WO2022244530A1 - 基板処理システム - Google Patents

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WO2022244530A1
WO2022244530A1 PCT/JP2022/016609 JP2022016609W WO2022244530A1 WO 2022244530 A1 WO2022244530 A1 WO 2022244530A1 JP 2022016609 W JP2022016609 W JP 2022016609W WO 2022244530 A1 WO2022244530 A1 WO 2022244530A1
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WO
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liquid
substrate processing
substrate
cooling
processing system
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PCT/JP2022/016609
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French (fr)
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弘明 ▲高▼橋
泰利 奥野
賢治 天久
知啓 榑林
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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Publication date
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate processing system.
  • the temperature control device includes a heating-side circulation pipe that passes through a load, a cooling-side circulation pipe that passes through a load, and a heat pump.
  • a heat pump includes a heat generating core (heat exchanger) and an endothermic core (heat exchanger). The heat-generating core heats the liquid flowing through the heating-side circulation pipe, and the heat-absorbing core cools the liquid flowing through the cooling-side circulation pipe.
  • the liquid heated by the heat-generating core flows through the heating-side circulation pipe to heat the load to be heated, and the liquid cooled by the heat-absorbing core flows through the cooling-side circulation pipe to cool the load to be cooled.
  • Patent Documents 2 to 5 are also posted as technologies related to the present disclosure.
  • Patent Document 1 the object to be heated is heated by heat transfer from the heating core to the liquid and heat transfer from the liquid to the object to be heated. Therefore, when the processing liquid supplied to the substrate at the load is used as the object to be heated, heat is transferred from the heating core to the processing liquid (liquid) via the liquid, which is inefficient.
  • Patent Document 1 the liquid circulates in the circulation pipe on the heating side, so the total amount of liquid in the circulation pipe is constant. If part of the liquid in the circulation pipe is supplied to the substrate under load and then discharged to the outside, the amount of liquid in the circulation pipe will decrease by the amount supplied to the substrate, which may lead to a shortage of liquid. . In this case, eventually the liquid cannot be properly supplied to the substrate.
  • an object of the present disclosure is to provide a substrate processing system capable of more appropriately supplying a processing liquid heated with higher efficiency to a substrate processing apparatus.
  • a first aspect of a substrate processing system includes one or more substrate processing apparatuses for supplying a processing liquid to a substrate to process the substrate, a heat pump device for heating the processing liquid, and the processing liquid from the heat pump device. a heating circuit returning to the heat pump device; a processing liquid supply channel branching from the heating circuit and supplying the processing liquid to the substrate processing apparatus; and a processing liquid replenishing path for replenishing the processing liquid.
  • a second aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to the first aspect, further comprising a heater for heating the processing liquid flowing through the processing liquid supply path.
  • a third aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to the second aspect, wherein the heater includes a heat pump.
  • a fourth aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to the second or third aspect, further comprising a control unit that receives information about the substrate and causes the heater to start heating operation.
  • a fifth aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to any one of the first to fourth aspects, wherein the heat pump device is connected to the heating circuit and formed of a thermally conductive resin.
  • the substrate processing system further comprises a coolant concentration sensor for measuring the concentration of coolant in the heating circuit.
  • a sixth aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to any one of the first to fifth aspects, comprising: a discharge path through which waste liquid from the substrate processing apparatus flows; and a heat-retaining part for keeping the heating circuit warm with the waste liquid.
  • a seventh aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to any one of the first to sixth aspects, comprising: a cooling circuit for returning cooling liquid cooled by the heat pump device to the heat pump device; a cooling liquid supply path branching from the cooling circuit and supplying the cooling liquid to the substrate processing apparatus; and a cooling circuit upstream of the cooling liquid supply path and downstream of the heat pump device. and a cooling unit for cooling the cooling liquid flowing through.
  • An eighth aspect of the substrate processing system is the substrate processing system according to the seventh aspect, comprising: a discharge passage through which waste liquid from the substrate processing apparatus flows; and a waste liquid cooling unit for cooling the waste liquid in the channel.
  • the heat pump device heats the processing liquid
  • the processing liquid can be heated with higher efficiency, and the processing liquid can be supplied to the substrate processing apparatus.
  • the processing liquid replenishing path is connected to the heating circulation path, shortage of the processing liquid can be suppressed.
  • the processing liquid heated with high efficiency can be appropriately supplied to the substrate processing apparatus.
  • the heater can heat the processing liquid at a position closer to the substrate processing apparatus than the heat pump device, so that the processing liquid whose temperature is adjusted with higher accuracy can be supplied to the substrate processing apparatus.
  • the efficiency of the substrate processing system can be further improved.
  • the processing liquid supply path can be preheated.
  • the coolant concentration in the processing liquid can be monitored.
  • the heat of the waste liquid can be effectively used, so the efficiency of the substrate processing system can be further improved.
  • the energy of the heat pump device can be effectively used to cool the coolant supplied to the substrate processing device. Moreover, since a cooling unit separate from the heat pump device is also provided, the coolant can be cooled independently of the heat pump device. Therefore, it is possible to widen the adjustment range of the temperature of the coolant.
  • the temperature of the waste liquid can be quickly lowered.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a configuration of a substrate processing system according to a first embodiment
  • FIG. It is a figure which shows roughly an example of a structure of a substrate processing apparatus. It is a figure which shows roughly an example of a structure of the substrate processing system concerning a modification.
  • 4 is a flow chart showing an example of heater start control. It is a figure which shows roughly an example of a structure of the heater concerning 2nd Embodiment. It is a figure which shows roughly an example of a structure of the substrate processing system concerning 2nd Embodiment. 4 is a flow chart showing an example of monitoring control of the refrigerant concentration in the treatment liquid; It is a figure which shows roughly an example of a structure of the substrate processing system concerning 3rd Embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram schematically showing another example of the configuration of the drained liquid cooling unit
  • Shapes having unevenness or chamfering are also represented.
  • the terms “comprise”, “comprise”, “comprise”, “include” or “have” an element are not exclusive expressions that exclude the presence of other elements.
  • the phrase “at least one of A, B and C” includes only A, only B, only C, any two of A, B and C, and all of A, B and C.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of the configuration of a substrate processing system 100.
  • the substrate processing system 100 includes at least one substrate processing apparatus 10 , a heat pump device 20 , a heating circuit 30 , a processing liquid supply line 31 and a processing liquid replenisher 60 .
  • the substrate processing apparatus 10 is an apparatus that processes substrates W, as will be described in detail later.
  • Substrates W include various substrates such as, for example, semiconductor substrates, substrates for displays, substrates for photomasks, and substrates for magnetic or optical disks.
  • a substrate processing system 100 is provided with a plurality of substrate processing apparatuses 10 .
  • a substrate processing apparatus 10A and a substrate processing apparatus 10B are shown as examples of the substrate processing apparatus 10. As shown in FIG.
  • the substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10B supply processing liquid to the substrates W and process the substrates W as described later.
  • the heat pump device 20 is a device that heats the processing liquid flowing through the heating circuit 30 .
  • the heating circuit 30 is a flow path through which the processing liquid heated by the heat pump device 20 flows again toward the heat pump device 20 . That is, the heating circulation path 30 is a circulation path for returning the treatment liquid from the heat pump device 20 to the heat pump device 20 again.
  • the heat pump device 20 includes a refrigerant circuit 21 , a heat exchanger 22 for heating, a heat exchanger 23 for cooling, a compressor 24 and an expansion valve 25 .
  • the coolant circulation path 21 is a channel for circulating coolant, which is mainly configured by piping.
  • the refrigerant is for example a carbon dioxide refrigerant or an ammonia refrigerant.
  • a heat exchanger 22 , a heat exchanger 23 , a compressor 24 and an expansion valve 25 are provided in the refrigerant circuit 21 .
  • the compressor 24 includes a suction port and a discharge port, compresses the low-temperature, low-pressure refrigerant sucked from the suction port, and discharges the compressed high-temperature, high-pressure refrigerant from the discharge port. High-temperature, high-pressure refrigerant from the compressor 24 flows through the refrigerant circuit 21 toward the heat exchanger 22 and enters the heat exchanger 22 .
  • the heat exchanger 22 exchanges heat between the refrigerant and the processing liquid.
  • the heat exchanger 22 is formed with a refrigerant flow path 221 through which a refrigerant flows and a treatment liquid flow path 222 through which a treatment liquid flows.
  • the upstream end of the processing liquid channel 222 is connected to the downstream end of the heating circuit 30
  • the downstream end of the processing liquid channel 222 is connected to the upstream end of the heating circuit 30 .
  • the heating circuit 30 is mainly configured by piping.
  • a pump (not shown) may be provided in the heating circuit 30 .
  • a pump delivers the processing liquid in the heating circuit 30 .
  • the processing liquid flows and circulates through the heating circulation path 30 and the processing liquid flow path 222 .
  • the processing liquid is not particularly limited, it is, for example, pure water.
  • the heat exchanger 22 exchanges heat between the refrigerant flowing through the refrigerant channel 221 and the processing liquid flowing through the processing liquid channel 222 . Specifically, in the heat exchanger 22, heat is transferred from the high-temperature, high-pressure refrigerant to the treatment liquid. As a result, the coolant is cooled and liquefied, while the treatment liquid is heated.
  • a part of the processing liquid heated by the heat pump device 20 passes through the processing liquid supply path 31 branched from the heating circulation path 30 as described later, and flows into each substrate processing apparatus 10 (specifically, the substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10A). It is supplied to the processing device 10B).
  • the refrigerant from the heat exchanger 22 flows through the refrigerant circuit 21 toward the expansion valve 25 .
  • the refrigerant expands in expansion valve 25 .
  • the low-temperature, low-pressure refrigerant after expansion flows through the refrigerant circuit 21 toward the heat exchanger 23 and flows into the heat exchanger 23 .
  • a refrigerant channel 231 through which the refrigerant flows is formed in the heat exchanger 23 .
  • a cooling liquid flow path 232 through which cooling liquid flows is also formed in the heat exchanger 23 .
  • the upstream end of the cooling fluid channel 232 is connected to the downstream end of the cooling circuit 40
  • the downstream end of the cooling fluid channel 232 is connected to the upstream end of the cooling circuit 40 .
  • the cooling circuit 40 is a flow path through which the coolant cooled by the heat pump device 20 flows again toward the heat pump device 20 . That is, the cooling circuit 40 is a circulation channel for returning the coolant from the heat pump device 20 to the heat pump device 20 again.
  • the cooling circuit 40 is mainly composed of piping.
  • a pump (not shown) may be provided in the cooling circuit 40 .
  • the pump delivers coolant in the cooling circuit 40 .
  • the coolant flows and circulates through the cooling circuit 40 and the coolant channel 232 .
  • the coolant is not particularly limited, it is, for example, pure water.
  • the heat exchanger 23 exchanges heat between the refrigerant flowing through the refrigerant channel 231 and the coolant flowing through the coolant channel 232 . Specifically, in the heat exchanger 23, heat is transferred from the coolant to the refrigerant. As a result, the refrigerant is heated and vaporized, while the coolant is cooled.
  • the amount of heat transferred from the cooling liquid to the refrigerant in the heat exchanger 23 is ideally equal to the amount of heat transferred from the refrigerant to the treatment liquid in the heat exchanger 22 .
  • part of the cooling liquid cooled by the heat pump device 20 passes through the cooling liquid supply path 41 branched from the cooling circuit 40 as will be described later. (substrate processing apparatus 10C and substrate processing apparatus 10D).
  • the heat exchangers 22 and 23 are made of, for example, thermally conductive resin.
  • the thermally conductive resin for example, a resin such as polypropylene or polyethylene can be used.
  • the thermal conductivity of the materials forming the heat exchangers 22 and 23 is, for example, the refrigerant circuit 21, the heating circuit 30, the cooling circuit 40, the processing liquid supply channel 31, and the cooling liquid supply channel 41 (described later). and a cooling liquid return path 42 (described later).
  • the processing liquid supply channel 31 is a channel branched from the heating circulation channel 30 .
  • the processing liquid flows through the processing liquid supply path 31 from the heating circulation path 30 toward the substrate processing apparatus 10 .
  • the processing liquid supply path 31 is a flow path for supplying the processing liquid to the substrate processing apparatus 10 .
  • the processing liquid supply path 31 is mainly constituted by piping, and connects the heating circulation path 30 and the substrate processing apparatus 10 .
  • the processing liquid supply paths 31 are provided in a one-to-one correspondence with a plurality of substrate processing apparatuses 10 to which the processing liquid is to be supplied. A part of the processing liquid in the heating circulation path 30 is supplied to the substrate processing apparatus 10 through each processing liquid supply path 31 .
  • the processing liquid supplied to the substrate processing apparatus 10 is discharged to the outside through the discharge path 118, as will be detailed later. Since the processing liquid is discharged to the outside in this manner, the circulation amount of the processing liquid flowing through the heating circulation path 30 is reduced by the amount supplied to the substrate processing apparatus 10 . Therefore, in the present embodiment, the treatment liquid replenishing section 60 is provided.
