CN105103281B - 基板检查装置和基板温度调节方法 - Google Patents

基板检查装置和基板温度调节方法 Download PDF

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Abstract

提供能够将基板调节到期望的温度的基板检查装置。探针台(10)包括：载置形成有半导体器件的晶片(W)的载置台(11)；对被载置的晶片(W)的半导体器件的电特性进行检查的测试头(14)；调节载置台(11)的温度的温度调节系统(25)；和通过载置台(11)的调温流路(28)，温度调节系统(25)具有：向调温流路(28)供给高温介质的高温冷机(26)；向调温流路(28)供给低温介质的低温冷机(27)；和将向调温流路(28)供给的高温介质和低温介质混合的混合阀单元(29)。

Description

基板检查装置和基板温度调节方法
技术领域
本发明涉及对载置于载置台上的基板进行检查的基板检查装置和基板温度调节方法。
背景技术
对形成于作为基板的半导体晶片(以下称为“晶片”)的半导体器件例如功率器件和存储器的电特性进行检查的装置，已知探针台。探针台具备：具有多个探针的探针卡；和载置晶片向上下左右移动自如的台，通过使探针卡的各探针与半导体器件所具有的电极垫、焊料突起(Solder bump)接触，从各探针向电极垫(electrode pad)、焊料突起流动检查电流来检查半导体期间的电特性。此外，探针台具有根据由探针卡进行的半导体器件的电特性的检查结果，判定半导体器件的良好/不良好的测试头(例如，参照专利文献1)。
另外，由于车载用的半导体器件在恶劣环境下使用，所以需要在这样恶劣的环境下保证半导体器件的工作。于是，在探针台上，有时在将晶片加热后的高温环境下对半导体器件的电特性进行检查。与此相对，在功率器件的检查中流动检查电流的情况下以及在形成于晶片的多个存储器的各个检查电路中一并流动检查电流的情况下，来自晶片的发热量变大，因此也有一边将晶片冷却一边检查半导体器件的电特性的情况。
于是，在现有的探针台中，如图9所示，载置台70内置加热器71，介质流路72通过载置台70，从冷机73向介质流路72供给低温介质，通过控制加热器71的开关和/或向介质流路72供给低温介质的供给量，对载置于载置台70的晶片W进行加热或冷却。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7-297242号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
但是，图9的探针台中存在如下问题，即，在冷机73供给例如-30℃的低温介质的情况下，在功率器件的检查电路中流通检查电流，由此，当为了将温度上升到高温例如95℃的晶片W冷却到期望的温度例如85℃而向介质流路72供给低温介质时，期望的温度与低温介质的温度之差大，因此载置台70的温度摇摆，难以将晶片W维持在期望的温度。
为了抑制这样的载置台70的温度的摇摆，也尝试向介质流路供给比较高温例如75℃的介质，但冷机73通常不使供给的介质的温度变化，因此有如下问题，即，由于晶片W与载置台70之间的传热条件，即使能够使晶片W的温度接近期望的温度，也不能使其达到期望的温度。
即，探针台在检查晶片W的功率器件和存储器的电特性时，难以将晶片W调节到期望的温度。
本发明的目的在于提供能够将基板调节到期望的温度的基板检查装置和基板温度调节方法。
解决技术问题的技术方案
为了解决上述技术问题，根据本发明，提供一种基板检查装置，其包括：载置形成有半导体器件的基板的载置台；对上述被载置的基板的上述半导体器件的电特性进行检查的检查部；调节上述载置台的温度的温度调节部；和通过上述载置台的介质流路，上述温度调节部包括：向上述介质流路供给高温介质的高温介质供给部；向上述介质流路供给低温介质的低温介质供给部；和将向上述介质流路供给的上述高温介质和上述低温介质混合的介质混合部。
本发明中优选：上述介质混合部包：控制上述高温介质的流量的第一控制阀；和控制上述低温介质的流量的第二控制阀，在将上述高温介质和上述低温介质混合之前，上述第一控制阀控制上述高温介质的流量，并且上述第二控制阀控制上述低温介质的流量。
