TWI706435B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI706435B
TWI706435B TW107105256A TW107105256A TWI706435B TW I706435 B TWI706435 B TW I706435B TW 107105256 A TW107105256 A TW 107105256A TW 107105256 A TW107105256 A TW 107105256A TW I706435 B TWI706435 B TW I706435B
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長田直之
橋本光治
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明基板處理裝置之噴出口31配置於腔室9內。循環流路50一面將處理液維持為特定之溫度一面使其循環。噴出流路32自循環流路50分支而將處理液導引至噴出口31。回流流路33在腔室9內連接於噴出流路32，使在噴出流路32內流通之處理液回流至循環流路50。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置。在成為處理對象之基板之例中包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、及太陽能電池用基板等。
在半導體裝置之製造工序中，將處理液供給至半導體晶圓等之基板之表面，並利用處理液處理該基板之表面。
例如，一次處理一個基板之單片式基板處理裝置具備：旋轉卡盤，其一面水平地保持基板一面旋轉；及噴嘴，其包含朝向由該旋轉卡盤保持之基板之上表面噴出處理液之噴出口。有自噴嘴之噴出口噴出被溫度調整為較室溫為高溫之處理液之情形。
已知悉包含處理液供給單元之基板處理裝置，前述處理液供給單元具備：循環流路，其一面將處理液溫度調整為特定之高溫一面使其循環；噴出流路，其自循環流路分歧且朝噴出口延伸；及回流流路，其分歧連接於噴出流路，而使在噴出流路內流通之處理液回流至循環流路(參照例如JP2016-157854A、JP2016-152354A)。在該等先前之基板處理裝置中， 回流流路在處理液供給單元之內部之特定位置分歧連接於噴出流路。
在自噴出口不噴出處理液之噴出停止狀態下，由於在噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游側之部分內處理液不循環，故構成該下游側之部分之噴出流路之管壁受室內之溫度之影響而溫度降低。
在自噴出口噴出處理液之噴出狀態下，在此之前，在噴出流路、回流流路及循環流路內循環之處理液通過噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游側之部分被供給至噴出口。
在上述先前之基板處理裝置中，由於噴出流路與回流流路之連接位置配置於處理液供給單元之內部，故自該連接位置至噴出口之噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游側之部分的距離為長。因而，在噴出狀態下，在噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游側之部分內流動之處理液受到伴隨著構成該下游側之部分之管壁之溫度降低之熱影響，而有低於所期望之高溫之溫度之處理液自噴出口噴出之虞。
因而，本發明之目的在於提供一種能夠將自處理液之供給開始時被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板，藉此能夠特別地提高基板間之處理之均一性的基板處理裝置。
本發明之一實施形態提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其水平地保持基板；腔室，其收容前述基板保持單元；及處理液供給系統，其包含循環流路、噴出流路、噴出口及回流流路，且將處理液供給至由前述基板保持單元保持之基板；且前述循環流路一面將處理液維持為常溫以上之特定之溫度一面使其循環；前述噴出流路自前述循環流路分歧，而朝向前述噴出口導引自前述循環流路供給之處理液；前述噴出口配 置於前述腔室內，朝向由前述基板保持單元保持之基板噴出經由前述噴出流路供給之處理液；前述回流流路在前述腔室內連接於前述噴出流路，使在前述噴出流路內流通之處理液回流至前述循環流路。
根據該構成，例如在自噴出口部不噴出處理液之噴出停止狀態下，藉由使處理液經由噴出流路、及與該噴出流路在腔室內連接之回流流路持續循環，而能夠將噴出流路內之處理液維持為所期望之高溫直至與配置於腔室內之回流流路之連接位置為止。又，亦可將噴出流路與回流流路之連接位置配置於腔室內之噴出口之附近，在此情形下，能夠縮短自與回流流路之連接位置至噴出口之噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游側之部分的距離。因而，在噴出狀態下，能夠減小在噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游側之部分內流動之處理液所受到的伴隨著構成該下游側之部分之管壁之溫度降低的熱影響。因而，能夠將自處理液之供給開始時被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板，藉此能夠提高基板間之處理之均一性。
又，在先前之基板處理裝置中，有在實際之處理液之噴出前，實施將被溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至噴出流路，且使其自噴出口噴出之預先配給之工序之情形。然而，根據該構成，能夠省略預先配給之工序，或縮短在預先配給之工序噴出處理液之時間，或減少噴出之處理液之量，還能夠抑制因實施預先配給之工序所致之處理時間之延長、或處理液之消耗量之增加。
在本發明之一實施形態中，前述噴出口在前述腔室內配置於由前述基板保持單元保持之基板之上方且在俯視觀察下為基板之面內，前述回流流路在前述腔室內在前述基板之上方且在俯視觀察下在基板之面內連接於 前述噴出流路。
