JP2005237141A - インバータおよびインバータの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードに高い寸法精度を要求せずとも、パワーカードと冷却水の循環経路との高い密着度を保持することができ、高い冷却効率と組み立て時の作業性を両立したインバータを提供する。
【解決手段】半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカード7を収容する収容部と、該パワーカードの周囲に冷却媒体を循環させる循環経路部5cと、が形成されたケース5を具備するインバータ1において、該パワーカードと収容部との隙間に絶縁性樹脂22を充填し、該絶縁性樹脂を硬化させてパワーカードを固定した。
【選択図】図2

Description

本発明は、両面冷却構造のインバータの技術に関する。
より詳細には、スイッチング素子等の半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカード(パワーモジュール)を収容し、該パワーカードの周囲に冷却媒体の循環経路を設けた筐体を具備するインバータおよびインバータの製造方法に関する。
近年、HV(Hybrid Vehicle)のモータ用インバータモジュール等、インバータは小型化および大電流化の要求がますます強くなっている。これに伴い、インバータを構成する半導体素子の発熱量も増大する傾向にある。
半導体素子の動作の安定性(すなわち、インバータの信頼性)を確保するという観点から見れば、半導体素子の温度を所定の温度以下に保持することが望ましい。よって、インバータの冷却効率の向上は、低発熱量の半導体材料開発等、半導体素子自体の発熱量の低減と並んで、インバータの小型化および大電流化を達成する上で避けて通ることができない重要な問題となる。
従来、インバータを構成する絶縁基板の一方の面に半導体素子を実装し、他方の面にはフィンを形成した放熱板を設けて空冷する方法が知られている。
また、冷却効率をさらに向上させるべく、半導体素子が実装されていない方の絶縁基板の面が直接冷却水と接触するように冷却水の循環経路を形成したインバータも検討されている。例えば、特許文献1に記載の如くである。
また、半導体素子の両面を放熱板で挟んでパワーカードを形成し、該パワーカードの両面の放熱板に可撓性のチューブを密着させて該チューブに冷却水を循環させるインバータも検討されている。例えば、特許文献2に記載の如くである。
特開2002−315357号公報 特開2002−26215号公報
特許文献1に記載のインバータは半導体素子の一方の面からのみ冷却する構成であるため、両面から冷却する構成と比較すると、同じ放熱量でも半導体素子の板面に鉛直な方向の熱勾配が大きくなる傾向がある。これは、半導体素子の最も高温となる部分と冷却水との温度差が大きく、半導体素子や基板、はんだ層等の接合部への熱応力の負荷が大きくなるということを意味している。
また、特許文献1に記載のインバータは、半導体素子が実装されていない方の絶縁基板の面が直接冷却水と接触するように冷却水の循環経路を形成しているため、冷却水の水温や圧力が上昇するとインバータの筐体内に冷却水の一部が漏洩するおそれがあるという問題がある。
特許文献2に記載のインバータは半導体素子の両面から冷却する構成であるため、半導体素子の一方の面からのみ冷却する構成と比較すると、同じ放熱量でも半導体素子の板面に鉛直な方向の熱勾配を小さくすることが可能であり、冷却効率を高めることが容易である点が優れている。
しかし、特許文献2に記載のインバータは、組み立て時におけるパワーカードの放熱板と冷却水を循環させる可撓性チューブとの密着度にばらつきが生じ易く、インバータの個体間での冷却効率のばらつきが大きいという問題がある。すなわち、可撓性チューブをパワーカード側に均一に押さえつけてパワーカードと可撓性チューブとの密着度を確保するためには作業者の熟練が必要であるとともに、作業工数および作業時間が増大するという問題が発生する。
また、可撓性のチューブをパワーカードの両方から押さえつける際の力加減やチューブ自体の強度(肉厚等)のばらつきによってはパワーカードの取り付け位置も大きくばらついてしまい、パワーカードと制御基板との接合を行う際における両者の位置ずれが問題となる(製品歩留まりの低下)。
一方、パワーカードの両面を冷却する循環経路として、弾性変形しない配管を用いた場合には、該配管とパワーカードとの密着度を均一とするためにパワーカード自体に高い寸法精度が要求されることとなり、これも部品コストの増大や作業工数の増加(例えば、組み立て時にパワーカードを研削してサイズ合わせをする等)という問題が発生する。
本発明は以上の如き状況に鑑み、パワーカードに高い寸法精度を要求せずとも、パワーカードと冷却水の循環経路との高い密着度を保持することができ、高い冷却効率と組み立て時の作業性を両立したインバータを提供するものである。
本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段を説明する。
即ち、請求項1においては、半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードを収容する収容部と、該パワーカードの周囲に冷却媒体を循環させる循環経路部と、が形成された筐体を具備するインバータにおいて、
該パワーカードと収容部との隙間に絶縁性樹脂を充填し、該絶縁性樹脂を硬化させてパワーカードを固定するものである。