  • the processing liquid replenishing unit 60 supplies the processing liquid to the heating circuit 30 . Thereby, the processing liquid is replenished in the heating circuit 30 .
  • the processing liquid replenishment section 60 includes a processing liquid replenishment path 61 and a replenishment tank 62 .
  • the processing liquid replenishing path 61 is mainly composed of a pipe, and its downstream end is connected to the heating circulation path 30 .
  • the downstream end of the processing liquid replenishing path 61 is connected to the heating circuit 30 upstream of the heat exchanger 22 and downstream of all the upstream ends of the processing liquid supply path 31. .
  • An upstream end of the processing liquid replenishment path 61 is connected to a replenishment tank 62 .
  • a replenishment tank 62 stores the processing liquid.
  • the processing liquid from the replenishment tank 62 is supplied to the heating circuit 30 through the processing liquid replenishment path 61 .
  • the treatment liquid is heated in the heat exchanger 22.
  • the temperature of the processing liquid is, for example, about 60°C to 70°C.
  • a portion of the processing liquid after heating flows from the heating circulation path 30 into the processing liquid supply path 31 and is supplied to each substrate processing apparatus 10 through the processing liquid supply path 31 .
  • the remaining portion of the processing liquid flows downstream through the heating circuit 30 as it is.
  • the processing liquid replenishing unit 60 supplies, for example, a room temperature processing liquid to the heating circuit 30 . Therefore, the temperature of the processing liquid is lowered on the downstream side of the confluence point of the heating circulation path 30 and the processing liquid replenishing path 61 . For example, the temperature of the treatment liquid is lowered to about 30.degree. Then, this low-temperature processing liquid flows into the heat exchanger 22, where it is heated again to about 60.degree. C. to 70.degree.
  • a cooling liquid supply path 41 and a cooling liquid return path 42 are provided between the cooling circulation path 40 and each substrate processing apparatus 10 (specifically, the substrate processing apparatus 10C and the substrate processing apparatus 10D).
  • the coolant supply path 41 is mainly composed of a pipe, the upstream end of which is connected to the cooling circulation path 40 , and the downstream end of the coolant supply path 41 is connected to the substrate processing apparatus 10 .
  • the cooling liquid return path 42 is mainly configured by piping, the downstream end of which is connected to the cooling circulation path 40 , and the upstream end of the cooling liquid return path 42 is connected to the substrate processing apparatus 10 .
  • a pair of cooling liquid supply path 41 and cooling liquid return path 42 is provided corresponding to each substrate processing apparatus 10 to which the cooling liquid is supplied (for example, substrate processing apparatus 10C and substrate processing apparatus 10D). ing.
  • a part of the cooling liquid in the cooling circulation path 40 is supplied to the substrate processing apparatus 10 through the cooling liquid supply path 41 .
  • This cooling liquid is used for cooling equipment (components) in the substrate processing apparatus 10 as described later. That is, the coolant receives heat from the component, thereby cooling the component. After cooling the component, the coolant returns to the cooling circuit 40 again through the coolant return path 42 .
  • the cooling circuit 40 is provided with a cooling section 48 .
  • the cooling unit 48 is provided in the cooling circuit 40 upstream of the upstream ends of all the cooling liquid supply paths 41 and downstream of the heat exchanger 23 .
  • the cooling unit 48 cools the coolant flowing through the cooling circuit 40 .
  • the cooling unit 48 is, for example, a cooling water circulation device (so-called chiller).
  • the coolant is cooled in the heat exchanger 23.
  • the temperature of the coolant is, for example, about 20.degree.
  • the coolant flows through the cooling circuit 40 from the heat exchanger 23 towards the cooling section 48 and enters the cooling section 48 .
  • the cooling unit 48 cools the coolant so that the temperature of the coolant reaches a temperature suitable for cooling the equipment of the substrate processing apparatus 10 .
  • the cooling liquid cooled by the cooling unit 48 is supplied from the cooling circuit 40 to each substrate processing apparatus 10 through each cooling liquid supply path 41 to cool the equipment of each substrate processing apparatus 10 and then through each cooling liquid return path 42 . Return to circuit 40 .
  • the coolant then flows through the cooling circuit 40 towards the heat exchanger 23 and into the heat exchanger 23 .
  • the temperature of the coolant is, for example, about 30.degree.
  • the coolant is cooled again to, for example, about 20° C. in the heat exchanger 23 .
  • the substrate processing system 100 also includes a controller 90 .
  • the controller 90 controls various components of the substrate processing system 100 .
  • the control section 90 includes an arithmetic processing section 91 and a storage medium 92 .
  • the arithmetic processing unit 91 is a processing unit such as a CPU (Central Processing Unit) that performs various kinds of arithmetic processing.
  • the storage medium 92 includes, for example, a temporary storage medium such as ROM (Read Only Memory), which is a read-only memory for storing basic programs, and a RAM (Random Access Memory), which is a readable and writable memory for storing various information. and a non-temporary storage medium such as a magnetic disk for storing control software or data.
  • control unit 90 Operation mechanisms of the substrate processing system 100 are controlled by the control unit 90 by the arithmetic processing unit 91 of the control unit 90 executing a predetermined processing program, and processing in the substrate processing system 100 proceeds.
  • control unit 90 may be implemented by a dedicated hardware circuit that does not require software to implement its functions.
  • each configuration of the substrate processing apparatus 10 and the heat pump apparatus 20 is provided with the control unit 90, and these communicate with each other to control the substrate.
  • the processing system 100 may be controlled.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the substrate processing apparatus 10.
  • the substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10B to which the processing liquid is supplied are the processing apparatuses that supply the processing liquid to the substrate W, and the substrate processing apparatus to which the cooling liquid is supplied.
  • a processing apparatus for performing heat treatment on a substrate W is shown as an apparatus 10C and a substrate processing apparatus 10D.
  • Each of the substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10B includes one or more processing units 11, and multiple processing units 11 are shown in the example of FIG.
  • each processing unit 11 includes a chamber 111, a substrate holder 112, a nozzle 114, a nozzle 115 and a guard .
  • the substrate holding part 112 is provided inside the chamber 111 and holds the substrate W in a horizontal posture.
  • the horizontal posture referred to here is a posture in which the thickness direction of the substrate W is along the vertical direction.
  • the substrate W is transferred into the chamber 111 by a substrate transfer section (not shown) and transferred to the substrate holding section 112 .
  • the substrate holder 112 includes multiple chuck pins 113 .
  • Each of the plurality of chuck pins 113 is provided so as to be displaceable between a chuck position in contact with the peripheral edge of the substrate W and a release position away from the peripheral edge of the substrate W.
  • the plurality of chuck pins 113 hold the substrate W when the plurality of chuck pins 113 move to their respective chuck positions. When the plurality of chuck pins 113 move to their release positions, the substrate W is released from being held.
  • the substrate holder 112 also includes a motor (not shown) that rotates the substrate W around the rotation axis Q1.
  • the rotation axis Q1 is an axis that passes through the center of the substrate W and extends in the vertical direction.
  • Such a substrate holder 112 can also be called a spin chuck.
  • a nozzle 114 is provided in the chamber 111 and used to supply the processing liquid to the upper surface of the substrate W.
  • a nozzle 115 is provided in the chamber 111 and used to supply the processing liquid to the lower surface of the substrate W.
  • FIG. The nozzle 114 is provided vertically above the upper surface of the substrate W, and the nozzle 115 is provided below the lower surface of the substrate W vertically.
  • the nozzle 114 discharges the processing liquid toward the upper surface of the substrate W, and the nozzle 115 discharges the processing liquid toward the lower surface of the substrate W.
  • the nozzles 114 and 115 are connected to the processing liquid supply path 31 .
  • the processing liquid supply path 31 includes a supply path 31a, a supply path 31b, a supply path 31c, and a supply path 31d.
  • the upstream end of the supply channel 31 a corresponds to the upstream end of the processing liquid supply channel 31 and is connected to the heating circulation channel 30 .
  • the supply path 31a is connected to upstream ends of a plurality of supply paths 31b provided corresponding to the plurality of processing units 11, respectively.
  • the downstream end of each supply channel 31b is connected to the upstream ends of the supply channels 31c and 31d.
  • the downstream end of supply path 31 c is connected to nozzle 114
  • the downstream end of supply path 31 d is connected to nozzle 115 .
  • a valve 32 is provided in the supply path 31c. By opening the valve 32 , the processing liquid is supplied from the heating circulation path 30 to the nozzle 114 through the supply paths 31 a , 31 b , and 31 c , and discharged onto the upper surface of the substrate W from the nozzle 114 . By closing the valve 32, the ejection of the treatment liquid from the nozzle 114 is stopped.
  • a valve 33 is provided in the supply path 31d. By opening the valve 33 , the processing liquid is supplied from the heating circulation path 30 to the nozzle 115 through the supply paths 31 a , 31 b , and 31 d , and is discharged onto the lower surface of the substrate W from the nozzle 115 . By closing the valve 33, the ejection of the processing liquid from the nozzle 115 is stopped.
  • a heater 34 is provided in the supply path 31b.
  • the heater 34 heats the processing liquid flowing through the processing liquid supply path 31 (specifically, the supply path 31b).
  • the heater 34 heats the processing liquid so that the temperature of the processing liquid that lands on the substrate W is within a predetermined temperature range including a predetermined process temperature.
  • the heater 34 may be of various types, such as an electrical resistance heater.
  • the heater 34 raises the temperature of the processing liquid by, for example, a value greater than or equal to 10° C. and less than or equal to 20° C. to adjust the temperature of the processing liquid to the process temperature.
  • the valve 32 is opened to discharge the high-temperature processing liquid from the nozzle 114 onto the upper surface of the substrate W during rotation.
  • the processing liquid that has landed on the upper surface of the substrate W receives centrifugal force due to the rotation, spreads over the upper surface of the substrate W, and scatters outward from the peripheral edge of the substrate W. FIG. Thereby, the upper surface of the substrate W can be processed.
  • the valve 33 is opened, whereby the high-temperature processing liquid is discharged from the nozzle 115 onto the lower surface of the substrate W during rotation.
  • the processing liquid that has landed on the bottom surface of the substrate W receives centrifugal force due to the rotation, spreads over the bottom surface of the substrate W, and scatters outward from the peripheral edge of the substrate W. FIG. Thereby, the lower surface of the substrate W can be processed with the processing liquid.
  • the guard 116 has a tubular shape surrounding the substrate holding part 112 and receives the processing liquid scattered from the periphery of the substrate W.
  • the processing liquid received by the inner peripheral surface of the guard 116 flows down along the inner peripheral surface and is received by the cup 117 .
  • An upstream end of a discharge path 118 is connected to the cup 117 , and the treatment liquid is discharged to the outside through the discharge path 118 .
  • the discharge path 118 is mainly configured by piping.
  • the substrate processing apparatus 10C and the substrate processing apparatus 10D each include a thermal processing unit 12.
  • the thermal processing unit 12 includes a chamber 121, a substrate holder 122, and a heater 123.
  • the substrate holding part 122 is provided inside the chamber 121 and holds the substrate W in a horizontal posture.
  • the substrate holding part 122 includes a support base that supports the peripheral edge of the lower surface of the substrate W, for example.
  • the substrate W is transferred into the chamber 121 by a substrate transfer section (not shown) and transferred to the substrate holding section 122 .
  • a heater 123 is provided in the chamber 121 and heats the substrate W held by the substrate holding part 122 . Thereby, the substrate W can be heat-treated. Moreover, the temperature of the chamber 121 also rises secondarily due to this heat treatment.
  • the downstream end of the coolant supply path 41 is connected to the upstream end of the cooling path 43
  • the downstream end of the cooling path 43 is connected to the upstream end of the coolant return path 42 .
  • the cooling path 43 is mainly composed of piping and arranged so as to surround the chamber 121 .
  • the cooling path 43 is provided along the outer wall of the chamber 121 .
  • the cooling path 43 may be embedded in the side wall of the chamber 121 or may be provided along the inner wall of the chamber 121 .
  • the processing liquid from the cooling circulation path 40 flows through the cooling liquid supply path 41, the cooling path 43, and the cooling liquid return path 42 in this order, and returns to the cooling circulation path 40 again. According to this, heat is transferred from the high-temperature chamber 121 to the low-temperature cooling liquid in the cooling path 43, so that the chamber 121 can be cooled. Therefore, a material with low heat resistance can be used as the material of the chamber 121 . In other words, it is not necessary to employ a material with high heat resistance, and the material selectivity of the chamber 121 can be improved.
  • the chamber 121 is shown as an object to be cooled in the example of FIG. 2, it is not necessarily limited to this. Any component that constitutes the substrate processing apparatus 10 can be employed as a cooling target.
  • the heat pump device 20 heats the processing liquid. Since the heat pump device 20 can heat the processing liquid with high thermal efficiency, the efficiency of the substrate processing system 100 can be improved.
  • the heating circuit 30 is provided. According to this, part of the processing liquid heated by the heat exchanger 22 can flow into the heat exchanger 22 again, so that the temperature of the processing liquid flowing through the heating circuit 30 can be adjusted with higher accuracy. can be done.