根據該構成，於在腔室內之基板之上方且在俯視觀察下在基板之面內配置有噴出口之情形下，藉由將回流流路在腔室內之基板之上方且在俯視觀察下在基板之面內連接於前述噴出流路，而可將噴出流路與回流流路之連接位置配置於噴出口之更附近之位置。而且，在此情形下，能夠進一步縮短噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游側之部分的距離。因而，能夠進一步減小在噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游側之部分內流動之處理液所受到的伴隨著構成該下游側之部分之管壁之溫度降低的熱影響。因而，能夠將自處理液之供給開始時被更進一步高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板，藉此，能夠進一步提高基板間之處理之均一性。
在本發明之一實施形態中，前述處理液供給系統更包含噴出加熱器，前述噴出加熱器在較前述回流流路與前述噴出流路之連接位置更靠上游之位置夾裝於前述噴出流路，加熱在前述噴出流路內流動之處理液。
根據該構成，能夠在該噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠上游側之位置利用噴出加熱器將自循環流路分歧而在噴出流路內流動之處理液溫度調整為所期望之噴出溫度。因而，能夠進一步減小在噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游側之部分內流動之處理液所受到的伴隨著構成該下游側之部分之管壁之溫度降低的熱影響。因而，能夠將自處理液之供給開始時被更進一步高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板，藉此，能夠進一步提高基板間之處理之均一性。
在本發明之一實施形態中，前述處理液供給系統包含：自前述循環流路分歧之複數條前述噴出流路、就複數條前述噴出流路之每一者設置之 複數個前述噴出口、及就複數條前述噴出流路之每一者分別在腔室內連接之複數條前述回流流路。
根據該構成，由於複數條噴出流路與回流流路之連接位置分別配置於腔室內，故能夠縮短各噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游側之部分的距離。因而，能夠減小受到在各噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游側之部分內流動之處理液所受到的伴隨著構成該下游側之部分之管壁之溫度降低的熱影響，而能夠自各個噴出口將被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板。藉此，可減小在各條噴出流路內流動之處理液之溫度之不均一，在此情形下，能夠提高自複數個噴出口噴出之處理液之溫度之均一性。因而，能夠提高同一基板之面內之處理之均一性。
在本發明之一實施形態中，前述基板保持單元使前述基板繞通過前述基板之中央部之鉛直之旋轉軸線旋轉，前述複數個噴出口在前述腔室內分別配置於前述基板之上表面內之距前述旋轉軸線之距離不同之複數個位置。
根據該構成，藉由一面使基板繞旋轉軸線旋轉，一面使自複數個噴出口噴出之處理液到達距前述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，而能夠使被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液快速地遍及基板之上表面之全域。因而，能夠更進一步提高同一基板之面內之處理之均一性。
在本發明之一實施形態中，前述處理液供給系統更包含短路流路，前述短路流路在較與前述回流流路之連接位置更靠上游之位置連接於前述噴出流路，且連接於前述回流流路，前述處理液供給系統更包含開閉前述短路流路之開閉單元。
根據該構成，例如，在噴出停止狀態下，藉由利用開閉單元打開短路流路使噴出流路與回流流路短路，而一面經由該噴出流路、短路流路及回流流路使處理液持續循環，一面使噴出流路之較與短路流路之連接位置更靠下游側之處理液之流通停止，例如能夠執行以下說明之回吸等。
在本發明之一實施形態中，前述處理液供給系統更包含吸引流路，前述吸引流路在較與前述噴出流路之連接位置更靠下游且較與前述短路流路之連接位置更靠上游之位置連接於前述回流流路，經由前述回流流路將吸引力傳遞至前述噴出流路之較與前述回流流路之連接位置更靠下游之區域。
根據該構成，例如，如上述般，在噴出停止狀態下，藉由一面經由噴出流路、短路流路及回流流路使處理液持續循環，一面自吸引流路經由回流流路將吸引力傳遞至噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游之區域，而能夠將殘留於該區域內之處理液吸除(回吸)至吸引流路內。
因而，能夠防止殘留於噴出流路之較與回流流路之連接位置更靠下游之區域且溫度已降低之處理液在噴出停止狀態下自噴出口不慎被供給至基板之上表面。又，當重啟處理液之噴出時，能夠通過噴出流路將被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板。因而，能夠更進一步提高基板間之處理之均一性。
在本發明之一實施形態中，前述處理液供給系統更包含切換單元，前述切換單元切換為包含將自前述循環流路供給至前述噴出流路之處理液供給至前述噴出口之噴出狀態、及將自前述循環流路供給至前述噴出流路之處理液供給至前述回流流路之噴出停止狀態的複數個狀態中任一者。
根據該構成，能夠利用切換單元將處理液供給系統在處理液經由循 環流路與噴出流路自噴出口噴出之噴出狀態、及該處理液經由循環流路、噴出流路及回流流路循環而未自噴出口噴出之噴出停止狀態之間快速地切換。因而，能夠將自處理液之供給開始時被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板，而能夠進一步提高基板間之處理之均一性。
在本發明之一實施形態中，前述切換單元在利用前述開閉單元打開前述短路流路而使前述噴出流路與前述回流流路經由前述短路流路短路連接之狀態下，切換為經由前述吸引流路及前述回流流路將吸引力傳遞至前述噴出流路之較與前述回流流路之連接位置更靠下游之區域，而將前述區域內之處理液吸除至前述吸引流路內的吸除狀態。
