KR20180108437A - 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
토출구(31)는 챔버(9) 내에 배치되어 있다. 순환 유로(50)는 처리액을 소정의 온도로 유지하면서 순환시킨다. 토출 유로(32)는, 순환 유로(50)로부터 분기 하여 토출구(31)에 처리액을 안내한다. 환류 유로(33)는 챔버(9) 내에서 토출 유로(32)에 접속되고, 토출 유로(32)를 유통하고 있는 처리액을 순환 유로(50)에 환류시킨다.
Description
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판의 예에는, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.
반도체 장치의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면에 처리액을 공급하고, 당해 기판의 표면이 처리액을 이용하여 처리된다.
예를 들어, 기판을 한 장씩 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하면서 회전시키는 스핀 척과, 이 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 상면을 향해 처리액을 토출하는 토출구를 포함하는 노즐을 구비하고 있다. 노즐의 토출구로부터는, 실온보다도 고온으로 온도 조정된 처리액을 토출시키는 경우가 있다.
처리액을 소정의 고온으로 온도 조정하면서 순환시키는 순환 유로와, 순환 유로로부터 분기하여 토출구로 연장되는 토출 유로와, 토출 유로에 분기 접속되고 토출 유로를 유통하고 있는 처리액을 순환 유로에 환류시키는 환류 유로를 구비한 처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치가 알려져 있다(예를 들어 JP2016-157854A, JP2016-152354A 참조). 이러한 종래의 기판 처리 장치에서는, 환류 유로는, 처리액 공급 유닛의 내부의 소정 위치에 있어서 토출 유로에 분기 접속되어 있다.
토출구로부터 처리액을 토출하지 않는 토출 정지 상태에서는, 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 부분에서는 처리액이 순환하지 않기 때문에, 당해 하류측의 부분의 토출 유로를 구성하는 관벽은, 실내의 온도의 영향을 받아 온도가 저하된다.
토출구로부터 처리액을 토출하는 토출 상태에서는, 그때까지 토출 유로, 환류 유로 및 순환 유로를 순환하고 있던 처리액이, 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 부분을 지나 토출구에 공급된다.
상기 종래의 기판 처리 장치에서는, 토출 유로와 환류 유로의 접속 위치가, 처리액 공급 유닛의 내부에 배치되어 있으므로, 당해 접속 위치로부터 토출구에 이르는, 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 부분의 거리가 길다. 그 때문에, 토출 상태에 있어서, 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 부분을 흐르는 처리액이, 당해 하류측의 부분을 구성하는 관벽의 온도 저하에 수반하는 열영향을 받아, 원하는 고온보다도 낮은 온도의 처리액이, 토출구로부터 토출될 우려가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 처리액의 공급 개시 시부터 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을 기판에 공급할 수 있고, 이것에 의해, 특히, 기판간의 처리의 균일성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시 형태는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버와, 순환 유로, 토출 유로, 토출구 및 환류 유로를 포함하고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 시스템을 포함하고, 상기 순환 유로는, 처리액을 상온 이상의 소정의 온도로 유지하면서 순환시키고, 상기 토출 유로는 상기 순환 유로로부터 분기하여, 상기 순환 유로로부터 공급되는 처리액을 상기 토출구를 향해서 안내하며, 상기 토출구는 상기 챔버 내에 배치되어, 상기 토출 유로를 통해 공급되는 처리액을, 상기 기판 유지 유닛에 유지되는 기판을 향해서 토출하고, 상기 환류 유로는, 상기 챔버 내에서 상기 토출 유로에 접속되고, 상기 토출 유로를 유통하고 있는 처리액을, 상기 순환 유로에 환류시키는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 예를 들어, 토출구로부터 처리액을 토출하지 않는 토출 정지 상태에 있어서, 처리액을, 토출 유로와 당해 토출 유로와 챔버 내에서 접속된 환류 유로를 통해 계속 순환시킴으로써, 토출 유로 내의 처리액을, 챔버 내에 배치된 환류 유로와의 접속 위치까지, 원하는 고온으로 유지할 수 있다. 또, 토출 유로와 환류 유로의 접속 위치를, 챔버 내의, 토출구의 근방에 배치하는 것도 가능하고, 이 경우에는, 환류 유로와의 접속 위치로부터 토출구에 이르는, 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 부분의 거리를 짧게 할 수 있다. 그 때문에, 토출 상태에 있어서, 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 부분을 흐르는 처리액이 받는, 당해 하류측의 부분을 구성하는 관벽의 온도 저하에 수반하는 열영향을, 작게 할 수 있다. 따라서, 처리액의 공급 개시 시부터, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을 기판에 공급할 수 있고, 이것에 의해, 기판간의 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또, 종래의 기판 처리 장치에서는, 실제의 처리액의 토출에 앞서, 원하는 고온으로 온도 조정된 처리액을, 토출 유로에 공급하여, 토출구로부터 토출시키는 프리디스펜스의 공정을 실시하는 경우가 있다. 그러나, 이 구성에 의하면, 프리디스펜스의 공정을 생략하거나 혹은, 프리디스펜스의 공정으로 처리액을 토출하는 시간을 단축하거나, 토출하는 처리액의 양을 줄이거나 하여, 프리디스펜스의 공정을 실시하는 것에 의한 처리의 시간의 연장이나, 처리액의 소비량의 증가를 억제할 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 토출구는, 상기 챔버 내에서, 상기 기판 유지 유닛에 유지되는 기판의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판의 면내에 배치되고, 상기 환류 유로는, 상기 챔버 내에서, 상기 기판의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판의 면내에서 상기 토출 유로에 접속되어 있다.
이 구성에 의하면, 챔버 내의, 기판의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판의 면내에 토출구가 배치되는 경우에, 환류 유로를, 챔버 내의, 기판의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판의 면내에서 상기 토출 유로에 접속함으로써, 토출 유로와 환류 유로의 접속 위치를, 토출구의, 보다 근방의 위치에 배치하는 것이 가능하다. 그리고, 이 경우에는, 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 부분의 거리를, 더욱 짧게 할 수 있다. 그 때문에, 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 부분을 흐르는 처리액이 받는, 당해 하류측의 부분을 구성하는 관벽의 온도 저하에 수반하는 열영향을, 더욱 작게 할 수 있다. 따라서, 처리액의 공급 개시 시부터, 원하는 고온으로 보다 한층 정밀하게 온도 조정된 처리액을, 기판에 공급할 수 있고, 이것에 의해, 기판간의 처리의 균일성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 처리액 공급 시스템은, 토출 히터를 더 포함하고, 상기 토출 히터는, 상기 환류 유로와 상기 토출 유로의 접속 위치보다도 상류의 위치에서 상기 토출 유로에 개재되어, 상기 토출 유로를 흐르는 처리액을 가열한다.
이 구성에 의하면, 순환 유로로부터 분기하여, 토출 유로를 흐르는 처리액을, 당해 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 상류측의 위치에서, 토출 히터에 의해서, 원하는 토출 온도로 온도 조정할 수 있다. 그 때문에, 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 부분을 흐르는 처리액이 받는, 당해 하류측의 부분을 구성하는 관벽의 온도 저하에 수반하는 열영향을, 더 작게 할 수 있다. 따라서, 처리액의 공급 개시 시부터, 원하는 고온으로 보다 한층 정밀하게 온도 조정된 처리액을 기판에 공급할 수 있고, 이것에 의해, 기판간의 처리의 균일성을 더 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 처리액 공급 시스템은, 상기 순환 유로로부터 분기한 복수의 상기 토출 유로, 복수의 상기 토출 유로마다 설치된 복수의 상기 토출구 및 복수의 상기 토출 유로마다, 각각 챔버 내에서 접속된 복수의 상기 환류 유로를 포함한다.
이 구성에 의하면, 복수의 토출 유로와 환류 유로의 접속 위치가, 각각 챔버 내에 배치되어 있으므로, 각 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 부분의 거리를 짧게 할 수 있다. 그 때문에, 각 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 부분을 흐르는 처리액이 받는, 당해 하류측의 부분을 구성하는 관벽의 온도 저하에 수반하는 열영향을, 작게 할 수 있고, 각각의 토출구로부터, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을 기판에 공급할 수 있다. 이것에 의해, 각각의 토출 유로를 흐르는 처리액의 온도의 불균일을 작게 하는 것이 가능하고, 이 경우, 복수의 토출구로부터 토출되는 처리액의 온도의 균일성을 향상시킬 수 있다. 그 때문에, 동일한 기판의 면내에 있어서의, 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 유지 유닛은, 상기 기판을, 상기 기판의 중앙부를 지나는 연직인 회전 축선 둘레로 회전시키고, 상기 복수의 토출구는, 상기 챔버 내에서, 상기 기판의 상면 내의, 상기 회전 축선으로부터의 거리가 상이한 복수의 위치에 각각 배치되어 있다.
