JP2015113523A - 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】基板を処理する処理流体を所定温度に加熱して所定流量だけ安定して供給できるようにすること。
【解決部】本発明では、基板(３)を処理流体で処理する１又は複数の基板処理部(11〜18)と、基板処理部(11〜18)に加熱した処理流体を供給する処理流体供給部(19,20)と、処理流体供給部(19,20)を制御する制御部(21)とを有し、処理流体供給部(19,20)は、処理流体を貯留する貯留タンク(35)と、処理流体を加熱するための加熱用熱交換器(51)と、１又は複数の基板処理部(11〜18)に処理流体を供給するための供給流路(52)とを備え、供給流路(52)は、加熱用熱交換器(51)を迂回するバイパス流路(71)を基板処理部(11〜18)よりも上流側に設け、加熱用熱交換器(51)で加熱された処理流体とバイパス流路(72)から供給された処理流体とを混合して処理流体を基板処理部(11〜18)に供給することにした。
【選択図】図３

Description

本発明は、加熱した処理流体で基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関するものである。
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、基板処理装置を用いて半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して洗浄やエッチングやめっきなどの各種の処理を施す。
たとえば、基板の表面に形成された回路パターンのめっき処理を行う基板処理装置では、基板を処理流体（めっき液）で処理する基板処理部と、基板処理部に所定温度に加熱した処理流体を供給する処理流体供給部とを有する。処理流体供給部は、常温の処理流体を貯留する貯留タンクと基板処理部とを供給管で接続するとともに、供給管の中途部にヒーターを設けている。
そして、従来の基板処理装置では、貯留タンクに貯留した常温の処理流体をヒーターで所定温度に加熱した後に基板処理部に供給し、基板処理部で所定温度の処理流体を用いて基板を処理する（たとえば、特許文献１参照。）。
特開２０１３−１０９９４号公報
ところが、上記従来の基板処理装置では、基板処理部で基板を処理する際に処理流体をヒーターで所定温度に加熱して基板処理部に供給しているため、基板処理部での処理流体の使用流量が変動したり、使用流量に応じて所定温度に処理流体を加熱して基板処理部に供給する場合に、即座に対応することができず所定温度の処理流体を基板処理部に安定して供給することが困難となるおそれがあった。
また、上記従来の基板処理装置では、各基板処理部に処理流体供給部を接続しているために、基板処理部の個数が増大した場合に、それに応じた処理流体供給部が必要となってしまい、基板処理装置の大型化を招くおそれがあった。
そこで、本発明では、基板処理装置において、基板を処理流体で処理する１又は複数の基板処理部と、基板処理部に加熱した処理流体を供給する処理流体供給部と、処理流体供給部を制御する制御部とを有し、処理流体供給部は、処理流体を貯留する貯留タンクと、処理流体を加熱するための加熱用熱交換器と、１又は複数の基板処理部に処理流体を供給するための供給流路とを備え、供給流路は、加熱用熱交換器を迂回するバイパス流路を基板処理部よりも上流側に設け、加熱用熱交換器で加熱された処理流体とバイパス流路から供給された処理流体とを混合して処理流体を基板処理部に供給することにした。
また、前記制御部は、１又は複数の基板処理部に供給する処理流体の流量に応じて前記加熱用熱交換器で加熱する処理流体の流量とバイパス流路から供給する処理流体の流量を調整して、前記加熱用熱交換器で加熱された処理流体とバイパス流路から供給された処理流体とを混合して所定温度となった処理流体を基板処理部に供給することにした。
また、前記処理流体供給部は、前記加熱用熱交換器と、前記供給流路と、処理流体を冷却するための冷却用熱交換器とを順に前記貯留タンクに接続して前記貯留タンクに貯留された処理流体を循環させる第1の循環流路を有することにした。
また、前記制御部は、基板処理部への処理流体の供給を停止した場合に加熱用熱交換器による加熱を停止することにした。
また、前記貯留タンクに貯留された処理流体を加熱せずに循環させる第２の循環流路を設け、前記制御部は、基板処理部への処理流体の供給を行う場合には、第１の循環流路で処理流体を循環させ、基板処理部への処理流体の供給を停止した場合には、第２の循環流路で処理流体を循環させることにした。
