TW201538789A - 基板處理裝置及基板處理方法和記錄基板處理程式之電腦可讀取之記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

達成可將處理基板的處理流體加熱至預定溫 度，而僅以預定流量穩定地進行供給。 在本發明中，係具有：1或複數個基板處 理部(11~18)，以處理流體來處理基板(3)；處理流體供給部(19、20)，將已加熱的處理流體供給至基板處理部(11~18)；及控制部(21)，控制處理流體供給部(19、20)，處理流體供給部(19、20)，係具備有：儲存槽(35)，儲存處理流體；加熱用熱交換器(51)，用於加熱處理流體；及供給流路(52)，用於將處理流體供給至1或複數個基板處理部(11~18)，供給流路(52)，係在比基板處理部(11~18)更往上游側設置繞過加熱用熱交換器(51)的旁通流路(71)，將加熱用熱交換器(51)所加熱的處理流體與從旁通流路(72)供給的處理流體混合，而將處理流體供給至基板處理部(11~18)。

Description

基板處理裝置及基板處理方法和記錄基板處理程式之電腦可讀取之記錄媒體
本發明，係關於以已加熱的處理流體來處理基板的基板處理裝置及基板處理方法和記錄基板處理程式之電腦可讀取之記錄媒體者。
向來，在製造半導體零件或平板顯示器等時，係使用基板處理裝置，對半導體晶圓或液晶基板等的基板施予洗淨或蝕刻或鍍敷等的各種處理。
例如，在進行電路圖案(該電路圖案，係形成於基板的表面)之鍍敷處理的基板處理裝置中，係具有：基板處理部，以處理流體(鍍敷液)來處理基板；及處理流體供給部，將已加熱至預定溫度的處理流體供給至基板處理部。處理流體供給部，係以供給管來連接儲存常溫之處理流體的儲存槽與基板處理部，並且在供給管的中途部設置加熱器。
而且，在以往的基板處理裝置中，係在以加熱器將儲存於儲存槽之常溫的處理流體加熱至預定溫度之 後供給至基板處理部，而在基板處理部使用預定溫度的處理流體來處理基板(例如，參閱專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-10994號公報
然而，由於在上述以往的基板處理裝置中，係在基板處理部處理基板之際，以加熱器將處理流體加熱至預定溫度而供給至基板處理部，因此，有基板處理部中之處理流體的使用流量產生變動，或者在因應使用流量將處理流體加熱至預定溫度而供給至基板處理部時，無法立即進行對應，難以將預定溫度的處理流體穩定地供給至基板處理部之虞。
又，在上述以往的基板處理裝置中，為了將處理流體供給部連接於各基板處理部，而在基板處理部的個數增加時，需要有因應於此的處理流體供給部，而導致有基板處理裝置之大型化之虞。
因此，本發明，係設成為在基板處理裝置 中，具有：1或複數個基板處理部，以處理流體來處理基板；處理流體供給部，將已加熱的處理流體供給至基板處理部；及控制部，控制處理流體供給部，處理流體供給部，係具備有：儲存槽，儲存處理流體；加熱用熱交換器，用於加熱處理流體；及供給流路，用於將處理流體供給至1或複數個基板處理部，供給流路，係在比基板處理部更往上游側設置繞過加熱用熱交換器的旁通流路，將加熱用熱交換器所加熱的處理流體與從旁通流路供給的處理流體混合，而將處理流體供給至基板處理部。
又，前述控制部，係設成為因應供給至1或複數個基板處理部之處理流體的流量，來調整前述加熱用熱交換器進行加熱之處理流體的流量與從旁通流路供給之處理流體的流量，將前述加熱用熱交換器所加熱的處理流體與從旁通流路供給的處理流體混合，而將成為預定溫度的處理流體供給至基板處理部。
又，前述處理流體供給部，係設成為具有第1循環流路，其係將前述加熱用熱交換器、前述供給流路、用於冷卻處理流體的冷卻用熱交換器依序連接至前述儲存槽，而使儲存於前述儲存槽的處理流體循環。
又，前述控制部，係設成為在停止將處理流體供給至基板處理部時，停止加熱用熱交換器之加熱。
又，設置有不加熱儲存於前述儲存槽之處理流體而使其循環的第2循環流路，前述控制部，係設成為在進行將處理流體供給至基板處理部時，使處理流體在第 1循環流路循環，在停止將處理流體供給至基板處理部時，使處理流體在第2循環流路循環。
又，本發明，係設成為在基板處理方法中，以加熱用熱交換器來加熱儲存於儲存槽的處理流體，而從供給流路供給至1或複數個基板處理部，並且將儲存於儲存槽的處理流體從繞過加熱用熱交換器的旁通流路，供給至比供給流路之基板處理部更往上游側，將加熱用熱交換器所加熱的處理流體與從旁通流路供給的處理流體混合，而供給至基板處理部。