請求項2においては、半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードを収容する収容部と、該パワーカードの周囲に冷却媒体を循環させる循環経路部と、が形成された筐体を具備するインバータにおいて、
両面にろう材を被覆した板材を波状に屈曲し、該板材を筐体に形成された冷却媒体の循環経路部に収容し、該ろう材を溶融後、凝固させて該板材を循環経路部に固定することにより、冷却媒体の循環経路内にフィンを形成するものである。
請求項3においては、半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードを収容する収容部と、該パワーカードの周囲に冷却媒体を循環させる循環経路部と、が形成された筐体を具備するインバータの製造方法において、
該収容部に絶縁性樹脂を充填した後に、収容部にパワーカードを挿嵌し、該絶縁性樹脂を硬化させてパワーカードを固定するものである。
請求項4においては、半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードを収容する収容部と、該パワーカードの周囲に冷却媒体を循環させる循環経路部と、が形成された筐体を具備するインバータの製造方法において、
両面にろう材を被覆した板材を波状に屈曲し、該板材を筐体に形成された冷却媒体の循環経路部に収容し、該ろう材を溶融後、凝固させて該板材を循環経路部に固定することにより、冷却媒体の循環経路内にフィンを形成するものである。
請求項5においては、半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードを収容する収容部と、該パワーカードの周囲に冷却媒体を循環させる循環経路部と、が形成された筐体を具備するインバータの製造方法において、
両面にろう材を被覆した板材を波状に屈曲し、該板材を筐体に形成された冷却媒体の循環経路部に収容し、該ろう材を溶融後、凝固させて該板材を循環経路部に固定することにより、冷却媒体の循環経路内にフィンを形成し、
該収容部に絶縁性樹脂を充填した後に、収容部にパワーカードを挿嵌し、該絶縁性樹脂を硬化させてパワーカードを固定するものである。
本発明の効果として、以下に示すような効果を奏する。
請求項1においては、パワーカードと収容部との隙間に熱伝導率が大きい絶縁性樹脂を充填することにより、パワーカードと収容部とを絶縁性樹脂を介して確実に密着させ、パワーカードにて発生した熱を効率良く循環経路部を流れる冷却水に放熱することが可能である。
また、収容部の形状および大きさをパワーカードの外形に対応させ、パワーカードと収容部との隙間が極力小さくなるように構成することにより、パワーカードを収容部に固定したときの位置精度が良く、バスバー等とパワーカードとの配線の接合時における位置ずれを防止することが可能であり、組み立て時の作業性が向上する。
請求項2においては、パワーカードの両面に面する冷却水の循環経路の表面積を大きくすることができ、冷却効率を更に向上させることが可能である。
また、容易に冷却水の循環経路内にフィンを形成することが可能であり、組み立て時の作業性に優れる。
請求項3においては、パワーカードと収容部との隙間に熱伝導率が大きい絶縁性樹脂を充填することにより、パワーカードと収容部とを絶縁性樹脂を介して確実に密着させ、パワーカードにて発生した熱を効率良く循環経路部を流れる冷却水に放熱することが可能である。
また、収容部の形状および大きさをパワーカードの外形に対応させ、パワーカードと収容部との隙間が極力小さくなるように構成することにより、パワーカードを収容部に固定したときの位置精度が良く、バスバー等とパワーカードとの配線の接合時における位置ずれを防止することが可能であり、組み立て時の作業性が向上する。
請求項4においては、パワーカードの両面に面する冷却水の循環経路の表面積を大きくすることができ、冷却効率を更に向上させることが可能である。
また、容易に冷却水の循環経路内にフィンを形成することが可能であり、組み立て時の作業性に優れる。
請求項5においては、パワーカードと収容部との隙間に熱伝導率が大きい絶縁性樹脂を充填することにより、パワーカードと収容部とを絶縁性樹脂を介して確実に密着させ、パワーカードにて発生した熱を効率良く循環経路部を流れる冷却水に放熱することが可能であるとともに、パワーカードの両面に面する冷却水の循環経路の表面積を大きくして冷却効率を更に向上させることが可能である。
また、収容部の形状および大きさをパワーカードの外形に対応させ、パワーカードと収容部との隙間が極力小さくなるように構成することにより、パワーカードを収容部に固定したときの位置精度が良く、バスバー等とパワーカードとの配線の接合時における位置ずれを防止することが可能であるとともに、容易に冷却水の循環経路内にフィンを形成することが可能であり、組み立て時の作業性に優れる。
さらに、フィンを形成後にパワーカードを固定するので、組み立て時にパワーカードを構成する半導体素子が耐熱温度を越えることがない。
以下では、図1を用いて、本発明に係るインバータの実施の一形態であるインバータ1の回路構成について説明する。
直流電源の一例であるバッテリ101は、インバータ1の入力端子であるP端子102aおよびN端子103aにてインバータ1に接続されている。また、外部負荷の一例である交流三相モータ104は、インバータ1の出力端子であるU端子105U、V端子105V、W端子105Wにてインバータ1に接続されている。
インバータ1はいわゆる三相ブリッジ型の回路構成を成し、P端子102aに接続されたP側配線102と、N端子103aに接続されたN側配線103との間に、U相パワー回路106、V相パワー回路107およびW相パワー回路108が並列に接続される。
