TWI620944B

TWI620944B - Substrate inspection device and substrate temperature adjustment method

Info

Publication number: TWI620944B
Application number: TW103110098A
Authority: TW
Inventors: Yutaka Akaike; Dai Kobayashi
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2013-03-25
Filing date: 2014-03-18
Publication date: 2018-04-11
Also published as: US20160109508A1; EP2980837A4; JP2014209536A; CN105103281B; JP6205225B2; WO2014157123A1; CN105103281A; EP2980837A1; KR20150136597A; US9885747B2; TW201506424A; KR101831038B1

Abstract

提供可以將基板調整成期待溫度之基板檢查裝置。探針器(10)具備載置形成有半導體裝置之晶圓(W)的平台(11)、檢查被載置之晶圓(W)之半導體裝置之電特性的測試頭(14)、調整平台(11)之溫度的溫度調整系統(25)、通過平台(11)之調溫流路(28)，溫度調整系統(25)具有將高溫媒體供給至調溫流路(28)之高溫冷卻器(26)、將低溫媒體供給至調溫流路(28)之低溫冷卻器(27)、混合被供給至調溫流路(28)之高溫媒體及低溫媒體之混合閥單元(29)。

Description

基板檢查裝置及基板溫度調整方法

本發明係關於檢查被載置於載置台之基板的基板檢查裝置及基板溫度調整方法。

作為被形成在當作基板之半導體晶圓(以下，稱為「晶圓」)上之半導體裝置，例如作為檢查電源裝置或記憶體之電特性的裝置，所知的有探針器。探針器具備擁有多數之探針的探針卡，和載置晶圓而在上下左右自由移動之平台，使探針卡之各探針接觸於半導體裝置所具有之電極墊或焊錫凸塊，藉由使檢查電流從各探針流至電極焊墊或焊錫凸塊，檢查半導體裝置之電特性。再者，探針器具有根據藉由探針卡之半導體裝置之電特性之檢查結果，判定半導體裝置之良/不良的測試頭(例如參照專利文獻1)。

然而，因車載用之半導體裝置會在嚴酷之環境中使用，故必須在如此之嚴酷的環境中，保證半導體裝置之動作。在此，在探針器中，在加熱晶圓的高溫環境中，有檢查半導體裝置之電特性的情形。對此，在使檢查電流至電源裝置之檢查電路之時，或使檢查電流一次流至被形成在晶圓之多數記憶體之各檢查電路之時，因來自晶圓之發熱量變大，故也有一面冷卻晶圓一面檢查半導體裝置之電特性。

在此，在以往之探針器中，如圖9所示般，平台70內藏加熱器71，媒體流路72通過平台70，在媒體流路72中，從冷卻器73被供給著低溫媒體，控制加熱器71之導通斷開或低溫媒體供給至媒體流路72之供給量，進行被載置在平台70之晶圓W之加熱或冷卻。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平7-297242號公報

但是，在圖9之探針器中，冷卻器73例如在供給-30℃之低溫媒體之時，藉由使檢查電流流至電源裝置之檢查電路，當為了將溫度上升至高溫例如95℃之晶圓W，冷卻至期待溫度例如85℃，將低溫媒體供給至媒體流路72時，因期待之溫度和低溫媒體之溫度差大，故平台70之溫度擺動，有難以將晶圓W維持在期待溫度之問題。

為了抑制如此平台70之溫度之擺動，也嘗試將比較高溫例如70℃之媒體供給至媒體流路，但是冷卻器73因通常不使供給的媒體溫度變化，故有即使可以按晶圓W及平台70之間的傳熱條件而使晶圓W之溫度接近於期待之溫度，亦無法到達至期待之溫度的問題。

即是，在探針器中，於檢查晶圓W之電源裝置或記憶體之電特性之時，難以將晶圓W調整成期待之溫度。

本發明之目的係提供可以將基板調整成期待溫度之基板檢查裝置及基板溫度調整方法。

為了解決上述課題，若藉由本發明時，提供一種基板檢查裝置，具備：載置形成有半導體裝置之基板的載置台、檢查上述被載置之基板之上述半導體裝置之電特性的檢查部、調整上述載置台之溫度的溫度調整部，和通過上述載置台之媒體流路，其特徵在於：上述溫度調整部具有將高溫媒體供給至上述媒體流路之高溫媒體供給部，和將低溫媒體供給至上述媒體流路之低溫媒體供給部，和混合被供給至上述媒體流路之上述高溫媒體及上述低溫媒體的媒體混合部。