根據該構成，能夠利用切換單元將處理液供給系統在噴出停止狀態、噴出狀態、及吸除狀態之間快速地切換。因而，能夠一面防止溫度已降低之處理液自噴出口不慎被供給至基板之上表面，一面將被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板，藉此，能夠更進一步提高基板間之處理之均一性。
本發明之上述之或另外其他之目的、特徵及效果根據參照附圖而以下所述之實施形態之說明即顯而易知。
1:基板處理裝置
2:處理單元
3:控制器
4:供給閥
5:流體箱
6:槽
7:儲存箱
8:框架
9:腔室
10:旋轉卡盤
11:杯
12:分隔壁
12a:搬入搬出口
12b:閘門
13:旋轉基座
14:卡盤銷
15:旋轉馬達
16:防濺罩
17:外壁
18:防濺罩升降機構
19:沖洗液噴嘴
20:沖洗液閥
21:沖洗液配管
22:噴嘴
23:保持器
24:噴嘴移動單元
25:臂
26:噴嘴頭
26A:第1噴嘴頭
26B:第2噴嘴頭
26C:第3噴嘴頭
26D:第4噴嘴頭
27:待機罐槽
28:噴出閥
29:管
30:管
31:噴出口
31A:噴出口/第1噴出口
31B:第2噴出口
31D:第4噴出口
32:噴出流路
32A:第1噴出流路/噴出流路
32B:第2噴出流路
32C:第3噴出流路
32D:第4噴出流路
33:回流流路
34:金屬連接頭
35:流路
35a:流路
35b:流路
35c:流路
36:本體
37:閥體
38:氣壓致動器
39:氣缸
40:閥室
41:分隔壁
42:活塞
43:扭簧
44:桿狀體
45:管
46:閥座面
47:接頭
48:接頭
49:筒部
50:循環流路
51:循環加熱器
52:泵
53:循環閥
54:主供給閥
55:流量計
56:流量調整閥
57:噴出加熱器
58:回流閥
59:短路流路
60:短路閥
61:吸引流路
62:吸引閥
63:冷卻器
64:回收流路
A1:旋轉軸線
A2:噴嘴轉動軸線
D1:長度方向
D2:排列方向
Dr:徑向
W:基板
X1:軸向
圖1係顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置之噴出停止狀態之處理液供給系統的示意圖。
圖2係顯示圖1之例之基板處理裝置之噴出狀態之處理液供給系統的示意圖。
圖3係顯示圖1之例之基板處理裝置之吸除狀態之處理液供給系統的示意圖。
圖4係顯示基板處理裝置所具備之處理單元之內部之示意性前視圖。
圖5係顯示圖4之處理單元之內部之示意性平面圖。
圖6係顯示複數個噴嘴之示意性前視圖。
圖7係顯示圖6之噴嘴之示意性平面圖。
圖8係顯示組裝入圖6之噴嘴之噴出閥之一例之內部的剖視圖。
圖9係用於說明由基板處理裝置執行之基板之處理之一例之流程圖。
圖1至圖3係顯示本發明之第一實施形態之基板處理裝置1之處理液供給系統的示意圖。圖1顯示噴出停止狀態之處理液供給系統，圖2顯示噴出狀態之處理液供給系統，圖3顯示吸除狀態之處理液供給系統。
基板處理裝置1係一次處理一個半導體晶圓等之圓板狀基板W之單片式裝置。基板處理裝置1包含：處理單元2，其以處理液處理基板W；搬送機器人(未圖示)，其將基板W搬送至處理單元2；及控制器3，其控制基板處理裝置1。控制器3係包含運算部及記憶部之電腦。
基板處理裝置1包含：流體箱5，其收容控制對於處理單元2之處理液之供給及供給停止之供給閥4等之流體機器；及儲存箱7，其收容儲存經由流體箱5供給至處理單元2之處理液之槽6。處理單元2及流體箱5配置於基板處理裝置1之框架8之中。處理單元2具備腔室9，腔室9與流體箱5在水平方向上排列。儲存箱7配置於框架8之外。儲存箱7可配置於框架8之中。
圖4係顯示基板處理裝置1所具備之處理單元2之內部之示意性前視圖。圖5係顯示圖4之處理單元2之內部之示意性平面圖。
處理單元2包含：腔室9；旋轉卡盤10，其在腔室9內一面水平地保持 基板W一面使基板W繞通過基板W之中央部之鉛直之旋轉軸線A1旋轉；及筒狀之杯11，其接住自基板W排出之處理液。旋轉卡盤10係水平地保持基板W之基板保持單元之一例。
腔室9包含：箱型之分隔壁12，其設置有供基板W通過之搬入搬出口12a；及閘門12b，其開閉搬入搬出口12a。閘門12b在搬入搬出口12a打開之打開位置與關閉搬入搬出口12a之關閉位置(圖5所示之位置)之間可相對於分隔壁12移動。未圖示之搬送機器人通過搬入搬出口12a將基板W搬入至腔室9，並通過搬入搬出口12a自腔室9搬出基板W。
旋轉卡盤10包含：圓板狀之旋轉基座13，其以水平之姿勢被保持；及複數個卡盤銷14，其等在旋轉基座13之上方以水平之姿勢保持基板W。旋轉卡盤10更包含藉由使複數個卡盤銷14旋轉而使基板W繞旋轉軸線A1旋轉的旋轉馬達15。旋轉卡盤10並不限定於使複數個卡盤銷14與基板W之周端面接觸之夾持式卡盤。旋轉卡盤10可為藉由使非器件形成面即基板W之背面(下表面)吸附於旋轉基座13之上表面而水平地保持基板W的真空式卡盤。
杯11包含：筒狀之防濺罩16，其繞旋轉軸線A1包圍旋轉卡盤10；及圓筒狀之外壁17，其繞旋轉軸線A1包圍防濺罩16。處理單元2包含使防濺罩16鉛直地升降之防濺罩升降機構18。防濺罩升降機構18使防濺罩16在防濺罩16之上端位於較旋轉卡盤10之基板W之保持位置靠上方之上位置(圖4所示之位置)、與防濺罩16之上端位於較旋轉卡盤10之基板W之保持位置靠下方之下位置之間升降。
處理單元2包含向藉由旋轉卡盤10保持之基板W之上表面，朝下方噴出沖洗液的沖洗液噴嘴19。沖洗液噴嘴19連接於夾裝有沖洗液閥20之沖 洗液配管21。處理單元2可具備使沖洗液噴嘴19在處理位置與待機位置之間移動的噴嘴移動單元。
一打開沖洗液閥20，沖洗液便會自沖洗液配管21被供給至沖洗液噴嘴19，並自沖洗液噴嘴19噴出。沖洗液係例如純水(去離子水：Deionized water)。沖洗液並不限定於純水，可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水中任一者。
處理單元2包含：複數個噴嘴22，其等朝下方噴出處理液(藥液)；及保持器23，其保持複數個噴嘴22各者。處理單元2進而包含藉由使保持器23移動而使複數個噴嘴22在處理位置(圖5中以兩點鏈線表示之位置)與待機位置(圖5中以實線表示之位置)之間移動的噴嘴移動單元24。
