材がヒートパイプを含むことを特徴とするパワーモジュール装置。
  7. 請求項１から６のいずれかにおいて，前記前記半導体部品は、前記ケースに形成された窪み部分に配置されることを特徴とするパワーモジュール装置。
  8. 半導体部品と冷却部材を交互に配置することで前記半導体部品を前記冷却部材により両面側から冷却するように構成し、前記半導体部品は複数であり、前記半導体部品は、半導体素子と、前記半導体素子に接続される端子を含み、前記半導体素子の少なくとも一部はスイッチング動作をなすものであり、前記半導体部品と冷却部材を隔離するように板材が成型された一体的なケースを有し、前記ケースは、前記端子を封止材で封止するための延長部を有するものであって、前記冷却部材を互いに接続する冷却媒体路、あるいは、前記冷却部材に熱的に接続される冷却フィンを有し、前記スイッチング動作を制御することで電力変換することを特徴とする電力変換装置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6233257B2 (ja) * 2014-04-15 2017-11-22 トヨタ自動車株式会社 電力変換器
WO2016189674A1 (ja) * 2015-05-27 2016-12-01 株式会社日立製作所 電力変換装置
JP6635901B2 (ja) * 2016-09-21 2020-01-29 本田技研工業株式会社 電力変換装置
KR101922991B1 (ko) * 2016-12-23 2018-11-28 효성중공업 주식회사 전력변환장치용 전력소자 냉각장치
WO2023250351A2 (en) * 2022-06-21 2023-12-28 Psemi Corporation Three-dimensional (3d) packages and methods for 3d packaging

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60195956A (ja) * 1984-03-17 1985-10-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体冷却装置
JPH0531248U (ja) * 1991-09-30 1993-04-23 シヤープ株式会社 樹脂封止型電力半導体装置
US5823249A (en) * 1997-09-03 1998-10-20 Batchelder; John Samual Manifold for controlling interdigitated counterstreaming fluid flows
JP2005026627A (ja) * 2003-07-03 2005-01-27 Denso Corp 冷却装置及びこれを備えた電力変換装置
JP2005237141A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Toyota Motor Corp インバータおよびインバータの製造方法
JP2008271770A (ja) * 2007-03-27 2008-11-06 Denso Corp 冷却器及びこれを備えた電力変換装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5698532A (en) * 1979-12-31 1981-08-08 Takao Muto Two-piston engine
AU640069B2 (en) * 1991-01-30 1993-08-12 Atofina Chemicals, Inc. Paint strippers
JP4193749B2 (ja) * 2004-04-21 2008-12-10 株式会社村田製作所 巻線型コイル製造方法
US8421214B2 (en) * 2007-10-10 2013-04-16 Vishay General Semiconductor Llc Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
JP5035626B2 (ja) * 2008-03-05 2012-09-26 株式会社デンソー 電力変換装置
JP2011103395A (ja) * 2009-11-11 2011-05-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 発熱部品の放熱構造及びこの放熱構造を有している回路装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60195956A (ja) * 1984-03-17 1985-10-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体冷却装置
JPH0531248U (ja) * 1991-09-30 1993-04-23 シヤープ株式会社 樹脂封止型電力半導体装置
US5823249A (en) * 1997-09-03 1998-10-20 Batchelder; John Samual Manifold for controlling interdigitated counterstreaming fluid flows
JP2005026627A (ja) * 2003-07-03 2005-01-27 Denso Corp 冷却装置及びこれを備えた電力変換装置
JP2005237141A (ja) * 2004-02-20 2005-09-02 Toyota Motor Corp インバータおよびインバータの製造方法
JP2008271770A (ja) * 2007-03-27 2008-11-06 Denso Corp 冷却器及びこれを備えた電力変換装置

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