本发明中优选：上述介质流路具有在上述载置台的下游分支到循环路径的分支点，上述循环路径在上述介质混合部与上述载置台之间的合流点连接到上述介质流路，还包括从上述分支点向上述合流点压送混合后的上述高温介质和上述低温介质的泵。
本发明中优选：上述基板为圆板状的半导体晶片，上述基板的直径为300mm以上。
本发明中优选：上述高温介质的温度为20℃～180℃，上述低温介质的温度为-100℃～60℃。
本发明中优选：还包括在上述介质混合部和上述载置台之间配置于上述介质流路的温度传感器。
本发明中优选：还包括配置于上述载置台的温度传感器。
本发明中优选：还包括配置于上述载置台的加热器和珀耳帖元件中的一者或两者。
为了解决上述技术问题，根据本发明，提供一种用于基板检查装置的基板温度调节方法，该基板检查装置包括：载置形成有半导体器件的基板的载置台；对上述被载置的基板的上述半导体器件的电特性进行检查的检查部；调节上述载置台的温度的温度调节部；和通过上述载置台的介质流路，在上述基板温度调节方法中，上述温度调节部包括：向上述介质流路供给高温介质的高温介质供给部；和向上述介质流路供给低温介质的低温介质供给部，将上述高温介质和上述低温介质混合而供给至上述介质流路。
本发明中优选：在将上述高温介质和上述低温介质混合之前，控制上述高温介质的流量，并且控制上述低温介质的流量。
本发明中优选：上述介质流路在上述载置台的下游的分支点之间分支到循环路径，上述循环路径在上述载置台的上游的合流点连接到上述介质流路，在上述合流点和上述分支点之间的上述介质流路以及上述循环路径中使混合后的上述高温介质和上述低温介质循环。
本发明中优选：上述温度调节部包括配置于上述载置台的加热器，通过使上述加热器工作，来提高上述载置台的温度调节范围的上限值。
本发明中优选：上述温度调节部还包括配置于上述载置台的珀耳帖元件，通过使上述珀耳帖元件作为加热元件工作，来提高上述载置台的温度调节范围的上限值，通过使上述珀耳帖元件作为冷却元件工作，来降低上述载置台的上述温度调节范围的下限值。
发明效果
根据本发明，由于将向通过载置台的介质流路供给的高温介质和低温介质混合，因此能够调节介质流路中流动的介质的温度，能够利用调节了温度的介质来调节载置于载置台的基板的温度。其结果，能够将基板调节为期望的温度。
附图说明
图1是表示作为本发明的第一实施方式的基板检查装置的探针台的概略结构的立体图。
图2是表示图1的探针台所具有的载置台的移动机构的概略结构的立体图。
图3是表示图1的探针台所具有的温度调节系统的概略结构的框图。
图4是表示图3的温度调节系统中的各阀的配置的配管图。
图5是表示作为本发明的第二实施方式的基板检查装置的探针台所具有的温度调节系统的概略结构的框图。
图6是表示图5的温度调节系统中的各阀的配置的配管图。
图7A是表示图1的探针台所具有的载置台的第一例的概略构造的剖面图。
图7B是表示图1的探针台所具有的载置台的第二例的概略构造的剖面图。
图8是将图7A和图7B的2个载置台的温度调节范围进行比较地示意性示出的图。
图9是表示现有的探针台中的温度调节系统的概略结构的框图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
首先，对第一实施方式的基板检查装置和基板温度调节方法进行说明。
图1是表示作为本发明的第一实施方式的基板检查装置的探针台10的概略结构的立体图。
如图1所示，探针台10具备：内置有载置晶片W的载置台11(基板载置台)的主体12；与主体12相邻配置的装载机13；和以覆盖主体12的方式配置的测试头14(检查部)，对在大口径例如直径为300mm、450mm的圆板状的晶片W上形成的半导体器件的电特性进行检查。
主体12的内部呈空洞的框体形状。在主体12的顶部12a设置有在载置于载置台11上的晶片W的上方开口的开口部12b。并且，在开口部12b配置有后述的探针卡17(参照图2)，探针卡17与晶片W相对。晶片W被静电吸附于载置台11，使得与载置台11的相对位置不偏移。