處理液之代表例係TMAH(氫氧化四甲銨)等之蝕刻液、及SPM(包含硫酸及過氧化氫水之混合液)等之抗蝕劑剝離液。處理液並不限定於TMAH及SPM，可為包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、TMAH以外之有機鹼、界面活性劑、防蝕劑中至少1者之液。
各噴嘴22包含：臂25，其藉由保持器23單臂支持，且自該保持器23在水平之長度方向D1延伸；及噴嘴頭26(第1噴嘴頭26A、第2噴嘴頭26B、第3噴嘴頭26C、及第4噴嘴頭26D)，其等連接於各臂25之前端。
複數個臂25按照第1噴嘴頭26A~第4噴嘴頭26D之順序，在與長度方向D1正交之水平之排列方向D2排列。複數個臂25配置於相同之高度。在排列方向D2相鄰之2個臂25之間隔，可與其他之任一之間隔相同，亦可與其他之間隔中至少一者不同。圖5顯示複數個臂25以等間隔配置之例。
複數個臂25朝長度方向D1之長度按照第1噴嘴頭26A~第4噴嘴頭 26D之順序變短。複數個噴嘴頭26以關於長度方向D1按照第1噴嘴頭26A~第4噴嘴頭26D之順序排列之方式在長度方向D1偏移。複數個噴嘴頭26在俯視觀察下呈直線狀排列。
噴嘴移動單元24藉由使保持器23在杯11之周圍繞鉛直地延伸之噴嘴轉動軸線A2轉動，而使複數個噴嘴22沿在俯視觀察下通過基板W之圓弧狀之路徑移動。藉此，複數個噴嘴22在處理位置與待機位置之間水平地移動。處理單元2包含配置於複數個噴嘴22之待機位置之下方之有底筒狀之待機罐槽27。待機罐槽27在俯視觀察下配置於杯11之周圍。
處理位置係自複數個噴嘴22噴出之處理液到達基板W之上表面之位置。在處理位置中，複數個噴嘴22之噴嘴頭26與基板W在俯視觀察下重合，複數個噴嘴頭26在俯視觀察下自旋轉軸線A1側按照第1噴嘴頭26A~第4噴嘴頭26D之順序在徑向Dr排列。此時，第1噴嘴頭26A在俯視觀察下與基板W之中央部重合，第4噴嘴頭26D在俯視觀察下與基板W之周緣部重合。
待機位置係以複數個噴嘴頭26與基板W在俯視觀察下不重合之方式複數個噴嘴頭26退避之位置。在待機位置中，複數個噴嘴頭26以在俯視觀察下沿杯11之外周面(外壁17之外周面)之方式位於杯11之外側，按照第1噴嘴頭26A~第4噴嘴頭26D之順序在周向(繞旋轉軸線A1之方向)排列。複數個噴嘴頭26配置為按照第1噴嘴頭26A~第4噴嘴頭26D之順序遠離旋轉軸線A1。
在以下之說明中，有對與第1噴嘴頭26A對應之構成之前頭及末尾分別賦予「第1」及「A」之情形。例如，有將與第1噴嘴頭26A對應之噴出流路32記載為「第1噴出流路32A」或「噴出流路32A」之情形。針對與 第2噴嘴頭26B~第4噴嘴頭26D對應之構成亦相同。
圖6係顯示複數個噴嘴22之示意性前視圖。圖7係顯示圖6之噴嘴22之示意性平面圖。
此外，雖然在圖6中僅詳細地記載複數個噴嘴22之噴嘴頭26中之第1噴嘴頭26A之內部，但第1噴嘴頭26A以外之各噴嘴頭26之內部之構成亦相同。在各個噴嘴頭26中，針對共通之部分，一面參照第1噴嘴頭26A一面進行說明。
噴嘴22包含臂25、噴嘴頭26及噴出閥28。噴出閥28設置於噴嘴頭26內。在噴出閥28連接有2個管29、30。管29、30形成分別導引處理液之流路。
在第1噴嘴頭26A之噴出閥28形成有前端在第1噴嘴頭26A之下表面開口之1個噴出口31A。管29、29之流路在噴出閥28內連接，並在噴出口31A開口。
在第1噴嘴頭26A以外之各噴嘴頭26之噴出閥28連接有金屬連接頭34。金屬連接頭34形成導引處理液之複數條流路。金屬連接頭34之複數條流路形成在各噴嘴頭26之下表面開口之複數個噴出口31。
自管29到各噴出口31之流路相當於朝向噴出口31導引自槽6供給之處理液之噴出流路32之一部分。在噴出閥28內自噴出流路32分歧且連接於管30之流路相當於使在噴出流路32內流通之處理液回流至槽6之回流流路33之一部分。各噴出口31分別配置於距旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置。
在圖6、圖7中顯示設置於複數個噴嘴22之噴出口31之總數為10個之例。第1噴嘴頭26A包含1個噴出口31A。第1噴嘴頭26A以外之各噴嘴頭26 包含設置於金屬連接頭34之3個噴出口31。設置於同一金屬連接頭34之3個噴出口31包含：3個噴出口31中最靠近旋轉軸線A1之內側噴出口、3個噴出口31中最遠離旋轉軸線A1之外側噴出口、及配置於內側噴出口與外側噴出口之間之中間噴出口。
如圖7所示，複數個噴出口31在俯視觀察下呈大致直線狀排列。兩端之2個噴出口31之間隔係基板W之半徑以下。相鄰之2個噴出口31之間隔可與其他之任一之間隔相同，亦可與其他之間隔中至少一者不同。又，複數個噴出口31可配置於2個以上之不同之高度，亦可配置於相同之高度。
若複數個噴嘴頭26配置於處理位置，則複數個噴出口31分別配置於距旋轉軸線A1之距離(在俯視觀察下之最短距離)不同之複數個位置。此時，複數個噴出口31分別配置於基板W之上方且在俯視觀察下在基板W之面內。具體而言，複數個噴出口31中最靠近旋轉軸線A1之最內噴出口(第1噴出口31A)配置於基板W之中央部之上方，複數個噴出口31中最遠離旋轉軸線A1之最外噴出口(第4噴出口31D)配置於基板W之周緣部之上方。複數個噴出口31在俯視觀察下在徑向Dr排列。
設置於第1噴嘴頭26A之第1噴出口31A係朝向基板W之上表面中央部噴出處理液之噴出口。設置於第1噴嘴頭26A以外之各噴嘴頭26之第2噴出口31B~第4噴出口31D係朝向中央部以外之基板W之上表面之一部分噴出處理液之複數個噴出口。
各噴出口31朝垂直於基板W之上表面之噴出方向噴出處理液。複數個噴出口31朝向基板W之上表面內之複數個到達位置噴出處理液。複數個到達位置係距旋轉軸線A1之距離不同之分別之位置。
圖8係顯示組裝入圖6之噴嘴22之噴出閥28之一例之內部的剖視圖。
噴出閥28包含：本體36，其形成有導引處理液之流路35；閥體37，其開閉流路35；氣壓致動器38，其使閥體37在軸向X1進退而使流路35開閉；及噴出口31。
本體36包含：氣缸39，其構成氣壓致動器38；閥室40，其使閥體37進退；及流路35a，其與管29連通並到達閥室40。本體36包含：在流路35a之較閥室40更靠上游之位置連接於流路35a之與管30連通的流路35b、及自閥室40至噴出口31之流路35c。氣缸39與閥室40在軸向X1排列。氣缸39與閥室40之間由分隔壁41隔開。管29、流路35a及流路35c相當於朝向噴出口31導引自槽6供給之處理液之噴出流路32之一部分。又，流路35b與管30相當於使在噴出流路32內流通之處理液回流至槽6之回流流路33之一部分。