  • the processing liquid supplied to the substrate processing apparatus 10 does not return to the heating circuit 30 and is discharged to the outside through the discharge path 118 .
  • Supply liquid Therefore, it is possible to compensate for a decrease in the circulation amount of the processing liquid in the heating circulation path 30 due to the supply of the processing liquid to the substrate processing apparatus 10 . Therefore, it is possible to continue to appropriately supply the processing liquid to the substrate processing apparatus 10 .
  • the heaters 34 are provided corresponding to the individual processing units 11 of the substrate processing apparatus 10 . That is, the heater 34 is provided at a position closer to the nozzles 114 and 115 of each substrate processing apparatus 10 than the heat pump device 20 is. Therefore, the temperature of the processing liquid discharged from the nozzles 114 or 115 can be adjusted to the process temperature with higher accuracy by the heater 34 . Therefore, the substrate W can be processed more appropriately.
  • heat conductive resins such as polypropylene and polyethylene are used as the material of the heat exchanger 22 . Since such a resin is formed with high purity, even if the processing liquid passes through the processing liquid flow path 222 of the heat exchanger 22, almost no impurities are eluted from the heat exchanger 22 into the processing liquid. Therefore, the substrate processing apparatus 10 can process the substrate W with a clean processing liquid.
  • the entire heat exchanger 22 does not necessarily have to be made of the resin, and only the portion forming the treatment liquid flow path 222 may be made of the resin.
  • the refrigerant may enter the processing liquid flow path 222 from the refrigerant flow path 221 in the heat exchanger 22 .
  • a carbon dioxide refrigerant or an ammonia refrigerant is adopted as the refrigerant. Even if carbon dioxide or ammonia is mixed into the processing liquid, they hardly affect the processing of the substrate W. FIG. Therefore, even if the processing liquid contains the coolant, the substrate W can be processed more appropriately than other coolants.
  • the cooling liquid which is the cooling target of the heat pump device 20 is used to cool the equipment of the substrate processing apparatuses 10C and 10D. According to this, the energy on the cooling side of the heat pump device 20 can also be used, so the efficiency of the substrate processing system 100 can be further improved.
  • the amount of heat transferred from the refrigerant to the treatment liquid and the amount of heat transferred from the cooling liquid to the refrigerant are substantially equal.
  • a cooling section 48 is also provided. Therefore, the cooling unit 48 can adjust the temperature of the cooling liquid independently of the temperature of the processing liquid immediately after the heat exchanger 22 . Therefore, the adjustment range of the temperature of the coolant supplied to the substrate processing apparatus 10 can be widened.
  • the cooling section 48 is provided in the cooling circuit 40 .
  • the coolant cooled by the cooling unit 48 is supplied to the substrate processing apparatuses 10C and 10D through the respective coolant supply paths 41 . Since the length of the cooling liquid supply path 41 can be different between the substrate processing apparatuses 10C and 10D, the temperature of the cooling liquid can vary between the substrate processing apparatuses 10C and 10D. Therefore, the temperature of the object to be cooled (for example, the chamber 121) may vary between the substrate processing apparatuses 10C and 10D. However, the temperature of the object to be cooled has little effect on the processing of the substrate W compared to the temperature of the processing liquid. Therefore, even if the temperature of the cooling liquid varies, there is no problem in processing the substrate W. FIG.
  • the cooling unit 48 is provided in the cooling circuit 40. Therefore, the configuration of the substrate processing system 100 is reduced compared to the case where the cooling unit 48 is provided individually corresponding to the substrate processing apparatus 10C and the substrate processing apparatus 10D. can be simplified, and manufacturing costs can be reduced.
  • the cooling liquid is supplied to substrate processing apparatuses 10 (substrate processing apparatus 10C and substrate processing apparatus 10B) different from the substrate processing apparatuses 10 (substrate processing apparatus 10A and substrate processing apparatus 10B) to which the high-temperature processing liquid is supplied. 10D).
  • substrate processing apparatuses 10 substrate processing apparatus 10C and substrate processing apparatus 10B
  • the substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10B are provided with equipment that requires cooling
  • cooling liquid may be supplied to the substrate processing apparatus 10A and the substrate processing apparatus 10B.
  • the cooling path 43 may be routed appropriately along the equipment to be cooled.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing an example of part of the configuration of the substrate processing system 100.
  • the cooling circuit 40 is connected to the upstream end of a coolant supply path 44 .
  • the coolant supply path 44 is also mainly configured by piping.
  • the cooling liquid is supplied to the substrate processing apparatus 10 through the cooling liquid supply path 44 .
  • substrate processing apparatus 10 further includes nozzle 1141 .
  • the nozzle 1141 discharges the cooling liquid onto the upper surface of the substrate W.
  • the coolant is, for example, pure water.
  • the coolant supply path 44 includes a supply path 44a, a supply path 44b, a supply path 44c, and a supply path 44d.
  • the upstream end of the supply path 44 a corresponds to the upstream end of the coolant supply path 44 and is connected to the cooling circuit 40 .
  • the supply path 44 a is connected to upstream ends of a plurality of supply paths 44 b provided corresponding to the plurality of processing units 11 .
  • the downstream end of each supply channel 44b is connected to the upstream ends of the supply channels 44c and 44d.
  • the downstream end of the supply channel 44c is connected to the nozzle 1141, and the downstream end of the supply channel 44d is connected to the nozzle 115. As shown in FIG.
  • a valve 45 is provided in the supply path 44c. By opening the valve 45 , the cooling liquid is supplied from the cooling circuit 40 to the nozzle 1141 through the supply paths 44 a , 44 b and 44 c , and discharged onto the upper surface of the substrate W from the nozzle 1141 . Closing the valve 45 stops the discharge of the coolant from the nozzle 1141 .
  • a valve 46 is provided in the supply path 44d.
  • the valve 46 When the valve 46 is opened, the cooling liquid is supplied from the cooling circuit 40 to the nozzle 115 through the supply paths 44a, 44b, and 44d, and the cooling liquid is discharged from the nozzle 115 onto the lower surface of the substrate W.
  • FIG. By closing the valve 46, the ejection of the treatment liquid from the nozzle 115 is stopped.
  • the substrate processing system 100 is provided with the cooling liquid replenishment unit 65 .
  • the coolant replenisher 65 supplies the coolant to the cooling circuit 40 .
  • the coolant replenishment section 65 includes a coolant replenishment path 66 and a replenishment tank 67 .
  • the coolant replenishing path 66 is mainly composed of piping, and its downstream end is connected to the cooling circuit 40 .
  • the downstream end of the coolant supply path 66 is connected to the cooling circuit 40 upstream of the heat exchanger 23 and downstream of all the coolant supply paths 44 .
  • the upstream end of the coolant replenishment path 66 is connected to a replenishment tank 67 .
  • a replenishment tank 67 stores the coolant.
  • the coolant from the replenishment tank 67 is supplied to the cooling circuit 40 through the coolant replenishment path 66 . Thereby, the coolant is replenished in the cooling circuit 40 .
  • the replenishment tank 67 may be the same tank as the replenishment tank 62 when the cooling liquid is the same type of liquid as the processing liquid.
  • Each processing unit 11 performs processing by supplying a processing liquid to the loaded substrate W. As shown in FIG. Initially, the temperature of the processing liquid supply path 31 is not high. Thus, when the high-temperature processing liquid flows through the low-temperature processing liquid supply path 31, heat is transferred from the processing liquid to the processing liquid supply path 31, and the temperature of the processing liquid can be lowered. Therefore, initially, the temperature of the processing liquid may not be raised to the process temperature even by the heating operation of the heater 34 .
  • FIG. 4 is a flowchart showing an example of heater start control.
  • the control unit 90 determines whether information on the substrate W (hereinafter referred to as pre-operation information) has been received (step S1).
  • the pre-operation information includes, for example, the number of substrates W to be carried into the substrate processing apparatus 10 and various information such as a recipe indicating the procedure for processing the substrates W.
  • FIG. The pre-operation information is transmitted to the control unit 90 from, for example, a host computer or an apparatus upstream of the substrate processing apparatus 10, or input to the control unit 90 by an operator via a user interface (not shown). .
  • step S1 If the control unit 90 has not yet received the pre-operation information, the substrate processing apparatus 10 does not plan to process substrates W yet, so step S1 is executed again. On the other hand, when the control unit 90 receives the pre-operation information, the control unit 90 causes the heater 34 belonging to the substrate processing apparatus 10 to start heating operation (step S2).
  • the control unit 90 starts the heating operation of the heater 34 in response to receiving the pre-operation information.
  • the heater 34 starts the heating operation before the processing liquid is supplied to the substrate W, more specifically, before the substrate W is loaded into each processing unit 11 . Therefore, the heater 34 can preheat the processing liquid supply path 31 . Therefore, even when the supply of the processing liquid to the substrate W is started, the heater 34 can adjust the processing liquid to the process temperature with high accuracy, and the processing unit 11 can process the substrate W more appropriately. can.
  • the configuration of the substrate processing system 100 according to the second embodiment is similar to that of the first embodiment.
  • an example of the internal configuration of the heater 34 will be described.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the heater 34 according to the second embodiment.
  • heater 34 is a heat pump.
  • the heater 34 includes a refrigerant circuit 341 , a heat exchanger 342 for heating, a heat exchanger 343 for cooling, a compressor 344 and an expansion valve 345 .
  • the refrigerant circuit 341 is mainly configured by piping.
  • a coolant flows through the coolant circulation path 341 .
  • the refrigerant is a carbon dioxide refrigerant or an ammonia refrigerant.
  • a heat exchanger 342 , a heat exchanger 343 , a compressor 344 and an expansion valve 345 are provided in the refrigerant circuit 341 .
  • the heat exchanger 343 may be a heat exchanger that exchanges heat between the refrigerant and the cooling liquid, or may be a heat exchanger that exchanges heat between the refrigerant and the outside air. .
  • the heater 34 is a heat pump, it can heat the treatment liquid with high thermal efficiency. Therefore, the efficiency of the substrate processing system 100 can be further improved.
  • the third embodiment intends to provide a technology capable of monitoring the concentration of the refrigerant in the treatment liquid.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of part of the configuration of the substrate processing system 100A according to the third embodiment.
  • illustration of the configuration on the cooling target side of the heat pump device 20 is omitted in order to avoid complication of the drawing.
  • the substrate processing system 100A differs from the substrate processing system 100 in the presence or absence of the refrigerant concentration sensor 70.
  • the refrigerant concentration sensor 70 measures the refrigerant concentration in the treatment liquid flowing through the heating circuit 30 and outputs a measurement result signal indicating the measurement result to the controller 90 .
  • the refrigerant concentration sensor 70 measures the concentration of carbon dioxide dissolved in the treatment liquid.
  • ammonia is employed as the refrigerant
  • the refrigerant concentration sensor 70 measures the concentration of ammonia dissolved in the treatment liquid.
  • the refrigerant concentration sensor 70 is provided in the heating circuit 30 downstream of all the upstream ends of the processing liquid supply channel 31 and upstream of the downstream end of the processing liquid replenishment channel 61. .
  • a notification unit 93 is provided in the substrate processing system 100A.
  • the notification unit 93 notifies the worker of various information.
  • the notification unit 93 includes at least one of a display such as a liquid crystal display and a speaker.
  • the display displays various information, and the speaker outputs various information by voice.
  • the control unit 90 monitors and controls the refrigerant concentration in the treatment liquid based on the measurement result of the refrigerant concentration sensor 70 .
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of monitor control.
  • the refrigerant concentration sensor 70 measures the refrigerant concentration in the treatment liquid (step S11).
  • the refrigerant concentration sensor 70 outputs a measurement result signal indicating the measured refrigerant concentration to the controller 90 .
  • the control unit 90 determines whether or not the refrigerant concentration measured by the refrigerant concentration sensor 70 is equal to or higher than a predetermined refrigerant reference value (step S12).
  • the coolant reference value is, for example, a value that is equal to or less than the coolant concentration when the degree of adverse effect of the processing on the substrate W becomes the allowable amount.
  • step S11 is executed again.
  • control unit 90 executes at least one of notification control and stop control. Stop control is control for stopping the substrate processing system 100A. As a result, it is possible to avoid problems in the processing of the substrates W due to the mixture of the coolant into the processing liquid.
  • the notification control is control by which the control unit 90 causes the notification unit 93 to perform notification.
  • the notification unit 93 includes a display
  • the display displays information indicating that the concentration of the refrigerant is equal to or higher than the refrigerant standard value
  • the notification unit 93 includes a speaker
  • the concentration of the refrigerant is equal to or higher than the refrigerant reference value.
  • the worker can recognize that the concentration of the refrigerant in the treatment liquid is high, and can appropriately take various measures such as replacing the heat exchanger 22, for example.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of the configuration of a substrate processing system 100B according to the fourth embodiment.
  • the substrate processing system 100 ⁇ /b>B differs from the substrate processing system 100 in the presence or absence of the heat retaining section 50 .