测试头14呈方体形状，构成为通过在主体12上设置的铰链机构15能够向上方旋转。测试头14覆盖主体12时，测试头14经未图示的接触圈(contact ring)与探针卡17电连接。此外，测试头14具有将从探针卡17传送来的表示半导体器件的电特性的电信号作为测定数据存储的未图示的数据存储部和/或根据测定数据判定检查对象的晶片W中有无半导体器件的电缺陷的未图示的判定部。
装载机13取出作为晶片W的搬送容器的未图示的FOUP或MAC中收纳的形成有半导体器件的晶片W，载置于主体12的载置台11，此外，将半导体器件的电特性的检查结束后的晶片W从载置台11取出，收纳于FOUP或MAC。
在探针卡17的下表面与晶片W的半导体器件的电极垫、焊料突起对应地配置有多个探针(未图示)。载置台11调节探针卡17与晶片W的相对位置，使半导体器件的电极垫等与各探针抵接。
在使半导体器件的电极垫等与各探针抵接时，测试头14经探针卡17的各探针向半导体器件流动检查电流，然后，向测试头14的数据存储部传送表示半导体器件的电特性的电信号。测试头14的数据存储部将传送来的电信号作为测定数据存储，判定部根据存储的测定数据判定检查对象有无半导体器件的电缺陷。
图2是表示图1的探针台10具备的载置台11的移动机构的概略结构的立体图。如图2所示，载置台11的移动机构18具有：沿着图2中所示的Y方向移动的Y载置台19；沿着同图中所示的X方向移动的X载置台20；和沿着同图中所示的Z方向移动的Z移动部21。
Y载置台19通过沿着Y方向配置的滚珠丝杆22的转动而在Y方向上高精度地被驱动，滚珠丝杆22由作为步进电动机的Y载置台用电动机23转动。X载置台20通过沿着X方向配置的滚珠丝杆24的转动而在X方向上高精度地被驱动。滚珠丝杆24也由作为步进电动机的未图示的X载置台用电动机转动。此外，载置台11在Z移动部21上，在图2中所述的θ方向上移动自如地配置，在载置台11上载置晶片W。
在移动机构18中，Y载置台19、X载置台20、Z移动部21和载置台11协作，使形成于晶片W的半导体器件移动到与探针卡17相对的位置，进一步，使半导体器件的电极垫等与各探针抵接。
另外，在检查半导体器件的电特性时，为了保证使用环境中的工作，需要对晶片W进行加热，另一方面，由于半导体器件发热，需要使晶片W冷却。在本实施方式中，与此对应地，在探针台10安装用于进行静电吸附晶片W的载置台11的加热和冷却的温度调节系统25。温度调节系统25能够经载置台11对晶片W进行加热，相反也能够冷却晶片W。
图3是表示图1的探针台10所具备的温度调节系统25的概略结构的框图。图4是表示图3的温度调节系统25中的各阀的配置的配管图。
如图3所示，温度调节系统25例如包括：供给温度为20℃～180℃的高温介质的高温冷机26(高温介质供给部)；供给温度为-100℃～60℃的低温介质的低温冷机27(低温介质供给部)；通过载置台11的调温流路28(介质流路)；调温流路28和高温冷机26、低温冷机27之间设置的混合阀单元29(介质混合部)；将高温冷机26和混合阀单元29连接的高温介质供给路30；和将低温冷机27和混合阀单元29连结的低温介质供给路31。高温冷机26和低温冷机27各自供给的高温介质和低温介质由相同种类的介质构成，使用例如纯水、Galden(注册商标)、Fluorinert(注册商标)等。
在温度调节系统25中，由高温冷机26供给的高温介质经高温介质供给路30到达混合阀单元29，由低温冷机27供给的低温介质经低温介质供给路31到达混合阀单元29，混合阀单元29将高温介质和低温介质进行混合，混合后的高温介质和低温介质(以下简称为“混合介质”)在调温流路28中流动，混合介质向载置台11供给热，或者吸收载置台11的热，由此经载置台11调节晶片W的温度。
调温流路28在位于载置台11的下游的第一分支点32分支为第一回流路33和第二回流路34，第一回流路33与高温冷机26连接，第二回流路34与低温冷机27连接。因此，调节了载置台11的温度的混合介质向高温冷机26和低温冷机27这两者回流。此外，混合阀单元29和第一回流路33由高温介质回流路35连接，混合阀单元29和第二回流路34由低温介质回流路36连接。