氣壓致動器38包含氣缸39、活塞42、扭簧43及桿狀體44。氣缸39由活塞42隔開為分隔壁41側之前室、及夾著該活塞42為軸向X1之相反側之後室。在本體36分別連接有用於連接分別個別地將氣壓傳遞至氣缸39之前室及後室之管(圖6中之管45)的接頭47。活塞42藉由經由管45及接頭47將氣壓傳遞至氣缸39之前室或後室中任一者而在氣缸39內沿軸向X1進退。
扭簧43在氣缸39之後室側介插於活塞42與本體36之間，並朝分隔壁41之方向按壓活塞42。
桿狀體44之基部連結於活塞42，前端部貫通分隔壁41而朝閥室40突出。朝閥室40突出之桿狀體44之前端部連結有閥體37。閥體37形成為圓板狀，在徑向上與軸向X1正交地連結於桿狀體44之前端部。閥體37當活塞42在氣缸39內沿軸向X1進退時，經由桿狀體44在閥室40內沿軸向X1進 退。
閥室40包含與分隔壁41對向且與軸向X1正交之圓環狀之閥座面46，在閥座面46之中心位置，流路35a呈同心狀開口。流路35c在閥室40之閥體37之進退方向(軸向X1)之一側開口。
管29與流路35a、管30與流路35b分別經由接頭48連接。
本體36包含在前端形成有噴出口31且自噴嘴頭26之下表面朝下方突出之筒部49。在第1噴嘴頭26A以外之各噴嘴頭26中，未圖示的是，在筒部49連接有形成有導引處理液之複數條流路之金屬連接頭34，金屬連接頭34之複數條流路在下表面開口而形成有複數個噴出口31。
在噴出閥28中與處理液相接之部分(接液部)係由具有相對於處理液之耐性之材料(例如氟樹脂等之合成樹脂)製作，或由包含具有相對於處理液之耐性之材料之被覆膜被覆。流路35與閥室40之內表面、或閥體37與桿狀體44之外表面包含於接液部。
在使氣壓不作用於氣缸39之前室及後室中任一者，且使氣壓致動器38不作動之狀態下，活塞42由扭簧43在氣缸39內按壓至前進位置、亦即如圖8所示般按壓至接近分隔壁41側之位置。藉此，在閥室40內，閥體37與閥座面46接觸，而關閉流路35a之開口。因而，關閉流路35a與流路35c之間，自槽6通過管29與流路35a供給之處理液通過流路35b與管30回流至槽6(噴出停止狀態)。
在該噴出停止狀態下，若將氣壓傳遞至氣缸39之前室，使活塞42抗著扭簧43之按壓力朝氣缸39之後室方向後退，則在閥室40內，閥體37遠離閥座面46，流路35a之開口在閥室40內被解放。因而，流路35a與流路35c經由閥室40相連，自槽6通過管29與流路35a供給之處理液通過流路 35c自噴出口31噴出(噴出狀態)。
在該噴出狀態下，停止氣壓朝氣缸39之前室之傳遞，取而代之，將氣壓傳遞至氣缸39之後室，使活塞42與扭簧43之按壓力一起朝氣缸39之前室方向、亦即接近分隔壁41之方向前進。如此，在閥室40內，閥體37與閥座面46接觸，而關閉流路35a之開口。因而，復原為將流路35a與流路35c之間關閉，自槽6通過管29與流路35a供給之處理液通過流路35b與管30回流至槽6之噴出停止狀態。
此外，噴出閥28可為電磁閥，亦可為其以外之閥。
其次，參照圖1至圖3，針對處理液供給系統詳細地說明。此外，在以下之說明中，有將循環加熱器51之處理液之加熱溫度稱為循環溫度，將噴出加熱器57之處理液之加熱溫度稱為噴出溫度之情形。
處理液供給系統包含：槽6，其儲存處理液；及循環流路50，其使自槽6給送之處理液在槽6循環。處理液供給系統包含藉由將在循環流路50內流動之處理液加熱為高於室溫(例如20~30℃)之循環溫度，而調整槽6內之處理液之溫度的循環加熱器51。再者，處理液供給系統包含使槽6內之處理液在循環流路50內循環且將其給送至流體箱5之泵52。
處理液供給系統包含：循環閥53，其開閉循環流路50；噴出流路32，其自循環流路50分歧；及主供給閥54，其開閉噴出流路32。
噴出流路32包含在腔室9內朝向配置於由旋轉卡盤10保持之基板W之上方且在俯視觀察下為基板W之面內之複數個噴出口31導引自循環流路50供給之處理液的複數條噴出流路32(第1噴出流路32A、第2噴出流路32B、第3噴出流路32C及第4噴出流路32D)。
處理液供給系統包含：複數個流量計55，其等檢測在複數條噴出流 路32內流動之處理液之流量；及複數個流量調整閥56，其等變更在複數條噴出流路32內流動之處理液之流量。處理液供給系統包含：複數個噴出加熱器57，其等將在複數條噴出流路32內流動之處理液加熱為例如高於循環溫度之所期望之噴出溫度；及複數個供給閥4，其等分別開閉複數條噴出流路32。處理液供給系統在腔室9內之基板W之上方更包含分別開閉複數條噴出流路32之複數個噴出閥28。複數個噴出閥28配置於基板W之上方且在俯視觀察下為基板W之面內。
處理液供給系統包含複數條回流流路33，前述複數條回流流路33在腔室9內之基板W之上方且在較複數個噴出閥28更靠上游之位置分別連接於複數條噴出流路32，使在噴出流路32內流通之處理液回流至循環流路50。複數條回流流路33分別在基板W之上方且在俯視觀察下在基板W之面內與複數條噴出流路32連接。處理液供給系統包含分別開閉複數條回流流路33之複數個回流閥58。
處理液供給系統在較與回流流路33之連接位置更靠上游之位置包含：複數條短路流路59，其等分別連接於複數條噴出流路32且連接於回流流路33；及複數個短路閥60，其等分別開閉複數條短路流路59。處理液供給系統在較與短路流路59之連接位置更靠上游之位置包含：複數條吸引流路61，其等連接於複數條回流流路33；及複數個吸引閥62，其等分別開閉複數條吸引流路61。未圖示的是，在吸引流路61之下游側連接有吸引裝置。短路流路59、短路閥60、吸引流路61及吸引閥62任一者均設置於流體箱5內。
供給閥4、噴出閥28、回流閥58、及吸引閥62係將處理液供給系統切換為噴出狀態、噴出停止狀態及吸除狀態之切換單元之一例。又，短路閥 60係開閉短路流路59之開閉單元之一例。
處理液供給系統包含：冷卻器63，其冷卻自複數條回流流路33回流之處理液；及回收流路64，其將處理液自冷卻器63導引至槽6。自複數條回流流路33回流至冷卻器63之處理液，在利用冷卻器63接近循環溫度後，經由回收流路64被導引至槽6。冷卻器63可為水冷卻單元或空氣冷卻單元，亦可為其等以外之冷卻單元。
