JPH0997930A - 熱電冷却モジュール及びその製造方法 - Google Patents

熱電冷却モジュール及びその製造方法

Info

Publication number
JPH0997930A
JPH0997930A JP13688696A JP13688696A JPH0997930A JP H0997930 A JPH0997930 A JP H0997930A JP 13688696 A JP13688696 A JP 13688696A JP 13688696 A JP13688696 A JP 13688696A JP H0997930 A JPH0997930 A JP H0997930A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
heat
electrode
thermoelectric
absorbing
insulating substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13688696A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Iwata
Yoshiyasu Sasa
々 宜 靖 佐
田 裕 司 岩
Original Assignee
Aisin Seiki Co Ltd
アイシン精機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L35/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L35/28Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof operating with Peltier or Seebeck effect only
    • H01L35/30Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof operating with Peltier or Seebeck effect only characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/38Cooling arrangements using the Peltier effect
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱電冷却効率が高く、構造が単純で生産性に
優れ、小型化が可能な熱電冷却モジュールを提供するこ
と。 【解決手段】 放熱側絶縁基板10、放熱側絶縁基板1
0に複数個設けられた貫通孔19にそれぞれ挿入され一
端面に放熱フィン形状部11aを有する放熱電極11、
で構成される放熱部21と、吸熱側絶縁基板14、吸熱
側絶縁基板14に複数個設けられた貫通孔20にそれぞ
れ挿入され一端面が被冷却体に直接当接された吸熱電極
15、で構成される吸熱部22と、放熱部21と吸熱部
22との間にP型半導体12とN型半導体13とが交互
に配列され、P型半導体12及びN型半導体13と放熱
電極11との界面で放熱し、P型半導体12及びN型半
導体13と吸熱電極15との界面で吸熱する熱電変換部
23と、を有する熱電冷却モジュールとしたこと。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は、ペルチェ効果を利
用して被冷却体を冷却する熱電冷却モジュールに関し、
特にMPU(Micro Processor Uni
t)等の電子部品の冷却あるいは温度制御を目的とした
熱電冷却モジュールに関するものである。

【0002】

【従来の技術】一般に、従来の電子部品の冷却に用いら
れる熱電冷却モジュールは、図5に示すように構成され
ている。これは、放熱側絶縁基板53の図示下方に形成
された放熱側電極54と吸熱側絶縁基板55の図示上方
に形成された吸熱側電極56との間にN型半導体51と
P型半導体52とを交互に挟み込むように配置し、N型
熱電半導体素子51とP型熱電半導体素子52を電気的
に直列に接続して通電することによってペルチェ効果を
生ぜしめ、放熱側電極54とN型半導体素子51或いは
P型半導体素子52との界面で放熱を行い、吸熱側電極
56とN型半導体素子51或いはP型半導体素子52と
の界面で吸熱を行うものである。放熱側絶縁基板53の
図示上部には放熱フィン57が配置されており、放熱側
電極54とN型半導体素子51あるいはP型半導体素子
52との界面で発生した熱は、放熱側絶縁基板53を介
して放熱フィン57に伝わり、この放熱フィン57から
外部に熱が放出される。また、吸熱側絶縁基板55の図
示下部には被吸熱用の電子部品58が位置し、この電子
部品58が発生する熱を吸熱側絶縁基板55を通して吸
熱する。このようにして電子部品58から発生する熱を
奪い、電子部品を実質的に冷却する機能を有するもので
ある。

【0003】

【発明が解決しようとする課題】ところがこのような構
成の熱電冷却モジュールでは放熱側絶縁基板上に放熱フ
ィンを取りつける構成のために煩雑な作業が必要であ
り、製造コストを下げるのは困難であった。また放熱側
電極とN型半導体或いはP型半導体との界面で発生した
熱は、放熱側絶縁基板を介して放熱フィンに熱伝導され
る構成であるが、一般に絶縁物質は熱伝導性も悪く、こ
のため放熱フィンに充分熱が伝わらない可能性があり、
熱電冷却効率を低下させる恐れもある。また放熱側絶縁
基板及び、放熱フィンが放熱側絶縁基板に固定される部
分である放熱フィン基部(図5における符号59)は、
放熱にそれほど寄与しない部分であるにもかかわらず、
スペース的に熱電冷却モジュールのかなりの部分を占め
ており、この部分の存在が熱電冷却モジュールの小型化
を困難なものとしている。また、被吸熱用の電子部品が
発生する熱は吸熱側絶縁基板を介して吸熱側電極へと熱
伝導する構成であるが、上述したように絶縁物質は一般
的に熱伝導性も悪く、このため電子部品から発生した熱
を充分奪うことができず 熱電冷却効率を低下させる恐
れがある。このような問題点を解決するために、例えば
特開平1−205451号公報、また特開平2−103
969号公報、また特開平3−263382号公報に示
されているような、電極が熱交換器の機能を有する熱電
冷却装置が考案されているが、構造が複雑でかつ製造工
程が煩雑であるとともに、いずれも流体の冷却を目的と
した熱電冷却装置であるため、電子部品を直接冷却でき
ないという問題がある。