이 구성에 의하면, 기판을 회전 축선 둘레로 회전시키면서, 상기 회전 축선으로부터의 거리가 상이한 복수의 위치에, 복수의 토출구로부터 토출시킨 처리액을 착액시킴으로써, 기판의 상면의 전역에, 신속하게, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을 널리 퍼지게 할 수 있다. 그 때문에, 동일한 기판의 면내에 있어서의 처리의 균일성을, 보다 한층 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 처리액 공급 시스템은, 단락 유로를 더 포함하고, 상기 단락 유로는, 상기 환류 유로와의 접속 위치보다도 상류의 위치에서 상기 토출 유로에 접속되어 있음과 함께, 상기 환류 유로에 접속되어 있고, 상기 처리액 공급 시스템은, 상기 단락 유로를 개폐하는 개폐 유닛을 더 포함한다.
이 구성에 의하면, 예를 들어, 토출 정지 상태에 있어서, 개폐 유닛에 의해서 단락 유로를 열어, 토출 유로와 환류 유로를 단락시킴으로써, 당해 토출 유로, 단락 유로 및 환류 유로를 통해 처리액을 계속 순환시키면서, 토출 유로의, 단락 유로와의 접속 위치보다도 하류측의 처리액의 유통을 정지시키고, 예를 들어, 다음에 설명하는 석백 등을 실행할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 처리액 공급 시스템은, 흡인 유로를 더 포함하고, 상기 흡인 유로는, 상기 토출 유로와의 접속 위치보다도 하류에서, 또한 상기 단락 유로와의 접속 위치보다도 상류의 위치에서 상기 환류 유로에 접속되어, 상기 환류 유로를 통해, 상기 토출 유로의, 상기 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류의 영역에 흡인력을 전달한다.
이 구성에 의하면, 예를 들어, 전술한 바와 같이, 토출 정지 상태에 있어서, 토출 유로, 단락 유로 및 환류 유로를 통해 처리액을 계속 순환시키면서, 흡인 유로로부터, 환류 유로를 통해, 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류의 영역에 흡인력을 전달함으로써, 당해 영역 내에 잔류하는 처리액을, 흡인 유로 내에 흡인 제거(석백)할 수 있다.
그 때문에, 토출 유로의, 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류의 영역에 잔류하여, 온도가 저하된 처리액이, 토출 정지 상태에 있어서, 토출구로부터 기판의 상면에 부주의하게 공급되는 것을 방지할 수 있다. 또, 처리액의 토출을 재개할 때에는, 토출 유로를 통하여, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을 기판에 공급할 수 있다. 따라서, 기판간의 처리의 균일성을, 보다 한층 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 처리액 공급 시스템은, 전환 유닛을 더 포함하고, 상기 전환 유닛은, 상기 순환 유로로부터 상기 토출 유로에 공급되는 처리액이 상기 토출구에 공급되는 토출 상태와, 상기 순환 유로로부터 상기 토출 유로에 공급되는 처리액이 상기 환류 유로에 공급되는 토출 정지 상태를 포함하는 복수의 상태 중 어느 하나로 전환된다.
이 구성에 의하면, 처리액 공급 시스템을, 전환 유닛에 의해서, 순환 유로와 토출 유로를 경유하여, 처리액이 토출구로부터 토출되는 토출 상태와, 당해 처리액이, 순환 유로, 토출 유로 및 환류 유로를 경유하여 순환되어, 토출구로부터 토출 되지 않는 토출 정지 상태와의 사이에서 신속하게 전환할 수 있다. 그 때문에, 처리액의 공급 개시시로부터, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을 기판에 공급할 수 있고, 기판간의 처리의 균일성을 더 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 전환 유닛은, 상기 개폐 유닛에 의해서 상기 단락 유로를 열어, 상기 토출 유로와 상기 환류 유로를, 상기 단락 유로를 통해 단락 접속한 상태로, 상기 흡인 유로 및 상기 환류 유로를 통해, 상기 토출 유로의, 상기 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류의 영역에 흡인력을 전달하여, 상기 영역 내의 처리액이, 상기 흡인 유로 내에 흡인 제거되는 흡인 제거 상태로 전환된다.
이 구성에 의하면, 처리액 공급 시스템을, 전환 유닛에 의해서, 토출 정지 상태, 토출 상태, 및 흡인 제거 상태의 사이에서 신속하게 전환할 수 있다. 따라서, 온도가 저하된 처리액이, 토출구로부터 기판의 상면에 부주의하게 공급되는 것을 방지하면서, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을 기판에 공급할 수 있고, 이것에 의해, 기판간의 처리의 균일성을, 보다 한층 향상시킬 수 있다.
본 발명에 있어서의 전술의, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도 면을 참조하여 다음에 설명하는 실시 형태의 설명에 의해 분명해진다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의, 토출 정지 상태의 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다.
도 2는, 도 1의 예의 기판 처리 장치의, 토출 상태의 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다.
도 3은, 도 1의 예의 기판 처리 장치의, 흡인 제거 상태의 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다.
도 4는, 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 내부를 나타내는 모식적인 정면도이다.
도 5는, 도 4의 처리 유닛의 내부를 나타내는 모식적인 평면도이다.
도 6은, 복수의 노즐을 나타내는 모식적인 정면도이다.
도 7은, 도 6의 노즐을 나타내는 모식적인 평면도이다.
도 8은, 도 6의 노즐에 내장되는 토출 밸브의 일례의 내부를 나타내는 단면도이다.
도 9는, 기판 처리 장치에 의해서 실행되는 기판의 처리의 일례를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2는, 도 1의 예의 기판 처리 장치의, 토출 상태의 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다.
도 3은, 도 1의 예의 기판 처리 장치의, 흡인 제거 상태의 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다.
도 4는, 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 내부를 나타내는 모식적인 정면도이다.
도 5는, 도 4의 처리 유닛의 내부를 나타내는 모식적인 평면도이다.
도 6은, 복수의 노즐을 나타내는 모식적인 정면도이다.
도 7은, 도 6의 노즐을 나타내는 모식적인 평면도이다.
도 8은, 도 6의 노즐에 내장되는 토출 밸브의 일례의 내부를 나타내는 단면도이다.
도 9는, 기판 처리 장치에 의해서 실행되는 기판의 처리의 일례를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 1 내지 도 3은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의, 처리액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다. 도 1은 토출 정지 상태의 처리액 공급 시스템을 나타내고, 도 2는, 토출 상태의 처리액 공급 시스템을 나타내며, 도 3은, 흡인 제거 상태의 처리액 공급 시스템을 나타내고 있다.
기판 처리 장치(1)는, 반도체 웨이퍼 등의 원판형상의 기판(W)을 한 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 장치(1)는, 처리액으로 기판(W)을 처리하는 처리 유닛(2)과, 처리 유닛(2)에 기판(W)을 반송하는 반송 로봇(도시하지 않음)과, 기판 처리 장치(1)를 제어하는 컨트롤러(3)를 포함한다. 컨트롤러(3)는, 연산부와 기억부를 포함하는 컴퓨터이다.
기판 처리 장치(1)는, 처리 유닛(2)에 대한 처리액의 공급 및 공급 정지를 제어하는 공급 밸브(4) 등의 유체 기기를 수용하는 유체 박스(5)와, 유체 박스(5)를 통해 처리 유닛(2)에 공급되는 처리액을 저류하는 탱크(6)를 수용하는 저류 박스(7)를 포함한다. 처리 유닛(2) 및 유체 박스(5)는, 기판 처리 장치(1)의 프레임(8) 중에 배치되어 있다. 처리 유닛(2)은 챔버(9)를 구비하고, 챔버(9)와 유체 박스(5)는, 수평 방향으로 나열하여 있다. 저류 박스(7)는, 프레임(8)의 밖에 배치되어 있다. 저류 박스(7)는, 프레임(8) 중에 배치되어 있어도 된다.
도 4는, 기판 처리 장치(1)에 구비된 처리 유닛(2)의 내부를 나타내는 모식적인 정면도이다. 도 5는, 도 4의 처리 유닛(2)의 내부를 나타내는 모식적인 평면도이다.
처리 유닛(2)은, 챔버(9)와 챔버(9) 내에서 기판(W)을 수평으로 유지하면서 기판(W)의 중앙부를 지나는 연직의 회전 축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회전시키는 스핀 척(10)과, 기판(W)으로부터 배출된 처리액을 받아들이는 통형상의 컵(11)과 포함한다. 스핀 척(10)은, 기판(W)을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛의 일례이다.
챔버(9)는, 기판(W)이 통과하는 반입 반출구(12a)가 설치된 박스형의 격벽(12)과, 반입 반출구(12a)를 개폐하는 셔터(12b)를 포함한다. 셔터(12b)는, 반입 반출구(12a)가 열리는 개방 위치와, 반입 반출구(12a)가 닫히는 폐쇄 위치(도 5에 나타내는 위치)와의 사이에서 격벽(12)에 대해서 이동 가능하다. 도시하지 않는 반송 로봇은, 반입 반출구(12a)를 통해서 챔버(9)에 기판(W)을 반입하고, 반입 반출구(12a)를 통해서 챔버(9)로부터 기판(W)을 반출한다.