又，設成為因應供給至前述1或複數個基板處理部之處理流體的流量，來調整前述加熱用熱交換器所加熱之處理流體的流量與從旁通流路供給之處理流體的流量，將前述加熱用熱交換器所加熱的處理流體與從旁通流路供給的處理流體混合，而將成為預定溫度的處理流體供給至基板處理部。
又，設成為使用將前述加熱用熱交換器、前述供給流路、用於冷卻處理流體的冷卻用熱交換器依序連接至前述儲存槽的第1循環流路，使儲存於前述儲存槽的處理流體循環。
又，設成為在停止將處理流體供給至前述基板處理部時，停止加熱用熱交換器之加熱。
又，設成為不加熱儲存於前述儲存槽之處理流體而使其在第2循環流路循環，在進行將處理流體供給至基板處理部時，使處理流體在前述第1循環流路循環， 在停止將處理流體供給至基板處理部時，使處理流體在前述第2循環流路循環。
又，本發明，係設成為在記錄有用於使基板在基板處理裝置進行處理之基板處理程式的電腦可讀取之記錄媒體中，該基板處理裝置，係具有：1或複數個基板處理部，以處理流體來處理基板；處理流體供給部，將已加熱的處理流體供給至基板處理部；及控制部，控制處理流體供給部，該電腦可讀取之記錄媒體，其特徵係，以加熱用熱交換器來加熱儲存於儲存槽的處理流體，使其從供給流路供給至1或複數個基板處理部，並且使儲存於儲存槽的處理流體從繞過加熱用熱交換器的旁通流路，供給至比供給流路之基板處理部更往上游側，將加熱用熱交換器所加熱的處理流體與從旁通流路供給的處理流體混合，而使其供給至基板處理部。
在本發明中，係可將已加熱至預定溫度的處理流體同時而穩定地供給至1或複數個基板處理部，從而可在基板處理部良好地處理基板。
1‧‧‧基板處理裝置
11~14‧‧‧第1~第4基板處理部
19‧‧‧第1處理流體供給部
35‧‧‧儲存槽
36‧‧‧第2循環流路
37‧‧‧第1循環流路
38‧‧‧回收流路
51‧‧‧加熱用熱交換器
52‧‧‧供給流路
62‧‧‧冷卻用熱交換器
65‧‧‧循環泵
71‧‧‧旁通流路
73‧‧‧合流部
[圖1]表示基板處理裝置的平面圖。
[圖2]表示基板處理部的側視圖。
[圖3]表示處理流體供給部的方塊圖。
[圖4]表示基板處理程式的流程圖。
[圖5]表示處理流體供給部之動作的說明圖(待機運轉工程)。
[圖6]表示處理流體供給部之動作的說明圖(供給前準備運轉工程)。
[圖7]表示處理流體供給部之動作的說明圖(供給運轉工程)。
[圖8]表示處理流體供給部之動作的說明圖(供給後移行運轉工程)。
在下述中，參閱圖面說明關於本發明之基板處理裝置及基板處理方法和基板處理程式的具體構成。
如圖1所示，基板處理裝置1，係在前端部形成搬入搬出部2。在搬入搬出部2，係搬入及搬出收容有複數片(例如25片)之基板3(在此，係半導體晶圓)的載體4，且左右排列載置。
又，基板處理裝置1，係在搬入搬出部2的後部形成搬送部5。搬送部5，係在前側配置基板搬送裝置6，並且在後側配置基板收授台7。該搬送部5，係在被載置於搬入搬出部2之任一載體4與基板收授台7之間，使用基板搬送裝置6來搬送基板3。
又，基板處理裝置1，係在搬送部5的後部形 成處理部8。處理部8，係在中央配置往前後延伸的基板搬送裝置9，並且在左右兩側配置用於對基板3進行鍍敷處理的鍍敷處理裝置10。該處理部8，係在基板收授台7與鍍敷處理裝置10之間，使用基板搬送裝置9來搬送基板3，使用鍍敷處理裝置10來進行基板3的液處理。
鍍敷處理裝置10，係在基板搬送裝置9的一方側，以前後排列的方式配置第1~第4基板處理部11~14，並且在基板搬送裝置9的另一方側，以前後排列的方式配置第5~第8基板處理部15~18。又，鍍敷處理裝置10，係將第1處理流體供給部19連接於第1~第4基板處理部11~14，並且將第2處理流體供給部20連接於第5~第8基板處理部15~18。在第1~第4基板處理部11~14中，係使用從第1處理流體供給部19所供給之被加熱至預定溫度的處理流體，來處理基板3。在第5~第8基板處理部15~18中，係使用從第2處理流體供給部20所供給之被加熱至預定溫度的處理流體，來處理基板3。第1~第8基板處理部11~18、第1及第2處理流體供給部19、20、其他基板處理裝置1的各部，係以控制部21予以控制。
另外，第1~第8基板處理部11~18，係形成為相同的構成，第1及第2處理流體供給部19、20，係形成為相同的構成。因此，在下述的說明中，係針對第1基板處理部11與第1處理流體供給部19的構成進行說明。
第1基板處理部11，係如圖2所示，具有：基板旋轉部22，用於一邊保持基板3一邊使其旋轉；及處理流體吐出部23，用於將處理流體(鍍敷液)吐出至基板3。
