CN111334772A - 真空载片装置及真空镀膜设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种真空载片装置及真空镀膜设备，涉及真空镀膜设备技术领域，所述真空载片装置包括：腔体、载片架和分气模组，所述载片架和所述分气模组均位于所述腔体内部，且所述载片架和所述分气模组沿第一方向依次设置；所述分气模组包括进气口和出气口，以及连通进气口和出气口的通道，所述进气口与外界气源连通，以使外界的气体能够通过所述分气模组进入到所述腔体内部，所述出气口设置在所述分气模组的侧壁上，所述出气口朝向所述载片架的周向外侧。

Description

真空载片装置及真空镀膜设备
技术领域
本发明涉及真空镀膜设备技术领域，尤其是涉及一种真空载片装置及真空镀膜设备。
背景技术
真空镀膜设备包括真空腔室，真空腔室用于容纳待镀膜晶体片，真空腔室内壁上具有回气口。
现有的真空镀膜设备中的回气口朝向晶体片，回气时，气流经常会吹翻晶体片，造成晶体片位置偏移或者碎裂。
发明内容
本发明的目的在于提供一种真空载片装置及真空镀膜设备，以缓解现有的晶体片镀膜设备中，回气气流镜晶体片吹离原来位置，甚至吹裂的技术问题。
第一方面，本发明实施例提供的一种真空载片装置，所述真空载片装置包括：腔体、载片架和分气模组，所述载片架和所述分气模组均位于所述腔体内部，且所述载片架和所述分气模组沿第一方向依次设置；
所述分气模组包括进气口、出气口、以及连通进气口和出气口的通道，所述进气口与外界气源连通，以使外界的气体能够通过所述分气模组进入到所述腔体内部，所述出气口设置在所述分气模组的侧壁上，所述出气口朝向所述载片架的周向外侧。
进一步的，所述出气口的数量为多个。
进一步的，所述出气口上设置有微孔扩散器，用于使出气均匀。
进一步的，所述微孔扩散器的微孔的孔径小于等于0.003微米。
进一步的，所述分气模组包括多个填充块，每个所述填充块上均设置有进气口和出气口。
进一步的，所述腔体上设置有回气管路，所述回气管路一端与所述进气口连接，另一端与外界气源连接，所述回气管路上设置有阀门，所述阀门用于控制所述回气管路的通断。
进一步的，所述回气管路与所述进气口之间设置有防止气体外泄的密封结构。
进一步的，所述真空载片装置包括挡板，所述挡板位于所述分气模组和载片架之间，且所述载片架向所述挡板的投影落在所述挡板上。
进一步的，所述挡板上设置有进液口、出液口、以及连通所述进液口和出液口的冷却液流道。
第二方面，本发明实施例提供的一种真空镀膜设备，包括上述的真空载片装置。
本发明实施例提供的真空载片装置，所述真空载片装置包括：腔体、载片架和分气模组，所述载片架和所述分气模组均位于所述腔体内部，且所述载片架和所述分气模组沿第一方向依次设置；所述分气模组包括进气口和出气口，以及连通进气口和出气口的通道，所述进气口与外界气源连通，以使外界的气体能够通过所述分气模组进入到所述腔体内部，所述出气口设置在所述分气模组的侧壁上，所述出气口朝向所述载片架的周向外侧。晶体片放置在载片架上，位于载片架一侧的分气模组用于完成回气过程，外界的气体通过分气模组的进气口进入到腔体内，而分气模组上的出气口朝向载片架的外侧方，也就是说，出气口并没有朝向载片架，当回气时，气流没有直吹到晶体片上，从而减少气流对晶体片的冲击，降低气流对晶体片的损伤。
本发明实施例提供的一种真空镀膜设备，包括上述的真空载片装置。因为本发明实施例提供的真空镀膜设备引用了上述的真空载片装置，所以，本发明实施例提供的真空镀膜设备也具备真空载片装置的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的真空载片装置的截面图；
图2为本发明实施例提供的真空载片装置的仰视图；
图3为本发明实施例提供的真空载片装置的分气模组的示意图。
图标：100-腔体；200-载片架；300-分气模组；310-填充块；400-微孔扩散器；500-阀门；600-密封圈；700-挡板；800-冷却液流道。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1-图3所示，本发明实施例提供的真空载片装置，所述真空载片装置包括：腔体100、载片架200和分气模组300，所述载片架200和所述分气模组300均位于所述腔体100内部，且所述载片架200和所述分气模组300沿第一方向依次设置，载片架200和所述分气模组300可以沿上下方向依次设置；所述分气模组300包括进气口和出气口，以及连通进气口和出气口的通道，所述进气口与外界气源连通，以使外界的气体能够通过所述分气模组300进入到所述腔体100内部，所述出气口设置在所述分气模组300的侧壁上，所述出气口朝向所述载片架200的周向外侧。
腔体100为一个可以完全密封的容器，可以由一个盒体和一个盖体组成，腔体100的形状可以呈立方体。