【0004】故に、本発明は、上記従来の問題点を解決
すべくなされたものであり、熱電冷却効率が高く、構造
が単純で生産性に優れ、電子部品を直接冷却する熱電冷
却モジュール構造の実現を、技術的課題とするものであ
る。

【0005】

【課題を解決するための手段】上記技術的課題を解決す
るために、本発明の請求項1において講じた技術的手段
は、吸熱電極と、P型熱電半導体素子と、放熱電極と、
N型熱電半導体素子とを前記の順番に複数組電気的に直
列接続し、通電することにより前記吸熱電極で吸熱し前
記放熱電極で放熱するペルチェ効果を利用して電子部品
を冷却する熱電冷却モジュールにおいて、前記熱電冷却
モジュールは、放熱側絶縁基板と、前記放熱側絶縁基板
に複数個設けられた貫通孔にそれぞれ挿入固定され且つ
一端面に放熱用のフィン形状部を有する前記放熱電極
と、で構成される放熱部と、吸熱側絶縁基板と、前記吸
熱側絶縁基板に複数個設けられた貫通孔にそれぞれ挿入
固定されかつ一端面が被冷却体に直接当接された前記吸
熱電極と、で構成される吸熱部と、前記放熱部と前記吸
熱部との間に交互に配列される前記P型半導体素子と前
記N型半導体素子とからなり、通電することにより前記
P型半導体素子及び前記N型半導体素子と前記放熱電極
との界面において放熱し、前記P型半導体素子及び前記
N型半導体素子と前記吸熱電極との界面において吸熱す
る熱電変換部と、を有することを特徴とする、熱電冷却
モジュールとしたことである。

【0006】上記技術的手段によれば、放熱電極はその
一端面に放熱用のフィン形状部を有している。このため
放熱電極自身が外部に放熱するために、新たに放熱器を
設ける必要がなく、製造コストを大幅に下げることが可
能になるとともに、放熱電極とP型あるいはN型熱電素
子との界面で発生した熱が放熱側絶縁基板を介さずに直
接放熱電極のフィン形状の部分から排熱されるために、
放熱効率が向上し、高効率の熱電冷却モジュールとする
ことが可能となる。また放熱電極は、放熱側絶縁基板に
複数個設けられた貫通孔に挿入固定されている構成のた
め、放熱に寄与しない無駄な空間的スペースを極力省く
ことができ、熱電冷却モジュールの小型化が可能とな
る。また吸熱電極が直接被吸熱部品と接触しているた
め、被吸熱電子部品により発生する熱が吸熱側絶縁基板
を介さず直接吸熱電極へ伝導されるために吸熱効率が向
上し、高効率の熱電冷却モジュールが可能となる。また
放熱側絶縁基板と放熱電極を放熱部として、吸熱側絶縁
基板と吸熱電極を吸熱部として一体に構成しているた
め、これらを製造する場合において製造工程が簡単とな
り、生産性の向上を図ることができる。

【0007】上記技術的手段を解決するにあたって、本
発明の請求項2において講じた技術的手段のように、前
記被冷却体は、温度安定性が必要な電子部品であること
が好ましい。電子部品は、温度による影響がその性能に
顕著に現れることが多いので、本発明のように電子部品
に吸熱電極を直接当接することにより、電子部品の発熱
に対して冷却を促進し、電子部品を常に一定の温度に保
ち、その性能を維持することができる。

【0008】より好ましくは、本発明の請求項3におい
て講じた技術的手段のように、前記電子部品は、CP
U、MPU、トランジスタ、IC、半導体レーザ、発光
ダイオード、CCD、発振回路であることが好ましい。
これらは電子部品の中でもその性能の温度依存性が大き
い。従って、これらに吸熱電極を直接当接することによ
り、これらの発熱に対して直接冷却と行い、常に一定の
温度に保つことによってその性能を維持することができ
る。

【0009】上記技術的課題を解決するために、本発明
の請求項4において講じた技術的手段は、吸熱電極と、
P型熱電半導体素子と、放熱電極と、N型熱電半導体素
子とを前記の順番に複数組電気的に直列接続し、通電す
ることにより前記吸熱電極で吸熱し前記放熱電極で放熱
するペルチェ効果を利用して電子部品を冷却する熱電冷
却モジュールの製造方法において、放熱側絶縁基板に設
けられた複数個の貫通孔に放熱フィン形状部を有する放
熱電極を挿入固定して放熱部を作製する放熱部作製工程
と、吸熱側絶縁基板に設けられた複数個の貫通孔に吸熱
電極を挿入固定して吸熱部を作製する吸熱部作製工程
と、P型半導体の一端面とN型半導体の一端面を前記放
熱部に接合し、前記P型半導体の他端面と前記N型半導
体の他端面を吸熱部に接合する接合工程と、を有するこ
とを特徴とする、熱電冷却モジュールの製造方法とした
ことである。