  • a high-temperature processing liquid is supplied from the substrate processing apparatus 10 to the heat retaining section 50 through the discharge path 118 .
  • the processing liquid flowing into the discharge path 118 from the substrate processing apparatus 10 is also referred to as waste liquid.
  • the heat retaining part 50 keeps the heating circuit 30 warm by using the heat of the high-temperature waste liquid. That is, the heat retaining part 50 suppresses heat diffusion from the heating circuit 30 to the outside.
  • FIG. 9 is a diagram showing an example of specific configurations of the substrate processing apparatus 10 and the heat retaining section 50.
  • substrate processing apparatus 10 further includes nozzle 1142 .
  • the nozzle 1142 supplies the upper surface of the substrate W with a high-temperature processing liquid.
  • the nozzle 1142 is connected to the downstream end of the processing liquid supply channel 311 .
  • An upstream end of the processing liquid supply path 311 is connected to a processing liquid supply source (not shown).
  • the processing liquid supply path 311 is also mainly composed of piping.
  • the processing liquid supply source supplies hot processing liquid to the processing liquid supply path 311 .
  • the treatment liquid is, for example, SPM (sulfuric acid hydrogen peroxide solution) at about 100°C to 120°C, SC-1 (ammonia hydrogen peroxide solution) at about 75°C to 85°C, and SC at about 75°C to 85°C. -2 (hydrochloric acid and hydrogen peroxide solution).
  • a plurality of guards 116, a plurality of cups 117 and a plurality of discharge paths 118 are provided.
  • Each guard 116 has a coaxial tubular shape, and each guard 116 is provided so as to be able to move up and down.
  • Cups 117 are provided corresponding to a plurality of guards 116 and receive the processing liquid flowing down from the corresponding guards 116 .
  • the discharge paths 118 are provided corresponding to the plurality of cups 117 and discharge the processing liquid received by the corresponding cups 117 .
  • the processing liquid When the type of processing liquid is supplied to the substrate W while the guard 116 corresponding to the type of processing liquid is raised, the processing liquid scatters from the peripheral edge of the substrate W and is received by the guard 116, and the corresponding cup is discharged. 117 and discharge channel 118 . As a result, the processing liquid can be classified and discharged according to type.
  • the processing liquid discharged from the nozzle 1142 is supplied to the heat retaining section 50 through the guard 116, the cup 117 and the discharge path 118 corresponding to the processing liquid.
  • the waste liquid supplied to the heat retaining unit 50 is not limited to the high-temperature processing liquid discharged from the nozzle 1142 , and may be the high-temperature processing liquid discharged from the nozzle 114 or nozzle 115 .
  • the heat retaining section 50 includes a tank 51.
  • the tank 51 is supplied with high-temperature waste liquid from a discharge passage 118 . As a result, the waste liquid is stored in the tank 51 .
  • part of the heating circulation path 30 is immersed in the waste liquid in the tank 51.
  • the part of the heating circuit 30 is, for example, at least part of the part of the heating circuit 30 downstream of all the upstream ends of the treatment liquid supply channel 31 and upstream of the heat exchanger 22 .
  • this part of the heating circuit 30 has a U-shape and is immersed in the waste liquid in the tank 51 .
  • Another part of the heating circuit 30 extends outside the tank 51 through the top opening of the tank 51 .
  • part of the heating circuit 30 Since part of the heating circuit 30 is immersed in the high-temperature waste liquid in this manner, heat is transferred from the high-temperature waste liquid to the part of the heating circuit 30 . That is, the temperature of part of the heating circuit 30 can be raised.
  • the heating circulation path 30 is kept warm by utilizing the heat of the high-temperature waste liquid discharged to the outside through the discharge path 118 . Therefore, the heat of the waste liquid can be effectively used, and the efficiency of the substrate processing system 100B can be further improved.
  • the downstream end of the processing liquid replenishing path 61 of the processing liquid replenishing section 60 is connected to the heating circulation path 30 between the heat exchanger 22 and the heat retaining section 50 .
  • the downstream end of the processing liquid replenishment path 61 may be connected to the heating circulation path 30 upstream of the heat retaining section 50 and downstream of all the upstream ends of the processing liquid supply path 31 .
  • this processing liquid replenishing path 61 is indicated by a chain double-dashed line. In this case, a part of the heating circuit 30 immersed in the tank 51 is supplied with a lower temperature processing liquid.
  • the tank 51 is connected to the upstream end of the discharge passage 52 .
  • the discharge path 52 is mainly configured by piping.
  • a valve 53 is provided in the discharge path 52 , and when the valve 53 is opened, the liquid in the tank 51 is discharged to the outside through the discharge path 52 . Closing the valve 53 stops the drainage.
  • the heating circuit 30 is provided with a temperature sensor 54 between the heat retaining section 50 and the heat exchanger 22 .
  • the temperature sensor 54 detects the temperature of the processing liquid flowing through the heating circuit 30 and outputs a measurement result signal indicating the measurement result to the control section 90 .
  • FIG. 10 is a flow chart showing an example of emission control.
  • the temperature sensor 54 measures the temperature of the treatment liquid in the heating circuit 30 (step S21).
  • the temperature sensor 54 outputs a measurement result signal indicating the measured temperature to the control section 90 .
  • control unit 90 determines whether the temperature measured by the temperature sensor 54 is equal to or higher than a predetermined temperature reference value (step S22). When the temperature is lower than the temperature reference value, step S21 is executed again.
  • the controller 90 opens the valve 53 (step S23). As a result, the liquid in the tank 51 is discharged outside through the discharge path 52 . Therefore, the amount of waste liquid stored in the tank 51 decreases over time. Therefore, the amount of heat given to the heating circuit 30 in the heat retaining part 50 is reduced, and the temperature of the processing liquid flowing into the heat exchanger 22 of the heating circuit 30 is lowered.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of the configuration of a substrate processing system 100C according to the fifth embodiment.
  • the substrate processing system 100C differs from the substrate processing system 100B in the presence or absence of the waste liquid cooling unit 55.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of the configuration of a substrate processing system 100C according to the fifth embodiment.
  • the substrate processing system 100C differs from the substrate processing system 100B in the presence or absence of the waste liquid cooling unit 55.
  • a high-temperature waste liquid from the substrate processing apparatus 10 is supplied to the waste liquid cooling unit 55 .
  • the waste liquid cooling unit 55 cools the waste liquid in the low-temperature cooling circuit 40 .
  • the waste liquid cooling section 55 is provided downstream of the heat retaining section 50 in the flow of the waste liquid. That is, the downstream end of the discharge path 52 of the heat retaining section 50 is connected to the waste liquid cooling section 55 , and the waste liquid is supplied from the heat retaining section 50 to the waste liquid cooling section 55 through the discharge path 52 .
  • FIG. 12 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the drainage cooling unit 55.
  • the drain cooling section 55 includes a tank 56 .
  • a tank 56 is supplied with the effluent.
  • the tank 56 stores the waste liquid.
  • the waste liquid is supplied from the heat retaining part 50 to the tank 56 through the discharge path 52 .
  • heat is transferred from the waste liquid to the heating circuit 30, so the temperature of the waste liquid is also lowered. Therefore, the waste liquid whose temperature is slightly lowered is supplied to the waste liquid cooling unit 55 .
  • a part of the cooling circuit 40 is immersed in the drainage in the tank 56 .
  • the part of the cooling circuit 40 is, for example, at least one part of the cooling circuit 40 downstream of all of the coolant supply channel 41 and the coolant return channel 42 and upstream of the heat exchanger 23 . Department.
  • the cooling liquid supply path 44 is connected to the cooling circuit 40
  • the part of the cooling circuit 40 immersed in the waste liquid is, for example, the cooling liquid supply path 41, the cooling liquid return path 42, and the cooling liquid. It is at least part of the portion downstream of all of the supply passage 44 and upstream of the heat exchanger 23 .
  • that portion of the cooling circuit 40 has a U-shape and is immersed in the effluent in the tank 56 .
  • Another portion of cooling circuit 40 extends outside tank 56 through a top opening in tank 56 .
  • An upstream end of a discharge passage 57 is connected to the tank 56 .
  • the discharge path 57 is mainly configured by piping.
  • a valve 58 is provided in the discharge path 57 , and when the valve 58 is opened, the liquid in the tank 56 is discharged to the outside through the discharge path 57 . Closing the valve 58 stops the drainage.
  • the control unit 90 may open the valve 58 when the temperature of the waste liquid in the tank 56 is below the allowable temperature.
  • FIG. 13 is a diagram schematically showing another example of the configuration of the substrate processing system 100C.
  • the waste liquid cooling unit 55 cools the waste liquid in the branch passage 47 branched from the cooling circuit 40 .
  • the branch passage 47 is mainly constituted by piping, and its upstream end is connected to the cooling circuit 40 .
  • the upstream end of the branch channel 47 is connected to the cooling circuit 40 downstream of all the upstream ends of the coolant supply channel 41 and the coolant return channel 42 and upstream of the heat exchanger 23 . be done.
  • the upstream end of the branch path 47 is, for example, higher than all of the coolant supply path 41 , the coolant return path 42 and the coolant supply path 44 . It is connected to a cooling circuit 40 on the downstream side and upstream side of the heat exchanger 23 .
  • the part of the branch channel 47 has a U-shape and is immersed in the waste liquid in the tank 56 .
  • the other portion of branch 47 extends outside tank 56 through the upper opening of tank 56 .
  • a valve 471 is provided in the branch passage 47 . By opening the valve 471, part of the coolant flows from the cooling circuit 40 through the branch 47 and is discharged to the outside. Since a low-temperature cooling liquid flows through the branch passage 47, the waste liquid in the tank 56 can be cooled.
  • both the heat retaining part 50 and the drain cooling part 55 are provided, but the heat retaining part 50 may not be provided.
  • substrate processing systems 100, 100A-100C have been described in detail as above, the above description is illustrative in all aspects, and the substrate processing systems 100, 100A-100C are limited thereto. not a thing It is understood that numerous variations not illustrated can be envisioned without departing from the scope of this disclosure. Each configuration described in each of the above embodiments and modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.