스핀 척(10)은, 수평인 자세로 유지된 원판형상의 스핀 베이스(13)와, 스핀 베이스(13)의 상방에서 기판(W)을 수평의 자세로 유지하는 복수의 척 핀(14)을 포함한다. 스핀 척(10)은, 또한, 복수의 척 핀(14)을 회전시킴으로써 회전 축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회전시키는 스핀 모터(15)를 포함한다. 스핀 척(10)은, 복수의 척 핀(14)을 기판(W)의 둘레 단면에 접촉시키는 협지식의 척에 한정되지 않는다. 스핀 척(10)은, 비디바이스 형성면인 기판(W)의 이면(하면)을 스핀 베이스(13)의 상면에 흡착시킴으로써 기판(W)을 수평으로 유지하는 진공식의 척이어도 된다.
컵(11)은, 스핀 척(10)을 회전 축선(A1) 둘레로 둘러싸는 통형상의 스플래쉬 가드(16)과 스플래쉬 가드(16)를 회전 축선(A1) 둘레로 둘러싸는 원통형상의 외벽(17)을 포함한다. 처리 유닛(2)은, 스플래쉬 가드(16)를 연직으로 승강시키는 가드 승강 기구(18)를 포함한다. 가드 승강 기구(18)는, 스플래쉬 가드(16)의 상단이 스핀 척(10)에 의한 기판(W)의 유지 위치보다도 상방에 위치하는 상부 위치(도 4에 나타내는 위치)와, 스플래쉬 가드(16)의 상단이 스핀 척(10)에 의한 기판(W)의 유지 위치보다도 하방에 위치하는 하부 위치 사이에서, 스플래쉬 가드(16)를 승강시킨다.
처리 유닛(2)은, 스핀 척(10)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면을 향해서 린스액을 하방으로 토출하는 린스액 노즐(19)을 포함한다. 린스액 노즐(19)은, 린스액 밸브(20)가 개재된 린스액 배관(21)에 접속되어 있다. 처리 유닛(2)은, 처리 위치와 대기 위치 사이에서 린스액 노즐(19)을 이동시키는 노즐 이동 유닛을 구비하고 있어도 된다.
린스액 밸브(20)가 열리면, 린스액이, 린스액 배관(21)으로부터 린스액 노즐(19)에 공급되고, 린스액 노즐(19)로부터 토출된다. 린스액은, 예를 들어, 순수(탈이온수:Deionized water)이다. 린스액은, 순수에 한정하지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 및 희석 농도(예를 들어, 10~100 ppm 정도)의 염산수 중 어느 하나라도 괜찮다.
처리 유닛(2)은, 처리액(약액)을 하방으로 토출하는 복수의 노즐(22)과, 복수의 노즐(22)의 각각을 유지하는 홀더(23)를 포함한다. 처리 유닛(2)은, 또한, 홀더(23)를 이동시킴으로써, 처리 위치(도 5에 2점 쇄선으로 나타내는 위치)와 대기 위치(도 5에 실선으로 나타내는 위치) 사이에서 복수의 노즐(22)을 이동시키는 노즐 이동 유닛(24)을 포함한다.
처리액의 대표예는, TMAH(테트라메틸암모늄하이드로옥사이드) 등의 에칭액이나, SPM(황산 및 과산화수소수를 포함하는 혼합액) 등의 레지스트 박리액이다. 처리액은 TMAH 및 SPM에 한정하지 않고, 황산, 아세트산, 질산, 염산, 불산, 암모니아수, 과산화수소수, 유기산(예를 들어 구연산, 옥살산 등), TMAH 이외의 유기 알칼리, 계면활성제, 부식 방지제 중 적어도 1개를 포함하는 액이어도 된다.
각 노즐(22)은, 홀더(23)에 의해서 캔틸레버 지지되어, 당해 홀더(23)로부터 수평인 길이 방향(D1)으로 연장되는 아암(25)과, 각 아암(25)의 선단에 접속된 노즐 헤드(26)(제1 노즐 헤드(26A), 제2 노즐 헤드(26B), 제3 노즐 헤드(26C), 및 제4 노즐 헤드(26D))를 포함한다.
복수의 아암(25)은, 제1 노즐 헤드(26A)~제4 노즐 헤드(26D)의 차례로, 길이 방향(D1)으로 직교하는 수평인 배열 방향(D2)으로 나열하고 있다. 복수의 아암(25)은, 동일한 높이에 배치되어 있다. 배열 방향(D2)에 인접하는 2개의 아암(25)의 간격은, 다른 어느 간격과 동일해도 되고, 다른 간격의 적어도 하나와 상이해도 된다. 도 5는, 복수의 아암(25)이 등간격으로 배치되어 있는 예를 나타내고 있다.
길이 방향(D1)으로의 복수의 아암(25)의 길이는, 제1 노즐 헤드(26A)~제4 노즐 헤드(26D)의 차례로 짧아지고 있다. 복수의 노즐 헤드(26)는, 길이 방향(D1)에 관해서 제1 노즐 헤드(26A)~제4 노즐 헤드(26D)의 차례로 나열하도록 길이 방향(D1)으로 어긋나 있다. 복수의 노즐 헤드(26)는, 평면에서 볼 때 직선형상으로 나열하고 있다.
노즐 이동 유닛(24)은, 컵(11)의 둘레에서 연직으로 연장되는 회동 축선(A2) 둘레로 홀더(23)를 회동시킴으로써, 평면에서 볼 때 기판(W)을 통과하는 원호형상의 경로를 따라서 복수의 노즐(22)을 이동시킨다. 이것에 의해, 처리 위치와 대기 위치 사이에서 복수의 노즐(22)이 수평으로 이동한다. 처리 유닛(2)은, 복수의 노즐(22)의 대기 위치의 하방에 배치된 바닥이 있는 통형상의 대기 포트(27)를 포함한다. 대기 포트(27)는 평면에서 볼 때 컵(11)의 둘레에 배치되어 있다.
처리 위치는, 복수의 노즐(22)로부터 토출된 처리액이 기판(W)의 상면에 착액하는 위치이다. 처리 위치에서는, 복수의 노즐(22)의 노즐 헤드(26)와 기판(W)이 평면에서 볼 때 겹치고, 복수의 노즐 헤드(26)가 평면에서 볼 때 회전 축선(A1)측으로부터 제1 노즐 헤드(26A)~제4 노즐 헤드(26D)의 차례로 직경 방향(Dr)으로 나열한다. 이 때, 제1 노즐 헤드(26A)는, 평면에서 볼 때 기판(W)의 중앙부와 겹쳐지고, 제4 노즐 헤드(26D)는 평면에서 볼 때 기판(W)의 주연부와 겹쳐진다.
대기 위치는, 복수의 노즐 헤드(26)와 기판(W)이 평면에서 볼 때 겹쳐지지 않도록, 복수의 노즐 헤드(26)가 퇴피한 위치이다. 대기 위치에서는, 복수의 노즐 헤드(26)가, 평면에서 볼 때 컵(11)의 외주면(외벽(17)의 외주면)을 따르도록 컵(11)의 외측에 위치하고, 제1 노즐 헤드(26A)~제4 노즐 헤드(26D)의 차례로 둘레 방향(회전 축선(A1) 둘레의 방향)으로 나열한다. 복수의 노즐 헤드(26)는, 제1 노즐 헤드(26A)~제4 노즐 헤드(26D)의 차례로, 회전 축선(A1)으로부터 멀어지도록 배치된다.
이하의 설명에서는, 제1 노즐 헤드(26A)에 대응하는 구성의 선두 및 말미에, 각각 「제1」 및 「A」를 붙이는 경우가 있다. 예를 들어, 제1 노즐 헤드(26A)에 대응하는 토출 유로(32)를, 「제1 토출 유로(32A)」또는 「토출 유로(32A)」라고 기재하는 경우가 있다. 제2 노즐 헤드(26B)~제4 노즐 헤드(26D)에 대응하는 구성에 대해서도 동일하다.
도 6은, 복수의 노즐(22)을 나타내는 모식적인 정면도이다. 도 7은, 도 6의 노즐(22)을 나타내는 모식적인 평면도이다.
또한, 도 6에서는, 복수의 노즐(22)의 노즐 헤드(26) 중, 제1 노즐 헤드(26A)만 내부를 상세하게 기재하고 있지만, 제1 노즐 헤드(26A) 이외의 각 노즐 헤드(26)의 내부의 구성도 동일하다. 각각의 노즐 헤드(26)에 있어서, 공통되는 부분에 대해서는, 제1 노즐 헤드(26A)를 참조하면서 설명한다.