【0010】上記技術的手段によれば、放熱側絶縁基板
と放熱電極とを一体に形成する放熱部作製工程、吸熱側
絶縁基板と吸熱電極とを一体に形成する吸熱部作製工
程、放熱部と吸熱部とに熱電半導体素子を接合する接合
工程からなる熱電冷却モジュールの製造方法とした。こ
のため熱電冷却モジュールの製造工程が非常に簡単とな
り、生産性に優れた熱電冷却モジュールの製造が可能に
なる。

【0011】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面に基づいて説明する。

【0012】図1は本実施形態例における熱電冷却モジ
ュール1の部分断面図である。図1において、10はセ
ラミック製の放熱側絶縁基板である。11は銅製の放熱
電極であり、放熱側絶縁基板10に複数個設けられた貫
通孔19にその一部が挿入され、接着剤等で固定されて
いる。放熱電極11は、その一端面側に放熱フィン形状
部11aを有している。この放熱側絶縁基板10、放熱
電極11により、放熱部21が構成される。

【0013】14はセラミック製の吸熱側絶縁基板であ
る。15は銅製の吸熱電極であり、吸熱側絶縁基板14
に複数個設けられた貫通孔20にその一部が挿入され、
接着剤等で固定されている。この吸熱側絶縁基板14、
吸熱電極15により、吸熱部22が構成される。

【0014】これら両絶縁基板10及び14の間には、
P型熱電半導体素子12とN型熱電半導体素子13が配
列されている。P型熱電半導体素子12及びN型熱電半
導体素子13は、それぞれその一端面が放熱電極11に
当接し、他端面が吸熱電極15に当接している。複数の
吸熱電極15のうち、端部に位置する吸熱電極15aに
は、P型熱電半導体素子12あるいはN型熱電半導体素
子13が1つだけ当接している。その他の吸熱電極15
及び放熱電極11には、P型熱電半導体素子12及びN
型熱電半導体素子13がそれぞれ1つずつ当接してい
る。1つの放熱電極11に当接しているP型熱電半導体
素子12とN型半導体素子13は、それぞれ別の吸熱電
極15に他端面で当接するように配置されている。また
1つの吸熱電極15に当接しているP型熱電半導体素子
12とN型半導体素子13は、それぞれ別の放熱電極1
1に他端面で当接するように配置されている。このよう
に配置することにより、吸熱電極15、P型熱電半導体
素子12、放熱電極11、N型半導体素子13が、この
順で繰り返し、電気的に直列に接続されることになる。
16、17は、熱電冷却モジュール1に電流を供給する
ために端部に位置する吸熱電極15aにはんだ付けされ
たリード線である。このP型熱電半導体素子12、N型
熱電半導体素子13、リード線16、17により、熱電
変換部23が構成される。18は被吸熱電子部品であ
り、主に、CPU(Central Processo
r Unit)、MPU(Micro Process
or Unit)、トランジスタ、IC(Integr
ated circuit)、半導体レーザ、発光ダイ
オード、CCD(Charge−coupled de
vice)等である。

【0015】このように構成された熱電変換モジュール
において、リード線16、17の間に直流電圧を印加す
れば、電流は吸熱電極15、P型半導体素子12、放熱
電極11、N型半導体素子13の順に流れる。このとき
ペルチェ効果によりP型熱電半導体素子12及びN型熱
電半導体素子13と銅製の放熱電極11との界面Aで発
熱が生じ、P型熱電半導体素子12及びN型熱電半導体
素子13と銅製吸熱電極15との界面Bで吸熱が生じ
る。界面Aで発生した熱は銅製の放熱電極11へ伝導
し、放熱フィン形状部11aより空気中へ排熱される。
一方、被吸熱電子部品18から発生した熱は直接銅製の
吸熱電極15へ伝導し、吸熱される。従来例を示す図5
と本実施例を比較すると、従来例において、放熱電極で
発生した熱は、放熱側絶縁基板を介して放熱フィンに伝
達されて外部に放熱される構成であるために、熱伝導性
が悪い放熱側絶縁基板が熱抵抗となり、放熱効率が悪く
なるのに対し、本実施例においては、放熱電極で発生し
た熱は、直接放熱電極の一端にある放熱フィン形状部に
伝達されるために熱抵抗となるものは介在しておらず、
従って放熱効率は極めて向上する。また、従来例におい
て、被吸熱電子部品から発生した熱は、吸熱側絶縁基板
を介して吸熱電極で吸熱される構成であるために、熱伝
導性が悪い吸熱側絶縁基板が熱抵抗となり、吸熱効率が
悪くなるのに対し、本実施例において、被吸熱用電子部
品で発生した熱は、直接吸熱電極に接しているため熱抵
抗となるものは介在しておらず、従って吸熱効率は極め
て向上する。