在本發明中，上述媒體混合部具有控制上述高溫媒體之流量的第1控制閥，和控制上述低溫媒體之流量的第2控制閥，於混合上述高溫媒體及上述低溫媒體之前，上述第1控制閥控制上述高溫媒體之流量，並且上述第2控制閥控制上述低溫媒體之流量。

在本發明中，上述媒體流路在上述載置台之下游具有分歧至循環路之分歧點，上述循環路在上述媒體混合部及上述載置台之間的合流點被連接於上述媒體流路，又具有從上述分歧點朝上述合流點壓送被混合的上述高溫媒體及上述低溫媒體的泵為佳。

在本發明中，上述基板為圓板狀之半導體晶圓，上述基板之直徑為300mm以上較佳。

在本發明中，係以上述高溫媒體之溫度為20℃~180℃，上述低溫媒體之溫度為-100℃~60℃為特徵。

在本發明中，以在上述媒體混合部及上述載置台之間又具備被配置在上述媒體流量之溫度感測器為佳。

在本發明中，以又具備被配置在上述載置台之溫度感測器為特徵。

在本發明中，又具備被配置在上述載置台之加熱器及帕耳帖元件(Peltier element)之一方或雙方為佳。

為了解決上述課題，若藉由本發明時，提供一種基板溫度調整方法，係在基板檢查裝置中之基板溫度調整方法，該基板檢查裝置具備：載置形成有半導體裝置之基板的載置台、檢查上述被載置之基板之上述半導體裝置之電特性的檢查部、調整上述載置台之溫度的溫度調整部，和通過上述載置台之媒體流路，其特徵在於：上述溫度調整部具有將高溫媒體供給至上述媒體流路之高溫媒體供給部，和將低溫媒體供給至上述媒體流路之低溫媒體供給部，和混合上述高溫媒體及上述低溫媒體而供給至上述媒體流路。

在本發明中，以於混合上述高溫媒體及上述低溫媒體之前，控制上述高溫媒體之流量，並且控制上述低溫媒體之流量為佳。

在本發明中，上述媒體流路係在上述載置台之下游之分歧點之間分歧至循環路，上述循環路係在上述載置台之上游之合流點被連接於上述媒體流路，使在上述合流點及上述分歧點之間的上述媒體流路，以及在上述循環路中被混合之上述高溫媒體及上述低溫媒體循環為佳。

在本發明中，上述溫度調整部具備被配置在上述載置台之加熱器，藉由使上述加熱器動作，提升上述載置台之溫度調整範圍之上限值為佳。

在本發明中，上述溫度調整部具備被配置在上述載置台之帕耳帖元件(Peltier element)，藉由使上述帕耳帖元件當作加熱元件而予以動作，提升上述載置台之溫度調整範圍之上限值，並藉由使上述帕耳帖元件當作冷卻元件而予以動作，降低上述載置台之上述溫度調整範圍之下限值為佳。

若藉由本發明時，因混合被供給至通過載置台之媒體流路的高溫媒體及低溫媒體，故可以調整在媒體流路流通之媒體之溫度，並可以藉由被調整溫度之媒體調整被載置在載置台之基板的溫度。其結果，可以將基板調整至期待之溫度。

