CN106876299B - 半导体加工设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的半导体加工设备，包括反应腔室、中央进气机构和边缘进气机构，其中，中央进气机构设置在反应腔室的顶部中心位置处；边缘进气机构包括进气口、匀流腔和多个出气口，匀流腔环绕设置在反应腔室的边缘位置处；多个出气口沿匀流腔的周向均匀分布。在每个出气口内设置有通断装置，用以在通过进气口向匀流腔内输送工艺气体时，在气压的作用下使出气口与反应腔室相连通；或者，在未向匀流腔内输送工艺气体时，在气压的作用下使出气口与反应腔室相隔离。本发明提供的半导体加工设备，其在将两种不同的工艺气体交替通入反应腔室时，可以避免留存在匀流腔内部的工艺气体进入到反应腔室内，从而可以保证工艺均匀性。

Description

半导体加工设备
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体加工设备。
背景技术
等离子体加工设备广泛地应用于集成电路(IC)或MEMS器件的制造工艺中，其利用大量的电子、离子、激发态的原子等的活性粒子，与衬底表面发生各种物理和化学反应,从而使衬底表面的性能获得变化。在集成电路的制造工艺过程中，通常使用进气机构负责为产生等离子体提供气源。
图1为现有的等离子体加工设备的结构示意图。请参阅图1，等离子体加工设备包括反应腔室100和进气装置，其中，在反应腔室100内设置有用于承载衬底的卡盘101。进气装置包括中心喷嘴102和边缘进气机构，其中，中心喷嘴102设置在反应腔室100的顶部中心位置处；边缘进气机构进气口106、匀流腔105和多个出气口107，其中，匀流腔105由两个环绕设置在反应腔室100的侧壁顶部的盖板(103，104)拼接而成；进气口106用于将工艺气体输送至匀流腔105；多个出气口107沿匀流腔105的周向均匀分布，用以将匀流腔105内的工艺气体输送至反应腔室100内。
上述等离子体加工设备可以应用在需要将两种不同的工艺气体交替通入反应腔室的工艺，例如BOSCH工艺，需要交替地向反应腔室内通入沉积气体和刻蚀气体。具体地，交替地，将第一种工艺气体通过中心喷嘴102输送至反应腔室100内，将第二种工艺气体依次通过进气口106、匀流腔105和各个出气口107输送至反应腔室100内。
但是，对于边缘进气机构，在其完成对第二种工艺气体的输送之后，会有一部分工艺气体留存在匀流腔105的内部，而且在不使用边缘进气机构时，由于匀流腔105通过各个出气口107始终与反应腔室100保持连通，这使得留存在匀流腔105内部的第二种工艺气体会进入到反应腔室100内，与第一种工艺气体混合，导致反应腔室100内的气体成分发生改变，从而对工艺均匀性造成影响。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体加工设备，其在将两种不同的工艺气体交替通入反应腔室时，可以避免留存在匀流腔内部的工艺气体进入到反应腔室内，从而可以保证工艺均匀性。
为实现本发明的目的而提供一种半导体加工设备，包括反应腔室、中央进气机构和边缘进气机构，其中，所述中央进气机构设置在所述反应腔室的顶部中心位置处；所述边缘进气机构包括进气口、匀流腔和多个出气口，其中，所述匀流腔环绕设置在所述反应腔室的边缘位置处；所述进气口用于将工艺气体输送至所述匀流腔；所述多个出气口沿所述匀流腔的周向均匀分布，用以将所述匀流腔内的工艺气体输送至所述反应腔室内，在每个所述出气口内设置有通断装置，用以在通过所述进气口向所述匀流腔内输送工艺气体时，在气压的作用下使所述出气口与所述反应腔室相连通；或者，在未向所述匀流腔内输送工艺气体时，在气压的作用下使所述出气口与所述反应腔室相隔离。
优选的，所述通断装置包括固定件、活动件和压缩弹簧，其中，所述固定件和活动件封堵所述出气口，二者沿所述出气口的轴向相对设置，且所述活动件和所述固定件分别靠近所述出气口的进气端和出气端；并且，所述固定件具有第一通道；所述第一通道的出气端始终与所述反应腔室相连通；所述活动件通过所述压缩弹簧与所述固定件弹性连接，且在通过所述进气口向所述匀流腔内输送工艺气体时，所述活动件在气压作用下压缩所述压缩弹簧，以使所述第一通道的进气端与所述匀流腔相连通；在未向所述匀流腔内输送工艺气体时，所述活动件在所述压缩弹簧的弹力作用下复位，以使所述第一通道的进气端与所述匀流腔相隔离。