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Abstract

より高い効率で加熱された処理液を適切に基板処理装置に供給できる基板処理システムを提供する。基板処理システム（１００）は１以上の基板処理装置（１０）とヒートポンプ装置（２０）と加熱循環路（３０）と処理液供給路（３１）と処理液補充路（６１）とを備える。基板処理装置（１０）は、処理液を基板に供給して基板を処理する。ヒートポンプ装置（２０）は処理液を加熱する。加熱循環路（３０）は、ヒートポンプ装置（２０）からの処理液をヒートポンプ装置（２０）に戻す。処理液供給路（３１）は加熱循環路（３０）から分岐しており、基板処理装置（１０）に処理液を供給する。処理液補充路（６１）は加熱循環路（３０）に接続され、加熱循環路（３０）に処理液を補充する。

Description

基板処理システム
　本開示は、基板処理システムに関する。
　従来から、工場内の多数の負荷を同時に温度調節するための温調装置が提供されている（例えば特許文献１）。この特許文献１では、温調装置は、負荷を経由する加熱側の循環配管と、負荷を経由する冷却側の循環配管と、ヒートポンプとを含む。ヒートポンプは発熱コア（熱交換器）と吸熱コア（熱交換器）とを含む。発熱コアは、加熱側の循環配管を流れる液体を加熱し、吸熱コアは、冷却側の循環配管を流れる液体を冷却する。
　発熱コアによって加熱された液体は加熱側の循環配管を流れて、負荷の加熱対象を加熱し、吸熱コアによって冷却された液体は冷却側の循環配管を流れて、負荷の冷却対象を冷却する。
　また、本開示に関連する技術として、特許文献２～５も掲示する。
特開２００９－２８７８６５号公報 特開２００２－２４６３５９号公報 特開平１１－８７３００号公報 特開２０２１－９９５６号公報 特開２０１５－１１３５２３号公報
　特許文献１では、発熱コアから液体への熱の移動および該液体から加熱対象への熱の移動によって、加熱対象が加熱される。よって、この加熱対象として、負荷において基板に供給する処理液を採用する場合、発熱コアから液体を経由して処理液（液体）に熱が伝達されるので、効率が悪い。
　また、特許文献１では、液体が加熱側の循環配管を循環するので、循環配管中の液体の総量は一定である。もし仮に、循環配管中の液体の一部を負荷において基板に供給し、その後、外部に排出すると、基板に供給された量だけ循環配管中の液体の量が低下し、液体の不足を招き得る。この場合、いずれ、液体を適切に基板に供給できなくなる。
　そこで、本開示は、より高い効率で加熱された処理液をより適切に基板処理装置に供給できる基板処理システムを提供することを目的とする。
　基板処理システムの第１の態様は、処理液を基板に供給して前記基板を処理する１以上の基板処理装置と、前記処理液を加熱するヒートポンプ装置と、前記ヒートポンプ装置からの前記処理液を前記ヒートポンプ装置に戻す加熱循環路と、前記加熱循環路から分岐しており、前記基板処理装置に前記処理液を供給する処理液供給路と、前記加熱循環路に接続され、前記加熱循環路に前記処理液を補充する処理液補充路とを備える。
　基板処理システムの第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理システムであって、前記処理液供給路を流れる前記処理液を加熱するヒータをさらに備える。
　基板処理システムの第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理システムであって、前記ヒータはヒートポンプを含む。
　基板処理システムの第４の態様は、第２または第３の態様にかかる基板処理システムであって、前記基板についての情報を受けて、前記ヒータに加熱動作を開始させる制御部をさらに備える。
　基板処理システムの第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理システムであって、前記ヒートポンプ装置は、前記加熱循環路に接続され、熱伝導性樹脂によって形成された熱交換器を含み、前記基板処理システムは、前記加熱循環路における冷媒の濃度を測定する冷媒濃度センサをさらに備える。
　基板処理システムの第６の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理システムであって、前記基板処理装置からの排液を流す排出路と、前記排出路から供給された前記排液で前記加熱循環路を保温する保温部とをさらに備える。
　基板処理システムの第７の態様は、第１から第６のいずれか一つの態様にかかる基板処理システムであって、前記ヒートポンプ装置によって冷却された冷却液を前記ヒートポンプ装置に戻す冷却循環路と、前記冷却循環路から分岐しており、前記冷却液を前記基板処理装置に供給する冷却液供給路と、前記冷却液供給路よりも上流側かつ前記ヒートポンプ装置よりも下流側において、前記冷却循環路を流れる前記冷却液を冷却する冷却部とをさらに備える。
　基板処理システムの第８の態様は、第７の態様にかかる基板処理システムであって、前記基板処理装置からの排液を流す排出路と、前記冷却循環路または前記冷却循環路から分岐した分岐路で前記排液を冷却する排液冷却部とをさらに備える。
　基板処理システムの第１の態様によれば、ヒートポンプ装置が処理液を加熱するので、より高い効率で処理液を加熱することができ、その処理液を基板処理装置に供給することができる。しかも、加熱循環路には、処理液補充路が接続されるので、処理液の不足も抑制できる。以上のように、高い効率で加熱された処理液を適切に基板処理装置に供給できる。
　基板処理システムの第２の態様によれば、ヒータはヒートポンプ装置よりも基板処理装置に近い位置で処理液を加熱できるので、より高い精度で温度が調整された処理液を基板処理装置に供給できる。
　基板処理システムの第３の態様によれば、基板処理システムの効率をさらに向上させることができる。
　基板処理システムの第４の態様によれば、処理液供給路を予熱することができる。
　基板処理システムの第５の態様によれば、処理液中の冷媒濃度を監視することができる。
　基板処理システムの第６の態様によれば、排液の熱を有効に利用できるので、基板処理システムの効率をさらに向上させることができる。
　基板処理システムの第７の態様によれば、ヒートポンプ装置のエネルギーを有効に利用して、基板処理装置へ供給される冷却液を冷却することができる。しかも、ヒートポンプ装置とは別の冷却部も設けられているので、ヒートポンプ装置と独立して、冷却液を冷却することができる。よって、冷却液の温度の調整範囲を広げることができる。
　基板処理システムの第８の態様によれば、排液の温度を速やかに低下させることができる。
第１の実施の形態にかかる基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。 変形例にかかる基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。 ヒータの開始制御の一例を示すフローチャートである。 第２の実施の形態にかかるヒータの構成の一例を概略的に示す図である。 第２の実施の形態にかかる基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。 処理液中の冷媒濃度の監視制御の一例を示すフローチャートである。 第３の実施の形態にかかる基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理装置および保温部の構成の一例を概略的に示す図である。 排液の排出制御の一例を示すフローチャートである。 第４の実施の形態にかかる基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。 排液冷却部の構成の一例を概略的に示す図である。 排液冷却部の構成の他の一例を概略的に示す図である。
　以下、添付の図面を参照しながら、実施の形態について説明する。なお、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法または数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
　相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸または面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。
　＜第１の実施の形態＞
　＜基板処理システムの構成＞
　図１は、基板処理システム１００の構成の一例を概略的に示す図である。基板処理システム１００は１以上の基板処理装置１０とヒートポンプ装置２０と加熱循環路３０と処理液供給路３１と処理液補充部６０とを含んでいる。
　基板処理装置１０は、後に詳述するように、基板Ｗに対する処理を行う装置である。基板Ｗは、例えば、半導体基板、ディスプレイ用の基板、フォトマスク用の基板、および、磁気ディスクまたは光ディスク用の基板などの種々の基板を含む。図１の例では、基板処理システム１００には複数の基板処理装置１０が設けられている。図１の例では、基板処理装置１０の例として、基板処理装置１０Ａおよび基板処理装置１０Ｂが示されている。基板処理装置１０Ａおよび基板処理装置１０Ｂは、後述のように、基板Ｗに処理液を供給して、基板Ｗに対する処理を行う。
　ヒートポンプ装置２０は、加熱循環路３０を流れる処理液を加熱する装置である。加熱循環路３０は、ヒートポンプ装置２０によって加熱された処理液が再びヒートポンプ装置２０に向かって流れる流路である。つまり、加熱循環路３０は、ヒートポンプ装置２０からの処理液を再びヒートポンプ装置２０に戻すための循環用の流路である。
　ヒートポンプ装置２０は冷媒循環路２１と加熱用の熱交換器２２と冷却用の熱交換器２３と圧縮機２４と膨張弁２５とを含んでいる。冷媒循環路２１は、主として配管によって構成された、冷媒を循環させる流路である。冷媒は例えば二酸化炭素冷媒またはアンモニア冷媒である。冷媒循環路２１には、熱交換器２２、熱交換器２３、圧縮機２４および膨張弁２５が設けられている。
　圧縮機２４は吸引口および吐出口を含み、吸引口から吸引された低温低圧の冷媒を圧縮し、圧縮後の高温高圧の冷媒を吐出口から吐出する。圧縮機２４からの高温高圧の冷媒は熱交換器２２に向かって冷媒循環路２１を流れ、熱交換器２２に流入する。
　熱交換器２２は冷媒と処理液との間で熱交換を行う。具体的な構成として、熱交換器２２内には、冷媒が流れる冷媒流路２２１と、処理液が流れる処理液流路２２２とが形成されている。処理液流路２２２の上流端は、加熱循環路３０の下流端に接続され、処理液流路２２２の下流端は加熱循環路３０の上流端に接続される。加熱循環路３０は主として配管によって構成される。加熱循環路３０には、不図示のポンプが設けられるとよい。ポンプは加熱循環路３０において処理液を送液する。これにより、処理液が加熱循環路３０および処理液流路２２２を流れて循環する。処理液は特に制限されないものの、例えば純水である。
　熱交換器２２は、冷媒流路２２１を流れる冷媒と、処理液流路２２２を流れる処理液との間で熱交換を行う。具体的には、熱交換器２２において、高温高圧の冷媒から処理液に熱が移動する。これにより、冷媒が冷却されて液化する一方で、処理液が加熱される。
　ヒートポンプ装置２０によって加熱された処理液の一部は、後述のように、加熱循環路３０から分岐した処理液供給路３１を通じて、各基板処理装置１０（具体的には、基板処理装置１０Ａおよび基板処理装置１０Ｂ）に供給される。
　熱交換器２２からの冷媒は膨張弁２５に向かって冷媒循環路２１を流れる。冷媒は膨張弁２５において膨張する。膨張後の低温低圧の冷媒は熱交換器２３に向かって冷媒循環路２１を流れ、熱交換器２３に流入する。
　熱交換器２３内には、冷媒が流れる冷媒流路２３１が形成される。図１の例では、熱交換器２３内には、冷却液が流れる冷却液流路２３２も形成される。図１の例では、冷却液流路２３２の上流端は冷却循環路４０の下流端に接続されており、冷却液流路２３２の下流端は冷却循環路４０の上流端に接続されている。冷却循環路４０は、ヒートポンプ装置２０によって冷却された冷却液が再びヒートポンプ装置２０に向かって流れる流路である。つまり、冷却循環路４０は、ヒートポンプ装置２０からの冷却液を再びヒートポンプ装置２０に戻すための循環用の流路である。冷却循環路４０は主として配管によって構成される。冷却循環路４０には、不図示のポンプが設けられるとよい。ポンプは冷却循環路４０において冷却液を送液する。これにより、冷却液が冷却循環路４０および冷却液流路２３２を流れて循環する。冷却液は特に制限されないものの、例えば純水である。
　熱交換器２３は、冷媒流路２３１を流れる冷媒と、冷却液流路２３２を流れる冷却液との間で熱交換を行う。具体的には、熱交換器２３において、冷却液から冷媒に熱が移動する。これにより、冷媒が加熱されて気化する一方で、冷却液が冷却される。なお、熱交換器２３において冷却液から冷媒に移動する熱量は、熱交換器２２において冷媒から処理液に移動する熱量と理想的には等しい。
　図１の例では、ヒートポンプ装置２０によって冷却された冷却液の一部は、後述のように、冷却循環路４０から分岐した冷却液供給路４１を通じて、各基板処理装置（具体的には、後述の基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄ）に供給される。
　熱交換器２２および熱交換器２３は例えば熱伝導性樹脂によって構成される。熱伝導性樹脂としては、例えば、ポリプロピレンもしくはポリエチレンなどの樹脂を採用することができる。熱交換器２２および熱交換器２３を構成する材料の熱伝導率は、例えば、冷媒循環路２１、加熱循環路３０、冷却循環路４０、処理液供給路３１、冷却液供給路４１（後述）および冷却液復路４２（後述）のいずれかを形成する配管の材料の熱伝導率よりも高いことが望ましい。
　次に、基板処理装置１０への処理液の供給側の配管系統について、より詳細に述べる。処理液供給路３１は加熱循環路３０から分岐した流路である。処理液は処理液供給路３１を加熱循環路３０から基板処理装置１０に向かって流れる。つまり、処理液供給路３１は基板処理装置１０に処理液を供給するための流路である。処理液供給路３１は主として配管によって構成され、加熱循環路３０と基板処理装置１０とを接続する。図１の例では、処理液の供給対象の複数の基板処理装置１０に対して、一対一で処理液供給路３１が設けられている。加熱循環路３０内の処理液の一部は各処理液供給路３１を通じて基板処理装置１０に供給される。
　基板処理装置１０に供給された処理液は、後に詳述するように、排出路１１８を通じて外部に排出される。このように、処理液は外部に排出されるので、加熱循環路３０を流れる処理液の循環量は基板処理装置１０に供給された分だけ低下する。そこで、本実施の形態では、処理液補充部６０が設けられている。