노즐(22)은, 아암(25), 노즐 헤드(26) 및 토출 밸브(28)를 포함한다. 토출 밸브(28)는, 노즐 헤드(26) 내에 설치되어 있다. 토출 밸브(28)에는, 2개의 튜브(29, 30)가 접속되어 있다. 튜브(29, 30)는, 각각 처리액을 안내하는 유로를 형성하고 있다.
제1 노즐 헤드(26A)의 토출 밸브(28)에는, 선단이 제1 노즐 헤드(26A)의 하면에서 개구하는 1개의 토출구(31A)가 형성되어 있다. 튜브(29, 29)의 유로는 토출 밸브(28) 내에서 접속되어, 토출구(31A)에서 개구되어 있다.
제1 노즐 헤드(26A) 이외의 각 노즐 헤드(26)의 토출 밸브(28)에는, 금속 캡(34)이 접속되어 있다. 금속 캡(34)은, 처리액을 안내하는 복수의 유로를 형성하고 있다. 금속 캡(34)의 복수의 유로는, 각 노즐 헤드(26)의 하면에서 개구하는 복수의 토출구(31)를 형성하고 있다.
튜브(29)로부터 각 토출구(31)에 이르는 유로는, 탱크(6)로부터 공급되는 처리액을, 토출구(31)를 향하여 안내하는 토출 유로(32)의 일부에 해당한다. 토출 밸브(28) 내에서 토출 유로(32)로부터 분기하여 튜브(30)에 계속되는 유로는, 토출 유로(32)를 유통하고 있는 처리액을, 탱크(6)에 환류시키는 환류 유로(33)의 일부에 해당한다. 각 토출구(31)는 회전 축선(A1)로부터의 거리가 상이한 복수의 위치에 각각 배치되어 있다.
도 6, 도 7에서는, 복수의 노즐(22)에 설치된 토출구(31)의 총수가 10개인 예를 나타내고 있다. 제1 노즐 헤드(26A)는, 1개의 토출구(31A)를 포함한다. 제1 노즐 헤드(26A) 이외의 각 노즐 헤드(26)는, 금속 캡(34)에 설치된 3개의 토출구(31)를 포함한다. 동일한 금속 캡(34)에 설치된 3개의 토출구(31)는, 3개의 토출구(31) 중에서 회전 축선(A1)에 가장 가까운 내측 토출구와, 3개의 토출구(31) 중에서 회전 축선(A1)으로부터 가장 먼 외측 토출구와, 내측 토출구와 외측 토출구 사이에 배치된 중간 토출구에 의해서 구성되어 있다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 복수의 토출구(31)는 평면에서 볼 때 대략 직선형상으로 나열하고 있다. 양단의 2개의 토출구(31)의 간격은, 기판(W)의 반경 이하이다. 인접하는 2개의 토출구(31)의 간격은, 다른 어느 간격과 동일해도 되고, 다른 간격의 적어도 하나와 상이해도 된다. 또, 복수의 토출구(31)는, 2개 이상의 상이한 높이에 배치되어 있어도 되고, 동일한 높이에 배치되어 있어도 된다.
복수의 노즐 헤드(26)가 처리 위치에 배치되면, 복수의 토출구(31)는, 회전 축선(A1)으로부터의 거리(평면에서 볼 때의 최단 거리)가 상이한 복수의 위치에 각각 배치된다. 이 때, 복수의 토출구(31)는, 각각, 기판(W)의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판(W)의 면내에 배치된다. 즉 복수의 토출구(31) 중에서 회전 축선(A1)에 가장 가까운 최내 토출구(제1 토출구(31A))는, 기판(W)의 중앙부의 상방에 배치되고, 복수의 토출구(31) 중에서 회전 축선(A1)으로부터 가장 먼 최외 토출구(제4 토출구(31D))는, 기판(W)의 주연부의 상방에 배치된다. 복수의 토출구(31)는 평면에서 볼 때 직경 방향(Dr)으로 나열된다.
제1 노즐 헤드(26A)에 설치된 제1 토출구(31A)는, 기판(W)의 상면 중앙부를 향해서 처리액을 토출하는 토출구이다. 제1 노즐 헤드(26A) 이외의 각 노즐 헤드(26)에 설치된 제2 토출구(31B)~제4 토출구(31D)는, 중앙부 이외의 기판(W)의 상면의 일부를 향해서 처리액을 토출하는 복수의 토출구이다.
각 토출구(31)는, 기판(W)의 상면에 대해서 수직인 토출 방향으로 처리액을 토출한다. 복수의 토출구(31)는, 기판(W)의 상면 내의 복수의 착액 위치를 향해서 처리액을 토출한다. 복수의 착액 위치는, 회전 축선(A1)으로부터의 거리가 상이한 별개의 위치이다.
도 8은, 도 6의 노즐(22)에 내장되는 토출 밸브(28)의 일례의 내부를 나타내는 단면도이다.
토출 밸브(28)는, 처리액을 이끄는 유로(35)가 형성된 본체(36)와, 유로(35)를 개폐하는 밸브체(37)와, 밸브체(37)를 축방향(X1)으로 진퇴시켜 유로(35)를 개폐시키는 공압 액츄에이터(38)와 토출구(31)를 포함한다.
본체(36)는, 공압 액츄에이터(38)를 구성하는 실린더(39)와 밸브체(37)를 진퇴시키는 밸브실(40)과 튜브(29)와 연통하여 밸브실(40)에 이르는 유로(35a)를 포함한다. 본체(36)는, 유로(35a)의, 밸브실(40)보다도 상류의 위치에서, 유로(35a)에 접속된, 튜브(30)와 연통하는 유로(35b)와 밸브실(40)로부터 토출구(31)에 이르는 유로(35c)를 포함한다. 실린더(39)와 밸브실(40)은, 축방향(X1)으로 나열하고 있다. 실린더(39)와 밸브실(40) 사이는, 격벽(41)에 의해서 격리되어 있다. 튜브(29), 유로(35a) 및 유로(35c)는, 탱크(6)로부터 공급되는 처리액을, 토출구(31)를 향해서 안내하는 토출 유로(32)의 일부에 해당한다. 또, 유로(35b)와 튜브(30)는, 토출 유로(32)를 유통하고 있는 처리액을, 탱크(6)에 환류시키는 환류 유로(33)의 일부에 해당한다.
공압 액츄에이터(38)는 실린더(39), 피스톤(42), 용수철(43) 및 로드(44)를 포함한다. 실린더(39)는, 피스톤(42)에 의해서, 격벽(41)측의 전실과, 당해 피스톤(42)을 사이에 두고 축방향(X1)의 반대측인 후실로 격리되어 있다. 본체(36)에는, 실린더(39)의 전실 및 후실에 각각 별개로 공기압을 전달하는 튜브(도 6 중의 튜브(45))를 접속하기 위한 조인트(47)가, 각각 접속되어 있다. 피스톤(42)은, 튜브(45) 및 조인트(47)를 통해, 실린더(39)의 전실 또는 후실 중 어느 한쪽에 공기압을 전달함으로써, 실린더(39) 내를, 축방향(X1)을 따라서 진퇴된다.
용수철(43)은, 실린더(39)의 후실측에 있어서, 피스톤(42)과 본체(36) 사이에 삽입되어, 피스톤(42)을, 격벽(41)의 방향으로 압압하고 있다.
로드(44)는, 베이스부가 피스톤(42)에 연결되고, 선단부가 격벽(41)을 관통하여 밸브실(40)에 돌출되어 있다. 밸브실(40)에 돌출된 로드(44)의 선단부에는, 밸브체(37)가 연결되어 있다. 밸브체(37)는 원판형상으로 형성되고, 로드(44)의 선단부에, 직경 방향을 축방향(X1)과 직교시켜 연결되어 있다. 밸브체(37)는, 실린더(39) 내에서, 피스톤(42)이 축방향(X1)을 따라서 진퇴되면, 로드(44)를 통해 밸브실(40) 내에서, 축방향(X1)을 따라서 진퇴된다.
밸브실(40)은, 격벽(41)과 대향하고, 축방향(X1)과 직교하는 원환형상의 밸브 시트면(46)을 포함하며, 밸브 시트면(46)의 중심 위치에, 유로(35a)가 동심형상으로 개구되어 있다. 유로(35c)는, 밸브실(40)의, 밸브체(37)의 진퇴 방향(축방향(X1))의 측방으로 개구되어 있다.
튜브(29)와 유로(35a), 튜브(30)와 유로(35b)는, 각각 조인트(48)를 통해 접속된다.
본체(36)는, 선단에 토출구(31)가 형성되고 노즐 헤드(26)의 하면으로부터 하방으로 돌출되는 통부(49)를 포함한다. 제1 노즐 헤드(26A) 이외의 각 노즐 헤드(26)에서는, 도시하고 있지 않지만, 통부(49)에, 처리액을 안내하는 복수의 유로가 형성된 금속 캡(34)이 접속되고, 금속 캡(34)의 복수의 유로가 하면에서 개구되어 복수의 토출구(31)가 형성되어 있다.