基板旋轉部22，係在基板處理室24之內部大致中央，旋轉自如地設置上下延伸的旋轉軸25。在旋轉軸25之上端，水平地安裝有圓板狀之旋轉台26。在旋轉台26之外周端緣，係於圓周方向隔著等間隔安裝有複數個基板保持體27。
又，基板旋轉部22，係將基板旋轉機構28與基板升降機構29連接於旋轉軸25。該些基板旋轉機構28及基板升降機構29，係藉由控制部21予以旋轉控制或升降控制。
該基板旋轉部22，係以旋轉台26之基板保持體27來水平地保持基板3。又，基板旋轉部22，係以基板旋轉機構28使保持於旋轉台26的基板3旋轉，且以基板升降機構29使旋轉台26或基板3升降。
處理流體吐出部23，係在基板處理室24之左側，旋轉自如地設置上下延伸的旋轉軸30。旋轉軸30之上端，係設置有水平延伸的支臂31。在支臂31的前端下部，係以垂直向下的方式，安裝噴嘴32。在噴嘴32，係連接有第1處理流體供給部19。
又，處理流體吐出部23，係將噴嘴移動機構33連接於旋轉軸30。該噴嘴移動機構33，係藉由控制部 21予以控制。
該處理流體吐出部23，係可藉由噴嘴移動機構33，使噴嘴32在基板3的中央部與基板3的左外側方之間往返移動，且可使從第1處理流體供給部19所供給之預定溫度的處理流體，從噴嘴32朝向基板3的表面(上面)吐出。
另外，在基板處理室24，係配置有圍繞旋轉台26之圓環狀的回收杯體34。在回收杯體34之上端部，係形成有比旋轉台26大一圈之尺寸的開口。又，在回收杯體34的下端部，係連接有第1處理流體供給部19。而且，以回收杯體34來回收被供給至基板3的處理流體，而排出至第1處理流體供給部19。
第1處理流體供給部19，係如圖3所示，連接有：第1循環流路37，以不會使處理流體之劣化進行的溫度(由鍍敷液之自我反應所產生的金屬離子之析出不進行的溫度：例如，常溫)，在儲存處理流體的儲存槽35加熱處理流體，而使其以第1溫度循環；第2循環流路36，使處理流體以比第1溫度低的第2溫度循環；及回收流路38，將從第1~第4基板處理部11~14供給至基板之後的處理流體回收。另外，第2循環流路36，係只要以比第1溫度低的第2溫度使其循環即可，亦可按照原樣不加熱儲存於儲存槽35的處理流體而使其循環，且亦可加熱至比第1溫度低的第2溫度而使其循環。
第2循環流路36，係將往路側循環流路39與 復路側循環流路40連接於儲存槽35，而在儲存槽35的出口設置循環泵41。在往路側循環流路39，係經由分歧管42~45連接有第1~第4基板處理部11~14的噴嘴32。在分歧管42~45的中途部，係連接有流量調整器46~49。循環泵41及流量調整器46~49，係藉由控制部21予以控制。
該第2循環流路36，係不加熱儲存於儲存槽35之常溫的處理流體，而使其維持常溫循環，因應所需將常溫的處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14。
第1循環流路37，係將加熱用熱交換器51連接於從第2循環流路36之往路側循環流路39分歧的分歧流路50，將供給流路52連接於加熱用熱交換器51。在分歧管50的中途部，係連接有流量調整器53。在供給流路52，係經由分歧管54~57連接有第1~第4基板處理部11~14的噴嘴32。在分歧管54~57的中途部，係連接有流量調整器58~61。加熱用熱交換器51及流量調整器53、58~61，係藉由控制部21予以控制。
又，第1循環流路37，係經由流量調整器63將冷卻用熱交換器62連接於供給流路52，並且經由緩衝槽64與循環泵65連接冷卻用熱交換器62與儲存槽35。冷卻用熱交換器62、流量調整器63及循環泵65，係藉由控制部21予以控制。
在此，加熱用熱交換器51，係形成為以從加熱流體供給源67所供給之加熱流體來加熱流經容器66內 部之處理流體的構成。加熱流體供給源67，係藉由控制部21予以控制。從加熱流體供給源67所供給之加熱流體的溫度，係由溫度感測器68予以檢測。又，冷卻用熱交換器62，係形成為以從冷卻流體供給源70所供給之冷卻流體來冷卻流經容器69內部之處理流體的構成。冷卻流體供給源70，係藉由控制部21予以控制。
而且，第1循環流路37，係使旁通流路71從第2循環流路36的往路側循環流路39分歧，而將其旁通流路71連接於比供給流路52之第1~第4基板處理部11~14更往上游側。在旁通流路71的中途部，係連接有流量調整器72。該流量調整器72，係藉由控制部21予以控制。在比供給流路52與旁通流路71之合流部73更往下游側且比第1~第4基板處理部11~14更往上游側的供給流路52，係設置有溫度感測器74。在比第1~第4基板處理部11~14更往下游側的供給流路52，亦設置有溫度感測器75。