U相パワー回路106は、インバータ1から出力される三相交流電流のU相に対応し、二つのパワーユニット109・109を直列に接続して一端をP側配線102、他端をN側配線103に接続するとともに、二つのパワーユニット109・109を接続する配線の中途部とU端子105UとをU相配線110Uで接続したものである。
パワーユニット109は、例えばIGBT(Insulated(またはInerted) Gate Bipolar Transistor)等の半導体素子からなるパワー素子2と、該パワー素子2に印加されるフライバック電圧からの素子耐圧保護および回生動作時の電流経路生成のための半導体素子であるダイオード素子3と、を並列に接続したものである。パワー素子2のゲート端子2aは外部コントロールユニット(ECU)111と接続され、該ECU111からの信号により、パワー素子2のスイッチング動作が行われる。
V相パワー回路107およびW相パワー回路108は、前記U相パワー回路106と略同じ構成である。V相パワー回路107はインバータ1から出力される三相交流電流のV相に対応し、V相配線110VによりV端子105Vに接続される。W相パワー回路108はインバータ1から出力される三相交流電流のW相に対応し、W相配線110WによりW端子105Wに接続される。
コンデンサ4は、U相パワー回路106、V相パワー回路107およびW相パワー回路108を構成するパワーユニット109・109・・・のスイッチング動作に伴う電圧変動を平滑化するものであり、U相パワー回路106、V相パワー回路107およびW相パワー回路108と並列に接続される。
ECU111はインバータ1の動作を制御するものであり、各パワー素子2のゲート端子2aに信号を出力することにより、U相、V相、W相に位相差をもってそれぞれ単相電流を出力させる。このようにして、本実施例のインバータ1は、高電圧バッテリ101から入力された直流電流を三相交流電流に変換して交流三相モータ104に出力する。
また、ECU111は、各パワー素子2のゲート端子2aに信号を出力するタイミングを変化させることにより、三相交流電流の周波数を変化させる(ひいては、交流三相モータ104の回転数を制御する)。
以下では、図2、図3、図4および図5を用いて、インバータ1の詳細構成について説明する。
インバータ1は主に、制御基板6、コンデンサ4、パワーカード7・7・・・、ケース5、バスバー8・9、バスバー10・10・10、上蓋11、下蓋12等で構成される。
図2に示す如く、制御基板6は絶縁性樹脂(エポキシ樹脂やフェノール樹脂等)または絶縁性セラミックスからなる絶縁基板上に銅板やアルミ板等で電流経路が形成され、CPUやROM等の半導体素子が実装されたものであり、図1で示すインバータ1の回路におけるECU111に相当する。制御基板6およびコンデンサ4はケース5の上部空間に収容される。
図2および図5に示す如く、パワーカード7は主に、パワー素子2、ダイオード素子3、端子13・13、絶縁板14・14、放熱板15・15、モールド樹脂16等で構成される。
一対の端子13・13は導電材料(銅、アルミ、鋼等)からなる板状の部材である。パワー素子2およびダイオード素子3の両面には一対の端子13・13が電気的に(通電可能に)接合される。このとき、パワー素子2およびダイオード素子3は端子13の一端(基部)に接合され、端子13は中途部にて側面視略L字型に屈曲される。パワー素子2およびダイオード素子3が接合された一対の端子13・13の他端(先端部)は、それぞれバスバー8・バスバー10(またはバスバー9・バスバー10)に電気的に接合される。
一対の絶縁板14・14は絶縁性樹脂(エポキシ樹脂やフェノール樹脂等)または絶縁性セラミックスからなる板状の部材であり、一対の端子13・13においてパワー素子2およびダイオード素子3が接合された面の反対側の面にそれぞれ接合される。
一対の放熱板15・15は、例えば銅−モリブデン合金やアルミ−シリコン合金等、放熱性に優れた(熱伝導率が大きい)材料からなる板状の部材であり、一対の端子13・13においてパワー素子2およびダイオード素子3が接合された面の反対側の面にそれぞれ接合される。
このように、パワーカード7は、半導体素子であるパワー素子2およびダイオード素子3の両面を一対の放熱板15・15で挟み、絶縁性樹脂からなるモールド樹脂16により略直方体形状にモールドされた部材となっている。本実施例のインバータ1においては、パワーカード7を六個具備している。
図2、図3、および図4に示す如く、ケース5、上蓋11および下蓋12はインバータ1の筐体を成す部材である。
ケース5は上下面が開口した略箱形の部材であり、その内部空間は仕切5aにより上下二つの空間(上部空間および下部空間)に区画される。ケース5はアルミニウムやその合金等、放熱性に優れた(熱伝導率が大きい)材料により鋳造される。
仕切5aの一部はケース5の下方に窪んだ形状となっており、該窪んだ部分に対応する上部空間が収容部5b・5b・・・(図3参照)となる。
収容部5bはパワーカード7を収容するための空間であり、本実施例においては図4に示す如く、収容部5b・5b・・・は本実施例のパワーカード7の個数(六個)に対応して計六箇所形成され、平面視で3×2となるように(三つの収容部5b・5b・5bからなる二本の列17・17が形成されるように)配置される。また、ケース5の下部空間は該二本の列17・17により、三つの空間に区画される。この三つに区画された下部空間が循環経路部5c・5c・5cを形成する。
上蓋11および下蓋12は、それぞれケース5の上面および下面を閉塞するための部材であり、下蓋12にてケース5の下面を閉塞したとき、収容部5b・5b・・・に対応する部分の仕切5aの下端面、およびケース5の外周の下端面が下蓋12と当接するように構成されている。