　処理液補充部６０は加熱循環路３０に処理液を供給する。これにより、加熱循環路３０において処理液が補充される。図１の例では、処理液補充部６０は処理液補充路６１と補充タンク６２とを含んでいる。処理液補充路６１は主として配管によって構成され、その下流端は加熱循環路３０に接続される。より具体的な一例として、処理液補充路６１の下流端は、熱交換器２２よりも上流側かつ処理液供給路３１の全ての上流端よりも下流側において、加熱循環路３０に接続される。処理液補充路６１の上流端は補充タンク６２に接続される。補充タンク６２は処理液を貯留する。補充タンク６２からの処理液は処理液補充路６１を通じて加熱循環路３０に供給される。
　以上のように、処理液は熱交換器２２において加熱される。熱交換器２２の直後において、処理液の温度は例えば６０℃から７０℃程度である。そして、加熱後の処理液の一部が加熱循環路３０から処理液供給路３１に流入し、処理液供給路３１を通じて各基板処理装置１０に供給される。一方で、処理液の残りの一部は加熱循環路３０をそのまま下流側に流れる。
　処理液補充部６０は例えば常温の処理液を加熱循環路３０に供給する。よって、加熱循環路３０と処理液補充路６１との合流地点よりも下流側において処理液の温度は低下する。例えば、処理液の温度は３０℃程度まで低下する。そして、この低温の処理液は熱交換器２２に流入し、熱交換器２２において再び６０℃から７０℃程度まで加熱される。
　次に、基板処理装置１０（具体的には、基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄ）への冷却液の供給側の配管系統について、より詳細に説明する。図１の例では、冷却循環路４０と各基板処理装置１０（具体的には、基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄ）との間には、冷却液供給路４１および冷却液復路４２が設けられている。冷却液供給路４１は主として配管によって構成され、その上流端は冷却循環路４０に接続され、冷却液供給路４１の下流端は基板処理装置１０に接続される。冷却液復路４２は主として配管によって構成され、その下流端は冷却循環路４０に接続され、冷却液復路４２の上流端は基板処理装置１０に接続される。図１の例では、冷却液供給路４１および冷却液復路４２の対が、冷却液の供給対象である基板処理装置１０（例えば基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄ）にそれぞれ対応して設けられている。
　冷却循環路４０内の冷却液の一部は冷却液供給路４１を通じて基板処理装置１０に供給される。この冷却液は、後述のように、基板処理装置１０内の設備（構成要素）の冷却に利用される。つまり、冷却液が当該構成要素から熱を受け取ることで、当該構成要素を冷却する。当該構成要素を冷却した後の冷却液は冷却液復路４２を通じて、再び冷却循環路４０に戻る。
　図１の例では、冷却循環路４０には冷却部４８が設けられている。具体的には、冷却部４８は、全ての冷却液供給路４１の上流端よりも上流側かつ熱交換器２３の下流側において、冷却循環路４０に設けられている。冷却部４８は、冷却循環路４０を流れる冷却液を冷却する。冷却部４８は例えば冷却水循環装置（いわゆるチラー）である。
　以上のように、冷却液は熱交換器２３において冷却される。熱交換器２３の直後において、冷却液の温度は例えば２０℃程度である。冷却液は熱交換器２３からの冷却部４８に向かって冷却循環路４０を流れ、冷却部４８に流入する。冷却部４８は、冷却液の温度が基板処理装置１０の設備の冷却に適した温度となるように、冷却液を冷却する。冷却部４８によって冷却された冷却液は冷却循環路４０から各冷却液供給路４１を通じて各基板処理装置１０に供給されて、各基板処理装置１０の設備を冷却し、各冷却液復路４２を通じて冷却循環路４０に戻る。そして、冷却液は熱交換器２３に向かって冷却循環路４０を流れ、熱交換器２３に流入する。熱交換器２３の直前において、冷却液の温度は例えば３０℃程度である。冷却液は熱交換器２３おいて再び例えば２０℃程度まで冷却される。
　基板処理システム１００は制御部９０も含んでいる。制御部９０は基板処理システム１００の各種構成を制御する。例えば、制御部９０は演算処理部９１と記憶媒体９２とを含む。演算処理部９１は、各種演算処理を行うＣＰＵ（Central Processing Unit）などの処理部である。記憶媒体９２は、例えば、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ（Read Only Memory）などの一時的な記憶媒体と、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ（Random Access Memory）および制御用ソフトウェアまたはデータなどを記憶しておく磁気ディスクなどである非一時的な記憶媒体とを含む。制御部９０の演算処理部９１が所定の処理プログラムを実行することによって、基板処理システム１００の各動作機構が制御部９０によって制御され、基板処理システム１００における処理が進行する。なお、制御部９０はその機能の実現にソフトウェアが不要な専用のハードウェア回路によって実現されてもよい。
　また、図１の例では、単一の制御部９０が示されているものの、各基板処理装置１０およびヒートポンプ装置２０などの諸構成にそれぞれ制御部９０が設けられ、これらが互いに通信して基板処理システム１００を制御してもよい。
　次に、基板処理装置１０の内部構成の具体的な一例について説明する。図２は、基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す図である。図２の例では、２種の基板処理装置１０が示されている。具体的には、処理液の供給対象である基板処理装置１０Ａおよび基板処理装置１０Ｂとして、基板Ｗに対して処理液を供給する処理装置が示されており、冷却液の供給対象である基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄとして、基板Ｗに対して熱処理を行う処理装置が示されている。
　基板処理装置１０Ａおよび基板処理装置１０Ｂの各々は１以上の処理ユニット１１を含み、図２の例では、複数の処理ユニット１１が示されている。図２の例では、各処理ユニット１１はチャンバ１１１と基板保持部１１２とノズル１１４とノズル１１５とガード１１６とを含む。
　基板保持部１１２はチャンバ１１１内に設けられ、基板Ｗを水平姿勢で保持する。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。基板Ｗは不図示の基板搬送部によってチャンバ１１１内に搬送され、基板保持部１１２に渡される。図２の例では、基板保持部１１２は複数のチャックピン１１３を含んでいる。複数のチャックピン１１３の各々は、基板Ｗの周縁に接触するチャック位置と、基板Ｗの周縁から離れた解除位置との間で変位可能に設けられる。複数のチャックピン１１３がそれぞれのチャック位置に移動すると、複数のチャックピン１１３が基板Ｗを保持する。複数のチャックピン１１３がそれぞれの解除位置に移動すると、基板Ｗの保持が解除される。
　また、基板保持部１１２は、回転軸線Ｑ１のまわりで基板Ｗを回転させるモータ（不図示）を含む。回転軸線Ｑ１は基板Ｗの中心部を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。このような基板保持部１１２はスピンチャックとも呼ばれ得る。
　ノズル１１４はチャンバ１１１内に設けられ、基板Ｗの上面への処理液の供給に用いられる。ノズル１１５はチャンバ１１１内に設けられ、基板Ｗの下面への処理液の供給に用いられる。ノズル１１４は基板Ｗの上面よりも鉛直上方に設けられ、ノズル１１５は基板Ｗの下面よりも鉛直下方に設けられる。ノズル１１４は基板Ｗの上面に向けて処理液を吐出し、ノズル１１５は基板Ｗの下面に向けて処理液を吐出する。
　ノズル１１４およびノズル１１５は処理液供給路３１に接続されている。処理液供給路３１は供給路３１ａと供給路３１ｂと供給路３１ｃと供給路３１ｄとを含む。供給路３１ａの上流端は処理液供給路３１の上流端に相当し、加熱循環路３０に接続される。供給路３１ａは、複数の処理ユニット１１にそれぞれ対応して設けられた複数の供給路３１ｂの上流端に接続される。各供給路３１ｂの下流端は供給路３１ｃおよび供給路３１ｄの上流端に接続される。供給路３１ｃの下流端はノズル１１４に接続され、供給路３１ｄの下流端はノズル１１５に接続される。
　供給路３１ｃにはバルブ３２が設けられている。バルブ３２が開くことにより、加熱循環路３０から供給路３１ａ、供給路３１ｂおよび供給路３１ｃを通じてノズル１１４に処理液が供給され、ノズル１１４から基板Ｗの上面に処理液が吐出される。バルブ３２が閉じることにより、ノズル１１４からの処理液の吐出が停止する。
　供給路３１ｄにはバルブ３３が設けられている。バルブ３３が開くことにより、加熱循環路３０から供給路３１ａ、供給路３１ｂおよび供給路３１ｄを通じてノズル１１５に処理液が供給され、ノズル１１５から基板Ｗの下面に処理液が吐出される。バルブ３３が閉じることにより、ノズル１１５からの処理液の吐出が停止する。
　図２の例では、供給路３１ｂにはヒータ３４が設けられている。ヒータ３４は、処理液供給路３１（具体的には供給路３１ｂ）を流れる処理液を加熱する。ヒータ３４は、基板Ｗに着液する処理液の温度が所定のプロセス温度を含む所定の温度範囲内となるように、処理液を加熱する。ヒータ３４は種々の方式のヒータであってよく、例えば電気抵抗式のヒータである。ヒータ３４は処理液の温度を例えば１０℃以上かつ２０℃以下の値だけ上昇させて、処理液の温度をプロセス温度に調整する。
　基板保持部１１２が基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させた状態で、バルブ３２が開くことにより、ノズル１１４から回転中の基板Ｗの上面に高温の処理液が吐出される。基板Ｗの上面に着液した処理液は回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの上面を広がり、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。これにより、基板Ｗの上面を処理できる。
　また、基板保持部１１２が基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させながら、バルブ３３が開くことにより、ノズル１１５から回転中の基板Ｗの下面に高温の処理液が吐出される。基板Ｗの下面に着液した処理液は回転に伴う遠心力を受けて基板Ｗの下面を広がり、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。これにより、処理液で基板Ｗの下面を処理できる。
　ガード１１６は、基板保持部１１２を囲む筒状の形状を有しており、基板Ｗの周縁から飛散した処理液を受け止める。ガード１１６の内周面で受け止められた処理液は当該内周面に沿って流下し、カップ１１７で受け止められる。カップ１１７には、排出路１１８の上流端が接続されており、排出路１１８を通じて処理液が外部に排出される。排出路１１８は主として配管によって構成される。
　図２の例では、基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄは熱処理ユニット１２を含む。図２の例では、熱処理ユニット１２はチャンバ１２１と基板保持部１２２とヒータ１２３とを含んでいる。基板保持部１２２はチャンバ１２１内に設けられ、基板Ｗを水平姿勢で保持する。基板保持部１２２は例えば基板Ｗの下面の周縁部を支持する支持台を含む。基板Ｗは不図示の基板搬送部によってチャンバ１２１内に搬送され、基板保持部１２２に渡される。ヒータ１２３はチャンバ１２１内に設けられ、基板保持部１２２によって保持された基板Ｗを加熱する。これにより、基板Ｗに対して熱処理を行うことができる。また、この熱処理により、副次的にチャンバ１２１の温度も上昇する。
　図２の例では、冷却液供給路４１の下流端は冷却路４３の上流端に接続され、冷却路４３の下流端は冷却液復路４２の上流端に接続される。冷却路４３は主として配管により構成され、チャンバ１２１を囲むように配策される。具体的な一例として、冷却路４３はチャンバ１２１の外壁に沿って設けられる。なお、冷却路４３は、チャンバ１２１の側壁に埋設されてもよく、チャンバ１２１の内壁に沿って設けられてもよい。
　冷却循環路４０からの処理液は、冷却液供給路４１、冷却路４３および冷却液復路４２をこの順で流れ、再び冷却循環路４０に戻る。これによれば、冷却路４３において、高温のチャンバ１２１から低温の冷却液に熱が移動するので、チャンバ１２１を冷却することができる。よって、チャンバ１２１の材料として、耐熱性の低い材料を採用することができる。言い換えれば、耐熱性の高い材料を採用する必要がなく、チャンバ１２１の材料選択性を向上させることができる。
　なお、図２の例では、冷却対象としてチャンバ１２１が示されているものの、必ずしもこれに限らない。基板処理装置１０を構成する任意の構成要素を冷却対象として採用することができる。
　＜実施の形態にかかる効果＞
　以上のように、基板処理システム１００によれば、ヒートポンプ装置２０が処理液を加熱する。ヒートポンプ装置２０は高い熱効率で処理液を加熱することができるので、基板処理システム１００の効率を向上させることができる。
　また、基板処理システム１００によれば、加熱循環路３０が設けられている。これによれば、熱交換器２２によって加熱された処理液の一部を再び熱交換器２２に流入させることができるので、加熱循環路３０を流れる処理液の温度をより高い精度で調整することができる。
　また、上述の例では、基板処理装置１０に供給された処理液は加熱循環路３０に戻ることなく、排出路１１８を通じて外部に排出されるものの、処理液補充部６０が加熱循環路３０に処理液を供給する。よって、基板処理装置１０への処理液の供給に伴う加熱循環路３０内の処理液の循環量の低下を補うことができる。したがって、基板処理装置１０に対して適切に処理液を供給し続けることができる。
　また、上述の例では、基板処理装置１０の処理ユニット１１の個々に対応して、ヒータ３４が設けられている。つまり、ヒータ３４はヒートポンプ装置２０よりも各基板処理装置１０のノズル１１４およびノズル１１５に近い位置に設けられる。したがって、ノズル１１４またはノズル１１５から吐出される処理液の温度を、ヒータ３４によってより高い精度でプロセス温度に調整することができる。したがって、基板Ｗに対する処理をより適切に行うことができる。