該第1循環流路37，係在將儲存於儲存槽35之常溫的處理流體加熱至預定溫度之後，使處理流體冷卻至處理流體之劣化不會進行的溫度(由鍍敷液之自我反應所產生的金屬離子之析出不進行的溫度：例如，常溫)而使其循環，且因應所需將預定溫度的處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14。
回收流路38，係經由分歧管76~79，而連接第1~第4基板處理部11~14的回收杯體34與冷卻用熱交 換器62。
該回收流路38，係將從第2循環流路36或第1循環流路37供給至第1~第4基板處理部11~14之常溫或被加熱至預定溫度的處理流體回收至冷卻用熱交換器62。
另外，從第1處理流體供給部19將處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14，係亦存在有因應第1~第4基板處理部11~14中之基板3的處理狀態，以預定範圍的流量僅供給至任1個第1~第4基板處理部11~14的情形，又，亦存在有同時分別以相同流量與不同流量供給至複數個第1~第4基板處理部11~14的情形。
基板處理裝置1，係如上述說明所構成，按照記錄於被設置在控制部21(電腦)之記錄媒體80的各種程式，以控制部21來予以控制，從而進行基板3的處理。在此，記錄媒體80，係儲存有各種設定資料或程式，且由ROM或RAM等之記憶體或硬碟、CD-ROM、DVD-ROM或軟碟片等之碟片狀記錄媒體等之眾所皆知的記憶裝置所構成。
而且，基板處理裝置1，係在以已加熱至預定溫度的處理流體來處理基板3之際，按照記錄於記錄媒體80的基板處理程式(參閱圖4)，如下述說明進行基板3的處理。另外，在下述的說明中，亦針對在第1~第4基板處理部11~14處理基板3的情形進行說明。
首先，基板處理裝置1，係如圖4及圖5所 示，在第1~第4基板處理部11~14處理基板3之前，進行不加熱儲存於儲存槽35的處理流體並使其循環而待機的待機運轉(待機運轉工程)。
在該待機運轉工程中，係使用第2循環流路，不加熱儲存於儲存槽35之常溫的處理流體而使其循環。具體而言，係以驅動循環泵41的方式，使處理流體從儲存槽35之內部依序經由循環泵41、往路側循環流路39、復路側循環流路40，而再次使其繼續往儲存槽35之內部循環。
然後，在決定以第1~第4基板處理部11~14處理基板3的情況下，基板處理裝置1，係如圖4及圖6所示，在將處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14之前，一邊加熱儲存於儲存槽35的處理流體一邊使其循環，以可將預定溫度及預定流量之處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14的方式，進行準備之供給前準備運轉(供給前準備運轉工程)。
在該供給前準備運轉工程中，係一邊使用第1循環流路37來加熱儲存於儲存槽35之常溫的處理流體直至成為預定溫度及預定流量，一邊使其循環。具體而言，以驅動第1循環流路37之循環泵65的方式，使處理流體從儲存槽35之內部，依序經由往路側循環流路39、分歧流路50、加熱用熱交換器51或旁通流路71、供給流路52、冷卻用熱交換器62、緩衝槽64、循環泵65，而使其繼續往儲存槽35之內部循環。此時，以驅動加熱用熱交 換器51的方式，將加熱流體從加熱流體供給源67供給至容器66，在容器66之內部加熱處理流體，而往供給流路52的合流部73進行供給。往該合流部73，係不僅包括在加熱用熱交換器51加熱的處理流體，亦包括經由旁通流路71供給之常溫的處理流體。藉此，被加熱的處理流體與常溫的處理流體會在合流部73被混合，而形成高於常溫的溫度，流經供給流路52。該處理流體，係在冷卻用熱交換器62被冷卻至常溫之後，返回儲存槽35。另外，在該供給前準備運轉工程中，係使用第2循環流路36使處理流體循環。
該供給前準備運轉工程，係進行直至流經供給流路52之處理流體成為預定溫度及預定流量而穩定為止。
此時，基板處理裝置1，係因應供給至第1~第4基板處理部11~14之處理流體的量，來調整在第1循環流路37循環之處理流體的流量。