토출 밸브(28)에 있어서 처리액에 접하는 부분(접액부)은, 처리액에 대한 내성을 가지는 재료(예를 들어, 불소 수지 등의 합성 수지)에 의해서 제작되거나, 혹은 처리액에 대한 내성을 가지는 재료로 이루어지는 피막에 의해서 피복되어 있다. 유로(35)나 밸브실(40)의 내면, 혹은, 밸브체(37)나 로드(44)의 외면은, 접액부에 포함된다.
실린더(39)의 전실 및 후실 중 어느 것에도 공기압을 작용시키지 않고, 공압 액츄에이터(38)를 작동시키지 않는 상태로는, 피스톤(42)이, 용수철(43)에 의해서, 실린더(39) 내에서 전진 위치, 즉, 도 8에 나타내는 바와 같이, 격벽(41)측에 근접한 위치에 압압된다. 이것에 의해, 밸브실(40) 내에서, 밸브체(37)가 밸브 시트면(46)에 접촉되어, 유로(35a)의 개구가 폐쇄된다. 그 때문에, 유로(35a)와 유로(35c) 사이가 닫혀져, 탱크(6)로부터 튜브(29)와 유로(35a)를 통해 공급되는 처리액은, 유로(35b)와 튜브(30)를 통해 탱크(6)에 환류된다(토출 정지 상태).
이 토출 정지 상태에 있어서, 실린더(39)의 전실에 공기압을 전달하여, 피스톤(42)을, 용수철(43)의 압압력에 저항하여 실린더(39)의 후실 방향으로 후퇴시키면, 밸브실(40) 내에서, 밸브체(37)가 밸브 시트면(46)으로부터 떨어져, 유로(35a)의 개구가 밸브실(40)로 해방된다. 그 때문에, 유로(35a)와 유로(35c)가, 밸브실(40)을 통해 연결되어, 탱크(6)로부터 튜브(29)와 유로(35a)를 통하여 공급되는 처리액이, 유로(35c)를 통하여 토출구(31)로부터 토출된다(토출 상태).
이 토출 상태에 있어서, 실린더(39)의 전실로의 공기압의 전달을 정지하고, 대신에, 실린더(39)의 후실에 공기압을 전달하여, 피스톤(42)을 용수철(43)의 압압력과 함께, 실린더(39)의 전실 방향, 즉, 격벽(41)에 근접하는 방향으로 전진시킨다. 그렇게 하면, 밸브실(40) 내에서, 밸브체(37)가 밸브 시트면(46)에 접촉되어, 유로(35a)의 개구가 폐쇄된다. 그 때문에, 유로(35a)와 유로(35c) 사이가 닫혀져, 탱크(6)로부터 튜브(29)와 유로(35a)를 통하여 공급되는 처리액은, 유로(35b)와 튜브(30)를 통하여 탱크(6)에 환류되는 토출 정지 상태로 복귀한다.
또한 토출 밸브(28)는, 전자 밸브여도 되고, 그 이외의 밸브여도 된다.
다음에, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 처리액 공급 시스템에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 순환 히터(51)에 의한 처리액의 가열 온도를 순환 온도로 하고, 토출 히터(57)에 의한 처리액의 가열 온도를 토출 온도로 하는 경우가 있다.
처리액 공급 시스템은, 처리액을 저류하는 탱크(6)와, 탱크(6)로부터 보내진 처리액을 탱크(6)에 순환시키는 순환 유로(50)를 포함한다. 처리액 공급 시스템은, 순환 유로(50) 내를 흐르는 처리액을 실온(예를 들어 20~30℃)보다도 높은 순환 온도로 가열함으로써, 탱크(6) 내의 처리액의 온도를 조정하는 순환 히터(51)를 포함한다. 또한, 처리액 공급 시스템은, 탱크(6) 내의 처리액을 순환 유로(50) 내에서 순환시킴과 함께, 유체 박스(5)에 보내는 펌프(52)를 포함한다.
처리액 공급 시스템은, 순환 유로(50)를 개폐하는 순환 밸브(53)와, 순환 유로(50)로부터 분기한 토출 유로(32)와, 토출 유로(32)를 개폐하는 원공급 밸브(54)를 포함한다.
토출 유로(32)는, 순환 유로(50)로부터 공급된 처리액을, 챔버(9) 내에서, 스핀 척(10)에 유지되는 기판(W)의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판(W)의 면내에 배치된 복수의 토출구(31)를 향해서 안내하는 복수의 토출 유로(32)(제1 토출 유로(32A), 제2 토출 유로(32B), 제3 토출 유로(32C) 및 제4 토출 유로(32D))를 포함한다.
처리액 공급 시스템은, 복수의 토출 유로(32) 내를 흐르는 처리액의 유량을 검출하는 복수의 유량계(55)와, 복수의 토출 유로(32) 내를 흐르는 처리액의 유량을 변경하는 복수의 유량 조정 밸브(56)를 포함한다. 처리액 공급 시스템은, 복수의 토출 유로(32) 내를 흐르는 처리액을, 예를 들어, 순환 온도보다도 높은 원하는 토출 온도로 가열하는 복수의 토출 히터(57)와, 복수의 토출 유로(32)를 각각 개폐하는 복수의 공급 밸브(4)를 포함한다. 처리액 공급 시스템은, 챔버(9) 내의, 기판(W)의 상방에서, 복수의 토출 유로(32)를 각각 개폐하는 복수의 토출 밸브(28)를 더 포함한다. 복수의 토출 밸브(28)는, 기판(W)의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판(W)의 면내에 배치된다.
처리액 공급 시스템은, 챔버(9) 내의, 기판(W)의 상방에서, 또한 복수의 토출 밸브(28)보다도 상류의 위치에서, 복수의 토출 유로(32)에 각각 접속되어, 토출 유로(32)를 유통하고 있는 처리액을 순환 유로(50)에 환류시키는 복수의 환류 유로(33)를 포함한다. 복수의 환류 유로(33)는, 각각 기판(W)의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판(W)의 면내에 있어서, 복수의 토출 유로(32)와 접속되어 있다. 처리액 공급 시스템은, 복수의 환류 유로(33)를 각각 개폐하는 복수의 환류 밸브(58)를 포함한다.
처리액 공급 시스템은, 환류 유로(33)와의 접속 위치보다도 상류의 위치에서, 복수의 토출 유로(32)에 각각 접속되어 있음과 함께, 환류 유로(33)에 접속된 복수의 단락 유로(59)와, 복수의 단락 유로(59)를 각각 개폐하는 복수의 단락 밸브(60)를 포함한다. 처리액 공급 시스템은, 단락 유로(59)와의 접속 위치보다도 상류의 위치에서, 복수의 환류 유로(33)에 접속된 복수의 흡인 유로(61)와, 복수의 흡인 유로(61)를 각각 개폐하는 복수의 흡인 밸브(62)를 포함한다. 흡인 유로(61)의 하류측에는, 도시하고 있지 않지만, 흡인 장치가 접속되어 있다. 단락 유로(59), 단락 밸브(60), 흡인 유로(61) 및 흡인 밸브(62)는, 모두 유체 박스(5) 내에 설치되어 있다.
공급 밸브(4), 토출 밸브(28), 환류 밸브(58), 및 흡인 밸브(62)는, 처리액 공급 시스템을 토출 상태, 토출 정지 상태 및 흡인 제거 상태로 전환하는 전환 유닛의 일례이다. 또 단락 밸브(60)는 단락 유로(59)를 개폐하는 개폐 유닛의 일례이다.
처리액 공급 시스템은, 복수의 환류 유로(33)로부터 환류된 처리액을 냉각하는 쿨러(63)와, 쿨러(63)로부터 탱크(6)에 처리액을 안내하는 회수 유로(64)를 포함한다. 복수의 환류 유로(33)로부터 쿨러(63)에 환류된 처리액은, 쿨러(63)에 의해서, 순환 온도에 접근된 후, 회수 유로(64)를 통해 탱크(6)에 안내된다. 쿨러(63)는, 수냉 유닛 또는 공냉 유닛이어도 되고, 이들 이외의 냉각 유닛이어도 된다.
다음에, 도 1을 참조하여, 복수의 토출구(31)로부터의 처리액의 토출이 정지된 토출 정지 상태의 처리액 공급 시스템에 대해 설명한다. 도 1에서는, 열려 있는 밸브를 흑색으로 나타내고 있고, 닫혀 있는 밸브를 백색으로 나타내고 있다.