其次，參照圖1，就停止來自複數個噴出口31之處理液之噴出之噴出停止狀態的處理液供給系統進行說明。在圖1中，以黑色表示打開之閥，以白色表示關閉之閥。
將槽6內之處理液，藉由泵52給送至循環流路50。由泵52給送之處理液之一部分，在經循環加熱器51加熱後，經由循環流路50返回槽6。藉由泵52給送之剩餘之處理液，自循環流路50流動至複數條噴出流路32。被供給至噴出流路32之處理液，在經噴出加熱器57加熱後，被給送至配置於腔室9內之噴出口31之附近之與回流流路33之連接位置，並自該連接位置經由回流流路33回流至槽6。
在該噴出停止狀態下，能夠經由複數條噴出流路32、及與該各者連接之回流流路33使處理液持續循環。藉此，能夠將各條噴出流路32內之處理液，直至配置於腔室9內之基板W之上方且在俯視觀察下為基板W之面內之噴出口31的附近的與回流流路33之連接位置為止，維持在所期望之高溫。
其次，參照圖2，就自複數個噴出口31噴出處理液之噴出狀態之處理液供給系統進行說明。在圖2中，仍以黑色表示打開之閥，以白色表示關閉之閥。
將槽6內之處理液，藉由泵52給送至循環流路50。藉由泵52給送之處理液在經循環加熱器51加熱後，自循環流路50流動至複數條噴出流路32。被供給至噴出流路32之處理液在經噴出加熱器57加熱後，被供給至配置於腔室9內之複數個噴出口31。
被供給至第1噴出流路32A之處理液，被供給至設置於第1噴嘴頭26A之1個噴出口31A。被供給至第2噴出流路32B之處理液，被供給至設置於第2噴嘴頭26B之複數個噴出口31B。關於第3噴出流路32C及第4噴出流路32D，亦與第2噴出流路32B相同。藉此，自所有之噴出口31噴出處理液。
在該噴出狀態下，能夠將各條噴出流路32與回流流路33之連接位置，配置於腔室9內之噴出口31之附近。藉此，縮短自與回流流路33之連接位置至噴出口31的各噴出流路32之較與回流流路33之連接位置更靠下游側之部分的距離。因而，使在各條噴出流路32之較與回流流路33之連接位置更靠下游側之部分內流動之處理液所受到的伴隨著構成該下游側之部分之管壁之溫度降低的熱影響均可減小。因而，能夠自各個噴出口31將被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板W。
又，在該噴出狀態下，能夠一面使基板W繞旋轉軸線A1旋轉，一面使自複數個噴出口31噴出之處理液到達距旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置。因而，亦能夠使被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液快速地遍及基板W之上表面之全域。
因而，能夠提高基板W間之處理之均一性。且，亦能夠提高自複數個噴出口噴出之處理液之溫度之均一性，而提高同一基板W之面內之處理之均一性。
其次，參照圖3，針對吸除殘留於複數條噴出流路32之較與回流流路33之連接位置更靠下游之區域之處理液之吸除狀態的處理液供給系統進行說明。在圖3中，仍以黑色表示打開之閥，以白色表示關閉之閥。
槽6內之處理液由泵52給送至循環流路50。由泵52給送之處理液之一部分在經循環加熱器51加熱後，經由循環流路50返回槽6。由泵52給送之剩餘之處理液自循環流路50流動至複數條噴出流路32。被供給至噴出流路32之處理液在經噴出加熱器57加熱後，經由短路流路59回流至槽6。
殘留於各噴出流路32之較與回流流路33之連接位置更靠下游之區域之處理液由自吸引流路61經由回流流路33傳遞之吸引力吸除至吸引流路61內。
因而，能夠防止殘留於各條噴出流路32之較與回流流路33之連接位置更靠下游之區域且溫度已降低之處理液在噴出停止狀態下自噴出口31不慎被供給至基板W之上表面。又，當重啟處理液之噴出時，能夠通過各條噴出流路32將被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板W。因而，能夠進一步提高基板W間之處理之均一性。且，亦能夠提高自複數個噴出口噴出之處理液之溫度之均一性，而更進一步提高同一基板W之面內之處理之均一性。
圖9係用於說明由基板處理裝置1執行之基板W之處理之一例之流程圖。
以下之各動作係藉由控制器3控制基板處理裝置1而執行。以下，主要參照圖2、圖4及圖5。適當參照圖9。
當利用處理單元2處理基板W時，複數個噴嘴22自旋轉卡盤10之上方退避，在防濺罩16位於下位置之狀態下，利用搬送機器人之手臂(未圖示) 將基板W搬入至腔室9內。藉此，在表面朝向上之狀態下，將基板W置放於複數個卡盤銷14之上。之後，搬送機器人之手臂自腔室9之內部退避，並以閘門12b關閉腔室9之搬入搬出口12a。
在將基板W置放於複數個卡盤銷14之上後，將複數個卡盤銷14按壓至基板W之周緣部，基板W由複數個卡盤銷14固持。又，防濺罩升降機構18使防濺罩16自下位置移動至上位置。藉此，防濺罩16之上端配置於較基板W更靠上方。之後，驅動旋轉馬達15，開始基板W之旋轉。藉此，基板W以特定之液處理速度(例如數百rpm)旋轉。
其次，噴嘴移動單元24使複數個噴嘴22自待機位置移動至處理位置。藉此，複數個噴嘴22之噴出口31在俯視觀察下與基板W重合。之後，控制複數個噴出閥28等，處理液自複數個噴嘴22之噴出口31同時噴出(圖9之步驟S1)。複數個噴嘴22在噴嘴移動單元24使複數個噴嘴22靜止之狀態下自噴出口31噴出處理液。若自打開複數個噴出閥28經過特定時間，則同時停止來自複數個噴出口31之處理液之噴出(圖9之步驟S2)。之後，吸除殘留於至噴出口31之噴出流路32內之處理液(圖9之步驟S3)，且噴嘴移動單元24使複數個噴嘴22自處理位置移動至待機位置。
自複數個噴嘴22之噴出口31噴出之處理液在到達旋轉之基板W之上表面後，因離心力沿基板W之上表面朝外側(遠離旋轉軸線A1之方向)流動。到達基板W之上表面周緣部之處理液飛散至基板W之周圍，由防濺罩16之內周面接住。如此，將處理液供給至基板W之上表面全域，而覆蓋基板W之上表面全域之處理液之液膜形成於基板W上。藉此，以處理液處理基板W之上表面全域。