W‧‧‧晶圓

10‧‧‧探針器

11‧‧‧平台

14‧‧‧測試頭

25、46‧‧‧溫度調整系統

26‧‧‧高溫冷卻器

27‧‧‧低溫冷卻器

28‧‧‧調溫流路

29‧‧‧混合閥單元

47‧‧‧第2分歧點

48‧‧‧循環路

49‧‧‧合流點

50‧‧‧壓送泵

61‧‧‧加熱器

62‧‧‧帕耳帖元件

圖1為表示當作與本發明之第1實施形態有關之基板檢查裝置之探針器之概略構成的斜視圖。

圖2為表示圖1之探針器所具備之平台之移動機構之概略構成的斜視圖。

圖3為表示圖1之探針器所具備之溫度調整系統之概略構成的方塊圖。

圖4為表示圖3之溫度調整系統中之各閥之配置的配管圖。

圖5為表示當作與本發明之第2實施形態有關之基板檢查裝置之探針器所具備之溫度調整系統之概略構成的方塊圖。

圖6為表示圖5之溫度調整系統中之各閥之配置的配管圖。

圖7A為表示圖1之探針器所具備之平台之第1例之概略構成的剖面圖。

圖7B為表示圖1之探針器所具備之平台之第2例之概略構造的剖面圖。

圖8比起圖7A及圖7B之兩個平台之溫度調整範圍而示意性表示的圖示。

圖9為表示以往之探針器中之溫度調整系統之概略構成的方塊圖。

以下，針對本發明之實施型態，一面參考圖面一面予以說明。

首先，針對與第1實施形態有關之基板檢查裝置及基板溫度調整方法予以說明。

圖1為表示當作與本發明之第1實施形態有關之基板檢查裝置之探針器10之概略構成的斜視圖。

如圖1所示般，探針器10具備內藏載置晶圓W之平台11(基板載置台)之本體12、與本體12鄰接而配置之裝載器13，和被配置成覆蓋本體12之測試頭14(檢查部)，進行大口徑，例如被形成在直徑為300mm或450mm之圓板狀之晶圓W的半導體裝之電特性之檢查。

本體12呈內部空洞之框體形狀。在本體12之頂棚部12a設置有被載置在平台11之晶圓W之上方開口的開口部12b。然後，在開口部12b配置後述之探針卡17(參照圖2)，探針卡17與晶圓W相向。晶圓W係以對平台11之相對位置不會偏離之方式，被靜電吸附至平台11。

測試頭14呈方體形狀，構成藉由被設置在本體12之鉸鏈機構15可朝上方向轉動。於測試頭14覆蓋本體12之時，測試頭14經無圖示之接觸環而與探針卡17電性連接。再者，測試頭14具有將表示從探針卡17被傳送之半導體裝置之電特性當作測量資料而予以記憶的無圖示之資料記憶部，或根據測量資料而判定檢查對象之晶圓W有無半導體裝置之電性缺陷之無圖示的判定部。

裝載器13取出被收容在晶圓W之搬運容器之無圖示的FOUP或MAC之形成有半導體裝置之晶圓W，載置在本體12之平台11，再者，將結束檢查半導體裝置之電特性的晶圓W，從平台11取出，而收容至FOUP或MAC。

在探針卡17之下面，對應於晶圓W之半導體裝置之電極焊墊或焊錫凸塊，配置有多數之探針(無圖示)。平台11係調整探針卡17及晶圓W之相對位置而使半導體裝置之電極焊墊等抵接於各探針。

於使半導體裝置之電極焊墊等抵接於各探針之時，測試頭14係使檢查電流經探針卡17之各探針而流入半導體裝置，之後，將表示半導體裝置之電特性之電訊號傳送至測試頭14之資料記憶部。測試頭14之資料記憶部係以被傳送之電訊號當作測量資料而予以記憶，判定部根據被記憶之測量資料而判定檢查對象之半導體裝置有無電性缺陷。

圖2為表示圖1之探針器10所具備之平台11 之移動機構之概略構成的斜視圖。如圖2所示般，平台11之移動機構18係沿著圖2中所示之Y方向而移動之Y平台19，和沿著同圖中所示之X方向而移動之X平台20，和沿著同圖中所示之Z方向而移動之Z移動部21。

Y平台19係藉由沿著Y方向而配置之滾珠螺桿22之轉動而高精度地被驅動至Y方向，滾珠螺桿22係藉由步進馬達之Y平台用馬達23而轉動。X平台20係藉由沿著X方向而被配置之滾珠螺桿24之轉動而高精度地被驅動至X方向。滾珠螺桿24也藉由步進馬達之無圖示之X步進用馬達而被轉動。再者，平台11係在Z移動部21之上，被配置成在圖2中所示之θ方向移動自如，在平台11上載置晶圓W。