【0016】尚、本実施例において、放熱電極11と吸
熱電極15を銅材で形成したもので示したが、熱伝導が
良好な電気伝導材であれば銅材以外のものを用いてもよ
い。また、放熱側基板10と吸熱側基板14をセラミッ
ク材で形成したもので示したが、熱伝導が良好な絶縁材
であればセラミック材以外のものを用いてもよい。

【0017】次に、本発明の製造方法の一例を説明す
る。

【0018】まず、図2(a)〜(d)に放熱部作製工
程を示す。図2(a)において、セラミック材あるいは
ポリイミド系樹脂等の絶縁材料で形成された放熱側絶縁
基板10には、複数の貫通孔19が形成されている。こ
の放熱側絶縁基板10に設けられた複数の貫通孔19
に、図2(b)に示すような放熱電極11の挿入部11
bを図2(c)に示す如き挿入し、接着剤等で固定して
放熱部を作製する。このようにして作製した放熱部の部
分断面図を図2(d)に示す。図2(d)に示すよう
に、放熱電極11は、放熱側絶縁基板10から突出した
放熱フィン形状部11aを持ち、この11aの部分が放
熱器としての機能を有するものである。また放熱側絶縁
基板10の図示下側は貫通孔19から放熱電極の挿入部
11bが露出しており、この露出している金属面に、後
述する接合工程にてP型熱電半導体素子及びN型熱電半
導体素子が接合される。

【0019】次に、図3(a)〜(d)に吸熱部作製工
程を示す。図3(a)において、セラミック材あるいは
ポリイミド系樹脂等の絶縁材料で形成された吸熱側絶縁
基板14には、複数の貫通孔20が形成されている。こ
の吸熱側絶縁基板14に設けられた複数の貫通孔20
に、図3(b)に示すような金属製の吸熱電極15の挿
入部15bを図3(c)の如く挿入し、接着剤等で固定
して吸熱部を作製する。このようにして作製した吸熱部
の部分断面図を図3(d)に示す。図3(d)に示すよ
うに、吸熱電極15は、吸熱側基板14の図示上下面か
ら露出しており、図示上面に露出した金属面には後述す
る接合工程にてP型熱電半導体素子及びN型熱電半導体
素子が接合され、図示下面に露出した金属面には、被吸
熱体である電子部品が直接当接する。

【0020】次に、図4に接合工程を示す。図4(a)
に示すように吸熱側絶縁基板14の図示上面に露出した
吸熱電極15の金属面上に治具を用いてN型半導体素子
13とP型半導体素子12を交互に配置し、はんだ付け
等により吸熱電極15に接合する。次に、図4(b)に
示すように、放熱側絶縁基板10の図示下面に露出した
放熱電極11の金属面に、吸熱側絶縁基板上に一端面が
接合されたN型半導体素子13とP型半導体素子12と
をはんだ付け等により接合する。このようにして熱電冷
却モジュールを作製する。このような製造方法をとるこ
とにより、高効率な熱電冷却モジュールを簡単に製造す
ることが可能になり、生産性の向上が図れる。

【0021】

【発明の効果】請求項1の発明は、以下の如く効果を有
する。

【0022】放熱電極が放熱器の機能を有しているの
で、新たに放熱器の配置が必要なくなり、製造コストを
大幅に下げることが可能になる。また、放熱電極と放熱
側絶縁基板が一体に、吸熱電極と吸熱側絶縁基板とが一
体に形成されているために、生産性に優れており、また
無駄な空間的スペースを省くことができ、熱電冷却モジ
ュールの小型化が可能となる。また、放熱電極が放熱器
の機能を有しているため、放熱電極とP型あるいはN型
半導体素子との界面で発生した熱が放熱側絶縁基板を介
さずとも放熱電極から排熱されるので、放熱効率が向上
し、高効率の熱電冷却モジュールが可能となる。また吸
熱電極が直接被吸熱電子部品と接触しているので、被吸
熱電子部品から発生した熱は吸熱側絶縁基板を介さずと
も吸熱電極に伝導されるので、吸熱効率が向上し、高効
率の熱電冷却モジュールが可能となる。

【0023】請求項2の発明は、以下の如く効果を有す
る。

【0024】電子部品に吸熱電極を直接当接することに
より、温度依存性の著しい電子部品の発熱に対する冷却
効果を促進し、電子部品を常に一定の温度に維持し、そ
の性能を維持することができる。

【0025】請求項3の発明は、以下の如く効果を有す
る。

【0026】電子部品の中でも、特に温度依存性の著し
いCPU、MPU、トランジスタ、IC、半導体レー
ザ、発光ダイオード、CCD、発振回路を被冷却体とし
て吸熱電極に直接当接させることにより、これらの発熱
に対する冷却効果を促進し、その性能を維持することが
できる。

【0027】請求項4の発明は、以下の如く効果を有す
る。

【0028】熱電冷却モジュールの製造方法を、放熱側
絶縁基板と放熱電極を一体に作製する放熱部作製工程、
吸熱側絶縁基板と吸熱電極を一体に作製する吸熱部作製
工程、放熱部と吸熱部にP型半導体素子及びN型半導体
素子を接合する接合工程からなる製造方法としたため、
製造工程が非常に簡単となり、高効率の熱電冷却モジュ
ールの生産性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の実施例における熱電冷却モジュールの
部分断面図である。