また、本発明では、基板処理方法において、貯留タンクに貯留した処理流体を加熱用熱交換器で加熱して供給流路から１又は複数の基板処理部に供給するとともに、貯留タンクに貯留した処理流体を加熱用熱交換器を迂回するバイパス流路から供給流路の基板処理部よりも上流側に供給し、加熱用熱交換器で加熱された処理流体とバイパス流路から供給された処理流体とを混合して基板処理部に供給することにした。
また、前記１又は複数の基板処理部に供給する処理流体の流量に応じて前記加熱用熱交換器で加熱する処理流体の流量とバイパス流路から供給する処理流体の流量を調整して、前記加熱用熱交換器で加熱された処理流体とバイパス流路から供給された処理流体とを混合して所定温度となった処理流体を基板処理部に供給することにした。
また、前記加熱用熱交換器と、前記供給流路と、処理流体を冷却するための冷却用熱交換器とを順に前記貯留タンクに接続した第１の循環流路を用いて前記貯留タンクに貯留された処理流体を循環させることにした。
また、前記基板処理部への処理流体の供給を停止した場合に、加熱用熱交換器による加熱を停止することにした。
また、前記貯留タンクに貯留された処理流体を加熱せずに第２の循環流路で循環させ、基板処理部への処理流体の供給を行う場合には、前記第１の循環流路で処理流体を循環させ、基板処理部への処理流体の供給を停止した場合には、前記第２の循環流路で処理流体を循環させることにした。
また、本発明では、基板を処理流体で処理する１又は複数の基板処理部と、基板処理部に加熱した処理流体を供給する処理流体供給部と、処理流体供給部を制御する制御部とを有する基板処理装置で基板を処理させるための基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、貯留タンクに貯留した処理流体を加熱用熱交換器で加熱して供給流路から１又は複数の基板処理部に供給させるとともに、貯留タンクに貯留した処理流体を加熱用熱交換器を迂回するバイパス流路から供給流路の基板処理部よりも上流側に供給させ、加熱用熱交換器で加熱された処理流体とバイパス流路から供給された処理流体とを混合して基板処理部に供給させることにした。
本発明では、所定温度に加熱した処理流体を１又は複数の基板処理部に同時に安定して供給することができ、基板処理部で基板を良好に処理することができる。
基板処理装置を示す平面図。 基板処理部を示す側面図。 処理流体供給部を示すブロック図。 基板処理プログラムを示すフローチャート。 処理流体供給部の動作を示す説明図（待機運転工程）。 処理流体供給部の動作を示す説明図（供給前準備運転工程）。 処理流体供給部の動作を示す説明図（供給運転工程）。 処理流体供給部の動作を示す説明図（供給後移行運転工程）。
以下に、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
図１に示すように、基板処理装置１は、前端部に搬入出部２を形成する。搬入出部２には、複数枚（たとえば、25枚）の基板３（ここでは、半導体ウエハ）を収容したキャリア４が搬入及び搬出され、左右に並べて載置される。
また、基板処理装置１は、搬入出部２の後部に搬送部５を形成する。搬送部５は、前側に基板搬送装置６を配置するとともに、後側に基板受渡台７を配置する。この搬送部５では、搬入出部２に載置されたいずれかのキャリア４と基板受渡台７との間で基板搬送装置６を用いて基板３を搬送する。
また、基板処理装置１は、搬送部５の後部に処理部８を形成する。処理部８は、中央に前後に伸延する基板搬送装置９を配置するとともに、左右両側に基板３をめっき処理するためのめっき処理装置10を配置する。この処理部８では、基板受渡台７とめっき処理装置10との間で基板搬送装置９を用いて基板３を搬送し、めっき処理装置10を用いて基板３の液処理を行う。
めっき処理装置10は、基板搬送装置９の一方側に第１〜第４の基板処理部11〜14を前後に並べて配置するとともに、基板搬送装置９の他方側に第５〜第８の基板処理部15〜18を前後に並べて配置する。また、めっき処理装置10は、第１〜第４の基板処理部11〜14に第１の処理流体供給部19を接続するとともに、第５〜第８の基板処理部15〜18に第２の処理流体供給部20を接続する。第１〜第４の基板処理部11〜14では、第１の処理流体供給部19から供給される所定温度に加熱された処理流体を用いて基板３を処理する。第５〜第８の基板処理部15〜18では、第２の処理流体供給部20から供給される所定温度に加熱された処理流体を用いて基板３を処理する。第１〜第８の基板処理部11〜18、第１及び第２の処理流体供給部19,20、その他の基板処理装置１の各部は、制御部21で制御される。