　また、上述の例では、熱交換器２２の材料として、ポリプロピレンおよびポリエチレンなどの熱伝導性樹脂を採用している。このような樹脂は高純度に形成されるので、熱交換器２２の処理液流路２２２を処理液が通過しても、熱交換器２２から不純物が処理液にほとんど溶出しない。よって、基板処理装置１０は清浄な処理液で基板Ｗを処理することができる。
　なお、必ずしも、熱交換器２２の全てが当該樹脂によって構成される必要はなく、処理液流路２２２を構成する部分のみが当該樹脂によって構成されてもよい。
　その一方で、このような樹脂の密度は比較的に小さいので、熱交換器２２内において、冷媒が冷媒流路２２１から処理液流路２２２に混入し得る。しかるに、上述の例では、冷媒として二酸化炭素冷媒またはアンモニア冷媒を採用している。二酸化炭素またはアンモニアが処理液に混入しても、これらは基板Ｗの処理に影響を与えにくい。よって、たとえ処理液に冷媒が混入しても、他の冷媒に比べて、基板Ｗに対する処理をより適切に行うことができる。
　また、上述の例では、ヒートポンプ装置２０の冷却対象である冷却液が基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄの設備の冷却に利用される。これによれば、ヒートポンプ装置２０の冷却側のエネルギーも利用することができるので、基板処理システム１００の効率をさらに向上させることができる。
　ところで、ヒートポンプ装置２０では、冷媒から処理液に移動する熱量と、冷却液から冷媒に移動する熱量とが互いにほぼ等しい。しかるに、上述の例では、冷却部４８も設けられている。よって、この冷却部４８により、冷却液の温度を、熱交換器２２の直後の処理液の温度とは独立して調整することができる。よって、基板処理装置１０へ供給する冷却液の温度の調整範囲を広げることができる。
　また、上述の例では、冷却部４８は冷却循環路４０に設けられている。この冷却部４８によって冷却された冷却液は、それぞれの冷却液供給路４１を通じて基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄに供給される。冷却液供給路４１の長さは基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄにおいて互いに相違し得るので、冷却液の温度は基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄにおいてばらつき得る。よって、冷却対象（例えばチャンバ１２１）の温度は基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄごとにばらつき得る。しかしながら、冷却対象の温度は、処理液の温度に比べて、基板Ｗに対する処理にほとんど影響を及ぼさない。よって、冷却液の温度にばらつきが生じても、基板Ｗの処理には問題が生じない。
　上述の例では、冷却循環路４０に冷却部４８が設けられるので、基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄに対応して個別に冷却部４８が設けられる場合に比べて、基板処理システム１００の構成を簡易化でき、また、製造コストを低減させることができる。
　＜変形例＞
　図１の例では、冷却液は、高温の処理液が供給される基板処理装置１０（基板処理装置１０Ａおよび基板処理装置１０Ｂ）とは別の基板処理装置１０（基板処理装置１０Ｃおよび基板処理装置１０Ｄ）に供給される。しかしながら、必ずしもこれに限らない。例えば、基板処理装置１０Ａおよび基板処理装置１０Ｂにおいて冷却を要する設備が設けられる場合には、冷却液が基板処理装置１０Ａおよび基板処理装置１０Ｂに供給されてもよい。この場合、基板処理装置１０Ａおよび基板処理装置１０Ｂにおいて、適宜に、冷却路４３が冷却対象の設備に沿って配策されればよい。
　また、上述の例では、冷却液は基板処理装置１０の設備を冷却したが、冷却液が基板Ｗに供給されてもよい。この場合、冷却液は処理液に相当する。図３は、基板処理システム１００の構成の一部の一例を概略的に示す図である。図３の例では、冷却循環路４０には、冷却液供給路４４の上流端が接続されている。冷却液供給路４４も主として配管によって構成される。冷却液は冷却液供給路４４を通じて、基板処理装置１０に供給される。図３の例では、基板処理装置１０はノズル１１４１をさらに含んでいる。ノズル１１４１は冷却液を基板Ｗの上面に吐出する。冷却液は例えば純水である。
　図３に示すように、ノズル１１４１は冷却液供給路４４に接続されている。冷却液供給路４４は供給路４４ａと供給路４４ｂと供給路４４ｃと供給路４４ｄとを含む。供給路４４ａの上流端は冷却液供給路４４の上流端に相当し、冷却循環路４０に接続される。供給路４４ａは、複数の処理ユニット１１に対応して設けられた複数の供給路４４ｂの上流端に接続される。各供給路４４ｂの下流端は供給路４４ｃおよび供給路４４ｄの上流端に接続される。供給路４４ｃの下流端はノズル１１４１に接続され、供給路４４ｄの下流端はノズル１１５に接続される。
　供給路４４ｃにはバルブ４５が設けられている。バルブ４５が開くことにより、冷却循環路４０から供給路４４ａ、供給路４４ｂおよび供給路４４ｃを通じてノズル１１４１に冷却液が供給され、ノズル１１４１から基板Ｗの上面に吐出される。バルブ４５が閉じることにより、ノズル１１４１からの冷却液の吐出が停止する。
　供給路４４ｄにはバルブ４６が設けられている。バルブ４６が開くことにより、冷却循環路４０から供給路４４ａ、供給路４４ｂおよび供給路４４ｄを通じてノズル１１５に冷却液が供給され、ノズル１１５から基板Ｗの下面に冷却液が吐出される。バルブ４６が閉じることにより、ノズル１１５からの処理液の吐出が停止する。
　冷却液は基板Ｗの周縁から外側に飛散され、ガード１１６、カップ１１７および排出路１１８を通じて外部に排出される。この場合、冷却循環路４０を流れる冷却液の循環量が低下し得る。そこで、図３の例では、基板処理システム１００に冷却液補充部６５が設けられている。冷却液補充部６５は冷却循環路４０に冷却液を供給する。図３の例では、冷却液補充部６５は冷却液補充路６６と補充タンク６７とを含む。冷却液補充路６６は主として配管によって構成され、その下流端は冷却循環路４０に接続される。具体的な一例として、冷却液補充路６６の下流端は、熱交換器２３よりも上流側かつ全ての冷却液供給路４４よりも下流側において、冷却循環路４０に接続される。冷却液補充路６６の上流端は補充タンク６７に接続される。補充タンク６７は冷却液を貯留する。補充タンク６７からの冷却液は冷却液補充路６６を通じて冷却循環路４０に供給される。これにより、冷却循環路４０において冷却液が補充される。なお、冷却液が処理液と同じ種類の液体である場合には、補充タンク６７は補充タンク６２と同じタンクであってもよい。
　＜ヒータ３４の制御＞
　各処理ユニット１１は、搬入された基板Ｗに対して処理液を供給して処理を行う。初期的には、処理液供給路３１の温度は高くない。このように、低温の処理液供給路３１を高温の処理液が流れると、処理液から処理液供給路３１に熱が移動し、処理液の温度が低下し得る。よって、初期的には、ヒータ３４の加熱動作によっても、処理液の温度をプロセス温度まで上昇できない場合もある。
　そこで、基板処理装置１０の制御部９０は、バルブ３２およびバルブ３３を開く前にヒータ３４に加熱動作を開始させてもよい。図４は、ヒータの開始制御の一例を示すフローチャートである。制御部９０は、基板Ｗに関する情報（以下、稼働前情報と呼ぶ）を受け取ったか否かを判断する（ステップＳ１）。稼働前情報は、例えば、基板処理装置１０に搬入される基板Ｗの枚数、および、基板Ｗに対する処理の手順を示すレシピなどの諸情報を含む。稼働前情報は、例えば、ホストコンピュータ、あるいは、基板処理装置１０よりも上流側の装置から制御部９０に送信され、あるいは、不図示のユーザインターフェースを介して作業員によって制御部９０に入力される。
　制御部９０が未だ稼働前情報を受け取っていない場合には、基板処理装置１０は未だ基板Ｗを処理する予定がないので、再びステップＳ１を実行する。一方で、制御部９０が稼働前情報を受け取ったときには、制御部９０は基板処理装置１０に属するヒータ３４に加熱動作を開始させる（ステップＳ２）。
　以上のように、制御部９０は稼働前情報の受信に応答してヒータ３４の加熱動作を開始する。これによれば、ヒータ３４は、基板Ｗに対して処理液を供給する前、より具体的には、各処理ユニット１１に基板Ｗが搬入される前から加熱動作を開始する。よって、ヒータ３４は処理液供給路３１を予熱することができる。したがって、基板Ｗへの処理液の供給開始時においても、ヒータ３４は処理液を高い精度でプロセス温度に調整することができ、処理ユニット１１は基板Ｗに対してより適切に処理を行うことができる。
　＜第２の実施の形態＞
　第２の実施の形態にかかる基板処理システム１００の構成は第１の実施の形態と同様である。第２の実施の形態では、ヒータ３４の内部構成の一例について説明する。
　図５は、第２の実施の形態にかかるヒータ３４の構成の一例を概略的に示す図である。図５の例では、ヒータ３４はヒートポンプである。具体的には、ヒータ３４は冷媒循環路３４１と加熱用の熱交換器３４２と冷却用の熱交換器３４３と圧縮機３４４と膨張弁３４５とを含む。冷媒循環路３４１は主として配管によって構成される。冷媒循環路３４１には、冷媒が流れる。冷媒は二酸化炭素冷媒またはアンモニア冷媒である。冷媒循環路３４１には、熱交換器３４２、熱交換器３４３、圧縮機３４４および膨張弁３４５が設けられている。これらはヒートポンプ装置２０と同様であるので、ここでは繰り返しの説明を避ける。なお、熱交換器３４３は、冷媒と冷却液との間で熱交換を行う熱交換器であってもよく、あるいは、冷媒と外気との間で熱交換を行う熱交換器であってもよい。
　第２の実施の形態では、ヒータ３４はヒートポンプであるので、高い熱効率で処理液を加熱することができる。よって、基板処理システム１００の効率をさらに向上させることができる。
　＜第３の実施の形態＞
　第１および第２の実施の形態では、冷媒として二酸化炭素冷媒またはアンモニア冷媒を採用した。これらの冷媒が処理液に混入しても、基板Ｗの処理に影響を与えにくい。しかしながら、処理液中の冷媒の濃度が非常に高くなると、基板Ｗの処理に悪影響を与えるおそれもある。また、冷媒として二酸化炭素冷媒でもなくアンモニア冷媒でもない冷媒を採用する場合には、処理液への少しの冷媒の混入でも基板Ｗの処理に悪影響を与えるおそれもある。
　そこで、第３の実施の形態では、処理液中の冷媒の濃度を監視できる技術を提供することを企図する。
　図６は、第３の実施の形態にかかる基板処理システム１００Ａの構成の一部の一例を概略的に示す図である。なお、図６の例では、図面の煩雑を避けるために、ヒートポンプ装置２０よりも冷却対象側の構成の図示を省略している。
　基板処理システム１００Ａは冷媒濃度センサ７０の有無という点で基板処理システム１００と相違する。冷媒濃度センサ７０は、加熱循環路３０を流れる処理液中の冷媒濃度を測定し、その測定結果を示す測定結果信号を制御部９０に出力する。冷媒として二酸化炭素冷媒を採用する場合、冷媒濃度センサ７０は、処理液に溶存する二酸化炭素の濃度を測定する。また、冷媒としてアンモニアを採用する場合、冷媒濃度センサ７０は、処理液に溶存するアンモニアの濃度を測定する。図６の例では、冷媒濃度センサ７０は、処理液供給路３１の全ての上流端よりも下流側かつ処理液補充路６１の下流端よりも上流側において、加熱循環路３０に設けられている。
　また、図６の例では、基板処理システム１００Ａには報知部９３が設けられている。報知部９３は作業員に種々の情報を報知する。例えば、報知部９３は、液晶表示ディスプレイなどのディスプレイ、および、スピーカの少なくともいずれか一つを含む。ディスプレイは種々の情報を表示し、スピーカは種々の情報を音声で出力する。
　制御部９０は冷媒濃度センサ７０の測定結果に基づいて、処理液中の冷媒濃度の監視制御を行う。図７は、監視制御の一例を示すフローチャートである。まず、冷媒濃度センサ７０が処理液中の冷媒濃度を測定する（ステップＳ１１）。冷媒濃度センサ７０は、測定した冷媒濃度を示す測定結果信号を制御部９０に出力する。
　次に、制御部９０は、冷媒濃度センサ７０によって測定された冷媒の濃度が予め規定された冷媒基準値以上であるか否かを判断する（ステップＳ１２）。冷媒基準値は、例えば、基板Ｗへの処理の悪影響の程度が許容量となるときの冷媒濃度以下の値である。冷媒の濃度が冷媒基準値未満であるときには、再びステップＳ１１を実行する。
　冷媒の濃度が冷媒基準値以上であるときには、制御部９０は報知制御および停止制御の少なくともいずれか一方を実行する。停止制御は、基板処理システム１００Ａを停止させる制御である。これにより、処理液への冷媒の混入に起因して基板Ｗの処理に不具合が生じることを回避することができる。
　報知制御は、制御部９０が報知部９３に報知を行わせる制御である。報知部９３がディスプレイを含む場合には、ディスプレイは冷媒の濃度が冷媒基準値以上であることを示す情報を表示し、報知部９３がスピーカを含む場合には、冷媒の濃度が冷媒基準値以上であることを示す情報を音声で出力する。
　作業員は当該報知に基づいて、処理液の冷媒濃度が高くなっていることを認識することができ、例えば熱交換器２２の交換などの諸対応を適切に行うことができる。
　＜第４の実施の形態＞
　図８は、第４の実施の形態にかかる基板処理システム１００Ｂの構成の一例を示す図である。基板処理システム１００Ｂは、保温部５０の有無という点で、基板処理システム１００と相違する。
　保温部５０には、高温の処理液が基板処理装置１０から排出路１１８を通じて供給される。以下では、基板処理装置１０から排出路１１８へ流入する処理液を排液とも呼ぶ。保温部５０は高温の排液の熱を用いて加熱循環路３０を保温する。つまり、保温部５０は加熱循環路３０から外部への熱拡散を抑制する。
　図９は、基板処理装置１０および保温部５０の具体的な構成の一例を示す図である。図９の例では、基板処理装置１０はノズル１１４２をさらに含んでいる。ノズル１１４２は基板Ｗの上面に高温の処理液を供給する。ノズル１１４２は処理液供給路３１１の下流端に接続される。処理液供給路３１１の上流端は不図示の処理液供給源に接続される。処理液供給路３１１も主として配管によって構成される。処理液供給源は高温の処理液を処理液供給路３１１に供給する。処理液は、例えば、１００℃から１２０℃程度のＳＰＭ（硫酸過酸化水素水）、７５℃から８５℃程度のＳＣ－１（アンモニア過酸化水素水）、および、７５℃から８５℃程度のＳＣ－２（塩酸過酸化水素水）の少なくともいずれかを含む。
　図９の例では、複数のガード１１６、複数のカップ１１７および複数の排出路１１８が設けられている。各ガード１１６は同軸状の筒状形状を有しており、各ガード１１６が昇降可能に設けられる。カップ１１７は複数のガード１１６に対応して設けられており、対応するガード１１６から流下する処理液を受け止める。排出路１１８は複数のカップ１１７に対応して設けられており、対応するカップ１１７によって受け止められた処理液を排出する。