탱크(6) 내의 처리액은, 펌프(52)에 의해서 순환 유로(50)에 보내진다. 펌프(52)에 의해서 보내진 처리액의 일부는, 순환 히터(51)에 의해서 가열된 후, 순환 유로(50)를 통해 탱크(6)로 되돌아온다. 펌프(52)에 의해서 보내진 나머지의 처리액은, 순환 유로(50)로부터 복수의 토출 유로(32)에 흐른다. 토출 유로(32)에 공급된 처리액은, 토출 히터(57)에 의해서 가열된 후, 챔버(9) 내에 배치된 토출구(31)의 근방의, 환류 유로(33)와의 접속 위치까지 보내져, 당해 접속 위치로부터 환류 유로(33)를 통해 탱크(6)에 환류된다.
이 토출 정지 상태에 있어서는, 복수의 토출 유로(32)와 그 각각에 접속된 환류 유로(33)를 통해 처리액을 계속 순환시킬 수 있다. 이것에 의해, 각각의 토출 유로(32) 내의 처리액을, 챔버(9) 내의, 기판(W)의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판(W)의 면내에 배치된 토출구(31)의 근방의, 환류 유로(33)와의 접속 위치까지, 원하는 고온으로 유지할 수 있다.
다음에, 도 2를 참조하여, 복수의 토출구(31)로부터 처리액이 토출되는 토출 상태의 처리액 공급 시스템에 대해 설명한다. 도 2에서는, 역시, 열려 있는 밸브를 흑색으로 나타내고 있고, 닫혀 있는 밸브를 백색으로 나타내고 있다.
탱크(6)내의 처리액은, 펌프(52)에 의해서 순환 유로(50)에 보내진다. 펌프(52)에 의해서 보내진 처리액은, 순환 히터(51)에 의해서 가열된 후, 순환 유로(50)로부터 복수의 토출 유로(32)에 흐른다. 토출 유로(32)에 공급된 처리액은, 토출 히터(57)에 의해서 가열된 후, 챔버(9) 내에 배치된 복수의 토출구(31)에 공급된다.
제1 토출 유로(32A)에 공급된 처리액은, 제1 노즐 헤드(26A)에 설치된 1개의 토출구(31A)에 공급된다. 제2 토출 유로(32B)에 공급된 처리액은, 제2 노즐 헤드(26B)에 설치된 복수의 토출구(31B)에 공급된다. 제3 토출 유로(32C) 및 제4 토출 유로(32D)에 대해서도, 제2 토출 유로(32B)와 동일하다. 이것에 의해, 모든 토출구(31)로부터 처리액이 토출된다.
이 토출 상태에 있어서는, 각각의 토출 유로(32)와 환류 유로(33)의 접속 위치를, 챔버(9) 내의, 토출구(31)의 근방에 배치할 수 있다. 이것에 의해, 환류 유로(33)와의 접속 위치로부터 토출구(31)에 이르는, 각 토출 유로(32)의, 환류 유로(33)와의 접속 위치보다도 하류측의 부분의 거리가 짧게 된다. 그 때문에, 각각의 토출 유로(32)의, 환류 유로(33)와의 접속 위치보다도 하류측의 부분을 흐르는 처리액이 받는, 당해 하류측의 부분을 구성하는 관벽의 온도 저하에 수반하는 열영향을, 모두 작게 할 수 있다. 따라서, 각각의 토출구(31)로부터, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을, 기판(W)에 공급할 수 있다.
또, 이 토출 상태에 있어서는, 기판(W)을 회전 축선(A1) 둘레로 회전시키면서, 회전 축선(A1)로부터의 거리가 상이한 복수의 위치에, 복수의 토출구(31)로부터 토출시킨 처리액을 착액시킬 수 있다. 그 때문에, 기판(W)의 상면의 전역에, 신속하게, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을 넓게 퍼지게 할 수도 있다.
그 때문에, 기판(W)간의 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또, 복수의 토출구로부터 토출되는 처리액의 온도의 균일성을 향상시켜, 동일한 기판(W)의 면내에 있어서의 처리의 균일성을 향상시킬 수도 있다.
다음에, 도 3을 참조하여, 복수의 토출 유로(32)의, 환류 유로(33)와의 접속 위치보다도 하류의 영역에 잔류하는 처리액이 흡인 제거되는 흡인 제거 상태의 처리액 공급 시스템에 대해 설명한다. 도 3에서는, 역시, 열려있는 밸브를 흑색으로 나타내고 있고, 닫혀 있는 밸브를 백색으로 나타내고 있다.
탱크(6) 내의 처리액은, 펌프(52)에 의해서 순환 유로(50)에 보내진다. 펌프(52)에 의해서 보내진 처리액의 일부는, 순환 히터(51)에 의해서 가열된 후, 순환 유로(50)를 통해 탱크(6)로 되돌아온다. 펌프(52)에 의해서 보내진 나머지의 처리액은, 순환 유로(50)로부터 복수의 토출 유로(32)에 흐른다. 토출 유로(32)에 공급된 처리액은, 토출 히터(57)에 의해서 가열된 후, 단락 유로(59)를 통해 탱크(6)에 환류된다.
각 토출 유로(32)의, 환류 유로(33)와의 접속 위치보다도 하류의 영역에 잔류한 처리액은, 흡인 유로(61)로부터 환류 유로(33)를 통해 전달된 흡인력에 의해서, 흡인 유로(61) 내에 흡인 제거된다.
그 때문에, 각각의 토출 유로(32)의, 환류 유로(33)와의 접속 위치보다도 하류의 영역에 잔류하여, 온도가 저하된 처리액이, 토출 정지 상태에 있어서, 토출구(31)로부터 기판(W)의 상면에 부주의하게 공급되는 것을 방지할 수 있다. 또, 처리액의 토출을 재개할 때에는, 각각의 토출 유로(32)를 통하여, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을 기판(W)에 공급할 수 있다. 따라서, 기판(W)간의 처리의 균일성을, 더욱 향상시킬 수 있다. 또, 복수의 토출구로부터 토출되는 처리액의 온도의 균일성을 향상시키고, 동일한 기판(W)의 면내에 있어서의 처리의 균일성을, 보다 한층 향상시킬 수도 있다.
도 9는, 기판 처리 장치(1)에 의해서 실행되는 기판(W)의 처리의 일례를 설명하기 위한 흐름도이다.
이하의 각 동작은, 컨트롤러(3)가 기판 처리 장치(1)를 제어함으로써 실행된다. 이하에서는, 주로 도 2, 도 4 및 도 5를 참조한다. 도 9에 대해서는 적절하게 참조한다.
처리 유닛(2)에 의해서 기판(W)이 처리될 때에는, 복수의 노즐(22)이 스핀 척(10)의 상방으로부터 퇴피하고 있고, 스플래쉬 가드(16)가 하부 위치에 위치하고 있는 상태로, 반송 로봇의 핸드(도시하지 않음)에 의해서, 기판(W)이 챔버(9) 내에 반입된다. 이것에 의해, 표면이 위로 향해진 상태로, 기판(W)이 복수의 척 핀(14) 위에 놓여진다. 그 후, 반송 로봇의 핸드가 챔버(9)의 내부로부터 퇴피하고, 챔버(9)의 반입 반출구(12a)가 셔터(12b)로 닫혀진다.
기판(W)이 복수의 척 핀(14) 위에 놓여진 후에는, 복수의 척 핀(14)이 기판(W)의 주연부에 가압되고, 기판(W)이 복수의 척 핀(14)에 의해서 파지된다. 또, 가드 승강 기구(18)가, 스플래쉬 가드(16)를 하부 위치로부터 상부 위치로 이동시킨다. 이것에 의해, 스플래쉬 가드(16)의 상단이 기판(W)보다도 상방에 배치된다. 그 후, 스핀 모터(15)가 구동되고 기판(W)의 회전이 개시된다. 이것에 의해, 기판(W)이 소정의 액처리 속도(예를 들어 수백 rpm)로 회전한다.
다음에, 노즐 이동 유닛(24)이, 복수의 노즐(22)을 대기 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 이것에 의해, 복수의 노즐(22)의 토출구(31)가, 평면에서 볼 때 기판(W)과 겹쳐진다. 그 후, 복수의 토출 밸브(28) 등이 제어되고, 처리액이, 복수의 노즐(22)의 토출구(31)로부터 동시에 토출된다(도 9의 단계 S1). 복수의 노즐(22)은, 노즐 이동 유닛(24)이 복수의 노즐(22)을 정지시키고 있는 상태로, 토출구(31)로부터 처리액을 토출한다. 복수의 토출 밸브(28)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 복수의 토출구(31)로부터의 처리액의 토출이 동시에 정지된다(도 9의 단계 S2). 그 후, 토출구(31)에 이르는 토출 유로(32) 내에 잔류한 처리액이 흡인 제거됨(도 9의 단계 S3)과 함께, 노즐 이동 유닛(24)이, 복수의 노즐(22)을 처리 위치로부터 대기 위치로 이동시킨다.