なお、第１〜第８の基板処理部11〜18は、同様の構成となっており、第１及び第２の処理流体供給部19,20は、同様の構成となっている。そのため、以下の説明では、第１の基板処理部11と第１の処理流体供給部19の構成について説明する。
第１の基板処理部11は、図２に示すように、基板３を保持しながら回転させるための基板回転部22と、基板３に処理流体（めっき液）を吐出するための処理流体吐出部23とを有する。
基板回転部22は、基板処理室24の内部略中央に上下に伸延させた回転軸25を回転自在に設けている。回転軸25の上端には、円板状のターンテーブル26が水平に取付けられている。ターンテーブル26の外周端縁には、複数個の基板保持体27が円周方向に等間隔をあけて取付けられている。
また、基板回転部22は、回転軸25に基板回転機構28と基板昇降機構29を接続している。これらの基板回転機構28及び基板昇降機構29は、制御部21によって回転制御や昇降制御される。
この基板回転部22は、ターンテーブル26の基板保持体27で基板３を水平に保持する。また、基板回転部22は、基板回転機構28でターンテーブル26に保持した基板３を回転させ、基板昇降機構29でターンテーブル26や基板３を昇降させる。
処理流体吐出部23は、基板処理室24の左側に上下に伸延させた回転軸30を回転自在に設けている。回転軸30の上端には、水平に伸延させたアーム31を設けている。アーム31の先端下部には、ノズル32を鉛直下向きに取付けている。ノズル32には、第１の処理流体供給部19が接続されている。
また、処理流体吐出部23は、回転軸30にノズル移動機構33を接続している。このノズル移動機構33は、制御部21によって制御される。
この処理流体吐出部23は、ノズル移動機構33によってノズル32を基板３の中央部と基板３の左外側方との間で往復移動させることができ、第１の処理流体供給部19から供給される所定温度の処理流体をノズル32から基板３の表面（上面）に向けて吐出させることができる。
なお、基板処理室24には、ターンテーブル26を囲繞する円環状の回収カップ34を配置している。回収カップ34の上端部には、ターンテーブル26よりも一回り大きいサイズの開口を形成している。また、回収カップ34の下端部には、第1の処理流体供給部19を接続している。そして、基板３に供給された処理流体を回収カップ34で回収して、第１の処理流体供給部19に排出する。
第１の処理流体供給部19は、図３に示すように、処理流体を処理流体の劣化が進行しない温度（めっき液の自己反応による金属イオンの析出が進行しない温度：例えば、常温）で貯留する貯留タンク35に処理流体を加熱して第１の温度で循環させる第１の循環流路37と、処理流体を第１の温度よりも低い第２の温度で循環させる第２の循環流路36と、第１〜第４の基板処理部11〜14から基板に供給された後の処理流体を回収する回収流路38とを接続している。なお、第２の循環流路36は、第１の温度よりも低い第２の温度で循環させればよく、貯留タンク35に貯留する処理流体をそのまま加熱せずに循環させてもよく、第１の温度よりも低い第２の温度に加熱して循環させてもよい。
第２の循環流路36は、貯留タンク35に往路側循環流路39と復路側循環流路40とを接続し、貯留タンク35の出口に循環ポンプ41を設けている。往路側循環流路39には、第１〜第４の基板処理部11〜14のノズル32が分岐管42〜45を介して接続されている。分岐管42〜45の中途部には、流量調整器46〜49が接続されている。循環ポンプ41及び流量調整器46〜49は、制御部21によって制御される。
この第２の循環流路36は、貯留タンク35に貯留された常温の処理流体を加熱せずに常温のまま循環させ、必要に応じて第１〜第４の基板処理部11〜14に常温の処理流体を供給する。
第１の循環流路37は、第２の循環流路36の往路側循環流路39から分岐した分岐流路50に加熱用熱交換器51を接続し、加熱用熱交換器51に供給流路52を接続している。分岐流路50の中途部には、流量調整器53が接続されている。供給流路52には、第１〜第４の基板処理部11〜14のノズル32が分岐管54〜57を介して接続されている。分岐管54〜57の中途部には、流量調整器58〜61が接続されている。加熱用熱交換器51及び流量調整器53,58〜61は、制御部21によって制御される。