例如，如表1所示，在預定將處理流量供給至成為最大流量之所有第1~第4基板處理部11~14的4個時，係以使用流量40L/min、追加流量2L/min之總計42L/min的處理流體作為利用加熱用熱交換器51來加熱處理流體的加熱流量，而使其在第1循環流路37循環。在處理流體成為最大流量時，以加熱用熱交換器51來加熱總流量的處理流體，藉此，以使處理流體成為預定溫度的方式，設定加熱用熱交換器51。因此，在處理流體成 為最大流量時，係將從旁通流路71流向供給流路52之合流部73而進行溫度調整之處理流體的溫度調整流量設成為0。另外，在此，係設成為在各第1~第4基板處理部11~14中，使用預定流量10L/min的處理流體者，其4倍之40L/min的處理流體形成為實際在第1~第4基板處理部11~14所使用的使用流量。又，處理流體之流量加上追加流量，係為了能夠使處理流體從供給流路52順利且正確地供給至各分歧管54~57。各第1~第4基板處理部11~14中所使用之處理流體的流量，係並不限定固定之情形，亦有變動之情形。
基板處理裝置1，係在第1循環流路37循環之處理流體的流量成為最大時，以可利用加熱用熱交換器51將總流量之處理流體加熱至預定溫度的方式，設定加熱用熱交換器51，即使在第1循環流路37循環之處理流體的流量減少，亦按照原樣在同一狀態下，驅動加熱用熱交換器51。藉此，可輕易地進行加熱用熱交換器51之控 制，又，可利用便宜的裝置以作為加熱用熱交換器51。
而且，在第1循環流路37循環之處理流體的流量成為最大時，由於以利用加熱用熱交換器51將總流量之處理流體加熱至預定溫度的方式，設定加熱用熱交換器51，藉此，可使從旁通流路71將常溫之處理流體供給至合流部73的溫度調整流量設成為最小(在此，係0)，且流經冷卻用熱交換器62或循環泵65的總流量會變少，因此，可減輕該些冷卻用熱交換器62或循環泵65之負擔，從而達成長壽命化。
如此一來，在第1循環流路37循環之處理流體的流量成為最大時，在設定為可利用加熱用熱交換器51將處理流體加熱至預定溫度的情況下，當在第1循環流路37循環之處理流體的流量減少，且在加熱用熱交換器51進行加熱之處理流體的流量減少時，在加熱用熱交換器51的處理流體會被過度加熱。
因此，在基板處理裝置1中，係如表1所示，在預定將處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14之任1個~3個的情況下，係使因應於供給預定之基板處理部之個數的使用流量流動，並且使因應於其使用流量的溫度調整流量流動。具體而言，在預定將處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14之所有4個的情況下，雖為使用流量40L/min、追加流量2L/min、溫度調整流量0L/min，但在預定將處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14之任3個的情況下，設成為使用流量30L/min、 追加流量2L/min、溫度調整流量2L/min，而利用加熱用熱交換器51來加熱使用流量與追加流量之總合之加熱流量32L/min的處理流體，使溫度調整流量2L/min的處理流體與其處理流體混合，藉此，成為預定溫度的處理流體。相同地，在預定將處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14之任2個的情況下，設成為使用流量20L/min、追加流量2L/min、溫度調整流量4L/min，而利用加熱用熱交換器51來加熱使用流量與追加流量之總計之加熱流量22L/min的處理流體，使溫度調整流量4L/min的處理流體與其處理流體混合，藉此，成為預定溫度的處理流體。又，在預定將處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14之任1個的情況下，設成為使用流量10L/min、追加流量2L/min、溫度調整流量8L/min，而利用加熱用熱交換器51來加熱使用流量與追加流量之總計之加熱流量12L/min的處理流體，使溫度調整流量8L/min的處理流體與其處理流體混合，藉此，成為預定溫度的處理流體。另外，溫度調整流量，係為了將總流量之處理流體設成為預定溫度，而事先求出因應加熱流量所需的流量。
處理流體之溫度是否已成為預定溫度，係以下述者進行判斷：藉由設置於比供給流路52之合流部73更往下游側且比第1~第4基板處理部11~14更往上游側的溫度感測器74，來測定處理流體的溫度。另外，在比供給流路52之第1~第4基板處理部11~14更往下游側亦 設置有溫度感測器75，而亦可在第1~第4基板處理部11~14之上游側及下游側中，使用溫度感測器74、75所測定之處理流體之溫度的平均來進行判斷。又，亦可從設置於加熱用熱交換器51之溫度感測器68所測定之加熱流體的溫度，來求出對應之處理流體的溫度。又，在處理流體之溫度與預定溫度不同時，係亦可因應處理流體的溫度，來微調整溫度調整流量。