分气模组300位于载片架200的正下方，本实施例中，出气口朝向水平方向。载片架200上设置有多个容纳晶体片的凹槽，晶体片平放在载片架200上。
晶体片放置在载片架200上，位于载片架200一侧的分气模组300用于完成回气过程，外界的气体通过分气模组300的进气口进入到腔体100内，而分气模组300上的出气口朝向载片架200的外侧方，在本市实施例中，出气口朝向水平方向，并不会直接吹向载片架200，从而不会造成晶体片被吹翻的现象。
同时，出气口吹出的风受到腔体100内壁的阻挡，起到减缓气流冲击的效果，也就是说，出气口并没有朝向载片架200，当回气时，气流没有直吹到晶体片上，而是吹向腔体100的侧壁，从而减少气流对晶体片的冲击，降低气流对晶体片的损伤。
需要特别说明的，除了上述的优点外，本方案中，因为采用腔体100内置分气模组300进行回气，一方面，利用分气模组300的出气口不朝向载片架200的特点，可以避免晶体片被吹飞，造成损伤；另一方面，因为分气模组300是放置在腔体100内部的，分气模组300具有一定的体积，通过分气模组300可以占用腔体100内部的空间，可以更快速的完成抽真空。
分气模组300上的出气口的数量可以为多个。
本实施例中，出气口均匀的分布在分气模组300的四周，每一侧的出气口的数量均为多个，分气模组300的四面均匀出气，起到缓解气流冲击力的目的。
所述出气口上设置有微孔扩散器400，用于使出气均匀。
微孔扩散器400的材质可以为不锈钢，其固定在出气口的末端上，微孔扩散器400包括密布的多个微孔，微孔的孔径可以小于等于0.003微米。
微孔扩散器400的目的是进一步地使气流降速，从而使吹入到腔体100内的气体的流速降低，避免对晶体片造成不必要的损伤。
需要进一步说明的，通过对微孔扩散器400的孔径的限制，可以使微孔扩散器400具有过滤的功能，减少外界的颗粒杂质进入到腔体100内污染晶体片。
所述分气模组300包括多个填充块310，每个所述填充块310上设置有均设置有进气口和出气口。
本实施例中，填充块310的数量为两个，两个填充块310在同一水平位置处，且相对设置，二者之间具有间距。进气口位于填充块310的底面上，每个填充块310的进气口上均连接有回气管路，所述回气管路上设置有阀门500，所述阀门500用于控制所述回气管路的通断。回气管道可以通过螺丝固定在腔体100上，并贯穿腔体100，回气管道与腔体100之间密封。
本实施例中，回气管道和阀门500的数量均为两个，分别与两个填充块310对应。
为了进一步增加填充块310和回气管道之间的密封性，防止回气气体泄漏，所述回气管路与所述进气口之间设置有密封结构。
密封结构可以为密封圈600，防止气体外泄到腔体100内。
为了进一步的保护载片架200上的晶体片，所述真空载片装置还包括挡板700，所述挡板700位于所述分气模组300和载片架200之间，且所述载片架200向所述挡板700的投影落在所述挡板700上。
挡板700位于载片架200的下层，其尺寸与载片架200相同，或者大于载片架200，这样，可以完全避免载片架200下侧会有气流向上冲击。
进一步的，所述挡板700上设置有进液口和出液口，以及连通所述进液口和出液口的冷却液流道800。
装置还包括进液管和出液管，进液管和出液管贯穿腔体100，进液管的一端与进液口连接，另一端位于腔体100的外部，同理，出液管与出液口连接，从而可以使冷却液可以在挡板700内循环流动，达到对腔体100内部进行降温的目的。
本发明实施例提供的真空镀膜设备，包括上述的真空载片装置。因为本发明实施例提供的真空镀膜设备引用了上述的真空载片装置，所以，本发明实施例提供的真空镀膜设备也具备真空载片装置的优点。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种真空载片装置，其特征在于，所述真空载片装置包括：腔体(100)、载片架(200)和分气模组(300)，所述载片架(200)和所述分气模组(300)均位于所述腔体(100)内部，且所述载片架(200)和所述分气模组(300)沿第一方向依次设置；
所述分气模组(300)包括进气口、出气口、以及连通进气口和出气口的通道，所述进气口与外界气源连通，以使外界的气体能够通过所述分气模组(300)进入到所述腔体(100)内部，所述出气口设置在所述分气模组(300)的侧壁上，所述出气口朝向所述载片架(200)的周向外侧。
2.根据权利要求1所述的真空载片装置，其特征在于，所述出气口的数量为多个。
3.根据权利要求1所述的真空载片装置，其特征在于，所述出气口上设置有微孔扩散器(400)，用于使出气均匀。
4.根据权利要求3所述的真空载片装置，其特征在于，所述微孔扩散器(400)的微孔的孔径小于等于0.003微米。
5.根据权利要求1所述的真空载片装置，其特征在于，所述分气模组(300)包括多个填充块(310)，每个所述填充块(310)上均设置有进气口和出气口。