优选的，所述固定件包括端部和轴部，其中，所述端部封堵在所述出气口的出气端处；所述轴部呈柱状，所述轴部的一端与所述端部连接，且位于所述端部的中心位置处，所述轴部的另一端朝所述出气口的进气端水平延伸；所述第一通道的进气端位于所述轴部的外周壁上，所述第一通道的出气端位于所述端部朝向所述反应腔室的内侧壁上；所述活动件呈环状，且套设在所述轴部上，并且所述活动件的内周壁与所述轴部的外周壁滑动配合；所述压缩弹簧套设在所述轴部上，且位于所述端部和所述活动件的端面之间。
优选的，所述第一通道的进气端为多个，且沿所述轴部的周向对称分布。
优选的，所述固定件包括端部和轴部，其中，所述端部封堵在所述出气口的出气端处；所述轴部呈环状，且所述轴部的外周壁与所述出气口的内壁相配合；所述轴部的一端与所述端部连接，所述轴部的另一端朝所述出气口的进气端水平延伸；所述第一通道的进气端位于所述轴部的内周壁上，所述第一通道的出气端位于所述端部朝向所述反应腔室的内侧壁上；所述活动件呈柱状，且嵌套在所述轴部内，并且所述活动件的外周壁与所述轴部的内周壁滑动配合；所述压缩弹簧位于所述轴部的内侧，且位于所述端部与所述活动件的端面之间。
优选的，所述第一通道为多条，且沿所述轴部的周向对称分布。
优选的，所述通断装置包括固定件、活动件和压缩弹簧，其中，所述固定件和活动件封堵所述出气口，二者沿所述出气口的轴向相对设置，且所述活动件和所述固定件分别靠近所述出气口的进气端和出气端；并且，所述固定件具有第一通道，所述活动件具有第二通道；所述第一通道的出气端始终与所述反应腔室相连通，所述第一通道的进气端始终与所述第二通道的出气端相连通；所述活动件通过所述压缩弹簧与所述固定件弹性连接，且在通过所述进气口向所述匀流腔内输送工艺气体时，所述活动件在气压作用下压缩所述压缩弹簧，以使所述第二通道的进气端与所述匀流腔相连通；在未向所述匀流腔内输送工艺气体时，所述活动件在所述压缩弹簧的弹力下复位，以使所述第二通道的进气端与所述匀流腔相隔离。
优选的，所述固定件包括端部和轴部，其中，所述端部封堵在所述出气口的出气端处；所述轴部呈柱状，且水平设置，并且所述轴部的一端与所述端部连接，且位于所述端部的中心位置处，所述轴部的另一端朝所述出气口的进气端水平延伸；所述第一通道的进气端位于所述轴部的外周壁上，所述第一通道的出气端位于所述端部朝向所述反应腔室的内侧壁上；在所述活动件与所述轴部相对的表面上设置有配合孔，所述配合孔与所述轴部相配合；所述第二通道位于所述配合孔的外侧，且所述第二通道的出气端位于所述活动件与所述端部相对的表面上；所述活动件的外周壁与所述出气口的内壁滑动配合，且分别对应地在所述活动件和所述出气口的内壁上设置有凹部和凸部，二者在所述活动件复位时相互配合，且在所述活动件压缩所述压缩弹簧时相互分离；所述第二通道的进气端位于所述凹部的与所述凸部相配合的表面上；所述压缩弹簧位于所述配合孔内，且位于所述轴部的端面与所述配合孔的底面之间。
优选的，所述第二通道为多条，且围绕所述配合孔对称分布。
优选的，所述第一通道的进气端为多个，且沿所述轴部的周向对称分布。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的半导体加工设备，其在出气口内设置有通断装置，该通断装置用于在通过进气口向匀流腔输送工艺气体时，在气压的作用下使出气口与反应腔室相连通；或者，在未向匀流腔输送工艺气体时，在气压的作用下使出气口与反应腔室相隔离，从而在将两种不同的工艺气体交替通入反应腔室时，可以避免留存在匀流腔内部的工艺气体进入到反应腔室内，从而可以保证工艺均匀性。
附图说明
图1为现有的等离子体加工设备的结构示意图；
图2A为本发明第一实施例提供的半导体加工设备的剖视图；
图2B为在未通入气体时图2A中I区域的放大图；
图2C为在通入气体时图2A中I区域的放大图；
图3A为本发明第二实施例采用的通断装置在未通入气体时的放大图；
图3B为本发明第二实施例采用的通断装置在通入气体时的放大图；
图4A为本发明第三实施例采用的通断装置在未通入气体时的放大图；以及
图4B为本发明第三实施例采用的通断装置在通入气体时的放大图；
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体加工设备进行详细描述。