基板處理裝置1，係在進行上述供給前準備運轉工程，且流經供給流路52的處理流體成為預定溫度及預定流量而穩定時，如圖4及圖7所示，進行供給運轉(供給運轉工程)，該供給運轉，係將在第1循環流路37循環的處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14。另外，在該供給運轉工程期間，在第1~第4基板處理部11~14中使用從第1處理流體供給部19所供給之預定溫度的處理流體，從而處理基板3。
該供給運轉工程，係在供給前準備運轉工程之後，一邊使同量的處理流體在第1循環流路37循環，一邊使處理流體從供給流路52，經由分歧管54~57供給至所需之第1~第4基板處理部11~14，並且使第1~第4基板處理部11~14所使用的處理流體回收。
例如，如表1所示，在將處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14之所有4個的情況下，將使用流量40L/min、追加流量2L/min、溫度調整流量0L/min之總計42L/min設成為總流量，而使處理流體循環。其中 40L/min的使用流量，係被供給至第1~第4基板處理部11~14。該使用流量的處理流體，係接下來從第1~第4基板處理部11~14回收，從回收流路38流向冷卻用熱交換器62，在冷卻用熱交換器62被冷卻至常溫，而儲存於儲存槽35。另一方面，總流量中之未供給至第1~第4基板處理部11~14之剩餘流量2L/min的處理流體，係從供給流路52流向冷卻用熱交換器62，在冷卻用熱交換器62被冷卻至常溫，而儲存於儲存槽35。相同地，在將處理流體供給至第1~第4基板處理部11~14之任1~3個的情況下，總流量中之使用流量10~30L/min，係被供給至第1~第4基板處理部11~14之任一後而回收，剩餘流量，係4~10L/min未被供給至第1~第4基板處理部11~14而回收。在此，係將追加流量設成為固定，而因應使用流量(加熱流量)使溫度調整流量改變，藉此，總流量變得越少則剩餘流量變得越多。藉此，即使在第1~第4基板處理部11~14所同時使用之處理流體的流量改變，亦可穩定地供給預定流量的處理流體。另外，在供給運轉期間，在處理流體之溫度從預定溫度改變時，係亦可因應處理流體的溫度，來微調整溫度調整流量。
在該供給運轉工程中，係與上述供給前準備運轉工程相同地，因應供給至第1~第4基板處理部11~14之處理流體的流量，來調整在第1循環流路37循環之處理流體的流量。藉此，可將在第1循環流路37循環之處理流體的流量抑制為必要最小限度，且可抑制在第1循環 流路37予以加熱及冷卻所引起之處理流體的劣化。
基板處理裝置1，係亦可在停止上述供給運轉工程時，立即切換成上述待機運轉工程。但是，當從上述供給運轉工程立即切換為上述待機運轉工程時，則有被加熱的處理流體殘留於第1循環流路37，而該被加熱的處理流體發生熱劣化之虞。因此，基板處理裝置1，係在停止上述供給運轉工程時，如圖4及圖8所示，在停止加熱用熱交換器51之處理流體之加熱的狀態下，進行使處理流體在第1循環流路37循環的供給後移行運轉(供給後移行運轉工程)，然後，進行使處理流體在第2循環流路36循環的待機運轉(待機運轉工程)。
在供給後移行運轉工程中，係使用第1循環流路37，不加熱儲存於儲存槽35之常溫的處理流體而使其循環。具體而言，係以驅動第1循環流路37之循環泵65的方式，使處理流體從儲存槽35之內部依序經由往路側循環流路39、分歧流路50、加熱用熱交換器51或旁通流路71、供給流路52、冷卻用熱交換器62、緩衝槽64、循環泵65，使其繼續往儲存槽35之內部循環。此時，加熱用熱交換器51之驅動會停止。藉此，處理流體，雖係在通過加熱用熱交換器51之容器66的內部之際，以餘熱而被加熱，但為了停止加熱用熱交換器51，而使容器66的溫度慢慢地冷卻至常溫，使得在第1循環流路37循環之處理流體的溫度亦成為常溫。另外，亦可將冷卻流體供給至加熱用熱交換器51的容器66，使其強制冷卻。
該供給後移行運轉工程，係進行直至流經供給流路52之處理流體成為常溫而穩定為止。
然後，基板處理裝置1，係如圖4及圖5所示，進行不加熱儲存於儲存槽35的處理流體並使其循環而待機的待機運轉(待機運轉工程)。如此一來，在從供給運轉工程移行至待機運轉工程之前，能夠以進行供給後移行運轉工程的方式，防止被加熱的處理流體殘留於第1循環流路37而發生熱劣化。