さらに、接続経路5e・5eにより、隣り合う循環経路部5c・5cが連通されるとともに、下蓋12には冷却水流入口12aおよび冷却水吐出口12bが形成され、ケース5内に冷却水流入口12a→循環経路部5c→接続経路5e→循環経路部5c→接続経路5e→循環経路部5c→冷却水吐出口12bという冷却水の循環経路(冷却水路)が形成される。
このように構成することにより、収容部5bにパワーカード7を収容すると、パワーカード7の両面が冷却水の循環経路(循環経路部5c・5c・5c)に面する格好となる。
バスバー8・9は、図1で示すインバータ1の回路におけるP側配線102・N側配線103に相当する部材であり、銅やアルミニウム等の導電性材料からなる板状の部材である。バスバー8・9はケース5の仕切5a上に固設された絶縁部材18・19上に設けられ、ケース5とバスバー8・9との間で通電しないように構成される。
バスバー10・10・10は図1で示すインバータ1の回路におけるU相配線110U、V相配線110V、W相配線110Wに相当する部材であり、銅やアルミニウム等の導電性材料からなる板状の部材である。バスバー10・10・10はケース5の仕切5a上に固設された絶縁部材20上に設けられ、ケース5とバスバー10・10・10との間で通電せず、かつ、各バスバー10の間で短絡しないように構成される。
以下では、図2、図3、図4および図5を用いて、パワーカード7を収容部5bに固定する方法を説明する。
まず、パワーカード7を収容部5bに収容し、パワーカード7と収容部5bとの隙間に硬化前の(流動性がある状態であり、液体状またはペースト状の)絶縁性樹脂22を充填する。このとき、(1)硬化前の絶縁性樹脂22を予め収容部5bに注入しておき、該硬化前の絶縁性樹脂22にパワーカード7を浸漬する(パワーカード7を収容部5bに挿嵌する)方法、または、(2)パワーカード7を予め収容部5bに収容しておき、パワーカード7と収容部5bとの隙間に硬化前の絶縁性樹脂22を注入する方法、のいずれの方法でも良い。
なお、当該絶縁性樹脂22は、冷却効率を高くする観点から熱伝導率が大きい(できれば1W/m・K以上)ことが望ましい。
次に、収容部5b内の絶縁性樹脂22を硬化させて、パワーカード7を収容部5bに固定する。具体的には、絶縁性樹脂22が熱硬化性樹脂(フェノール樹脂やエポキシ樹脂等)の場合には一度昇温して硬化させ、その後冷却(放冷)する。また、絶縁性樹脂22が熱可塑性樹脂(ウレタン樹脂等)の場合には、該熱可塑性樹脂を予め昇温し、流動性がある状態で収容部5bに注入し、その後冷却(放冷)する。さらに、絶縁性樹脂22が二種類の液体を混合することにより硬化するもの(二液混合型の接着剤等)の場合、該二種類の液体を混合後、硬化が進行する前にパワーカード7を収容部5bに収容するとともに絶縁性樹脂22を収容部5bに注入し、その後、硬化するまで放置しておく。
このように構成することは、以下の如き利点を有する。
第一に、パワーカード7と収容部5bとの隙間に熱伝導率が大きい絶縁性樹脂22を充填することにより、パワーカード7と収容部5bとを絶縁性樹脂22を介して確実に密着させ、パワーカード7にて発生した熱を効率良く循環経路部を流れる冷却水に放熱することが可能である。
第二に、収容部5bの形状および大きさをパワーカード7の外形に対応させ、パワーカード7と収容部5bとの隙間が極力小さくなるように(できれば隙間は0.1mm以下が望ましい)構成することにより、パワーカード7を収容部5bに固定したときの位置精度が良く、バスバー8・10(またはバスバー9・10)と端子13・13との接合時における位置ずれを防止することが可能であり、組み立て時の作業性が向上する。また、パワーカード7と収容部5bとの隙間が極力小さくなるように構成することにより、該隙間に充填される絶縁性樹脂22の量を最小限に抑えることが可能であるとともに、循環経路部5cとパワーカード7との間の距離を極力小さくして冷却効率を高めることが可能である。
なお、パワーカード7を収容部5bに収容したときに絶縁性樹脂22が収容部5bから溢れ出すことがないように、収容部5bの上部には樹脂溜まり部5dを設けておくことが望ましい。
以下では、図2、図3および図4を用いてインバータ1における冷却媒体の循環経路の詳細構成について説明する。
インバータ1においては、冷却媒体(本実施例では冷却水)の循環経路である循環経路部5c・5c・5cにフィン21・21・21を設けることにより冷却水の循環経路の表面積を大きくし、更に冷却効率を高めている。
フィン21は、アルミニウムや銅等、熱伝導率が大きい金属材料の両面にろう材をクラッド(被覆)した板状の部材を波状に屈曲したものである。ここで、ろう材については、ケース5がアルミニウムからなる場合には、シリコン−アルミニウム合金等のアルミ接合用ろう材を用いるが、ケース5の材質(融点)によっては銀ろう、銅ろう、燐銅ろう、金ろう、パラジウムろう等も用いることが可能である
図2に示す如く、フィン21の屈曲部21a・21a・・・は循環経路部5cの側壁面に当接し、フィン21の最上面は循環経路部5cの上面(仕切5aの下面)に当接し、かつ、フィン21の最下面は下蓋12の上面に当接するようにその形状が定められている。なお、下蓋12は、その上面(循環経路部5c・5c・5cに対向する面)にろう材をクラッド(被覆)した板状の部材である。