在移動機構18中，Y平台19、X平台20、Z移動部21及平台11共同動作，使被形成在晶圓W之半導體裝置移動至與探針卡17相向之位置，並且又使半導體裝置之電極焊墊等抵接於各探針。

然而，於檢查半導體裝置之電性特性之時，為了保證使用環境中之動作，必須加熱晶圓W，另外，為了使半導體裝置發熱，必須使晶圓W冷卻。在本實施形態中，對應於此，在探針器10安裝用以進行靜電吸附晶圓W之平台11之加熱和冷卻的溫度調整系統25。溫度調整系統25經平台11而可以加熱晶圓W，相反的也可以冷卻。

圖3為表示圖1之探針器10所具備之溫度調整系統25之概略構成的方塊圖。圖4為表示圖3之溫度調整系統25中之各閥之配置的配管圖。

圖3所示般，溫度調整系統25具備供給例如溫度為20℃~180℃之高溫媒體的高溫冷卻器26(高溫媒體供給部)，和供給溫度為-100℃~60℃之低溫媒體的低溫冷卻器27(低溫媒體供給部)，和通過平台11之調溫流路28(媒體流路)，和介於調溫流路28及高溫冷卻器26、低溫冷卻器27之間的混合閥單元29(媒體混合部)，和連結高溫冷卻器26及混合閥單元29之高溫媒體供給部30，和連結低溫冷卻器27及混合閥單元29之低溫媒體供給部31。高溫冷卻器26及低溫冷卻器27分別供給之高溫媒體及低溫媒體係由相同種類之媒體所構成，例如使用純水、Galden(註冊商標)或Fluorinert(註冊商標)等。

在溫度調整系統25中，藉由高溫冷卻器26被供給之高溫媒體經高溫媒體供給部30而到達至混合閥單元29，並且藉由低溫冷卻器27而被供給之低溫媒體經低溫媒體供給部31而到達至混合閥單元29，混合閥單元29混合高溫媒體及低溫媒體，被混合之高溫媒體及低溫媒體(以下，單稱為「混合媒體」)在調溫流路28流通，混合媒體對平台11供給熱，或吸收平台11之熱，依此經平台11調整晶圓W之溫度。

調溫流路28係在位於平台11之下游的第1分歧點32，分歧至第1回流路33及第2回流路34，第1 回流路33連結於高溫冷卻器26，第2回流路34連結於低溫冷卻器27。因此，調整平台11之溫度的混合媒體回流至高溫冷卻器26及低溫冷卻器27之雙方。再者，混合閥單元29及第1回流路33藉由高溫媒體回流路35而連結，混合閥單元29及第2回流路34藉由低溫媒體回流路36而被連結。

如圖4所示般，混合閥單元29具有高溫媒體供給部30、介於調溫流路28及高溫媒體回流路35之間的高溫媒體分流閥37(第1控制閥)、介於低溫媒體供給路31、調溫流路28及低溫媒體回流路36之間的低溫媒體分流閥38(第2控制閥)。

高溫媒體分流閥37使經高溫媒體供給部30而流入之高溫媒體分流至調溫流路28及高溫媒體回流路35，並且控制高溫媒體朝調溫流路28之分流量及朝高溫媒體回流路35之分流量。低溫媒體分流閥38使經高溫媒體供給部31而流入之低溫媒體分流至調溫流路28及低溫媒體回流路36，並且控制低溫媒體朝調溫流路28之分流量及朝低溫媒體回流路36之分流量。

藉由高溫媒體分流閥37而控制分流量之高溫媒體，和藉由低溫媒體分流閥38而控制分流量之低溫媒體在高溫媒體分流閥37及低溫媒體分流閥38之下游合流而被混合。此時，混合媒體之溫度藉由高溫媒體之分流量及低溫媒體之分流量而被決定。因此，在溫度調整系統25中，藉由控制高溫媒體之分流量及低溫媒體之分流量，可以調整混合媒體之溫度。例如，於使混合媒體成為高溫之時，使高溫媒體之分流量增加，並且使低溫媒體之分流量下降，並使混合媒體成為低溫之時，增加低溫媒體之分流量，並且使高溫媒體之分流量下降。