如上述所說明，上述基板處理裝置1，係具備有：儲存槽35，儲存處理流體；加熱用熱交換器51，用於加熱處理流體；及供給流路52，用於將處理流體供給至1或複數個基板處理部(第1~第8基板處理部11~18)，供給流路52，係構成為在比基板處理部(第1~第8基板處理部11~18)更往上游側設置繞過加熱用熱交換器51的旁通流路71，將加熱用熱交換器51所加熱的處理流體與從旁通流路72供給的處理流體混合，而將處理流體供給至基板處理部(第1~第8基板處理部11~18)，從而在基板處理部(第1~第8基板處理部11~18)處理基板3。
因此，在上述構成的基板處理裝置1中，即使基板處理部(第1~第8基板處理部11~18)中之處理流體的使用流量產生變動，或者同時使用處理流體之基板處理部(第1~第8基板處理部11~18)的個數產生變動，亦可從第1循環流路37之供給流路52將預定溫度的處理流 體穩定地供給至基板處理部(第1~第8基板處理部11~18)，從而可良好地處理基板3。又，即使基板處理部(第1~第8基板處理部11~18)的個數增加，亦不須有因應其之個數的處理流體供給部，而可抑制基板處理裝置1之大型化。
另外，在上述基板處理裝置1中，雖係構成為進行使用以鍍敷液作為處理流體的鍍敷處理，但本發明係不限於鍍敷處理，可適用於使用已加熱至預定溫度之洗淨液或沖洗液或蝕刻液等的處理流體來處理基板3的各種基板處理裝置。
11‧‧‧第1基板處理部
12‧‧‧第2基板處理部
13‧‧‧第3基板處理部
14‧‧‧第4基板處理部
19‧‧‧第1處理流體供給部
35‧‧‧儲存槽
36‧‧‧第2循環流路
37‧‧‧第1循環流路
38‧‧‧回收流路
39‧‧‧往路側循環流路
40‧‧‧復路側循環流路
41‧‧‧循環泵
42‧‧‧分歧管
43‧‧‧分歧管
44‧‧‧分歧管
45‧‧‧分歧管
46‧‧‧流量調整器
47‧‧‧流量調整器
48‧‧‧流量調整器
49‧‧‧流量調整器
50‧‧‧分歧流路
51‧‧‧加熱用熱交換器
52‧‧‧供給流路
53‧‧‧流量調整器
54‧‧‧分歧管
55‧‧‧分歧管
56‧‧‧分歧管
57‧‧‧分歧管
58‧‧‧流量調整器
59‧‧‧流量調整器
60‧‧‧流量調整器
61‧‧‧流量調整器
62‧‧‧冷卻用熱交換器
63‧‧‧流量調整器
64‧‧‧緩衝槽
65‧‧‧循環泵
66‧‧‧容器
67‧‧‧加熱流體供給源
68‧‧‧溫度感測器
69‧‧‧容器
70‧‧‧冷卻流體供給源
71‧‧‧旁通流路
72‧‧‧旁通流路
73‧‧‧合流部
74‧‧‧溫度感測器
75‧‧‧溫度感測器
76‧‧‧分歧管
77‧‧‧分歧管
78‧‧‧分歧管
79‧‧‧分歧管

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係，具有：1或複數個基板處理部，以處理流體來處理基板；處理流體供給部，將已加熱的處理流體供給至基板處理部；及控制部，控制處理流體供給部，處理流體供給部，係具備有：儲存槽，儲存處理流體；加熱用熱交換器，用於加熱處理流體；及供給流路，用於將處理流體供給至1或複數個基板處理部，供給流路，係在比基板處理部更往上游側設置繞過加熱用熱交換器的旁通流路，將加熱用熱交換器所加熱的處理流體與從旁通流路供給的處理流體混合，而將處理流體供給至基板處理部。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係因應供給至1或複數個基板處理部之處理流體的流量，來調整前述加熱用熱交換器所加熱之處理流體的流量與從旁通流路供給之處理流體的流量，將前述加熱用熱交換器所加熱的處理流體與從旁通流路供給的處理流體混合，而將成為預定溫度的處理流體供給至基板處理部。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，前述處理流體供給部，係具有第1循環流路，其係將前述加熱用熱交換器、前述供給流路、用於冷卻處理流體 的冷卻用熱交換器依序連接至前述儲存槽，而使儲存於前述儲存槽的處理流體循環。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在停止將處理流體供給至基板處理部時，停止加熱用熱交換器之加熱。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，設置有不加熱儲存於前述儲存槽之處理流體而使其循環的第2循環流路，前述控制部，係在進行將處理流體供給至基板處理部時，使處理流體在第1循環流路循環，在停止將處理流體供給至基板處理部時，使處理流體在第2循環流路循環。