在停止來自複數個噴嘴22之噴出口31之藥液之噴出後，打開沖洗液 閥20，開始來自沖洗液噴嘴19之沖洗液(純水)之噴出(圖9之步驟S4)。藉此，利用沖洗液沖洗基板W上之藥液，形成有覆蓋基板W之上表面全域之沖洗液之液膜。若自打開沖洗液閥20經過特定時間，則關閉沖洗液閥20，停止來自沖洗液噴嘴19之沖洗液之噴出(圖9之步驟S5)。
在停止來自沖洗液噴嘴19之沖洗液之噴出後，基板W利用旋轉馬達15在旋轉方向加速，基板W以大於液處理速度之乾燥速度(例如數千rpm)旋轉(圖9之步驟S6)。藉此，附著於基板W之沖洗液被甩掉至基板W之周圍，而基板W乾燥。若自開始基板W之高速旋轉經過特定時間，則停止旋轉馬達15及基板W之旋轉。
在停止基板W之旋轉後，防濺罩升降機構18使防濺罩16自上位置移動至下位置。又，解除複數個卡盤銷14之基板W之保持。搬送機器人在複數個噴嘴22自旋轉卡盤10之上方退避，防濺罩16位於下位置之狀態下，使手臂進入腔室9之內部。之後，搬送機器人利用手臂取得旋轉卡盤10上之基板W，並自腔室9搬出該基板W。
如以上般，在本實施形態中，與配置於腔室9內之基板W之上方且在俯視觀察下為基板W之面內之噴出口31相配對應地，將回流流路33在腔室9內之基板W之上方且在俯視觀察下在基板W之面內連接於噴出流路32。因而，在噴出停止狀態下，能夠經由複數條噴出流路32、及與其分別連接之回流流路33使處理液持續循環。藉此，能夠將各條噴出流路32內之處理液維持為所期望之高溫直至配置於腔室9內之基板W之上方且在俯視觀察下為基板W之面內之噴出口31之附近的與回流流路33之連接位置為止。
又，在噴出狀態下，能夠將各條噴出流路32與回流流路33之連接位置配置於腔室9內之基板W之上方且在俯視觀察下為基板W之面內之噴出 口31之附近。藉此，縮短自與回流流路33之連接位置至噴出口31之各噴出流路32之較與回流流路33之連接位置更靠下游側之部分的距離。因而，在各條噴出流路32之較與回流流路33之連接位置更靠下游側之部分內流動之處理液所受到的伴隨著構成該下游側之部分之管壁之溫度降低的熱影響均可減小。因而，能夠自各個噴出口31將被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板W。
又，在噴出狀態下，能夠一面使基板W繞旋轉軸線A1旋轉，一面使自複數個噴出口31噴出之處理液到達距旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置。因而，能夠使被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液快速地遍及基板W之上表面之全域。
因而，能夠提高基板W間之處理之均一性。且，亦能夠提高自複數個噴出口噴出之處理液之溫度之均一性，而提高同一基板W之面內之處理之均一性。
且，因而，亦能夠在實際之噴出前將被溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至噴出流路32，而省略自噴出口噴出之預先配給之工序之實施。或，能夠縮短在預先配給之工序噴出處理液之時間，或減少噴出之處理液之量，還能夠抑制因實施預先配給之工序所致之處理時間之延長、或處理液之消耗量之增加。
再者，在本實施形態中，能夠利用自吸引流路61經由回流流路33傳遞之吸引力將殘留於噴出流路32之較與回流流路33之連接位置更靠下游之區域之處理液吸除至吸引流路61內。
因而，能夠防止殘留於各條噴出流路32之較與回流流路33之連接位置更靠下游之區域且溫度已降低之處理液在噴出停止狀態下自噴出口31不 慎被供給至基板W之上表面。又，當重啟處理液之噴出時，能夠通過各條噴出流路32將被高精度地溫度調整為所期望之高溫之處理液供給至基板W。因而，能夠進一步提高基板W間之處理之均一性。且，亦能夠提高自複數個噴出口噴出之處理液之溫度之均一性，而更進一步提高同一基板W之面內之處理之均一性。
以上說明了本發明之實施形態，但本發明並不限定於上述之實施形態之內容，在本發明之範圍內可進行各種變更。
例如，雖然在實施形態中針對噴嘴22之數目為4個之情形進行了說明，但噴嘴22之數目可為1個至3個，亦可為5個以上。
在實施形態中，針對一面使複數個噴嘴22靜止，一面自複數個噴嘴22之噴出口31噴出處理液之情形進行了說明。然而，可行的是，將噴嘴22之數目設為1個，一面使1個噴嘴22靜止，一面自1個噴嘴22之噴出口31噴出處理液。或，可行的是，一面使1個或複數個噴嘴22繞噴嘴轉動軸線A2轉動(掃描)，一面自1個或複數個噴嘴22之噴出口31噴出處理液。
在實施形態中，針對在第1噴嘴頭26A不設置金屬連接頭34，在第1噴嘴頭26A以外之所有之噴嘴頭26設置有金屬連接頭34之情形進行了說明。然而，可在包含第1噴嘴頭26A之所有之噴嘴頭26設置有金屬連接頭34。相反，可在所有之噴嘴頭26不設置金屬連接頭34。
雖然在實施形態中，針對在1個金屬連接頭34形成有3個噴出口31之情形進行了說明，但形成於1個金屬連接頭34之噴出口31之數目可為2個，亦可為4個以上。
在實施形態中，針對複數個噴出口31在俯視觀察下在徑向Dr排列之情形進行了說明。然而，若複數個噴出口31分別配置於距旋轉軸線A1之 距離不同之複數個位置，則複數個噴出口31可在俯視觀察下不在徑向Dr排列。
在實施形態中，針對複數個噴出口31設置於基板W之上方且在俯視觀察下為基板W之面內，朝垂直於基板W之上表面之噴出方向噴出處理液之情形進行了說明。然而，若回流流路33在腔室9內連接於噴出流路32，則噴出口31可配置於腔室9內之基板W之上方且在俯視觀察下為基板W之面外，朝向相對於基板W之上表面斜下方噴出處理液。
在實施形態中，針對同時打開所有之噴出閥28，同時關閉所有之噴出閥28之情形進行了說明。然而，控制器3可以例如外側之噴出口31噴出處理液之時間長於內側之噴出口31噴出處理液之時間之方式控制複數個噴出閥28。
雖然在實施形態中，針對噴出加熱器57設置於所有之噴出流路32之情形進行了說明，但例如，可行的是，噴出加熱器57不設置於第1噴出流路32A，在第1噴出流路32A以外之所有之噴出流路32設置有噴出加熱器57。又，可在所有之噴出流路32不設置噴出加熱器57。
作為噴出加熱器57，例如除可使用帕爾帖元件等之熱電元件、電阻加熱器、及感應加熱器外，還可使用能夠加熱在噴出流路32內流動之處理液之各種加熱器。