高溫媒體分流閥37及低溫媒體分流閥38中之任一者皆可以使朝向調溫流路28之高溫媒體之分流量及朝向調溫流路28之低溫媒體之分流量成為0，依此可以擴大混合媒體之溫度的調整幅度。

在第1回流路33配置第1混合媒體控制閥39，在第2回流路34配置第2混合媒體控制閥40。藉由第1混合媒體控制閥39關閉閥，防止對平台11供給熱，或吸收到平台11之熱的混合媒體(以下稱為「調溫後混合媒體」)回流至高溫冷卻器26。再者，藉由第2混合媒體控制閥40關閉閥，防止調溫後混合媒體回流至低溫冷卻器27。

在高溫媒體回流路35配置高溫媒體控制閥41，藉由高溫媒體控制閥41關閉閥，防止在第1回流路33流動之調溫後混合媒體流入至混合閥單元29。再者，在低溫媒體回流路36配置低溫媒體控制閥42，藉由低溫媒體控制閥42關閉閥，防止在第2回流路34流動之調溫後混合媒體流入至混合閥單元29。

在混合閥單元29及平台11之間的調溫流路28配置溫度感測器43，溫度感測器43測量混合媒體之溫度。再者，溫度感測器43被連接於控制器44，控制器44 根據測量到之混合媒體之溫度而控制高溫媒體分流閥37或低溫媒體分流閥38之動作，並控制高溫媒體之分流量及低溫媒體之分流量而調整混合媒體之溫度。並且，控制器44也控制高溫媒體分流閥37或低溫媒體分流閥38以外之閥，例如第1混合媒體控制閥39或第2混合媒體控制閥40之動作。

控制器44被連接於設置在平台11之溫度感測器45。即使根據藉由溫度感測器45而被測量之平台11之溫度，藉由控制器44而調整混合媒體之溫度亦可。或是，將控制器44連接於被形成在晶圓W之半導體裝置具有之無圖示之溫度感測器，根據藉由該溫度感測器而測量到之半導體裝置之溫度，而藉由控制器44調整混合媒體之溫度亦可。

若藉由當作與本實施形態有關之基板檢查裝置之探針器10時，因混合被供給至通過平台11之調溫流路28之高溫媒體及低溫媒體，故可以調整在調溫流路28流動之混合媒體之溫度，並可以藉由調整溫度之混合媒體經平台11調整被載置在平台11之晶圓W之溫度。其結果，可以將晶圓W調整至期待之溫度。

再者，在探針器10中，因於混合高溫媒體及低溫媒體之前藉由高溫媒體分流閥37而控制高溫媒體之流量，並且藉由低溫媒體分流閥38，控制低溫媒體之流量，之後，混合高溫媒體及低溫媒體而調整混合媒體之溫度，故僅控制高溫媒體及低溫媒體之流量，可以容易調整混合媒體之溫度。

接著，針對與第2實施形態有關之基板檢查裝置及基板溫度調整方法予以說明。本實施形態之構成或作用基本上與上述第1實施形態相同，在本實施形態中，構成不會使混合媒體回流至高溫冷卻器26或低溫冷卻器27，可在包含調溫流路28之循環路中循環之點，與上述第1實施形態不同。因此，針對重複之構成、作用省略說明，針對以下不同的構成、作用予以說明。

圖5為表示作為與本實施形態有關之基板檢查裝置之探針器10所具備之溫度調整系統46之概略構成的方塊圖，圖6為表示圖5之溫度調整系統46中之各閥之配置的配管圖。

如圖5所示般，在溫度調整系統46中，在調溫流路28位於平台11之下游的第2分歧點47中，分歧至循環路48。然後，循環路48係在位於混合閥單元29及平台11之間的合流點49，連接於調溫流路28。在循環路48配置壓送泵50，壓送泵50係將混合媒體從第2分歧點47朝向合流點49壓送。壓送泵50之動作藉由控制器44而被控制。