如图4所示，混合阀单元29具有：设置在高温介质供给路30、调温流路28和高温介质回流路35之间的高温介质分流阀37(第一控制阀)；和设置在低温介质供给路31、调温流路28和低温介质回流路36之间的低温介质分流阀38(第二控制阀)。
高温介质分流阀37使经高温介质供给路30流入的高温介质向调温流路28和高温介质回流路35分流，并且对高温介质向调温流路28的分流量和向高温介质回流路35的分流量进行控制。低温介质分流阀38将经低温介质供给路31流入的低温介质向调温流路28和低温介质回流路36分流，并且对低温介质向调温流路28的分流量和向低温介质回流路36的分流量进行控制。
由高温介质分流阀37控制分流量的高温介质和由低温介质分流阀38控制分流量的低温介质，在高温介质分流阀37和低温介质分流阀38的下游合流而混合。此时，混合介质的温度由高温介质的分流量和低温介质的分流量决定。因此，温度调节系统25能够通过控制高温介质的分流量和低温介质的分流量来调节混合介质的温度。例如，在使混合介质为高温的情况下，使高温介质的分流量增加，并且使低温介质的分流量降低，在使混合介质为低温的情况下，使低温介质的分流量增加，并且使高温介质的分流量降低。
高温介质分流阀37和低温介质分流阀38均能够使高温介质向调温流路28的分流量和低温介质向调温流路28的分流量为0，由此能够扩大混合介质的温度的调节幅度。
在第一回流路33配置有第一混合介质控制阀39，在第二回流路34配置有第二混合介质控制阀40。通过第一混合介质控制阀39关闭，防止向载置台11供给热或吸收载置台11的热后的混合介质(以下称为“调温后混合介质”)向高温冷机26回流。此外，通过第二混合介质控制阀40关闭，防止调温后混合介质向低温冷机27回流。
在高温介质回流路35配置有高温介质控制阀41，通过高温介质控制阀41关闭，防止在第一回流路33中流动的调温后混合介质向混合阀单元29流入。此外，在低温介质回流路36配置有低温介质控制阀42，通过低温介质控制阀42关闭，防止在第二回流路34中流动的调温后混合介质向混合阀单元29流入。
在混合阀单元29与载置台11之间的调温流路28配置有温度传感器43，温度传感器43测定混合介质的温度。此外，温度传感器43与控制器44连接，控制器44根据测定到的混合介质的温度控制高温介质分流阀37、低温介质分流阀38的工作，控制高温介质的分流量和低温介质的分流量，调节混合介质的温度。另外，控制器44还控制高温介质分流阀37、低温介质分流阀38以外的阀，例如第一混合介质控制阀39、第二混合介质控制阀40的工作。
控制器44与设置于载置台11的温度传感器45连接。可以为：根据由温度传感器45测定的载置台11的温度，由控制器44调节混合介质的温度。或者，也可以为：将控制器44与形成于晶片W的半导体器件所具有的未图示的温度传感器连接，根据由该温度传感器测定的半导体器件的温度，由控制器44调节混合介质的温度。
根据作为本实施方式的基板检查装置的探针台10，将向通过载置台11的调温流路28供给的高温介质和低温介质混合，因此能够调节在调温流路28中流动的混合介质的温度，能够利用调节了温度的混合介质经载置台11对载置于载置台11的晶片W的温度进行调节。其结果是能够将晶片W调节为期望的温度。
此外，探针台10中，在将高温介质和低温介质混合之前，由高温介质分流阀37控制高温介质的流量，并且由低温介质分流阀38控制低温介质的流量，然后，将高温介质和低温介质混合而调节混合介质的温度，因此仅控制高温介质和低温介质的流量就能够容易地控制混合介质的温度。
接着，对本发明的第二方式的基板检查装置和基板温度调节方法进行说明。本实施方式的结构和作用与上述的第一实施方式基本相同，在本实施方式中，不使混合介质向高温冷机26和低温冷机27回流，而构成为能够在包含调温流路28的循环路径中循环，这一点与上述的第一实施方式不同。因此，省略对重复的结构和作用的说明，以下说明不同的结构和作用。
图5是表示作为本实施方式的基板检查装置的探针台10所具有的温度调节系统46的概略结构的框图，图6是表示图5的温度调节系统46中各阀的配置的配管图。