控制器3可藉由就基板W之上表面內之距旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置之每一位置控制被供給至基板W之表面之各部之處理液之溫度而將處理均一化。具體而言，控制器3可以隨著距旋轉軸線A1之距離增加而在複數條噴出流路32之處理液之溫度變高之方式控制複數個噴出加熱器57。
基板W之各部之周邊速率隨著遠離旋轉軸線A1而增加。基板W上之處理液之周邊速率越大則越容易被冷卻。又，若假定能夠將基板W之上表面在徑向Dr以等間隔分割為複數個圓環狀之區域，則各區域之面積隨著遠離旋轉軸線A1而增加。若表面積為大，則熱容易自處理液移動至圓環狀之區域。
然而，藉由以隨著距旋轉軸線A1之距離增加而變高之方式控制自噴出口31噴出之處理液之溫度，而能夠排除冷卻或熱之移動之影響，而更進一步提高處理之均一性。
又，控制器3可藉由相應於形成於基板W之表面之處理前之薄膜之厚度控制被供給至基板W之表面之各部之處理液之溫度，而將處理後之薄膜之厚度均一化。
具體而言，控制器3可以在複數條噴出流路32之處理液之溫度成為相應於處理前之膜厚之溫度之方式控制複數個噴出加熱器57。
在此情形下，將相對高溫之處理液供給至處理前之膜厚相對大之位置，將相對低溫之處理液供給至處理前之膜厚相對小之位置。形成於基板W之表面之薄膜之蝕刻量在供高溫之處理液供給之位置相對地增加，在供低溫之處理液供給之位置相對地減少。因而，將處理後之薄膜之厚度均一化。
可將上述之所有之構成之2個以上組合。又，可將上述之所有之工序之2個以上組合。
本發明申請案與2017年3月24日在日本專利廳提出之特願2017-060047號對應，該發明申請案之所有發明內容藉由分別引用而併入本文。
雖然針對本發明之實施形態詳細地進行了說明，但其等僅是用於使 本發明之技術性內容明確化之具體例，本發明並不必須限定於該等具體例而解釋，本發明之範圍僅由後附之申請專利之範圍限定。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制器
4‧‧‧供給閥
5‧‧‧流體箱
6‧‧‧槽
7‧‧‧儲存箱
8‧‧‧框架
9‧‧‧腔室
28‧‧‧噴出閥
31‧‧‧噴出口
31A‧‧‧噴出口/第1噴出口
32‧‧‧噴出流路
32A‧‧‧第1噴出流路/噴出流路
32B‧‧‧第2噴出流路
32C‧‧‧第3噴出流路
32D‧‧‧第4噴出流路
33‧‧‧回流流路
50‧‧‧循環流路
51‧‧‧循環加熱器
52‧‧‧泵
53‧‧‧循環閥
54‧‧‧主供給閥
55‧‧‧流量計
56‧‧‧流量調整閥
57‧‧‧噴出加熱器
58‧‧‧回流閥
59‧‧‧短路流路
60‧‧‧短路閥
61‧‧‧吸引流路
62‧‧‧吸引閥
63‧‧‧冷卻器
64‧‧‧回收流路
A1‧‧‧旋轉軸線
W‧‧‧基板

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其水平地保持基板；腔室，其收容前述基板保持單元；及處理液供給系統，其包含循環流路、噴出流路、噴出口及回流流路，且將處理液供給至由前述基板保持單元保持之基板；且前述循環流路一面將處理液維持為常溫以上之特定之溫度，一面使其循環；前述噴出流路自前述循環流路分支，而將自前述循環流路供給之處理液向前述噴出口導引；前述噴出口配置於前述腔室內，向由前述基板保持單元保持之基板，噴出經由前述噴出流路供給之處理液；前述回流流路在前述腔室內連接於前述噴出流路，使在前述噴出流路內流通之處理液回流至前述循環流路，藉此將前述噴出流路內之前述處理液維持為所期望之高溫直至與前述回流流路之連接位置為止；前述處理液供給系統進而包含：短路流路，其在較前述噴出流路與前述回流流路之連接位置靠上游之位置連接於前述噴出流路，且連接於前述回流流路；開閉單元，其開閉前述短路流路；及吸引流路，其在較前述回流流路與前述噴出流路之連接位置靠下游、且較前述回流流路與前述短路流路之連接位置靠上游之位置，連接於前述回流流路，經由前述回流流路，將吸引力傳遞至前述噴出流路之較與 前述回流流路之連接位置靠下游之區域。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述噴出口在前述腔室內配置於由前述基板保持單元保持之基板之上方，且在俯視觀察下為基板之面內，前述回流流路在前述腔室內在前述基板之上方，且在俯視觀察下在基板之面內連接於前述噴出流路。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述處理液供給系統進而包含噴出加熱器；且前述噴出加熱器在較前述回流流路與前述噴出流路之連接位置靠上游之位置夾裝於前述噴出流路，加熱在前述噴出流路內流動之處理液。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中前述處理液供給系統包含：自前述循環流路分支之複數條前述噴出流路、於複數條前述噴出流路之各者設置之複數個前述噴出口、及複數條前述噴出流路之各者分別在腔室內連接之複數條前述回流流路。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中前述基板保持單元使前述基板繞通過前述基板之中央部之鉛直之旋轉軸線旋轉，前述複數個噴出口在前述腔室內，分別配置於前述基板之上表面內之距前述旋轉軸線之距離不同之複數個位置。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述處理液供給系統進而包含切換 單元；且前述切換單元切換成包含將自前述循環流路供給至前述噴出流路之處理液供給至前述噴出口之噴出狀態、及將自前述循環流路供給至前述噴出流路之處理液供給至前述回流流路之噴出停止狀態之複數個狀態中任一者。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述處理液供給系統進而包含切換單元；且前述切換單元係在利用前述開閉單元打開前述短路流路，而使前述噴出流路與前述回流流路經由前述短路流路短路連接之狀態下，切換成經由前述吸引流路及前述回流流路將吸引力傳遞至前述噴出流路之較與前述回流流路之連接位置靠下游之區域，而將前述區域內之處理液吸除至前述吸引流路內的吸除狀態。
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