图2A为本发明第一实施例提供的半导体加工设备的剖视图。请参阅图2A，半导体加工设备包括反应腔室200、中央进气机构202和边缘进气机构，其中，在反应腔室200内设置有用于承载被加工工件的卡盘201。中央进气机构202设置在反应腔室200的顶部中心位置处。边缘进气机构包括进气口206、匀流腔203和多个出气口207，其中，匀流腔203由两个环绕设置在反应腔室200的侧壁顶部的盖板(204，205)拼接而成；进气口206用于将工艺气体输送至匀流腔203内；多个出气口207沿匀流腔203的周向均匀分布，用以将匀流腔203内的工艺气体输送至反应腔室200内。
本发明实施例提供的半导体加工设备可以应用在需要将两种不同的工艺气体交替通入反应腔室的工艺，例如，交替地，将第一种工艺气体通过中央进气机构202输送至反应腔室200内，将第二种工艺气体依次通过进气口206、匀流腔203和各个出气口207输送至反应腔室200内。
而且，在每个出气口207内设置有通断装置208，用以在通过进气口206向匀流腔203内输送工艺气体时，在气压的作用下使出气口207与反应腔室200相连通；或者，在未向匀流腔203内输送工艺气体时，在气压的作用下使出气口207与反应腔室200相隔离，从而在将两种不同的工艺气体交替通入反应腔室时，可以避免留存在匀流腔内部的第二种工艺气体进入到反应腔室内，并与第一种工艺气体混合，从而可以保证工艺均匀性。
下面对上述通断装置208的具体实施方式进行详细描述。具体地，图2B为在未通入气体时图2A中I区域的放大图。图2C为在通入气体时图2A中I区域的放大图。请一并参阅图2B和图2C，通断装置包括固定件、活动件304和压缩弹簧305，其中，固定件和活动件304封堵出气口207，二者沿出气口207的轴向相对设置，且活动件304和固定件分别靠近出气口207的进气端和出气端。进一步地，固定件包括端部301和轴部302，该端部301封堵在出气口207的出气端(图2B中出气口207的左端)处；轴部302呈柱状，该轴部302的一端(图2B中轴部302的左端)与端部301连接，且位于该端部301的中心位置处，轴部302的另一端朝出气口207的进气端(图2B中出气口207的右端)水平延伸。
而且，固定件具有第一通道303，该第一通道303的出气端(图2B中第一通道303的左端)位于端部301朝向反应腔室200的内侧壁上，该内侧壁暴露在反应腔室200的内部环境中，从而始终与反应腔室200相连通；第一通道303的进气端(图2B中第一通道303的右端)位于轴部302的外周壁上，该进气端的数量为多个，且沿轴部302的周向对称分布，从而可以提高进气效率。
活动件304呈环状，且套设在轴部302上，并且该活动件304的内周壁与轴部302的外周壁滑动配合。压缩弹簧305套设在轴部302上，且位于端部301和活动件304的端面(图2B中活动件304的左端面)之间，从而活动件304通过压缩弹簧305实现与固定件的弹性连接。如图2B所示，当未向匀流腔203内输送工艺气体时，此时匀流腔203内的气压较低，该气压朝向活动件304施加的压力小于压缩弹簧305的弹力，从而压缩弹簧305处于原始长度状态，同时活动件304处于可封闭第一通道303的各个进气端的位置处，进而可以避免留存在匀流腔203内部的工艺气体进入到反应腔室200内。
当通过进气口206向匀流腔203内输送工艺气体时，如图2C所示，匀流腔203内的气压逐渐上升，当该气压上升至其朝向活动件304施加的压力大于压缩弹簧305的弹力的时候，活动件304开始压缩压缩弹簧305，即，克服了压缩弹簧305的弹力向左滑动，直至使第一通道303的各个进气端与匀流腔203相连通。在这种情况下，匀流腔203内的工艺气体通过第一通道303的各个进气端进入第一通道303，然后通过第一通道303的出气端进入反应腔室200内，工艺气体的气流方向如图2C中的箭头所示。当停止向匀流腔203内输送工艺气体时，匀流腔203内的气压下降，从而使得活动件304在压缩弹簧305的弹力作用下复位，即返回至图2B中的位置处，以重新使第一通道303的各个进气端与匀流腔203相隔离。
需要说明的是，在本实施例中，第一通道303的进气端为多个，且沿轴部302的周向均匀分布，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，第一通道的进气端还可以为一个。