如图5所示，在温度调节系统46中，调温流路28在位于载置台11的下游的第二分支点47分支到循环路径48。并且，循环路径48在位于混合阀单元29与载置台11之间的合流点49与调温流路28连接。在循环路径48配置有压送泵50，压送泵50将混合介质从第二分支点47向合流点49压送。压送泵50的工作由控制器44控制。
此外，如图6所示，循环路径48在合流点49与压送泵50之间配置有逆止阀51，由此防止循环路径48的混合介质的逆流。进一步，循环路径48在逆止阀51与压送泵50之间分支，并且，具有在第二分支点47的下游与第二回流路34合流的分支路52。分支路52例如在循环路径48内的混合介质的压力急剧上升时，使混合介质的一部分向第二回流路34回流，以调节循环路径48内的压力。另外，在分支路52设置有控制阀53。
在温度调节系统46中，由合流点49与第二分支点47之间的调温流路28以及循环路径48形成循环流路，通过压送泵50压送混合介质，使混合介质在循环流路中循环。因此，能够使通过载置台11的调温流路28中流动的混合介质的流量增加，能够防止混合介质经载置台11与晶片W之间进行热交换时，混合介质的温度急剧变化。其结果，能够保证载置台11的温度的均匀性。
此外，在温度调节系统46中，通过混合介质的循环流路的循环，能够从晶片W吸收大量的热，因此温度调节系统46能够适用于发热量大的功率器件的电特性的检查和多个存储器的电特性的批量检查。
并且，在温度调节系统46中，循环路径48配置于与高温冷机26和低温冷机27相比靠载置台11的附近的位置，利用压送泵50使调温流路28中流动的混合介质的流量增加时的循环路径48中的压损少于利用高温冷机26和低温冷机27使混合介质的流量增加时的压损，因此能够有效地使混合介质的流量增加。
在上述的温度调节系统46中，也可以为：在晶片W的温度与调温流路28中流动的混合介质的温度接近，并且晶片W的温度稳定的情况下，将第一混合介质控制阀39和第二混合介质控制阀40关闭，并控制高温介质分流阀37和低温介质分流阀38的工作，使新的高温介质和低温介质向调温流路28的流入停止。在此情况下，混合介质仅在循环流路中流动循环，晶片W的温度即使稍微发生变动，循环的混合介质也吸收晶片W的热或者向晶片W供给热，因而能够消除晶片W的温度的变动。此外，混合介质不会经第一回流路33和第二回流路34向高温冷机26和低温冷机27回流，因此，能够容易地维持高温冷机26中的高温介质和低温冷机27中的低温介质的温度。
另外，压送泵50和循环路径48可以内置于载置台11，或者可以不内置于载置台11而配置在主体12的外部。此外，第二分支点47可以如图5所示位于第一分支点32的上游，或者可以如图6所示位于第一分支点32的下游。
接着，对具有作为上述各实施方式的基板检查装置的探针台10的、适用温度调节系统25、46的载置台11的构造进行说明。以下，参照图7A、图7B和图8，作为载置台11的例子，具体举出2个载置台11A、11B加以说明。
图7A是表示作为载置台11的第一例的载置台11A的概略构造的剖面图，图7B是表示作为载置台11的第二例的载置台11B的概略构造的剖面图。
如已经说明的那样，载置台11的温度调节是由温度调节系统25、46利用通过载置台11的调温流路28中流动的混合介质进行的。因此，原则上载置台11自身不需要用于进行载置台11的温度调节的加热机构和冷却机构。因此，图7A的载置台11A在内部形成有调温流路28，为不具备其它加热机构和冷却机构的简单构造。
另一方面，在探针台10具备载置台11A的情况下，载置台11A的温度调节范围依赖于作为高温介质和低温介质使用的介质的物性。因此，在想要变更或扩大温度调节范围的情况下，需要改变介质等的对应。于是，为了能够以简易的构造扩大由温度调节系统25、46可调节温度的温度范围，将构成温度调节系统25、46的冷却机构和加热机构设置于载置台11A的载置台，为图7B的载置台11B。