また、第１の循環流路37は、供給流路52に冷却用熱交換器62を流量調整器63を介して接続するとともに、冷却用熱交換器62と貯留タンク35とをバッファタンク64と循環ポンプ65を介して接続している。冷却用熱交換器62、流量調整器63、及び循環ポンプ65は、制御部21によって制御される。
ここで、加熱用熱交換器51は、容器66の内部を流れる処理流体を加熱流体供給源67から供給された加熱流体で加熱する構成となっている。加熱流体供給源67は、制御部21によって制御される。加熱流体供給源67から供給される加熱流体の温度は温度センサ68で検出される。また、冷却用熱交換器62は、容器69の内部を流れる処理流体を冷却流体供給源70から供給された冷却流体で冷却する構成となっている。冷却流体供給源70は、制御部21によって制御される。
さらに、第１の循環流路37は、第２の循環流路36の往路側循環流路39からバイパス流路71を分岐させ、そのバイパス流路71を供給流路52の第１〜第４の基板処理部11〜14よりも上流側に接続している。バイパス流路71の中途部には、流量調整器72が接続されている。流量調整器72は、制御部21によって制御される。供給流路52とバイパス流路71との合流部73よりも下流側であって第１〜第４の基板処理部11〜14よりも上流側の供給流路52には、温度センサ74を設けている。第１〜第４の基板処理部11〜14よりも下流側の供給流路52にも、温度センサ75を設けている。
この第１の循環流路37は、貯留タンク35に貯留された常温の処理流体を所定温度に加熱した後に、処理流体を処理流体の劣化が進行しない温度（めっき液の自己反応による金属イオンの析出が進行しない温度：例えば、常温）に冷却して循環させ、必要に応じて第１〜第４の基板処理部11〜14に所定温度の処理流体を供給する。
回収流路38は、第１〜第４の基板処理部11〜14の回収カップ34と冷却用熱交換器62とを分岐管76〜79を介して接続している。
この回収流路38は、第２の循環流路36又は第１の循環流路37から第１〜第４の基板処理部11〜14に供給された常温の又は所定温度に加熱された処理流体を冷却用熱交換器62に回収する。
なお、第１の処理流体供給部19から第１〜第４の基板処理部11〜14への処理流体の供給は、第１〜第４の基板処理部11〜14での基板３の処理状況に応じて、いずれか1個の第１〜第４の基板処理部11〜14だけに所定範囲の流量で供給されることもあり、また、複数個の第１〜第４の基板処理部11〜14に同時にそれぞれ同一流量又は異なる流量で供給されることもある。
基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御部21（コンピュータ）に設けた記録媒体80に記録された各種のプログラムにしたがって制御部21で制御され、基板３の処理を行う。ここで、記録媒体80は、各種の設定データやプログラムを格納しており、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記録媒体などの公知のもので構成される。
そして、基板処理装置１は、所定温度に加熱した処理流体で基板３を処理する際には、記録媒体80に記録された基板処理プログラム（図４参照。）に従って以下に説明するように基板３の処理を行う。なお、以下の説明においても、基板３を第１〜第４の基板処理部11〜14で処理する場合について説明する。
まず、基板処理装置１は、図４及び図５に示すように、第１〜第４の基板処理部11〜14で基板３を処理する前に、貯留タンク35に貯留された処理流体を加熱せずに循環させて待機する待機運転を行う（待機運転工程）。
この待機運転工程では、貯留タンク35に貯留されている常温の処理流体を第２の循環流路36を用いて加熱せずに循環させる。具体的には、循環ポンプ41を駆動させることで、処理流体を貯留タンク35の内部から循環ポンプ41、往路側循環流路39、復路側循環流路40を順に介して再び貯留タンク35の内部へと連続して循環させる。
その後、第１〜第４の基板処理部11〜14で基板３を処理することが決まった場合、基板処理装置１は、図４及び図６に示すように、第１〜第４の基板処理部11〜14に処理流体を供給する前に、貯留タンク35に貯留された処理流体を加熱しながら循環させて所定温度及び所定流量の処理流体を第１〜第４の基板処理部11〜14に供給できるように準備する供給前準備運転を行う（供給前準備運転工程）。