图3A为本发明第二实施例采用的通断装置在未通入气体时的放大图。图3B为本发明第二实施例采用的通断装置在通入气体时的放大图。请一并参阅图3A和图3B，本实施例提供的半导体加工设备与上述第一实施例相比，同样包括反应腔室、中央进气机构和边缘进气机构，在每个出气口内设置有通断装置。由于上述机构或装置的结构和功能在第一实施例中已有了详细描述，在此不再赘述。下面仅对本实施例与上述第一实施例之间的区别进行详细描述。
具体地，本实施例采用的通断装置包括固定件、活动件404和压缩弹簧405，其中，固定件和活动件404封堵出气口207，二者沿出气口207的轴向相对设置，且活动件404位于固定件的内侧。进一步地，固定件包括端部401和轴部402，其中，端部401封堵在出气口207的出气端处；轴部402呈环状，且该轴部402的外周壁与出气口207的内壁相配合；轴部402的一端与端部401连接，轴部402的另一端朝出气口207的进气端水平延伸。
而且，固定件具有一条或多条第一通道403，且多条第一通道403沿轴部402的周向对称分布，从而可以提高进气效率。每条第一通道403的出气端位于端部401朝向反应腔室200的内侧壁上，该内侧壁暴露在反应腔室200的内部环境中，从而始终与反应腔室200相连通；第一通道403的进气端位于轴部402的内周壁上。
活动件404呈柱状，且嵌套在轴部402内，并且活动件404的外周壁与轴部402的内周壁滑动配合。压缩弹簧405位于轴部402内侧，且位于端部401与活动件404的端面之间，从而活动件404通过压缩弹簧405实现与固定件的弹性连接。如图3A所示，当未向匀流腔203内输送工艺气体时，此时匀流腔203内的气压较低，该气压朝向活动件404施加的压力小于压缩弹簧405的弹力，从而压缩弹簧405处于原始长度状态，同时活动件404处于可封闭第一通道403的各个进气端的位置处，进而可以避免留存在匀流腔203内部的工艺气体进入到反应腔室200内。
当通过进气口206向匀流腔203内输送工艺气体时，如图3B所示，匀流腔203内的气压逐渐上升，当该气压上升至其朝向活动件404施加的压力大于压缩弹簧405的弹力的时候，活动件404开始压缩压缩弹簧405，即，克服了压缩弹簧405的弹力向左滑动，直至使第一通道403的各个进气端与匀流腔203相连通。在这种情况下，匀流腔203内的工艺气体通过第一通道403的各个进气端进入第一通道403，然后通过第一通道403的出气端进入反应腔室200内，工艺气体的气流方向如图3B中的箭头所示。当停止向匀流腔203内输送工艺气体时，匀流腔203内的气压下降，从而使得活动件404在压缩弹簧405的弹力作用下复位，即返回至图3A中的位置处，以重新使第一通道403的各个进气端与匀流腔203相隔离。
需要说明的是，在本实施例中，第一通道403为多条，且沿轴部402的周向均匀分布，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，第一通道还可以为一条。
图4A为本发明第三实施例采用的通断装置在未通入气体时的放大图。图4B为本发明第三实施例采用的通断装置在通入气体时的放大图。请一并参阅图4A和图4B，本实施例提供的半导体加工设备与上述第一、第二实施例相比，同样包括反应腔室、中央进气机构和边缘进气机构，在每个出气口内设置有通断装置。由于上述机构或装置的结构和功能在第一、第二实施例中已有了详细描述，在此不再赘述。下面仅对本实施例与上述第一、第二实施例之间的区别进行详细描述。
具体地，本实施例采用的通断装置包括固定件、活动件504和压缩弹簧505，其中，固定件和活动件504封堵出气口207，二者沿出气口207的轴向相对设置，且活动件504和固定件分别靠近出气口207的进气端和出气端。进一步地，固定件包括端部501和轴部502，其中，端部501封堵在出气口207的出气端处；轴部502呈柱状，且水平设置，并且轴部502的一端与端部501连接，且位于该端部501的中心位置处；轴部502的另一端朝出气口207的进气端水平延伸。
而且，固定件具有第一通道503，该第一通道503的出气端位于端部501朝向反应腔室200的内侧壁上，该内侧壁暴露在反应腔室200的内部环境中，从而始终与反应腔室200相连通；第一通道503的进气端位于轴部502的外周壁上，该进气端的数量为多个，且沿轴部502的周向对称分布，从而可以提高进气效率。