フィン21・21・21を循環経路部5c・5c・5cに収容し、下蓋12をケース5の下面を閉塞するようにセットした状態で、フィン21・21・21のろう材、および下蓋12のろう材が溶融する温度まで昇温し、その後冷却(放冷)してろう材を凝固させ、フィン21・21・21を循環経路部5c・5c・5c内に固定するとともに、下蓋12をケース5およびフィン21・21・21の最下面に固定する。
このように構成することにより、パワーカード7の両面に面する冷却水の循環経路(循環経路部5c・5c・5c)の表面積を大きくすることができ、冷却効率を更に向上させることが可能である。また、ケース5の下面に向かって開口した循環経路部5c・5c・5cにフィン21・21・21を収容し、ろう材が溶融する温度に昇温した後冷却するだけで容易に冷却水の循環経路内にフィンを形成することが可能であり、組み立て時の作業性に優れる。
なお、半導体素子であるパワー素子2やダイオード素子3の耐熱温度はろう材の溶融温度より低いので、インバータ1を実際に組み立てるときは、(1)フィン21・21・21を循環経路部5c・5c・5cに収容した後、下蓋12をセットして昇温・放冷し、(2)バスバー8・9およびバスバー10・10・10を取り付け、(3)収容部5b・5b・・・にパワーカード7・7・・・を収容し、隙間に絶縁性樹脂22を充填後硬化させてパワーカード7・7・・・を収容部5b・5bに固定し、(4)制御基板6やコンデンサ4を取り付けて各種配線を接合し、(5)上蓋11をケース5の上面に取り付ける、という順序で行われる。このように構成することにより、組み立て時に半導体素子であるパワー素子2やダイオード素子3は耐熱温度を越えることがなく、劣化等を起こすことがない。
本発明に係るインバータの回路図。 本発明に係るインバータの側面断面図。 本発明に係るインバータのケースの側面断面図。 本発明に係るインバータのケースの平面図。 パワーカードの側面一部断面図。
符号の説明
1 インバータ
2 パワー素子(半導体素子)
3 ダイオード素子(半導体素子)
5 ケース(筐体)
5b 収容部
5c 循環経路部
7 パワーカード
15 放熱板
22 絶縁性樹脂

Claims (5)

  1. 半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードを収容する収容部と、該パワーカードの周囲に冷却媒体を循環させる循環経路部と、が形成された筐体を具備するインバータにおいて、
    該パワーカードと収容部との隙間に絶縁性樹脂を充填し、該絶縁性樹脂を硬化させてパワーカードを固定することを特徴とするインバータ。
  2. 半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードを収容する収容部と、該パワーカードの周囲に冷却媒体を循環させる循環経路部と、が形成された筐体を具備するインバータにおいて、
    両面にろう材を被覆した板材を波状に屈曲し、該板材を筐体に形成された冷却媒体の循環経路部に収容し、該ろう材を溶融後、凝固させて該板材を循環経路部に固定することにより、冷却媒体の循環経路内にフィンを形成することを特徴とするインバータ。
  3. 半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードを収容する収容部と、該パワーカードの周囲に冷却媒体を循環させる循環経路部と、が形成された筐体を具備するインバータの製造方法において、
    該収容部に絶縁性樹脂を充填した後に、収容部にパワーカードを挿嵌し、該絶縁性樹脂を硬化させてパワーカードを固定することを特徴とするインバータの製造方法。
  4. 半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードを収容する収容部と、該パワーカードの周囲に冷却媒体を循環させる循環経路部と、が形成された筐体を具備するインバータの製造方法において、
    両面にろう材を被覆した板材を波状に屈曲し、該板材を筐体に形成された冷却媒体の循環経路部に収容し、該ろう材を溶融後、凝固させて該板材を循環経路部に固定することにより、冷却媒体の循環経路内にフィンを形成することを特徴とするインバータの製造方法。
  5. 半導体素子の両面を放熱板で挟んだパワーカードを収容する収容部と、該パワーカードの周囲に冷却媒体を循環させる循環経路部と、が形成された筐体を具備するインバータの製造方法において、
    両面にろう材を被覆した板材を波状に屈曲し、該板材を筐体に形成された冷却媒体の循環経路部に収容し、該ろう材を溶融後、凝固させて該板材を循環経路部に固定することにより、冷却媒体の循環経路内にフィンを形成し、
    該収容部に絶縁性樹脂を充填した後に、収容部にパワーカードを挿嵌し、該絶縁性樹脂を硬化させてパワーカードを固定することを特徴とするインバータの製造方法。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1755154A1 (en) 2005-08-18 2007-02-21 Yamanashi University Method and apparatus for manufacturing a zinc oxide thin film at low temperatures
EP1956649A2 (en) 2007-02-07 2008-08-13 Hitachi, Ltd. Power conversion apparatus
EP1986234A2 (en) 2007-04-02 2008-10-29 Hitachi, Ltd. Power semiconductor module for inverter circuit system
EP2101402A2 (en) 2008-03-11 2009-09-16 Hitachi Ltd. Electric power conversion apparatus