再者，如圖6所示般，在循環路48，於合流點49及壓送泵50之間配置有逆止閥51，依此防止循環路48中之混合媒體之逆流。並且，循環路48係在逆止閥51及壓送泵50之間分歧，並且在較第2分歧點47下游具有於第2回流路34合流之分歧路52。分歧路52例如於循環路48內之混合媒體之壓力急上升之時，使混合媒體之一部分回流至第2回流路34，並調整循環路48內之壓力。並且，在分歧路52設置控制閥53。

在溫度調整系統46中，藉由循環路48、合流點49及第2分歧點47之間的調溫流路28而形成循環路，藉由壓送泵50壓送混合媒體，在循環流路使混合媒體循環。因此，可以增加在通過平台11之調溫流路28流通之混合媒體之流量增加，並可以於混合媒體經平台11而在與晶圓W之間進行熱交換之時，防止混合媒體之溫度急劇變化。其結果，可以保持平台11中之溫度的均勻性。

再者，在溫度調整系統46中，因藉由混合媒體之循環流路之循環，可以從晶圓W吸收多量之熱，故溫度調整系統46可以適合用於發熱量大之電源裝置之電性特性之檢查，或多數之記憶體之電性特性的一次檢查。

並且，溫度調整系統46中，循環路48因被配置在較高溫冷卻器26或低溫冷卻器27靠平台11之附近，故增加藉由壓送泵50在調溫流路28流動之混合媒體之流量時之循環路48中的壓損，少於藉由高溫冷卻器26或低溫冷卻器27而增加混合媒體之流量之時的壓損，依此可以有效果地增加混合媒體之流量。

在上述溫度調整系統46中，即使於晶圓W之溫度和在調溫流路28流動之混合媒體之溫度接近，並且晶圓W之溫度安定之時，關閉第1混合媒體控制閥39及第2混合媒體控制閥40，並且控制高溫媒體分流閥37或低溫媒體分流閥38之動作，停止新的高溫媒體或低溫媒體流入調溫流路28亦可。此時，混合媒體僅在循環流路流動循環，但是即使晶圓W之溫度產生多少變動，因循環之混合媒體吸收晶圓W之熱，再者對晶圓W供給熱，故可以解消晶圓W之溫度的變動。再者，不會有混合媒體經第1回流路33或第2回流路34而回流至高溫冷卻器26或低溫冷卻器27之情形，故可以容易進行高溫冷卻器26中之高溫媒體或低溫冷卻器27中之低溫媒體之溫度的維持。

並且，即使壓送泵50或循環路48內藏在平台11亦可，即使不內藏在平台11，配置在本體12之外部亦可。再者，第2分歧點47如圖5所示般，即使位於第1分歧點32之上游亦可，再者即使如圖6所示般，位於第1分歧點32之下游亦可。

接著，針對具備當作與上述各實施形態有關之基板檢查裝置之探針器10，適用溫度調整系統25、46之平台11之構造予以說明。以下，參照圖7A、圖7B及圖8，具體以兩個平台11A、11B當作平台11之例，針對該些予以說明。

圖7A為表示平台11之第1例的平台11A之概略構造的剖面圖，圖7B為表示平台11之第2例的平台11B之概略構造的剖面圖。

如先前說明般，平台11之溫度調整係藉由溫度調整系統25、46，並利用在通過平台11之調溫流路28流通之混合媒體而進行。因此，原則上，平台11本身不需要用以調整平台11之溫度調整的加熱機構及冷卻機構。依此，圖7A之平台11A內部形成調溫流路28，成為不具備其他加熱機構及冷卻機構之簡單構造。

另外，於探針器10具備平台11A之時，平台11A之溫度調整範圍依存於當作高溫媒體及低溫媒體被使用之媒體的物性。因此，於欲變更或擴大溫度調整範圍之時，必須改變媒體等的對應。在此，為了藉由溫度調整系統25、46可成為以簡易構造擴大可溫度調整之溫度範圍，在平台11A設置構成溫度調整系統25、46之冷卻機構和加熱機構為圖7B之平台11B。