この供給前準備運転工程では、貯留タンク35に貯留されている常温の処理流体を所定温度及び所定流量となるまで第１の循環流路37を用いて加熱しながら循環させる。具体的には、第１の循環流路37の循環ポンプ65を駆動させることで、処理流体を貯留タンク35の内部から往路側循環流路39、分岐流路50、加熱用熱交換器51又はバイパス流路71、供給流路52、冷却用熱交換器62、バッファタンク64、循環ポンプ65を順に介して貯留タンク35の内部へと連続して循環させる。その際に、加熱用熱交換器51を駆動させることで、加熱流体供給源67から加熱流体を容器66に供給し、容器66の内部で処理流体を加熱して供給流路52の合流部73へと供給する。この合流部73へは、加熱用熱交換器51で加熱した処理流体だけでなく常温の処理流体もバイパス流路71を介して供給される。これにより、加熱された処理流体と常温の処理流体が合流部73で混合され常温よりも高い温度となって供給流路52を流れる。この処理流体は、冷却用熱交換器62で常温に冷却されてから貯留タンク35に戻される。なお、この供給前準備運転工程では、第２の循環流路36を用いて処理流体を循環させている。
この供給前準備運転工程は、供給流路52を流れる処理流体が所定温度及び所定流量となって安定するまで行われる。
その際に、基板処理装置１は、第１〜第４の基板処理部11〜14に供給する処理流体の流量に応じて第１の循環流路37で循環させる処理流体の流量を調整する。
たとえば、表１に示すように、最大の流量となる第１〜第４の基板処理部11〜14の全て４個に処理流体を供給する予定の場合には、加熱用熱交換器51で処理流体を加熱する加熱流量として、使用流量４０L/min、追加流量２L/minの合計４２L/minの処理流体を第１の循環流路37で循環させる。処理流体が最大の流量となる場合に、総流量の処理流体を加熱用熱交換器51で加熱することで、処理流体が所定温度となるように加熱用熱交換器51を設定する。そのため、処理流体が最大の流量となる場合には、バイパス流路71から供給流路52の合流部73に流して温度調整を行う処理流体の温度調整流量を０とする。なお、ここでは、各第１〜第４の基板処理部11〜14において所定流量１０L/minの処理流体を使用するものとし、その４倍の４０L/minの処理流体が第１〜第４の基板処理部11〜14で実際に使用される使用流量となる。また、処理流体の流量に追加流量を加えているのは、供給流路52から各分岐管54〜57に処理流体を円滑かつ正確に供給できるようにするためである。各第１〜第４の基板処理部11〜14において使用する処理流体の流量は一定の場合に限られず変動する場合もある。
Figure 2015113523
基板処理装置１では、第１の循環流路37で循環させる処理流体の流量が最大となる場合に、加熱用熱交換器51で総流量の処理流体を所定温度に加熱できるように加熱用熱交換器51を設定し、第１の循環流路37で循環させる処理流体の流量が減少しても、そのまま同一状態で加熱用熱交換器51を駆動させる。これにより、加熱用熱交換器51の制御を容易なものとすることができ、また、加熱用熱交換器51として安価なものを利用することができる。
そして、第１の循環流路37で循環させる処理流体の流量が最大となる場合に、加熱用熱交換器51で総流量の処理流体を所定温度に加熱できるように加熱用熱交換器51を設定することで、バイパス流路71から常温の処理流体を合流部73に供給する温度調整流量を最小（ここでは、０）とすることができ、冷却用熱交換器62や循環ポンプ65を流れる総流量が少なくなるので、これら冷却用熱交換器62や循環ポンプ65の負担を軽減して長寿命化を図ることができる。
このように、第１の循環流路37で循環させる処理流体の流量が最大のときに加熱用熱交換器51で処理流体を所定温度に加熱できるように設定した場合には、第１の循環流路37で循環させる処理流体の流量が減少して加熱用熱交換器51で加熱する処理流体の流量が減少すると、加熱用熱交換器51で処理流体が過度に加熱されることになる。