JP2010219137A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Toyota Motor Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2011114176A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置
JP2011216754A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Hitachi Automotive Systems Ltd パワーモジュール及びそれを用いた電力変換装置
JP2011239679A (ja) * 2011-08-30 2011-11-24 Hitachi Automotive Systems Ltd 電力変換装置
JP2012004543A (ja) * 2010-05-17 2012-01-05 Fuji Electric Co Ltd 半導体ユニットおよびそれを用いた半導体装置
US8547697B2 (en) 2010-06-29 2013-10-01 Denso Corporation Fixing structure and fixing method of circuit board with embedded electronic parts to cooler
CN103378747A (zh) * 2008-10-31 2013-10-30 日立汽车系统株式会社 电力转换装置、功率模块及车辆用电力转换装置
WO2014136354A1 (ja) * 2013-03-05 2014-09-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 両面冷却型電力変換装置
CN104584413A (zh) * 2012-09-14 2015-04-29 日立汽车系统株式会社 电力转换装置
WO2015194023A1 (ja) * 2014-06-20 2015-12-23 株式会社日立製作所 パワーモジュール装置及び電力変換装置
WO2015198411A1 (ja) * 2014-06-25 2015-12-30 株式会社日立製作所 パワーモジュール装置、電力変換装置およびパワーモジュール装置の製造方法
WO2016031317A1 (ja) * 2014-08-27 2016-03-03 株式会社日立製作所 パワー半導体装置及びパワー半導体装置の製造方法
WO2016189658A1 (ja) * 2015-05-26 2016-12-01 日産自動車株式会社 機電一体型の回転電機装置
US10177676B2 (en) 2015-03-05 2019-01-08 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Power converter

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04372159A (ja) * 1991-06-21 1992-12-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の冷却装置及び冷却方法
JPH0694386A (ja) * 1992-09-14 1994-04-05 Sanden Corp 熱交換器
JPH10128333A (ja) * 1996-10-28 1998-05-19 Techno Excel Co Ltd 水処理器の半導体素子冷却装置
JP2001275360A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Mitsubishi Electric Corp コンバータ装置および冷凍サイクル装置
JP2001308263A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Denso Corp 半導体スイッチングモジュ−ル及びそれを用いた半導体装置
JP2002026215A (ja) * 2000-06-30 2002-01-25 Denso Corp 冷却流体冷却型半導体装置
JP2003333867A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Toyota Motor Corp 車輌用駆動装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04372159A (ja) * 1991-06-21 1992-12-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の冷却装置及び冷却方法
JPH0694386A (ja) * 1992-09-14 1994-04-05 Sanden Corp 熱交換器
JPH10128333A (ja) * 1996-10-28 1998-05-19 Techno Excel Co Ltd 水処理器の半導体素子冷却装置
JP2001275360A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Mitsubishi Electric Corp コンバータ装置および冷凍サイクル装置
JP2001308263A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Denso Corp 半導体スイッチングモジュ−ル及びそれを用いた半導体装置