平台11B如圖7B所示般，具備當作加熱機構之加熱器61，和當作加熱機構及冷卻機構的帕耳帖元件(熱電元件)62。藉由使加熱器61動作，可以使平台11B之溫度調整範圍擴大至高溫側。同樣，於將帕耳帖元件62當作加熱元件使用之時，可以使平台11B之溫度調整範圍擴大至高溫側。另外，藉由使流至帕耳帖元件62之電流之極性成為相反而當作冷卻元件使用，可以使平台11B之溫度調整範圍擴大至低溫側。並且，加熱器61及帕耳帖元件62之動作控制藉由控制器44被控制。

圖8為比較平台11A和平台11B之溫度調整範圍而示意性地表示之圖示。並且，平台11A和平台11B之構造以外之條件相同。設為於平台11A之時，使用特定媒體，可在溫度T1~T2(例如，T1=110℃，T2=-30℃)之溫度範圍可進行溫度調整。對此，於平台11B之時，當使用同媒體之時，藉由使加熱器61動作，及/或將帕耳帖元件62當作加熱元件動作，可以使可溫度調整之上限溫度從溫度T1提升至溫度T3(T3>T1，例如T3=150℃)。再者，於平台11B之時，當使用同媒體之時，藉由將帕耳帖元件62當作冷卻元件動作，可以將可溫度調整之下限溫度從溫度T2下降至溫度T4(T4<T2，例如T4=-40℃)。如此一來，藉由使用平台11B，比起使用平台11A之時，可藉由簡易之構成，擴大溫度調整範圍。並且，溫度T1~T4之溫度為例示，並非限定本發明者。

再者，於以平台11B中之溫度調整範圍進行溫度調整之時，藉由使加熱器61動作，及/或將帕耳帖元件62當作加熱元件而予以動作，可以比僅使用混合媒體之時，更加速升溫速度。再者，藉由將帕耳帖元件62當作冷卻元件而予以動作，可以比僅使用混合媒體之時，更加速降溫速度。

然而，於使用平台11B之時，可能發生平台11B之溫度被設定成超過當作高溫媒體及低溫媒體被使用之媒體之沸點的溫度，此時由於在平台11B內之調溫流路28內，媒體沸騰，產生蒸氣，要擔心從媒體至平台11B之熱傳導性下降的事態。但是，因平台11B由銅等之良熱傳導性材料所構成，故現實上，即使媒體沸騰，也不會在平台11B之表面，產生使晶圓W之檢查產生障礙之溫度分布(溫度不均勻性)。

並且，在平台11B，於圖7B中在調溫流路28之上側配置帕耳帖元件62，但是即使例如將帕耳帖元件62配置在調溫流路28之間亦可。再者，就以平台11B之變形例而言，即使不具備加熱器61，成為僅具備帕耳帖元件62之構成亦可，此時，可以使溫度調整範圍擴大至高溫側及低溫側。與此相反，就以平台11B之變形例而言，即使不具備帕耳帖元件62，僅具備加熱器61之構成亦可，此時可以將溫度調範圍擴大至高溫側。

以上，針對本發明，使用上述各實施型態予以說明，但是本發明並不限定於該些實施型態。例如，在溫度調整系統25或溫度調整系統46中，使用純水、Galdcn(註冊商標)或Fluorinert(註冊商標)作為高溫媒體，但是即使於需要比該些媒體之沸點更高溫之時，在高溫媒體供給路30或低溫媒體供給路31等之全部路徑負載壓力而使純水等之沸點上升亦可。

本申請係以2013年3月25日申請的日本申請案第2013-062141號及2013年9月27日申請的日本申請案第2013-201289號主張優先權，記載於該日本申請之全內容援用於本申請。