【図2】本発明の実施例における熱電冷却モジュールの
製造方法のうち、放熱部の作製工程の説明図である。

【図3】本発明の実施例における熱電冷却モジュールの
製造方法のうち、吸熱部の作製工程の説明図である。

【図4】本発明の実施例における熱電冷却モジュールの
製造方法のうち、接合工程の説明図である。

【図5】従来例における熱電冷却モジュールの部分断面
図である。

【符号の説明】

1 熱電冷却モジュール 10 放熱側絶縁基板 11 放熱電極 11a 放熱フィン形状部 11b 挿入部 12 P型熱電半導体素子 13 N型熱電半導体素子 14 吸熱側絶縁基板 15 吸熱電極 15a 端部に位置する吸熱電極 15b 挿入部 16、17 リード線 18 被吸熱電子部品 19、20 貫通孔 21 放熱部 22 吸熱部 23 熱電変換部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 吸熱電極と、P型熱電半導体素子と、放
    熱電極と、N型熱電半導体素子とを前記の順番に複数組
    電気的に直列接続し、通電することにより前記吸熱電極
    で吸熱し前記放熱電極で放熱するペルチェ効果を利用し
    て電子部品を冷却する熱電冷却モジュールにおいて、 前記熱電冷却モジュールは、放熱側絶縁基板と、前記放
    熱側絶縁基板に複数個設けられた貫通孔にそれぞれ挿入
    固定され且つ一端面に放熱用のフィン形状部を有する前
    記放熱電極と、で構成される放熱部と、 吸熱側絶縁基板と、前記吸熱側絶縁基板に複数個設けら
    れた貫通孔にそれぞれ挿入固定されかつ一端面が被冷却
    体に直接当接された前記吸熱電極と、で構成される吸熱
    部と、 前記放熱部と前記吸熱部との間に交互に配列される前記
    P型半導体素子と前記N型半導体素子とからなり、通電
    することにより前記P型半導体素子及び前記N型半導体
    素子と前記放熱電極との界面において放熱し、前記P型
    半導体素子及び前記N型半導体素子と前記吸熱電極との
    界面において吸熱する熱電変換部と、 を有することを特徴とする、熱電冷却モジュール。
  2. 【請求項2】 前記被冷却体は、温度安定性が必要な電
    子部品であることを特徴とする請求項1に記載の熱電冷
    却モジュール。
  3. 【請求項3】 前記電子部品は、CPU、MPU、トラ
    ンジスタ、IC、半導体レーザ、発光ダイオード、CC
    D、発振回路であることを特徴とする請求項2に記載の
    熱電冷却モジュール。
  4. 【請求項4】 吸熱電極と、P型熱電半導体素子と、放
    熱電極と、N型熱電半導体素子とを前記の順番に複数組
    電気的に直列接続し、通電することにより前記吸熱電極
    で吸熱し前記放熱電極で放熱するペルチェ効果を利用し
    て電子部品を冷却する熱電冷却モジュールの製造方法に
    おいて、 放熱側絶縁基板に設けられた複数個の貫通孔に放熱フィ
    ン形状部を有する放熱電極を挿入固定して放熱部を作製
    する放熱部作製工程と、 吸熱側絶縁基板に設けられた複数個の貫通孔に吸熱電極
    を挿入固定して吸熱部を作製する吸熱部作製工程と、 P型半導体の一端面とN型半導体の一端面を前記放熱部
    に接合し、前記P型半導体の他端面と前記N型半導体の
    他端面を吸熱部に接合する接合工程と、を有することを
    特徴とする、熱電冷却モジュールの製造方法。
JP13688696A 1995-07-27 1996-05-30 熱電冷却モジュール及びその製造方法 Pending JPH0997930A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7-191867 1995-07-27
JP19186795 1995-07-27
JP13688696A JPH0997930A (ja) 1995-07-27 1996-05-30 熱電冷却モジュール及びその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13688696A JPH0997930A (ja) 1995-07-27 1996-05-30 熱電冷却モジュール及びその製造方法
US08686490 US5724818A (en) 1995-07-27 1996-07-25 Thermoelectric cooling module and method for manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0997930A true true JPH0997930A (ja) 1997-04-08