JP2002026215A (ja) * 2000-06-30 2002-01-25 Denso Corp 冷却流体冷却型半導体装置
JP2003333867A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Toyota Motor Corp 車輌用駆動装置

Cited By (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1755154A1 (en) 2005-08-18 2007-02-21 Yamanashi University Method and apparatus for manufacturing a zinc oxide thin film at low temperatures
US8064234B2 (en) 2007-02-07 2011-11-22 Hitachi, Ltd. Power conversion apparatus
EP1956649A2 (en) 2007-02-07 2008-08-13 Hitachi, Ltd. Power conversion apparatus
US10856450B2 (en) 2007-02-07 2020-12-01 Hitachi, Ltd. Power conversion apparatus
US10238015B2 (en) 2007-02-07 2019-03-19 Hitachi, Ltd. Power conversion apparatus
US9609789B2 (en) 2007-02-07 2017-03-28 Hitachi, Ltd. Power conversion apparatus
US8634220B2 (en) 2007-02-07 2014-01-21 Hitachi, Ltd. Power conversion apparatus
US8503209B2 (en) 2007-02-07 2013-08-06 Hitachi, Ltd. Power conversion apparatus and cooling structure therefor
EP2490254A2 (en) 2007-02-07 2012-08-22 Hitachi Ltd. Power conversion apparatus with cooling means
EP1986234A2 (en) 2007-04-02 2008-10-29 Hitachi, Ltd. Power semiconductor module for inverter circuit system
US7812443B2 (en) 2007-04-02 2010-10-12 Hitachi, Ltd. Power semiconductor module for inverter circuit system
US7968925B2 (en) 2007-04-02 2011-06-28 Hitachi, Ltd. Power semiconductor module for inverter circuit system
CN104506050A (zh) * 2008-03-11 2015-04-08 株式会社日立制作所 电力转换装置
EP3188352A1 (en) 2008-03-11 2017-07-05 Hitachi, Ltd. Electric power conversion apparatus
US10966355B2 (en) 2008-03-11 2021-03-30 Hitachi, Ltd. Electric power conversion apparatus
US9648791B2 (en) 2008-03-11 2017-05-09 Hitachi, Ltd. Electric power conversion apparatus
US8416574B2 (en) 2008-03-11 2013-04-09 Hitachi, Ltd. Electric power conversion apparatus
EP2579439A2 (en) 2008-03-11 2013-04-10 Hitachi Ltd. Electric power conversion apparatus
US7978471B2 (en) 2008-03-11 2011-07-12 Hitachi, Ltd. Electric power conversion apparatus
US9137932B2 (en) 2008-03-11 2015-09-15 Hitachi, Ltd. Electric power conversion apparatus
US9042101B2 (en) 2008-03-11 2015-05-26 Hitachi, Ltd. Electric power conversion apparatus
EP2101402A2 (en) 2008-03-11 2009-09-16 Hitachi Ltd. Electric power conversion apparatus
JP2009219270A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Hitachi Ltd 電力変換装置
US8917509B2 (en) 2008-03-11 2014-12-23 Hitachi, Ltd. Electric power conversion apparatus