6.根据权利要求1或5所述的真空载片装置，其特征在于，所述腔体(100)上设置有回气管路，所述回气管路一端与所述进气口连接，另一端与外界气源连接，所述回气管路上设置有阀门(500)，所述阀门(500)用于控制所述回气管路的通断。
7.根据权利要求6所述的真空载片装置，其特征在于，所述回气管路与所述进气口之间设置有防止气体外泄的密封结构。
8.根据权利要求6所述的真空载片装置，其特征在于，所述真空载片装置包括挡板(700)，所述挡板(700)位于所述分气模组(300)和载片架(200)之间，且所述载片架(200)向所述挡板(700)的投影落在所述挡板(700)上。
9.根据权利要求8所述的真空载片装置，其特征在于，所述挡板(700)上设置有进液口、出液口、以及连通所述进液口和出液口的冷却液流道(800)。
10.一种真空镀膜设备，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的真空载片装置。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876299A (zh) * 2015-12-11 2017-06-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体加工设备
CN206553625U (zh) * 2017-03-28 2017-10-13 凯盛重工有限公司 一种真空破空用空气分流装置
CN107447205A (zh) * 2017-07-24 2017-12-08 江苏实为半导体科技有限公司 一种高效沉积cvd装置
CN206872939U (zh) * 2017-07-07 2018-01-12 中建材光电装备（太仓）有限公司 一种低辐射镀膜生产线用破空装置
CN107841724A (zh) * 2017-11-03 2018-03-27 江西合力泰科技有限公司 镀膜机及镀膜方法
CN208917305U (zh) * 2018-08-30 2019-05-31 常州比太科技有限公司 一种封闭式镀膜系统
CN209039571U (zh) * 2018-08-24 2019-06-28 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 破空装置
CN209292476U (zh) * 2018-09-29 2019-08-23 北京北方华创微电子装备有限公司 用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置
CN210001919U (zh) * 2019-03-14 2020-01-31 东泰高科装备科技有限公司 布气结构及具有其的反应腔体组件
CN212270225U (zh) * 2020-04-23 2021-01-01 苏州迈正科技有限公司 真空载片装置及真空镀膜设备

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876299A (zh) * 2015-12-11 2017-06-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体加工设备
CN206553625U (zh) * 2017-03-28 2017-10-13 凯盛重工有限公司 一种真空破空用空气分流装置
CN206872939U (zh) * 2017-07-07 2018-01-12 中建材光电装备（太仓）有限公司 一种低辐射镀膜生产线用破空装置
CN107447205A (zh) * 2017-07-24 2017-12-08 江苏实为半导体科技有限公司 一种高效沉积cvd装置
CN107841724A (zh) * 2017-11-03 2018-03-27 江西合力泰科技有限公司 镀膜机及镀膜方法
CN209039571U (zh) * 2018-08-24 2019-06-28 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 破空装置
CN208917305U (zh) * 2018-08-30 2019-05-31 常州比太科技有限公司 一种封闭式镀膜系统
CN209292476U (zh) * 2018-09-29 2019-08-23 北京北方华创微电子装备有限公司 用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置
CN210001919U (zh) * 2019-03-14 2020-01-31 东泰高科装备科技有限公司 布气结构及具有其的反应腔体组件
CN212270225U (zh) * 2020-04-23 2021-01-01 苏州迈正科技有限公司 真空载片装置及真空镀膜设备

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