载置台11B如图7B所示具备作为加热机构的加热器61和作为加热机构和冷却机构的珀耳帖元件(热电元件)62。通过使加热器61工作能够将载置台11B的温度调节范围向高温侧扩展。同样地，在将珀耳帖元件62用作加热元件的情况下，能够使载置台11B的温度调节范围向高温侧扩展。另一方面，通过将珀耳帖元件62中流动的电流的极性反转而用作冷却元件，能够使载置台11B的温度调节范围向低温侧扩展。另外，加热器61和珀耳帖元件62的工作控制由控制器44进行。
图8是将载置台11A和载置台11B的温度调节范围进行比较地示意性示出的图。其中，载置台11A和载置台11B的构造以外的条件相同。在载置台11A的情况下，使用规定的介质，能够在温度T1～T2(例如T1＝110℃、T2＝-30℃)的温度范围中进行温度调节。与此相对，在载置台11B的情况下，使用相同介质时，通过使加热器61工作和/或使珀耳帖元件62作为加热元件工作，能够使温度可调节的上限温度从温度T1上升到温度T3(T3＞T1，例如T3＝150℃)。此外，在载置台11B的情况下，使用相同介质时，通过使珀耳帖元件62作为冷却元件工作，能够将温度可调节的下限温度从温度T2下降到温度T4(T4＜T2，例如T4＝-40℃)。像这样，通过使用载置台11B，与使用载置台11A的情况相比，能够以简易的结构扩展温度调节范围。另外，温度T1～T4的温度是例示，并不限定本发明。
此外，在载置台11B的温度调节范围中进行温度调节的情况下，通过使加热器61工作和/或使珀耳帖元件62作为加热元件工作，与仅使用混合介质的情况相比能够提高升温速度。此外，通过使珀耳帖元件62作为冷却元件工作，与仅使用混合介质的情况相比也能够提高降温速度。
另外，在使用载置台11B的情况下，能够将载置台11B的温度设定为超过作为高温介质和低温介质使用的介质的沸点的温度，此时，有可能出现如下状况：在载置台11B内的调温流路28内，介质沸腾，产生蒸气，由此导致从介质向载置台11B的热传导性降低。但是，载置台11B由铜等热传导性良好的材料构成，因此现实中即使介质沸腾，在载置台11B的表面也不会产生给晶片W的检查带来障碍的温度分布(温度不均匀性)。
另外，载置台11B在图7B中调温流路28的上侧配置有珀耳帖元件62，但也可以例如将珀耳帖元件62配置在调温流路28之间。此外，作为载置台11B的变形例，也可以为不具备加热器61而仅具备珀耳帖元件62的结构，在此情况下，也能够将温度调节范围向高温侧和低温侧扩展。与此相反，作为载置台11B的变形例，也可以为不具备珀耳帖元件62而仅具备加热器61的结构，此时能够将温度调节范围向高温侧扩展。
以上，使用上述各实施方式说明本发明，但本发明并不限定于上述各实施方式。例如，在温度调节系统25和温度调节系统46中，作为高温介质，使用了纯水、Galden、Fluorinert，在需要使用比这些介质的沸点还要高温的介质的情况下，也可以向高温介质供给路30和低温介质供给路31等所有的路径施加压力而使纯水等的沸点上升。
本申请基于2013年3月25日申请的日本申请第2013-062141号和2013年9月27日申请的日本申请第2013-201289号主张优先权，将该日本申请中记载的全部内容援引至本申请。
附图标记说明
W 晶片
10 探针台
11 载置台
14 测试头
25、46 温度调节系统
26 高温冷机
27 低温冷机
28 调温流路
29 混合阀单元
47 第二分支点
48 循环路径
49 合流点
50 压送泵
61 加热器
62 珀耳帖元件

Claims (13)

1.一种基板检查装置，其包括：载置形成有半导体器件的基板的载置台；对所述被载置的基板的所述半导体器件的电特性进行检查的检查部；调节所述载置台的温度的温度调节部；和通过所述载置台的介质流路，所述基板检查装置的特征在于：
所述温度调节部包括：
向所述介质流路供给高温介质的高温介质供给部；
向所述介质流路供给低温介质的低温介质供给部；和
将向所述介质流路供给的所述高温介质和所述低温介质混合的介质混合部，
所述介质流路在所述载置台的下游分支为第一回流路和第二回流路，所述第一回流路与所述高温介质供给部连接，所述第二回流路与所述低温介质供给部连接，
在所述介质流路和所述第一回流路之间具有高温介质分流阀，所述高温介质分流阀使所述高温介质向所述介质流路和所述第一回流路分流，