在活动件504与轴部502相对的表面上设置有配合孔，该配合孔与轴部502相配合。并且，活动件504具有一条或多条第二通道506，且位于配合孔的外侧，并且多条第二通道506围绕配合孔对称分布，从而可以提高进气效率。每条第二通道506的出气端位于活动件504与端部501相对的表面上，从而使得第一通道503的进气端始终与第二通道506的出气端相连通。而且，活动件504的外周壁与出气口207的内壁滑动配合，且分别对应地在活动件504和出气口207的内壁上设置有凹部508和凸部507，第二通道506的进气端位于凹部508的与凸部507相配合的表面上。压缩弹簧505位于配合孔内，且位于轴部502的端面(右端)与配合孔的底面之间，从而活动件504通过压缩弹簧505实现与固定件的弹性连接。如图4A所示，当未向匀流腔203内输送工艺气体时，此时匀流腔203内的气压较低，该气压朝向活动件504施加的压力小于压缩弹簧505的弹力，从而压缩弹簧505处于原始长度状态，同时凸部507位于凹部508内，且二者相互配合，从而将第二通道506的进气端封闭，以使第二通道506的进气端与匀流腔203相隔离，进而可以避免留存在匀流腔203内部的工艺气体进入到反应腔室200内。
当通过进气口206向匀流腔203内输送工艺气体时，如图4B所示，匀流腔203内的气压逐渐上升，当该气压上升至其朝向活动件504施加的压力大于压缩弹簧505的弹力的时候，活动件504开始压缩压缩弹簧505，即，克服了压缩弹簧505的弹力向左滑动，直至凹部508和凸部507相互分离，从而使第二通道506的进气端与匀流腔203相连通。在这种情况下，匀流腔203内的工艺气体通过第二通道506的各个进气端进入第二通道506，并通过第二通道506的出气端进入出气口207位于活动件504与所述端部501之间的空间内，然后通过第一通道503的各个进气端进入第一通道503，并通过第一通道503的出气端进入反应腔室200内，工艺气体的气流方向如图4B中的箭头所示。当停止向匀流腔203内输送工艺气体时，匀流腔203内的气压下降，从而使得活动件504在压缩弹簧505的弹力作用下复位，即返回至图4A中的位置处，以重新使第二通道506的进气端与匀流腔203相隔离。
综上所述，本发明上述各个实施例提供的半导体加工设备，其在出气口内设置有通断装置，该通断装置用于在通过进气口向匀流腔输送工艺气体时，在气压的作用下使出气口与反应腔室相连通；或者，在未向匀流腔输送工艺气体时，在气压的作用下使出气口与反应腔室相隔离，从而在将两种不同的工艺气体交替通入反应腔室时，可以避免留存在匀流腔内部的工艺气体进入到反应腔室内，从而可以保证工艺均匀性。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体加工设备，包括反应腔室、中央进气机构和边缘进气机构，其中，所述中央进气机构设置在所述反应腔室的顶部中心位置处；所述边缘进气机构包括进气口、匀流腔和多个出气口，其中，所述匀流腔环绕设置在所述反应腔室的边缘位置处；所述进气口用于将工艺气体输送至所述匀流腔；所述多个出气口沿所述匀流腔的周向均匀分布，用以将所述匀流腔内的工艺气体输送至所述反应腔室内，其特征在于，
在每个所述出气口内设置有通断装置，用以在通过所述进气口向所述匀流腔内输送工艺气体时，在气压的作用下使所述出气口与所述反应腔室相连通；或者，在未向所述匀流腔内输送工艺气体时，在气压的作用下使所述出气口与所述反应腔室相隔离。
2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述通断装置包括固定件、活动件和压缩弹簧，其中，
所述固定件和活动件封堵所述出气口，二者沿所述出气口的轴向相对设置，且所述活动件和所述固定件分别靠近所述出气口的进气端和出气端；并且，所述固定件具有第一通道；所述第一通道的出气端始终与所述反应腔室相连通；
所述活动件通过所述压缩弹簧与所述固定件弹性连接，且在通过所述进气口向所述匀流腔内输送工艺气体时，所述活动件在气压作用下压缩所述压缩弹簧，以使所述第一通道的进气端与所述匀流腔相连通；在未向所述匀流腔内输送工艺气体时，所述活动件在所述压缩弹簧的弹力作用下复位，以使所述第一通道的进气端与所述匀流腔相隔离。
3.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述固定件包括端部和轴部，其中，
所述端部封堵在所述出气口的出气端处；