そこで、基板処理装置１では、表１に示すように、第１〜第４の基板処理部11〜14のいずれか１個〜３個に処理流体を供給する予定の場合には、供給予定の基板処理部の数に応じた使用流量を流すとともに、その使用流量に応じた温度調整流量を流す。具体的には、第１〜第４の基板処理部11〜14の全て４個に処理流体を供給する予定の場合、使用流量４０L/min、追加流量２L/min、温度調整流量０L/minであるが、第１〜第４の基板処理部11〜14のいずれか３個に処理流体を供給する予定の場合、使用流量３０L/min、追加流量２L/min、温度調整流量２L/minとし、使用流量と追加流量の合計の加熱流量３２L/minの処理流体を加熱用熱交換器51で加熱し、その処理流体に温度調整流量２L/minの処理流体を混合させることで、所定温度の処理流体となるようにする。同様に、第１〜第４の基板処理部11〜14のいずれか２個に処理流体を供給する予定の場合、使用流量２０L/min、追加流量２L/min、温度調整流量４L/minとし、使用流量と追加流量の合計の加熱流量２２L/minの処理流体を加熱用熱交換器51で加熱し、その処理流体に温度調整流量４L/minの処理流体を混合させることで、所定温度の処理流体となるようにする。また、第１〜第４の基板処理部11〜14のいずれか１個に処理流体を供給する予定の場合、使用流量１０L/min、追加流量２L/min、温度調整流量８L/minとし、使用流量と追加流量の合計の加熱流量１２L/minの処理流体を加熱用熱交換器51で加熱し、その処理流体に温度調整流量８L/minの処理流体を混合させることで、所定温度の処理流体となるようにする。なお、温度調整流量は、総流量の処理流体を所定温度にするために加熱流量に応じて必要となる流量を予め求めておく。
処理流体の温度が所定温度となったか否かは、供給流路52の合流部73よりも下流側であって第１〜第４の基板処理部11〜14よりも上流側に設けた温度センサ74で処理流体の温度を測定することで判断する。なお、供給流路52の第１〜第４の基板処理部11〜14よりも下流側にも温度センサ75を設けており、第１〜第４の基板処理部11〜14の上流側及び下流側において温度センサ74,75で測定した処理流体の温度の平均を用いて判断してもよい。また、加熱用熱交換器51に設けた温度センサ68で測定した加熱流体の温度から対応する処理流体の温度を求めてもよい。また、処理流体の温度が所定温度と異なる場合には、処理流体の温度に応じて温度調整流量を微調整するようにしてもよい。
基板処理装置１は、上記供給前準備運転工程を行い、供給流路52を流れる処理流体が所定温度及び所定流量となって安定した場合、図４及び図７に示すように、第１の循環流路37を循環する処理流体を第１〜第４の基板処理部11〜14に供給する供給運転を行う（供給運転工程）。なお、この供給運転工程中に第１〜第４の基板処理部11〜14において第１の処理流体供給部19から供給された所定温度の処理流体を用いて基板３が処理される。
この供給運転工程では、供給前準備運転工程に引き続き同量の処理流体を第１の循環流路37で循環させながら、必要とする第１〜第４の基板処理部11〜14に供給流路52から分岐管54〜57を介して処理流体を供給させるとともに、第１〜第４の基板処理部11〜14で使用された処理流体を回収させる。
たとえば、表１に示すように、第１〜第４の基板処理部11〜14の全て４個に処理流体を供給する場合、使用流量４０L/min，追加流量２L/min、温度調整流量０L/minの合計４２L/minを総流量として処理流体を循環させる。そのうち４０L/minの使用流量は第１〜第４の基板処理部11〜14に供給される。この使用流量の処理流体は、その後、第１〜第４の基板処理部11〜14から回収され、回収流路38から冷却用熱交換器62へと流れ、冷却用熱交換器62で常温に冷却されて貯留タンク35に貯留される。一方、総流量のうち第１〜第４の基板処理部11〜14に供給されない余剰流量２L/minの処理流体は、供給流路52から冷却用熱交換器62へと流れ、冷却用熱交換器62で常温に冷却されて貯留タンク35に貯留される。同様に、第１〜第４の基板処理部11〜14のいずれか１〜３個に処理流体を供給する場合、総流量のうちの使用流量１０〜３０L/minが第１〜第４の基板処理部11〜14のいずれかに供給された後に回収され、余剰流量が４〜１０L/minが第１〜第４の基板処理部11〜14に供給されずに回収される。ここでは、追加流量を一定とし、使用流量（加熱流量）に応じて温度調整流量を変化させることで、総流量が少なくなるほど余剰流量が多くなる。これにより、第１〜第４の基板処理部11〜14で同時に使用される処理流体の流量が変化しても所定流量の処理流体を安定して供給することができる。なお、供給運転中に処理流体の温度が所定温度から変化した場合には、処理流体の温度に応じて温度調整流量を微調整するようにしてもよい。
この供給運転工程では、上記供給前準備運転工程と同様に、第１〜第４の基板処理部11〜14に供給する処理流体の流量に応じて第１の循環流路37で循環させる処理流体の流量を調整する。これにより、第１の循環流路37で循環される処理流体の流量を必要最小限に抑制することができ、第１の循環流路37で加熱及び冷却されることによる処理流体の劣化を抑制することができる。