복수의 노즐(22)의 토출구(31)로부터 토출된 처리액은, 회전하고 있는 기판(W)의 상면에 착액한 후, 원심력에 의해서 기판(W)의 상면을 따라서 바깥쪽(회전 축선(A1)로부터 떨어지는 방향)으로 흐른다. 기판(W)의 상면 주연부에 이른 처리액은, 기판(W)의 주위로 비산하고, 스플래쉬 가드(16)의 내주면에 받아들여진다. 이와 같이 하여, 처리액이 기판(W)의 상면 전역에 공급되고, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 처리액의 액막이 기판(W)상에 형성된다. 이것에 의해, 기판(W)의 상면 전역이 처리액으로 처리된다.
복수의 노즐(22)의 토출구(31)로부터의, 약액의 토출이 정지된 후에는, 린스액 밸브(20)가 열리고, 린스액 노즐(19)로부터의 린스액(순수)의 토출이 개시된다(도 9의 단계 S4). 이것에 의해, 기판(W)상의 약액이 린스액에 의해서 씻어 없애지고, 기판(W)의 상면 전역을 덮는 린스액의 액막이 형성된다. 린스액 밸브(20)가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 린스액 밸브(20)가 닫혀지고, 린스액 노즐(19)로부터의 린스액의 토출이 정지된다(도 9의 단계 S5).
린스액 노즐(19)로부터의 린스액의 토출이 정지된 후에는, 기판(W)이 스핀 모터(15)에 의해서 회전 방향으로 가속되고, 액처리 속도보다도 큰 건조 속도(예를 들어 수천 rpm)로 기판(W)이 회전한다(도 9의 단계 S6). 이것에 의해, 기판(W)에 부착되어 있는 린스액이 기판(W)의 주위로 뿌리쳐져 기판(W)이 건조된다. 기판(W)의 고속 회전이 개시되고 나서 소정 시간이 경과하면, 스핀 모터(15) 및 기판(W)의 회전이 정지된다.
기판(W)의 회전이 정지된 후에는, 가드 승강 기구(18)가, 스플래쉬 가드(16)를 상부 위치로부터 하부 위치로 이동시킨다. 또, 복수의 척 핀(14)에 의한 기판(W)의 유지가 해제된다. 반송 로봇은, 복수의 노즐(22)이 스핀 척(10)의 상방으로부터 퇴피하고 있고, 스플래쉬 가드(16)가 하부 위치에 위치하고 있는 상태로, 핸드를 챔버(9)의 내부에 진입시킨다. 그 후, 반송 로봇은, 핸드에 의해서 스핀 척(10)상의 기판(W)을 잡고, 이 기판(W)을 챔버(9)로부터 반출한다.
이상과 같이 본 실시 형태에서는, 챔버(9) 내의, 기판(W)의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판(W)의 면내에 배치한 토출구(31)에 맞추어, 환류 유로(33)를, 챔버(9) 내의, 기판(W)의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판(W)의 면내에 있어서 토출 유로(32)에 접속하고 있다. 그 때문에, 토출 정지 상태에 있어서는, 복수의 토출 유로(32)와, 그 각각에 접속된 환류 유로(33)를 통해 처리액을 계속 순환시킬 수 있다. 이것에 의해, 각각의 토출 유로(32) 내의 처리액을, 챔버(9) 내의, 기판(W)의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판(W)의 면내에 배치된 토출구(31)의 근방의, 환류 유로(33)와의 접속 위치까지, 원하는 고온으로 유지할 수 있다.
또, 토출 상태에 있어서는, 각각의 토출 유로(32)와 환류 유로(33)의 접속 위치를, 챔버(9) 내의, 기판(W)의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판(W)의 면내의, 토출구(31)의 근방에 배치할 수 있다. 이것에 의해, 환류 유로(33)와의 접속 위치로부터 토출구(31)에 이르는, 각 토출 유로(32)의, 환류 유로(33)와의 접속 위치보다도 하류측의 부분의 거리가 짧게 된다. 그 때문에, 각각의 토출 유로(32)의, 환류 유로(33)와의 접속 위치보다도 하류측의 부분을 흐르는 처리액이 받는, 당해 하류측의 부분을 구성하는 관벽의 온도 저하에 수반하는 열영향을, 모두 작게 할 수 있다. 그 때문에, 각각의 토출구(31)로부터, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을, 기판(W)에 공급할 수 있다.
또, 토출 상태에 있어서는, 기판(W)을 회전 축선(A1) 둘레로 회전시키면서, 회전 축선(A1)으로부터의 거리가 상이한 복수의 위치에, 복수의 토출구(31)로부터 토출시킨 처리액을 착액시킬 수 있다. 그 때문에, 기판(W)의 상면의 전역에, 신속하게, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을 널리 퍼지게 할 수 있다.
따라서, 기판(W)간의 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다. 또, 복수의 토출구로부터 토출되는 처리액의 온도의 균일성을 향상시켜, 동일한 기판(W)의 면내에 있어서의 처리의 균일성을 향상시킬 수도 있다.
또, 그 때문에, 실제의 토출에 앞서, 원하는 고온으로 온도 조정된 처리액을, 토출 유로(32)에 공급하여, 토출구로부터 토출시키는 프리디스펜스의 공정의 실시를 생략할 수도 있다. 혹은, 프리디스펜스의 공정으로 처리액을 토출하는 시간을 단축하거나, 토출하는 처리액의 양을 줄이거나 하여, 프리디스펜스의 공정을 실시하는 것에 의한 처리의 시간의 연장이나, 처리액의 소비량의 증가를 억제할 수도 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 토출 유로(32)의, 환류 유로(33)와의 접속 위치보다도 하류의 영역에 잔류한 처리액을, 흡인 유로(61)로부터 환류 유로(33)를 통해 전달된 흡인력에 의해서, 흡인 유로(61) 내에 흡인 제거할 수 있다.
그 때문에, 각각의 토출 유로(32)의, 환류 유로(33)와의 접속 위치보다도 하류의 영역에 잔류하여, 온도가 저하된 처리액이, 토출 정지 상태에 있어서, 토출구(31)로부터 기판(W)의 상면에 부주의하게 공급되는 것을 방지할 수 있다. 또, 처리액의 토출을 재개할 때에는, 각각의 토출 유로(32)를 통하여, 원하는 고온으로 정밀하게 온도 조정된 처리액을 기판(W)에 공급할 수 있다. 따라서, 기판(W)간의 처리의 균일성을, 더 향상시킬 수 있다. 또, 복수의 토출구로부터 토출되는 처리액의 온도의 균일성을 향상시키고, 동일한 기판(W)의 면내에 있어서의 처리의 균일성을, 보다 한층 향상시킬 수도 있다.
본 발명의 실시 형태의 설명은 이상이지만, 본 발명은, 전술한 실시 형태의 내용에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위 내에 있어서 여러 가지의 변경이 가능하다.
예를 들어, 실시 형태에서는, 노즐(22)의 수가 4개인 경우에 대해 설명했지만, 노즐(22)의 수는 1개 내지 3개여도 되고, 5개 이상이어도 된다.
실시 형태에서는, 복수의 노즐(22)을 정지시키면서, 복수의 노즐(22)의 토출구(31)로부터 처리액을 토출시키는 경우에 대해 설명했다. 그러나, 노즐(22)의 수는 1개로 하고, 1개의 노즐(22)을 정지시키면서, 1개의 노즐(22)의 토출구(31)로부터 처리액을 토출시켜도 된다. 혹은, 1개 또는 복수의 노즐(22)을, 노즐 회동 축선(A2) 둘레로 회동(스캔)시키면서, 1개 또는 복수의 노즐(22)의 토출구(31)로부터 처리액을 토출시켜도 된다.
실시 형태에서는, 제1 노즐 헤드(26A)에는 금속 캡(34)이 설치되어 있지 않고, 제1 노즐 헤드(26A) 이외의 모든 노즐 헤드(26)에 금속 캡(34)이 설치되어 있는 경우에 대해 설명했다. 그러나, 제1 노즐 헤드(26A)를 포함하는 모든 노즐 헤드(26)에 금속 캡(34)이 설치되어 있어도 된다. 이것과는 반대로, 모든 노즐 헤드(26)에 금속 캡(34)이 설치되어 있지 않아도 된다.
실시 형태에서는, 1개의 금속 캡(34)에 3개의 토출구(31)가 형성되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 1개의 금속 캡(34)에 형성되어 있는 토출구(31)의 수는, 2개여도 되고, 4개 이상이어도 된다.
실시 형태에서는, 복수의 토출구(31)가, 평면에서 볼 때 직경 방향(Dr)으로 나열하고 있는 경우에 대해 설명했다. 그러나, 복수의 토출구(31)가, 회전 축선(A1)으로부터의 거리가 상이한 복수의 위치에 각각 배치되는 것이라면, 복수의 토출구(31)는 평면에서 볼 때 직경 방향(Dr)으로 나열하고 있지 않아도 된다.