在所述介质流路和所述第二回流路之间具有低温介质分流阀，所述低温介质分流阀使所述低温介质向所述介质流路和所述第二回流路分流。
2.如权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于：
所述介质混合部包括：控制所述高温介质的流量的第一控制阀；和控制所述低温介质的流量的第二控制阀，在将所述高温介质和所述低温介质混合之前，所述第一控制阀控制所述高温介质的流量，并且所述第二控制阀控制所述低温介质的流量。
3.如权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于：
所述介质流路具有在所述载置台的下游分支到循环路径的分支点，
所述循环路径在所述介质混合部与所述载置台之间的合流点连接到所述介质流路，还包括从所述分支点向所述合流点压送混合后的所述高温介质和所述低温介质的泵。
4.如权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于：
所述基板为圆板状的半导体晶片，所述基板的直径为300mm以上。
5.如权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于：
所述高温介质的温度为20℃～180℃，所述低温介质的温度为-100℃～60℃。
6.如权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于：
还包括在所述介质混合部和所述载置台之间配置于所述介质流路的温度传感器。
7.如权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于：
还包括配置于所述载置台的温度传感器。
8.如权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于：
还包括配置于所述载置台的加热器和珀耳帖元件中的一者或两者。
9.一种用于基板检查装置的基板温度调节方法，该基板检查装置包括：载置形成有半导体器件的基板的载置台；对所述被载置的基板的所述半导体器件的电特性进行检查的检查部；调节所述载置台的温度的温度调节部；和通过所述载置台的介质流路，所述基板温度调节方法的特征在于：
所述温度调节部包括：向所述介质流路供给高温介质的高温介质供给部；和向所述介质流路供给低温介质的低温介质供给部，
所述介质流路在所述载置台的下游分支为第一回流路和第二回流路，
将所述高温介质和所述低温介质混合而供给至所述介质流路，
使混合后的介质在所述载置台的下游分支，由所述第一回流路返回到所述高温介质供给部，由所述第二回流路返回到所述低温介质供给部，
在所述介质流路和所述第一回流路之间具有高温介质分流阀，所述高温介质分流阀使所述高温介质向所述介质流路和所述第一回流路分流，
在所述介质流路和所述第二回流路之间具有低温介质分流阀，所述低温介质分流阀使所述低温介质向所述介质流路和所述第二回流路分流。
10.如权利要求9所述的基板温度调节方法，其特征在于：
在将所述高温介质和所述低温介质混合之前，控制所述高温介质的流量，并且控制所述低温介质的流量。
11.如权利要求9所述的基板温度调节方法，其特征在于：
所述介质流路在所述载置台的下游的分支点之间分支到循环路径，所述循环路径在所述载置台的上游的合流点连接到所述介质流路，
在所述合流点和所述分支点之间的所述介质流路以及所述循环路径中使混合后的所述高温介质和所述低温介质循环。
12.如权利要求9所述的基板温度调节方法，其特征在于：
所述温度调节部包括配置于所述载置台的加热器，
通过使所述加热器工作，来提高所述载置台的温度调节范围的上限值。
13.如权利要求9所述的基板温度调节方法，其特征在于：
所述温度调节部还包括配置于所述载置台的珀耳帖元件，
通过使所述珀耳帖元件作为加热元件工作，来提高所述载置台的温度调节范围的上限值，通过使所述珀耳帖元件作为冷却元件工作，来降低所述载置台的所述温度调节范围的下限值。
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