Family

ID=26470353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13688696A Pending JPH0997930A (ja) 1995-07-27 1996-05-30 熱電冷却モジュール及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5724818A (ja)
JP (1) JPH0997930A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005117153A1 (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Denso Corporation 熱電変換装置およびその製造方法
JP2006121006A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Denso Corp 熱電変換装置およびその熱電変換装置の製造方法
JP2006287067A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Denso Corp 熱電変換装置およびその装置の製造方法
JP2006295063A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Okano Electric Wire Co Ltd 熱電変換モジュール
JP2006310506A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Denso Corp 熱電変換装置
JP2007042947A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Denso Corp 熱電変換装置およびその装置の製造方法
JPWO2006019059A1 (ja) * 2004-08-17 2008-05-08 古河電気工業株式会社 熱電冷却装置
JP2011163775A (ja) * 2010-02-04 2011-08-25 Fujitsu Ltd 温度信号発信装置及び温度情報収集システム
JP2013042063A (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 Fujitsu Ltd 熱電変換素子及びその製造方法
KR101603084B1 (ko) * 2014-11-18 2016-03-15 한국원자력연구원 개방수조형 원자로의 비상 전원 발생 장치

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3241270B2 (ja) * 1996-06-25 2001-12-25 日本政策投資銀行 熱電変換装置
US5964092A (en) * 1996-12-13 1999-10-12 Nippon Sigmax, Co., Ltd. Electronic cooling apparatus
US6043982A (en) * 1998-04-01 2000-03-28 Raytheon Company Integrated circuit package having a thermoelectric cooling element therein
US7273981B2 (en) * 2001-02-09 2007-09-25 Bsst, Llc. Thermoelectric power generation systems
US6586835B1 (en) * 1998-08-31 2003-07-01 Micron Technology, Inc. Compact system module with built-in thermoelectric cooling
US6289678B1 (en) * 1998-12-03 2001-09-18 Phoenix Group, Inc. Environmental system for rugged disk drive
US6281120B1 (en) 1998-12-18 2001-08-28 National Semiconductor Corporation Temperature control structure for integrated circuit
US6082115A (en) * 1998-12-18 2000-07-04 National Semiconductor Corporation Temperature regulator circuit and precision voltage reference for integrated circuit
US6094919A (en) * 1999-01-04 2000-08-01 Intel Corporation Package with integrated thermoelectric module for cooling of integrated circuits
US6246100B1 (en) 1999-02-03 2001-06-12 National Semiconductor Corp. Thermal coupler utilizing peltier and seebeck effects
US6105381A (en) * 1999-03-31 2000-08-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cooling GMR heads for magnetic hard disks
US6196003B1 (en) 1999-11-04 2001-03-06 Pc/Ac, Inc. Computer enclosure cooling unit
US6614109B2 (en) * 2000-02-04 2003-09-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for thermal management of integrated circuits
US6818817B2 (en) * 2000-09-18 2004-11-16 Chris Macris Heat dissipating silicon-on-insulator structures
US6727422B2 (en) * 2000-09-18 2004-04-27 Chris Macris Heat sink/heat spreader structures and methods of manufacture
US6297441B1 (en) * 2000-03-24 2001-10-02 Chris Macris Thermoelectric device and method of manufacture
US6253556B1 (en) 2000-04-06 2001-07-03 Texas Components Corporation Electrical system with cooling or heating
US6452740B1 (en) * 2000-12-11 2002-09-17 International Business Machines Corporation Multi-stage thermoelectric microcoolers for cooling write coils and GMR sensors in magnetic heads for disk drives
US7942010B2 (en) * 2001-02-09 2011-05-17 Bsst, Llc Thermoelectric power generating systems utilizing segmented thermoelectric elements
US20110209740A1 (en) * 2002-08-23 2011-09-01 Bsst, Llc High capacity thermoelectric temperature control systems
US6672076B2 (en) * 2001-02-09 2004-01-06 Bsst Llc Efficiency thermoelectrics utilizing convective heat flow
US7946120B2 (en) * 2001-02-09 2011-05-24 Bsst, Llc High capacity thermoelectric temperature control system
US6646874B2 (en) * 2001-06-12 2003-11-11 Intel Corporation Mobile computer system with detachable thermoelectric module for enhanced cooling capability in a docking station
US7426835B2 (en) * 2001-08-07 2008-09-23 Bsst, Llc Thermoelectric personal environment appliance
US6598403B1 (en) * 2002-04-11 2003-07-29 International Business Machines Corporation Nanoscopic thermoelectric refrigerators
WO2004001865A1 (ja) * 2002-06-19 2003-12-31 Kabushiki Kaisha Toshiba 熱電素子とそれを用いた電子部品モジュールおよび携帯用電子機器
US7579218B2 (en) * 2003-07-23 2009-08-25 Onscreen Technologies Electronic assembly/system with reduced cost, mass, and volume and increased efficiency and power density
US7278268B2 (en) 2002-12-04 2007-10-09 Applied Precision, Llc Thermally efficient CCD camera housing
US6964501B2 (en) 2002-12-24 2005-11-15 Altman Stage Lighting Co., Ltd. Peltier-cooled LED lighting assembly
JP2004296100A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Tadahiro Omi 有機el装置及び液晶表示装置
US7224059B2 (en) * 2003-10-21 2007-05-29 Intel Corporation Method and apparatus for thermo-electric cooling
US7269005B2 (en) * 2003-11-21 2007-09-11 Intel Corporation Pumped loop cooling with remote heat exchanger and display cooling
JP4305252B2 (ja) * 2004-04-02 2009-07-29 株式会社デンソー 排熱回収装置
CN100499195C (zh) 2004-05-31 2009-06-10 株式会社电装 热电变换装置及其制造方法
US7299639B2 (en) * 2004-06-22 2007-11-27 Intel Corporation Thermoelectric module