　処理液の種類に応じたガード１１６が上昇した状態で、その種類の処理液が基板Ｗに供給されると、該処理液は基板Ｗの周縁から飛散してガード１１６で受け止められ、対応するカップ１１７および排出路１１８を通じて排出される。これにより、種類ごとに処理液を分類して排出することができる。
　ここでは、ノズル１１４２から吐出された処理液が、当該処理液に対応するガード１１６、カップ１１７および排出路１１８を通じて、保温部５０に供給される。なお、保温部５０に供給される排液は、ノズル１１４２から吐出された高温の処理液に限らず、ノズル１１４あるいはノズル１１５から吐出された高温の処理液であってもよい。
　図９の例では、保温部５０はタンク５１を含んでいる。タンク５１には排出路１１８から高温の排液が供給される。これにより、タンク５１内に排液が貯留される。
　図９の例では、タンク５１内の排液には、加熱循環路３０の一部が浸漬している。加熱循環路３０の当該一部は、例えば、加熱循環路３０のうち、処理液供給路３１の全ての上流端よりも下流側かつ熱交換器２２よりも上流側の部分の少なくとも一部である。図９の例では、加熱循環路３０の当該一部はＵ字形状を有しており、タンク５１内の排液に浸漬する。加熱循環路３０の他の部分はタンク５１の上部開口を通じてタンク５１の外側に延在する。
　このように加熱循環路３０の一部が高温の排液に浸漬するので、高温の排液から加熱循環路３０の一部に熱が移動する。つまり、加熱循環路３０の一部の温度を上昇させることができる。
　以上のように、第４の実施の形態では、排出路１１８を通じて外部に排出される高温の排液の熱を利用して、加熱循環路３０を保温する。よって、排液の熱を有効に利用することができ、基板処理システム１００Ｂの効率をさらに向上させることができる。
　なお、図８の例では、処理液補充部６０の処理液補充路６１の下流端は熱交換器２２と保温部５０との間において加熱循環路３０に接続されている。しかしながら、必ずしもこれに限らない。処理液補充路６１の下流端は、保温部５０よりも上流側かつ処理液供給路３１の全ての上流端よりも下流側において、加熱循環路３０に接続されてもよい。図８の例では、この処理液補充路６１を二点鎖線で示している。この場合、タンク５１に浸漬された加熱循環路３０の一部には、より低温の処理液が流れる。なぜなら、処理液補充部６０から加熱循環路３０への処理液の合流により、処理液の温度が低下よって、タンク５１内において排液から加熱循環路３０に伝達される熱量が大きくなる。したがって、排液の熱量をさらに有効に活用することができ、基板処理システム１００の効率を向上させることができる。
　次に、タンク５１内の排液の排出について説明する。図９の例では、タンク５１には排出路５２の上流端が接続される。排出路５２は主として配管によって構成される。排出路５２にはバルブ５３が設けられており、バルブ５３が開くことにより、タンク５１内の排液が排出路５２を通じて外部に排出される。バルブ５３が閉じることにより、排液の排出が停止する。
　図９の例では、加熱循環路３０には保温部５０と熱交換器２２との間において温度センサ５４が設けられている。温度センサ５４は加熱循環路３０を流れる処理液の温度を検出し、その測定結果を示す測定結果信号を制御部９０に出力する。
　ここでは、制御部９０は、温度センサ５４によって測定された温度に基づいて、タンク５１からの排液の排出制御を行う。図１０は、排出制御の一例を示すフローチャートである。まず、温度センサ５４が加熱循環路３０内の処理液の温度を測定する（ステップＳ２１）。温度センサ５４は、測定した温度を示す測定結果信号を制御部９０に出力する。
　次に、制御部９０は、温度センサ５４によって測定された温度が予め規定された温度基準値以上であるか否かを判断する（ステップＳ２２）。温度が温度基準値よりも低いときには、再びステップＳ２１を実行する。
　温度が温度基準値以上であるときには、制御部９０はバルブ５３を開く（ステップＳ２３）。これにより、タンク５１内の排液が排出路５２を通じて外部に排出される。よって、タンク５１内の排液の貯留量が時間の経過とともに低下する。したがって、保温部５０において加熱循環路３０に与えられる熱量は小さくなり、加熱循環路３０の熱交換器２２に流入する処理液の温度が低下する。
　以上のように、本排出制御によれば、熱交換器２２に流入する処理液の温度の過剰な上昇を回避することができる。これによれば、ヒートポンプ装置２０の利用率の低下を抑制することができる。
　＜第５の実施の形態＞
　図１１は、第５の実施の形態にかかる基板処理システム１００Ｃの構成の一例を示す図である。基板処理システム１００Ｃは排液冷却部５５の有無という点で基板処理システム１００Ｂと相違する。
　排液冷却部５５には基板処理装置１０からの高温の排液が供給される。排液冷却部５５は当該排液を低温の冷却循環路４０で冷却する。図１１の例では、排液冷却部５５は、排液の流れにおいて、保温部５０よりも下流側に設けられている。つまり、保温部５０の排出路５２の下流端は排液冷却部５５に接続されており、排液は保温部５０から排出路５２を通じて排液冷却部５５に供給される。
　図１２は、排液冷却部５５の構成の一例を概略的に示す図である。図１２の例では、排液冷却部５５はタンク５６を含む。タンク５６には排液が供給される。これにより、タンク５６は排液を貯留する。図１２の例では、保温部５０から排出路５２を通じてタンク５６に排液が供給されている。保温部５０では既述のように、排液から加熱循環路３０に熱が移動するので、排液の温度も低下する。よって、排液冷却部５５には、少し降温した排液が供給される。
　タンク５６内の排液には、冷却循環路４０の一部が浸漬する。冷却循環路４０の当該一部は、例えば、冷却循環路４０のうち、冷却液供給路４１および冷却液復路４２の全てのよりも下流側かつ熱交換器２３よりも上流側の部分の少なくとも一部である。なお、冷却循環路４０に冷却液供給路４４が接続される場合には、排液に浸漬する冷却循環路４０の当該一部は、例えば、冷却液供給路４１、冷却液復路４２および冷却液供給路４４の全てよりも下流側かつ熱交換器２３よりも上流側の部分の少なくとも一部である。図１２の例では、冷却循環路４０の当該一部はＵ字形状を有しており、タンク５６内の排液に浸漬する。冷却循環路４０の他の部分はタンク５６の上部開口を通じてタンク５６の外側に延在する。
　このように冷却循環路４０の当該一部がタンク５６内の高温の排液に浸漬するので、排液から冷却循環路４０の当該一部に熱が移動する。これにより、排液が冷却され、排液の温度がさらに低下する。
　タンク５６には排出路５７の上流端が接続されている。排出路５７は主として配管によって構成される。排出路５７にはバルブ５８が設けられており、バルブ５８が開くことにより、タンク５６内の排液が排出路５７を通じて外部に排出される。バルブ５８が閉じることにより、排液の排出が停止する。
　排液冷却部５５は冷却循環路４０を用いて排液を冷却するので、より速やかに排液の温度を低下させることができる。よって、より低温の排液を、排出路５７を通じて外部に排出することができる。例えば制御部９０は、タンク５６内の排液の温度が許容温度以下となったときに、バルブ５８を開くとよい。
　図１３は、基板処理システム１００Ｃの構成の他の一例を概略的に示す図である。図１３の例では、排液冷却部５５は、冷却循環路４０から分岐した分岐路４７で排液を冷却する。分岐路４７は主として配管によって構成され、その上流端は冷却循環路４０に接続される。具体的な一例として、分岐路４７の上流端は、冷却液供給路４１および冷却液復路４２の全ての上流端よりも下流側かつ熱交換器２３よりも上流側において、冷却循環路４０に接続される。なお、冷却循環路４０に冷却液供給路４４が接続される場合には、分岐路４７の上流端は、例えば、冷却液供給路４１、冷却液復路４２および冷却液供給路４４の全てよりも下流側かつ熱交換器２３よりも上流側において、冷却循環路４０に接続される。
　図１３の例では、分岐路４７の一部はタンク５６内の排液に浸漬している。図１３の例では、分岐路４７の当該一部はＵ字形状を有しており、タンク５６内の排液に浸漬する。分岐路４７の他の部分はタンク５６の上部開口を通じてタンク５６の外側に延在する。
　分岐路４７には、バルブ４７１が設けられる。バルブ４７１が開くことにより、冷却液の一部が冷却循環路４０から分岐路４７を流れて、外部に排出される。分岐路４７には、低温の冷却液が流れるので、タンク５６内の排液を冷却することができる。
　なお、冷却液が分岐路４７を通じて排出されると、冷却循環路４０を循環する冷却液の循環量が低下するので、図３の冷却液補充部６５が設けられるとよい。これにより、循環量の低下を抑制することができる。
　また、図１１の例では、保温部５０および排液冷却部５５の両方が設けられているものの、保温部５０が設けられていなくてもよい。
　以上のように、基板処理システム１００，１００Ａ～１００Ｃは詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この基板処理システム１００，１００Ａ～１００Ｃがそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
　１０，１０Ａ～１０Ｄ　基板処理装置
　１００，１００Ａ～１００Ｃ　基板処理システム
　１１８　排出路
　２０　ヒートポンプ装置
　２２　熱交換器
　３０　加熱循環路
　３１　処理液供給路
　３４　ヒータ
　４０　冷却循環路
　４１，４４　冷却液供給路
　４７　分岐路
　４８　冷却部
　５０　保温部
　５５　排液冷却部
　６１　処理液補充路
　７０　冷媒濃度センサ
　９０　制御部
　Ｗ　基板

Claims (8)

  1. 　処理液を基板に供給して前記基板を処理する１以上の基板処理装置と、
    　前記処理液を加熱するヒートポンプ装置と、
    　前記ヒートポンプ装置からの前記処理液を前記ヒートポンプ装置に戻す加熱循環路と、
    　前記加熱循環路から分岐しており、前記基板処理装置に前記処理液を供給する処理液供給路と、
    　前記加熱循環路に接続され、前記加熱循環路に前記処理液を補充する処理液補充路と
    を備える、基板処理システム。
  2. 　請求項１に記載の基板処理システムであって、
    　前記処理液供給路を流れる前記処理液を加熱するヒータをさらに備える、基板処理システム。
  3. 　請求項２に記載の基板処理システムであって、
    　前記ヒータはヒートポンプを含む、基板処理システム。
  4. 　請求項２または請求項３に記載の基板処理システムであって、
    　前記基板についての情報を受けて、前記ヒータに加熱動作を開始させる制御部をさらに備える、基板処理システム。
  5. 　請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理システムであって、
    　前記ヒートポンプ装置は、前記加熱循環路に接続され、熱伝導性樹脂によって形成された熱交換器を含み、
    　前記基板処理システムは、
    　前記加熱循環路における冷媒の濃度を測定する冷媒濃度センサをさらに備える、基板処理システム。
  6. 　請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理システムであって、
    　前記基板処理装置からの排液を流す排出路と、
    　前記排出路から供給された前記排液で前記加熱循環路を保温する保温部と
    をさらに備える、基板処理システム。
  7. 　請求項１から請求項６のいずれか一つに記載の基板処理システムであって、
    　前記ヒートポンプ装置によって冷却された冷却液を前記ヒートポンプ装置に戻す冷却循環路と、
    　前記冷却循環路から分岐しており、前記冷却液を前記基板処理装置に供給する冷却液供給路と、
    　前記冷却液供給路よりも上流側かつ前記ヒートポンプ装置よりも下流側において、前記冷却循環路を流れる前記冷却液を冷却する冷却部と
    をさらに備える、基板処理システム。
  8. 　請求項７に記載の基板処理システムであって、
    　前記基板処理装置からの排液を流す排出路と、
    　前記冷却循環路または前記冷却循環路から分岐した分岐路で前記排液を冷却する排液冷却部と
    をさらに備える、基板処理システム。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066727A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Toshiba Corp 半導体製造装置及び薬液交換方法
WO2007108216A1 (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Takahashi Metal Industries Co., Ltd. 水系洗浄液を用いる洗浄装置
JP2009287865A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Yurikai Co Ltd 工場における複数負荷温調装置
JP2015113523A (ja) * 2013-12-16 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR20180079046A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 기판처리시스템

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066727A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Toshiba Corp 半導体製造装置及び薬液交換方法
WO2007108216A1 (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Takahashi Metal Industries Co., Ltd. 水系洗浄液を用いる洗浄装置
JP2009287865A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Yurikai Co Ltd 工場における複数負荷温調装置
JP2015113523A (ja) * 2013-12-16 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR20180079046A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 기판처리시스템

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