基板処理装置１は、上記供給運転工程を停止する場合、直ちに上記待機運転工程に切換えてもよい。しかし、上記供給運転工程から直ちに上記待機運転工程に切換えてしまうと、第１の循環流路37に加熱された処理流体が残留しており、その加熱された処理流体が熱劣化するおそれがある。そこで、基板処理装置１は、上記供給運転工程を停止する場合、図４及び図８に示すように、加熱用熱交換器51による処理流体の加熱を停止した状態で第１の循環流路37で処理流体を循環させる供給後移行運転を行い（供給後移行運転工程）、その後、第２の循環流路36で処理流体を循環させる待機運転を行う（待機運転工程）。
供給後移行運転工程では、貯留タンク35に貯留されている常温の処理流体を第１の循環流路37を用いて加熱せずに循環させる。具体的には、第１の循環流路37の循環ポンプ65を駆動させることで、処理流体を貯留タンク35の内部から往路側循環流路39、分岐流路50、加熱用熱交換器51又はバイパス流路71、供給流路52、冷却用熱交換器62、バッファタンク64、循環ポンプ65を順に介して貯留タンク35の内部へと連続して循環させる。その際に、加熱用熱交換器51の駆動は停止する。これにより、処理流体は、加熱用熱交換器51の容器66の内部を通過する際に余熱で加熱されるが、加熱用熱交換器51が停止しているために、容器66の温度が徐々に常温に冷却され、第１の循環流路37を循環する処理流体の温度も常温になる。なお、加熱用熱交換器51の容器66に冷却流体を供給して強制的に冷却させるようにしてもよい。
この供給後移行運転工程は、供給流路52を流れる処理流体が常温となって安定するまで行われる。
その後、基板処理装置１は、図４及び図５に示すように、貯留タンク35に貯留された処理流体を加熱せずに循環させて待機する待機運転を行う（待機運転工程）。このように、供給運転工程から待機運転工程に移行する前に、供給後移行運転工程を行うことで、加熱された処理流体が第１の循環流路37に残留して熱劣化するのを防止することができる。
以上に説明したように、上記基板処理装置１は、処理流体を貯留する貯留タンク35と、処理流体を加熱するための加熱用熱交換器51と、１又は複数の基板処理部(第１〜第８の基板処理部11〜18)に処理流体を供給するための供給流路52とを備え、供給流路52は、加熱用熱交換器51を迂回するバイパス流路71を基板処理部(第１〜第８の基板処理部11〜18)よりも上流側に設け、加熱用熱交換器51で加熱された処理流体とバイパス流路72から供給された処理流体とを混合して処理流体を基板処理部（第１〜第８の基板処理部11〜18）に処理流体を供給して基板処理部（第１〜第８の基板処理部11〜18）で基板３を処理する構成としている。
そのため、上記構成の基板処理装置１では、基板処理部（第１〜第８の基板処理部11〜18）での処理流体の使用流量が変動したり、処理流体を同時に使用する基板処理部（第１〜第８の基板処理部11〜18）の個数が変動しても、第１の循環流路37の供給流路52から所定温度の処理流体を基板処理部（第１〜第８の基板処理部11〜18）に安定して供給することができ、基板３を良好に処理することができる。また、基板処理部（第１〜第８の基板処理部11〜18）の個数が増大しても、それに応じた個数の処理流体供給部が必要とならず、基板処理装置１の大型化を抑制することができる。
なお、上記基板処理装置１では、処理流体としてめっき液を用いためっき処理を行うように構成しているが、本発明は、めっき処理に限られず、所定温度に加熱した洗浄液やリンス液やエッチング液などの処理流体を用いて基板３を処理する各種の基板処理装置に適用することができる。
１ 基板処理装置
11〜14 第１〜第４の基板処理部
19 第１の処理流体供給部
35 貯留タンク
36 第２の循環流路
37 第１の循環流路
38 回収流路
51 加熱用熱交換器
52 供給流路
62 冷却用熱交換器
65 循環ポンプ
71 バイパス流路
73 合流部

Claims (11)

  1. 基板を処理流体で処理する１又は複数の基板処理部と、
    基板処理部に加熱した処理流体を供給する処理流体供給部と、
    処理流体供給部を制御する制御部とを有し、
    処理流体供給部は、処理流体を貯留する貯留タンクと、処理流体を加熱するための加熱用熱交換器と、１又は複数の基板処理部に処理流体を供給するための供給流路と、を備え、