US7250327B2 (en) * 2004-06-30 2007-07-31 Intel Corporation Silicon die substrate manufacturing process and silicon die substrate with integrated cooling mechanism
US6880346B1 (en) * 2004-07-08 2005-04-19 Giga-Byte Technology Co., Ltd. Two stage radiation thermoelectric cooling apparatus
US7342787B1 (en) 2004-09-15 2008-03-11 Sun Microsystems, Inc. Integrated circuit cooling apparatus and method
US20060207642A1 (en) * 2004-11-30 2006-09-21 Denso Corporation Method of manufacturing thermoelectric transducer, thermoelectric transducer, and method for forming corrugated fin used for the same
US7587901B2 (en) 2004-12-20 2009-09-15 Amerigon Incorporated Control system for thermal module in vehicle
JP2006287066A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Denso Corp 熱電変換装置およびその装置の製造方法
US7743614B2 (en) 2005-04-08 2010-06-29 Bsst Llc Thermoelectric-based heating and cooling system
JP2006294782A (ja) * 2005-04-08 2006-10-26 Hitachi Ltd 半導体光源装置
WO2007002891A3 (en) * 2005-06-28 2007-12-27 Bsst Llc Thermoelectric power generator with intermediate loop
US8783397B2 (en) * 2005-07-19 2014-07-22 Bsst Llc Energy management system for a hybrid-electric vehicle
GB2428522B (en) * 2005-07-22 2007-07-11 Channel Well Technology Co Ltd Power supply with a cooling function
US8755177B2 (en) * 2005-09-16 2014-06-17 Xyratex Technology Limited Method and apparatus for controlling the temperature of a disk drive during manufacture
US20070101737A1 (en) * 2005-11-09 2007-05-10 Masao Akei Refrigeration system including thermoelectric heat recovery and actuation
US7310953B2 (en) * 2005-11-09 2007-12-25 Emerson Climate Technologies, Inc. Refrigeration system including thermoelectric module
US7586125B2 (en) * 2006-02-20 2009-09-08 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure and fabricating method thereof
US7331185B2 (en) * 2006-04-05 2008-02-19 Macs Technology Inc. Heat radiator having a thermo-electric cooler
US7870893B2 (en) * 2006-04-06 2011-01-18 Oracle America, Inc. Multichannel cooling system with magnetohydrodynamic pump
JP2007317865A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Aisin Seiki Co Ltd 熱電モジュール
US7779639B2 (en) * 2006-08-02 2010-08-24 Bsst Llc HVAC system for hybrid vehicles using thermoelectric devices
US8222511B2 (en) * 2006-08-03 2012-07-17 Gentherm Thermoelectric device
US7672129B1 (en) 2006-09-19 2010-03-02 Sun Microsystems, Inc. Intelligent microchannel cooling
US20080087316A1 (en) 2006-10-12 2008-04-17 Masa Inaba Thermoelectric device with internal sensor
US7436059B1 (en) 2006-11-17 2008-10-14 Sun Microsystems, Inc. Thermoelectric cooling device arrays
EP2167887A2 (en) 2007-05-25 2010-03-31 Bsst Llc System and method for distributed thermoelectric heating and colling
US7999172B2 (en) * 2007-07-12 2011-08-16 Industrial Technology Research Institute Flexible thermoelectric device
US9105809B2 (en) * 2007-07-23 2015-08-11 Gentherm Incorporated Segmented thermoelectric device
EP3121061A1 (en) 2008-02-01 2017-01-25 Gentherm Incorporated Condensation and humidity sensors for thermoelectric devices
US8640466B2 (en) * 2008-06-03 2014-02-04 Bsst Llc Thermoelectric heat pump
US8181290B2 (en) 2008-07-18 2012-05-22 Amerigon Incorporated Climate controlled bed assembly
US20100024859A1 (en) * 2008-07-29 2010-02-04 Bsst, Llc. Thermoelectric power generator for variable thermal power source
US8728846B2 (en) * 2008-08-20 2014-05-20 Texas Instruments Incorporated Vertical thermoelectric structures
US8613200B2 (en) * 2008-10-23 2013-12-24 Bsst Llc Heater-cooler with bithermal thermoelectric device
US20100155018A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Lakhi Nandlal Goenka Hvac system for a hybrid vehicle
WO2010108113A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Christy Alexander C Apparatus for dissipating thermal energy generated by current flow in semiconductor circuits
US9101947B2 (en) 2009-03-26 2015-08-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electrostatically atomizing device and method of manufacturing the same
EP2433321B1 (en) 2009-05-18 2014-10-22 Bsst Llc Battery thermal management system
CN102576232B (zh) 2009-05-18 2015-05-06 Bsst有限责任公司 带有热电装置的温度控制系统
DE102009025032A1 (de) * 2009-06-10 2010-12-16 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelektrische Vorrichtung
CN102193604B (zh) * 2010-03-16 2014-03-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 Cpu散热电路
KR101654587B1 (ko) 2011-06-06 2016-09-06 젠썸 인코포레이티드 카트리지 기반 열전 시스템
US9006557B2 (en) 2011-06-06 2015-04-14 Gentherm Incorporated Systems and methods for reducing current and increasing voltage in thermoelectric systems
KR20130009442A (ko) * 2011-07-15 2013-01-23 삼성전기주식회사 열전 모듈
US9685599B2 (en) 2011-10-07 2017-06-20 Gentherm Incorporated Method and system for controlling an operation of a thermoelectric device
US9989267B2 (en) 2012-02-10 2018-06-05 Gentherm Incorporated Moisture abatement in heating operation of climate controlled systems
US9306143B2 (en) 2012-08-01 2016-04-05 Gentherm Incorporated High efficiency thermoelectric generation
US9662962B2 (en) 2013-11-05 2017-05-30 Gentherm Incorporated Vehicle headliner assembly for zonal comfort