Claims

一種基板檢查裝置，具備：載置形成有半導體裝置之基板的載置台、檢查上述被載置之基板之上述半導體裝置之電特性的檢查部、調整上述載置台之溫度的溫度調整部，和通過上述載置台之媒體流路，其特徵在於：上述溫度調整部具有：將高溫媒體供給至上述媒體流路之高溫媒體供給部，和將低溫媒體供給至上述媒體流路之低溫媒體供給部，和混合被供給至上述媒體流路之上述高溫媒體及上述低溫媒體的媒體混合部，和連接通過上述載置台之上述媒體流路分歧之分歧點和上述高溫媒體供給部之第1回流路，及連接通過上述載置台之上述媒體流路分歧之分歧點和上述低溫媒體供給部之第2回流路，和使從上述高溫媒體供給部被供給至上述媒體流路之高溫媒體之一部分旁通上述載置台而回流至上述第1還流路之高溫媒體回流路，和使從上述低溫媒體供給部被供給至上述媒體流路之低溫媒體之一部分旁通上述載置台而回流至上述第2還流路之低溫媒體回流路。
如請求項1所記載之基板檢查裝置，其中上述媒體混合部具有控制上述高溫媒體之流量的第1控制閥，和控制上述低溫媒體之流量的第2控制閥，於混合上述高溫媒體及上述低溫媒體之前，上述第1控制閥控制上述高溫媒體之流量，並且上述第2控制閥控制上述低溫媒體之流量。
如請求項1所記載之基板檢查裝置，其中上述媒體流路在上述載置台之下游具有分歧至循環路之分歧點，上述循環路在上述媒體混合部及上述載置台之間的合流點被連接於上述媒體流路，又具有從上述分歧點朝上述合流點壓送被混合的上述高溫媒體及上述低溫媒體的泵。
如請求項1所記載之基板檢查裝置，其中上述基板為圓板狀之半導體晶圓，上述基板之直徑為300mm以上。
如請求項1所記載之基板檢查裝置，其中上述高溫媒體之溫度為20℃~180℃，上述低溫媒體之溫度為-100℃~60℃。
如請求項1所記載之基板檢查裝置，其中在上述媒體混合部及上述載置台之間又具備被配置在上述媒體流路之溫度感測器。
如請求項1所記載之基板檢查裝置，其中又具備被配置在上述載置台之溫度感測器。
如請求項1所記載之基板檢查裝置，其中又具備被配置在上述載置台之加熱器及帕耳帖元件(Peltier element)之一方或雙方。
一種基板溫度調整方法，係在基板檢查裝置中的基板溫度調整方法，該基板檢查裝置具備：載置形成有半導體裝置之基板的載置台、檢查上述被載置之基板之上述半導體裝置之電特性的檢查部、調整上述載置台之溫度的溫度調整部，和通過上述載置台之媒體流路，其特徵在於：上述溫度調整部具有將高溫媒體供給至上述媒體流路之高溫媒體供給部，和將低溫媒體供給至上述媒體流路之低溫媒體供給部，混合上述高溫媒體及上述低溫媒體而供給至上述媒體流路，使通過上述載置台之混合媒體，經由在上述載置台之下游側分歧之第1回流路和第2回流路而分別回流至上述高溫媒體供給部和上述低溫媒體供給部，並且使從上述高溫媒體供給部被供給至上述媒體流路之高溫媒體之一部分經由旁通上述載置台之高溫媒體回流路而回流至上述第1還流路，使從上述低溫媒體供給部被供給至上述媒體流路之低溫媒體之一部分經由旁通上述載置台之低溫媒體回流路而回流至上述第2還流路。
如請求項9所記載之基板溫度調整方法，其中於混合上述高溫媒體及上述低溫媒體之前，控制上述高溫媒體之流量，並且控制上述低溫媒體之流量。
如請求項9所記載之基板溫度調整方法，其中上述媒體流路係在上述載置台之下游之分歧點之間分歧至循環路，上述循環路係在上述載置台之上游之合流點被連接於上述媒體流路，使在上述合流點及上述分歧點之間的上述媒體流路，以及在上述循環路中被混合之上述高溫媒體及上述低溫媒體循環。
如請求項9所記載之基板溫度調整方法，其中上述溫度調整部具備被配置在上述載置台之加熱器，藉由使上述加熱器動作，提升上述載置台之溫度調整範圍之上限值。
如請求項9所記載之基板溫度調整方法，其中上述溫度調整部又具備被配置在上述載置台之帕耳帖元件(Peltier element)，藉由使上述帕耳帖元件當作加熱元件而予以動作，提升上述載置台之溫度調整範圍之上限值，並藉由使上述帕耳帖元件當作冷卻元件而予以動作，降低上述載置台之上述溫度調整範圍之下限值。