  6. 一種基板處理方法，其特徵係，以加熱用熱交換器來加熱儲存於儲存槽的處理流體，而從供給流路供給至1或複數個基板處理部，並且將儲存於儲存槽的處理流體從繞過加熱用熱交換器的旁通流路，供給至比供給流路之基板處理部更往上游側，將加熱用熱交換器所加熱的處理流體與從旁通流路供給的處理流體混合，而供給至基板處理部。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中，因應供給至前述1或複數個基板處理部之處理流體的流量，來調整前述加熱用熱交換器所加熱之處理流體的流量與從旁通流路供給之處理流體的流量，將前述加熱用熱交換器所加熱的處理流體與從旁通流路供給的處理流體混 合，而將成為預定溫度的處理流體供給至基板處理部。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之基板處理方法，其中，使用第1循環流路，來使儲存於前述儲存槽的處理流體循環，該第1循環流路，係將前述加熱用熱交換器、前述供給流路、用於冷卻處理流體的冷卻用熱交換器依序連接於前述儲存槽。
  9. 如申請專利範圍第6或7項之基板處理方法，其中，在停止將處理流體供給至前述基板處理部時，停止加熱用熱交換器之加熱。
  10. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中，在不加熱儲存於前述儲存槽之處理流體而使其在第2循環流路循環，進行將處理流體供給至基板處理部時，使處理流體在前述第1循環流路循環，在停止將處理流體供給至基板處理部時，使處理流體在前述第2循環流路循環。
  11. 一種電腦可讀取之記錄媒體，在記錄有用於使基板在基板處理裝置進行處理之基板處理程式的電腦可讀取之記錄媒體中，該基板處理裝置，係具有：1或複數個基板處理部，以處理流體來處理基板；處理流體供給部，將已加熱的處理流體供給至基板處理部；及控制部，控制處理流體供給部，該電腦可讀取之記錄媒體，其特徵係，以加熱用熱交換器來加熱儲存於儲存槽的處理流體， 使其從供給流路供給至1或複數個基板處理部，並且使儲存於儲存槽的處理流體從繞過加熱用熱交換器的旁通流路，供給至比供給流路之基板處理部更往上游側，將加熱用熱交換器所加熱的處理流體與從旁通流路供給的處理流體混合，而供給至基板處理部。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6916633B2 (ja) * 2017-02-24 2021-08-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
JP6878077B2 (ja) * 2017-03-24 2021-05-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102316834B1 (ko) * 2020-07-24 2021-10-26 무진전자 주식회사 통합 바이패스 기능이 구비된 반도체 장비의 유체 공급 장치
JP2022178121A (ja) * 2021-05-19 2022-12-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システム

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0375378A (ja) * 1990-03-06 1991-03-29 Purantetsukusu:Kk 無電解メッキ槽のメッキ液循環装置
US6500482B1 (en) * 2001-08-31 2002-12-31 Boules H. Morcos Electroless nickel plating solution and process for its use
US7597763B2 (en) * 2004-01-22 2009-10-06 Intel Corporation Electroless plating systems and methods
JP2006066727A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Toshiba Corp 半導体製造装置及び薬液交換方法
JP5634341B2 (ja) * 2011-06-29 2014-12-03 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体

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