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB911433A (en) * 1958-10-08 1962-11-28 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to air conditioners
US3054842A (en) * 1960-03-17 1962-09-18 Westinghouse Electric Corp Thermoelectric composition
US3167926A (en) * 1963-12-20 1965-02-02 Westinghouse Electric Corp Thermoelectric apparatus
US3370434A (en) * 1966-12-01 1968-02-27 Westinghouse Electric Corp Thermoelectric heat exchanger
US3834171A (en) * 1973-03-14 1974-09-10 Bahco Ventilation Ab Arrangement in heat exchangers
JPH01205451A (en) * 1988-02-10 1989-08-17 Nippon Denso Co Ltd Thermoelectric cooling device
JP2563524B2 (ja) * 1988-10-13 1996-12-11 松下電器産業株式会社 熱電装置
JPH03263382A (en) * 1989-04-17 1991-11-22 Nippondenso Co Ltd Thermoelectric conversion device
US5038569A (en) * 1989-04-17 1991-08-13 Nippondenso Co., Ltd. Thermoelectric converter

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005117153A1 (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Denso Corporation 熱電変換装置およびその製造方法
JPWO2006019059A1 (ja) * 2004-08-17 2008-05-08 古河電気工業株式会社 熱電冷却装置
JP2006121006A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Denso Corp 熱電変換装置およびその熱電変換装置の製造方法
JP4626263B2 (ja) * 2004-10-25 2011-02-02 株式会社デンソー 熱電変換装置およびその熱電変換装置の製造方法
JP2006287067A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Denso Corp 熱電変換装置およびその装置の製造方法
JP2006295063A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Okano Electric Wire Co Ltd 熱電変換モジュール
JP2006310506A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Denso Corp 熱電変換装置
JP2007042947A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Denso Corp 熱電変換装置およびその装置の製造方法
JP2011163775A (ja) * 2010-02-04 2011-08-25 Fujitsu Ltd 温度信号発信装置及び温度情報収集システム
JP2013042063A (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 Fujitsu Ltd 熱電変換素子及びその製造方法
KR101603084B1 (ko) * 2014-11-18 2016-03-15 한국원자력연구원 개방수조형 원자로의 비상 전원 발생 장치

Also Published As

Publication number Publication date Type
US5724818A (en) 1998-03-10 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20070064396A1 (en) Electronics assembly and heat pipe device
US7190581B1 (en) Low thermal resistance power module assembly
US20100078807A1 (en) Power semiconductor module assembly with heat dissipating element
US6943293B1 (en) High power electronic package with enhanced cooling characteristics
US7299639B2 (en) Thermoelectric module
JP2005303018A (ja) 半導体装置
JPH1056131A (ja) 半導体装置
JP2000183406A (ja) 発光ダイオード
JP2007251076A (ja) パワー半導体モジュール
JP2002026251A (ja) 半導体装置
US20060192253A1 (en) Semiconductor device, electrode member and electrode member fabrication method
US20040150956A1 (en) Pin fin heat sink for power electronic applications
CN1560672A (zh) 背光模块及其散热结构
US20090194862A1 (en) Semiconductor module and method of manufacturing the same
US6774450B2 (en) Semiconductor device with thermoelectric heat dissipating element
JP2004079883A (ja) 熱電素子
JPH11346480A (ja) インバータ装置
JP2001308263A (ja) 半導体スイッチングモジュ−ル及びそれを用いた半導体装置
US20060107986A1 (en) Peltier cooling systems with high aspect ratio
US20140367736A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2002315358A (ja) インバータ装置
JP2003197859A (ja) 半導体モジュールの接合構造
JP2000058930A (ja) 熱電素子およびその製造方法
JP2002315357A (ja) インバータ装置
JP2003332642A (ja) 熱電変換素子ユニット