JP4580997B2 (ja) * 2008-03-11 2010-11-17 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
CN103378747A (zh) * 2008-10-31 2013-10-30 日立汽车系统株式会社 电力转换装置、功率模块及车辆用电力转换装置
JP2010219137A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Toyota Motor Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2011114176A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置
JP2011216754A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Hitachi Automotive Systems Ltd パワーモジュール及びそれを用いた電力変換装置
JP2012004543A (ja) * 2010-05-17 2012-01-05 Fuji Electric Co Ltd 半導体ユニットおよびそれを用いた半導体装置
US8547697B2 (en) 2010-06-29 2013-10-01 Denso Corporation Fixing structure and fixing method of circuit board with embedded electronic parts to cooler
JP2011239679A (ja) * 2011-08-30 2011-11-24 Hitachi Automotive Systems Ltd 電力変換装置
CN104584413A (zh) * 2012-09-14 2015-04-29 日立汽车系统株式会社 电力转换装置
WO2014136354A1 (ja) * 2013-03-05 2014-09-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 両面冷却型電力変換装置
JPWO2015194023A1 (ja) * 2014-06-20 2017-04-20 株式会社日立製作所 パワーモジュール装置及び電力変換装置
WO2015194023A1 (ja) * 2014-06-20 2015-12-23 株式会社日立製作所 パワーモジュール装置及び電力変換装置
US10064310B2 (en) 2014-06-25 2018-08-28 Hitachi, Ltd. Power-module device, power conversion device, and method for manufacturing power-module device
WO2015198411A1 (ja) * 2014-06-25 2015-12-30 株式会社日立製作所 パワーモジュール装置、電力変換装置およびパワーモジュール装置の製造方法
JPWO2015198411A1 (ja) * 2014-06-25 2017-04-20 株式会社日立製作所 パワーモジュール装置、電力変換装置およびパワーモジュール装置の製造方法
JP2016046497A (ja) * 2014-08-27 2016-04-04 株式会社日立製作所 パワー半導体装置及びパワー半導体装置の製造方法
EP3188232A4 (en) * 2014-08-27 2018-03-28 Hitachi, Ltd. Power semiconductor device and power semiconductor device production method
WO2016031317A1 (ja) * 2014-08-27 2016-03-03 株式会社日立製作所 パワー半導体装置及びパワー半導体装置の製造方法
US10177676B2 (en) 2015-03-05 2019-01-08 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Power converter
RU2658635C1 (ru) * 2015-05-26 2018-06-22 Ниссан Мотор Ко., Лтд. Механическим и электрическим образом объединенная электрическая вращающаяся установка
JPWO2016189658A1 (ja) * 2015-05-26 2018-03-01 日産自動車株式会社 機電一体型の回転電機装置
KR20170140334A (ko) * 2015-05-26 2017-12-20 닛산 지도우샤 가부시키가이샤 기전 일체형의 회전 전기 기기 장치
KR101968852B1 (ko) * 2015-05-26 2019-04-12 닛산 지도우샤 가부시키가이샤 기전 일체형의 회전 전기 기기 장치
US10361608B2 (en) 2015-05-26 2019-07-23 Nissan Motor Co., Ltd. Mechanically-electrically integrated electrical rotating apparatus with high cooling performance
WO2016189658A1 (ja) * 2015-05-26 2016-12-01 日産自動車株式会社 機電一体型の回転電機装置

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