    供給流路は、加熱用熱交換器を迂回するバイパス流路を基板処理部よりも上流側に設け、加熱用熱交換器で加熱された処理流体とバイパス流路から供給された処理流体とを混合して処理流体を基板処理部に供給することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記制御部は、１又は複数の基板処理部に供給する処理流体の流量に応じて前記加熱用熱交換器で加熱する処理流体の流量とバイパス流路から供給する処理流体の流量を調整して、前記加熱用熱交換器で加熱された処理流体とバイパス流路から供給された処理流体とを混合して所定温度となった処理流体を基板処理部に供給することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記処理流体供給部は、前記加熱用熱交換器と、前記供給流路と、処理流体を冷却するための冷却用熱交換器とを順に前記貯留タンクに接続して前記貯留タンクに貯留された処理流体を循環させる第1の循環流路を有する請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、基板処理部への処理流体の供給を停止した場合に加熱用熱交換器による加熱を停止することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
  5. 前記貯留タンクに貯留された処理流体を加熱せずに循環させる第２の循環流路を設け、
    前記制御部は、基板処理部への処理流体の供給を行う場合には、第１の循環流路で処理流体を循環させ、基板処理部への処理流体の供給を停止した場合には、第２の循環流路で処理流体を循環させることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 貯留タンクに貯留した処理流体を加熱用熱交換器で加熱して供給流路から１又は複数の基板処理部に供給するとともに、貯留タンクに貯留した処理流体を加熱用熱交換器を迂回するバイパス流路から供給流路の基板処理部よりも上流側に供給し、加熱用熱交換器で加熱された処理流体とバイパス流路から供給された処理流体とを混合して基板処理部に供給することを特徴とする基板処理方法。
  7. 前記１又は複数の基板処理部に供給する処理流体の流量に応じて前記加熱用熱交換器で加熱する処理流体の流量とバイパス流路から供給する処理流体の流量を調整して、前記加熱用熱交換器で加熱された処理流体とバイパス流路から供給された処理流体とを混合して所定温度となった処理流体を基板処理部に供給することを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
  8. 前記加熱用熱交換器と、前記供給流路と、処理流体を冷却するための冷却用熱交換器とを順に前記貯留タンクに接続した第１の循環流路を用いて前記貯留タンクに貯留された処理流体を循環させることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の基板処理方法。
  9. 前記基板処理部への処理流体の供給を停止した場合に、加熱用熱交換器による加熱を停止することを特徴とする請求項６〜請求項８のいずれかに記載の基板処理方法。
  10. 前記貯留タンクに貯留された処理流体を加熱せずに第２の循環流路で循環させ、基板処理部への処理流体の供給を行う場合には、前記第１の循環流路で処理流体を循環させ、基板処理部への処理流体の供給を停止した場合には、前記第２の循環流路で処理流体を循環させることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 基板を処理流体で処理する１又は複数の基板処理部と、基板処理部に加熱した処理流体を供給する処理流体供給部と、処理流体供給部を制御する制御部とを有する基板処理装置で基板を処理させるための基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、
    貯留タンクに貯留した処理流体を加熱用熱交換器で加熱して供給流路から１又は複数の基板処理部に供給させるとともに、貯留タンクに貯留した処理流体を加熱用熱交換器を迂回するバイパス流路から供給流路の基板処理部よりも上流側に供給させ、加熱用熱交換器で加熱された処理流体とバイパス流路から供給された処理流体とを混合して基板処理部に供給させることを特徴とする基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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