所述轴部呈柱状，所述轴部的一端与所述端部连接，且位于所述端部的中心位置处，所述轴部的另一端朝所述出气口的进气端水平延伸；所述第一通道的进气端位于所述轴部的外周壁上，所述第一通道的出气端位于所述端部朝向所述反应腔室的内侧壁上；
所述活动件呈环状，且套设在所述轴部上，并且所述活动件的内周壁与所述轴部的外周壁滑动配合；
所述压缩弹簧套设在所述轴部上，且位于所述端部和所述活动件的端面之间。
4.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一通道的进气端为多个，且沿所述轴部的周向对称分布。
5.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述固定件包括端部和轴部，其中，
所述端部封堵在所述出气口的出气端处；
所述轴部呈环状，且所述轴部的外周壁与所述出气口的内壁相配合；所述轴部的一端与所述端部连接，所述轴部的另一端朝所述出气口的进气端水平延伸；所述第一通道的进气端位于所述轴部的内周壁上，所述第一通道的出气端位于所述端部朝向所述反应腔室的内侧壁上；
所述活动件呈柱状，且嵌套在所述轴部内，并且所述活动件的外周壁与所述轴部的内周壁滑动配合；
所述压缩弹簧位于所述轴部的内侧，且位于所述端部与所述活动件的端面之间。
6.根据权利要求5所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一通道为多条，且沿所述轴部的周向对称分布。
7.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述通断装置包括固定件、活动件和压缩弹簧，其中，
所述固定件和活动件封堵所述出气口，二者沿所述出气口的轴向相对设置，且所述活动件和所述固定件分别靠近所述出气口的进气端和出气端；并且，所述固定件具有第一通道，所述活动件具有第二通道；所述第一通道的出气端始终与所述反应腔室相连通，所述第一通道的进气端始终与所述第二通道的出气端相连通；
所述活动件通过所述压缩弹簧与所述固定件弹性连接，且在通过所述进气口向所述匀流腔内输送工艺气体时，所述活动件在气压作用下压缩所述压缩弹簧，以使所述第二通道的进气端与所述匀流腔相连通；在未向所述匀流腔内输送工艺气体时，所述活动件在所述压缩弹簧的弹力下复位，以使所述第二通道的进气端与所述匀流腔相隔离。
8.根据权利要求7所述的半导体加工设备，其特征在于，所述固定件包括端部和轴部，其中，
所述端部封堵在所述出气口的出气端处；
所述轴部呈柱状，且水平设置，并且所述轴部的一端与所述端部连接，且位于所述端部的中心位置处，所述轴部的另一端朝所述出气口的进气端水平延伸；所述第一通道的进气端位于所述轴部的外周壁上，所述第一通道的出气端位于所述端部朝向所述反应腔室的内侧壁上；
在所述活动件与所述轴部相对的表面上设置有配合孔，所述配合孔与所述轴部相配合；所述第二通道位于所述配合孔的外侧，且所述第二通道的出气端位于所述活动件与所述端部相对的表面上；
所述活动件的外周壁与所述出气口的内壁滑动配合，且分别对应地在所述活动件和所述出气口的内壁上设置有凹部和凸部，二者在所述活动件复位时相互配合，且在所述活动件压缩所述压缩弹簧时相互分离；所述第二通道的进气端位于所述凹部的与所述凸部相配合的表面上；
所述压缩弹簧位于所述配合孔内，且位于所述轴部的端面与所述配合孔的底面之间。
9.根据权利要求8所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第二通道为多条，且围绕所述配合孔对称分布。
10.根据权利要求8所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一通道的进气端为多个，且沿所述轴部的周向对称分布。
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TWD187804S (zh) Part of the substrate processing component

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Applicant after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd

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