실시 형태에서는, 복수의 토출구(31)가, 기판(W)의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판(W)의 면내에 설치되어, 기판(W)의 상면에 대해서 수직인 토출 방향으로 처리액을 토출하는 경우에 대해 설명했다. 그러나, 환류 유로(33)가 챔버(9) 내에서 토출 유로(32)에 접속되는 것이라면, 토출구(31)는 챔버(9) 내의, 기판(W)의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판(W)의 면외에 배치되어, 기판(W)의 상면에 대해서 기울기 하방을 향해서 처리액을 토출해도 된다.
실시 형태에서는, 모든 토출 밸브(28)가 동시에 열리고, 모든 토출 밸브(28)가 동시에 닫히는 경우에 대해 설명했다. 그러나, 컨트롤러(3)는, 예를 들어, 외측의 토출구(31)가 처리액을 토출하고 있는 시간이, 내측의 토출구(31)가 처리액을 토출하고 있는 시간보다도 길어지도록, 복수의 토출 밸브(28)를 제어해도 된다.
실시 형태에서는, 토출 히터(57)가, 모든 토출 유로(32)에 설치되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 예를 들어, 토출 히터(57)가 제1 토출 유로(32A)에 설치되어 있지 않고, 제1 토출 유로(32A) 이외의 모든 토출 유로(32)에 토출 히터(57)가 설치되어 있어도 된다. 또, 모든 토출 유로(32)에 토출 히터(57)가 설치되어 있지 않아도 된다.
토출 히터(57)로서는, 예를 들어, 펠리체 소자 등의 열전 소자, 저항 가열 히터, 유도 가열 히터 그 외, 토출 유로(32)를 흐르는 처리액을 가열할 수 있는 여러 가지의 히터를 이용할 수 있다.
컨트롤러(3)는, 기판(W)의 표면의 각부에 공급되는 처리액의 온도를, 기판(W)의 상면 내의, 회전 축선(A1)으로부터의 거리가 상이한 복수의 위치마다 제어함으로써, 처리를 균일화해도 된다. 구체적으로는, 컨트롤러(3)는 회전 축선(A1)으로부터의 거리가 멀어짐에 따라서, 복수의 토출 유로(32)에서의 처리액의 온도가 높아지도록, 복수의 토출 히터(57)를 제어해도 된다.
기판(W)의 각부의 주속(周速)은, 회전 축선(A1)으로부터 떨어짐에 따라서 증가한다. 기판(W)상의 처리액은, 주속이 클수록 냉각되기 쉽다. 또, 기판(W)의 상면을 직경 방향(Dr)으로 등간격으로 복수의 원환형상의 영역으로 분할할 수 있다고 가정하면, 각 영역의 면적은 회전 축선(A1)으로부터 떨어짐에 따라서 증가한다. 표면적이 크면 처리액으로부터 원환형상의 영역으로 열이 이동하기 쉽다.
그러나, 토출구(31)로부터 토출되는 처리액의 온도를, 회전 축선(A1)으로부터의 거리가 떨어짐에 따라서 높아지도록 제어함으로써, 냉각이나 열의 이동의 영향을 배제하여, 처리의 균일성을 보다 한층 향상시킬 수 있다.
또, 컨트롤러(3)는 기판(W)의 표면의 각부에 공급되는 처리액의 온도를 기판(W)의 표면에 형성된 처리전의 박막의 두께에 따라 제어함으로써, 처리 후의 박막의 두께를 균일화해도 된다.
구체적으로는, 컨트롤러(3)는, 복수의 토출 유로(32)에서의 처리액의 온도가, 처리전의 막두께에 따른 온도가 되도록 복수의 토출 히터(57)를 제어해도 된다.
이 경우, 처리전의 막두께가 상대적으로 큰 위치에 상대적으로 고온의 처리액이 공급되고, 처리전의 막두께가 상대적으로 작은 위치에 상대적으로 저온의 처리액이 공급된다. 기판(W)의 표면에 형성된 박막의 에칭량은, 고온의 처리액이 공급되는 위치에서 상대적으로 증가하고, 저온의 처리액이 공급되는 위치에서 상대적으로 감소한다. 그 때문에, 처리 후의 박막의 두께가 균일화된다.
전술한 모든 구성의 2개 이상이 조합되어도 된다. 또, 전술한 모든 공정의 2개 이상이 조합되어도 된다.
본 출원은, 2017년 3월 24일에 일본 특허청에 제출된 특원 2017-060047호에 대응하고 있고, 본 출원의 전체 개시는 개개에 인용에 의해 내장되는 것으로 한다.
본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 명확하게 하기 위해서 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은, 이러한 구체예에 한정하여 해석되어야 하는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
Claims (9)
- 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과,
상기 기판 유지 유닛을 수용하는 챔버와,
순환 유로, 토출 유로, 토출구 및 환류 유로를 포함하고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 시스템을 포함하고,
상기 순환 유로는, 처리액을 상온 이상의 소정의 온도로 유지하면서 순환시키고,
상기 토출 유로는, 상기 순환 유로로부터 분기하여, 상기 순환 유로로부터 공급되는 처리액을 상기 토출구를 향하여 안내하며,
상기 토출구는, 상기 챔버 내에 배치되어, 상기 토출 유로를 통해 공급되는 처리액을, 상기 기판 유지 유닛에 유지되는 기판을 향하여 토출하고,
상기 환류 유로는, 상기 챔버 내에서 상기 토출 유로에 접속되고, 상기 토출 유로를 유통하고 있는 처리액을 상기 순환 유로에 환류시키는, 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 토출구는, 상기 챔버 내에서, 상기 기판 유지 유닛에 유지되는 기판의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판의 면내에 배치되고, 상기 환류 유로는, 상기 챔버 내에서, 상기 기판의 상방에서, 또한 평면에서 볼 때 기판의 면내에서 상기 토출 유로에 접속되어 있는, 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 처리액 공급 시스템은, 토출 히터를 더 포함하고,
상기 토출 히터는, 상기 환류 유로와 상기 토출 유로의 접속 위치보다도 상류의 위치에서 상기 토출 유로에 개재되어, 상기 토출 유로를 흐르는 처리액을 가열하는, 기판 처리 장치. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액 공급 시스템은, 상기 순환 유로로부터 분기한 복수의 상기 토출 유로, 복수의 상기 토출 유로마다 설치된 복수의 상기 토출구 및 복수의 상기 토출 유로마다, 각각 챔버 내에서 접속된 복수의 상기 환류 유로를 포함하는, 기판 처리 장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 기판 유지 유닛은, 상기 기판을, 상기 기판의 중앙부를 지나는 연직인 회전 축선 둘레로 회전시키고, 상기 복수의 토출구는 상기 챔버 내에서, 상기 기판의 상면 내의, 상기 회전 축선으로부터의 거리가 상이한 복수의 위치에 각각 배치되어 있는, 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서.
상기 처리액 공급 시스템은, 단락 유로를 더 포함하고,
상기 단락 유로는, 상기 환류 유로와의 접속 위치보다도 상류의 위치에서 상기 토출 유로에 접속되어 있음과 함께, 상기 환류 유로에 접속되어 있고,
상기 처리액 공급 시스템은, 상기 단락 유로를 개폐하는 개폐 유닛을 더 포함하는, 기판 처리 장치. - 청구항 6에 있어서,
상기 처리액 공급 시스템은, 흡인 유로를 더 포함하고,
상기 흡인 유로는, 상기 토출 유로와의 접속 위치보다도 하류에서, 또한 상기 단락 유로와의 접속 위치보다도 상류의 위치에서 상기 환류 유로에 접속되어, 상기 환류 유로를 통해, 상기 토출 유로의, 상기 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류의 영역에 흡인력을 전달하는, 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 처리액 공급 시스템은, 전환 유닛을 더 포함하고,
상기 전환 유닛은, 상기 순환 유로로부터 상기 토출 유로에 공급되는 처리액이 상기 토출구에 공급되는 토출 상태와, 상기 순환 유로로부터 상기 토출 유로에 공급되는 처리액이 상기 환류 유로에 공급되는 토출 정지 상태를 포함하는 복수의 상태 중 어느 하나로 전환되는, 기판 처리 장치. - 청구항 7에 있어서,
상기 처리액 공급 시스템은 전환 유닛을 더 포함하고,
상기 전환 유닛은, 상기 개폐 유닛에 의해서 상기 단락 유로를 열어, 상기 토출 유로와 상기 환류 유로를, 상기 단락 유로를 통해 단락 접속한 상태로, 상기 흡인 유로 및 상기 환류 유로를 통해, 상기 토출 유로의, 상기 환류 유로와의 접속 위치보다도 하류의 영역에 흡인력을 전달하여, 상기 영역 내의 처리액이, 상기 흡인 유로 내에 흡인 제거되는 흡인 제거 상태로 전환되는, 기판 처리 장치.
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